JP2000156349A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatusInfo
- Publication number
- JP2000156349A JP2000156349A JP10329471A JP32947198A JP2000156349A JP 2000156349 A JP2000156349 A JP 2000156349A JP 10329471 A JP10329471 A JP 10329471A JP 32947198 A JP32947198 A JP 32947198A JP 2000156349 A JP2000156349 A JP 2000156349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafers
- boat
- furnace
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置を製
造する製造装置に関し、特に、複数のウェハを同時に熱
処理する拡散装置や、ＣＶＤ(chemical-vapor depositi
on)装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus for manufacturing semiconductor devices, and more particularly, to a diffusion apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of wafers, and a CVD (chemical vapor deposition) apparatus.
on) device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウェハから半導体装置を製造する工程に
おいて、ウェハを加熱したり、ウェハを加熱して所望の
膜を形成したりする工程がある。この工程には、拡散装
置やＣＶＤ(chemical-vapor deposition)装置などが適
用される。これらの装置では、半導体装置の製造効率を
向上するため、複数のウェハ（１００〜１５０枚）を収
容可能な炉が設けられており、これら複数のウェハを同
時に加熱処理する、いわゆるバッチ処理をすることがで
きる。2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a semiconductor device from a wafer, there are steps of heating the wafer or forming a desired film by heating the wafer. In this step, a diffusion device, a CVD (chemical-vapor deposition) device, or the like is applied. In these apparatuses, a furnace capable of accommodating a plurality of wafers (100 to 150 wafers) is provided in order to improve the manufacturing efficiency of the semiconductor device, and a so-called batch process for simultaneously heating these plurality of wafers is performed. be able to.
【０００３】従来の縦型拡散装置における複数のウェハ
の収容状態を図４（ａ），（ｂ）を参照して説明する。
図４（ａ）は、ウェハの収容状態の部分拡大図を、図４
（ｂ）は、収容されたウェハを上から見た図を示す。[0003] The state of accommodating a plurality of wafers in a conventional vertical diffusion device will be described with reference to FIGS.
FIG. 4A is a partially enlarged view of a state in which a wafer is stored, and FIG.
(B) shows a view of the accommodated wafer as viewed from above.
【０００４】縦型拡散装置には、複数のウェハを収容す
るためのボートが設けられている。このボートは石英で
構成される複数の石英柱２１（図４においては４本）を
有する。各石英柱２１には、ウェハ２２を水平に保持す
るための切り欠き部が設けられている。これらの切り欠
き部にウェハ２２をはめ込むことにより、ウェハ２２
は、図４（ｂ）に示されるように保持される。[0004] The vertical diffusion device is provided with a boat for accommodating a plurality of wafers. This boat has a plurality of quartz columns 21 (four in FIG. 4) made of quartz. Each quartz column 21 is provided with a notch for holding the wafer 22 horizontally. By fitting the wafer 22 into these notches, the wafer 22
Is held as shown in FIG.
【０００５】このようにして、縦型拡散装置は、ボート
に１００〜１５０枚のウェハを水平状態で搭載した状態
で炉内に収納し、所望の熱処理を施す。[0005] In this manner, the vertical type diffusion apparatus accommodates 100 to 150 wafers in a boat in a horizontal state in a furnace, and performs a desired heat treatment.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の拡散装置ではウェハの温度が不均一となり、これに
より不具合が生じる。However, in such a conventional diffusion device, the temperature of the wafer becomes non-uniform, which causes a problem.
【０００７】近年、半導体装置の高集積化及び高微細化
に伴い、ウェハ面積が増大する傾向にある。例えば、通
常のウェハの大きさは６インチであったが近年では８イ
ンチ以上に増大している。このため、ウェハ面内の温度
を均一にすることが大変困難になる。特に、バッチ処理
を高速に行うためには、炉内の温度を急速に上昇させた
り、急速に下降させる必要がある。例えば、８００°の
高温の炉に複数のウェハを搭載したボートを設置し、１
０００°まで温度を急速に上昇させた後、再び８００°
まで温度を急速に下降させる場合がある。このように、
急速に温度を上昇または下降させる場合には、ウェハ面
内の温度の均一性が非常に重要となる。In recent years, as semiconductor devices become more highly integrated and finer, the wafer area tends to increase. For example, the size of a normal wafer is 6 inches, but has recently increased to 8 inches or more. For this reason, it is very difficult to make the temperature in the wafer plane uniform. In particular, in order to perform batch processing at a high speed, it is necessary to rapidly raise and lower the temperature in the furnace. For example, a boat equipped with a plurality of wafers is installed in a furnace having a high temperature of 800 °, and 1
After rapidly increasing the temperature to 000 °,
The temperature may drop rapidly. in this way,
When the temperature is rapidly increased or decreased, the uniformity of the temperature within the wafer surface is very important.
