JP2000149666A - 異方性導電膜 - Google Patents
異方性導電膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術の異方性導電膜を採用した実装方法
では、接続する電極のピッチが微細化すると隣接する電
極間で導電性粒子を介したショート不良が発生する問題
がある。 【解決手段】 本発明の異方性導電膜５は、樹脂成分を
主たる構成材料とする絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子６と横方向の電気的接続を防止す
るための網目状絶縁部材７を有し、この網目状絶縁部材
７の開口部８に導電性粒子６を選択的に配置することを
特徴とする。
では、接続する電極のピッチが微細化すると隣接する電
極間で導電性粒子を介したショート不良が発生する問題
がある。 【解決手段】 本発明の異方性導電膜５は、樹脂成分を
主たる構成材料とする絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子６と横方向の電気的接続を防止す
るための網目状絶縁部材７を有し、この網目状絶縁部材
７の開口部８に導電性粒子６を選択的に配置することを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路チッ
プと配線基板または配線基板どうしを固着するととも
に、各電極間の必要な電気的接続を行うための接続材料
である異方性導電膜の構造に関する。
プと配線基板または配線基板どうしを固着するととも
に、各電極間の必要な電気的接続を行うための接続材料
である異方性導電膜の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】能動素子面に突起電極を有する半導体集
積回路チップを、基板電極と導体配線を有する絶縁基板
上に異方性導電膜を用いて実装するフリップチップ実装
が液晶表示装置などの分野で用いられている。この異方
性導電膜を用いるフリップチップ実装は、半導体集積回
路チップの面積以外は実装のためのスペースを必要とし
ない。このため、最も実装密度が高く有効な実装手段で
ある。
積回路チップを、基板電極と導体配線を有する絶縁基板
上に異方性導電膜を用いて実装するフリップチップ実装
が液晶表示装置などの分野で用いられている。この異方
性導電膜を用いるフリップチップ実装は、半導体集積回
路チップの面積以外は実装のためのスペースを必要とし
ない。このため、最も実装密度が高く有効な実装手段で
ある。
【０００３】以下、図面に基づいて従来技術における異
方性導電膜を用いた半導体装置の実装構造と製造工程に
ついて説明する。図３は従来技術における異方性導電膜
を採用した半導体装置の構造を示す断面図である。
方性導電膜を用いた半導体装置の実装構造と製造工程に
ついて説明する。図３は従来技術における異方性導電膜
を採用した半導体装置の構造を示す断面図である。
【０００４】図３に示すように、半導体集積回路チップ
１は能動素子面に、絶縁基板２上の基板電極４と電気的
に接続するための突起電極３を有している。また、絶縁
基板２は、突起電極３と電気的に接続するための基板電
極４と、図示しない導体配線を有している。
１は能動素子面に、絶縁基板２上の基板電極４と電気的
に接続するための突起電極３を有している。また、絶縁
基板２は、突起電極３と電気的に接続するための基板電
極４と、図示しない導体配線を有している。
【０００５】突起電極３は電気的導通の良好な金や銅な
どからなり、半導体集積回路チップ１の能動素子面にメ
ッキなどの手段で設ける。
どからなり、半導体集積回路チップ１の能動素子面にメ
ッキなどの手段で設ける。
【０００６】また、絶縁基板２の材料は、セラミクスや
ガラスや樹脂などの絶縁性材料である。絶縁基板２に
は、基板電極４と導体配線がメッキとエッチングなどの
手段で設けてある。
ガラスや樹脂などの絶縁性材料である。絶縁基板２に
は、基板電極４と導体配線がメッキとエッチングなどの
手段で設けてある。
【０００７】図３に示すように、半導体集積回路チップ
１は異方性導電膜５により絶縁基板２に固着してある。
さらに、突起電極３と基板電極４は異方性導電膜５が含
有する導電性粒子６を介して電気的に接続している。
１は異方性導電膜５により絶縁基板２に固着してある。
さらに、突起電極３と基板電極４は異方性導電膜５が含
有する導電性粒子６を介して電気的に接続している。
【０００８】従来技術の異方性導電膜５は実装する部材
どうしを接着するための樹脂絶縁膜中に、縦方向の電気
的接続を得るための導電性粒子６を含有している。
どうしを接着するための樹脂絶縁膜中に、縦方向の電気
的接続を得るための導電性粒子６を含有している。
【０００９】導電性粒子６の材料としては銀や金やハン
ダなどの導通性の良好な金属粒子やメッキなどの方法で
金属層を表面に設けた樹脂粒子が挙げられる。
ダなどの導通性の良好な金属粒子やメッキなどの方法で
金属層を表面に設けた樹脂粒子が挙げられる。
【００１０】また、異方性導電膜５の樹脂絶縁膜は半導
体集積回路チップ１と絶縁基板２に密着の良好な樹脂成
分からなる。この樹脂成分としては熱硬化性のエポキシ
やウレタンやシリコーンなどの樹脂類が挙げられる。こ
のなかで望ましいのはアミン類や酸無水物を硬化剤とす
る熱硬化性のエポキシ樹脂類である。
体集積回路チップ１と絶縁基板２に密着の良好な樹脂成
分からなる。この樹脂成分としては熱硬化性のエポキシ
やウレタンやシリコーンなどの樹脂類が挙げられる。こ
のなかで望ましいのはアミン類や酸無水物を硬化剤とす
る熱硬化性のエポキシ樹脂類である。
【００１１】この異方性導電膜５は加熱硬化前に絶縁基
板２に張り付けるため、適当な粘着性を有することが望
ましい。
板２に張り付けるため、適当な粘着性を有することが望
ましい。
【００１２】以下、従来技術における異方性導電膜を採
用した半導体装置の製造工程を説明する。
用した半導体装置の製造工程を説明する。
【００１３】はじめに、異方性導電膜５を半導体集積回
路チップ１の突起電極３と電気的に接続するための基板
電極４を有する絶縁基板２に張り付ける。
路チップ１の突起電極３と電気的に接続するための基板
電極４を有する絶縁基板２に張り付ける。
【００１４】つぎに、異方性導電膜５を貼った絶縁基板
２上の基板電極４と突起電極３の位置を合わせて半導体
集積回路チップ１を搭載する。
２上の基板電極４と突起電極３の位置を合わせて半導体
集積回路チップ１を搭載する。
【００１５】その後、ヒートツールを用いて半導体集積
回路チップ１を加熱圧着し、異方性導電膜５の硬化と同
時に導電性粒子６を介した突起電極３と基板電極４との
電気的接続を行う。
回路チップ１を加熱圧着し、異方性導電膜５の硬化と同
時に導電性粒子６を介した突起電極３と基板電極４との
電気的接続を行う。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体集積回路
チップの高集積度化が進み各電極の接続ピッチの微細化
が必要になっている。
チップの高集積度化が進み各電極の接続ピッチの微細化
が必要になっている。
【００１７】従来技術の異方性導電膜５では、半導体集
積回路チップ１を加熱圧着接続する工程で、樹脂絶縁膜
が硬化する前に導電性粒子６が流動し、電極のピッチを
微細化した場合、隣接電極間で導電性粒子６を介したシ
ョート不良が発生する問題がある。
積回路チップ１を加熱圧着接続する工程で、樹脂絶縁膜
が硬化する前に導電性粒子６が流動し、電極のピッチを
微細化した場合、隣接電極間で導電性粒子６を介したシ
ョート不良が発生する問題がある。
【００１８】このため、電極間ピッチの微細化が困難
で、高集積度化した半導体集積回路チップ１は実装でき
ない問題がある。
で、高集積度化した半導体集積回路チップ１は実装でき
ない問題がある。
【００１９】また、従来技術の異方性導電膜５では接続
する電極のピッチが充分に広い場合でも、導電性粒子６
の含有量が多いと複数の導電性粒子６を介した隣接電極
間のショートが発生する。
する電極のピッチが充分に広い場合でも、導電性粒子６
の含有量が多いと複数の導電性粒子６を介した隣接電極
間のショートが発生する。
【００２０】このため従来技術の異方性導電膜５では導
電性粒子６の含有量を増やすことが困難である。導電粒
子含有量が少ないと１電極あたりの電気的接続に介す導
電性粒子数が減少し、接続抵抗が高くなったり、接続の
信頼性を損なう問題がある。
電性粒子６の含有量を増やすことが困難である。導電粒
子含有量が少ないと１電極あたりの電気的接続に介す導
電性粒子数が減少し、接続抵抗が高くなったり、接続の
信頼性を損なう問題がある。
【００２１】〔発明の目的〕そこで本発明の目的は、上
記の問題を解決して、高集積度の半導体集積回路チップ
の実装が可能で接続信頼性の高い異方性導電膜を提供す
ることである。
記の問題を解決して、高集積度の半導体集積回路チップ
の実装が可能で接続信頼性の高い異方性導電膜を提供す
ることである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては、下記記載の異方性導電膜の構造
を採用する。
め、本発明においては、下記記載の異方性導電膜の構造
を採用する。
【００２３】本発明の異方性導電膜は、樹脂成分を主た
る構成材料とする絶縁膜中に縦方向の電気的接続を得る
ための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止するため
の網目状絶縁部材を有することを特徴とする。
る構成材料とする絶縁膜中に縦方向の電気的接続を得る
ための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止するため
の網目状絶縁部材を有することを特徴とする。
【００２４】本発明の異方性導電膜は、樹脂成分を主た
る構成材料とする樹脂絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止する
ための網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材のほ
ぼ四角形の開口部に導電性粒子を選択的に配置すること
を特徴とする。
る構成材料とする樹脂絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止する
ための網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材のほ
ぼ四角形の開口部に導電性粒子を選択的に配置すること
を特徴とする。
【００２５】本発明の異方性導電膜は、樹脂成分を主た
る構成材料とする樹脂絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止する
ための網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材に選
択的に導電性粒子を配置するためのほぼ四角形で最隣接
電極間距離より短い一辺の長さを持つ開口部を有し、さ
らに導電性粒子の直径が網目状絶縁部材の厚さより大き
いことを特徴とする。
る構成材料とする樹脂絶縁膜中に縦方向の電気的接続を
得るための導電性粒子と横方向の電気的接続を防止する
ための網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材に選
択的に導電性粒子を配置するためのほぼ四角形で最隣接
電極間距離より短い一辺の長さを持つ開口部を有し、さ
らに導電性粒子の直径が網目状絶縁部材の厚さより大き
いことを特徴とする。
【００２６】〔作用〕本発明の半導体装置の異方性導電
膜は、横方向の電気的接続を防止するための網目状絶縁
部材を有し、この網目状絶縁部材の開口部に導電性粒子
を選択的に配置することを特徴とする。
膜は、横方向の電気的接続を防止するための網目状絶縁
部材を有し、この網目状絶縁部材の開口部に導電性粒子
を選択的に配置することを特徴とする。
【００２７】したがって、本発明の異方性導電膜は、縦
方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子を
介した電気的接続が得られる。
方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子を
介した電気的接続が得られる。
【００２８】また、各導電性粒子は網目状絶縁部材によ
って横方向には絶縁されるため隣接する電極間で導電性
粒子を介したショート不良を発生しない。
って横方向には絶縁されるため隣接する電極間で導電性
粒子を介したショート不良を発生しない。
【００２９】したがって、本発明の異方性導電膜におい
ては、微細ピッチの隣接電極間のショート不良が発生せ
ず、高集積度の半導体集積回路チップも実装が可能にな
る。
ては、微細ピッチの隣接電極間のショート不良が発生せ
ず、高集積度の半導体集積回路チップも実装が可能にな
る。
【００３０】またさらに、本発明の異方性導電膜では、
導電性粒子が網目状絶縁部材によって横方向に絶縁され
るため複数の導電性粒子を介した隣接電極間のショート
が発生しない。
導電性粒子が網目状絶縁部材によって横方向に絶縁され
るため複数の導電性粒子を介した隣接電極間のショート
が発生しない。
【００３１】したがって、本発明の異方性導電膜では導
電性粒子の含有量を充分増やすことができる。このた
め、１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数を増
加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性を確
保できる利点がある。
電性粒子の含有量を充分増やすことができる。このた
め、１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数を増
加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性を確
保できる利点がある。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の最
適な実施形態について説明する。図１は本発明の異方性
導電膜を採用する半導体装置の構造を示す断面図であ
る。また図２は本発明の異方性導電膜における導電粒子
と網目状絶縁部材の関係を示す平面図である。
適な実施形態について説明する。図１は本発明の異方性
導電膜を採用する半導体装置の構造を示す断面図であ
る。また図２は本発明の異方性導電膜における導電粒子
と網目状絶縁部材の関係を示す平面図である。
【００３３】図１に示すように、半導体集積回路チップ
１は能動素子面に、絶縁基板２上の基板電極４と電気的
に接続するための突起電極３を有している。また絶縁基
板２は突起電極３と電気的に接続するための基板電極４
と、図示しない導体配線を有している。
１は能動素子面に、絶縁基板２上の基板電極４と電気的
に接続するための突起電極３を有している。また絶縁基
板２は突起電極３と電気的に接続するための基板電極４
と、図示しない導体配線を有している。
【００３４】突起電極３は電気的導通の良好な金（Au）
や銅（Cu）などからなり、半導体集積回路チップ１の能
動素子面にメッキなどの手段で設ける。
や銅（Cu）などからなり、半導体集積回路チップ１の能
動素子面にメッキなどの手段で設ける。
【００３５】さらにまた、絶縁基板２の材料はセラミク
スやガラスや樹脂などの絶縁性材料である。絶縁基板２
には、基板電極４と導体配線がメッキとエッチングなど
の手段で設けてある。
スやガラスや樹脂などの絶縁性材料である。絶縁基板２
には、基板電極４と導体配線がメッキとエッチングなど
の手段で設けてある。
【００３６】図１に示すように、半導体集積回路チップ
１は本発明の異方性導電膜５により絶縁基板２に固着し
てある。さらに、突起電極３と基板電極４は異方性導電
膜５が含有する導電性粒子６を介して電気的に接続して
いる。
１は本発明の異方性導電膜５により絶縁基板２に固着し
てある。さらに、突起電極３と基板電極４は異方性導電
膜５が含有する導電性粒子６を介して電気的に接続して
いる。
【００３７】この異方性導電膜５は、縦方向の電気的接
続を得るための導電性粒子６を含有している。導電性粒
子６の材料としては、銀（Ag）や金（Au）などの導通性
の良好な金属粒子やメッキなどの方法で金属層を表面に
設けた樹脂粒子が挙げられる。
続を得るための導電性粒子６を含有している。導電性粒
子６の材料としては、銀（Ag）や金（Au）などの導通性
の良好な金属粒子やメッキなどの方法で金属層を表面に
設けた樹脂粒子が挙げられる。
【００３８】また、異方性導電膜５のマトリクス相は半
導体集積回路チップ１と絶縁基板２に密着の良好な樹脂
成分からなる。この樹脂成分としては、熱可塑性や熱硬
化性や光硬化性の樹脂が挙げられる。このなかで望まし
いのはアミン類や酸無水物を硬化剤とする熱硬化性のエ
ポキシ樹脂である。
導体集積回路チップ１と絶縁基板２に密着の良好な樹脂
成分からなる。この樹脂成分としては、熱可塑性や熱硬
化性や光硬化性の樹脂が挙げられる。このなかで望まし
いのはアミン類や酸無水物を硬化剤とする熱硬化性のエ
ポキシ樹脂である。
【００３９】本発明の異方性導電膜５が従来技術と異な
る点は、図１と図２に示すように、横方向の導電性粒子
６を介した電気的接続を防止するための網目状絶縁部材
７を有し、この網目状絶縁部材７の開口部８に導電性粒
子６を選択的に配置することである。
る点は、図１と図２に示すように、横方向の導電性粒子
６を介した電気的接続を防止するための網目状絶縁部材
７を有し、この網目状絶縁部材７の開口部８に導電性粒
子６を選択的に配置することである。
【００４０】したがって、本発明の異方性導電膜５は、
縦方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子
６を介した電気的接続が得られる。
縦方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子
６を介した電気的接続が得られる。
【００４１】また、各導電性粒子６は網目状絶縁部材７
によって横方向には絶縁されるため隣接する電極間で導
電性粒子６を介したショート不良を発生しない。
によって横方向には絶縁されるため隣接する電極間で導
電性粒子６を介したショート不良を発生しない。
【００４２】したがって、微細ピッチの隣接電極間でも
ショート不良が発生せず、高集積度の半導体集積回路チ
ップ１も実装が可能になる。
ショート不良が発生せず、高集積度の半導体集積回路チ
ップ１も実装が可能になる。
【００４３】また、本発明の異方性導電膜５では、導電
性粒子６が網目状絶縁部材７によって横方向に絶縁され
るため、複数の導電性粒子６を介した隣接電極間のショ
ートが発生しない。
性粒子６が網目状絶縁部材７によって横方向に絶縁され
るため、複数の導電性粒子６を介した隣接電極間のショ
ートが発生しない。
【００４４】したがって、本発明の異方性導電膜５で
は、導電性粒子６の含有量を充分増やすことができる。
このため１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数
を増加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性
を確保できる。
は、導電性粒子６の含有量を充分増やすことができる。
このため１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数
を増加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性
を確保できる。
【００４５】この網目状絶縁部材７の材料としては、ナ
イロンなどの絶縁樹脂繊維を編んだ織物や、絶縁材料か
らなるフィルムに穴あけ加工して得られるメッシュなど
が適用可能である。
イロンなどの絶縁樹脂繊維を編んだ織物や、絶縁材料か
らなるフィルムに穴あけ加工して得られるメッシュなど
が適用可能である。
【００４６】また、本発明の異方性導電膜５において、
ナイロンなどの絶縁樹脂繊維を編んだ織物を網目状絶縁
部材７として用いる場合は、導電性粒子６の直径が絶縁
性繊維の径より大きいことが望ましい。
ナイロンなどの絶縁樹脂繊維を編んだ織物を網目状絶縁
部材７として用いる場合は、導電性粒子６の直径が絶縁
性繊維の径より大きいことが望ましい。
【００４７】絶縁樹脂繊維を編んだ織物では、縦繊維と
横繊維の折り重なる部分に繊維の径に応じた隙間ができ
る。導電粒子６の直径が絶縁樹脂繊維の径より小さい場
合には、この隙間を通った導電粒子６の移行や接触が起
こる可能性がある。
横繊維の折り重なる部分に繊維の径に応じた隙間ができ
る。導電粒子６の直径が絶縁樹脂繊維の径より小さい場
合には、この隙間を通った導電粒子６の移行や接触が起
こる可能性がある。
【００４８】したがって、横方向の良好な絶縁を得るた
めには、導電性粒子６の直径が絶縁性繊維の径より大き
いことが望ましい。さらに望ましくは絶縁繊維の径に対
して２倍の直径である。
めには、導電性粒子６の直径が絶縁性繊維の径より大き
いことが望ましい。さらに望ましくは絶縁繊維の径に対
して２倍の直径である。
【００４９】また、本発明の目的を達成するためには、
図２に示す網目状絶縁部材７のほぼ四角形の開口部８の
最も長い辺の長さを、最隣接電極の間隔より小さくする
必要がある。
図２に示す網目状絶縁部材７のほぼ四角形の開口部８の
最も長い辺の長さを、最隣接電極の間隔より小さくする
必要がある。
【００５０】網目状絶縁部材７の開口部８の最も長い辺
の長さが最隣接電極の間隔より大きい場合は、導電性粒
子６を介した最隣接電極間のショートを発生する可能性
がある。
の長さが最隣接電極の間隔より大きい場合は、導電性粒
子６を介した最隣接電極間のショートを発生する可能性
がある。
【００５１】さらに、本発明の安定した効果を得るため
には、開口部８面積を突起電極３と基板電極４の面積よ
り充分に小さくして、開口部８の一辺の長さとほぼ等し
い直径を有する導電性粒子６を配置することが望まし
い。
には、開口部８面積を突起電極３と基板電極４の面積よ
り充分に小さくして、開口部８の一辺の長さとほぼ等し
い直径を有する導電性粒子６を配置することが望まし
い。
【００５２】また、網目状絶縁部材７の開口部８に導電
性粒子６を選択的に配置する方法として以下の方法があ
げられる。
性粒子６を選択的に配置する方法として以下の方法があ
げられる。
【００５３】導電性粒子６を異方性導電膜５のマトリク
ス相となる未硬化の樹脂に分散してペーストを調整し、
このペーストを剥離化工したフィルムなどにあてた網目
状絶縁部材７に塗布する。
ス相となる未硬化の樹脂に分散してペーストを調整し、
このペーストを剥離化工したフィルムなどにあてた網目
状絶縁部材７に塗布する。
【００５４】塗布したペーストの表面をスキージするこ
とでによって、電粒子６を開口部８に配置することがで
きる。
とでによって、電粒子６を開口部８に配置することがで
きる。
【００５５】ほかの方法としては、前述の導電性粒子６
を含有するペーストを剥離化工したフィルムに塗布した
後、網目状絶縁部材７挿んで、その上に剥離化工したフ
ィルムを貼り、圧着ロールを用いてラミネートする方法
があげられる。
を含有するペーストを剥離化工したフィルムに塗布した
後、網目状絶縁部材７挿んで、その上に剥離化工したフ
ィルムを貼り、圧着ロールを用いてラミネートする方法
があげられる。
【００５６】この圧着ロールを用いてラミネートする方
法では、開口部８に適量の導電粒子６が配置されるよう
に塗布するペーストの導電粒子含有量を調整する。
法では、開口部８に適量の導電粒子６が配置されるよう
に塗布するペーストの導電粒子含有量を調整する。
【００５７】本発明の異方性導電膜５は、従来技術の異
方性導電膜と同様な実装工程と装置を採用することがで
きる。
方性導電膜と同様な実装工程と装置を採用することがで
きる。
【００５８】はじめに異方性導電膜５を基板電極４を有
する絶縁基板２に張り付ける。異方性導電膜５の開口部
８の面積が基板電極４の面積より小さい場合は、異方性
導電膜５の開口部８と基板電極４との位置合わせは必要
ない。
する絶縁基板２に張り付ける。異方性導電膜５の開口部
８の面積が基板電極４の面積より小さい場合は、異方性
導電膜５の開口部８と基板電極４との位置合わせは必要
ない。
【００５９】つぎに、異方性導電膜５を貼った絶縁基板
２上の基板電極４と、突起電極３との位置を合わせて半
導体集積回路チップ１を搭載する。
２上の基板電極４と、突起電極３との位置を合わせて半
導体集積回路チップ１を搭載する。
【００６０】このとき、異方性導電膜５の開口部８の面
積が突起電極３の面積より小さい場合は、異方性導電膜
５の開口部８と突起電極３との位置合わせは必要ない。
積が突起電極３の面積より小さい場合は、異方性導電膜
５の開口部８と突起電極３との位置合わせは必要ない。
【００６１】その後、ヒートツールを用いて半導体集積
回路チップ１を加熱圧着し、異方性導電膜５の硬化と同
時に導電性粒子６を介した突起電極３と基板電極４との
電気的接続を行うことができる。
回路チップ１を加熱圧着し、異方性導電膜５の硬化と同
時に導電性粒子６を介した突起電極３と基板電極４との
電気的接続を行うことができる。
【００６２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
異方性導電膜は、横方向の電気的接続を防止するための
網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材の開口部に
導電性粒子を選択的に配置している。
異方性導電膜は、横方向の電気的接続を防止するための
網目状絶縁部材を有し、この網目状絶縁部材の開口部に
導電性粒子を選択的に配置している。
【００６３】したがって、本発明の異方性導電膜は、縦
方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子を
介した電気的接続が得られる。
方向には従来技術の異方性導電膜と同様に導電性粒子を
介した電気的接続が得られる。
【００６４】また、各導電性粒子は網目状絶縁部材によ
って横方向には絶縁されるため、隣接する電極間で導電
性粒子を介したショート不良を発生しない。
って横方向には絶縁されるため、隣接する電極間で導電
性粒子を介したショート不良を発生しない。
【００６５】したがって、微細ピッチの隣接電極間でも
ショート不良が発生せず、高集積度の半導体集積回路チ
ップも実装が可能になる。
ショート不良が発生せず、高集積度の半導体集積回路チ
ップも実装が可能になる。
【００６６】またさらに、本発明の異方性導電膜では、
導電性粒子が網目状絶縁部材によって横方向に絶縁され
るため、複数の導電性粒子を介した隣接電極間のショー
トが発生しない。
導電性粒子が網目状絶縁部材によって横方向に絶縁され
るため、複数の導電性粒子を介した隣接電極間のショー
トが発生しない。
【００６７】したがって、本発明の異方性導電膜では導
電性粒子の含有量を充分増やすことができる。このた
め、１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数を増
加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性を確
保できる利点がある。
電性粒子の含有量を充分増やすことができる。このた
め、１電極あたりの電気的接続に介す導電性粒子数を増
加し、接続抵抗を低くしたり、良好な接続の信頼性を確
保できる利点がある。
【図１】本発明の実施の形態における異方性導電膜を採
用する半導体装置を示す断面図である。
用する半導体装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における異方性導電膜にお
ける導電粒子と網目状絶縁部材の関係を示す平面図であ
る。
ける導電粒子と網目状絶縁部材の関係を示す平面図であ
る。
【図３】従来技術における異方性導電膜を採用する半導
体装置を示す断面図である。
体装置を示す断面図である。
