JP2000174199A - 平型外囲器 - Google Patents

平型外囲器

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JP2000174199A
JP2000174199A JP10347152A JP34715298A JP2000174199A JP 2000174199 A JP2000174199 A JP 2000174199A JP 10347152 A JP10347152 A JP 10347152A JP 34715298 A JP34715298 A JP 34715298A JP 2000174199 A JP2000174199 A JP 2000174199A
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JP
Japan
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lower copper
inclined surface
copper disk
concave
chip
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Withdrawn
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JP10347152A
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English (en)
Inventor
Eitaro Miyake
英太郎 三宅
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 銅ディスクの平面に配置しうる最大数量以上
の数量のチップを配置する場合でも銅ディスクの外形を
変更せずに配置することを可能にする。 【解決手段】 下部銅ディスク1のチップ配置面に複数
の凹部形状、例えばV字形傾斜面6を一体形成し、その
各V字形傾斜面6に配置した2個のチップ5に対して1
個のV字形モリブデンブロック3を個々に配置し、それ
ぞれのモリブデンブロック3をその上方から上部銅ディ
スク2にて同時に押圧し圧接させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IEGT等のチッ
プを下部銅ディスクの面に複数配置し前記チップの上面
をモリブデンディスクにて圧接するのに用いる大電力素
子の平型外囲器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から圧接を用いる大電力素子の外囲
器として円形のマルチチップ型の平型外囲器が用いられ
ていることは公知である。この平型外囲器は、図5の側
面図及びそのB−B線矢視図である図6(a),(b)
に示すように、その外径が通常は一定の寸法に設定され
た円板状の下部銅ディスク21における一方の面に一体
形成された複数の突起体22上面に半導体チップ23が
配置され、この半導体チップ23の上面に円板状のモリ
ブデンディスク24が、さらにその上面に円板状の銅キ
ャップ25が矢印にて示すように順に重ねられた構成と
なっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の平型外囲器は、一定の外径を有する下部銅ディスク
21の面に対して最大配置数量以上の枚数のチップを配
置する必要が生じた場合に、下部銅ディスク21の外形
を大きくしなければならないことになり、外囲器全体が
大きくなるとともに、平型外囲器を構成するセラミック
部品等が新規製作になる。これにより、コストや製造の
リードタイムが増大するという問題があった。
【0004】よって本発明は前記問題点に鑑みてなされ
たものであり、銅ディスクの面に対して最大配置数量以
上の枚数のチップを配置する場合に、銅ディスクの外形
を変更せずに配置することが可能な平型外囲器の提供を
目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項1の本発明は、IEGT等のチップ(以下チップ
と言う)を下部銅ディスクの面に複数配置し前記チップ
の上面をモリブデンディスクにて圧接するマルチチップ
型の平型外囲器において、前記下部銅ディスクのチップ
配置面に複数の凹部形状の傾斜面を形成するとともに前
記モリブデンディスクを前記凹部形状の傾斜面に対応し
た傾斜面を有する凹部形状のモリブデンブロックに形成
したことを特徴とするものである。
【0006】請求項1によれば、下部銅ディスクのチッ
プ配置面に凹部形状の傾斜面を形成し、その傾斜面にチ
ップを配置することにより、従来のような平らな面に対
して配置しうるチップの最大数量より多くのチップを配
置することが可能になる。また、チップの面を凹部形状
のモリブデンブロックの傾斜面にて押圧する構成にした
ことにより、チップ2個に対して1個のモリブデンブロ
ックにて均等に圧接することが可能となる。
【0007】請求項2の発明は、前記凹部形状の傾斜面
は、V字形傾斜面であることを特徴とするものである。
【0008】請求項2によれば、前記請求項1と同様
に、傾斜面にチップを配置することにより、従来のよう
な平らな面に対して配置しうるチップの最大数量より多
くのチップを配置することが可能になる。また、チップ
の面を凹部形状のモリブデンブロックの傾斜面にて押圧
する構成にしたことにより、チップ2個に対して1個の
モリブデンブロックにて均等に圧接することが可能とな
る。
【0009】請求項3の発明は、前記下部銅ディスクの