【０００８】ウェハ面内の温度の均一性が確保されない
場合には、ウェハの部分によって所望の温度履歴を得ら
れない虞がある。このようなウェハの部分では、結晶欠
陥が生じたり、形成される膜厚が所望の厚さでなかった
り、拡散不純物量のばらつきが生じ、結果として製造さ
れた半導体装置が不良品となる虞がある。If the temperature uniformity within the wafer surface is not ensured, there is a possibility that a desired temperature history cannot be obtained depending on the wafer portion. In such a portion of the wafer, a crystal defect may occur, a film thickness to be formed may not be a desired thickness, or a diffusion impurity amount may vary, and as a result, a manufactured semiconductor device may be defective. is there.
【０００９】また、温度均一性が得られない場合、ウェ
ハにかかるストレスの差により、ウェハ自体にそりや歪
みが生じる場合もある。In addition, when temperature uniformity cannot be obtained, the wafer itself may be warped or distorted due to a difference in stress applied to the wafer.
【００１０】そこでこの発明の課題は、ウェハ面内の温
度均一性を向上し得る半導体製造装置を提供することで
ある。It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the temperature uniformity in a wafer surface.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、複数のウェハを搭載するボートと、このボー
トを内包する炉と、この炉の内部を加熱する加熱手段
と、を有する半導体製造装置であって、前記炉の内部に
設置され、前記ボートに搭載された複数のウェハを輻射
熱で加熱する均熱手段を備えることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention comprises a boat on which a plurality of wafers are mounted, a furnace containing the boat, and heating means for heating the inside of the furnace. The apparatus is characterized in that it includes a soaking unit that is installed inside the furnace and heats a plurality of wafers mounted on the boat with radiant heat.
【００１２】このような半導体製造装置によれば、加熱
手段により炉内が加熱されてウェハの温度が上昇すると
ともに、均熱手段により輻射熱を用いてウェハ面内の温
度が均一となるように処理される。これにより、ウェハ
面内の温度均一性が向上し、急速な温度変化によるバッ
チ処理が可能となる。According to such a semiconductor manufacturing apparatus, the inside of the furnace is heated by the heating means to increase the temperature of the wafer, and the uniformizing means uses radiant heat so that the temperature within the wafer surface becomes uniform. Is done. As a result, the temperature uniformity within the wafer surface is improved, and batch processing by a rapid temperature change becomes possible.
【００１３】前記均熱手段は、前記複数のウェハ毎に同
心円状に設置されたリング状の部材であったり、前記複
数のウェハ毎に同心円状に設置され、かつ、前記ボート
に対するウェハの挿脱用空間を有する部材であってもよ
い。[0013] The heat equalizing means may be a ring-shaped member provided concentrically for each of the plurality of wafers, or may be provided concentrically for each of the plurality of wafers, and insert and remove wafers from and into the boat. It may be a member having a space for use.
【００１４】なお、前記均熱手段に含まれる各部材は、
ウェハ以上の厚みを有することが望ましい。[0014] Each member included in the heat equalizing means includes:
It is desirable to have a thickness greater than that of a wafer.
