JP2000174326A - 検知装置 - Google Patents
検知装置Info
- Publication number
- JP2000174326A JP2000174326A JP34877998A JP34877998A JP2000174326A JP 2000174326 A JP2000174326 A JP 2000174326A JP 34877998 A JP34877998 A JP 34877998A JP 34877998 A JP34877998 A JP 34877998A JP 2000174326 A JP2000174326 A JP 2000174326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- light
- level
- light receiving
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/05—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container
- G11B15/06—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape
- G11B15/08—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape by photoelectric sensing
Landscapes
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収す
る。 【解決手段】 検知動作の前の設定動作において、赤外
発光ダイオード２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤
外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部がない場合の検
知電圧ＶINHをあらかじめ測定し、この検知電圧ＶINHに
係数ＫＴ（＜１）を乗じることにより設定したしきい値
電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させておく。そして、検知
動作において、検知電圧ＶINを上記設定したしきい値電
圧ＶTHと比較することにより、上記の赤外光伝送空間に
磁気テープ４の磁性体部があるか否かを判別する。
る。 【解決手段】 検知動作の前の設定動作において、赤外
発光ダイオード２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤
外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部がない場合の検
知電圧ＶINHをあらかじめ測定し、この検知電圧ＶINHに
係数ＫＴ（＜１）を乗じることにより設定したしきい値
電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させておく。そして、検知
動作において、検知電圧ＶINを上記設定したしきい値電
圧ＶTHと比較することにより、上記の赤外光伝送空間に
磁気テープ４の磁性体部があるか否かを判別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、検知対象空間に
照射した光が検知対象空間を透過するか否かあるいは検
知対象空間で反射されるか否かに従って、前記検知対象
空間に検知対象物体があるか否かを検知する光透過型ま
たは光反射型の検知装置に関し、特に磁気記録再生装置
に用いられる検知装置に関するものである。
照射した光が検知対象空間を透過するか否かあるいは検
知対象空間で反射されるか否かに従って、前記検知対象
空間に検知対象物体があるか否かを検知する光透過型ま
たは光反射型の検知装置に関し、特に磁気記録再生装置
に用いられる検知装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は磁気記録再生装置に装備されてい
る従来の検知装置の構成図である。図８の検知装置は、
磁気テープ送り機構の磁気テープ走路に磁気テープ４が
あるか否か、また磁気テープ４がある場合にそれが磁性
体部であるか透明のリード部であるかを検知する検知装
置である。また、図９は図８の検知装置の検知動作を示
すフローチャートである。また、図１０は磁気記録再生
装置における図８の検知装置の配置例を示す図である。
る従来の検知装置の構成図である。図８の検知装置は、
磁気テープ送り機構の磁気テープ走路に磁気テープ４が
あるか否か、また磁気テープ４がある場合にそれが磁性
体部であるか透明のリード部であるかを検知する検知装
置である。また、図９は図８の検知装置の検知動作を示
すフローチャートである。また、図１０は磁気記録再生
装置における図８の検知装置の配置例を示す図である。
【０００３】図８の検知装置は、赤外波長の検知光を発
する赤外発光ダイオード２と、発光部固定抵抗３と、赤
外発光ダイオード２からの検知光を受光する赤外フォト
トランジスタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコン
ピュータ２０とを備えている。赤外発光ダイオード２と
赤外フォトトランジスタ６とは、磁気テープ走路の両側
に配置されている。この赤外発光ダイオード２と赤外フ
ォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間（検知対象空
間）に磁気テープ４の磁性体部分が介在すると、赤外発
光ダイオード２からの赤外光は、上記の磁性体部分によ
り遮光され、赤外フォトトランジスタ６で受光されな
い。また、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性
体部分が介在していなければ、赤外発光ダイオード２か
らの赤外光は、赤外光フォトトランジスタ６によって受
光される。図８の検知装置は、図１０においては、磁気
テープ４の始端部および終端部を検知するスタート／エ
ンドセンサとして配置されている。なお、図１０におい
て、２１は磁気記録再生装置の機構制御部およびキャプ
スタンモータ・ドライブアンプ、２２は磁気テープ４の
供給リール、２３は磁気テープ４の巻き取りリール、２
４はキャプスタン、２５はピンチローラである。
する赤外発光ダイオード２と、発光部固定抵抗３と、赤
外発光ダイオード２からの検知光を受光する赤外フォト
トランジスタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコン
ピュータ２０とを備えている。赤外発光ダイオード２と
赤外フォトトランジスタ６とは、磁気テープ走路の両側
に配置されている。この赤外発光ダイオード２と赤外フ
ォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間（検知対象空
間）に磁気テープ４の磁性体部分が介在すると、赤外発
光ダイオード２からの赤外光は、上記の磁性体部分によ
り遮光され、赤外フォトトランジスタ６で受光されな
い。また、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性
体部分が介在していなければ、赤外発光ダイオード２か
らの赤外光は、赤外光フォトトランジスタ６によって受
光される。図８の検知装置は、図１０においては、磁気
テープ４の始端部および終端部を検知するスタート／エ
ンドセンサとして配置されている。なお、図１０におい
て、２１は磁気記録再生装置の機構制御部およびキャプ
スタンモータ・ドライブアンプ、２２は磁気テープ４の
供給リール、２３は磁気テープ４の巻き取りリール、２
４はキャプスタン、２５はピンチローラである。
【０００４】次に、検知動作について説明する。発光部
固定抵抗３により、一定の発光量で赤外発光ダイオード
２を駆動させ、赤外フォトトランジスタ６の出力電流
（検知電流）を受光部固定抵抗７で検知電圧ＶINに変換
し、この検知電圧ＶINをマイクロコンピュータ２０に送
る。そして、検知電圧ＶINは、受光部固定抵抗７によ
り、磁気テープ４の磁性体部分による遮光が行われない
ときはＨレベル（ほぼ電源電圧ＶＣＣ２）となり、逆に
磁性体部分で遮光されるときはＬレベル（ほぼ０
［Ｖ］）となる。この検知電圧ＶINをマイクロコンピュ
ータ２０にて、図９に示すフローチャートの手順で処理
することにより、磁気テープ４の磁性体部が上記の検知
対象空間に介在するか否かを判別している。つまり、電
源電圧ＶＣＣ２の１／２の値に固定されているしきい値
電圧ＶTHを用い（ステップＳ２０）、検知電圧ＶINを測
定し（ステップＳ２１）、この検知電圧ＶINを上記のし
きい値電圧ＶＴＨと比較し（ステップＳ２２）、ＶIN＞
ＶTHであれば磁性体部でないと判別し（ステップＳ２
３）、ＶIN≦ＶTHであれば磁性体部であると判別する
（ステップＳ２４）。
固定抵抗３により、一定の発光量で赤外発光ダイオード
２を駆動させ、赤外フォトトランジスタ６の出力電流
（検知電流）を受光部固定抵抗７で検知電圧ＶINに変換
し、この検知電圧ＶINをマイクロコンピュータ２０に送
る。そして、検知電圧ＶINは、受光部固定抵抗７によ
り、磁気テープ４の磁性体部分による遮光が行われない
ときはＨレベル（ほぼ電源電圧ＶＣＣ２）となり、逆に
磁性体部分で遮光されるときはＬレベル（ほぼ０
［Ｖ］）となる。この検知電圧ＶINをマイクロコンピュ
ータ２０にて、図９に示すフローチャートの手順で処理
することにより、磁気テープ４の磁性体部が上記の検知
対象空間に介在するか否かを判別している。つまり、電
源電圧ＶＣＣ２の１／２の値に固定されているしきい値
電圧ＶTHを用い（ステップＳ２０）、検知電圧ＶINを測
定し（ステップＳ２１）、この検知電圧ＶINを上記のし
きい値電圧ＶＴＨと比較し（ステップＳ２２）、ＶIN＞
ＶTHであれば磁性体部でないと判別し（ステップＳ２
３）、ＶIN≦ＶTHであれば磁性体部であると判別する
（ステップＳ２４）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来の検知
装置においては、赤外フォトトランジスタ６の出力電流
（検知電流）に含まれる、種々のバラツキ要素を全て加
味して設計する必要がある。種々のバラツキ要素とは、
例えば、それぞれの素子の出力特性・寿命・取付け位置
・角度・暗電流、磁気テープの透過率、電源電圧バラツ
キなどであり、多岐に渡る。このような種々のバラツキ
を吸収させるために、素子のバラツキをランク分けし、
使用する素子を制限したり、素子の取付け位置や角度の
規格を厳しくする等の対策がなされている。しかしなが
ら、使用する素子のランクを制限することにより、コス
トが上昇するなどの問題があった。また、取付け位置や
角度の規格を厳しくすることにより、製造しにくくなっ
たり、ときには設計不可能になってしまう場合があるな
どの問題があった。
装置においては、赤外フォトトランジスタ６の出力電流
（検知電流）に含まれる、種々のバラツキ要素を全て加
味して設計する必要がある。種々のバラツキ要素とは、
例えば、それぞれの素子の出力特性・寿命・取付け位置
・角度・暗電流、磁気テープの透過率、電源電圧バラツ
キなどであり、多岐に渡る。このような種々のバラツキ
を吸収させるために、素子のバラツキをランク分けし、
使用する素子を制限したり、素子の取付け位置や角度の
規格を厳しくする等の対策がなされている。しかしなが
ら、使用する素子のランクを制限することにより、コス
トが上昇するなどの問題があった。また、取付け位置や
角度の規格を厳しくすることにより、製造しにくくなっ
たり、ときには設計不可能になってしまう場合があるな
どの問題があった。
【０００６】この発明は、上記のような従来の問題を解
決するためになされたものであり、検知信号に含まれる
種々のバラツキを吸収できる検知装置を提供することを
目的とするものである。
決するためになされたものであり、検知信号に含まれる
種々のバラツキを吸収できる検知装置を提供することを
目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１記載の検知装置は、検知対象空
間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受光し、
この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する受光手
段と、前記検知信号のレベルをしきい値と比較すること
により、前記検知対象空間に前記検知対象物体があるか
否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前記検知光
を受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前
記検知信号のレベルに応じて、前記しきい値をあらかじ
め設定しておく設定手段と、前記設定されたしきい値を
記憶しておく記憶手段とを備えたものである。
めに、本発明の請求項１記載の検知装置は、検知対象空
間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受光し、
この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する受光手
段と、前記検知信号のレベルをしきい値と比較すること
により、前記検知対象空間に前記検知対象物体があるか
否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前記検知光
を受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前
記検知信号のレベルに応じて、前記しきい値をあらかじ
め設定しておく設定手段と、前記設定されたしきい値を
記憶しておく記憶手段とを備えたものである。
【０００８】本発明の請求項２記載の検知装置は、請求
項１において、前記設定手段が、前記受光手段が前記検
知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置したとき
の前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光
を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したときの
前記検知信号のレベルとに応じて、前記しきい値をあら
かじめ設定しておくようにしたものである。
項１において、前記設定手段が、前記受光手段が前記検
知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置したとき
の前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光
を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したときの
前記検知信号のレベルとに応じて、前記しきい値をあら
かじめ設定しておくようにしたものである。
【０００９】本発明の請求項３記載の検知装置は、検知
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルに従って、前記検知
対象空間に前記検知対象物体があるか否かを判別する判
別手段と、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に
前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレ
ベルが所定値になるように、前記受光手段または前記発
光手段をあらかじめ設定しておく設定手段とを備えたも
のである。
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルに従って、前記検知
対象空間に前記検知対象物体があるか否かを判別する判
別手段と、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に
前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレ
ベルが所定値になるように、前記受光手段または前記発
光手段をあらかじめ設定しておく設定手段とを備えたも
のである。
【００１０】本発明の請求項４記載の検知装置は、請求
項３において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレベルが
所定値になるように、前記受光手段の検知信号レベルを
あらかじめ設定しておくようにしたものである。
項３において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときに、前記検知信号のレベルが