面に複数の並列突起体を一体形成するとともに前記突起
体に複数の凹部形状の傾斜面を連続的に形成したことを
特徴とするものである。
【0010】請求項3によれば、下部銅ディスクの面に
複数の並列突起体を一体形成したことにより傾斜面の剛
性が高まり、凹部形状の傾斜面に対して斜め方向に押圧
力が作用しても傾斜面に変形が生じない。
【0011】請求項4の発明は、前記凹部形状のモリブ
デンブロックを前記下部銅ディスクの凹部形状の傾斜面
それぞれに対して個々に配置したことを特徴とするもの
である。
【0012】請求項4によれば、凹部形状のモリブデン
ブロックが下部銅ディスクに形成した複数の凹部形状の
傾斜面のそれぞれに対して個々に配置したことにより、
各凹部形状のモリブデンブロックがチップ面に沿って最
も安定した位置に移動することが可能となり、対向する
チップ面に対して均等な押圧力を作用させることが可能
となる。
【0013】請求項5の発明は、前記下部銅ディスクに
おける凹部形状の傾斜面の一部にゲート信号線よけ溝を
形成したことを特徴とするものである。
【0014】請求項5によれば、凹部形状の傾斜面の一
部にゲート信号線よけ溝を形成して信号線をその溝に落
とし込むことにより、チップの圧接時にゲート信号線に
支障が生じない。
【0015】請求項6の発明は、前記下部銅ディスクに
おける凹部形状の傾斜面の谷底部に、チップの位置決め
及び下部銅ディスクとモリブデンブロックとの間の放電
を防止する絶縁スペーサーを設けたことを特徴とするも
のである。
【0016】請求項6によれば、下部銅ディスクにおけ
る凹部形状の傾斜面にチップを配置した際に絶縁スペー
サーに当接させることによりその位置が決められ、また
モリブデンブロックに形成した凹部形状の傾斜面の先端
部分と下部銅ディスクとの間の放電が絶縁スペーサーに
て防止することが可能となる。
【0017】請求項7の発明は、前記モリブデンブロッ
ク及びチップの横ずれを防止するガイドを前記下部銅デ
ィスクの凹部形状の傾斜面における側面に設けたことを
特徴とするものである。
【0018】請求項7によれば、チップの圧接時にモリ
ブデンブロック及びチップの横ずれを防止することが可
能となる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1から図4は本発明の実施の形
態の一例を示すものである。図1は本発明に係る平型外
囲器の構成を示す側面図、図2(a)は図1のA−A矢
示線平面図、同(b)はその側面図、図3は平型外囲器
の要部拡大側面図、図4は平型外囲器の下部銅ディスク
側の拡大平面図である。
【0020】本発明の平型外囲器の概略構成は、図1及
び図2に示すように、円板状の下部銅ディスク1はその
面上に傾斜面6を備えた突起体1aを複数列形成し、か
つその突起体1aが凹部形状、例えばV字形に傾斜面6
を対峙させた状態に形成したものである。その突起体1
a,1aの傾斜面6,6に沿ってチップ5(モリブデン
板を含む)を対向配置する。チップ5の面に対してV字
形モリブデンブロック3の傾斜面7aを当接させ、その
上方に上部銅ディスク2を掲置し、この上部銅ディスク
2の上方に配置された銅キャップ4にて押圧することに
よりチップ5が圧接される構成となっている。
【0021】次にこの構成の詳細を図3及び図4を用い
て説明する。図3及び図4は説明用として、円形の下部
銅ディスク1の面に1列の突起体1aを一体形成し、こ
の突起体1a,1aに傾斜面6a,6bから成るV字形
傾斜面6を2箇所に連続形成した例を拡大して示したも
のである。
【0022】図において,V字形傾斜面6にて形成する
山形の頂部側面にゲート信号線よけ溝9を形成し、V字
形傾斜面6の谷底には、四角形の1角を部分的に削除し
た断面形状を有する絶縁体からなる棒状の絶縁スペーサ
ー8が配設されている。そしてこの絶縁スペーサー8は
チップ5の一辺を当接させてその位置決めをするととも
にモリブデンブロック3のV字形先端と銅ディスク1と
の間の放電を防止している。
【0023】一方、下部銅ディスク1の上方に配置され
たモリブデンブロック3は、下部銅ディスク1のV字形
傾斜面6に対向配置された2個のチップ5,5の面に対
して当接し得るV字形傾斜面7を形成しており、チップ
5,5の2個に対して1個づつが個々に配置されてい
る。そしてモリブデンブロック3のV字形傾斜面7はチ
ップ5の面に当接し、その相互間にずれが生じた際の摩
擦抵抗が極力小さくなるように鏡面仕上げされている。
【0024】また、下部銅ディスク1のV字形傾斜面6
の側面には、図4の2点鎖線にて示すように、樹脂製
(ポリイミド製等)の帯状ガイド10が配置され、チッ
プ5の圧接時にモリブデンブロック3やチップ5が位置
ずれしないように側面側から抑えられる。
【0025】なお、前記構成において上部銅ディスク2
は複数のモリブデンブロック3を上方から同時に押圧す
るものであるが、この上部銅ディスク2はキャップ4に
て共用することも可能である。
【0026】次に、この構成の平型外囲器の作用につい
て説明する。先ず、下部銅ディスク1に形成したV字形
傾斜面6の谷底に絶縁スペーサー8を配置し、チップ
5,5を傾斜面6a,6bに配置する。この時にチップ
5,5はその傾斜先端が絶縁スペーサー8に当たって置
決めされる。また、信号線(図示せず)は信号線よけ溝
に入れておく。
【0027】次にV字形傾斜面6に配置したチップ2個
に対して1個のモリブデンブロック3を配置し、モリブ
デンブロック3のV字形傾斜面7をチップ5,5の面に
密接させて設置する。さらに、その上方に上部銅ディス
ク2及びキャップ4を順次重ね合わせ、この状態で上方
から下部銅ディスク1とキャップ4との間に圧力をかけ