【００１５】また、前記ボートが、前記複数のウェハ
を、所定の間隔で重ねて搭載する、縦型でウェハを収納
ボートの場合、前記均熱手段は、前記複数のウェハと同
心円状に設けられた円筒状の部材であってもよい。In the case where the boat is a vertical boat for storing the plurality of wafers at a predetermined interval, the soaking means is provided concentrically with the plurality of wafers. It may be a cylindrical member.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照したこの発明に
係る半導体製造装置の実施形態について説明する。図１
は、この発明に係る半導体製造装置の実施形態の断面を
示し、図２は、この半導体製造装置におけるウェハと均
熱リングとの配置状態を説明するための図である。な
お、図２（ａ）は、ウェハと均熱リングと石英柱とを上
からみた概略図であり、図２（ｂ）は、ウェハと均熱リ
ングとの厚さの関係を示す図であり、図２（ａ）におけ
る一点鎖線ｂｂ′における断面を示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
1 shows a cross section of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a view for explaining an arrangement state of a wafer and a heat equalizing ring in the semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 2A is a schematic view of the wafer, the soaking ring, and the quartz column as viewed from above, and FIG. 2B is a diagram showing the relationship between the thickness of the wafer and the soaking ring. 2A shows a cross section taken along a dashed-dotted line bb 'in FIG.
【００１７】この半導体製造装置はＣＶＤ装置であり、
ボート１、均熱リング２、保温筒３、インナー管４、ア
ウター管５、ヒータ６、排気口７、インジェクタ８、ハ
ッチ９、回転導入機構１０とにより構成されている。This semiconductor manufacturing apparatus is a CVD apparatus,
The boat 1, the heat equalizing ring 2, the heat retaining cylinder 3, the inner pipe 4, the outer pipe 5, the heater 6, the exhaust port 7, the injector 8, the hatch 9, and the rotation introducing mechanism 10 are configured.
【００１８】ボート１は、上述した従来の拡散装置のボ
ートと同様に複数の石英柱１１を有し、各石英柱１１に
は切り欠き部が設けられている。ウェハ１２は、この切
り欠き部にさし込まれることにより水平に維持される。The boat 1 has a plurality of quartz pillars 11 similarly to the boat of the above-mentioned conventional diffusion device, and each quartz pillar 11 is provided with a notch. The wafer 12 is kept horizontal by being inserted into the notch.
【００１９】均熱リング２は、ボート１によって水平に
保持されるウェハ１２と同じ水平位置にそれぞれ設置さ
れる部材であり、輻射熱によってウェハ１２を加熱す
る。均熱リング２は、図２（ａ）に示されるように、石
英柱１１及びウェハ１２を囲むように、ウェハ１２と同
心円状に配置されている。均熱リング２の横幅は、ボー
ト１に搭載されるウェハ１２の大きさに依存するが、少
なくとも１．５ｃｍの幅を有するのが好ましい。また、
図２（ｂ）に示されるように、均熱リング２の厚さｔ２
は、ウェハ１２の厚さｔ１以上の厚さを有する。通常、
用いられるウェハ１２の厚さｔ１は、６２５μｍである
ので、均熱リング２の厚さｔ２は、６２５μｍ以上であ
ることが好ましい。均熱リング２は、ＳｉまたはＳｉＣ
で形成される。The heat equalizing ring 2 is a member installed at the same horizontal position as the wafer 12 held horizontally by the boat 1, and heats the wafer 12 by radiant heat. As shown in FIG. 2A, the heat equalizing ring 2 is arranged concentrically with the wafer 12 so as to surround the quartz column 11 and the wafer 12. The width of the soaking ring 2 depends on the size of the wafer 12 mounted on the boat 1, but preferably has a width of at least 1.5 cm. Also,
As shown in FIG. 2B, the thickness t2 of the heat equalizing ring 2
Has a thickness equal to or greater than the thickness t1 of the wafer 12. Normal,
Since the thickness t1 of the wafer 12 used is 625 μm, the thickness t2 of the soaking ring 2 is preferably 625 μm or more. The soaking ring 2 is made of Si or SiC
Is formed.
【００２０】保温筒３は、成膜中の炉内の温度を一定に
保持するために使用される。インナー管４及びアウター
管５は、反応管として用いられる。ヒータ６は、炉の外
部に複数に独立して設けられている。排気口７は、炉内
のガスの排出に、インジェクタ８は、炉内へのガスの導
入に使用される。ハッチ９は、反応管内を密閉する。回
転導入機構１０は、成膜中にボート１を回転させる。The heat retaining cylinder 3 is used to maintain a constant temperature in the furnace during film formation. The inner tube 4 and the outer tube 5 are used as reaction tubes. The plurality of heaters 6 are independently provided outside the furnace. The exhaust port 7 is used for discharging gas in the furnace, and the injector 8 is used for introducing gas into the furnace. The hatch 9 seals the inside of the reaction tube. The rotation introducing mechanism 10 rotates the boat 1 during film formation.
