JP2000156967A - Turn-on test circuit for current driving type power semiconductor element - Google Patents
Turn-on test circuit for current driving type power semiconductor elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、電流駆動形電力
用半導体素子（サイリスタ、ＧＴＯなど、以下単に素子
という。）の電気的特性試験のうち、特にターンオンに
関する試験の試験回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test circuit for a test related to turn-on, particularly for an electrical characteristic test of a current-driven power semiconductor device (such as a thyristor or a GTO).
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＧＴＯではＪＥＣ２４０１によ
るターンオン試験がある。この試験で素子をターンオン
させるために使用される従来の回路を図６及び図７に示
す。まず、図６（ａ）の回路においては、ＧＴＯ１のゲ
ートとカソードの間に直流電源２と抵抗３とスイッチ素
子４が直列に接続され、スイッチ素子４のオンオフによ
り図６（ｂ）に示すようなゲート電流を５μＳ以上流す
と、ＧＴＯ１はターンオンし、図８（ａ）に示すような
電圧、電流の変化を示す。2. Description of the Related Art For example, the GTO has a turn-on test according to JEC2401. A conventional circuit used to turn on the device in this test is shown in FIGS. First, in the circuit of FIG. 6A, a DC power supply 2, a resistor 3, and a switch element 4 are connected in series between the gate and the cathode of the GTO 1, and as shown in FIG. When an appropriate gate current flows for 5 μS or more, the GTO 1 is turned on, and changes in voltage and current as shown in FIG.
【０００３】又、図７（ａ）に示す試験回路において
は、ＧＴＯ１のゲートとカソードの間にスイッチ素子４
と抵抗３の直列回路の並列回路と直流電源２との直列回
路が接続されており、やはりスイッチ素子４のオンオフ
により図７（ｂ）に示すようなゲート電流が５μＳ以上
流され、ＧＴＯ１はターンオンし、やはり図８（ａ）に
示すような電圧、電流の変化を示す。In the test circuit shown in FIG. 7A, a switching element 4 is provided between the gate and cathode of the GTO 1.
A series circuit of a series circuit of a DC power supply 2 and a series circuit of a DC power supply 2 is connected. Also, a gate current as shown in FIG. 7B flows for 5 μS or more by turning on and off the switch element 4, and the GTO 1 is turned on. FIG. 8A also shows changes in voltage and current as shown in FIG.
【０００４】スイッチ素子４としては、通常、バイポー
ラトランジスタ、ＦＥＴ，ＩＧＢＴなどの半導体スイッ
チが用いられる。ゲート電流の立ち上がりのｄｉ／ｄｔ
には厳しい条件があり、シャープなゲート電流を作る必
要があるが、実際に作るのはかなり困難である。その理
由は、スイッチ素子４を構成する半導体スイッチの耐圧
を考慮して、直流電源２の電圧に低い電圧（せいぜい５
０Ｖ）しか使えないからである。As the switch element 4, a semiconductor switch such as a bipolar transistor, FET, or IGBT is usually used. Di / dt of rising of gate current
Has a severe condition, and it is necessary to make a sharp gate current, but it is quite difficult to actually make it. The reason is that the voltage of the DC power supply 2 is set to a low voltage (at most 5
0V).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
電流駆動形電力用半導体素子のターンオン試験回路にお
いては、スイッチ素子４として半導体スイッチを使用し
ているために関連する部品点数が多きなり、ゲート回路
が複雑になった。又、スイッチ素子４として半導体スイ
ッチを使用しているために、直流電源２の電圧を高くす
ることができず、ゲート電流の立ち上がりのｄｉ／ｄｔ
を大きくとることができなかった。As described above, in a conventional turn-on test circuit for a current-driven power semiconductor device, since a semiconductor switch is used as the switch element 4, the number of related parts increases. The gate circuit became complicated. Further, since a semiconductor switch is used as the switch element 4, the voltage of the DC power supply 2 cannot be increased, and the di / dt of the rise of the gate current cannot be increased.
Couldn't get bigger.