所定値になるように、前記受光手段の検知信号レベルを
あらかじめ設定しておくようにしたものである。
【００１１】本発明の請求項５記載の検知装置は、請求
項３において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときに、前
記検知信号のレベルが所定値になるように、前記発光手
段の発光量をあらかじめ設定しておくようにしたもので
ある。
項３において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときに、前
記検知信号のレベルが所定値になるように、前記発光手
段の発光量をあらかじめ設定しておくようにしたもので
ある。
【００１２】本発明の請求項６記載の検知装置は、検知
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルを所定のしきい値と
比較することにより、前記検知対象空間に検知対象物体
があるか否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前
記検知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置した
ときの前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検
知光を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したと
きの前記検知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値
に一致するように、前記発光手段または前記受光手段あ
るいはその両方をあらかじめ設定しておく設定手段とを
備えたものである。
対象空間に検知光を発する発光手段と、前記検知光を受
光し、この受光量に応じたレベルの検知信号を出力する
受光手段と、前記検知信号のレベルを所定のしきい値と
比較することにより、前記検知対象空間に検知対象物体
があるか否かを判別する判別手段と、前記受光手段が前
記検知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置した
ときの前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検
知光を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したと
きの前記検知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値
に一致するように、前記発光手段または前記受光手段あ
るいはその両方をあらかじめ設定しておく設定手段とを
備えたものである。
【００１３】本発明の請求項７記載の検知装置は、請求
項６において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、
前記受光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知
対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中
間値が、前記しきい値に一致するように、前記受光手段
の検知信号レベルをあらかじめ設定しておくようにした
ものである。
項６において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記設定手段
が、前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検
知対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、
前記受光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知
対象物体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中
間値が、前記しきい値に一致するように、前記受光手段
の検知信号レベルをあらかじめ設定しておくようにした
ものである。
【００１４】本発明の請求項８記載の検知装置は、請求
項６において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前記
検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光
しない位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検
知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値に一致する
ように、前記発光手段の発光量をあらかじめ設定してお
くようにしたものである。
項６において、前記発光手段が、発光量を可変する手段
を有し、前記設定手段が、前記受光手段が前記検知光を
受光する位置に前記検知対象物体を配置したときの前記
検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光
しない位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検
知信号のレベルとの中間値が、前記しきい値に一致する
ように、前記発光手段の発光量をあらかじめ設定してお
くようにしたものである。
【００１５】本発明の請求項９記載の検知装置は、請求
項６において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記発光手段
が、発光量を可変する手段を有し、前記設定手段が、前
記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対象
物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、前記受
光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知対象物
体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中間値
が、前記しきい値に一致するように、前記発光手段の発
光量および前記受光手段の検知信号レベルをあらかじめ
設定しておくようにしたものである。
項６において、前記受光手段が、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、前記発光手段
が、発光量を可変する手段を有し、前記設定手段が、前
記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対象
物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、前記受
光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知対象物
体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中間値
が、前記しきい値に一致するように、前記発光手段の発
光量および前記受光手段の検知信号レベルをあらかじめ
設定しておくようにしたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は磁気記録再
生装置に導入した本発明の実施の形態１の検知装置の構
成図である。実施の形態１の検知装置は、赤外発光ダイ
オード２と、発光部固定抵抗３と、赤外フォトトランジ
スタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコンピュータ
９とを備えている。この実施の形態１の検知装置は、磁
気記録再生装置の磁気テープ走路中の検知対象空間に磁
気テープ４があるか否か、また磁気テープ４がある場合
にそれが磁性体部であるか透明のリード部であるかを検
知する検知動作の他に、検知条件の設定動作をする。
生装置に導入した本発明の実施の形態１の検知装置の構
成図である。実施の形態１の検知装置は、赤外発光ダイ
オード２と、発光部固定抵抗３と、赤外フォトトランジ
スタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコンピュータ
９とを備えている。この実施の形態１の検知装置は、磁
気記録再生装置の磁気テープ走路中の検知対象空間に磁
気テープ４があるか否か、また磁気テープ４がある場合
にそれが磁性体部であるか透明のリード部であるかを検
知する検知動作の他に、検知条件の設定動作をする。
【００１７】赤外発光ダイオード２と赤外フォトトラン
ジスタ６とは、磁気テープ走路の両側にあり、磁気テー
プを挟んで対向する位置に配置されている。赤外発光ダ
イオード２のアノード電極は、電源ＶCC1に接続され、
カソード電極は、発光部固定抵抗３を介して接地されて
いる。この赤外発光ダイオード２は、赤外波長の検知光
を発する。発光部固定抵抗３は、赤外発光ダイオード２
に流れる電流を制限し、赤外発光ダイオード２の発光量
を決める。また、赤外フォトトランジスタ６のコレクタ
電極は、電源ＶCC2に接続され、エミッタ電極は、受光
部固定抵抗７を介して接地されるとともに、マイクロコ
ンピュータ９の入力端子ＩＮに接続されている。この赤
外フォトトランジスタ６は、上記の検知光を受光し、受
光量に応じた電流（検知電流）をエミッタ電極から出力
する。また、受光部固定抵抗７は、上記の検知電流を検
知電圧ＶINに変換する。
ジスタ６とは、磁気テープ走路の両側にあり、磁気テー
プを挟んで対向する位置に配置されている。赤外発光ダ
イオード２のアノード電極は、電源ＶCC1に接続され、
カソード電極は、発光部固定抵抗３を介して接地されて
いる。この赤外発光ダイオード２は、赤外波長の検知光
を発する。発光部固定抵抗３は、赤外発光ダイオード２
に流れる電流を制限し、赤外発光ダイオード２の発光量
を決める。また、赤外フォトトランジスタ６のコレクタ
電極は、電源ＶCC2に接続され、エミッタ電極は、受光
部固定抵抗７を介して接地されるとともに、マイクロコ
ンピュータ９の入力端子ＩＮに接続されている。この赤
外フォトトランジスタ６は、上記の検知光を受光し、受
光量に応じた電流（検知電流）をエミッタ電極から出力
する。また、受光部固定抵抗７は、上記の検知電流を検
知電圧ＶINに変換する。
【００１８】赤外発光ダイオード２と発光部固定抵抗３
は、発光手段を構成しており、検知対象空間に赤外検知
光を発する。また、赤外フォトトランジスタ６と受光部
固定抵抗７は、受光手段を構成しており、上記の赤外検
知光を受光し、この受光量に応じた検知電圧ＶINを出力
する。
は、発光手段を構成しており、検知対象空間に赤外検知
光を発する。また、赤外フォトトランジスタ６と受光部
固定抵抗７は、受光手段を構成しており、上記の赤外検
知光を受光し、この受光量に応じた検知電圧ＶINを出力
する。
【００１９】赤外発光ダイオード２と赤外フォトトラン
ジスタ６の間の赤外光伝送空間（検知対象空間）に磁気
テープ４の磁性体部分が介在すると、赤外発光ダイオー
ド２からの赤外検知光は、上記の磁性体部分により遮光
され、赤外フォトトランジスタ６で受光されない。ま
た、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部分
が介在していなければ、赤外発光ダイオード２からの赤
外検知光は、赤外光フォトトランジスタ６によって受光
される。
ジスタ６の間の赤外光伝送空間（検知対象空間）に磁気
テープ４の磁性体部分が介在すると、赤外発光ダイオー
ド２からの赤外検知光は、上記の磁性体部分により遮光
され、赤外フォトトランジスタ６で受光されない。ま
た、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部分
が介在していなければ、赤外発光ダイオード２からの赤
外検知光は、赤外光フォトトランジスタ６によって受光
される。
【００２０】マイクロコンピュータ９は、Ａ−Ｄ変換器
１０と、ＣＰＵ１１と、メモリ１３と、検知電圧ＶINの
入力端子ＩＮとを有する。Ａ−Ｄ変換器１０は、検知電
圧Ｖ INをディジタルデータに変換する。メモリ１３に
は、しきい値電圧ＶTHのディジタルデータが記憶されて
いる。ＣＰＵ１１は、検知動作において、検知電圧ＶIN
（ディジタルデータ）をメモリ１３に記憶されているし
きい値電圧ＶTH（ディジタルデータ）と比較することに
より、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部
があるか否かを判別する。また、ＣＰＵ１１は、設定動
作において、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁
性体部がない場合の検知電圧ＶINHのレベルに応じて、
しきい値電圧ＶTHを演算し、このしきい値電圧ＶTHをメ
モリ１３に記憶させる。
１０と、ＣＰＵ１１と、メモリ１３と、検知電圧ＶINの
入力端子ＩＮとを有する。Ａ−Ｄ変換器１０は、検知電
圧Ｖ INをディジタルデータに変換する。メモリ１３に
は、しきい値電圧ＶTHのディジタルデータが記憶されて
いる。ＣＰＵ１１は、検知動作において、検知電圧ＶIN
（ディジタルデータ）をメモリ１３に記憶されているし
きい値電圧ＶTH（ディジタルデータ）と比較することに
より、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部
があるか否かを判別する。また、ＣＰＵ１１は、設定動
作において、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁
性体部がない場合の検知電圧ＶINHのレベルに応じて、
しきい値電圧ＶTHを演算し、このしきい値電圧ＶTHをメ
モリ１３に記憶させる。
【００２１】Ａ−Ｄ変換器１０とＣＰＵ１１は、判別手
段を構成しており、検知電圧ＶINのレベルをしきい値電
圧ＶTHと比較することにより、検知対象空間に磁気テー
プ４の磁性体部があるか否かを判別する。また、Ａ−Ｄ
変換器１０とＣＰＵ１１は、設定手段を構成しており、
上記の受光手段が赤外検知光を受光する位置に検知対象
物体を配置したとき、つまり検知対象空間に磁気テープ
４の磁性体部がないようにしたときの検知電圧ＶINHの
レベルに応じて、しきい値電圧ＶTHをあらかじめ設定し
ておく。
段を構成しており、検知電圧ＶINのレベルをしきい値電
圧ＶTHと比較することにより、検知対象空間に磁気テー
プ４の磁性体部があるか否かを判別する。また、Ａ−Ｄ
変換器１０とＣＰＵ１１は、設定手段を構成しており、
上記の受光手段が赤外検知光を受光する位置に検知対象
物体を配置したとき、つまり検知対象空間に磁気テープ
４の磁性体部がないようにしたときの検知電圧ＶINHの
レベルに応じて、しきい値電圧ＶTHをあらかじめ設定し
ておく。
【００２２】次に、しきい値電圧ＶTHの設定動作につい
て説明する。図２は本発明の実施の形態１の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧Ｖ
CC2の１／２の値である（ステップＳ１）。
て説明する。図２は本発明の実施の形態１の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧Ｖ
CC2の１／２の値である（ステップＳ１）。
【００２３】まず、実施の形態１の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９は、磁気テープ４が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合（磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合）の検知電圧ＶINHを発光手段および受光
手段によって測定する（ステップＳ２）。このとき、検
知電圧ＶINHは、Ａ−Ｄ変換器１０にてディジタルデー
タに変換され、ＣＰＵ１１に送られる。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９は、磁気テープ４が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合（磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合）の検知電圧ＶINHを発光手段および受光
手段によって測定する（ステップＳ２）。このとき、検
知電圧ＶINHは、Ａ−Ｄ変換器１０にてディジタルデー
タに変換され、ＣＰＵ１１に送られる。
【００２４】ＣＰＵ１１は、 ＶTH＝ＶIN×ＫＴ…（１） により、しきい値電圧ＶTHを演算し（ステップＳ３）、
このしきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる（ステ
ップＳ４）。上記のＫＴは、ＫＴ＜１なる係数であり、
例えば０．５である。また、演算したしきい値電圧ＶTH
をメモリ１３に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去
される。ステップＳ３およびＳ４により設定されたしき
い値電圧ＶTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。
このしきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる（ステ
ップＳ４）。上記のＫＴは、ＫＴ＜１なる係数であり、
例えば０．５である。また、演算したしきい値電圧ＶTH
をメモリ１３に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去
される。ステップＳ３およびＳ４により設定されたしき
い値電圧ＶTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。
【００２５】次に、検知動作について説明する。図３は
本発明の実施の形態１の検知装置による検知動作のフロ
ーチャートである。上記の設定動作によって上記の検知
電圧ＶINHに応じて設定されたしきい値電圧ＶTHを用い
（ステップＳ５）、発光手段および受光手段によって検
知電圧ＶINを測定し（ステップＳ６）、この検知電圧Ｖ
INを上記のしきい値電圧ＶTHと比較し（ステップＳ
７）、ＶIN＞ＶTHであれば磁性体部でないと判別し（ス
テップＳ８）、ＶIN≦ＶTHであれば磁性体部であると判
別する（ステップＳ９）。
本発明の実施の形態１の検知装置による検知動作のフロ
ーチャートである。上記の設定動作によって上記の検知
電圧ＶINHに応じて設定されたしきい値電圧ＶTHを用い
（ステップＳ５）、発光手段および受光手段によって検
知電圧ＶINを測定し（ステップＳ６）、この検知電圧Ｖ
INを上記のしきい値電圧ＶTHと比較し（ステップＳ
７）、ＶIN＞ＶTHであれば磁性体部でないと判別し（ス
テップＳ８）、ＶIN≦ＶTHであれば磁性体部であると判
別する（ステップＳ９）。
【００２６】電源電圧ＶCC2が５．０［Ｖ］であり、上
記の設定動作において、例えば検知電圧ＶINHがほぼ
５．０［Ｖ］であった場合には、設定されるしきい値電
圧ＶTHは２．５［Ｖ］となる。また、例えば、赤外発光
ダイオード２の劣化によりその発光量が初期の１／２に
低下し、あるいは赤外フォトトランジスタ６の劣化によ
り同じ受光量に対する検知電流が初期の１／２に低下
し、検知電圧ＶINHがほぼ２．５［Ｖ］であった場合に
は、設定されるしきい値電圧ＶTHは１．２５［Ｖ］とな
る。
記の設定動作において、例えば検知電圧ＶINHがほぼ
５．０［Ｖ］であった場合には、設定されるしきい値電
圧ＶTHは２．５［Ｖ］となる。また、例えば、赤外発光
ダイオード２の劣化によりその発光量が初期の１／２に
低下し、あるいは赤外フォトトランジスタ６の劣化によ
り同じ受光量に対する検知電流が初期の１／２に低下
し、検知電圧ＶINHがほぼ２．５［Ｖ］であった場合に
は、設定されるしきい値電圧ＶTHは１．２５［Ｖ］とな
る。
【００２７】検知動作において、赤外発光ダイオード２
の発光量が初期の１／２に低下している、あるいは赤外
フォトトランジスタ６の検知電流が初期の１／２に低下
している場合には、検知電圧ＶINは、磁気テープ４の磁
性体部であれば、ほぼ０［Ｖ］となり、磁性体部でなけ
れば、ほぼ２．５［Ｖ］となる。従来の検知装置では、
しきい値電圧ＶTHは２．５［Ｖ］に固定されているの
で、磁性体部でないのに磁性体部であると誤判別してし
まう場合がある。しかし、実施の形態１の検知装置で
は、設定動作によってあらかじめ設定されたしきい値電
圧を用いるので、赤外発光ダイオード２の発光量が初期
の１／２に低下している場合のしきい値電圧ＶTHとして
は１．２５［Ｖ］が用いられ、磁気テープ４の磁性体部
か否かを正確に判別することができる。
の発光量が初期の１／２に低下している、あるいは赤外
フォトトランジスタ６の検知電流が初期の１／２に低下
している場合には、検知電圧ＶINは、磁気テープ４の磁
性体部であれば、ほぼ０［Ｖ］となり、磁性体部でなけ
れば、ほぼ２．５［Ｖ］となる。従来の検知装置では、
しきい値電圧ＶTHは２．５［Ｖ］に固定されているの
で、磁性体部でないのに磁性体部であると誤判別してし
まう場合がある。しかし、実施の形態１の検知装置で
は、設定動作によってあらかじめ設定されたしきい値電
圧を用いるので、赤外発光ダイオード２の発光量が初期
の１／２に低下している場合のしきい値電圧ＶTHとして
は１．２５［Ｖ］が用いられ、磁気テープ４の磁性体部
か否かを正確に判別することができる。
【００２８】このように実施の形態１によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルに応じて、しきい値電圧ＶTHをあらかじ
め設定しておくことにより、赤外フォトトランジスタ６
の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸収することが
でき、検知動作を長期間に渡り安定させることができ
る。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルに応じて、しきい値電圧ＶTHをあらかじ
め設定しておくことにより、赤外フォトトランジスタ６
の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸収することが
でき、検知動作を長期間に渡り安定させることができ
る。
【００２９】なお、上記実施の形態１では、しきい値電
圧ＶTHを設定するための係数ＫＴを０．５としたが、こ
の係数ＫＴは、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収するのに最適な値にすれ
ばよい。
圧ＶTHを設定するための係数ＫＴを０．５としたが、こ
の係数ＫＴは、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収するのに最適な値にすれ
ばよい。
【００３０】実施の形態２．実施の形態２の検知装置
は、上記実施の形態１の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルとに応じて、しきい値
電圧ＶTHをあらかじめ設定するようにしたものである。
なお、実施の形態２の検知装置の構成および検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の構成（図１参照）お
よび検知動作（図３参照）と同様であるので、その説明
を省略する。
は、上記実施の形態１の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルとに応じて、しきい値
電圧ＶTHをあらかじめ設定するようにしたものである。
なお、実施の形態２の検知装置の構成および検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の構成（図１参照）お
よび検知動作（図３参照）と同様であるので、その説明
を省略する。
【００３１】実施の形態２の検知装置においては、ＣＰ
Ｕ１１は、設定動作において、赤外光伝送空間（検知対
象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合の検知電
圧Ｖ INHのレベルと、赤外光伝送空間（検知対象空間）
に磁気テープ４の磁性体部がある場合の検知電圧ＶINL
のレベルとに応じて、しきい値電圧ＶTHを演算し、この
しきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる。
Ｕ１１は、設定動作において、赤外光伝送空間（検知対
象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合の検知電
圧Ｖ INHのレベルと、赤外光伝送空間（検知対象空間）
に磁気テープ４の磁性体部がある場合の検知電圧ＶINL
のレベルとに応じて、しきい値電圧ＶTHを演算し、この
しきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる。
【００３２】次に、しきい値電圧ＶTHの設定動作につい
て説明する。図４は本発明の実施の形態２の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧Ｖ
CC2の１／２の値である（ステップＳ１１）。
て説明する。図４は本発明の実施の形態２の検知装置に
よる設定動作のフローチャートである。最初の設定動作
以前には、メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHの初期値
が記憶されている。この初期値は、例えば電源電圧Ｖ
CC2の１／２の値である（ステップＳ１１）。
【００３３】まず、実施の形態２の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９は、磁気テープ４が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合（磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合）の検知電圧ＶINHを発光手段および受光
手段によって測定する。この検知電圧ＶINHは、ＣＰＵ
１１に送られ、メモリ１３に一時的に記憶される（ステ
ップＳ１２）。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９は、磁気テープ４が磁気記録再生装置に装填さ
れてない場合（磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合）の検知電圧ＶINHを発光手段および受光
手段によって測定する。この検知電圧ＶINHは、ＣＰＵ
１１に送られ、メモリ１３に一時的に記憶される（ステ
ップＳ１２）。
【００３４】次に、マイクロコンピュータ９は、磁気テ
ープ４が磁気記録再生装置に装填され、赤外光伝送空間
（検知対象空間）が磁気テープ４の磁性体部で遮光され
ている場合の検知電圧ＶINLを発光手段および受光手段
によって測定する（ステップＳ１３）。この検知電圧Ｖ
INLは、ＣＰＵ１１に送られる。
ープ４が磁気記録再生装置に装填され、赤外光伝送空間
（検知対象空間）が磁気テープ４の磁性体部で遮光され
ている場合の検知電圧ＶINLを発光手段および受光手段
によって測定する（ステップＳ１３）。この検知電圧Ｖ
INLは、ＣＰＵ１１に送られる。
【００３５】ＣＰＵ１１は、メモリ１３から検知電圧Ｖ
INHを読み出し、検知電圧ＶINHおよびＶINLを用い、 ＶTH＝（ＶINH＋ＶINL）／２…（２） により、しきい値電圧ＶTHを演算し（ステップＳ１
４）、このしきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる
（ステップＳ１５）。演算したしきい値電圧ＶTHをメモ
リ１３に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去され
る。ステップＳ１４およびＳ１５により設定されたしき
い値電圧ＶTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。
INHを読み出し、検知電圧ＶINHおよびＶINLを用い、 ＶTH＝（ＶINH＋ＶINL）／２…（２） により、しきい値電圧ＶTHを演算し（ステップＳ１
４）、このしきい値電圧ＶTHをメモリ１３に記憶させる
（ステップＳ１５）。演算したしきい値電圧ＶTHをメモ
リ１３に記憶すると、以前のしきい値電圧は消去され
る。ステップＳ１４およびＳ１５により設定されたしき
い値電圧ＶTHは、次に設定動作をするまで、検知動作に
用いられる。
【００３６】従って、実施の形態２の検知装置では、し
きい値電圧ＶTHは、常に検知電圧Ｖ INHとＶINLの中間に
設定されることになり、赤外発光ダイオード２の発光量
または赤外フォトダイオード６の検知電流が変動して
も、磁気テープ４の磁性体部が介在するか否かを確実に
判別できる。
きい値電圧ＶTHは、常に検知電圧Ｖ INHとＶINLの中間に
設定されることになり、赤外発光ダイオード２の発光量
または赤外フォトダイオード６の検知電流が変動して
も、磁気テープ４の磁性体部が介在するか否かを確実に
判別できる。
【００３７】このように実施の形態２によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、上記の磁性体部が検知対象空間にあ
るときの検知電圧ＶINLのレベルに応じて、しきい値電
圧ＶTHをあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォ
トトランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキ
を吸収することができ、検知動作を長期間に渡り安定さ
せることができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、上記の磁性体部が検知対象空間にあ
るときの検知電圧ＶINLのレベルに応じて、しきい値電
圧ＶTHをあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォ
トトランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキ
を吸収することができ、検知動作を長期間に渡り安定さ
せることができる。
【００３８】なお、上記実施の形態２では、（２）式に
よりしきい値電圧ＶTHを検知電圧Ｖ INHとＶINLの中間に
設定したが、しきい値電圧ＶTHの算式は、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収するのに最適な算式であれば（２）式でなくてもよ
い。
よりしきい値電圧ＶTHを検知電圧Ｖ INHとＶINLの中間に
設定したが、しきい値電圧ＶTHの算式は、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収するのに最適な算式であれば（２）式でなくてもよ
い。
【００３９】実施の形態３．図５は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態３の検知装置の構成図であ
る。なお、図５において、図１と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態３の検知装置は、赤外発光ダ
イオード２と、発光部固定抵抗３と、赤外フォトトラン
ジスタ６と、受光部可変抵抗器１４と、マイクロコンピ
ュータ９Ａとを備えている。この実施の形態３の検知装
置は、上記実施の形態１の検知装置において、受光部固
定抵抗７の位置に受光部可変抵抗器１４を設け、マイク
ロコンピュータ９をマイクロコンピュータ９Ａにしたも
のである。なお、実施の形態３の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の検知動作（図３参
照）と同様であるので、その説明を省略する。
導入した本発明の実施の形態３の検知装置の構成図であ
る。なお、図５において、図１と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態３の検知装置は、赤外発光ダ
イオード２と、発光部固定抵抗３と、赤外フォトトラン
ジスタ６と、受光部可変抵抗器１４と、マイクロコンピ
ュータ９Ａとを備えている。この実施の形態３の検知装
置は、上記実施の形態１の検知装置において、受光部固
定抵抗７の位置に受光部可変抵抗器１４を設け、マイク
ロコンピュータ９をマイクロコンピュータ９Ａにしたも
のである。なお、実施の形態３の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の検知動作（図３参
照）と同様であるので、その説明を省略する。
【００４０】受光部可変抵抗器１４は、端子Ｔ１，Ｔ
２，ＣＮＴ，ＦＢを有し、端子Ｔ１と端子Ｔ２の間に可
変抵抗を設けたものである。端子Ｔ１および端子ＦＢは
検知電圧ＶINが生成される赤外フォトトランジスタ６の
エミッタ電極に接続され、端子Ｔ２は接地され、端子Ｃ
ＮＴにはマイクロコンピュータ９Ａからの受光部制御信
号１６が入力される。この受光部可変抵抗器１４は、受
光部制御信号１６が第１の値（ある範囲内の任意の値）
であるときには、端子ＦＢの電圧（検知電圧ＶIN）がこ
の第１の値を追従するように抵抗値を変化させる（可変