【００２１】次に、この実施形態の動作について説明す
る。Next, the operation of this embodiment will be described.
【００２２】成膜処理が行われる複数のウェハ１２は、
ボート１に水平に搭載される。図面では、十数枚しか搭
載されないように示されているが、実際のボート１には
１００〜１５０枚のウェハ１２が搭載可能となる。The plurality of wafers 12 on which the film forming process is performed are:
Mounted horizontally on boat 1. In the drawing, although only ten or more wafers are shown, 100 to 150 wafers 12 can be actually mounted on the boat 1.
【００２３】ウェハ１２が搭載されたボート１が所定温
度に保持されている炉内に設置されると、ハッチ９によ
り密閉され、炉内は真空に保たれる。この後、さらに炉
内の温度が上昇されるとともに、成膜材料となるガスが
インジェクタ８より炉内に導入される。この際、膜厚面
内均一性を向上するため、回転導入機構１０によりボー
ト１が回転される。When the boat 1 on which the wafers 12 are mounted is placed in a furnace maintained at a predetermined temperature, the boat 1 is closed by a hatch 9 and the inside of the furnace is kept at a vacuum. Thereafter, the temperature inside the furnace is further increased, and gas serving as a film forming material is introduced into the furnace from the injector 8. At this time, the boat 1 is rotated by the rotation introducing mechanism 10 to improve the in-plane uniformity of the film thickness.
【００２４】このような成膜処理の間、ウェハ１２の周
囲には、均熱リング２が設けられているため、ヒータ６
による加熱以外に、均熱リング２からの輻射熱によって
もウェハ１２が加熱される。During the film forming process, since the heat equalizing ring 2 is provided around the wafer 12, the heater 6
, The wafer 12 is also heated by radiant heat from the soaking ring 2.
【００２５】以上説明したように、この実施形態では、
炉内に設置された１００〜１５０枚の複数のウェハ１２
それぞれを囲むように均熱リング２が設けられている。
これにより、ウェハの面内温度の分布が均一に保持さ
れ、ウェハ１２の膜厚を均一にすることができ、拡散不
純物のばらつきを低減することができる。また、均熱リ
ング２からの輻射熱によってもウェハ１２が加熱され、
ウェハ１２の面内温度の均一性が向上するとともに、熱
効率も向上する。As described above, in this embodiment,
100 to 150 wafers 12 installed in the furnace
A heat equalizing ring 2 is provided so as to surround each of them.
Thereby, the distribution of the in-plane temperature of the wafer is kept uniform, the film thickness of the wafer 12 can be made uniform, and the variation of the diffusion impurities can be reduced. Further, the wafer 12 is also heated by radiant heat from the heat equalizing ring 2,
The uniformity of the in-plane temperature of the wafer 12 is improved, and the thermal efficiency is also improved.
【００２６】さらに、熱処理が、成膜処理である場合に
は、均熱リング２は、炉の側壁に対して断熱材として機
能し、部分的なホットウォール構造となる。このため、
不要な反応生成物が炉内の側壁に付着する代わりに、均
熱リング２に付着する。炉内の側壁に比べて、均熱リン
グ２はメンテナンスが容易であるため、クリーニングな
どにかかる処理を簡略化することもできる。Further, when the heat treatment is a film forming process, the heat equalizing ring 2 functions as a heat insulating material for the side wall of the furnace, and has a partial hot wall structure. For this reason,
Unwanted reaction products adhere to the heat equalizing ring 2 instead of attaching to the side wall in the furnace. Since the heat equalizing ring 2 is easier to maintain than the side wall in the furnace, processing related to cleaning and the like can be simplified.
【００２７】また、この実施形態によれば、ウェハの面
内温度の分布が均一に保持されるため、ウェハ１２にか
かるストレス差がなくなり、生成される半導体装置にお
けるそり、歪み、または結晶欠陥などを回避することが
できる。Further, according to this embodiment, since the distribution of the in-plane temperature of the wafer is kept uniform, the difference in stress applied to the wafer 12 is eliminated, and warpage, distortion, crystal defects, etc., in the semiconductor device to be generated. Can be avoided.