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めに成されたものであり、ゲート回路の構成を簡単にす
るとともに、ゲート電流の立ち上がりをシャープにする
ことができる電流駆動形電力用半導体素子のターンオン
試験回路を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and a current-driven power semiconductor capable of simplifying the configuration of a gate circuit and sharpening the rise of a gate current. It is intended to obtain a turn-on test circuit for a device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る電流駆動形電力用半導体素子のターンオン試験回路
は、素子のゲートに一端が接続された機械的スイッチ
と、機械的スイッチの他端に一端が接続されたインダク
タンスと抵抗からなる第１の直列回路と、機械的スイッ
チの他端に一端が接続された可飽和リアクトルと抵抗か
らなる第２の直列回路と、機械的スイッチの他端に一端
が接続された可飽和リアクトルと抵抗からなる第３の直
列回路と、各直列回路の他端と素子のカソードとの間に
それぞれ接続されるとともに、素子への印加電圧により
充電される各コンデンサと、機械的スイッチと並列に接
続されたスナバ回路を備え、機械的スイッチのオン時に
各コンデンサからの放電電流が素子のゲート、カソード
間に流れるようにしたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a turn-on test circuit for a current-driven power semiconductor device, comprising: a mechanical switch having one end connected to a gate of the device; A first series circuit composed of an inductance and a resistor, one end of which is connected to the other end of the mechanical switch; a second series circuit composed of a saturable reactor and one end of which is connected to the other end of the mechanical switch; A third series circuit composed of a saturable reactor and a resistor, one end of which is connected to the other end of each series circuit and the cathode of the element, and each of which is charged by a voltage applied to the element. Equipped with a capacitor and a snubber circuit connected in parallel with the mechanical switch, so that the discharge current from each capacitor flows between the gate and cathode of the element when the mechanical switch is turned on. Than it is.
【０００８】又、請求項２に係る電流駆動形電力用半導
体素子のターンオン試験回路は、素子のゲートに一端が
接続された機械的スイッチと、機械的スイッチの他端に
一端が接続された抵抗と可飽和リアクトルの直列回路
と、この直列回路の素子のカソードとの間に接続される
とともに、素子への印加電圧により充電されるコンデン
サと、素子のアノードと電源との間に接続された可飽和
リアクトルと、機械的スイッチと並列に接続されたスナ
バ回路を備え、機械的スナバのオン時に素子電流が立ち
上がる前にゲート電流が立ち上がるようにしたものであ
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided a turn-on test circuit for a current-driven power semiconductor device, wherein a mechanical switch having one end connected to the gate of the device and a resistor having one end connected to the other end of the mechanical switch. And a saturable reactor series circuit, a capacitor connected between the cathode of the element of the series circuit and charged by a voltage applied to the element, and a capacitor connected between the element anode and the power supply. It has a saturation reactor and a snubber circuit connected in parallel with a mechanical switch, so that the gate current rises before the element current rises when the mechanical snubber is turned on.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】実施の形態１ 以下、この発明の実施の形態を図面とともに説明する。
図１はこの発明の実施形態１による素子のターンオン試
験回路の要部回路図を示し、５は一端がＧＴＯ１のゲー
トに接続された機械的スイッチ（例えば、ナイフスイッ
チやマグネットスイッチなど）であり、その他端には第
１の抵抗６と配線のインダクタンス分７の第１の直列回
路、第２の抵抗８と第１の可飽和リアクトル９の第２の
直列回路、及び第３の抵抗１０と第２の可飽和リアクト
ル１１の第３の直列回路の各一端が接続され、第１の直
列回路の他端とＧＴＯ１のカソード間にコンデンサ１２
が接続されるとともに、第１及び第２の直列回路の他端
間にコンデンサ１３が接続され、第２及び第３の直列回
路の他端間にコンデンサ１４が接続される。Embodiment 1 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a main part circuit diagram of a device turn-on test circuit according to Embodiment 1 of the present invention. Reference numeral 5 denotes a mechanical switch (for example, a knife switch, a magnet switch, or the like) having one end connected to the GTO1 gate. At the other end, a first series circuit of the first resistor 6 and the inductance 7 of the wiring, a second series circuit of the second resistor 8 and the first saturable reactor 9, and a third resistor 10 and the One end of the third series circuit of the saturable reactor 11 is connected to a capacitor 12 between the other end of the first series circuit and the cathode of the GTO 1.