ることにより、各モリブデンブロック3,3はV字形傾
斜面7にて、チップ5,5の面を左右に押し開くように
押圧する。この時、モリブデンブロック3はチップ5,
5の面に馴染む方向に移動して谷の最深部まで行き届
き、チップ5,5に対して均等な圧力がかかる。
【0028】しかるに、この押圧操作において、下部銅
ディスク1のV字形傾斜面6が押し開かれる方向の力を
受けても、下部銅ディスク1と突起1aとが一体形成し
ていることにより剛性が高く、変形が生じない。これに
よりチップ面に対する押圧力を均等に保持することが可
能になる。
【0029】さらに、圧接時にモリブデンブロック3が
チップ5の面に馴染む方向に摺動して摩擦が生じても、
モリブデンブロック3のV字形傾斜面7が鏡面になって
いることにより摩擦抵抗は微小となる。これによりチッ
プ5の面に剪断的なダメージが生じない。またチップ5
及びモリブデンブロック3は側面がガイド10にて抑え
られていて位置ずれが生じないことにより所定の位置に
て圧接が行われる。
【0030】また、モリブデンブロック3が形成するV
字形傾斜面7の先端部分と下部銅ディスク1との間には
放電が生じやすいが、この部分に絶縁スペーサー8が配
置されていることにより放電が阻止される。上記の実施
例では、V字形傾斜面で説明したがこれ以外に、例えば
略V字形、すなわち少々U字形に近い略曲面的な傾斜面
でもよい。また、この傾斜面はなだらかでなく、少々微
細な凹凸などがついていてもよい。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、平型外囲器における銅
ディスクの平面内に配置しうる最大数量以上の多くの枚
数のチップを配置する必要が生じた場合でも、銅ディス
クの面に凹部形状、例えばV字形傾斜面を形成してその
傾斜面にチップを配置することにより平型外囲器の外形
を変更することなく前記最大数量以上のチップを配置す
ることが可能となる。また、逆にチップの枚数が前記最
大数量以下の場合には外囲器の外形を小さくすることが
可能となる。
【0032】これにより、従来から用いられている平型
外囲器用セラミック部品等の形状寸法を変更することな
く使用することが可能となり、コストの削減及び製造の
リードタイムの短縮が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る平型外囲器の側面
図。
【図2】(a)は図1のA−A矢示線平面図、(b)は
同側面図。
【図3】平型外囲器の要部拡大側面図。
【図4】下部銅ディスクの平面図。
【図5】従来の平型外囲器の側面図。
【図6】(a)は図5のB−B矢示平面図、(b)は同
側面図。
【符号の説明】
1……下部銅ディスク 2……上部銅ディスク 3……モリブデンブロック 4……キャップ 5……チップ 6,7…V字形傾斜面 8……絶縁スペーサー 9……ゲート信号線よけ溝 10……位置ずれ防止ガイド

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 IEGT等のチップを下部銅ディスクの
    面に複数配置し前記チップの上面をモリブデンディスク
    にて圧接するマルチチップ型の平型外囲器において、 前記下部銅ディスクのチップ配置面に複数の凹部形状の
    傾斜面を形成するとともに前記モリブデンディスクを前
    記凹部形状の傾斜面に対応した傾斜面を有する凹部形状
    のモリブデンブロックに形成したことを特徴とする平型
    外囲器。
  2. 【請求項2】 前記凹部形状の傾斜面は、V字形傾斜面
    であることを特徴とする請求項1記載の平型外囲器。
  3. 【請求項3】 前記下部銅ディスクの面に複数の並列突
    起体を一体形成するとともに前記突起体に複数の凹部形
    状の傾斜面を連続的に形成したことを特徴とする請求項
    1又は2記載の平型外囲器。
  4. 【請求項4】 前記凹部形状のモリブデンブロックを前
    記下部銅ディスクの凹部形状の傾斜面それぞれに対して
    個々に配置したことを特徴とする請求項1,2又は3記
    載の平型外囲器。
  5. 【請求項5】 前記下部銅ディスクにおける凹部形状の
    傾斜面の一部にゲート信号線よけ溝を形成したことを特
    徴とする請求項1,2,3又は4記載の平型外囲器。
  6. 【請求項6】 前記下部銅ディスクにおける凹部形状の
    傾斜面の谷底部に、チップの位置決め及び下部銅ディス
    クとモリブデンブロックとの間の放電を防止する絶縁ス
    ペーサーを設けたことを特徴とする請求項1,2,3,
    4又は5記載の平型外囲器。
  7. 【請求項7】 前記モリブデンブロック及びチップの横
    ずれを防止するガイドを前記下部銅ディスクの凹部形状
    の傾斜面における側面に設けたことを特徴とする請求項
    1,2,3,4,5又は5記載の平型外囲器。
JP10347152A 1998-12-07 1998-12-07 平型外囲器 Withdrawn JP2000174199A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015191939A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015191939A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
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Effective date: 20060207