JP2000164479A - Resist pattern forming method and circumference exposing device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の上に所定の
レジストパタ−ンを形成する方法、及びレジストパタ−
ン形成の一工程である、回路形成領域の外側の周辺領域
の露光に用いられる周辺露光装置に関する。The present invention relates to a method of forming a predetermined resist pattern on a substrate, and a method of forming the same.
The present invention relates to a peripheral exposure apparatus used for exposing a peripheral region outside a circuit forming region, which is one step of forming a pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、半導体
ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗにレジストパタ−ン
を形成する工程がある。この工程は、例えばウエハＷに
レジスト液を塗布した後、パタ−ンに対応するマスクを
介して例えば図８に示すウエハＷのデバイス領域１１の
露光を行ない、次いで現像処理することによりレジスト
マスクを形成するというものである。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, there is a process of forming a resist pattern on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") W. In this step, for example, after a resist solution is applied to the wafer W, the device region 11 of the wafer W shown in FIG. 8, for example, is exposed through a mask corresponding to the pattern, and then the resist mask is developed by performing development processing. It is to form.
【０００３】このようなレジストパタ−ンの形成法で
は、従来からデバイス領域１１の露光を行った後、デバ
イス領域１１の外側の周辺領域１２の露光を行なうよう
にしている。例えばこの周辺露光は、図９に示す四角形
状の露光領域１３を形成する光源を、図１０の点線に示
すようにデバイス領域１１に沿って間欠的に移動させて
行っており、ある露光位置で光源を点灯させて露光を行
った後、光源の点灯を停止して次の露光位置まで移動
し、当該露光位置で再び光源を点灯させて露光を行うよ
うにしていた。In such a method of forming a resist pattern, conventionally, after exposing the device region 11, the peripheral region 12 outside the device region 11 is exposed. For example, this peripheral exposure is performed by intermittently moving the light source forming the square exposure region 13 shown in FIG. 9 along the device region 11 as shown by a dotted line in FIG. After performing the exposure by turning on the light source, the lighting of the light source is stopped, the light source is moved to the next exposure position, and the light source is turned on again at the exposure position to perform the exposure.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うな周辺露光では間欠的に光源を移動させているので、
周辺領域１２全体の露光に時間がかかる。ここで露光時
間を短縮するために露光位置に停止する時間を短縮しよ
うとすると、同じ露光能力を得るためには光源の電力を
大きくする必要がある。また露光位置に停止する時間を
短縮せずに露光時間の短縮を図るためには露光面積を大
きくすることも考えられるが、露光面積が大きくなると
その分光源の電力を大きくしなければならない。さらに
露光位置から次の露光位置に移動するときの時間を短縮
しようとすると、光源の高速移動装置が必要となり、装
置が複雑化してしまう。However, in the peripheral exposure described above, the light source is intermittently moved.
It takes time to expose the entire peripheral area 12. Here, in order to shorten the time required to stop at the exposure position in order to shorten the exposure time, it is necessary to increase the power of the light source to obtain the same exposure capability. In order to shorten the exposure time without shortening the time of stopping at the exposure position, it is conceivable to increase the exposure area. However, as the exposure area increases, the power of the light source must be increased accordingly. In order to reduce the time required to move from the exposure position to the next exposure position, a high-speed moving device for the light source is required, and the device becomes complicated.
【０００５】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は、光源の電力を大きくすることな
く、露光時間の短縮を図るレジストパタ−ンの形成方法
及び周辺露光装置を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method of forming a resist pattern and a peripheral exposure apparatus for shortening an exposure time without increasing the power of a light source. Is to do.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】このため、本発明のレジ
ストパタ−ンの形成方法は、光が当たると現像液に対し
て溶解性になるレジストを基板に塗布する工程と、次い
でこの基板を所定のパタ−ンマスクを用いて露光する工
程と、その後基板の回路形成領域の外側の周辺領域に露
光部によりリング状の露光領域を形成しながら当該露光
部を基板に対して面方向に相対的に連続的に移動させ
て、前記周辺領域を露光する工程と、この工程の後、基
板表面に現像液を供給し、これにより基板表面を現像す
ると共に、前記周辺領域のレジストを溶解する工程と、
を含むことを特徴とする。Therefore, a method of forming a resist pattern according to the present invention comprises the steps of applying a resist which becomes soluble in a developing solution when exposed to light to a substrate, and then applying the resist to a predetermined position. Exposing using a pattern mask, and then forming the ring-shaped exposure region in a peripheral region outside the circuit formation region of the substrate by exposing the exposure portion relative to the substrate in the surface direction. Continuously moving, exposing the peripheral area, and after this step, supplying a developing solution to the substrate surface, thereby developing the substrate surface, and dissolving the resist in the peripheral area,
It is characterized by including.