抵抗動作）。また、受光部可変抵抗器１４は、受光部制
御信号１６が第１の値の範囲から外れた第２の値（固定
値）に変化すると、第１の値に変化する直前の抵抗値
を、次に第１の値になるまで保持する（固定抵抗動
作）。受光部可変抵抗器１４と赤外フォトトランジスタ
６は受光手段を構成している。
２，ＣＮＴ，ＦＢを有し、端子Ｔ１と端子Ｔ２の間に可
変抵抗を設けたものである。端子Ｔ１および端子ＦＢは
検知電圧ＶINが生成される赤外フォトトランジスタ６の
エミッタ電極に接続され、端子Ｔ２は接地され、端子Ｃ
ＮＴにはマイクロコンピュータ９Ａからの受光部制御信
号１６が入力される。この受光部可変抵抗器１４は、受
光部制御信号１６が第１の値（ある範囲内の任意の値）
であるときには、端子ＦＢの電圧（検知電圧ＶIN）がこ
の第１の値を追従するように抵抗値を変化させる（可変
抵抗動作）。また、受光部可変抵抗器１４は、受光部制
御信号１６が第１の値の範囲から外れた第２の値（固定
値）に変化すると、第１の値に変化する直前の抵抗値
を、次に第１の値になるまで保持する（固定抵抗動
作）。受光部可変抵抗器１４と赤外フォトトランジスタ
６は受光手段を構成している。
【００４１】マイクロコンピュータ９Ａは、Ａ−Ｄ変換
器１０と、ＣＰＵ１１Ａと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、受光部制御信号１６の出力端子Ｃ
ＮＴＳとを有する。メモリ１３には、赤外発光ダイオー
ド２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間
（検知対象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合
の検知電圧ＶINHの標準値ＶrefHおよびしきい値電圧Ｖ
THのディジタルデータが記憶されている。
器１０と、ＣＰＵ１１Ａと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、受光部制御信号１６の出力端子Ｃ
ＮＴＳとを有する。メモリ１３には、赤外発光ダイオー
ド２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間
（検知対象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合
の検知電圧ＶINHの標準値ＶrefHおよびしきい値電圧Ｖ
THのディジタルデータが記憶されている。
【００４２】ＣＰＵ１１Ａは、受光部制御信号１６を生
成し、受光部可変抵抗器１４の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ａは、設定動作において、受光部制御信号１６
を上記第１の値の範囲内で変化させることにより受光部
可変抵抗器１４の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefHになるように受光部可変抵抗器１４
の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号１６を上記
第２の値に変化させることにより受光部可変抵抗器１４
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、ＣＰＵ１１
Ａは、検知動作において、受光部制御信号１６を上記第
２の値に保持することにより受光部可変抵抗器１４を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧Ｖ IN（ディジタル
データ）をメモリ１３に記憶されているしきい値電圧Ｖ
TH（ディジタルデータ）と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部があるか否か
を判別する。
成し、受光部可変抵抗器１４の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ａは、設定動作において、受光部制御信号１６
を上記第１の値の範囲内で変化させることにより受光部
可変抵抗器１４の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefHになるように受光部可変抵抗器１４
の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号１６を上記
第２の値に変化させることにより受光部可変抵抗器１４
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、ＣＰＵ１１
Ａは、検知動作において、受光部制御信号１６を上記第
２の値に保持することにより受光部可変抵抗器１４を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧Ｖ IN（ディジタル
データ）をメモリ１３に記憶されているしきい値電圧Ｖ
TH（ディジタルデータ）と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部があるか否か
を判別する。
【００４３】次に、設定動作（受光部可変抵抗器１４の
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に、検知電圧ＶINHの標準
値Ｖr efH（固定値）は５．０［Ｖ］にそれぞれ設定され
ているものとする。
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に、検知電圧ＶINHの標準
値Ｖr efH（固定値）は５．０［Ｖ］にそれぞれ設定され
ているものとする。
【００４４】まず、実施の形態３の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＡのＣＰＵ１１Ａは、受光部制御信号１６によ
り受光部可変抵抗器１４を可変動作させるとともに、受
光部制御信号１６を第１の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ４の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測
定する。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＡのＣＰＵ１１Ａは、受光部制御信号１６によ
り受光部可変抵抗器１４を可変動作させるとともに、受
光部制御信号１６を第１の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ４の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測
定する。
【００４５】次に、測定した検知電圧ＶINHが標準値Ｖ
refH＝５．０［Ｖ］に一致していれば、受光部制御信号
１６を第２の値に変化させ、受光部可変抵抗器１４を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致していなけれ
ば、受光部制御信号１６の値を第１の値の範囲内で変化
させ、検知電圧ＶINHを再度測定する。そして、この検
知電圧ＶINHの再測定を、検知電圧ＶINHが標準値ＶrefH
＝５．０［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら受
光部制御信号１６を第２の値に変化させ、受光部可変抵
抗器１４を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧ＶINHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致する
ように、受光部可変抵抗１４の抵抗値が設定される。Ｃ
ＰＵ１１Ａは、次の設定動作まで受光部制御信号１６を
第２の値に固定し、これにより、受光部可変抵抗１４は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。
refH＝５．０［Ｖ］に一致していれば、受光部制御信号
１６を第２の値に変化させ、受光部可変抵抗器１４を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致していなけれ
ば、受光部制御信号１６の値を第１の値の範囲内で変化
させ、検知電圧ＶINHを再度測定する。そして、この検
知電圧ＶINHの再測定を、検知電圧ＶINHが標準値ＶrefH
＝５．０［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら受
光部制御信号１６を第２の値に変化させ、受光部可変抵
抗器１４を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧ＶINHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致する
ように、受光部可変抵抗１４の抵抗値が設定される。Ｃ
ＰＵ１１Ａは、次の設定動作まで受光部制御信号１６を
第２の値に固定し、これにより、受光部可変抵抗１４は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。
【００４６】従って、実施の形態３の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHは、常に標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致
することになり、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］
よりも大きくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHは、常に標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致
することになり、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］
よりも大きくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。
【００４７】このように実施の形態３によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルが、標準値ＶrefHに一致するように、受
光部可変抵抗器１４の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルが、標準値ＶrefHに一致するように、受
光部可変抵抗器１４の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。
【００４８】実施の形態４．図６は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態４の検知装置の構成図であ
る。なお、図６において、図１と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態４の検知装置は、赤外発光ダ
イオード２と、発光部可変抵抗器１５と、赤外フォトト
ランジスタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコンピ
ュータ９Ｂとを備えている。この実施の形態４の検知装
置は、上記実施の形態１の検知装置において、発光部固
定抵抗３の位置に発光部可変抵抗器１５を設け、マイク
ロコンピュータ９をマイクロコンピュータ９Ｂにしたも
のである。なお、実施の形態４の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の検知動作（図３参
照）と同様であるので、その説明を省略する。
導入した本発明の実施の形態４の検知装置の構成図であ
る。なお、図６において、図１と同じものには同じ符号
を付してある。実施の形態４の検知装置は、赤外発光ダ
イオード２と、発光部可変抵抗器１５と、赤外フォトト
ランジスタ６と、受光部固定抵抗７と、マイクロコンピ
ュータ９Ｂとを備えている。この実施の形態４の検知装
置は、上記実施の形態１の検知装置において、発光部固
定抵抗３の位置に発光部可変抵抗器１５を設け、マイク
ロコンピュータ９をマイクロコンピュータ９Ｂにしたも
のである。なお、実施の形態４の検知装置の検知動作
は、上記実施の形態１の検知装置の検知動作（図３参
照）と同様であるので、その説明を省略する。
【００４９】発光部可変抵抗器１５は、端子Ｔ１，Ｔ
２，ＣＮＴ，ＦＢを有し、端子Ｔ１と端子Ｔ２の間に可
変抵抗を設けたものである。端子Ｔ１は赤外発光ダイオ
ード２のカソード電極に接続され、端子Ｔ２は接地さ
れ、端子ＦＢには検知電圧ＶINが入力され、端子ＣＮＴ
にはマイクロコンピュータ９Ｂからの発光部制御信号１
７が入力される。この発光部可変抵抗器１５は、発光部
制御信号１７が第１の値（ある範囲内の任意の値）であ
るときには、端子ＦＢの電圧が発光部制御信号１７を追
従するように抵抗値を変化させる（可変抵抗動作）。ま
た、発光部可変抵抗器１５は、発光部制御信号１７が第
１の値の範囲から外れた第２の値（固定値）に変化する
と、第２の値に変化する直前の抵抗値を、次に第１の値
になるまで保持する（固定抵抗動作）。発光部可変抵抗
器１５と赤外発光ダイオード２は発光手段を構成してい
る。
２，ＣＮＴ，ＦＢを有し、端子Ｔ１と端子Ｔ２の間に可
変抵抗を設けたものである。端子Ｔ１は赤外発光ダイオ
ード２のカソード電極に接続され、端子Ｔ２は接地さ
れ、端子ＦＢには検知電圧ＶINが入力され、端子ＣＮＴ
にはマイクロコンピュータ９Ｂからの発光部制御信号１
７が入力される。この発光部可変抵抗器１５は、発光部
制御信号１７が第１の値（ある範囲内の任意の値）であ
るときには、端子ＦＢの電圧が発光部制御信号１７を追
従するように抵抗値を変化させる（可変抵抗動作）。ま
た、発光部可変抵抗器１５は、発光部制御信号１７が第
１の値の範囲から外れた第２の値（固定値）に変化する
と、第２の値に変化する直前の抵抗値を、次に第１の値
になるまで保持する（固定抵抗動作）。発光部可変抵抗
器１５と赤外発光ダイオード２は発光手段を構成してい
る。
【００５０】マイクロコンピュータ９Ｂは、Ａ−Ｄ変換
器１０と、ＣＰＵ１１Ｂと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、発光部制御信号１７の出力端子Ｃ
ＮＴＥとを有する。メモリ１３には、赤外発光ダイオー
ド２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間
（検知対象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合
の検知電圧ＶINHの標準値ＶrefHおよびしきい値電圧Ｖ
THのディジタルデータが記憶されている。
器１０と、ＣＰＵ１１Ｂと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、発光部制御信号１７の出力端子Ｃ
ＮＴＥとを有する。メモリ１３には、赤外発光ダイオー
ド２と赤外フォトトランジスタ６の間の赤外光伝送空間
（検知対象空間）に磁気テープ４の磁性体部がない場合
の検知電圧ＶINHの標準値ＶrefHおよびしきい値電圧Ｖ
THのディジタルデータが記憶されている。
【００５１】ＣＰＵ１１Ｂは、発光部制御信号１７を生
成し、発光部可変抵抗器１５の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ｂは、設定動作において、発光部制御信号１７
を上記第１の値の範囲内で変化させることにより発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefHになるように発光部可変抵抗器１５
の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号１７を上記
第２の値に変化させることにより発光部可変抵抗器１５
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、ＣＰＵ１１
Ｂは、検知動作において、発光部制御信号１７を上記第
２の値に保持することにより発光部可変抵抗器１５を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧Ｖ IN（ディジタル
データ）をメモリ１３に記憶されているしきい値電圧Ｖ
TH（ディジタルデータ）と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部があるか否か
を判別する。
成し、発光部可変抵抗器１５の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ｂは、設定動作において、発光部制御信号１７
を上記第１の値の範囲内で変化させることにより発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefHになるように発光部可変抵抗器１５
の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号１７を上記
第２の値に変化させることにより発光部可変抵抗器１５
の抵抗値を上記の設定値に固定する。また、ＣＰＵ１１
Ｂは、検知動作において、発光部制御信号１７を上記第
２の値に保持することにより発光部可変抵抗器１５を上
記設定した抵抗値に固定し、検知電圧Ｖ IN（ディジタル
データ）をメモリ１３に記憶されているしきい値電圧Ｖ
TH（ディジタルデータ）と比較することにより、上記の
赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁性体部があるか否か
を判別する。
【００５２】次に、設定動作（発光部可変抵抗器１５の
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に、検知電圧ＶINHの標準
値Ｖr efH（固定値）は５．０［Ｖ］にそれぞれ設定され
ているものとする。
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に、検知電圧ＶINHの標準
値Ｖr efH（固定値）は５．０［Ｖ］にそれぞれ設定され
ているものとする。
【００５３】まず、実施の形態４の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＢのＣＰＵ１１Ｂは、発光部制御信号１７によ
り発光部可変抵抗器１５を可変動作させるとともに、発
光部制御信号１７を第１の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ４の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測
定する。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＢのＣＰＵ１１Ｂは、発光部制御信号１７によ
り発光部可変抵抗器１５を可変動作させるとともに、発
光部制御信号１７を第１の値の範囲内のある値に設定
し、発光手段および受光手段により磁気テープ４の磁性
体部が赤外光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測
定する。
【００５４】次に、測定した検知電圧ＶINHが標準値Ｖ
refH＝５．０［Ｖ］に一致していれば、発光部制御信号
１７を第２の値に変化させ、発光部可変抵抗器１５を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致していなけれ
ば、発光部制御信号１７の値を第１の値の範囲内で変化
させ、検知電圧ＶINHを再度測定する。そして、この検
知電圧ＶINHの再測定を、検知電圧ＶINHが標準値ＶrefH
＝５．０［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら発
光部制御信号１７を第２の値に変化させ、発光部可変抵
抗器１５を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧ＶINHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致する
ように、発光部可変抵抗１５の抵抗値が設定される。Ｃ
ＰＵ１１Ｂは、次の設定動作まで発光部制御信号１７を
第２の値に固定し、これにより、発光部可変抵抗１５は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。
refH＝５．０［Ｖ］に一致していれば、発光部制御信号
１７を第２の値に変化させ、発光部可変抵抗器１５を固
定抵抗動作に切り換える。また、測定した検知電圧Ｖ
INHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致していなけれ
ば、発光部制御信号１７の値を第１の値の範囲内で変化
させ、検知電圧ＶINHを再度測定する。そして、この検
知電圧ＶINHの再測定を、検知電圧ＶINHが標準値ＶrefH
＝５．０［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら発
光部制御信号１７を第２の値に変化させ、発光部可変抵
抗器１５を固定抵抗動作に切り換える。以上により、検
知電圧ＶINHが標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致する
ように、発光部可変抵抗１５の抵抗値が設定される。Ｃ
ＰＵ１１Ｂは、次の設定動作まで発光部制御信号１７を
第２の値に固定し、これにより、発光部可変抵抗１５は
次の設定動作まで、上記設定された抵抗値に固定され
る。
【００５５】従って、実施の形態４の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器１５により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHは、常に標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致
することになり、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］
よりも大きくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器１５により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHは、常に標準値ＶrefH＝５．０［Ｖ］に一致
することになり、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］
よりも大きくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知
対象空間に介在するか否かを確実に判別できる。
【００５６】このように実施の形態４によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルが、標準値ＶrefHに一致するように、発
光部可変抵抗器１５の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルが、標準値ＶrefHに一致するように、発
光部可変抵抗器１５の抵抗値をあらかじめ設定しておく
ことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に含
まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動作
を長期間に渡り安定させることができる。
【００５７】実施の形態５．実施の形態５の検知装置
は、上記実施の形態３の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態５の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態３の検知装置の構成（図５参照）および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。
は、上記実施の形態３の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態５の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態３の検知装置の構成（図５参照）および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。
【００５８】実施の形態５の検知装置においては、ＣＰ
Ｕ１１Ａは、設定動作において、受光部制御信号１６を
第１の値の範囲内で変化させることにより受光部可変抵
抗器１４の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧ＶINHの
レベルと、上記の検知電圧ＶI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧ＶTHに一致するように受光部可変抵抗器１
４の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号１６を第
２の値に変化させることにより受光部可変抵抗器１４の
抵抗値を上記の設定値に固定する。
Ｕ１１Ａは、設定動作において、受光部制御信号１６を
第１の値の範囲内で変化させることにより受光部可変抵
抗器１４の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧ＶINHの
レベルと、上記の検知電圧ＶI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧ＶTHに一致するように受光部可変抵抗器１
４の抵抗値を設定し、そのあと受光部制御信号１６を第
２の値に変化させることにより受光部可変抵抗器１４の
抵抗値を上記の設定値に固定する。
【００５９】次に、設定動作（受光部可変抵抗器１４の
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に設定されているものとす
る。
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に設定されているものとす
る。
【００６０】まず、実施の形態５の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＡのＣＰＵ１１Ａは、受光部制御信号１６によ
り受光部可変抵抗器１４を可変動作させるとともに、受
光部制御信号１６を赤外フォトトランジスタ６が飽和し
ないような第１の値の範囲内のある値に設定し、発光手
段および受光手段により磁気テープ４の磁性体部が赤外
光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この
検知電圧ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そ
のあと、受光部制御信号１６を第２の値に変化させ、受
光部可変抵抗器１４の抵抗値を固定する。そして、検知
電圧ＶINHを測定したときの抵抗値に受光部可変抵抗器
１４を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部により
赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧ＶINL
を測定する。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＡのＣＰＵ１１Ａは、受光部制御信号１６によ
り受光部可変抵抗器１４を可変動作させるとともに、受
光部制御信号１６を赤外フォトトランジスタ６が飽和し
ないような第１の値の範囲内のある値に設定し、発光手
段および受光手段により磁気テープ４の磁性体部が赤外
光伝送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この
検知電圧ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そ
のあと、受光部制御信号１６を第２の値に変化させ、受
光部可変抵抗器１４の抵抗値を固定する。そして、検知
電圧ＶINHを測定したときの抵抗値に受光部可変抵抗器
１４を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部により
赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧ＶINL
を測定する。
【００６１】次に、測定した検知電圧ＶINHと検知電圧
ＶINLの中間値ＶINMを、 ＶINM＝（ＶINH＋ＶINL）／２…（３） により計算する。この中間値ＶINMが、しきい値電圧Ｖ
TH＝２．５［Ｖ］に一致していれば、受光部制御信号１
６を第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４の抵抗値
を上記の設定に固定したまま設定動作を終了する。ま
た、上記の中間値Ｖ INMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していなければ、受光部制御信号１６の値
を第１の値の範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよび
ＶINLを再度測定し、中間値ＶINMを再度計算する。そし
て、この検知電圧ＶINHおよびＶINLの再測定および中間
値ＶINMの再計算を、受光部制御信号１６の値を変化さ
せながら、中間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら受光部制御
信号１６を第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４の
抵抗値を、中間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致したときの設定に固定したまま設定動作を
終了する。
ＶINLの中間値ＶINMを、 ＶINM＝（ＶINH＋ＶINL）／２…（３） により計算する。この中間値ＶINMが、しきい値電圧Ｖ
TH＝２．５［Ｖ］に一致していれば、受光部制御信号１
６を第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４の抵抗値
を上記の設定に固定したまま設定動作を終了する。ま
た、上記の中間値Ｖ INMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していなければ、受光部制御信号１６の値
を第１の値の範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよび
ＶINLを再度測定し、中間値ＶINMを再度計算する。そし
て、この検知電圧ＶINHおよびＶINLの再測定および中間
値ＶINMの再計算を、受光部制御信号１６の値を変化さ
せながら、中間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致するまで繰り返し、一致したら受光部制御
信号１６を第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４の
抵抗値を、中間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致したときの設定に固定したまま設定動作を
終了する。
【００６２】従って、実施の形態５の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧ＶINLの中間値ＶINMは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］に一致することになり、検知電圧Ｖ
INHは、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］よりも大
きくなり、検知電圧ＶINLは、常にしきい値電圧ＶＴＨ
＝２．５［Ｖ］よりも小さくなるので、磁気テープ４の
磁性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別
できる。
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧ＶINLの中間値ＶINMは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］に一致することになり、検知電圧Ｖ
INHは、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］よりも大
きくなり、検知電圧ＶINLは、常にしきい値電圧ＶＴＨ
＝２．５［Ｖ］よりも小さくなるので、磁気テープ４の
磁性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別
できる。
【００６３】このように実施の形態５によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。
【００６４】実施の形態６．実施の形態６の検知装置