１：半導体集積回路チップ ２：絶縁基板 ３：突起電極 ４：基板電極 ５：異方性導電膜 ６：導電性粒子 ７：網目状絶縁部材 ８：開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂成分を主たる構成材料とする樹脂絶
縁膜中に縦方向の電気的接続を得るための導電性粒子
と、 横方向の電気的接続を防止するための網目状絶縁部材と
を有することを特徴とする異方性導電膜。 - 【請求項２】 樹脂成分を主たる構成材料とする樹脂絶
縁膜中に縦方向の電気的接続を得るための導電性粒子
と、 横方向の電気的接続を防止するための網目状絶縁部材を
有し、 この網目状絶縁部材のほぼ四角形の開口部に導電性粒子
を選択的に配置することを特徴とする異方性導電膜。 - 【請求項３】 樹脂成分を主たる構成材料とする樹脂絶
縁膜中に縦方向の電気的接続を得るための導電性粒子
と、 横方向の電気的接続を防止するための網目状絶縁部材を
有し、 この網目状絶縁部材に選択的に導電性粒子を配置するた
めのほぼ四角形で最隣接電極間距離より短い一辺の長さ
を持つ開口部を有し、 さらに導電性粒子の直径が網目状絶縁部材の厚さより大
きいことを特徴とする異方性導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323161A JP2000149666A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 異方性導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323161A JP2000149666A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 異方性導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149666A true JP2000149666A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18151775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10323161A Pending JP2000149666A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 異方性導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281054A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Nec Corp | 電子部品実装構造体およびその製造方法 |
| US7514045B2 (en) | 2002-01-18 | 2009-04-07 | Avery Dennison Corporation | Covered microchamber structures |
| JP2019160928A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | 日本電気株式会社 | 回路基板、基板接続構造、及び回路基板の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10323161A patent/JP2000149666A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7514045B2 (en) | 2002-01-18 | 2009-04-07 | Avery Dennison Corporation | Covered microchamber structures |
| JP2007281054A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Nec Corp | 電子部品実装構造体およびその製造方法 |
| JP4735378B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2011-07-27 | 日本電気株式会社 | 電子部品実装構造体およびその製造方法 |
| JP2019160928A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | 日本電気株式会社 | 回路基板、基板接続構造、及び回路基板の製造方法 |
| JP7139629B2 (ja) | 2018-03-09 | 2022-09-21 | 日本電気株式会社 | 回路基板、基板接続構造、及び回路基板の製造方法 |
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