【００２８】また、炉内の急激な温度上昇処理が可能と
なり、８００°で保たれた炉にウェハを設置した後、１
０００°まで加熱するのに毎分１０°の速さで加熱する
こともできる。同様に、急速な温度下降処理も可能とな
り、１０００°で保持されている炉内の温度を毎分５°
の速さで冷却することもできる。Further, a rapid temperature increase process in the furnace becomes possible, and after placing the wafer in a furnace maintained at 800 °, 1
It is also possible to heat at a rate of 10 ° per minute to heat up to 000 °. Similarly, a rapid temperature lowering process is possible, and the temperature in the furnace maintained at 1000 ° is reduced by 5 ° per minute.
It can also be cooled at a rapid rate.
【００２９】この他にも、１０００°で保持されている
炉内にウェハを設置することも可能となる。In addition, the wafer can be set in a furnace maintained at 1000 °.
【００３０】このように、従来のバッチ処理をさらに効
率よく実行することが可能となり、スループットが向上
される。As described above, the conventional batch processing can be executed more efficiently, and the throughput is improved.
【００３１】次に、上述した均熱リングの変形例につい
て図３を参照して説明する。図３は、ウェハと均熱リン
グと石英柱とを上からみた概略図である。Next, a modification of the above-mentioned heat equalizing ring will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic view of the wafer, the soaking ring, and the quartz column as viewed from above.
【００３２】図３に示される均熱リング１３は、上述し
た均熱リング２の一部に挿脱用の空間が設けられている
ことが特徴である。この挿脱用空間は、ボート１に多数
のウェハ１２を迅速に搭載するために搭載機構を使用す
る場合の機構の動作空間として使用される。The heat equalizing ring 13 shown in FIG. 3 is characterized in that a part of the heat equalizing ring 2 is provided with a space for insertion and removal. This insertion / removal space is used as an operation space of a mechanism when a mounting mechanism is used to quickly mount a large number of wafers 12 on the boat 1.
【００３３】このような、挿脱用の空間を設けることに
より、ボート１に多数のウェハ１２を迅速に搭載するこ
とが可能となる。By providing such a space for insertion / removal, a large number of wafers 12 can be quickly mounted on the boat 1.
【００３４】また、上述した実施形態では、ボート１に
搭載されるウェハ毎に均熱リングが設けられているが、
これらの均熱リングをつなぎ合わせ、ボート１をとり囲
むような筒状の均熱部材に変形することもできる。In the above-described embodiment, the soaking ring is provided for each wafer mounted on the boat 1.
These heat equalizing rings can be connected to each other to transform into a cylindrical heat equalizing member that surrounds the boat 1.
【００３５】なお、上述した実施形態では、この発明を
ＣＶＤ装置に適用しているがその他の熱処理装置に適用
することも可能であり、例えば、縦型拡散装置に適用す
ることもできる。In the above-described embodiment, the present invention is applied to a CVD apparatus. However, the present invention can be applied to other heat treatment apparatuses, for example, a vertical diffusion apparatus.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、半導体製造装置の炉内に設置されたウェハ
の面内温度の均一性が向上される。As is clear from the above description, according to the present invention, the uniformity of the in-plane temperature of the wafer installed in the furnace of the semiconductor manufacturing apparatus is improved.
【図１】この発明に係る半導体製造装置の実施形態の断
面を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a cross section of an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】前記実施形態の半導体製造装置におけるウェハ
と均熱リングとの配置状態を説明するための図。FIG. 2 is a view for explaining an arrangement state of a wafer and a heat equalizing ring in the semiconductor manufacturing apparatus of the embodiment.
【図３】前記実施形態の半導体製造装置における均熱リ
ングの変形例を示す図。FIG. 3 is a view showing a modification of the heat equalizing ring in the semiconductor manufacturing apparatus of the embodiment.
【図４】従来の縦型拡散装置におけるウェハの収容状態
を説明するための図。FIG. 4 is a view for explaining a state of accommodating a wafer in a conventional vertical diffusion device.