は、上記実施の形態４の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧ＶTHに一致するように、発光部可変抵抗器１５の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態６の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態４の検知装置の構成（図６参照）および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。
は、上記実施の形態４の検知装置において、磁気テープ
４の磁性体部が検知対象空間に介在しないときの検知電
圧ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間に介在す
るときの検知電圧ＶINLのレベルの中間値が、しきい値
電圧ＶTHに一致するように、発光部可変抵抗器１５の抵
抗値をあらかじめ設定するようにしたものである。な
お、実施の形態６の検知装置の構成および検知動作は、
上記実施の形態４の検知装置の構成（図６参照）および
検知動作と同様であるので、その説明を省略する。
【００６５】実施の形態６の検知装置においては、ＣＰ
Ｕ１１Ｂは、設定動作において、発光部制御信号１７を
第１の値の範囲内で変化させることにより発光部可変抵
抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧ＶINHの
レベルと、上記の検知電圧ＶI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧ＶTHに一致するように発光部可変抵抗器１
５の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号１７を第
２の値に変化させることにより発光部可変抵抗器１５の
抵抗値を上記の設定値に固定する。
Ｕ１１Ｂは、設定動作において、発光部制御信号１７を
第１の値の範囲内で変化させることにより発光部可変抵
抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電圧ＶINHの
レベルと、上記の検知電圧ＶI NLのレベルの中間値が、
しきい値電圧ＶTHに一致するように発光部可変抵抗器１
５の抵抗値を設定し、そのあと発光部制御信号１７を第
２の値に変化させることにより発光部可変抵抗器１５の
抵抗値を上記の設定値に固定する。
【００６６】次に、設定動作（発光部可変抵抗器１５の
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に設定されているものとす
る。
抵抗値の設定動作）について説明する。しきい値電圧Ｖ
TH（固定値）は２．５［Ｖ］に設定されているものとす
る。
【００６７】まず、実施の形態６の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＢのＣＰＵ１１Ｂは、発光部制御信号１７によ
り発光部可変抵抗器１５を可変動作させるとともに、発
光部制御信号１７を赤外発光ダイオード２が飽和しない
ような第１の値の範囲内のある値に設定し、発光手段お
よび受光手段により磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝
送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この検知
電圧ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そのあ
と、発光部制御信号１７を第２の値に変化させ、発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を固定する。そして、検知電圧
ＶINHを測定したときの抵抗値に発光部可変抵抗器１５
を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部により赤外
光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧ＶINLを測
定する。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＢのＣＰＵ１１Ｂは、発光部制御信号１７によ
り発光部可変抵抗器１５を可変動作させるとともに、発
光部制御信号１７を赤外発光ダイオード２が飽和しない
ような第１の値の範囲内のある値に設定し、発光手段お
よび受光手段により磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝
送空間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この検知
電圧ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そのあ
と、発光部制御信号１７を第２の値に変化させ、発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を固定する。そして、検知電圧
ＶINHを測定したときの抵抗値に発光部可変抵抗器１５
を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部により赤外
光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧ＶINLを測
定する。
【００６８】次に、測定した検知電圧ＶINHと検知電圧
ＶINLの中間値ＶINMを、上記の（３）式により計算す
る。この中間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していれば、発光部制御信号１７を第２の
値に保持し、発光部可変抵抗器１５の抵抗値を上記の設
定に固定したまま設定動作を終了する。また、上記の中
間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致
していなければ、発光部制御信号１７の値を第１の値の
範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよびＶINLを再度測
定し、中間値ＶINMを再度計算する。そして、この検知
電圧ＶINHおよびＶIN Lの再測定および中間値ＶINMの再
計算を、発光部制御信号１７の値を変化させながら、中
間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致す
るまで繰り返し、一致したら発光部制御信号１７を第２
の値に保持し、発光部可変抵抗器１５の抵抗値を、中間
値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致した
ときの設定に固定したまま設定動作を終了する。
ＶINLの中間値ＶINMを、上記の（３）式により計算す
る。この中間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していれば、発光部制御信号１７を第２の
値に保持し、発光部可変抵抗器１５の抵抗値を上記の設
定に固定したまま設定動作を終了する。また、上記の中
間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致
していなければ、発光部制御信号１７の値を第１の値の
範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよびＶINLを再度測
定し、中間値ＶINMを再度計算する。そして、この検知
電圧ＶINHおよびＶIN Lの再測定および中間値ＶINMの再
計算を、発光部制御信号１７の値を変化させながら、中
間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致す
るまで繰り返し、一致したら発光部制御信号１７を第２
の値に保持し、発光部可変抵抗器１５の抵抗値を、中間
値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致した
ときの設定に固定したまま設定動作を終了する。
【００６９】従って、実施の形態６の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器１５により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧ＶINLの中間値ＶINMは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］に一致することになり、検知電圧Ｖ
INHは、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］よりも大
きくなり、検知電圧ＶINLは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］よりも小さくなるので、磁気テープ４の磁
性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別で
きる。
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は発光部可変抵抗器１５により吸収され、磁
気テープ４の磁性体部が検知対象空間にない場合の検知
電圧ＶINHと磁性体部が検知対象空間にある場合の検知
電圧ＶINLの中間値ＶINMは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］に一致することになり、検知電圧Ｖ
INHは、常にしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］よりも大
きくなり、検知電圧ＶINLは、常にしきい値電圧ＶTH＝
２．５［Ｖ］よりも小さくなるので、磁気テープ４の磁
性体部が検知対象空間に介在するか否かを確実に判別で
きる。
【００７０】このように実施の形態６によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、発光部可変抵抗器１５の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、発光部可変抵抗器１５の抵抗
値をあらかじめ設定しておくことにより、赤外フォトト
ランジスタ６の検知電流に含まれる種々のバラツキを吸
収することができ、検知動作を長期間に渡り安定させる
ことができる。
【００７１】実施の形態７．図７は磁気記録再生装置に
導入した本発明の実施の形態７の検知装置の構成図であ
る。なお、図７において、図５または図６と同じものに
は同じ符号を付してある。実施の形態７の検知装置は、
赤外発光ダイオード２と、発光部可変抵抗器１５と、赤
外フォトトランジスタ６と、受光部可変抵抗器１４と、
マイクロコンピュータ９Ｃとを備えている。この実施の
形態７の検知装置は、上記実施の形態５の検知装置にお
いて、発光部固定抵抗３の位置に発光部可変抵抗器１５
を設け、マイクロコンピュータ９Ａをマイクロコンピュ
ータ９Ｃにしたものであり、また上記実施の形態６の検
知装置において、受光部固定抵抗７の位置に受光部可変
抵抗器１４を設け、マイクロコンピュータ９Ｂをマイク
ロコンピュータ９Ｃにしたものである。なお、実施の形
態７の検知装置の検知動作は、上記実施の形態１の検知
装置の検知動作（図３参照）と同様であるので、その説
明を省略する。
導入した本発明の実施の形態７の検知装置の構成図であ
る。なお、図７において、図５または図６と同じものに
は同じ符号を付してある。実施の形態７の検知装置は、
赤外発光ダイオード２と、発光部可変抵抗器１５と、赤
外フォトトランジスタ６と、受光部可変抵抗器１４と、
マイクロコンピュータ９Ｃとを備えている。この実施の
形態７の検知装置は、上記実施の形態５の検知装置にお
いて、発光部固定抵抗３の位置に発光部可変抵抗器１５
を設け、マイクロコンピュータ９Ａをマイクロコンピュ
ータ９Ｃにしたものであり、また上記実施の形態６の検
知装置において、受光部固定抵抗７の位置に受光部可変
抵抗器１４を設け、マイクロコンピュータ９Ｂをマイク
ロコンピュータ９Ｃにしたものである。なお、実施の形
態７の検知装置の検知動作は、上記実施の形態１の検知
装置の検知動作（図３参照）と同様であるので、その説
明を省略する。
【００７２】マイクロコンピュータ９Ｃは、Ａ−Ｄ変換
器１０と、ＣＰＵ１１Ｃと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、受光部制御信号１６の出力端子Ｃ
ＮＴＳと、発光部制御信号１７の出力端子ＣＮＴＥとを
有する。メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHのディジタ
ルデータが記憶されており、また設定動作において測定
した、赤外発光ダイオード２と赤外フォトトランジスタ
６の間の赤外光伝送空間（検知対象空間）に磁気テープ
４の磁性体部がない場合の検知電圧ＶINHが一時的に記
憶される。
器１０と、ＣＰＵ１１Ｃと、メモリ１３と、検知電圧Ｖ
INの入力端子ＩＮと、受光部制御信号１６の出力端子Ｃ
ＮＴＳと、発光部制御信号１７の出力端子ＣＮＴＥとを
有する。メモリ１３には、しきい値電圧ＶTHのディジタ
ルデータが記憶されており、また設定動作において測定
した、赤外発光ダイオード２と赤外フォトトランジスタ
６の間の赤外光伝送空間（検知対象空間）に磁気テープ
４の磁性体部がない場合の検知電圧ＶINHが一時的に記
憶される。
【００７３】ＣＰＵ１１Ｃは、受光部制御信号１６およ
び発光部制御信号１７を生成し、受光部可変抵抗器１４
および発光部可変抵抗器１５の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ｃは、設定動作において、受光部制御信号１６
を第１の値の範囲内で変化させることにより受光部可変
抵抗器１４の抵抗値を変化させるとともに、発光部制御
信号１７を第１の値の範囲内で変化させることにより発
光部可変抵抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電
圧ＶINHのレベルと、磁気テープ４の磁性体部により上
記の赤外光伝送空間（検知対象空間）遮光されている場
合の検知電圧Ｖ INLのレベルとの中間値が、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４および
発光部可変抵抗器１５の抵抗値を設定し、そのあと受光
部制御信号１６および発光部制御信号１７を第２の値に
変化させることにより受光部可変抵抗器１４および発光
部可変抵抗器１５の抵抗値を上記の設定値に固定する。
また、ＣＰＵ１１Ｂは、検知動作において、受光部制御
信号１６および発光部制御信号１７を上記第２の値に保
持することにより、受光部可変抵抗器１４および発光部
可変抵抗器１５を上記設定した抵抗値に固定し、検知電
圧ＶIN（ディジタルデータ）をメモリ１３に記憶されて
いるしきい値電圧ＶTH（ディジタルデータ）と比較する
ことにより、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁
性体部があるか否かを判別する。
び発光部制御信号１７を生成し、受光部可変抵抗器１４
および発光部可変抵抗器１５の動作を制御する。このＣ
ＰＵ１１Ｃは、設定動作において、受光部制御信号１６
を第１の値の範囲内で変化させることにより受光部可変
抵抗器１４の抵抗値を変化させるとともに、発光部制御
信号１７を第１の値の範囲内で変化させることにより発
光部可変抵抗器１５の抵抗値を変化させ、上記の検知電
圧ＶINHのレベルと、磁気テープ４の磁性体部により上
記の赤外光伝送空間（検知対象空間）遮光されている場
合の検知電圧Ｖ INLのレベルとの中間値が、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４および
発光部可変抵抗器１５の抵抗値を設定し、そのあと受光
部制御信号１６および発光部制御信号１７を第２の値に
変化させることにより受光部可変抵抗器１４および発光
部可変抵抗器１５の抵抗値を上記の設定値に固定する。
また、ＣＰＵ１１Ｂは、検知動作において、受光部制御
信号１６および発光部制御信号１７を上記第２の値に保
持することにより、受光部可変抵抗器１４および発光部
可変抵抗器１５を上記設定した抵抗値に固定し、検知電
圧ＶIN（ディジタルデータ）をメモリ１３に記憶されて
いるしきい値電圧ＶTH（ディジタルデータ）と比較する
ことにより、上記の赤外光伝送空間に磁気テープ４の磁
性体部があるか否かを判別する。
【００７４】次に、設定動作（受光部可変抵抗器１４お
よび発光部可変抵抗器１５の抵抗値の設定動作）につい
て説明する。しきい値電圧ＶTH（固定値）は２．５
［Ｖ］に設定されているものとする。
よび発光部可変抵抗器１５の抵抗値の設定動作）につい
て説明する。しきい値電圧ＶTH（固定値）は２．５
［Ｖ］に設定されているものとする。
【００７５】まず、実施の形態７の検知装置が導入され
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＣのＣＰＵ１１Ｃは、受光部制御信号１６およ
び発光部制御信号１７をそれぞれ第１の値の範囲内のあ
る値に設定し、磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この検知電圧
ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そのあと、
受光部制御信号１６および発光部制御信号１７を第２の
値に変化させる。そして、検知電圧ＶINHを測定したと
きの抵抗値に受光部可変抵抗器１４および発光部可変抵
抗器１５を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部に
より赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧Ｖ
INLを測定する。
ている磁気記録再生装置の本体に電源が供給され、磁気
記録再生装置のシステムが起動すると、マイクロコンピ
ュータ９ＣのＣＰＵ１１Ｃは、受光部制御信号１６およ
び発光部制御信号１７をそれぞれ第１の値の範囲内のあ
る値に設定し、磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送空
間にない場合の検知電圧ＶINHを測定し、この検知電圧
ＶINHをメモリ１３に一時的に記憶させる。そのあと、
受光部制御信号１６および発光部制御信号１７を第２の
値に変化させる。そして、検知電圧ＶINHを測定したと
きの抵抗値に受光部可変抵抗器１４および発光部可変抵
抗器１５を固定したままで、磁気テープ４の磁性体部に
より赤外光伝送空間が遮光されている場合の検知電圧Ｖ
INLを測定する。
【００７６】次に、測定した検知電圧ＶINHと検知電圧
ＶINLの中間値ＶINMを、上記の（３）式により計算す
る。上記の中間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していなければ、受光部制御信号１６の値
または発光部制御信号１７の値あるいはその両方を第１
の値の範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよびＶINLを
再度測定し、中間値ＶINMを再度計算する。そして、中
間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致し
たら、受光部制御信号１６および発光部制御信号１７を
第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４および発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を、中間値ＶINMがしきい値電
圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致したときの設定に固定した
まま設定動作を終了する。
ＶINLの中間値ＶINMを、上記の（３）式により計算す
る。上記の中間値ＶINMが、しきい値電圧ＶTH＝２．５
［Ｖ］に一致していなければ、受光部制御信号１６の値
または発光部制御信号１７の値あるいはその両方を第１
の値の範囲内で変化させ、検知電圧ＶINHおよびＶINLを
再度測定し、中間値ＶINMを再度計算する。そして、中
間値ＶINMがしきい値電圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致し
たら、受光部制御信号１６および発光部制御信号１７を
第２の値に保持し、受光部可変抵抗器１４および発光部
可変抵抗器１５の抵抗値を、中間値ＶINMがしきい値電
圧ＶTH＝２．５［Ｖ］に一致したときの設定に固定した
まま設定動作を終了する。
【００７７】従って、実施の形態７の検知装置では、上
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４および発光部可変抵
抗器１５により吸収され、磁気テープ４の磁性体部が検
知対象空間にない場合の検知電圧ＶINHと磁性体部が検
知対象空間にある場合の検知電圧ＶINLの中間値Ｖ
INMは、常にしきい値電圧Ｖ TH＝２．５［Ｖ］に一致す
ることになり、検知電圧ＶINHは、常にしきい値電圧Ｖ
TH＝２．５［Ｖ］よりも大きくなり、検知電圧Ｖ
INLは、常にしきい値電圧ＶT H＝２．５［Ｖ］よりも小
さくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知対象空間
に介在するか否かを確実に判別できる。
記の設定動作により、赤外発光ダイオード２の発光量ま
たは赤外フォトダイオード６の検知電流が変動しても、
この変動分は受光部可変抵抗器１４および発光部可変抵
抗器１５により吸収され、磁気テープ４の磁性体部が検
知対象空間にない場合の検知電圧ＶINHと磁性体部が検
知対象空間にある場合の検知電圧ＶINLの中間値Ｖ
INMは、常にしきい値電圧Ｖ TH＝２．５［Ｖ］に一致す
ることになり、検知電圧ＶINHは、常にしきい値電圧Ｖ
TH＝２．５［Ｖ］よりも大きくなり、検知電圧Ｖ
INLは、常にしきい値電圧ＶT H＝２．５［Ｖ］よりも小
さくなるので、磁気テープ４の磁性体部が検知対象空間
に介在するか否かを確実に判別できる。
【００７８】このように実施の形態７によれば、磁気テ
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４および
発光部可変抵抗器１５の抵抗値をあらかじめ設定してお
くことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動
作を長期間に渡り安定させることができる。また、受光
部可変抵抗器１４の抵抗値と発光部可変抵抗器１５の抵
抗値を個別に設定することができるので、赤外発光ダイ
オード２と赤外フォトトランジスタ６の経時変化特性に
相違がある場合にも、それぞれの経時変化を個別に吸収
することができる。
ープ４の磁性体部が検知対象空間にないときの検知電圧
ＶINHのレベルと、磁性体部が検知対象空間にあるとき
の検知電圧ＶINLのレベルの中間値ＶINMが、しきい値電
圧ＶTHに一致するように、受光部可変抵抗器１４および
発光部可変抵抗器１５の抵抗値をあらかじめ設定してお
くことにより、赤外フォトトランジスタ６の検知電流に
含まれる種々のバラツキを吸収することができ、検知動
作を長期間に渡り安定させることができる。また、受光
部可変抵抗器１４の抵抗値と発光部可変抵抗器１５の抵
抗値を個別に設定することができるので、赤外発光ダイ
オード２と赤外フォトトランジスタ６の経時変化特性に
相違がある場合にも、それぞれの経時変化を個別に吸収
することができる。
【００７９】なお、上記実施の形態３、５、または７に
おいては、同じ受光量に対する検知電圧ＶINのレベルを
変える手段として、可変抵抗（受光部可変抵抗１４）を
用いたが、可変電圧源などを用いてもよい。同様に、上
記実施の形態４、６、または７においては、発光量を変
える手段として、可変抵抗（発光部可変抵抗１５）を用
いたが、可変電圧源などを用いてもよい。
おいては、同じ受光量に対する検知電圧ＶINのレベルを
変える手段として、可変抵抗（受光部可変抵抗１４）を
用いたが、可変電圧源などを用いてもよい。同様に、上
記実施の形態４、６、または７においては、発光量を変
える手段として、可変抵抗（発光部可変抵抗１５）を用
いたが、可変電圧源などを用いてもよい。
【００８０】また、上記実施の形態１ないし７では、磁
気記録再生装置の本体電源が入ったとき（ユーザが本体
電源を入れたとき）に設定動作をするようにしていた
が、磁気記録再生装置の本体の電源が切れたとき（ユー
ザが本体電源を切ったとき）、あるいはユーザが所定の
手動操作をしたとき、あるいは録画再生動作をしていな
い場合の決まった時刻、等に設定動作をするようにして
もよい。また、設定動作の開始は、マイクロコンピュー
タにて管理されていてもよいし、外部制御（磁気記録再
生装置による管理）であってもよい。
気記録再生装置の本体電源が入ったとき（ユーザが本体
電源を入れたとき）に設定動作をするようにしていた
が、磁気記録再生装置の本体の電源が切れたとき（ユー
ザが本体電源を切ったとき）、あるいはユーザが所定の
手動操作をしたとき、あるいは録画再生動作をしていな
い場合の決まった時刻、等に設定動作をするようにして
もよい。また、設定動作の開始は、マイクロコンピュー
タにて管理されていてもよいし、外部制御（磁気記録再
生装置による管理）であってもよい。
【００８１】また、上記実施の形態１ないし７におい
て、メモリ１３は、電源が切れてもデータが消去されな
いタイプのものでも、そうでなくてもよく、またマイク
ロコンピュータの外部に設けられていてもよい。
て、メモリ１３は、電源が切れてもデータが消去されな
いタイプのものでも、そうでなくてもよく、またマイク
ロコンピュータの外部に設けられていてもよい。
【００８２】また、上記実施の形態１ないし７では、設
定動作において、磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送
空間（検知対象空間）の赤外光を遮光しないように、あ
るいは遮光するように磁気テープ４を操作するのは磁気
記録再生装置であるが、上記の磁気テープ４の操作は、
磁気テープカセットを装填またはイジェクトする操作で
あってもよいし、あるいは装填されている磁気テープ
を、磁気テープ送り機構によって早送りおよび巻き戻し
することにより、磁性体部または磁気テープの始めや終
わりに設けられている透明のリーダ部を赤外光伝送空間
に配置する操作であってもよい。
定動作において、磁気テープ４の磁性体部が赤外光伝送
空間（検知対象空間）の赤外光を遮光しないように、あ
るいは遮光するように磁気テープ４を操作するのは磁気
記録再生装置であるが、上記の磁気テープ４の操作は、
磁気テープカセットを装填またはイジェクトする操作で
あってもよいし、あるいは装填されている磁気テープ
を、磁気テープ送り機構によって早送りおよび巻き戻し
することにより、磁性体部または磁気テープの始めや終
わりに設けられている透明のリーダ部を赤外光伝送空間
に配置する操作であってもよい。
【００８３】また、上記実施の形態１ないし７では、検
知対象物体を磁気テープ４の磁性体部とし、本発明の検
知装置を磁気記録再生装置の磁気テープセンサとした例
を説明したが、本発明の検知装置は、例えば磁気記録再
生装置に設けられている、磁気テープカセットのグレー
ド識別穴を検知するモードセンサ、磁気テープカセット
のリールの回転を検知するリール回転センサ、磁気テー
プカセットの誤記録防止つめの有無を検知する誤記録防
止センサなどの種々の光センサに適用可能であることは
言うまでもない。
知対象物体を磁気テープ４の磁性体部とし、本発明の検
知装置を磁気記録再生装置の磁気テープセンサとした例
を説明したが、本発明の検知装置は、例えば磁気記録再
生装置に設けられている、磁気テープカセットのグレー
ド識別穴を検知するモードセンサ、磁気テープカセット
のリールの回転を検知するリール回転センサ、磁気テー
プカセットの誤記録防止つめの有無を検知する誤記録防
止センサなどの種々の光センサに適用可能であることは
言うまでもない。
【００８４】また、上記実施の形態１ないし７では、赤
外フォトトランジスタをＮＰＮタイプとしているが、逆
論理としてＰＮＰタイプを採用してもよいのは言うまで
もない。さらに、赤外発光ダイオードを直流点灯させて
いるが、これにこだわらず、いかなる周期あるいはデュ
ーティー比のパルス点灯であってもよい。
外フォトトランジスタをＮＰＮタイプとしているが、逆
論理としてＰＮＰタイプを採用してもよいのは言うまで
もない。さらに、赤外発光ダイオードを直流点灯させて
いるが、これにこだわらず、いかなる周期あるいはデュ
ーティー比のパルス点灯であってもよい。
【００８５】
【発明の効果】以上のように本発明の請求項１記載の検
知装置によれば、発光手段が検知光を受光する位置に検
知対象物体を配置したときの検知信号のレベル（以下、
第１の検知信号レベルと称する）に応じて、しきい値を
あらかじめ設定しておくことにより、検知信号に含まれ
る種々のバラツキを吸収することができるので、高精度
および長寿命の検知装置を低コストで実現できるという
効果がある。
知装置によれば、発光手段が検知光を受光する位置に検
知対象物体を配置したときの検知信号のレベル（以下、
第１の検知信号レベルと称する）に応じて、しきい値を
あらかじめ設定しておくことにより、検知信号に含まれ
る種々のバラツキを吸収することができるので、高精度
および長寿命の検知装置を低コストで実現できるという
効果がある。
【００８６】請求項２記載の検知装置によれば、上記第
１の検知信号レベルと、発光手段が検知光を受光しない
位置に検知対象物体を配置したときの検知信号のレベル
（以下、第２の検知信号レベルと称する）とに応じて、
しきい値をあらかじめ設定しておくことにより、検知信
号に含まれる種々のバラツキを吸収することができるの
で、高精度および長寿命の検知装置を低コストで実現で
きるという効果がある。
１の検知信号レベルと、発光手段が検知光を受光しない
位置に検知対象物体を配置したときの検知信号のレベル
（以下、第２の検知信号レベルと称する）とに応じて、
しきい値をあらかじめ設定しておくことにより、検知信
号に含まれる種々のバラツキを吸収することができるの
で、高精度および長寿命の検知装置を低コストで実現で
きるという効果がある。
【００８７】請求項３または４に記載の検知装置によれ
ば、上記第１の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、受光手段の検知信号レベルを可変する手段をあらか
じめ設定しておくことにより、検知信号に含まれる種々
のバラツキを吸収することができるので、高精度および
長寿命の検知装置を実現できるという効果がある。
ば、上記第１の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、受光手段の検知信号レベルを可変する手段をあらか
じめ設定しておくことにより、検知信号に含まれる種々
のバラツキを吸収することができるので、高精度および
長寿命の検知装置を実現できるという効果がある。
【００８８】請求項３または５に記載の検知装置によれ
ば、上記第１の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、発光手段の発光量を可変する手段をあらかじめ設定
しておくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツ
キを吸収することができるので、高精度および長寿命の
検知装置を実現できるという効果がある。
ば、上記第１の検知信号レベルが所定値に一致するよう
に、発光手段の発光量を可変する手段をあらかじめ設定
しておくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツ
キを吸収することができるので、高精度および長寿命の
検知装置を実現できるという効果がある。
【００８９】請求項６または７に記載の検知装置によれ
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、受光手段
の検知信号レベルを可変する手段をあらかじめ設定して
おくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツキを
吸収することができるので、高精度および長寿命の検知
装置を実現できるという効果がある。
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、受光手段
の検知信号レベルを可変する手段をあらかじめ設定して
おくことにより、検知信号に含まれる種々のバラツキを
吸収することができるので、高精度および長寿命の検知
装置を実現できるという効果がある。
【００９０】請求項６または８に記載の検知装置によれ
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段をあらかじめ設定しておくこと
により、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収する
ことができるので、高精度および長寿命の検知装置を実
現できるという効果がある。
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段をあらかじめ設定しておくこと
により、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収する
ことができるので、高精度および長寿命の検知装置を実
現できるという効果がある。
【００９１】請求項６または９に記載の検知装置によれ
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段および受光手段の検知信号レベ
ルを可変する手段をあらかじめ設定しておくことによ
り、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収すること
ができるので、高精度および長寿命の検知装置を実現で
きるという効果がある。
ば、上記第１の検知信号レベルと、上記第２の検知信号
レベルの中間値がしきい値に一致するように、発光手段
の発光量を可変する手段および受光手段の検知信号レベ
ルを可変する手段をあらかじめ設定しておくことによ
り、検知信号に含まれる種々のバラツキを吸収すること
ができるので、高精度および長寿命の検知装置を実現で
きるという効果がある。
【図１】 本発明の実施の形態１および２の検知装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態１の検知装置によるしき
い値電圧設定動作のフローチャートである。
い値電圧設定動作のフローチャートである。
【図３】 本発明の実施の形態１および２の検知装置に
よる検知動作のフローチャートである。
よる検知動作のフローチャートである。
【図４】 本発明の実施の形態２の検知装置によるしき
い値電圧設定動作のフローチャートである。
い値電圧設定動作のフローチャートである。
【図５】 本発明の実施の形態３および５の検知装置の
構成図である。
構成図である。
【図６】 本発明の実施の形態４および６の検知装置の
構成図である。
構成図である。
【図７】 本発明の実施の形態７の検知装置の構成図で
ある。
ある。
【図８】 従来の検知装置の構成図である。
【図９】 従来の検知装置における検知動作を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図１０】 磁気記録再生装置における検知装置の配置
例を示す図である。
例を示す図である。
２ 赤外発光ダイオード、 ３ 発光部固定抵抗、 ６
赤外フォトトランジスタ、 ７ 受光部固定抵抗、
９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ マイクロコンピュータ、 １０
Ａ−Ｄ変換器、 １１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ Ｃ
ＰＵ、 １３メモリ、 １４ 受光部可変抵抗器、 １
５ 発光部可変抵抗器。
赤外フォトトランジスタ、 ７ 受光部固定抵抗、
９，９Ａ，９Ｂ，９Ｃ マイクロコンピュータ、 １０
Ａ−Ｄ変換器、 １１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ Ｃ
ＰＵ、 １３メモリ、 １４ 受光部可変抵抗器、 １
５ 発光部可変抵抗器。
Claims (9)
- 【請求項１】 検知対象空間に検知光を発する発光手段
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルをしきい値と比較することによ
り、前記検知対象空間に前記検知対象物体があるか否か
を判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときの前記検知信号のレベルに応じ
て、前記しきい値をあらかじめ設定しておく設定手段
と、 前記設定されたしきい値を記憶しておく記憶手段とを備
えたことを特徴とする検知装置。 - 【請求項２】 前記設定手段は、前記受光手段が前記検
知光を受光する位置に前記検知対象物体を配置したとき
の前記検知信号のレベルと、前記受光手段が前記検知光
を受光しない位置に前記検知対象物体を配置したときの
前記検知信号のレベルとに応じて、前記しきい値をあら
かじめ設定しておくことを特徴とする請求項１記載の検
知装置。 - 【請求項３】 検知対象空間に検知光を発する発光手段
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルに従って、前記検知対象空間に前
記検知対象物体があるか否かを判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときに、前記検知信号のレベルが所定
値になるように、前記受光手段または前記発光手段をあ
らかじめ設定しておく設定手段とを備えたことを特徴と
する検知装置。 - 【請求項４】 前記受光手段は、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信
号のレベルが所定値になるように、前記受光手段の検知
信号レベルをあらかじめ設定しておくことを特徴とする
請求項３記載の検知装置。 - 【請求項５】 前記発光手段は、発光量を可変する手段
を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときに、前記検知信
号のレベルが所定値になるように、前記発光手段の発光
量をあらかじめ設定しておくことを特徴とする請求項３
記載の検知装置。 - 【請求項６】 検知対象空間に検知光を発する発光手段
と、 前記検知光を受光し、この受光量に応じたレベルの検知
信号を出力する受光手段と、 前記検知信号のレベルを所定のしきい値と比較すること
により、前記検知対象空間に検知対象物体があるか否か
を判別する判別手段と、 前記受光手段が前記検知光を受光する位置に前記検知対
象物体を配置したときの前記検知信号のレベルと、前記
受光手段が前記検知光を受光しない位置に前記検知対象
物体を配置したときの前記検知信号のレベルとの中間値
が、前記しきい値に一致するように、前記発光手段また
は前記受光手段あるいはその両方をあらかじめ設定して
おく設定手段とを備えたことを特徴とする検知装置。 - 【請求項７】 前記受光手段は、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記受光手段をあらかじめ設定しておくことを特徴とす
る請求項６記載の検知装置。 - 【請求項８】 前記発光手段は、発光量を可変する手段
を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記発光手段をあらかじめ設定しておくことを特徴とす
る請求項６記載の検知装置。 - 【請求項９】 前記受光手段は、同じ受光量に対する検
知信号のレベルを可変する手段を有し、 前記発光手段は、発光量を可変する手段を有し、 前記設定手段は、前記受光手段が前記検知光を受光する
位置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号
のレベルと、前記受光手段が前記検知光を受光しない位
置に前記検知対象物体を配置したときの前記検知信号の
レベルとの中間値が、前記しきい値に一致するように、
前記発光手段および前記受光手段をあらかじめ設定して
おくことを特徴とする請求項６記載の検知装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34877998A JP2000174326A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 検知装置 |
| GB9924476A GB2344650B (en) | 1998-12-08 | 1999-10-15 | Automatically adjusted optical sensing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34877998A JP2000174326A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174326A true JP2000174326A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18399311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34877998A Withdrawn JP2000174326A (ja) | 1998-12-08 | 1998-12-08 | 検知装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000174326A (ja) |
| GB (1) | GB2344650B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439786B1 (ko) * | 2000-09-20 | 2004-07-12 | 닛뽕빅터 가부시키가이샤 | 자기 테이프 카세트 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2713586B1 (en) | 2011-06-24 | 2017-05-03 | Huawei Device Co., Ltd. | Method and device for adjusting detecting threshold of infrared proximity sensor |
| CN102271177B (zh) * | 2011-07-18 | 2015-06-17 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种手机接近传感器的校准方法及*** |
| CN103123394B (zh) * | 2011-11-21 | 2015-08-26 | 比亚迪股份有限公司 | 一种设置近距离传感器阈值的方法及*** |
| EP3776129A4 (en) | 2018-04-03 | 2021-12-22 | SharkNinja Operating LLC | FLIGHT TIME SENSOR SYSTEM INTENDED FOR ROBOTIC NAVIGATION AND LOCATION PROCESS IMPLEMENTING SUCH A SYSTEM |
| EP3941322A4 (en) | 2019-03-21 | 2022-12-28 | SharkNinja Operating LLC | ADAPTIVE SENSOR NETWORK SYSTEM AND METHOD |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3931513A (en) * | 1974-09-23 | 1976-01-06 | Ampex Corporation | Sensing circuit for tape position markers |
| US4410148A (en) * | 1981-05-26 | 1983-10-18 | Storage Technology Corporation | Feedback control circuit for photosensors in magnetic tape drives |
| DE3230524A1 (de) * | 1982-08-17 | 1984-02-23 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Einrichtung zum erkennen von zwei oder mehreren uebereinanderliegenden filmblaettern |
| EP0119568B1 (de) * | 1983-03-19 | 1989-02-08 | GRUNDIG E.M.V. Elektro-Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig holländ. Stiftung & Co. KG. | Optoelektronische Bandendabschaltung |
| US4670647A (en) * | 1984-09-27 | 1987-06-02 | Xerox Corporation | Dirt insensitive optical paper path sensor |
| US5067704A (en) * | 1990-04-05 | 1991-11-26 | Tokyo Aircraft Instrument Co., Ltd. | Double-feed sheet detection apparatus |
| US5289011A (en) * | 1992-11-30 | 1994-02-22 | Xerox Corporation | Sensor control system and method compensating for degradation of the sensor and indicating a necessity of service prior to sensor failure |
| US5270553A (en) * | 1992-12-22 | 1993-12-14 | Hewlett-Packard Company | Beginning-of-tape sensor with automatic threshold adjustment |
-
1998
- 1998-12-08 JP JP34877998A patent/JP2000174326A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-10-15 GB GB9924476A patent/GB2344650B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439786B1 (ko) * | 2000-09-20 | 2004-07-12 | 닛뽕빅터 가부시키가이샤 | 자기 테이프 카세트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2344650A (en) | 2000-06-14 |
| GB9924476D0 (en) | 1999-12-15 |
| GB2344650B (en) | 2000-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4728188A (en) | Light source degeradation detecting apparatus for laser device | |
| JP2000174326A (ja) | 検知装置 | |
| JP3537153B2 (ja) | 信号処理システム | |
| JP3885489B2 (ja) | 光電センサ | |
| JP3042951B2 (ja) | 画像入力装置における光量一定化装置 | |
| JPH11201892A (ja) | 空気清浄機 | |
| JPH0765963B2 (ja) | 減光式煙感知器 | |
| KR940005017Y1 (ko) | 광반사를 이용한 테이프 이상유무 체크회로 | |
| KR100325947B1 (ko) | 브이씨알의테이프스타트/앤드센서구동방법 | |
| US6657808B1 (en) | Sensing system with continuous and pulsed modes | |
| US7382511B2 (en) | Light modulation type photointerrupter | |
| JPH0765964B2 (ja) | 減光式煙感知器 | |
| TW202340747A (zh) | 近接感測器 | |
| JP4047738B2 (ja) | 多光軸光電スイッチ | |
| JP2535279B2 (ja) | フォト検出装置 | |
| JPS59111588A (ja) | ホトセンサ精度維持方法 | |
| JPH08152334A (ja) | 検出装置 | |
| JP2663108B2 (ja) | フラッシュの発光量制御装置 | |
| US6195510B1 (en) | Rangefinder apparatus | |
| KR900004623Y1 (ko) | Vtr의 테이프 잔량 판별회로 | |
| CN115436915A (zh) | 具温度补偿的光传感装置 | |
| JP2003173592A (ja) | 光検出装置及びそれを内蔵した磁気記録再生装置 | |
| KR100205984B1 (ko) | 어드밴스드 포토 시스템 카메라의 필름 이송 장치 및 그 방법 | |
| JPH05282740A (ja) | テープエンド検出装置 | |
| KR19980066776A (ko) | 카메라의 정보 기록 장치 및 그 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060307 |