Are connected, a capacitor 13 is connected between the other ends of the first and second series circuits, and a capacitor 14 is connected between the other ends of the second and third series circuits.
【００１０】又、コンデンサ１２，１３と並列にそれぞ
れバイパスダイオード１５，１６が接続される。１７は
ＧＴＯ１のアノードと第３の直列回路の他端間に設けら
れた放電防止用のダイオードである。又、機械的スイッ
チ５と並列に抵抗１８とコンデンサ１９の直列回路から
なるスナバ回路が設けられている。図３（ａ）は可飽和
リアクトル９，１１の電流とインダクタンスの関係を示
し、可飽和リアクトル９，１１は通電により鉄心の磁束
が飽和するとそのインダクタンスが急に零になる。図３
（ｂ）は可飽和リアクトル９，１１の電流と磁束の関係
を示し、電流が所定値以上になるとその鉄心は飽和す
る。Further, bypass diodes 15 and 16 are connected in parallel with the capacitors 12 and 13, respectively. Reference numeral 17 denotes a discharge preventing diode provided between the anode of the GTO 1 and the other end of the third series circuit. In addition, a snubber circuit including a series circuit of a resistor 18 and a capacitor 19 is provided in parallel with the mechanical switch 5. FIG. 3A shows the relationship between the current and the inductance of the saturable reactors 9 and 11, and the inductance of the saturable reactors 9 and 11 suddenly becomes zero when the magnetic flux of the iron core is saturated by energization. FIG.
(B) shows the relationship between the current and the magnetic flux of the saturable reactors 9 and 11, and when the current exceeds a predetermined value, the iron core is saturated.
【００１１】次に、上記構成の動作を説明する。まず、
ＧＴＯ１及び機械的スイッチ５がオフの状態でＧＴＯ１
のアノードとカソード間に数百Ｖから数千Ｖの電圧が印
加されると、ダイオード１７を介して各コンデンサ１２
〜１４に充電電流が流れ、それぞれ容量に応じて充電さ
れる。なお、コンデンサ１２とコンデンサ１９の充電電
圧を同じとする。ここで、機械的スイッチ５を閉じる
と、コンデンサ１２に蓄積された電荷はインダクタンス
分７、抵抗６、機械的スイッチ５及びＧＴＯ１のゲート
からカソードに流れ、図２（ａ）に示すように電流ｉ1
が生じる。又、コンデンサ１３，１４に蓄積された電荷
により可飽和リアクトル９，１１及び抵抗８，１０、機
械的スイッチ５、ＧＴＯ１のゲートからカソード、及び
バイパスダイオード１５，１６を介して図２（ａ）に示
すように電流ｉ2，ｉ3が流れる。Next, the operation of the above configuration will be described. First,
GTO1 with GTO1 and mechanical switch 5 off
When a voltage of several hundred volts to several thousand volts is applied between the anode and the cathode of the
To 14, and charging is performed in accordance with the respective capacities. Note that the charging voltages of the capacitors 12 and 19 are the same. Here, when the mechanical switch 5 is closed, the electric charge accumulated in the capacitor 12 flows from the inductance 7, the resistor 6, the mechanical switch 5 and the gate of the GTO 1 to the cathode, and as shown in FIG. 1
Occurs. 2A through the saturable reactors 9 and 11 and the resistors 8 and 10, the mechanical switch 5, the gate of the GTO 1, the cathode, and the bypass diodes 15 and 16 by the electric charges accumulated in the capacitors 13 and 14. As shown, currents i 2 and i 3 flow.
【００１２】電流ｉ2は可飽和リアクトル９の特性によ
り時刻ｔ1までは低く押えられるが、時刻ｔ1を過ぎると
可飽和リアクトル９の飽和により急に大きくなり、電流
ｉ3も同様にして時刻ｔ2で急に大きくなる。従って、ゲ
ート電流はｉ1＋ｉ2＋ｉ3となって図２（ｂ）に示すよ
うになり、ＧＴＯ１はターンオンする。ダイオード１７
はＧＴＯ１がターンオンしたときに、コンデンサ１２〜
１４がＧＴＯ１のアノード、カソード間を介して放電す
るのを防止するためのものである。The current i 2 is kept low until the time t 1 due to the characteristics of the saturable reactor 9, but after the time t 1 , the current i 2 suddenly increases due to the saturation of the saturable reactor 9, and the current i 3 similarly increases at the time t 1. become suddenly large at t 2. Accordingly, the gate current becomes i 1 + i 2 + i 3 , as shown in FIG. 2B, and the GTO 1 is turned on. Diode 17
Are the capacitors 12 to when GTO1 is turned on.
Numeral 14 is for preventing discharge from occurring between the anode and cathode of the GTO1.
【００１３】実施形態１において使用する機械的スイッ
チ５は１個のＧＴＯ１に対しての通電回数は多くても１
０回程度であり、耐久性としては十分である。又、スイ
ッチ素子として機械的スイッチ５を用いており、コンデ
ンサ１２〜１４を電源とする電圧を従来の１０倍程度に
することができ、シャープなゲート電流が得られる。さ
らに、半導体スイッチなどの電子部品を用いていないの
で、ゲート回路の構成を簡単にすることができる。又、
機械的スイッチ５と並列に抵抗１８とコンデンサ１９か
らなるスナバ回路を設けており、機械的スイッチ５のア
ークやチャタリングを防止することができる。In the mechanical switch 5 used in the first embodiment, the number of times of energizing one GTO 1 is at most one.
This is about 0 times, which is sufficient for durability. Further, the mechanical switch 5 is used as the switching element, and the voltage using the capacitors 12 to 14 as a power source can be increased to about ten times the conventional voltage, and a sharp gate current can be obtained. Further, since no electronic component such as a semiconductor switch is used, the configuration of the gate circuit can be simplified. or,
A snubber circuit including a resistor 18 and a capacitor 19 is provided in parallel with the mechanical switch 5, so that arcing and chattering of the mechanical switch 5 can be prevented.
【００１４】実施形態２ 図４は実施形態２による素子のターンオン試験回路の要
部回路図を示し、機械的スイッチ５の他端と放電防止用
のダイオード１７のカソードとの間に抵抗２０と可飽和
リアクトル２１との直列回路を設け、またダイオード１
７のカソードとＧＴＯ１のカソードとの間にコンデンサ
２２を設ける。２３はＧＴＯ１のアノードと図示しない
電源との間に設けられた可飽和リアクトルである。Embodiment 2 FIG. 4 is a circuit diagram showing a main part of a device turn-on test circuit according to Embodiment 2, in which a resistor 20 is connected between the other end of the mechanical switch 5 and the cathode of a diode 17 for preventing discharge. A series circuit with the saturation reactor 21 is provided.
The capacitor 22 is provided between the cathode 7 and the cathode of GTO1. Reference numeral 23 denotes a saturable reactor provided between the anode of the GTO 1 and a power supply (not shown).
【００１５】上記構成において、ＧＴＯ１及び機械的ス
イッチ５がオフのときには、可飽和リアクトル２３及び
ダイオード１７を介してコンデンサ２２が充電されてい
る。ここで、機械的スイッチ５をオすると、ゲート電流
はコンデンサ２２から可飽和リアクトル２１、抵抗２
０、機械的スイッチ５、及びＧＴＯ１のゲートからカソ
ードへと流れるが、この場合可飽和リアクトル２１が未
飽和であるためにゲート電流は図５に示すように抑制さ
れ、ＧＴＯ１の電圧はゲート電流が流れ始めた時点から
低下を始める。時刻ｔ1になると可飽和リアクトル２１
の飽和によりゲート電流は急に大きくなる。一方、ＧＴ
Ｏ１の電流は可飽和リアクトル２３の未飽和により時刻
ｔ2まで抑制され、時刻ｔ2で飽和して急に大きくなる。
このような場合は、ＧＴＯ１の電流が急に大きくなる少
し前に十分なゲート電流を流せばよく、十分なターンオ
ン試験を行うことができる。実用レベルでは、機械的ス
イッチ５を閉じてから時刻ｔ2までの時間はせいぜい５
μＳ以内である。In the above configuration, when the GTO 1 and the mechanical switch 5 are off, the capacitor 22 is charged via the saturable reactor 23 and the diode 17. Here, when the mechanical switch 5 is turned on, the gate current flows from the capacitor 22 to the saturable reactor 21 and the resistor 2.
0, the mechanical switch 5, and the gate of the GTO1 flows from the gate to the cathode. In this case, since the saturable reactor 21 is not saturated, the gate current is suppressed as shown in FIG. It starts dropping when it starts flowing. At time t 1 saturable reactor 21
, The gate current suddenly increases. On the other hand, GT
O1 of current is suppressed until the time t 2 by non-saturation of the saturable reactor 23, suddenly becomes large in saturation at time t 2.
In such a case, a sufficient gate current may be supplied shortly before the current of the GTO 1 suddenly increases, and a sufficient turn-on test can be performed. In practical level, at best the time from closing the mechanical switch 5 to time t 2 5
Within μS.
【００１６】実施形態２においても、機械的スイッチ５
を用いているので、コンデンサ２２を電源とする電圧を
大きくとることができ、立ち上がりのｄｉ／ｄｔが大き
なゲート電流を得ることができる。又、可飽和リアクト
ル２３を用いることによりゲート回路の構成をより簡単
にすることができる。さらに、スナバ回路を設けること
により、機械的スイッチ５のアークやチャタリングの発
生を防止することができる。In the second embodiment, the mechanical switch 5
Is used, it is possible to increase the voltage using the capacitor 22 as a power source, and to obtain a gate current having a large rising di / dt. Further, by using the saturable reactor 23, the configuration of the gate circuit can be further simplified. Further, by providing the snubber circuit, it is possible to prevent arcing and chattering of the mechanical switch 5 from occurring.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、スイッ
チ素子として機械的スイッチを用いているので、ゲート
回路が簡略化され、保守が容易で信頼性が高くなる。
又、同じくスイッチ素子として機械的スイッチを用いて
いるので、ゲート電流を発生する電源としてかなり高い
電圧を使用することができ、電流の立ち上がりのｄｉ／
ｄｔをシャープにすることができ、良好なターンオン試
験を行うことができる。さらに、機械的スイッチと並列
にスナバ回路を設けたので、アークやチャタリングの発
生を防止することができる。As described above, according to the present invention, since a mechanical switch is used as a switch element, a gate circuit is simplified, maintenance is easy, and reliability is improved.
Also, since a mechanical switch is used as a switch element, a considerably high voltage can be used as a power supply for generating a gate current, and di /
dt can be sharpened, and a good turn-on test can be performed. Furthermore, since the snubber circuit is provided in parallel with the mechanical switch, occurrence of arc and chatter can be prevented.
【図１】この発明の実施形態１による電流駆動形電力用
半導体素子のターンオン試験回路の要部回路図である。FIG. 1 is a main part circuit diagram of a turn-on test circuit for a current-driven power semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の回路の動作波形図である。FIG. 2 is an operation waveform diagram of the circuit of FIG.
【図３】実施形態１による可飽和リアクトルの特性図で
ある。FIG. 3 is a characteristic diagram of the saturable reactor according to the first embodiment.
【図４】実施形態２による素子のターンオン試験回路の
要部回路図である。FIG. 4 is a main part circuit diagram of a device turn-on test circuit according to a second embodiment.
【図５】図４の回路の動作波形図である。FIG. 5 is an operation waveform diagram of the circuit of FIG. 4;
【図６】従来のターンオン試験回路の要部回路図とゲー
ト電流波形図である。FIG. 6 is a main part circuit diagram and a gate current waveform diagram of a conventional turn-on test circuit.
【図７】従来の他のターンオン試験回路の要部回路図と
ゲート電流波形図である。FIG. 7 is a main part circuit diagram and a gate current waveform diagram of another conventional turn-on test circuit.
【図８】従来のターンオン試験回路の動作波形図であ
る。FIG. 8 is an operation waveform diagram of a conventional turn-on test circuit.
１…ＧＴＯ ５…機械的スイッチ ６，８，１０，１８，２０…抵抗 ７…リアクトル分 ９，１１，２１，２３…可飽和リアクトル １２〜１４，１９，２２…コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... GTO 5 ... Mechanical switch 6,8,10,18,20 ... Resistance 7 ... Reactor 9,11,21,23 ... Saturable reactor 12-14,19,22 ... Capacitor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA05 AB11 AE01 AH05 5H740 BA02 BB06 BC01 HH03 JA01 KK01 MM03 5J005 BA01 5J055 AX24 AX37 AX40 AX44 AX55 BX16 CX00 DX33 DX36 EY01 EY05 EY10 EY12 EZ17 EZ43 EZ61 GX01 GX04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G003 AA05 AB11 AE01 AH05 5H740 BA02 BB06 BC01 HH03 JA01 KK01 MM03 5J005 BA01 5J055 AX24 AX37 AX40 AX44 AX55 BX16 CX00 DX33 DX36 EY01 EY05 EY10 EZ12 EZ17 G
Claims (2)
一端が接続された機械的スイッチと、機械的スイッチの
他端に一端が接続されたインダクタンスと抵抗からなる
第１の直列回路と、機械的スイッチの他端に一端が接続
された可飽和リアクトルと抵抗からなる第２の直列回路
と、機械的スイッチの他端に一端が接続された可飽和リ
アクトルと抵抗からなる第３の直列回路と、各直列回路
の他端と上記素子のカソードとの間にそれぞれ接続され
るとともに、上記素子への印加電圧により充電される各
コンデンサと、機械的スイッチと並列に接続されたスナ
バ回路を備え、機械的スイッチのオン時に各コンデンサ
からの放電電流が上記素子のゲート、カソード間に時間
差をもって流れるようにしたことを特徴とする電流駆動
形電力用半導体素子のターンオン試験回路。1. A mechanical switch having one end connected to a gate of a current-driven power semiconductor device, a first series circuit including an inductance and a resistor having one end connected to the other end of the mechanical switch, and a mechanical switch. A second series circuit comprising a saturable reactor having one end connected to the other end of the mechanical switch and a resistor, and a third series circuit comprising a saturable reactor having one end connected to the other end of the mechanical switch and a resistor. A capacitor connected between the other end of each series circuit and the cathode of the element, and charged by a voltage applied to the element, and a snubber circuit connected in parallel with the mechanical switch, A current-driven power semiconductor device characterized in that a discharge current from each capacitor flows with a time difference between a gate and a cathode of the device when a mechanical switch is turned on. Turn-on test circuit.
一端が接続された機械的スイッチと、機械的スイッチの
他端に一端が接続された抵抗と可飽和リアクトルの直列
回路と、直列回路の他端と上記素子のカソード間に接続
されるとともに、上記素子への印加電圧により充電され
るコンデンサと、上記素子のアノードと電源との間に接
続された可飽和リアクトルと、機械的スイッチと並列に
接続されたスナバ回路を備え、機械的スイッチのオン時
に上記素子電流が立ち上がる前にゲート電流が立ち上が
るようにしたことを特徴とする電流駆動形電力用半導体
素子のターンオン試験回路。2. A mechanical switch having one end connected to a gate of a current-driven power semiconductor device, a series circuit of a resistor and a saturable reactor having one end connected to the other end of the mechanical switch, A capacitor connected between the other end and the cathode of the element and charged by a voltage applied to the element, a saturable reactor connected between the anode of the element and a power supply, and a mechanical switch connected in parallel. A turn-on test circuit for a current-driven type power semiconductor device, characterized in that a snubber circuit is connected to the semiconductor device and a gate current rises before the device current rises when a mechanical switch is turned on.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328731A JP2000156967A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Turn-on test circuit for current driving type power semiconductor element |
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|---|---|
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| JP10328731A Pending JP2000156967A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Turn-on test circuit for current driving type power semiconductor element |
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