【０００７】ここで前記回路形成領域の外縁はＸ方向ま
たはＹ方向に沿って形成されると共に、露光部はリング
状の露光領域を形成するように構成され、前記周辺領域
を露光する工程では、前記露光領域の辺と回路形成領域
の外縁とをほぼ平行にした状態で露光部と基板とを相対
的にＸまたはＹ方向に移動させることを特徴とする。Here, the outer edge of the circuit formation region is formed along the X direction or the Y direction, and the exposure portion is configured to form a ring-shaped exposure region. In the step of exposing the peripheral region, The exposure unit and the substrate are relatively moved in the X or Y direction with the side of the exposure region and the outer edge of the circuit formation region being substantially parallel.
【０００８】本発明方法の周辺領域を露光する工程は、
例えば次のような周辺露光装置にて実施される。この周
辺露光装置は、レジストが塗布され、所定のパタ−ンマ
スクを用いて露光された基板に対して、回路形成領域の
外側の周縁領域のレジストを現像によって溶解するため
に、当該周辺領域を露光する周辺露光装置において、基
板を載置する載置部と、リング状の露光領域を形成する
露光部と、露光部の露光領域を基板の前記周辺領域に位
置させながら、露光部を基板に対して面方向に相対的に
連続的に移動させるための移動手段と、を備えたことを
特徴とする。ここで前記露光部のリング状の露光領域を
形成する手段は光ファイバ群を配列して構成されてい
る。[0008] The step of exposing the peripheral region of the method of the present invention comprises:
For example, it is performed by the following peripheral exposure apparatus. This peripheral exposure apparatus exposes a peripheral area of a substrate, which has been coated with a resist and exposed using a predetermined pattern mask, by developing the resist in a peripheral area outside the circuit forming area. In a peripheral exposure apparatus, a mounting portion for mounting a substrate, an exposure portion for forming a ring-shaped exposure region, and an exposure portion with respect to the substrate while the exposure region of the exposure portion is positioned in the peripheral region of the substrate. Moving means for relatively continuously moving in the surface direction. Here, the means for forming the ring-shaped exposure area of the exposure section is configured by arranging optical fiber groups.
【０００９】本発明では、露光領域をリング状に構成し
たので発光領域が小さくなり、製造コストを低くするこ
とができる上、発光のために要する電力が小さくなるの
で運転コストも低くすることができる。また基板と露光
部とを相対的に連続的に移動させて周辺露光を行うの
で、周辺露光に要する時間が短縮される。In the present invention, the light-emitting region is formed in a ring shape so that the light-emitting region is small, so that the manufacturing cost can be reduced. In addition, since the power required for light emission is reduced, the operating cost can be reduced. . In addition, since the peripheral exposure is performed by relatively continuously moving the substrate and the exposure unit, the time required for the peripheral exposure is reduced.
【００１０】また露光部をリング状の露光領域の代わり
に帯状の露光領域を形成するように構成し、前記周辺領
域を露光する工程では、帯状の露光領域と交差する方向
に露光部と基板とを相対的に移動させるようにしてもよ
く、この場合にも、発光領域が小さいので、製造コスト
や運転コストが低くなる。In the step of exposing the peripheral area, the exposing section and the substrate may be formed in a direction intersecting the strip-shaped exposure area. May be relatively moved, and also in this case, since the light emitting area is small, the manufacturing cost and the operating cost are reduced.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明のレジストパタ−ン形成方
法の一実施の形態について説明する。先ず本発明方法の
概要について図１により記述すると、先ず図１（ａ）に
示すように、基板例えばウエハＷのデバイス形成面に、
光が当たると現像液に対して溶解性になるレジスト２０
を塗布する塗布工程を行い、次いで図１（ｂ）に示すよ
うに、ウエハＷの回路形成領域であるデバイス領域２１
（図４参照）に対して、所定のパタ−ンに対応するパタ
−ンマスク２２を用いて光源２３を発光させて露光する
露光工程を行う。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a method for forming a resist pattern according to the present invention will be described. First, an outline of the method of the present invention will be described with reference to FIG. 1. First, as shown in FIG.
Resist 20 that becomes soluble in developer when exposed to light
Then, as shown in FIG. 1B, a device region 21 which is a circuit formation region of the wafer W is formed.
4 (see FIG. 4), an exposure step of exposing the light source 23 to light by using a pattern mask 22 corresponding to a predetermined pattern is performed.
【００１２】続いて図１（ｃ）に示すように、ウエハＷ
のデバイス領域２１の外側の周辺領域２４（図４参照）
を露光する周辺露光工程を行うが、この工程は露光部３
によりリング状の露光領域を形成しながら、当該露光部
３をウエハＷに対して面方向に相対的に連続的に移動さ
せながら行う。このように周辺露光を行うのは、この領
域のレジストを残しておくと後の工程においてパ−ティ
クルの発生原因となるおそれがあるからである。この後
図１（ｄ）に示すように、ウエハＷのデバイス形成面に
現像液２５を供給して現像工程を行う。この工程では現
像液２５によりレジストの露光された部分が溶解され、
デバイス領域２１に所定のレジストパタ−ンが形成され
ると共に、周辺領域２４のレジストが除去される（図１
（ｅ）参照）。Subsequently, as shown in FIG.
Peripheral region 24 outside device region 21 (see FIG. 4)
Is performed, and this step is performed in the exposure section 3
The exposure is performed while the exposure unit 3 is relatively continuously moved in the surface direction with respect to the wafer W while forming a ring-shaped exposure region. The reason for performing the peripheral exposure in this manner is that leaving the resist in this region may cause the generation of particles in a later step. Thereafter, as shown in FIG. 1D, the developing process is performed by supplying the developing solution 25 to the device forming surface of the wafer W. In this step, the exposed portion of the resist is dissolved by the developer 25,
A predetermined resist pattern is formed in the device region 21 and the resist in the peripheral region 24 is removed (FIG. 1).
(E)).
【００１３】本発明では周辺露光工程において、露光部
３によりリング状の露光領域を形成しながら、当該露光
部３をウエハＷに対して相対的に連続的に移動させるこ
とに特徴があり、続いてウエハＷに対してこのような周
辺露光を行う周辺露光装置について図２を参照しながら
説明する。The present invention is characterized in that in the peripheral exposure step, the exposure unit 3 is moved relatively continuously with respect to the wafer W while forming a ring-shaped exposure region by the exposure unit 3. A peripheral exposure apparatus that performs such peripheral exposure on the wafer W will be described with reference to FIG.
【００１４】図中４１は、ウエハＷがデバイス形成面を
上に向けた状態でほぼ水平な状態で載置される載置部で
あり、この載置部４１の上方側にはウエハＷに対向する
ように、リング状の露光領域を形成する露光部３が設け
られている。露光部３は、光源３１と、光源３１とウエ
ハＷとの間に設けられ、リング状の露光領域を形成する
手段である露光領域形成部３２と、光源３１の露光領域
形成部３２の反対側に設けられ、光源３１から発光され
た光を反射させるミラ−３３と、光源３１と露光領域形
成部３２との間に設けられ、光源３１から露光領域形成
部３２に向けて発光された光と、光源３１から発光さ
れ、ミラ−により反射された光を集光するレンズ３４
と、を備えている。In the drawing, reference numeral 41 denotes a mounting portion on which the wafer W is mounted in a substantially horizontal state with the device forming surface facing upward, and an upper side of the mounting portion 41 is opposed to the wafer W. An exposure unit 3 for forming a ring-shaped exposure area is provided. The exposure unit 3 is provided between the light source 31 and the light source 31 and the wafer W, and is an exposure region forming unit 32 which is a unit for forming a ring-shaped exposure region, and an opposite side of the exposure region forming unit 32 of the light source 31. And a mirror 33 that reflects light emitted from the light source 31 and light that is provided between the light source 31 and the exposure region forming unit 32 and is emitted from the light source 31 toward the exposure region forming unit 32. , A lens 34 for collecting light emitted from the light source 31 and reflected by the mirror
And
【００１５】前記露光領域形成部３２は、数百本の光フ
ァイバ例えば石英ファイバ３５を、例えば図３に示すよ
うに、例えば四角形の角リング状に配列すると共に、一
方側を束ねて形成されている。この露光領域形成部３２
は束ねた側をレンズ３４に向けて配置され、レンズ３４
によって集光された光が露光領域形成部３２の束ねた側
に受光され、角リングによって四角形のリング状の露光
領域３０（図４参照）を形成するように構成されてい
る。またミラ−３３やレンズ３４の形状や、ミラ−３３
やレンズ３４、光源３１、露光領域形成部３２との位置
関係は、光源３１から発光された光が露光領域形成部３
２に漏れなく受光されるように夫々決定されている。The exposure region forming section 32 is formed by arranging hundreds of optical fibers, for example, quartz fibers 35 in, for example, a square ring shape as shown in FIG. 3 and bundling one side. I have. This exposure area forming section 32
Is disposed with the bundled side facing the lens 34, and the lens 34
The condensed light is received by the bundled side of the exposure region forming section 32, and a square ring-shaped exposure region 30 (see FIG. 4) is formed by a square ring. Also, the shape of the mirror 33 and the lens 34, the mirror 33
The positional relationship among the lens 34, the light source 31, and the exposure area forming unit 32 is as follows.
2 are determined so that light is received without omission.
【００１６】また載置部４１は例えば下部側に設けられ
た移動手段をなすＸ，Ｙ移動部４２により、ウエハＷを
露光部３に対して面方向に連続的に移動させるように構
成されている。ここでウエハＷでは、図４に示すよう
に、デバイス領域２１の外縁がＸ方向またはＹ方向に沿
って形成されているので、Ｘ，Ｙ移動部４２は、露光部
３によって形成される露光領域３０の辺とデバイス領域
２１の外縁とがほぼ平行になるようにした状態で、ウエ
ハＷの周辺領域２４に露光領域３０を位置させながら、
ウエハＷをＸまたはＹ方向に連続的に移動させるように
構成されている。さらに露光領域３０の大きさは、例え
ば周縁領域２４を１回スキャンすれば露光が行える程度
の大きさ例えば縦横が１０ｃｍよりも少し大きい程度に
設定されている。The mounting section 41 is configured to continuously move the wafer W in the plane direction with respect to the exposure section 3 by, for example, an X, Y moving section 42 serving as a moving means provided on a lower side. I have. Here, in the wafer W, as shown in FIG. 4, since the outer edge of the device region 21 is formed along the X direction or the Y direction, the X, Y moving unit 42 With the side of the device 30 and the outer edge of the device region 21 substantially parallel to each other, the exposure region 30 is positioned in the peripheral region 24 of the wafer W,
The wafer W is configured to be continuously moved in the X or Y direction. Further, the size of the exposure region 30 is set to such a size that, for example, the exposure can be performed by scanning the peripheral region 24 once, for example, the length and width are slightly larger than 10 cm.
【００１７】このような周辺露光装置では、載置部４１
に前工程においてデバイス領域２１の露光が行われたウ
エハＷを予め設定された位置へ位置合わせして載置した
後、ウエハＷをＸ，Ｙ移動部４２により移動させて、露
光領域３０の辺とデバイス領域２１の外縁とがほぼ平行
になるように、前記露光領域３０を周辺領域２４に位置
させる。そして光源３１を発光させて角リング状に露光
を行いながら、ウエハＷを、周辺領域２４と露光領域３
０とが対応するように、図４に点線で示す移動経路にて
Ｘ又はＹ方向に連続的に移動させて周辺領域２４全体を
露光し、こうして周辺露光を行う。In such a peripheral exposure apparatus, the mounting section 41
After the wafer W on which the exposure of the device region 21 has been performed in the previous process is positioned and placed on a preset position, the wafer W is moved by the X and Y The exposure area 30 is positioned in the peripheral area 24 such that the outer edge of the exposure area 30 is substantially parallel to the outer edge of the device area 21. The light source 31 emits light to perform exposure in a square ring shape.
In order to correspond to 0, the entire peripheral area 24 is exposed by continuously moving in the X or Y direction along the movement path shown by the dotted line in FIG. 4, and thus peripheral exposure is performed.
【００１８】このような周辺露光では、露光部３の露光
領域３０を四角形のリング状にしたので、従来四角形状
の露光領域を形成する露光部に比較して発光領域が小さ
いため、露光領域形成部３２を形成するために必要な光
ファイバの数が少なくて済み、製造コストを低くするこ
とができる。In such peripheral exposure, since the exposure region 30 of the exposure unit 3 is formed in a square ring shape, the light emission region is smaller than that of the conventional exposure unit that forms a square exposure region. The number of optical fibers required to form the portion 32 can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.
【００１９】また発光領域が小さくなるので発光のため
に要する電力が小さくなり、運転コストも低くすること
ができる。このため露光部３を発光させたまま露光を連
続的に行っても、ト−タルの電力の消費量は従来方法と
同じ程度か少なくなるので、ウエハＷを露光部３に対し
て連続的に移動させて周辺露光を行うことができる。こ
のようにウエハＷを連続的に移動させると、ウエハＷと
露光部３とを相対的に移動させるための高速移動機構を
設けなくても、周辺露光に要する時間が短縮される。Further, since the light emitting area is reduced, the power required for light emission is reduced, and the operating cost can be reduced. For this reason, even if the exposure is continuously performed while the exposure unit 3 emits light, the total power consumption is about the same as or less than that of the conventional method. It can be moved to perform peripheral exposure. When the wafer W is continuously moved in this manner, the time required for peripheral exposure is reduced without providing a high-speed moving mechanism for relatively moving the wafer W and the exposure unit 3.
【００２０】この際露光領域３０が四角形のリング状で
あっても、露光部３とウエハＷとを相対的に連続的に移
動させることにより周辺領域２４の露光は十分に行うこ
とができ、この工程で露光された周辺領域２４のレジス
トは現像液に対して溶解性となるので、次の現像工程に
おいて除去される。At this time, even if the exposure region 30 has a rectangular ring shape, the exposure of the peripheral region 24 can be sufficiently performed by moving the exposure unit 3 and the wafer W relatively continuously. The resist in the peripheral region 24 exposed in the step becomes soluble in the developing solution, and is removed in the next developing step.
【００２１】上述の実施の形態において、露光部３はリ
ング状の露光領域３０の代わりに、例えば図５に示すよ
うな帯状の露光領域５を形成するように構成してもよ
い。この場合には、例えば露光領域５をＸ軸と平行に配
置しておき、デバイス領域２１のＹ軸と平行な外縁の周
縁領域２４を露光する場合には、帯状の露光領域５と交
差する方向にウエハＷを移動させ、デバイス領域２１の
Ｘ軸と平行な外縁の周縁領域２４を露光する場合には、
ウエハＷを９０度回転させてから、帯状の露光領域５と
交差する方向にウエハＷを移動させながら周辺領域２４
全体を露光する。このように帯状の露光領域５を形成す
るように露光部３を構成しても、発光領域が小さいた
め、製造コストを低くすることができる上、発光のため
に要する電力が小さくなり、運転コストも低くすること
ができる。In the above-described embodiment, the exposure section 3 may be configured to form, for example, a strip-shaped exposure area 5 as shown in FIG. 5 instead of the ring-shaped exposure area 30. In this case, for example, the exposure region 5 is arranged in parallel with the X-axis, and when exposing the outer peripheral region 24 parallel to the Y-axis of the device region 21, the direction intersecting with the strip-shaped exposure region 5. When the wafer W is moved to expose the outer peripheral region 24 parallel to the X axis of the device region 21,
After rotating the wafer W by 90 degrees, the peripheral area 24 is moved while moving the wafer W in a direction intersecting the strip-shaped exposure area 5.
Expose the whole. Even if the exposure unit 3 is formed so as to form the strip-shaped exposure region 5, since the light-emitting region is small, the manufacturing cost can be reduced, the power required for light emission is reduced, and the operating cost is reduced. Can also be lower.
【００２２】また上述の実施の形態では、露光部３とウ
エハＷとはウエハＷの面方向に相対的に連続的に移動さ
せるように構成すればよく、ウエハＷ側を移動させる代
わりに、露光部３側を移動させるように構成してもよ
い。さらにウエハＷのデバイス領域２１は例えば図６に
示すように形成してもよい。In the above-described embodiment, the exposure unit 3 and the wafer W may be moved relatively continuously in the surface direction of the wafer W. You may comprise so that the part 3 side may be moved. Further, the device region 21 of the wafer W may be formed, for example, as shown in FIG.
【００２３】次に本発明に係るレジストパタ−ンの形成
方法の実施に使用される周辺露光装置をユニットに組み
込んだ塗布・現像装置の一例の概略について図７及び図
８を参照しながら説明する。Next, an example of a coating / developing apparatus in which a peripheral exposure apparatus used for carrying out the method of forming a resist pattern according to the present invention is incorporated in a unit will be described with reference to FIGS.
【００２４】図７及び図８中、６はウエハカセットを搬
入出するための搬入出ステ−ジであり、例えば２５枚収
納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボットにより載
置される。搬入出ステ−ジ６に臨む領域にはウエハの受
け渡しアーム６０がＸ、Ｙ方向及びθ回転（鉛直軸回り
の回転）自在に設けられている。更にこの受け渡しアー
ム６０の奥側には、例えば搬入出ステ−ジ６から奥を見
て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左
側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニットＵ２、Ｕ
３、Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユ
ニットと加熱・冷却系ユニットとの間でウエハＷの受け
渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動
自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬
送ア−ムＭＡが設けられている。ただし図７では便宜上
ユニットＵ２及びウエハ搬送アームＭＡは描いていな
い。7 and 8, reference numeral 6 denotes a loading / unloading stage for loading / unloading a wafer cassette. For example, a cassette C containing 25 sheets is placed by an automatic transfer robot, for example. In a region facing the loading / unloading stage 6, a wafer transfer arm 60 is provided so as to be freely rotatable in X, Y directions and θ (rotation about a vertical axis). Further, on the back side of the transfer arm 60, a coating / developing system unit U1 is located on the right side, for example, as viewed from the loading / unloading stage 6, and a heating / cooling system unit is located on the left, front and back sides. Unit U2, U
3 and U4, respectively, and for transferring the wafer W between the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit, for example, can be moved up and down, left and right, movable back and forth, and around a vertical axis. A rotatable wafer transfer arm MA is provided. However, in FIG. 7, the unit U2 and the wafer transfer arm MA are not drawn for convenience.
【００２５】塗布・現像系のユニットにおいては、例え
ば上段に２個の現像ユニット６１が、下段に２個の塗布
ユニット６２が設けられている。加熱・冷却系のユニッ
トにおいては、加熱ユニットや冷却ユニットや疎水化処
理ユニット等が上下にある。In the coating / developing system unit, for example, two developing units 61 are provided in an upper stage, and two coating units 62 are provided in a lower stage. In a heating / cooling system unit, a heating unit, a cooling unit, a hydrophobizing unit, and the like are vertically arranged.
【００２６】塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニ
ットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことに
すると、このクリ−ントラックの奥側にはインターフェ
イスユニット７を介して露光装置７０が接続されてい
る。インターフェイスユニット７は例えば昇降自在、左
右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成
されたウエハ搬送ア−ム７１によりクリーントラックと
露光装置７０との間でウエハＷの受け渡しを行うもので
あり、このユニット７に上述の周辺露光装置８が組み込
まれている。When the above-described portion including the coating / developing system unit and the heating / cooling system unit is called a clean track, an exposure apparatus 70 is provided at the back of the clean track via an interface unit 7. It is connected. The interface unit 7 transfers the wafer W between the clean track and the exposure apparatus 70 by a wafer transfer arm 71 configured to be movable up and down, movable left and right, back and forth, and rotatable around a vertical axis. The unit 7 incorporates the above-described peripheral exposure device 8.
【００２７】この装置のウエハの流れについて説明する
と、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセット
Ｃが前記搬入出ステ−ジ６に搬入され、ウエハ搬送ア−
ム６０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、
既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡
し台を介してウエハ搬送アームＭＡに受け渡される。次
いでユニットＵ３内の一の棚の処理部内にて疎水化処理
が行われた後、塗布ユニット６２にてレジスト液が塗布
され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布され
たウエハＷは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェ
イスユニット７を介して露光装置７０に送られ、ここで
パタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われた後、
インタ−フェイスユニット７の周辺露光装置８にて、ウ
エハＷのデバイス領域の外側の周辺領域の露光が行われ
る。The flow of wafers in this apparatus will be described. First, a wafer cassette C containing wafers W is loaded into the loading / unloading stage 6 from the outside, and the wafer transfer arm is moved.
The wafer W is taken out of the cassette C by the
The wafer is transferred to the wafer transfer arm MA via a transfer table, which is one of the shelves of the heating / cooling unit U3. Next, after the hydrophobic treatment is performed in the processing unit of one shelf in the unit U3, a resist liquid is applied by the application unit 62 to form a resist film. After being heated by the heating unit, the wafer W coated with the resist film is sent to the exposure device 70 via the interface unit 7, where it is exposed through a mask corresponding to the pattern.
In the peripheral exposure device 8 of the interface unit 7, the peripheral region outside the device region of the wafer W is exposed.
【００２８】その後ウエハＷは加熱ユニットで加熱され
た後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット６
１に送られて現像処理され、レジストマスクが形成され
る。しかる後ウエハＷは搬入出ステ−ジ６上のカセット
Ｃ内に戻される。Thereafter, the wafer W is heated by the heating unit and then cooled by the cooling unit.
The resist film is sent to the developing device 1 and subjected to a development process, thereby forming a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the cassette C on the loading / unloading stage 6.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明によれば、レジストパタ−ンを形
成する際に、基板の回路形成領域の外側の周辺領域を露
光する工程において、リング状の露光領域を形成しなが
ら当該露光部を基板に対して面方向に相対的に連続的に
移動させて露光を行うようにしたので、光源の電力を大
きくさせずに露光時間の短縮を図ることができる。According to the present invention, when a resist pattern is formed, in a step of exposing a peripheral region outside a circuit formation region of a substrate, the exposed portion is formed while forming a ring-shaped exposure region. Is relatively continuously moved in the plane direction to perform the exposure, so that the exposure time can be reduced without increasing the power of the light source.
【図１】本発明方法の実施の形態の一例を示す工程図で
ある。FIG. 1 is a process chart showing an example of an embodiment of the method of the present invention.
【図２】本発明方法の周辺露光工程で用いられる周辺露
光装置を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a peripheral exposure apparatus used in a peripheral exposure step of the method of the present invention.
【図３】前記周辺露光装置の露光領域形成部を示す平面
図である。FIG. 3 is a plan view showing an exposure area forming section of the peripheral exposure apparatus.
【図４】ウエハのデバイス領域を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a device region of a wafer.
【図５】前記周辺露光装置の他の例の露光領域を示す平
面図である。FIG. 5 is a plan view showing an exposure area of another example of the peripheral exposure apparatus.
【図６】ウエハのデバイス領域の他の例を示す平面図で
ある。FIG. 6 is a plan view showing another example of the device area of the wafer.
【図７】前記周辺露光装置を組み込んだ塗布・現像装置
の一例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the peripheral exposure apparatus.
【図８】前記周辺露光装置を組み込んだ塗布・現像装置
の一例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing an example of a coating / developing apparatus incorporating the peripheral exposure apparatus.
【図９】ウエハのデバイス領域を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a device region of a wafer.
【図１０】従来の周辺露光の露光領域を示す平面図であ
る。FIG. 10 is a plan view showing an exposure area of a conventional peripheral exposure.
Ｗ 半導体ウエハ ２０ レジスト ２２ パタ−ンマスク ２５ 現像液 ２１ デバイス領域 ２４ 周辺領域 ３ 露光部 ３０，５ 露光領域 ３１ 光源 ３２ 露光領域形成部 ３５ 石英ファイバ ４１ 載置部 ４２ Ｘ，Ｙ移動部 ８ 周辺露光装置 W Semiconductor wafer 20 Resist 22 Pattern mask 25 Developer 21 Device area 24 Peripheral area 3 Exposure section 30,5 Exposure area 31 Light source 32 Exposure area forming section 35 Quartz fiber 41 Placement section 42 X, Y moving section 8 Peripheral exposure apparatus
Claims (5)
るレジストを基板に塗布する工程と、 次いでこの基板を所定のパタ−ンマスクを用いて露光す
る工程と、 その後基板の回路形成領域の外側の周辺領域に、露光部
によりリング状の露光領域を形成しながら、当該露光部
を基板に対して面方向に相対的に連続的に移動させて前
記周辺領域を露光する工程と、 この工程の後基板表面に現像液を供給し、これにより基
板表面を現像すると共に、前記周辺領域のレジストを溶
解する工程と、を含むことを特徴とするレジストパタ−
ンの形成方法。A step of applying a resist, which becomes soluble in a developing solution when exposed to light, to a substrate; a step of exposing the substrate using a predetermined pattern mask; Exposing the peripheral region by moving the exposed portion relatively continuously in the surface direction with respect to the substrate while forming a ring-shaped exposure region in the peripheral region outside the Supplying a developing solution to the substrate surface after the step, thereby developing the substrate surface and dissolving the resist in the peripheral region.
Formation method.
向に沿って形成されると共に、露光部はリング状の露光
領域を形成するように構成され、前記周辺領域を露光す
る工程では、前記露光領域の辺と回路形成領域の外縁と
をほぼ平行にした状態で露光部を基板に対して相対的に
ＸまたはＹ方向に移動させることを特徴とする請求項１
記載のレジストパタ−ンの形成方法。2. The method according to claim 1, wherein an outer edge of the circuit forming region is formed along the X direction or the Y direction, and the exposure unit is configured to form a ring-shaped exposure region. 2. The apparatus according to claim 1, wherein the exposure unit is moved in the X or Y direction relative to the substrate with the side of the exposure region and the outer edge of the circuit formation region being substantially parallel.
The method for forming the resist pattern according to the above.
帯状の露光領域を形成するように構成され、前記周辺領
域を露光する工程では、帯状の露光領域と交差する方向
に露光部を基板に対して相対的に移動させることを特徴
とする請求項１記載のレジストパタ−ンの形成方法。3. The exposing section is configured to form a strip-shaped exposure area instead of a ring-shaped exposure area. In the step of exposing the peripheral area, the exposing section sets the exposure section in a direction intersecting with the strip-shaped exposure area. 2. The method according to claim 1, wherein the resist pattern is moved relatively to the resist pattern.
スクを用いて露光された基板に対して、回路形成領域の
外側の周縁領域のレジストを現像によって溶解するため
に、当該周辺領域を露光する周辺露光装置において、 基板を載置する載置部と、 リング状の露光領域を形成する露光部と、 露光部の露光領域を基板の前記周辺領域に位置させなが
ら、露光部を基板に対して面方向に相対的に連続的に移
動させるための移動手段と、を備えたことを特徴とする
周辺露光装置。4. A substrate coated with a resist and exposed using a predetermined pattern mask is exposed in a peripheral region in order to dissolve the resist in a peripheral region outside a circuit forming region by development. In the peripheral exposure apparatus, a mounting section for mounting a substrate, an exposure section for forming a ring-shaped exposure area, and an exposure section with respect to the substrate while the exposure area of the exposure section is positioned in the peripheral area of the substrate. A peripheral exposure apparatus comprising: a moving unit for relatively continuously moving in a plane direction.
する手段は光ファイバを配列して構成されていることを
特徴とする請求項４記載の周辺露光装置。5. A peripheral exposure apparatus according to claim 4, wherein said means for forming a ring-shaped exposure area of said exposure section is configured by arranging optical fibers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34785698A JP3455451B2 (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Method for forming resist pattern and peripheral exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34785698A JP3455451B2 (en) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | Method for forming resist pattern and peripheral exposure apparatus |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2000164479A true JP2000164479A (en) | 2000-06-16 |
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- 1998-11-20 JP JP34785698A patent/JP3455451B2/en not_active Expired - Fee Related
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