１ 半導体製造装置 ２ 均熱リング ３ 保温筒 ４ インナー管 ５ アウター管 ６ ヒータ ７ 排気口 ８ インジェクタ ９ ハッチ １０ 回転導入機構 １１ 石英柱 １２ ウェハ １３ 均熱リング DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor manufacturing apparatus 2 Heat equalizing ring 3 Heat retaining cylinder 4 Inner pipe 5 Outer pipe 6 Heater 7 Exhaust port 8 Injector 9 Hatch 10 Rotation introduction mechanism 11 Quartz column 12 Wafer 13 Heat equalizing ring
Claims (6)
ボートを内包する炉と、この炉の内部を加熱する加熱手
段と、を有する半導体製造装置において、 前記炉の内部に設置され、前記ボートに搭載された複数
のウェハを輻射熱で加熱する均熱手段を備えることを特
徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a boat on which a plurality of wafers are mounted; a furnace containing the boat; and heating means for heating the inside of the furnace. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a soaking unit that heats a plurality of wafers mounted on a substrate by radiant heat.
同心円状に設置されたリング状の部材を含むことを特徴
とする請求項１記載の半導体製造装置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein said heat equalizing means includes a ring-shaped member provided concentrically for each of said plurality of wafers.
同心円状に設置され、かつ、前記ボートに対するウェハ
の挿脱用空間を有する部材を含むことを特徴とする請求
項１記載の半導体製造装置。3. The semiconductor according to claim 1, wherein said heat equalizing means includes a member which is installed concentrically for each of said plurality of wafers and has a space for inserting and removing wafers from and to said boat. manufacturing device.
以上の厚みを有することを特徴とする請求項２、または
３記載の半導体製造装置。4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein a member included in said heat equalizing means has a thickness greater than a wafer.
定の間隔で重ねて搭載することを特徴とする請求項１記
載の半導体製造装置。5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the boat mounts the plurality of wafers at a predetermined interval.
心円状に設けられた円筒状の部材を含むことを特徴とす
る請求項５記載の半導体製造装置。6. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein said heat equalizing means includes a cylindrical member provided concentrically with said plurality of wafers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329471A JP2000156349A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329471A JP2000156349A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156349A true JP2000156349A (en) | 2000-06-06 |
Family
ID=18221756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10329471A Withdrawn JP2000156349A (en) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000156349A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114107942A (en) * | 2021-11-30 | 2022-03-01 | 电子科技大学 | Device and method for preparing graphene film heated in pipe |
-
1998
- 1998-11-19 JP JP10329471A patent/JP2000156349A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114107942A (en) * | 2021-11-30 | 2022-03-01 | 电子科技大学 | Device and method for preparing graphene film heated in pipe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6737613B2 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
| KR940009995B1 (en) | Method and apparatus of vapor phase growth on semiconductor wafers | |
| JP3184000B2 (en) | Method and apparatus for forming thin film | |
| WO2004015742A2 (en) | High rate deposition in a batch reactor | |
| WO2001080291A1 (en) | Methods and apparatus for thermally processing wafers | |
| JPH1012563A (en) | Member for heat treatment of high-purity cvd-sic semiconductor and its manufacture | |
| JPH04179223A (en) | Heat treatment apparatus | |
| JPH08250444A (en) | Heat-treating device | |
| JPH09219369A (en) | Equipment and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR100741859B1 (en) | Wafer Manufacturing Apparatus for High-Temperatuer Process | |
| JP2000156349A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| JP3904497B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2724649B2 (en) | Low pressure CVD equipment | |
| JP2003031515A (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| US6306183B1 (en) | Method of forming manufacturing semiconductor device | |
| JPH0273625A (en) | Equipment for manufacture of semiconductor device | |
| JP2004228462A (en) | Method and device for thermally treating wafer | |
| JPH1041235A (en) | Manufacturing equipment of semiconductor device | |
| JP4342096B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus, vertical boat, and semiconductor manufacturing method | |
| JPH03164688A (en) | Vertical heat treatment device | |
| JPH08148480A (en) | Semiconductor manufacturing device and method | |
| JPS60113921A (en) | Method for vapor-phase reaction and device thereof | |
| JPH07326593A (en) | Method and device for heat treatment | |
| JP2004111715A (en) | Substrate treating device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH06338490A (en) | Low pressure cvd device of triple tank structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |