JP2000160389A - Plating and production of magnetic head - Google Patents
Plating and production of magnetic headInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はメッキ方法及び磁気
ヘッドの製造方法に関し、特に、ハードディスクドライ
ブ（ＨＤＤ）等の磁気記録装置或いは磁気テープ装置等
に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドを構成する誘導型ヘ
ッドの上下磁極膜やコイル導体等のメッキ膜の膜厚及び
膜組成、或いは、膜厚分布や膜組成分布を安定化するた
めの方法に特徴のあるメッキ方法及び磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating method and a method of manufacturing a magnetic head, and more particularly, to an inductive type forming a composite thin film magnetic head used in a magnetic recording device such as a hard disk drive (HDD) or a magnetic tape device. The present invention relates to a plating method and a magnetic head manufacturing method characterized by a method for stabilizing a film thickness and a film composition of a plating film such as an upper and lower magnetic pole film and a coil conductor of a head, or a method for stabilizing a film thickness distribution and a film composition distribution. is there.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置であ
るハードディスク装置等の小型化，大容量化の要請の高
まりに伴い、高密度磁気記録が可能なハードディスク装
置等の研究開発が急速に進められており、この様なハー
ドディスク装置の高性能化及び低コスト化を実現するた
めには、薄膜磁気ヘッドを構成する上下磁極膜やコイル
導体等のメッキ膜の膜厚及び膜組成の安定性、或いは、
基板面内における膜厚分布や膜組成分布の均一性が必要
となる。2. Description of the Related Art In recent years, research and development of a hard disk device capable of high-density magnetic recording and the like have been rapidly advanced along with a demand for miniaturization and large capacity of a hard disk device as an external storage device of a computer. Therefore, in order to realize high performance and low cost of such a hard disk drive, stability of the film thickness and film composition of plating films such as upper and lower magnetic pole films and coil conductors constituting the thin film magnetic head, or
Uniformity of the film thickness distribution and film composition distribution in the substrate surface is required.
【０００３】ここで、図７を参照して、従来の複合型薄
膜磁気ヘッドの一例を簡単に説明する。 図７参照 図７は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドを模式的に示した
要部透視斜視図であり、スライダーの母体となるＡｌ2
Ｏ3 −ＴｉＣ基板（図示せず）上に、Ａｌ2 Ｏ 3 膜（図
示せず）を介してＮｉＦｅ合金等からなる下部シールド
層４１を電解メッキ法により形成し、Ａｌ2 Ｏ3 等のギ
ャップスペーサ層（図示せず）を介してＮｉＦｅ，Ｔ
ｉ，ＣｏＺｒＭｏの積層構造等からなる磁気抵抗効果素
子４２をスパッタリング法によって設けて所定の形状に
パターニングしたのち、磁気抵抗効果素子４２の両端に
Ａｕ等からなる導電膜を堆積させてリード電極４３を形
成する。[0003] Here, referring to FIG.
An example of the film magnetic head will be briefly described. FIG. 7 is a schematic view of a conventional composite thin film magnetic head.
FIG. 2 is a perspective view showing a main part, in which Al is a base of the slider.Two
OThreeAl on a TiC substrate (not shown)TwoO ThreeMembrane (Figure
Lower shield made of NiFe alloy or the like via not shown)
The layer 41 is formed by electrolytic plating,TwoOThreeEtc
NiFe, T via a gap spacer layer (not shown)
i, CoZrMo Magnetoresistance effect element having a laminated structure etc.
The element 42 is provided by a sputtering method to form a predetermined shape.
After patterning, at both ends of the magnetoresistive element 42
A lead film 43 is formed by depositing a conductive film made of Au or the like.
To achieve.
【０００４】次いで、再び、Ａｌ2 Ｏ3 等のギャップス
ペーサ層（図示せず）を介してＮｉＦｅ合金等からなる
上部シールド層を兼ねる下部磁極層２４を電解メッキ法
によって設け、その上にＡｌ2 Ｏ3 等からなるライトギ
ャップ層（図示せず）を設けたのち、レジスト等の第１
層間絶縁膜（図示せず）を介して電解メッキ法によって
Ｃｕ層を水平スパイラル状のパターンに堆積させてライ
トコイル４５を形成するととともに、その両端にライト
電極４６を設ける。[0004] Then, again, provided the lower magnetic pole layer 24 serving also as the upper shield layer made of NiFe alloy or the like through the gap spacer layer of Al 2 O 3 or the like (not shown) by electrolytic plating, Al 2 thereon After providing a write gap layer (not shown) made of O 3 or the like,
A write coil 45 is formed by depositing a Cu layer in a horizontal spiral pattern by an electrolytic plating method via an interlayer insulating film (not shown), and write electrodes 46 are provided at both ends.
【０００５】次いで、ライトコイル４５を覆うレジスト
等からなる第２層間絶縁膜（図示せず）を設けたのち、
Ｔｉ膜等からなるメッキベース層（図示せず）を設け、
その上にメッキフレームとなるレジストマスク（図示せ
ず）を利用して、選択的にＮｉＦｅ等を電解メッキする
ことによって上部磁極層４７及び先端部のライトポール
４８を形成する。Then, after providing a second interlayer insulating film (not shown) made of a resist or the like covering the write coil 45,
A plating base layer (not shown) made of a Ti film or the like is provided,
An upper magnetic pole layer 47 and a light pole 48 at the tip are formed thereon by selectively electroplating NiFe or the like using a resist mask (not shown) serving as a plating frame.
【０００６】次いで、レジストマスクを除去したのち、
Ａｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによって
メッキベース層の露出部を除去し、次いで、全面にＡｌ
2 Ｏ 3 膜を設けて保護膜（図示せず）としたのち、基板
を切断し、ライトポール４８の長さ、即ち、ギャップ深
さを調整するための研削、研磨等を含めたスライダー加
工を行うことにより磁気抵抗効果素子４２を利用した再
生用、即ち、リード用のＭＲヘッドと、記録用、即ち、
ライト用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを複合化した複合
型薄膜磁気ヘッドが得られる。Next, after removing the resist mask,
By performing ion milling using Ar ions
The exposed portion of the plating base layer is removed, and then Al
TwoO ThreeAfter providing a protective film (not shown) by providing a film, the substrate
And the length of the light pole 48, that is, the gap depth
Slider adjustment including grinding, polishing, etc.
By performing the process, the re-use using the magnetoresistive effect element 42 is performed.
A raw or read MR head and a recording or read MR head
Combined with inductive thin film magnetic head for write
A type thin film magnetic head is obtained.
【０００７】この場合、ライト電極４６からライトコイ
ル４５に信号電流を流すことによって発生した磁束は下
部磁極層４４と上部磁極層４７とからなる磁極コアに導
かれ、上部磁極層４７の先端のライトポール４８近傍に
おいてライトギャップ層によって形成される記録ギャッ
プによって磁束が外部に漏れ出て、記録媒体に信号が記
録されることになる。また、逆に、記録媒体からの磁束
を磁極コアで検出して信号を再生することもできるもの
であり、上部磁極層４７の先端のライトポール４８の幅
がトラック幅となり、このトラック幅によって面記録密
度が規定される。In this case, the magnetic flux generated by passing a signal current from the write electrode 46 to the write coil 45 is guided to the magnetic pole core composed of the lower magnetic pole layer 44 and the upper magnetic pole layer 47, and the write at the tip of the upper magnetic pole layer 47 is performed. Magnetic flux leaks outside due to the recording gap formed by the write gap layer near the pole 48, and a signal is recorded on the recording medium. On the other hand, the signal can be reproduced by detecting the magnetic flux from the recording medium with the magnetic pole core, and the width of the write pole 48 at the tip of the upper magnetic pole layer 47 becomes the track width. The recording density is specified.
【０００８】一方、ＭＲヘッドにおける再生原理は、リ
ード電極４３から一定のセンス電流を流した場合に、磁
気抵抗効果素子４２を構成する磁性薄膜の電気抵抗が記
録媒体からの磁界により変化する現象を利用するもので
ある。On the other hand, the reproducing principle of the MR head is based on a phenomenon that when a constant sense current flows from the lead electrode 43, the electric resistance of the magnetic thin film forming the magnetoresistive element 42 changes due to the magnetic field from the recording medium. To use.
【０００９】上述のように、複合型薄膜磁気ヘッドを製
造する際には、複数回の電解メッキ工程を採用している
が、これらのメッキ工程においては、メッキ膜の膜厚や
膜組成、及び、膜厚の基板内分布や膜組成の基板内分布
の安定性・再現性が重要になる。As described above, when manufacturing a composite type thin film magnetic head, a plurality of electrolytic plating steps are employed. In these plating steps, the film thickness, film composition, and The stability and reproducibility of the film thickness distribution in the substrate and the film composition distribution in the substrate are important.
【００１０】従来、この様なメッキ膜の膜厚や膜組成、
及び、膜厚の基板内分布や膜組成の基板内分布の安定性
・再現性を実現するために、本メッキ工程の前に、ダミ
ー基板を用いた粗メッキと称するテストメッキを行って
メッキ液中のイオン状態を安定化したのち、ダミー基板
を取り出し、新たに基板をセットし直して本メッキを行
っていた。Conventionally, the thickness and composition of such a plating film,
In order to realize the stability and reproducibility of the distribution of the film thickness in the substrate and the distribution of the film composition in the substrate, a test plating called a rough plating using a dummy substrate is performed before the main plating step to perform plating. After stabilizing the ion state inside, the dummy substrate was taken out, a new substrate was set again, and the main plating was performed.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のメッキ
法においては、粗メッキを行うことによってメッキ液の
イオン状態はある程度安定化することができるものの、
対極や基板の近傍のイオン状態は粗メッキ終了後１０分
程度で元の状態に戻ってしまい、粗メッキの終了後、ダ
ミー基板を取り出し、新たに基板をセットして本メッキ
を行うまでに１０分以上かかる生産ラインのメッキ工程
においては、安定した状態でメッキ開始初期から基板に
所望のメッキ膜を成膜することができないという問題が
ある。なお、安定状態から元の状態に戻る間のイオン状
態の変化は、時間に対してリニアに変化するので、ダミ
ー基板と基板との交換が１０分以内であっても問題とな
る。However, in the conventional plating method, although the ionic state of the plating solution can be stabilized to some extent by performing rough plating,
The ion state in the vicinity of the counter electrode and the substrate returns to the original state about 10 minutes after the completion of the rough plating. After the completion of the rough plating, the dummy substrate is taken out, a new substrate is set, and the plating is completed until the main plating is performed. In a plating step of a production line that takes more than a minute, there is a problem that a desired plating film cannot be formed on a substrate from an initial stage of plating in a stable state. Since the change in the ion state during the return from the stable state to the original state changes linearly with time, there is a problem even if the replacement of the dummy substrate with the substrate is performed within 10 minutes.
【００１２】一方、本出願人等の従来の実験によって、
対極や基板の近傍のイオン状態はメッキ開始から約１分
で安定化すること、及び、メッキ工程の初期状態を安定
化することによって、所望のメッキ膜を安定して形成す
ることができることが判明した（なお、本発明者が知る
範囲では、対外的には、この実験結果は発表していな
い。）。On the other hand, according to a conventional experiment conducted by the present applicant,
It has been found that the ion state near the counter electrode and the substrate is stabilized in about 1 minute from the start of plating, and that the desired state of the plating film can be formed stably by stabilizing the initial state of the plating process. (Note that, to the knowledge of the present inventors, the results of this experiment have not been published externally.)
【００１３】したがって、本発明は、ダミー基板を用い
ることなく、メッキ工程の初期状態を安定化して、所望
の膜厚及び膜組成で、且つ、高い基板内均一性でメッキ
することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to stabilize the initial state of a plating step without using a dummy substrate, and to perform plating with a desired film thickness and film composition and with high uniformity within the substrate. .
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、前メッキ工程におけるメッキ装置の概略的構
成図であり、図１（ｂ）は本メッキ工程におけるメッキ
装置の概略的構成図である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、メッキ方法において、メッキ開始前
に、メッキ対象の基板３の前に基板３の前面を覆う遮蔽
板４を設けて前メッキを行ったのち、この遮蔽板４の少
なくとも一部を取り除き、基板３の本メッキを行うこと
を特徴とする。FIG. 1 is an explanatory view of the principle configuration of the present invention. Referring to FIG. 1, means for solving the problems in the present invention will be described. FIG.
FIG. 1A is a schematic configuration diagram of a plating apparatus in a pre-plating step, and FIG. 1B is a schematic configuration diagram of a plating apparatus in a main plating step. 1 (a) and 1 (b) (1) In the present invention, in the plating method, a shielding plate 4 for covering the front surface of the substrate 3 is provided in front of the substrate 3 to be plated and plating is performed before plating is started. Thereafter, at least a part of the shielding plate 4 is removed, and the main plating of the substrate 3 is performed.
【００１５】この様に、メッキ時に、基板ホルダー２に
収納した基板３前面に遮蔽板４を置いて、対極７と遮蔽
板４間に電圧を印加して前メッキを１〜２０分程度行う
ことによって、メッキ槽１に収容したメッキ液中のイオ
ン状態や、対極７や基板３近傍のイオンや電子の授受状
態を安定化させたのち、遮蔽板４全体或いは基板３の大
きさに相当する遮蔽板開口部５を開き、基板３に本メッ
キを行うことによって所望の膜厚及び膜組成で、且つ、
高い基板内均一性でメッキすることが可能になる。As described above, at the time of plating, the shielding plate 4 is placed on the front surface of the substrate 3 housed in the substrate holder 2, and a voltage is applied between the counter electrode 7 and the shielding plate 4 to perform the pre-plating for about 1 to 20 minutes. After stabilizing the ion state in the plating solution contained in the plating tank 1 and the transfer state of ions and electrons in the vicinity of the counter electrode 7 and the substrate 3, the shielding corresponding to the entire shielding plate 4 or the size of the substrate 3 is stabilized. The plate opening 5 is opened, and the main plating is performed on the substrate 3 to obtain a desired film thickness and film composition, and
Plating can be performed with high uniformity within the substrate.
【００１６】即ち、本発明においては、前メッキ工程に
おいて基板３は予めセットされており、また、本メッキ
工程において、遮蔽板４全体を取り除くか、或いは、遮
蔽板４に基板３の大きさに相当する大きさの遮蔽板開口
部５及び遮蔽板可動部６を設けて遮蔽板開口部５を開く
だけであるので、前メッキ工程と本メッキ工程との移行
時間が短くなり、安定化したイオン状態が元に戻ること
がないので、同じメッキ状態において安定なメッキが可
能になる。That is, in the present invention, the substrate 3 is set in advance in the pre-plating step, and in the main plating step, the entire shielding plate 4 is removed or the size of the substrate 3 Since only the shield plate opening 5 and the shield plate movable portion 6 having the corresponding sizes are provided and the shield plate opening 5 is opened, the transition time between the pre-plating step and the main plating step is shortened, and the stabilized ion Since the state does not return to the original state, stable plating can be performed in the same plating state.
【００１７】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、前メッキ工程及び本メッキ工程において、基板３と
遮蔽板４とを同電位にすることを特徴とする。(2) The present invention is characterized in that, in the above (1), in the pre-plating step and the main plating step, the substrate 3 and the shielding plate 4 are set to the same potential.
【００１８】この様に、基板３と遮蔽板４とを電源８か
ら同電位にバイアスすることによって、前メッキ工程に
おいては遮蔽板４にメッキが付着し、基板３には付着し
ないようにすることができ、また、前メッキ工程の時点
において、基板３をメッキ液内に設置することができる
ので、本メッキ工程への移行の際に、基板３をセットす
るための時間を必要としない。As described above, by biasing the substrate 3 and the shield plate 4 to the same potential from the power source 8, the plating adheres to the shield plate 4 in the pre-plating step, and the plating does not adhere to the substrate 3. In addition, since the substrate 3 can be placed in the plating solution at the time of the pre-plating step, no time is required for setting the substrate 3 at the time of shifting to the main plating step.
【００１９】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、前メッキ工程におけるメッキ条件を、
本メッキ工程におけるメッキ条件と同じに設定すること
を特徴とする。(3) In the present invention, in the above (1) or (2), the plating conditions in the pre-plating step are as follows:
It is characterized in that the plating conditions are set to be the same as those in the main plating step.
【００２０】前メッキ工程と本メッキ工程において、対
極７との間に流す電流値或いは温度等のメッキ条件を変
えると、本メッキ工程におけるメッキ環境の安定化に若
干の時間を要するが、メッキ条件を同じにすることによ
って、直ちに本メッキを開始することができる。In the pre-plating step and the main plating step, if the plating conditions such as the value of the current flowing between the counter electrode 7 and the temperature are changed, it takes some time to stabilize the plating environment in the main plating step. , The main plating can be started immediately.
【００２１】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、前メッキ工程及び本メッキ
工程において、遮蔽板４の対極７側のメッキ液を、パド
ルにより攪拌しながらメッキを行うことを特徴とする。(4) In the present invention, in any one of the above (1) to (3), in the pre-plating step and the main plating step, the plating solution on the counter electrode 7 side of the shielding plate 4 is stirred by a paddle. It is characterized by performing plating while performing.
【００２２】この様に、パドルによりメッキ液を攪拌す
ることによって、基板３に付着するメッキ膜の膜厚及び
膜組成を安定化し、且つ、膜厚分布及び膜組成分布の基
板面内バラツキを低減することができる。As described above, by stirring the plating solution with the paddle, the thickness and composition of the plating film adhered to the substrate 3 are stabilized, and the in-plane variation of the film thickness distribution and the film composition distribution is reduced. can do.
【００２３】（５）また、本発明は、磁気ヘッドの製造
方法において、上記（１）乃至（４）いずれかのメッキ
方法を用いて、磁気ヘッドを構成する磁性体膜または非
磁性導体膜の少なくとも一方を成膜することを特徴とす
る。(5) The present invention also relates to a method of manufacturing a magnetic head, wherein the plating method according to any one of (1) to (4) above is used for forming a magnetic film or a non-magnetic conductor film constituting the magnetic head. It is characterized in that at least one film is formed.
【００２４】この様に、上記（１）乃至（４）いずれか
のメッキ方法を、磁気ヘッドを構成する磁性体膜、即
ち、薄膜磁気ヘッドを構成する上下磁極膜或いはＭＲヘ
ッドを構成する上下磁気シールド層、または、非磁性導
体膜、即ち、薄膜磁気ヘッドを構成するコイル導体膜の
少なくとも一方の成膜工程に用いることによって、高性
能の磁気ヘッド、即ち、薄膜磁気ヘッド、ＭＲヘッド、
或いは、複合型薄膜磁気ヘッドを再現性良く製造するこ
とができる。As described above, any one of the plating methods (1) to (4) is applied to the magnetic film forming the magnetic head, that is, the upper and lower magnetic pole films forming the thin film magnetic head or the upper and lower magnetic films forming the MR head. By using the shield layer or the non-magnetic conductor film, that is, at least one of the coil conductor films forming the thin-film magnetic head in the film forming process, a high-performance magnetic head, that is, a thin-film magnetic head, an MR head,
Alternatively, a composite thin film magnetic head can be manufactured with good reproducibility.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１及び第２実
施の形態のメッキ工程を説明するが、その前に図２乃至
図４を参照して、本発明の実施の形態に用いるメッキ装
置の概略的構成を説明する。 図２乃至図４参照 図２は、本発明の実施の形態に用いるメッキ装置の平面
図であり、図３は図２におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線
に沿った断面図であり、また、図４は図２におけるＢ−
Ｂ′を結ぶ一点鎖線に沿った横断面図であり、メッキ液
（図示せず）を収容するメッキ槽１１に、メッキ対象と
なる基板１３をセットした基板ホルダー１２、及び、遮
蔽板１４を近接して配置するとともに、遮蔽板１４に対
向するように対極２３を設ける。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Here, the plating steps of the first and second embodiments of the present invention will be described. Before that, referring to FIGS. The schematic configuration of the plating apparatus will be described. FIG. 2 is a plan view of a plating apparatus used in the embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a dashed line connecting AA ′ in FIG. FIG. 4 is a sectional view of FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a dashed line connecting B ′, in which a substrate holder 12 on which a substrate 13 to be plated is set and a shielding plate 14 are brought close to a plating tank 11 containing a plating solution (not shown). And a counter electrode 23 is provided so as to face the shielding plate 14.
【００２６】この基板ホルダー１２の遮蔽板１４側には
メッキを行うための開口部が設けられているとともに、
反対側には基板１３を遮蔽板１４側に押しつけるパッド
（図示せず）が設けられている。An opening for plating is provided on the shield plate 14 side of the substrate holder 12.
On the opposite side, a pad (not shown) for pressing the substrate 13 against the shielding plate 14 is provided.
【００２７】また、遮蔽板１４は主要部がアクリル酸樹
脂等の絶縁体で構成され、対極２３側の中央部に基板１
３の大きさにに相当する面積の遮蔽板開口部１５を設
け、遮蔽板開口部１５を塞ぐ金属製の遮蔽板可動部１７
を設けるとともに、遮蔽板開口部１５の周囲には開口周
辺金属部１６を設ける。なお、この場合の遮蔽板可動部
１７及び開口周辺金属部１６は、メッキ対象となる導電
性材料に応じて選択する対極２３を構成する導電性材料
と同じ材料で構成することが望ましい。The main part of the shielding plate 14 is made of an insulator such as acrylic acid resin.
3 is provided with a shield plate opening 15 having an area corresponding to the size of the metal plate 3, and a metal shield plate movable portion 17 that covers the shield plate opening 15.
And a metal part 16 around the opening of the shielding plate 15 is provided. In this case, it is preferable that the movable portion 17 of the shield plate and the metal portion 16 around the opening are made of the same material as the conductive material forming the counter electrode 23 selected according to the conductive material to be plated.
【００２８】また、この遮蔽板可動部１７は支持アーム
２９を介して可動部保持部１８によって保持され、支持
アーム２９を介してエアシリンダー１９によって上下方
向に駆動され、それに伴ってて遮蔽板開口部１５の開閉
動作が行われる。The movable portion 17 of the shield plate is held by a movable portion holding portion 18 via a support arm 29, and is driven vertically by an air cylinder 19 via the support arm 29. The opening and closing operation of the unit 15 is performed.
【００２９】また、遮蔽板１４の前面には、メッキ液を
攪拌するためのフッ素樹脂製のパドル２２が設けられて
おり、このパドル２２をパドル保持部２１及び支持アー
ム２８を介してエアシリンダー２０によって、例えば、
約３０回／分程度の速度で上下動させる。A paddle 22 made of fluororesin for stirring the plating solution is provided on the front surface of the shielding plate 14. The paddle 22 is connected to the air cylinder 20 via a paddle holding section 21 and a support arm 28. For example,
It is moved up and down at a speed of about 30 times / minute.
【００３０】また、対極２３と基板１３との間には、対
極通電用端子２４及び基板通電用端子２５を介して電源
（図示せず）から所定の電圧を印加するとともに、開口
周辺金属部１６及び遮蔽板可動部１７には、開口周辺金
属部通電用端子２６及び遮蔽板可動部通電用端子２７を
介して電源から、基板１３と同電位になるように電圧を
印加する。A predetermined voltage is applied between the counter electrode 23 and the substrate 13 from a power supply (not shown) via a counter electrode energizing terminal 24 and a substrate energizing terminal 25, and a metal part 16 around the opening is provided. A voltage is applied to the shield plate movable portion 17 from a power source via the opening peripheral metal portion energizing terminal 26 and the shield plate movable portion energizing terminal 27 so as to have the same potential as the substrate 13.
【００３１】この様に、開口周辺金属部１６を基板１３
と同電位とすることによって、本メッキ工程におけるア
パーチャ効果が期待でき、イオンの移動等のメッキ液中
のイオン状態が安定化するので、メッキ膜の膜厚及び膜
組成の基板面内のバラツキが抑えられるとともに、付着
したメッキ膜が剥離することがなくなる。In this manner, the metal part 16 around the opening is
By setting the same potential as above, an aperture effect in the present plating step can be expected, and the ion state in the plating solution such as the movement of ions is stabilized, so that variations in the thickness and film composition of the plating film within the substrate surface are reduced. While being suppressed, the adhered plating film does not peel off.
【００３２】なお、このメッキ装置における、対極２３
と基板１３との距離は、メッキ膜の膜厚分布や膜特性に
影響を与えるファクターであるるので、通常は３〜５ｃ
ｍに設定し、また、基板１３の前面と遮蔽板可動部１７
の前面との距離を対極２３と基板１３との距離の１／１
０以下、例えば、１／１２に設定する。この様に、設定
することによって、前メッキ工程において基板１３にメ
ッキ膜が付着することがなく、また、対極２３に対する
距離が略同じになるので、本メッキと前メッキのメッキ
条件の変動を少なくすることができる。In this plating apparatus, the counter electrode 23
The distance between the substrate 13 and the substrate 13 is a factor that affects the film thickness distribution and film characteristics of the plating film.
m, and the front surface of the substrate 13 and the shielding plate movable portion 17
Distance between the counter electrode 23 and the substrate 13 is 1/1 of the distance between the counter electrode 23 and the substrate 13.
It is set to 0 or less, for example, 1/12. By setting in this manner, the plating film does not adhere to the substrate 13 in the pre-plating step, and the distance to the counter electrode 23 becomes substantially the same, so that the fluctuation of the plating conditions of the main plating and the pre-plating is reduced. can do.
【００３３】次に、このメッキ装置を用いて薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極層を構成するＮｉ80Ｆｅ20膜のメッキを
行う本発明の第１の実施の形態のメッキ工程を図５を参
照して説明するが、図示を簡単にするために、エアシリ
ンダー１９，２０、可動部保持部１８、パドル保持部２
１、パドル２２、基板通電用端子２５、開口周辺金属部
通電用端子２６、遮蔽板可動部通電用端子２７、及び、
支持アーム２８，２９の図示は省略する。Next, the plating process of the first embodiment of the present invention in which the Ni 80 Fe 20 film constituting the upper magnetic pole layer of the thin film magnetic head is plated by using this plating apparatus will be described with reference to FIG. Although described, for simplicity of illustration, the air cylinders 19 and 20, the movable portion holding portion 18, the paddle holding portion 2
1, a paddle 22, a substrate energizing terminal 25, an opening peripheral metal portion energizing terminal 26, a shield plate movable portion energizing terminal 27, and
Illustration of the support arms 28 and 29 is omitted.
【００３４】図５（ａ）参照 まず、ライトコイル（図示せず）までを形成したのち、
このライトコイルを被覆するレジストからなる層間絶縁
膜上にスパッタリング法を用いて、厚さ５〜１０ｎｍ、
例えば、５ｎｍのＴｉ層、及び、厚さ１００ｎｍ以下、
例えば、５０ｎｍのＮｉ80Ｆｅ20膜を順次成膜してメッ
キベース層を形成し、次いで、レジスト層を塗布し、露
光・現像することによって、上部磁極層に対応する形状
の開口部を有するレジストマスクを設けた基板１３を基
板ホルダー１２にセットし、Ｎｉ対極３１との距離が、
例えば、３ｃｍになるように、２５℃のＮｉ80Ｆｅ20メ
ッキ液で満たされたメッキ槽１１内に設置する。Referring to FIG. 5A, first, after forming up to a write coil (not shown),
On the interlayer insulating film made of a resist covering the light coil, a thickness of 5 to 10 nm is formed by a sputtering method.
For example, a 5 nm Ti layer and a thickness of 100 nm or less,
For example, a 50 nm Ni 80 Fe 20 film is sequentially formed to form a plating base layer, and then a resist layer is applied, exposed and developed to form a resist having an opening having a shape corresponding to the upper magnetic pole layer. The substrate 13 provided with the mask is set on the substrate holder 12, and the distance from the Ni counter electrode 31 is
For example, it is set in a plating tank 11 filled with a Ni 80 Fe 20 plating solution at 25 ° C. so as to have a size of 3 cm.
【００３５】また、Ｎｉ製の開口周辺金属部１６及びＮ
ｉ製の遮蔽板可動部１７を備えた遮蔽板１４を、遮蔽部
可動部１７の前面と基板１３の前面の距離が、Ｎｉ対極
３１と基板１３との距離の１／１０以下になるように、
例えば、０．３ｃｍになるようにメッキ槽１１内に設置
する。Further, a metal portion 16 around the opening made of Ni and N
The shielding plate 14 having the i-shaped shielding plate movable portion 17 is adjusted so that the distance between the front surface of the shielding portion movable portion 17 and the front surface of the substrate 13 is 1/10 or less of the distance between the Ni counter electrode 31 and the substrate 13. ,
For example, it is set in the plating tank 11 so as to be 0.3 cm.
【００３６】また、基板１３とＮｉ対極３１との間には
電源３０から電圧を印加するとともに、遮蔽板可動部１
７及び開口周辺金属部１６にも電源３０を介して電圧を
印加して基板１３と同電位にした状態で、電流密度５．
５ｍＡ／ｃｍ2 で前メッキを開始する。A voltage is applied between the substrate 13 and the Ni counter electrode 31 from the power supply 30 and the shield plate movable portion 1 is applied.
A voltage is also applied to the metal part 7 and the opening peripheral metal part 16 via the power supply 30 to make the same potential as the substrate 13, and the current density
Start pre-plating at 5 mA / cm 2 .
【００３７】図５（ｂ）参照 次いで、前メッキを１〜２０分間、例えば、１０分間行
ったのち、エアシリンダーによって遮蔽板可動部１７を
上方に引上げて遮蔽板開口部１５を開き、前メッキの同
じ条件で本メッキを開始し、上部磁極層として必要な厚
さに応じた時間、例えば、２０分間メッキを行ったの
ち、再び、エアシリンダーを駆動して遮蔽板可動部１７
を下げて遮蔽板開口部１５を閉じて本メッキを終了す
る。Next, after performing pre-plating for 1 to 20 minutes, for example, 10 minutes, the shield plate movable portion 17 is pulled upward by an air cylinder to open the shield plate opening 15, and the pre-plating is performed. After the main plating is started under the same conditions as above, plating is performed for a time corresponding to the thickness required for the upper magnetic pole layer, for example, for 20 minutes, and then the air cylinder is driven again to move the shielding plate movable portion 17.
Is lowered and the opening 15 of the shielding plate is closed to complete the main plating.
【００３８】なお、前メッキ工程の時間を１〜２０分に
するのは、上述の様に本出願人等の実験によって、対極
や基板１３の近傍のイオン状態はメッキ開始から約１分
で安定化し、また、完全に安定化するには２０分間要す
ることを発見したためであり、２０分以上前処理しても
時間がかかるだけで意味がないことになる。また、前メ
ッキ工程及び本メッキ工程においては、パドルを３０回
／分程度の速度で上下動させてメッキ液を攪拌するとと
もに、図において矢印の方向の磁場３２を外部から印加
した状態でメッキを行う。The reason why the time of the pre-plating step is set to 1 to 20 minutes is that the ion state in the vicinity of the counter electrode and the substrate 13 is stable in about 1 minute from the start of plating, according to the experiments by the present applicant. It has been found that it takes 20 minutes to completely stabilize and complete stabilization, so that pre-processing for more than 20 minutes is time-consuming and meaningless. In the pre-plating step and the main plating step, the paddle is moved up and down at a speed of about 30 times / minute to stir the plating solution, and plating is performed in a state where a magnetic field 32 in the direction of the arrow in the figure is externally applied. Do.
【００３９】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、前メッキを行ったのち、遮蔽板可動部１７を引
き上げることによって直ちに本メッキを行うことができ
るので、前メッキ工程によって安定になったイオン状態
において本メッキを行うことができ、それによって、上
部磁極層の膜厚及び膜組成を安定にすることができると
ともに、膜厚及び膜組成の基板面内分布を均一にするこ
とができる。As described above, in the first embodiment of the present invention, after the pre-plating is performed, the main plating can be performed immediately by pulling up the movable portion 17 of the shielding plate. Main plating can be performed in the ionized state, thereby stabilizing the film thickness and film composition of the upper magnetic pole layer, and making the film thickness and film composition uniform within the substrate surface. Can be.
【００４０】次に、上記のメッキ装置を用いて薄膜磁気
ヘッドを構成するライトコイルを形成するＣｕ膜のメッ
キを行う本発明の第２の実施の形態のメッキ工程を図６
を参照して説明する。この場合も図示を簡単にするため
に、エアシリンダー１９，２０、可動部保持部１８、パ
ドル保持部２１、パドル２２、基板通電用端子２５、開
口周辺金属部通電用端子２６、遮蔽板可動部通電用端子
２７、及び、支持アーム２８，２９の図示は省略する。Next, a plating process according to a second embodiment of the present invention in which a Cu film for forming a write coil constituting a thin-film magnetic head is plated by using the above plating apparatus is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. Also in this case, in order to simplify the illustration, the air cylinders 19 and 20, the movable portion holding portion 18, the paddle holding portion 21, the paddle 22, the substrate energizing terminal 25, the opening peripheral metal portion energizing terminal 26, the shielding plate movable portion The illustration of the energizing terminal 27 and the support arms 28 and 29 is omitted.
【００４１】図６（ａ）参照 まず、下部磁極層までを形成したのち、下部磁極層上に
設けたレジストからなる層間絶縁膜上にスパッタリング
法を用いて、厚さ５〜１０ｎｍ、例えば、５ｎｍのＴｉ
層、及び、厚さ１００ｎｍ以下、例えば、５０ｎｍのＣ
ｕ膜を順次成膜してメッキベース層を形成し、次いで、
レジスト層を塗布し、露光・現像することによって、ラ
イトコイル及びライト電極に対応する形状の開口部を有
するレジストマスクを設けた基板１３を基板ホルダー１
２にセットし、Ｃｕ対極３３との距離が、例えば、３ｃ
ｍになるように、２５℃のＣｕメッキ液で満たされたメ
ッキ槽１１内に設置する。Referring to FIG. 6A, first, up to the lower magnetic pole layer, a 5 to 10 nm-thick, for example, 5 nm thick film is formed on the interlayer insulating film made of a resist provided on the lower magnetic pole layer by sputtering. Ti
Layer and a thickness of 100 nm or less, for example 50 nm C
u film is sequentially formed to form a plating base layer, and then
By applying a resist layer, and exposing and developing, a substrate 13 provided with a resist mask having an opening having a shape corresponding to the light coil and the light electrode is placed on the substrate holder 1.
2 and the distance from the Cu counter electrode 33 is, for example, 3c
m is set in the plating tank 11 filled with a 25 ° C. Cu plating solution.
【００４２】また、Ｃｕ製の開口周辺金属部１６及びＣ
ｕ製の遮蔽板可動部１７を備えた遮蔽板１４を、遮蔽部
可動部１７の前面と基板１３の前面の距離が、Ｃｕ対極
３３と基板１３との距離の１／１０以下になるように、
例えば、０．３ｃｍになるようにメッキ槽１１内に設置
する。The metal parts 16 around the opening made of Cu and C
The shielding plate 14 provided with the u-shaped shielding plate movable portion 17 is adjusted so that the distance between the front surface of the shielding portion movable portion 17 and the front surface of the substrate 13 is 1/10 or less of the distance between the Cu counter electrode 33 and the substrate 13. ,
For example, it is set in the plating tank 11 so as to be 0.3 cm.
【００４３】また、基板１３とＣｕ対極３３との間には
電源３０から電圧を印加するとともに、遮蔽板可動部１
７及び開口周辺金属部１６にも電源３０を介して電圧を
印加して基板１３と同電位にした状態で、電流密度５．
５ｍＡ／ｃｍ2 で前メッキを開始する。A voltage is applied from the power supply 30 between the substrate 13 and the Cu counter electrode 33,
A voltage is also applied to the metal part 7 and the opening peripheral metal part 16 via the power supply 30 to make the same potential as the substrate 13, and the current density
Start pre-plating at 5 mA / cm 2 .
【００４４】図６（ｂ）参照 次いで、前メッキを１〜２０分間、例えば、１０分間行
ったのち、エアシリンダーによって遮蔽板可動部１７を
上方に引上げて遮蔽板開口部１５を開いて、前メッキの
同じ条件で本メッキを開始し、ライトコイルとして必要
な厚さに応じた時間、例えば、２０分間メッキを行った
のち、再び、エアシリンダーを駆動して遮蔽板可動部１
７を下げて遮蔽板開口部１５を閉じて本メッキを終了す
る。なお、この場合にも、前メッキ工程及び本メッキ工
程においては、パドルを３０回／分程度の速度で上下動
させてメッキ液を攪拌しながらメッキを行う。Next, after performing pre-plating for 1 to 20 minutes, for example, 10 minutes, the shield plate movable part 17 is pulled up by an air cylinder to open the shield plate opening 15, and The main plating is started under the same conditions as the plating, plating is performed for a time corresponding to the thickness required for the light coil, for example, for 20 minutes, and then the air cylinder is driven again to move the shielding plate movable portion 1.
7, the shielding plate opening 15 is closed to complete the main plating. Also in this case, in the pre-plating step and the main plating step, the plating is performed while the plating solution is stirred by moving the paddle up and down at a speed of about 30 times / min.
【００４５】この第２の実施の形態においても上記の第
１の実施の形態と同様に、前メッキを行ったのち、遮蔽
板可動部１７を引き上げることによって直ちに本メッキ
を行うことができるので、前メッキ工程によって安定に
なったイオン状態において本メッキを行うことができ、
それによって、ライトコイルの膜厚を安定にすることが
できるとともに、膜厚の基板面内分布を均一にすること
ができる。In the second embodiment, as in the first embodiment, after the pre-plating is performed, the main plating can be immediately performed by pulling up the movable portion 17 of the shielding plate. This plating can be performed in the ion state stabilized by the pre-plating process,
Thereby, the film thickness of the write coil can be stabilized, and the distribution of the film thickness in the substrate surface can be made uniform.
【００４６】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるも
のではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記の
実施の形態においては、上部磁極層及びコイル導体のメ
ッキ工程として説明しているが、他の磁性体膜或いは非
磁性導体層のメッキ工程にも適用されるものであり、例
えば、複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程においては、下
部シールド層、上部シールド層兼下部磁極層、ライトコ
イル、及び、上部磁極層の形成工程に用いることができ
るものである。Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configuration described in the embodiments, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, the description has been given as a plating step of the upper magnetic pole layer and the coil conductor. However, the present invention is also applied to a plating step of another magnetic film or a non-magnetic conductor layer. In the manufacturing process of the composite type thin film magnetic head, it can be used in the process of forming a lower shield layer, an upper shield layer and a lower magnetic pole layer, a write coil, and an upper magnetic pole layer.
【００４７】また、本発明のメッキ方法は、薄膜磁気ヘ
ッド、ＭＲヘッド、或いは、複合型薄膜磁気ヘッド等の
磁気ヘッドの製造方法に限られるものではなく、メッキ
工程一般に適用できることは言うまでもないことであ
り、この工程を採用することによって安定したイオン状
態において各種の膜をメッキすることができるので、メ
ッキ膜の膜厚及び膜組成を再現性良く安定化することが
できるとともに、膜厚及び膜組成の基板面内分布を均一
にすることができる。Further, the plating method of the present invention is not limited to a method of manufacturing a magnetic head such as a thin film magnetic head, an MR head, or a composite type thin film magnetic head. In addition, by adopting this step, various films can be plated in a stable ion state, so that the thickness and film composition of the plated film can be stabilized with good reproducibility, and the film thickness and film composition can be stabilized. Can be made uniform in the substrate plane.
【００４８】また、上記の各実施の形態において、遮蔽
板可動部１７及び開口周辺金属部１６を、対極と同じ導
電性材料で構成しているが、必ずしも同じ材料である必
要はなく、特に、Ｃｕのメッキ工程においては、Ｎｉ製
の遮蔽板可動部１７及び開口周辺金属部１６を用いても
良く、したがって、対極のみを変更するだけで、磁性体
膜と非磁性導体層を同じＮｉ製の遮蔽板可動部１７及び
開口周辺金属部１６を用いてメッキすることができるの
で、メッキ装置全体の部品点数を少なくすることができ
る。In each of the above embodiments, the shielding plate movable portion 17 and the opening surrounding metal portion 16 are made of the same conductive material as the counter electrode. However, they are not necessarily made of the same material. In the Cu plating step, the Ni shielding plate movable portion 17 and the opening peripheral metal portion 16 may be used. Therefore, only by changing only the counter electrode, the magnetic material film and the nonmagnetic conductor layer can be made of the same Ni material. Since plating can be performed using the movable portion 17 of the shielding plate and the metal portion 16 around the opening, the number of components of the entire plating apparatus can be reduced.
【００４９】また、上記の各実施の形態の説明において
は、基板１３と遮蔽板可動部１７及び開口周辺金属部１
６とを同じ電源３０を用いてバイアスしているものの、
同じ電源３０である必要はなく、それぞれ異なった電源
を用いてバイアスしても良いものであり、少なくとも、
基板１３と遮蔽板可動部１７及び開口周辺金属部１６と
を同電位にバイアスできれば良いものである。In the description of each of the above embodiments, the substrate 13, the movable portion 17 of the shielding plate and the metal portion 1
6 is biased using the same power supply 30,
The power sources 30 need not be the same, and may be biased using different power sources.
It suffices if the substrate 13 and the shield plate movable portion 17 and the metal portion 16 around the opening can be biased to the same potential.
【００５０】また、上記の各実施の形態の説明において
は、遮蔽板１４に遮蔽板開口部１５及び遮蔽板可動部１
７を設け、遮蔽板可動部１７の上下移動によって遮蔽板
開口部１５の開閉動作を行っているが、この様な構成に
限られるものではなく、遮蔽板１４に遮蔽板開口部１５
及び遮蔽板可動部１７を設けずに、遮蔽板１４自体を例
えば対極と同じ導電性材料で構成し、遮蔽板１４自体を
上下移動させることによって、前メッキ及び本メッキの
開始・終了を制御しても良いものである。In the description of each of the above embodiments, the shield plate 14 is provided with the shield plate opening 15 and the shield plate movable portion 1.
7 is provided, and the opening and closing operation of the shield plate opening 15 is performed by the vertical movement of the shield plate movable unit 17. However, the present invention is not limited to such a configuration.
The shielding plate 14 itself is made of, for example, the same conductive material as the counter electrode without providing the shielding plate movable portion 17, and the start and end of pre-plating and main plating are controlled by moving the shielding plate 14 up and down. It is a good thing.
【００５１】また、上記の各実施の形態の説明において
は、遮蔽板可動部１７及びパドル２２をエアシリンダー
１９，２０を用いて上下移動させているが、メッキ工程
において外部磁場を印加しないＣｕ等の非磁性導体膜の
メッキ工程のみに用いる場合には、エアシリンダー１
９，２０の代わりにモーター駆動によって遮蔽板可動部
１７及びパドル２２を上下移動させても良いものであ
る。In the description of each of the above embodiments, the shielding plate movable part 17 and the paddle 22 are moved up and down by using the air cylinders 19 and 20. When using only the non-magnetic conductor film plating step of
Instead of 9 and 20, the shield moving section 17 and the paddle 22 may be moved up and down by driving a motor.
【００５２】また、上記の各実施の形態の説明において
は、上部磁極層をＮｉ80Ｆｅ20で構成しているが、この
様な組成比に限られるものではなく、例えば、Ｎｉ82Ｆ
ｅ18等の他の組成比を用いても良く、さらには、構成元
素の異なる他の磁性膜で構成しても良いものである。[0052] Also, in the description of the respective embodiments described above, the upper magnetic pole layer is constituted by Ni 80 Fe 20, not limited to such a composition ratio, for example, Ni 82 F
may be used other composition ratio, such as e 18, further, those may be constituted by different other magnetic films constituting elements.
【００５３】[0053]
【発明の効果】本発明によれば、メッキ工程において、
基板をセットし、基板の前面に遮蔽板を設けた状態で前
メッキ処理を行い、メッキ液中のイオン状態を安定化し
たのち遮蔽板の少なくとも一部を除去して本メッキを行
うので、メッキ膜の膜厚及び膜組成を再現性良く安定化
することができるとともに、膜厚及び膜組成の基板面内
分布を均一にすることができ、それによって薄膜磁気ヘ
ッドの性能を高めることができ、薄膜磁気ヘッドの高周
波化、高記録密度化に寄与し、ひいては、高性能ＨＤＤ
装置の普及に寄与するところが大きい。According to the present invention, in the plating step,
The substrate is set, pre-plating is performed in a state where the shielding plate is provided on the front surface of the substrate, and after the ion state in the plating solution is stabilized, at least a part of the shielding plate is removed and the main plating is performed, so plating is performed. The film thickness and the film composition of the film can be stabilized with good reproducibility, and the distribution of the film thickness and the film composition on the substrate can be made uniform, thereby improving the performance of the thin-film magnetic head. Contributes to higher frequencies and higher recording densities of thin film magnetic heads and, consequently, high performance HDDs.
It greatly contributes to the spread of the equipment.
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a basic configuration of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態に用いるメッキ装置の平面
図である。FIG. 2 is a plan view of a plating apparatus used in the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態に用いるメッキ装置の断面
図である。FIG. 3 is a sectional view of a plating apparatus used in the embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施の形態に用いるメッキ装置の横断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a plating apparatus used in the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１の実施の形態のメッキ工程の説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a plating step according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施の形態のメッキ工程の説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a plating step according to a second embodiment of the present invention.
【図７】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの要部透視斜視図
である。FIG. 7 is a perspective view showing a main part of a conventional composite thin film magnetic head.
１ メッキ槽 ２ 基板ホルダー ３ 基板 ４ 遮蔽板 ５ 遮蔽板開口部 ６ 遮蔽板可動部 ７ 対極 ８ 電源 １１ メッキ槽 １２ 基板ホルダー １３ 基板 １４ 遮蔽板 １５ 遮蔽板開口部 １６ 開口周辺金属部 １７ 遮蔽板可動部 １８ 可動部保持部 １９ エアシリンダー ２０ エアシリンダー ２１ パドル保持部 ２２ パドル ２３ 対極 ２４ 対極通電用端子 ２５ 基板通電用端子 ２６ 開口周辺金属部通電用端子 ２７ 遮蔽板可動部通電用端子 ２８ 支持アーム ２９ 支持アーム ３０ 電源 ３１ Ｎｉ対極 ３２ 磁場 ３３ Ｃｕ対極 ４１ 下部シールド層 ４２ 磁気抵抗効果素子 ４３ リード電極 ４４ 下部磁極層 ４５ ライトコイル ４６ ライト電極 ４７ 上部磁極層 ４８ ライトポール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plating tank 2 Substrate holder 3 Substrate 4 Shielding plate 5 Shielding plate opening 6 Shielding plate movable part 7 Counter electrode 8 Power supply 11 Plating tank 12 Substrate holder 13 Substrate 14 Shielding plate 15 Shielding plate opening 16 Opening metal part 17 Shielding plate movable Part 18 Movable part holding part 19 Air cylinder 20 Air cylinder 21 Paddle holding part 22 Paddle 23 Counter electrode 24 Counter electrode energizing terminal 25 Substrate energizing terminal 26 Opening peripheral metal part energizing terminal 27 Shield plate movable part energizing terminal 28 Support arm 29 Support arm 30 Power supply 31 Ni counter electrode 32 Magnetic field 33 Cu counter electrode 41 Lower shield layer 42 Magnetoresistive element 43 Lead electrode 44 Lower magnetic pole layer 45 Write coil 46 Write electrode 47 Upper magnetic pole layer 48 Write pole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/39 Ｇ１１Ｂ 5/39 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 5/39 G11B 5/39
Claims (5)
に前記基板の前面を覆う遮蔽板を設けて前メッキを行っ
たのち、前記遮蔽板の少なくとも一部を取り除き、前記
基板の本メッキを行うことを特徴とするメッキ方法。1. Before starting plating, a shielding plate covering the front surface of the substrate is provided in front of the substrate to be plated, and pre-plating is performed. Then, at least a part of the shielding plate is removed, and the main plating of the substrate is performed. Plating method.
いて、上記基板と遮上記蔽板とを同電位にすることを特
徴とする請求項１記載のメッキ方法。2. The plating method according to claim 1, wherein in the pre-plating step and the main plating step, the substrate and the shielding plate have the same potential.
を、上記本メッキ工程におけるメッキ条件と同じに設定
することを特徴とする請求項１または２に記載のメッキ
方法。3. The plating method according to claim 1, wherein plating conditions in the pre-plating step are set to be the same as those in the main plating step.
いて、上記遮蔽板の対極側のメッキ液を、パドルにより
攪拌しながらメッキを行うことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか１項に記載のメッキ方法。4. The plating method according to claim 1, wherein in the pre-plating step and the main plating step, plating is performed while stirring a plating solution on the opposite electrode side of the shielding plate with a paddle. The plating method described.
メッキ方法を用いて、磁気ヘッドを構成する磁性体膜ま
たは非磁性導体膜の少なくとも一方を成膜することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。5. A method according to claim 1, wherein at least one of a magnetic film and a non-magnetic conductor film constituting a magnetic head is formed by using the plating method according to claim 1. Head manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341219A JP2000160389A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Plating and production of magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10341219A JP2000160389A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Plating and production of magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000160389A true JP2000160389A (en) | 2000-06-13 |
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| JP10341219A Withdrawn JP2000160389A (en) | 1998-12-01 | 1998-12-01 | Plating and production of magnetic head |
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|---|---|
| JP (1) | JP2000160389A (en) |
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1998
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