JP2000149230A - Thin film magnetic head and its manufacture - Google Patents

Thin film magnetic head and its manufacture

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JP2000149230A
JP2000149230A JP10311637A JP31163798A JP2000149230A JP 2000149230 A JP2000149230 A JP 2000149230A JP 10311637 A JP10311637 A JP 10311637A JP 31163798 A JP31163798 A JP 31163798A JP 2000149230 A JP2000149230 A JP 2000149230A
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JP
Japan
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layer
magnetic
thin
magnetic head
film
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JP10311637A
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Japanese (ja)
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Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
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TDK Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal. SOLUTION: A magnetic layer 29 is provided between the lower and the upper shield 24, 34 so as to cover at least a GMR(giant magnetic resistance) layer 26, the first and the second conductive layer 32a is provided within the film thickness of this magnetic layer 29 through thick film insulating layers 30, 33, and these first and second conductive layers are connected to both ends of the GMR layer 26 through the first and the second drawer electrode layer 27a, 27b. The other end of the first and the second conductive layer is connected to the contact pad to be connected to an external circuit through the conductor layer 38a which is integrally formed with the upper shield 34, and through the conductor layers 51a, 52a which are simultaneously formed with thin film coils 40, 42.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも読み取
り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを具える薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法に関するものであり、特に読
み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書き込み
用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層した状態で基体によ
り支持した複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head having at least a read magnetoresistive thin film magnetic head and a method for manufacturing the same, and more particularly to a read magnetoresistive thin film magnetic head, The present invention relates to a composite thin-film magnetic head in which an inductive thin-film magnetic head for writing is supported by a substrate in a state of being stacked, and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴い、複合型薄膜磁気ヘッドについてもその性
能向上が求められている。複合型薄膜磁気ヘッドとし
て、書き込みを目的とする誘導型の薄膜磁気ヘッドと、
読み出しを目的とする磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド
とを、基体上に積層した構造を有するものが提案され、
実用化されている。読み取り用の磁気抵抗素子として
は、通常の異方性磁気抵抗(AMR：Anisotropic Magneto
Resistive)効果を用いたものが従来一般に使用されてき
たが、これよりも抵抗変化率が大きく、AMR 素子に比べ
て３〜５倍も大きな出力が得られる巨大磁気抵抗(GMR：
Giant Magneto Resistive)効果を用いたものも開発され
ている。本明細書では、これらＡＭＲ素子およびＧＭＲ
素子を総称して磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドまたは簡
単にMR再生素子と称することにする。2. Description of the Related Art In recent years, as the areal recording density of a hard disk drive has been improved, the performance of a composite thin-film magnetic head has also been required to be improved. As a composite type thin film magnetic head, an inductive type thin film magnetic head for the purpose of writing,
A type having a structure in which a magnetoresistive thin-film magnetic head for reading is stacked on a base has been proposed,
Has been put to practical use. As a reading magnetoresistive element, a normal anisotropic magnetoresistance (AMR) is used.
Conventionally, those using the (Resistive) effect have been used in general. However, a giant magnetoresistance (GMR:
Giant Magneto Resistive) has also been developed. In this specification, these AMR element and GMR
The elements are collectively referred to as a magnetoresistive thin-film magnetic head or simply an MR reproducing element.

【０００３】ＡＭＲ素子を使用することにより、数ギガ
ビット／インチ2 の面記録密度を実現することができ、
またＧＭＲ素子を使用することにより、さらに面記録密
度を上げることができる。このように面記録密度を高く
することによって、１０Ｇバイト以上の大容量のハード
ディスク装置の実現が可能となってきている。By using an AMR element, a surface recording density of several gigabits / inch 2 can be realized.
The use of the GMR element can further increase the areal recording density. By increasing the areal recording density in this way, a hard disk device having a large capacity of 10 Gbytes or more can be realized.

【０００４】一般的に、ＭＲ膜は磁気抵抗効果を示す磁
性体を膜にしたもので、単層構造となっている。これに
対して、多くのＧＭＲ膜は複数の膜を組み合わせた多層
構造となっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズムは
幾つかの種類があり、メカニズムによってＧＭＲ膜の構
造が異なっている。具体的には超格子ＧＭＲ膜やグラニ
ユラ膜やスピンバルブ膜がある。特にスピンバルブ膜は
比較的構造が単純で、量産に適しており、弱い磁界で大
きな抵抗の変化を示す。また、スピンバルブ膜は、量産
に適したＧＭＲ膜である。[0004] Generally, the MR film is made of a magnetic material having a magnetoresistive effect and has a single-layer structure. On the other hand, many GMR films have a multilayer structure in which a plurality of films are combined. There are several types of mechanisms that cause the GMR effect, and the structure of the GMR film differs depending on the mechanism. Specifically, there are a superlattice GMR film, a granular film, and a spin valve film. In particular, the spin valve film has a relatively simple structure, is suitable for mass production, and shows a large change in resistance with a weak magnetic field. The spin valve film is a GMR film suitable for mass production.

【０００５】このように、高い面記録密度を達成できる
読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドとしてはＡ
ＭＲ膜の代わりにＧＭＲ膜を採用することによって容易
に実現できる。一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、
記録ヘッドの性能向上も求められている。面記録密度を
上げるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げ
る必要がある。このためには、エアベアリング面におけ
るライトギャップ（write gap)の幅を数ミクロンからサ
ブミクロンオーダーまで狭くする必要があり、これを達
成するために半導体加工技術が利用されている。[0005] As described above, a magnetoresistive thin film magnetic head for reading which can achieve a high areal recording density is A
It can be easily realized by employing a GMR film instead of the MR film. On the other hand, with the performance improvement of the read head,
There is also a demand for improved recording head performance. To increase the areal recording density, it is necessary to increase the track density in the magnetic recording medium. For this purpose, it is necessary to reduce the width of a write gap on the air bearing surface from a few microns to a submicron order, and semiconductor processing technology is used to achieve this.

【０００６】図１〜８に、従来の標準的な複合型薄膜磁
気ヘッドの順次の製造工程をし、各図においてＡは薄膜
磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面図、Ｂは磁
極部分のエアベアリング面に平行な断面図である。なお
この例の複合型薄膜磁気ヘッドは、基体の上に読取用の
ＧＭＲ再生素子を設け、その上に書き込み用の誘導型薄
膜磁気ヘッドを積層したものである。また、実際の薄膜
磁気ヘッドの製造においては、ウエファに多数の薄膜磁
気ヘッドを同時に形成するようにしているので、製造途
中では個々の薄膜磁気ヘッドの端面は現れないが、図面
を明瞭とするために端面を示している。FIGS. 1 to 8 show sequential steps of manufacturing a conventional standard composite type thin film magnetic head. In each figure, A is a sectional view perpendicular to the air bearing surface of the thin film magnetic head, and B is a magnetic pole portion. It is sectional drawing parallel to an air bearing surface. The composite type thin-film magnetic head of this example has a GMR reproducing element for reading provided on a base, and an inductive thin-film magnetic head for writing is laminated thereon. Also, in the actual manufacture of a thin-film magnetic head, a large number of thin-film magnetic heads are formed simultaneously on a wafer, so that the end faces of the individual thin-film magnetic heads do not appear during the manufacturing process. Shows the end face.

【０００７】まず、図１に示すように、例えばアルティ
ック(AlTiC) からなる基体１の上に例えばアルミナ(Al2
O3) からなる絶縁層２を約５〜10μm の厚みに堆積し、
さらにその上に、再生用のＧＭＲ素子を外部磁界の影響
から保護するための一方の磁気シールドを構成する第１
の磁性層３を２〜３μm の厚みで形成する。First, as shown in FIG. 1, alumina (Al 2 O 3) is formed on a substrate 1 made of, for example, AlTiC (AlTiC).
O 3 ) is deposited to a thickness of about 5 to 10 μm,
A first magnetic shield for protecting the reproducing GMR element from the influence of an external magnetic field is further provided thereon.
Is formed with a thickness of 2 to 3 .mu.m.

【０００８】その後、図２に示すように、第１のシール
ドギャップ層４として、アルミナを50 〜100 nmの厚み
でスパッタ堆積させた後、ＧＭＲ再生素子を構成する多
層構造の磁気抵抗層５を１０nm以下の厚みに形成する。
さらに、この磁気抵抗層５を所望のパターンに形成する
ためにその上にフォトレジスト層６を選択的に形成す
る。この際、フォトレジスト膜６はリフトオフを容易に
行えるような形状、例えばＴ型に形成する。次に、フォ
トレジスト膜６をマスクとしてイオンミリングを施して
磁気抵抗層５を所定のパターンに形成する。After that, as shown in FIG. 2, as a first shield gap layer 4, alumina is sputter-deposited to a thickness of 50 to 100 nm, and a magnetoresistive layer 5 having a multilayer structure constituting a GMR reproducing element is formed. It is formed to a thickness of 10 nm or less.
Further, a photoresist layer 6 is selectively formed thereon to form the magnetoresistive layer 5 in a desired pattern. At this time, the photoresist film 6 is formed in a shape that can easily lift off, for example, T-shaped. Next, ion milling is performed using the photoresist film 6 as a mask to form the magnetoresistive layer 5 in a predetermined pattern.

【０００９】次に、同じフォトレジスト膜６をマスクと
して用いて第１および第２の導電層７ａおよび７ｂを数
十nmの膜厚に形成した様子を図３に示す。これらの導電
層７ａ，７ｂは、例えばTiW/CoPt/TiW/Ta の積層体を以
て形成する。次いで、リフトオフプロセスによってフォ
トレジスト膜６を除去した状態を図４および５に示す。
図４Ｂおよび５に示すように、第１および第２の導電層
７ａおよび７ｂの一端は、磁気抵抗層５の両端にそれぞ
れ接続されている。また、図５から明らかなように、図
４Ａの断面図は、磁気抵抗層５の中心を通り、エアベア
リング面に垂直な平面に沿って切ったものではなく、僅
かに第１の導電層７ａ側に寄った平面で切ったものであ
る。Next, FIG. 3 shows a state in which the first and second conductive layers 7a and 7b are formed to a thickness of several tens of nm using the same photoresist film 6 as a mask. These conductive layers 7a and 7b are formed, for example, with a laminate of TiW / CoPt / TiW / Ta. Next, FIGS. 4 and 5 show a state where the photoresist film 6 is removed by a lift-off process.
4B and 5, one ends of the first and second conductive layers 7a and 7b are connected to both ends of the magnetoresistive layer 5, respectively. As is clear from FIG. 5, the cross-sectional view of FIG. 4A is not cut along a plane passing through the center of the magnetoresistive layer 5 and perpendicular to the air bearing surface, but is slightly cut off from the first conductive layer 7a. It is cut by a plane that is close to the side.

【００１０】続いて、図６に示すように、再度、アルミ
ナより成る第２のシールドギャップ層８を50〜150 nmの
膜厚に形成して、磁気抵抗層５を第１および第２のシー
ルドギャップ層４、８内に埋設し、さらにパーマロイよ
りなる第２の磁性層９を２〜３μm の膜厚に形成する。
この第２の磁性層９は、上述した第１の磁性層３と共に
ＧＭＲ再生素子を磁気遮蔽する他方のシールドとしての
機能を有するだけでなく、書き込み用薄膜磁気ヘッドの
一方のポールとしての機能をも有するものである。Subsequently, as shown in FIG. 6, a second shield gap layer 8 made of alumina is formed again to a thickness of 50 to 150 nm, and the magnetoresistive layer 5 is formed with the first and second shields. A second magnetic layer 9 made of permalloy is buried in the gap layers 4 and 8 and formed to a thickness of 2 to 3 μm.
The second magnetic layer 9 has not only a function as the other shield for magnetically shielding the GMR reproducing element together with the above-mentioned first magnetic layer 3, but also a function as one pole of the thin-film magnetic head for writing. It also has

【００１１】次いで、図７に示すように、第２の磁性層
９の上に、非磁性材料、例えばアルミナよりなるライト
ギャップ層１０を約200 〜300 nmの膜厚に形成した後、
薄膜コイルを形成すべき部分の上にフォトレジストより
成る絶縁層１１を所定のパターンにしたがってほぼ１〜
２μm の膜厚に形成し、その上に３μm の膜厚の第１層
目の薄膜コイル１２をフォトレジスト膜１３によって絶
縁分離した状態で形成する。さらに、加熱処理を施して
第１層目の薄膜コイル１２を覆うフォトレジストより成
る絶縁層１３の表面を平坦化した後、同じく３μm の膜
厚の第２層目の薄膜コイル１４をフォトレジストより成
る絶縁層１５で絶縁分離して支持するように形成する。Next, as shown in FIG. 7, a write gap layer 10 made of a non-magnetic material, for example, alumina is formed on the second magnetic layer 9 to a thickness of about 200 to 300 nm.
An insulating layer 11 made of a photoresist is formed on a portion where a thin-film coil is to be formed by approximately 1 to 3 according to a predetermined pattern.
A first thin-film coil 12 having a thickness of 3 μm is formed thereon in a state of being insulated and separated by a photoresist film 13. Further, after performing a heat treatment to flatten the surface of the insulating layer 13 made of photoresist covering the first layer thin film coil 12, the second layer thin film coil 14 having the same thickness of 3 μm is also removed from the photoresist. It is formed so as to be insulated and supported by the insulating layer 15.

【００１２】そして、熱処理を施して第２層目の薄膜コ
イル１４を覆うフォトレジストより成る絶縁層１５を平
坦化した後、図８に示すように第３の磁性層１６を所定
のパターンにしたがって形成し、最後に図９に示すよう
に全体の上にアルミナよりなるオーバーコート層１７を
２０〜３０μm の膜厚に形成する。第３の磁性層１６は
飽和磁束密度の高いパーマロイまたはFeN などで形成さ
れている。After the heat treatment is performed to flatten the insulating layer 15 made of photoresist covering the second layer thin film coil 14, the third magnetic layer 16 is formed according to a predetermined pattern as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 9, an overcoat layer 17 made of alumina is finally formed on the whole to a thickness of 20 to 30 .mu.m. The third magnetic layer 16 is made of permalloy or FeN having a high saturation magnetic flux density.

【００１３】最後に、磁気抵抗層５やライトギャップ層
１０を形成した側面を研磨して、磁気記録媒体と対向す
るエアベアリング面(Air Bearing Surface：ABS)１８を
形成する。このエアベアリング面１８の形成過程におい
て磁気抵抗層５も研磨され、ＧＭＲ再生素子１９が得ら
れる。Finally, the side surface on which the magnetoresistive layer 5 and the write gap layer 10 are formed is polished to form an air bearing surface (ABS) 18 facing the magnetic recording medium. In the process of forming the air bearing surface 18, the magnetoresistive layer 5 is also polished, and the GMR reproducing element 19 is obtained.

【００１４】このようにして磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドおよび誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜
磁気ヘッドが得られるが、ＧＭＲ再生素子のＭＲハイト
ＭＲＨはエアベアリング面１８から磁気抵抗層のエアベ
アリング面とは反対側のエッジまでの距離として規定さ
れ、誘導型薄膜磁気ヘッドのスロートハイトＴＨは、エ
アベアリング面１８から絶縁層１１のエアベアリング面
側の側縁までの距離として規定される。実際の薄膜磁気
ヘッドにおいては、薄膜コイル１２、１４およびＧＭＲ
再生素子１９に接続された第１および第２の導電層７ａ
および７ｂを外部へ電気的に接続するためのパッドが基
板の側面に形成されているが、図面では省略してある。In this way, a composite type thin film magnetic head in which the magnetoresistive effect type thin film magnetic head and the inductive type thin film magnetic head are laminated can be obtained. The throat height TH of the inductive thin-film magnetic head is defined as the distance from the air bearing surface to the edge opposite to the air bearing surface, and is defined as the distance from the air bearing surface 18 to the side edge of the insulating layer 11 on the air bearing surface side. . In an actual thin film magnetic head, thin film coils 12, 14 and GMR
First and second conductive layers 7a connected to read element 19
And 7b are formed on the side surface of the substrate for electrical connection to the outside, but are omitted in the drawing.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の複合型
薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗層５に接続された
第１および第２の導電層７ａおよび７ｂが、きわめて薄
いシールドギャップ層４および８を介して下部シールド
を構成する第１の磁性層３および上部シールドを構成す
る第２の磁性層９と広い面積に亘って対向しているた
め、これらの導電層と磁性層との間の電気的な絶縁性を
良好に維持することが困難となる問題がある。このよう
にシールドギャップ層４および８の絶縁性に問題がある
ため、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの製造の歩留りは低
かった。In the above-mentioned conventional composite type thin film magnetic head, the first and second conductive layers 7a and 7b connected to the magnetoresistive layer 5 have extremely thin shield gap layers 4 and 8 respectively. The first magnetic layer 3 forming the lower shield and the second magnetic layer 9 forming the upper shield are opposed to each other over a wide area through the intermediary of the first magnetic layer 3. There is a problem that it is difficult to maintain good electrical insulation. Because of the problem with the insulating properties of the shield gap layers 4 and 8 as described above, the production yield of the conventional composite type thin film magnetic head was low.

【００１６】上述したシールドギャップ層４および８の
絶縁性を向上するために、その膜厚を厚くすることが考
えられる。しかし、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの性
能向上に伴って問題となるサーマルアスピリティの観点
からはシールドギャップ層の膜厚はできるだけ薄くする
ことが要求されており、シールドギャップ層の膜厚を厚
くして上述した絶縁性の問題を解決することができな
い。In order to improve the insulation properties of the shield gap layers 4 and 8, the thickness may be increased. However, the thickness of the shield gap layer is required to be as thin as possible from the viewpoint of thermal aspirity, which is a problem with the performance improvement of the magnetoresistive thin-film magnetic head, and the thickness of the shield gap layer must be increased. As a result, the above-mentioned problem of insulation cannot be solved.

【００１７】すなわち、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
においては、再生時の自己発熱によって再生特性が劣化
するというサーマルアスピリティの問題を克服するため
に、下部シールドを構成する第１の磁性層３を、冷却効
率の優れたパーマロイやセンダストなどの磁性材料で形
成するとともに、第１および第２のシールドギャップ層
４および８はアルミナをスパッタリングにより５０〜１
００ｎｍといったきわめて薄い膜厚で形成する必要があ
り、シールドギャップ層の膜厚を厚くすることはできな
い。That is, in the magnetoresistive thin-film magnetic head, the first magnetic layer 3 constituting the lower shield is provided in order to overcome the problem of thermal aspirity, in which reproduction characteristics deteriorate due to self-heating during reproduction. The first and second shield gap layers 4 and 8 are formed of a magnetic material such as Permalloy or Sendust having excellent cooling efficiency, and the first and second shield gap layers 4 and 8 are formed by sputtering alumina to 50 to 1 mm.
It is necessary to form the shield gap layer with a very small thickness such as 00 nm, and the thickness of the shield gap layer cannot be increased.

【００１８】さらに、ＧＭＲ再生素子１９などの磁気抵
抗効果型再生素子においては、出力特性を向上するため
には、第１および第２の導電層７ａおよび７ｂの抵抗を
低くすることが求められているが、このように導電層の
抵抗を低くすることは上述したサーマルアスピリティの
問題を解決する上でも有利である。第１および第２の導
電層７ａおよび７ｂの抵抗を低くするためには、その膜
厚を厚くすることが考えられる。しかしながら、高い面
記録密度を得るとともに高い効率を実現するためには微
細化が必要であり、その観点から導電層の膜厚を厚くす
るには限界がある。Further, in the magnetoresistive effect reproducing element such as the GMR reproducing element 19, it is required to lower the resistance of the first and second conductive layers 7a and 7b in order to improve the output characteristics. However, reducing the resistance of the conductive layer in this way is also advantageous in solving the above-described problem of thermal aspirity. In order to lower the resistance of the first and second conductive layers 7a and 7b, it is conceivable to increase the film thickness. However, miniaturization is required to achieve high areal recording density and high efficiency, and there is a limit to increasing the thickness of the conductive layer from that viewpoint.

【００１９】このように、サーマルアスピリティの問題
を解決すると同時に、ＧＭＲ再生素子１９の導電層７ａ
および７ｂと、第１および第２の磁性層３および９との
間の絶縁不良を改善し、さらに導電層の抵抗を下げるた
めに、特開平９−３１２００６号公報の図３には、磁気
抵抗素子に対するリードを構成する導電層を、エアベア
リング面近傍の磁極部分では薄く形成し、それ以外の領
域では厚く形成することが提案されている。しかしなが
ら、導電層をこのように段付き構造とすると、その上に
形成される第２のシールドギャップ層が正確に形成でき
ず、上部シールドとの間に良好な絶縁を得ることができ
ない。As described above, while solving the problem of thermal aspirity, the conductive layer 7a of the GMR read element 19
In order to improve the insulation failure between the first and second magnetic layers 3 and 9 and to further reduce the resistance of the conductive layer, FIG. It has been proposed that a conductive layer constituting a lead for an element be formed thinner in a magnetic pole portion near an air bearing surface and thicker in other regions. However, if the conductive layer has such a stepped structure, the second shield gap layer formed thereon cannot be formed accurately, and good insulation cannot be obtained between the conductive layer and the upper shield.

【００２０】さらに、上述した公報には、このような問
題を解決するために、下部シールドをエアベアリング面
近傍にのみ設け、その後方に厚い導電層を設けて表面を
平坦とし、この厚い導電層を平坦な表面に形成された薄
い導電層を介して磁気抵抗素子に接続した構造が提案さ
れている。このような構造によれば、導電層に上述した
ような段差は形成されず、その表面はほぼ平坦となるの
で、上部シールドギャップ層の膜厚を薄くしても導電層
と上部シールドとの間の絶縁特性の劣化は生じないとと
もに導電層の大部分の膜厚を厚くすることができるの
で、抵抗を低くすることができる。Further, in order to solve such a problem, the above-mentioned publication discloses that a lower shield is provided only near the air bearing surface, and a thick conductive layer is provided behind the lower shield to flatten the surface. Is connected to a magnetoresistive element via a thin conductive layer formed on a flat surface. According to such a structure, the steps described above are not formed in the conductive layer, and the surface thereof is substantially flat. Therefore, even if the thickness of the upper shield gap layer is reduced, the gap between the conductive layer and the upper shield is reduced. In this case, the insulation characteristics are not deteriorated, and the thickness of most of the conductive layer can be increased, so that the resistance can be reduced.

【００２１】しかしながら、上述した特開平９−３１２
００６号公報に記載された複合型薄膜磁気ヘッドでは、
下部シールドがエアベアリング面の近傍だけにしか形成
されていないので、十分良好な磁気シールド効果を得る
ことができないという問題がある。微小な磁気抵抗素子
の出力信号を正確に読み取るためには、インダクティブ
コイルやハードディスクモータなどから生じる外部磁界
の影響によるノイズをできるだけ低減する必要がある
が、上述したように下部シールドをエアベアリング面近
傍だけに設けたのではこのようなノイズを十分に抑圧す
ることができず、再生信号を正確に読み出すことができ
ない。However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-312
In the composite type thin film magnetic head described in Japanese Patent Publication No. 006,
Since the lower shield is formed only near the air bearing surface, there is a problem that a sufficiently good magnetic shield effect cannot be obtained. In order to accurately read the output signal of the minute magnetoresistive element, it is necessary to reduce the noise due to the external magnetic field generated by the inductive coil or the hard disk motor as much as possible. In such a case, such noise cannot be sufficiently suppressed, and the reproduced signal cannot be accurately read.

【００２２】さらに、磁気抵抗膜と膜厚の厚い導電層と
は膜厚が薄く、したがって抵抗値の高い導電層を介して
電気的に接続されているので、この膜厚の薄い導電層の
部分での発熱の問題が依然として解決されていない。こ
の膜厚の薄い導電層は磁気抵抗膜に隣接しているので、
その発熱の影響は大きなものとなる。Further, since the magnetoresistive film and the thick conductive layer are electrically connected to each other via the conductive layer having a small thickness and a high resistance value, a portion of the conductive layer having the small thickness is used. The problem of fever at the site has not been solved. Since this thin conductive layer is adjacent to the magnetoresistive film,
The effect of the heat generation is great.

【００２３】本発明の目的は、上述した従来の複合型薄
膜磁気ヘッドおよびその製造方法の種々の問題点を、解
決もしくは軽減できる複合型薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法を提供しようとするものである。すなわち、本
発明の目的は、シールドギャップ層の膜厚を薄くしてサ
ーマルアスピリティの問題を解決すると同時に、磁気抵
抗素子の導電層とシールドとの間の絶縁特性を向上し、
しかも導電層の抵抗を低くして再生特性の向上を図るこ
とができる複合型薄膜磁気ヘッドおよびそのような複合
型薄膜磁気ヘッドを高い歩留りで効率よく製造すること
ができる方法を提供しようとするものである。An object of the present invention is to provide a composite thin-film magnetic head and a method of manufacturing the same which can solve or alleviate various problems of the conventional composite thin-film magnetic head and the method of manufacturing the same. . That is, the object of the present invention is to solve the problem of thermal aspirity by reducing the thickness of the shield gap layer, and at the same time, to improve the insulation properties between the conductive layer of the magnetoresistive element and the shield,
In addition, an object of the present invention is to provide a composite thin-film magnetic head capable of improving the reproduction characteristics by lowering the resistance of the conductive layer and a method capable of efficiently manufacturing such a composite thin-film magnetic head with a high yield. It is.

【００２４】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明による薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの一方および他
方のシールドをそれぞれ構成し、いずれか一方がエアベ
アリング面から延在する厚膜部分と、この厚膜部分から
後方へ延在する薄膜部分とを有する第１および第２の磁
性部材と、これら第１および第２の磁性部材のいずれか
一方の厚膜部分と他方の磁性部材との間に設けられた第
１および第２のシールドギャップ層と、これら第１およ
び第２のシールドギャップ層間に埋設するように配置さ
れた磁気抵抗層と、この磁気抵抗層を外部回路に接続す
るための電気的接続部材と、を具え、前記電気的接続部
材が、前記いずれか一方の磁性部材の薄膜部分と、他方
の磁性部材との間に、それぞれ前記第１および第２のシ
ールドギャップ層よりも膜厚の厚い第１および第２の絶
縁層を介して延在させた第１および第２の導電層を有す
ることを特徴とするものである。A thin-film magnetic head according to the present invention comprises one and the other shields of a magnetoresistive thin-film magnetic head, one of which has a thick film portion extending from an air bearing surface. A first and second magnetic member having a thin film portion extending rearward from the thick film portion, and a thick film portion of one of the first and second magnetic members and the other magnetic member. First and second shield gap layers provided therebetween, a magnetoresistive layer disposed so as to be buried between the first and second shield gap layers, and a connection of the magnetoresistive layer to an external circuit. The first and second shield gap layers, respectively, between the thin film portion of one of the magnetic members and the other magnetic member. It is characterized in that it has a first and second conductive layers extend over the Rimomaku thick first and second insulating layers thick.

【００２５】また本発明は、読み取り用の磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッ
ドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドであって、絶縁材
料よりなり、エアベアリング面を規定する端面を有する
基体と、この基体によって支持され、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの一方のシールドを構成するように前記エ
アベアリング面から後方へ延在する第１の磁性層と、こ
の第１の磁性層の、前記基体とは反対側の面に、前記エ
アベアリング面から延在するように形成された第１のシ
ールドギャップ層と、この第１のシールドギャップ層
の、前記第１の磁性層とは反対側の面に、前記エアベア
リング面から後方へ延在するように形成された磁気抵抗
層と、この磁気抵抗層の、前記第１のシールドギャップ
層とは反対側の面に、第１のシールドギャップ層と共に
前記磁気抵抗層を埋設するようにエアベアリング面から
延在するように形成された第２のシールドギャップ層
と、前記磁気抵抗層を、外部回路に接続するための電気
的接続部材と、前記第２のシールドギャップ層の、前記
磁気抵抗層とは反対側の面に、磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの他方のシールドを構成するように前記エアベア
リング面から前記磁気抵抗層のほぼ後端縁まで延在する
ように形成された第２の磁性層と、この第２の磁性層
の、前記第２のシールドギャップ層とは反対側の面に、
第２の磁性層と共に磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの他
方のシールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気ヘッド
の一方のポールを構成するようにエアベアリング面から
延在するように形成された第３の磁性層と、この第３の
磁性層の少なくとも磁極部分の、前記第２の磁性層とは
反対側の面に、エアベアリング面から延在するように形
成されたライトギャップ層と、エアベアリング面を含む
磁極部分において前記ライトギャップ層を介して前記第
３の磁性層と対向し、エアベアリング面から遠い位置に
おいて第３の磁性層と磁気的に結合され、前記誘導型薄
膜磁気ヘッドの他方のポールを構成する第４の磁性部材
と、一部分が、前記第３および第４の磁性層によって構
成される閉磁路を通るように絶縁材料で絶縁分離された
状態で配設された薄膜コイルと、を具え、前記磁気抵抗
層に対する電気的接続部材が、前記第１の磁性層と第３
の磁性層との間に、それぞれ前記第１および第２のシー
ルドギャップ層よりも膜厚の厚い第１および第２の絶縁
層を介して前記第２の磁性層の膜厚の範囲内で延在する
第１および第２の導電層を有することを特徴とするもの
である。The present invention is also a composite thin-film magnetic head in which a magnetoresistive thin-film magnetic head for reading and an inductive thin-film magnetic head for writing are laminated, wherein the thin-film magnetic head is made of an insulating material and has an air bearing surface. A base having a defined end face; a first magnetic layer supported by the base and extending rearward from the air bearing surface so as to constitute one shield of a magnetoresistive thin-film magnetic head; A first shield gap layer formed on a surface of the magnetic layer opposite to the base so as to extend from the air bearing surface; and a first magnetic shield layer of the first shield gap layer. A magnetoresistive layer formed so as to extend rearward from the air bearing surface on a surface opposite to the layer, and a magnetoresistive layer on the surface of the magnetoresistive layer opposite to the first shield gap layer. A second shield gap layer formed so as to extend from the air bearing surface so as to bury the magnetoresistive layer together with the first shield gap layer, and an electrical connection for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit. The other shield of the magnetoresistive effect type thin-film magnetic head on the surface of the second connection gap layer opposite to the magnetoresistive layer from the air bearing surface. A second magnetic layer formed to extend substantially to the rear edge of the layer, and a surface of the second magnetic layer opposite the second shield gap layer;
A third magnetic layer formed with the second magnetic layer and extending from the air bearing surface to form the other shield of the magnetoresistive thin film magnetic head and to form one pole of the inductive thin film magnetic head. A magnetic layer, a write gap layer formed on the surface of at least the magnetic pole portion of the third magnetic layer opposite to the second magnetic layer so as to extend from the air bearing surface, and an air bearing surface. At the magnetic pole portion including the write gap layer, facing the third magnetic layer via the write gap layer, and magnetically coupled to the third magnetic layer at a position distant from the air bearing surface. A fourth magnetic member forming a pole and a portion thereof are disposed in a state of being insulated and separated by an insulating material so as to pass through a closed magnetic path formed by the third and fourth magnetic layers. Comprising a film coil, the electrical connection member with respect to the magneto-resistive layer, said first magnetic layer and the third
Between the first magnetic layer and the second magnetic layer through the first and second insulating layers having a thickness larger than that of the first and second shield gap layers, respectively, within the range of the thickness of the second magnetic layer. And a first conductive layer and a second conductive layer.

【００２６】さらに本発明は、読み取り用の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘ
ッドとを積層した複合型薄膜磁気ヘッドであって、絶縁
材料よりなり、エアベアリング面を規定する端面を有す
る基体と、この基体によって支持され、磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドの一方のシールドを構成するように前記
エアベアリング面から延在する第１の磁性層と、この第
１の磁性層の、前記基体によって支持された面とは反対
側の面に、前記エアベアリング面からほぼ磁極部分の後
端まで延在するように形成された第２の磁性層と、少な
くともこの第２の磁性層の、前記第１の磁性層とは反対
側の面に、エアベアリング面から延在するように形成さ
れた第１のシールドギャップ層と、この第１のシールド
ギャップ層の、前記第２の磁性層とは反対側の面に、エ
アベアリング面から後方へ延在するが、前記第２の磁性
層の後端を越えることがないように形成された磁気抵抗
層と、少なくもこの磁気抵抗層の、前記第１のシールド
ギャップ層とは反対側の面に、第１のシールドギャップ
層と共に前記磁気抵抗層を埋設するようにエアベアリン
グ面から延在するように形成された第２のシールドギャ
ップ層と、前記磁気抵抗層を、外部回路に接続するため
の電気的接続部材と、前記第２のシールドギャップ層
の、前記磁気抵抗層とは反対側の面に、前記エアベアリ
ング面から前記磁気抵抗層の後端を越えて延在し、磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの他方のシールドを構成する
とともに誘導型薄膜磁気ヘッドの一方のポールを構成す
るように形成された第３の磁性層と、この第３の磁性層
の少なくとも磁極部分の、前記第２の磁性層とは反対側
の面に、エアベアリング面から延在するように形成され
たライトギャップ層と、エアベアリング面を含む磁極部
分において前記ライトギャップ層を介して前記第３の磁
性層と対向し、エアベアリング面から遠い位置において
第３の磁性層と磁気的に結合され、誘導型薄膜磁気ヘッ
ドの他方のポールを構成する第４の磁性層と、一部分
が、前記第３および第４の磁性層によって構成される閉
磁路を通るように絶縁材料で絶縁分離された状態で配設
された薄膜コイルと、を具え、前記磁気抵抗層に対する
電気的接続部材が、前記第１の磁性層と第３の磁性層と
の間に、それぞれ前記第１および第２のシールドギャッ
プ層よりも膜厚の厚い第１および第２の絶縁層を介して
前記第２の磁性層の膜厚の範囲内で延在する第１および
第２の導電層を設けたことを特徴とするものである。Further, the present invention is a composite thin film magnetic head in which a magnetoresistive thin film magnetic head for reading and an inductive thin film magnetic head for writing are laminated, wherein the composite thin film magnetic head is made of an insulating material and has an air bearing surface. A base having a defined end face, a first magnetic layer supported by the base and extending from the air bearing surface so as to constitute one shield of a magnetoresistive thin film magnetic head; A second magnetic layer formed on the surface of the layer opposite to the surface supported by the base, so as to extend from the air bearing surface to substantially the rear end of the pole portion; and at least the second magnetic layer. A first shield gap layer formed so as to extend from the air bearing surface on a surface of the magnetic layer opposite to the first magnetic layer, and a first shield gap layer formed in front of the first shield gap layer; A magnetoresistive layer formed on the surface opposite to the second magnetic layer so as to extend rearward from the air bearing surface but not to exceed the rear end of the second magnetic layer; On a surface of the magnetoresistive layer opposite to the first shield gap layer, a first shield gap layer is formed so as to extend from the air bearing surface so as to embed the magnetoresistive layer together with the first shield gap layer. A shield gap layer, an electrical connection member for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit, and an air bearing on a surface of the second shield gap layer opposite to the magnetoresistive layer. A third surface extending beyond the rear end of the magnetoresistive layer and constituting the other shield of the magnetoresistive thin-film magnetic head and one pole of the inductive thin-film magnetic head; A magnetic layer of A write gap layer formed to extend from the air bearing surface on at least a surface of the third magnetic layer opposite to the second magnetic layer, the magnetic pole portion including an air bearing surface; At a position opposite to the third magnetic layer via the write gap layer and magnetically coupled to the third magnetic layer at a position distant from the air bearing surface to form the other pole of the inductive thin film magnetic head. And a thin-film coil partially disposed insulated by an insulating material so as to pass through a closed magnetic circuit formed by the third and fourth magnetic layers. An electrical connection member for the resistance layer is provided between the first magnetic layer and the third magnetic layer, the first and second insulating layers having a thickness greater than the first and second shield gap layers, respectively. Through the layers The present invention is characterized in that first and second conductive layers extending within the range of the thickness of the second magnetic layer are provided.

【００２７】上述したような本発明による薄膜磁気ヘッ
ドや複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗層を外
部回路へ接続するための電気接続部材の大部分を構成す
る第１および第２の導電層は、下部シールドの少なくと
も一部分を構成する第１の磁性層と上部シールドの少な
くとも一部分を構成する第３の磁性層との間に厚い絶縁
層を介して配設されるので絶縁不良の問題は起こらない
とともにこれらの導電層の膜厚を十分厚くできるので抵
抗を低くすることができ、磁気抵抗層の微小な出力信号
を正確に読み取ることができる。さらに、磁気抵抗層は
膜厚の薄い第１および第２のシールドギャップ層内に埋
設されているのでサーマルアスピリティの問題も起こら
ない。In the above-described thin film magnetic head and composite thin film magnetic head according to the present invention, the first and second conductive layers constituting most of the electric connection members for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit. Is disposed between the first magnetic layer constituting at least a part of the lower shield and the third magnetic layer constituting at least a part of the upper shield with a thick insulating layer interposed therebetween. In addition, since the thickness of these conductive layers can be sufficiently increased, the resistance can be reduced, and a minute output signal of the magnetoresistive layer can be accurately read. Further, since the magnetoresistive layer is buried in the first and second shield gap layers having a small thickness, there is no problem of thermal aspirity.

【００２８】本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、
前記第１および第２の導電層の前記磁気抵抗層側の端部
を、それぞれ第１および第２の引き出し電極層を介して
磁気抵抗層の両端にそれぞれ接続するのが好適である。
これら第１および第２の引き出し電極層の各々を、TiW/
CoPt/TiW/Ta/Auの積層体で形成することができる。ま
た、第１および第２の導電層の膜厚は、第１および第２
の引き出し電極の膜厚よりも厚いが、前記一方の磁性部
材の厚膜部分と薄膜部分との段差の寸法よりも小さく
し、この段差の範囲内で延在するように形成するのが好
適である。この場合、導電層を形成や加工が容易である
とともに抵抗率の小さな銅で形成し、その膜厚を0.3 〜
0.5 μm とするのが好適である。In the thin film magnetic head according to the present invention,
It is preferable that ends of the first and second conductive layers on the side of the magnetoresistive layer are respectively connected to both ends of the magnetoresistive layer via first and second lead electrode layers.
Each of these first and second extraction electrode layers is made of TiW /
It can be formed of a laminate of CoPt / TiW / Ta / Au. The first and second conductive layers have a thickness of the first and second conductive layers.
It is preferable that the thickness is larger than the thickness of the extraction electrode, but smaller than the size of the step between the thick film portion and the thin film portion of the one magnetic member, and formed so as to extend within the range of the step. is there. In this case, the conductive layer is formed of copper, which is easy to form and process and has low resistivity, and has a thickness of 0.3 to
It is preferably 0.5 μm.

【００２９】また、本発明による、読み取り用の磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁
気ヘッドとを基体上に積層した複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、基体上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の下部シールドを構成する第１の磁性層を、後に形成さ
れるエアベアリング面から後方へ延在するように形成す
る工程と、この第１の磁性層の上に、エアベアリング面
から延在するように第１のシールドギャップ層を形成す
る工程と、この第１のシールドギャップ層上に、エアベ
アリング面から延在するように磁気抵抗層を形成する工
程と、前記第１のシールドギャップ層と相俟って前記磁
気抵抗層を埋設するようにエアベアリング面から延在す
る第２のシールドギャップ層を形成する工程と、この第
２のシールドギャップ層の上に、前記磁気抵抗層をほぼ
覆うように第２の磁性層を形成する工程と、前記第２の
シールドギャップ層の、前記第２の磁性層が形成されて
いない部分の上に第１の絶縁層を形成する工程と、この
第１の絶縁層の上に、それぞれが前記磁気抵抗層の両端
に電気的に接続される第１および第２の導電層を所定の
パターンにしたがって形成する工程と、これら第１およ
び第２の導電層の上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の磁性層および第２の絶縁層の上に、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドに対する上部磁気シールドおよび
誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを兼ねる第１の磁性
部材、ライトギャップ層、薄膜コイルおよび上部ポール
を構成する第２の磁性部材を形成して誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを形成する工程と、を具えることを特徴とするもの
である。The method of manufacturing a composite thin film magnetic head according to the present invention, in which a magnetoresistive thin film magnetic head for reading and an inductive thin film magnetic head for writing are laminated on a substrate, Forming a first magnetic layer constituting a lower shield of the magnetoresistive thin-film magnetic head so as to extend rearward from an air bearing surface to be formed later; and forming a first magnetic layer on the first magnetic layer. Forming a first shield gap layer so as to extend from the air bearing surface, forming a magnetoresistive layer on the first shield gap layer so as to extend from the air bearing surface; Forming a second shield gap layer extending from the air bearing surface so as to embed the magnetoresistive layer in cooperation with the first shield gap layer; Forming a second magnetic layer so as to substantially cover the magnetoresistive layer on the magnetic layer, and forming a second magnetic layer on the portion of the second shield gap layer where the second magnetic layer is not formed. Forming a first insulating layer, and forming, on the first insulating layer, first and second conductive layers each electrically connected to both ends of the magnetoresistive layer according to a predetermined pattern; Forming; and forming a second insulating layer on the first and second conductive layers;
A first magnetic member serving also as an upper magnetic shield for the magnetoresistive thin-film magnetic head and a lower pole of the inductive thin-film magnetic head, a write gap layer, and a thin-film coil on the second magnetic layer and the second insulating layer; And forming a second magnetic member constituting the upper pole to form an inductive thin film magnetic head.

【００３０】このような本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の好適な実施例では、前記誘導型薄膜磁
気ヘッドの下部ポールを構成する第１の磁性部材を形成
する工程が、前記第２の磁性層の表面および前記第２の
絶縁層の表面に第３の磁性層を形成する工程と、この第
３の磁性層の表面に第１のポールチップを形成する工程
とを有し、前記第２の磁性部材を形成する工程が、前記
ライトギャップ層を介して前記第１のポールチップと対
向する磁極部分を有するとともにエアベアリング面とは
反対側で前記第３の磁性層と磁気的に結合された第４の
磁性層を形成する工程とを有するものである。In a preferred embodiment of the method for manufacturing a composite type thin film magnetic head according to the present invention, the step of forming a first magnetic member constituting a lower pole of the inductive type thin film magnetic head includes the step of forming the second magnetic member. Forming a third magnetic layer on the surface of the magnetic layer and the surface of the second insulating layer, and forming a first pole tip on the surface of the third magnetic layer. The step of forming a second magnetic member has a magnetic pole portion facing the first pole tip via the write gap layer, and is magnetically coupled to the third magnetic layer on a side opposite to an air bearing surface. Forming a coupled fourth magnetic layer.

【００３１】さらに本発明は、読み取り用の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘ
ッドとを基体上に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造
する方法であって、基体上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの下部シールドを構成する第１の磁性層を、後に
形成されるエアベアリング面から後方に延在するように
形成する工程と、この第１の磁性層の上に、エアベアリ
ング面から、後に形成される磁気抵抗層の後端付近まで
延在するように第２の磁性層を形成する工程と、前記第
１の磁性層の上に第１の絶縁層を形成する工程と、この
第１の絶縁層の上に、後に形成される磁気抵抗層と電気
的に接続される第１および第２の導電層を所定のパター
ンにしたがって形成する工程と、これらの導電層の上に
第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の磁気抵抗層
および第２の絶縁層の上にエアベアリング面から延在す
るように第１のシールドギャップ層を形成する工程と、
この第１のシールドギャップ層の前記第２の磁性層を覆
う部分の上に、エアベアリング面から延在するように磁
気抵抗層を形成する工程と、前記第１のシールドギャッ
プ層と相俟って前記磁気抵抗層を埋設するようにエアベ
アリング面から延在する第２のシールドギャップ層を形
成する工程と、前記第２のシールドギャップ層上に、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに対する上部磁気シールド
および誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを兼ねる第１
の磁性部材、ライトギャップ層、薄膜コイルおよび上部
ポールを構成する第２の磁性部材を形成して誘導型薄膜
磁気ヘッドを形成する工程と、を具えることを特徴とす
るものである。Further, the present invention relates to a method of manufacturing a composite thin film magnetic head in which a magnetoresistive thin film magnetic head for reading and an inductive thin film magnetic head for writing are laminated on a substrate. Forming a first magnetic layer constituting a lower shield of the magnetoresistive thin-film magnetic head so as to extend rearward from an air bearing surface formed later; and forming a first magnetic layer on the first magnetic layer. Forming a second magnetic layer so as to extend from the air bearing surface to the vicinity of the rear end of the magnetoresistive layer to be formed later; and forming a first insulating layer on the first magnetic layer. Forming, and forming, on the first insulating layer, first and second conductive layers electrically connected to a magnetoresistive layer to be formed later according to a predetermined pattern; Form a second insulating layer on the conductive layer A step of, forming a first shield gap layer so as to extend from the air bearing surface on said second magnetoresistive layer and the second insulating layer,
Forming a magnetoresistive layer on the portion of the first shield gap layer covering the second magnetic layer so as to extend from the air bearing surface; and cooperating with the first shield gap layer. Forming a second shield gap layer extending from the air bearing surface so as to bury the magnetoresistive layer, and forming an upper magnetic shield for the magnetoresistive thin film magnetic head on the second shield gap layer. And the first pole also serving as the lower pole of the inductive thin film magnetic head
Forming a magnetic member, a write gap layer, a thin-film coil, and a second magnetic member constituting an upper pole to form an inductive type thin-film magnetic head.

【００３２】このような本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の好適な実施例においては、前記誘導型
薄膜磁気ヘッドの下部ポールを構成する第１の磁性部材
を形成する工程が、前記第２の磁性層の表面および前記
第２の絶縁層の表面に第３の磁性層を形成する工程と、
この第３の磁性層の表面に第１のポールチップを形成す
る工程とを有し、前記第２の磁性部材を形成する工程
が、前記ライトギャップ層を介して前記第１のポールチ
ップと対向するように第２のポールチップを形成する工
程と、この第２のポールチップと磁気的に結合するとと
もにエアベアリング面とは反対側で前記第３の磁性層と
磁気的に結合された第４の磁性層を形成する工程とを有
するものである。In a preferred embodiment of the method for manufacturing a composite type thin film magnetic head according to the present invention, the step of forming a first magnetic member constituting a lower pole of the inductive type thin film magnetic head includes the step of forming the first magnetic member. Forming a third magnetic layer on the surface of the second magnetic layer and the surface of the second insulating layer;
Forming a first pole tip on the surface of the third magnetic layer, wherein the step of forming the second magnetic member faces the first pole tip via the write gap layer. Forming a second pole tip so that the fourth pole tip is magnetically coupled to the second pole tip and magnetically coupled to the third magnetic layer on the side opposite to the air bearing surface. Forming a magnetic layer.

【００３３】上述した各実施例においては、前記第３の
磁性層を、その先端面がエアベアリング面に露出するよ
うに形成するか、その先端面がエアベアリング面から後
退するように形成することができる。In each of the embodiments described above, the third magnetic layer is formed so that its front end surface is exposed to the air bearing surface or its front end surface is set back from the air bearing surface. Can be.

【００３４】さらに本発明による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法の実施例では、前記薄膜コイルを形成する工
程が、第１層目の薄膜コイルを前記第１のポールチップ
の膜厚内に形成する工程と、これら第１層目の薄膜コイ
ルと第１のポールチップの表面を平坦化する工程と、こ
の平坦化された表面に第２層目の薄膜コイルを、前記第
２のポールチップの膜厚内に収まるように形成する工程
と、これら第２層目の薄膜コイルと第２のポールチップ
の表面を平坦化する工程とを有するものである。この場
合、前記第３の磁性層を、前記平坦とした第２のポール
チップと第２層目の薄膜コイルの表面に平坦に形成する
のが好適である。Further, in the embodiment of the method of manufacturing a composite type thin film magnetic head according to the present invention, the step of forming the thin film coil includes forming the first layer thin film coil within the thickness of the first pole tip. A step of flattening the surfaces of the first-layer thin-film coil and the first pole tip, and a second-layer thin-film coil on the flattened surface of the second pole-tip film. The method includes a step of forming the thin-film coil within the thickness, and a step of flattening the surfaces of the second-layer thin-film coil and the second pole tip. In this case, it is preferable that the third magnetic layer is formed flat on the surfaces of the flat second pole tip and the second layer thin-film coil.

【００３５】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図１０〜１８を参照して本
発明による複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法の
第１の実施例を説明する。なお、図１０〜１３および１
５〜１８においては、エアベアリング面に垂直な面で切
った断面図をＡで示し、エアベアリング面に平行な面で
切った断面図をＢで示した。また、本例は、基体の上に
読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを形成し、
その上に書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した
複合型薄膜磁気ヘッドである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of a composite thin-film magnetic head and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 10 to 13 and 1
In Nos. 5 to 18, the cross-sectional view taken along a plane perpendicular to the air bearing surface is indicated by A, and the cross-sectional view taken along a plane parallel to the air bearing surface is indicated by B. Further, in this example, a magnetoresistive thin film magnetic head for reading is formed on a base,
This is a composite thin-film magnetic head in which an inductive thin-film magnetic head for writing is stacked thereon.

【００３６】先ず、アルティック（AlTiC ）より成る基
体本体２１の一方の表面に、約３〜５μm の膜厚でアル
ミナより成る絶縁層２２を形成した様子を図１０に示
す。これら、基体本体２１および絶縁層２２を、本明細
書においては、基体またはウエファ２３と称する。ま
た、本明細書において、絶縁層とは、少なくとも電気的
な絶縁特性を有する膜を意味しており、非磁性特性はあ
ってもなくても良い。しかし、一般には、アルミナのよ
うに、電気絶縁特性を有しているとともに非磁性特性を
有する材料が使用されているので、絶縁層と、非磁性層
とを同じ意味に使用する場合もある。First, FIG. 10 shows a state in which an insulating layer 22 made of alumina having a thickness of about 3 to 5 μm is formed on one surface of a base body 21 made of AlTiC (AlTiC). The base body 21 and the insulating layer 22 are referred to as a base or a wafer 23 in this specification. In this specification, an insulating layer means a film having at least electrical insulating properties, and may or may not have nonmagnetic properties. However, in general, a material having both electric insulating properties and non-magnetic properties, such as alumina, is used, so that the insulating layer and the non-magnetic layer may be used interchangeably.

【００３７】また、実際の製造では、多数の複合型薄膜
磁気ヘッドをウエファ上にマトリックス状に配列して形
成した後、ウエファを複数のバーに切断し、各バーの端
面を研磨してエアベアリング面を形成し、最後にバーを
切断して個々の複合型薄膜磁気ヘッドを得るようにして
いるので、この段階では端面が現れないが、説明の便宜
上、この端面を示している。さらに、図１０には、基体
２３の絶縁層２２の上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドに対する下部シールド層を電解メッキによって形成す
るためのパーマロイより成るシード層を50nmの膜厚に形
成した後、イオンミリングによって所望のパターンに形
成し、下部シールド層（第１の磁性層）２４をパーマロ
イにより約３μm の膜厚に電解メッキで形成した様子も
示す。In actual production, a large number of composite type thin film magnetic heads are formed in a matrix on a wafer, and then the wafer is cut into a plurality of bars, and the end faces of each bar are polished to form an air bearing. Since the surfaces are formed, and finally the bars are cut to obtain individual composite type thin film magnetic heads, no end surface appears at this stage, but this end surface is shown for convenience of explanation. Further, FIG. 10 shows that a seed layer made of permalloy for forming a lower shield layer for the magnetoresistive thin-film magnetic head by electrolytic plating is formed on the insulating layer 22 of the base 23 to a thickness of 50 nm. Also, a state in which a desired pattern is formed by ion milling and the lower shield layer (first magnetic layer) 24 is formed by permalloy to a thickness of about 3 μm by electrolytic plating is also shown.

【００３８】次に、窒化アルミまたはアルミナより成る
下部シールドギャップ層２５を40〜100 nmの膜厚に形成
し、続いてＧＭＲ層２６を数十nmの膜厚でスパッタリン
グにより形成し、リフトオフし易いような形状、例えば
Ｔ型のレジストパターンを形成した後、アルゴン系のイ
オンミリングによって磁気抵抗素子用のパターンを形成
し、続いて、同じフォトマスクを用いてＧＭＲ層２６に
対する第１および第２の引き出し電極層２７ａおよび２
７ｂを80〜150 nmの膜厚に形成し、さらに、窒化アルミ
またはアルミナより成る上部シールドギャップ層２８を
スパッタリングによって40〜70 nm の膜厚に形成した様
子を図１１に示す。Next, a lower shield gap layer 25 made of aluminum nitride or alumina is formed to a thickness of 40 to 100 nm, and then a GMR layer 26 is formed to a thickness of several tens nm by sputtering to facilitate lift-off. After forming a resist pattern of such a shape, for example, a T-type resist pattern, a pattern for the magnetoresistive element is formed by argon-based ion milling, and then the first and second patterns for the GMR layer 26 are formed using the same photomask. Leader electrode layers 27a and 2
FIG. 11 shows a state in which 7b is formed to a thickness of 80 to 150 nm, and an upper shield gap layer 28 made of aluminum nitride or alumina is formed to a thickness of 40 to 70 nm by sputtering.

【００３９】ここで、ＧＭＲ膜２６の一軸異方性を増強
してバルクハウゼンノイズを低減するとともに抵抗値を
低くするためには、上述した引き出し電極層２７ａおよ
び２７ｂを、少なくも１層の磁性材料層と、少なくとも
１層の導電材料層とを積層して構成するのが好適であ
る。本例では、TiW/CoPt/TiW/Ta/Auの積層膜で形成して
いる。さらに、後述するようにこれら第１および第２の
引き出し電極層２７ａおよび２７ｂの長さを短くするこ
とができ、したがって磁気抵抗素子に対するリード全体
としての抵抗値を一層低くすることができる。Here, in order to enhance the uniaxial anisotropy of the GMR film 26 to reduce Barkhausen noise and reduce the resistance value, at least one of the above-mentioned extraction electrode layers 27a and 27b must be made of at least one magnetic layer. It is preferable that a material layer and at least one conductive material layer are stacked. In the present example, it is formed of a laminated film of TiW / CoPt / TiW / Ta / Au. Further, as will be described later, the lengths of the first and second lead electrode layers 27a and 27b can be shortened, so that the resistance of the entire lead to the magnetoresistive element can be further reduced.

【００４０】次に、図１２に示すように、第２のシール
ドギャップ層２８の磁極部分の上にＧＭＲ膜２６をほぼ
覆うように第２の磁性層２９を0.2 〜0.7 μm の膜厚に
鍍金法によって形成する。この第２の磁性層２９は、鍍
金法の他にスパッタリングによって堆積した磁性材料層
をフォトレジストパターンをマスクとするイオンミリン
グによって所望のパターンに形成することもできる。そ
の後、０．１〜０．３μm の膜厚のアルミナより成る絶
縁層３０を形成し、さらにこの絶縁層および上部シール
ドギャップ層２８に部分的に開口３１ａ，３１ｂ（３１
ｂは図１２では見えない）を形成し、第１および第２の
引き出し電極２７ａおよび２７ｂの表面の一部分を露出
させる。Next, as shown in FIG. 12, a second magnetic layer 29 is plated to a thickness of 0.2 to 0.7 μm on the magnetic pole portion of the second shield gap layer 28 so as to substantially cover the GMR film 26. It is formed by a method. The second magnetic layer 29 can be formed into a desired pattern by ion milling using a photoresist pattern as a mask, in addition to a plating method, of a magnetic material layer deposited by sputtering. Thereafter, an insulating layer 30 made of alumina having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed, and openings 31a and 31b (31) are partially formed in the insulating layer and the upper shield gap layer 28.
b is not visible in FIG. 12) to expose portions of the surfaces of the first and second extraction electrodes 27a and 27b.

【００４１】次に、絶縁層３０の上に、ＧＭＲ層２６に
対するリードを構成するために、銅を０．３〜０．６μ
m の膜厚でスパッタリングし、リフトオフにより所望の
形状の第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂを形
成した様子を図１３に示す。また、このときの平面を図
１４に示す。この図１４から明らかなように、これらの
導電層３２ａおよび３２ｂは、上述した開口３１ａおよ
び３１ｂを経て第１および第２の引き出し電極２７ａお
よび２７ｂとそれぞれ接続されている。なお、第１およ
び第２の導電層３２ａおよび３２ｂはスパッタリングで
はなく、鍍金法によって所望のパターンに形成すること
もできる。図１４の平面図から明らかなように、図１３
Ａは第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂの中間
に沿って切ったものではなく、僅かに第１の導電層側に
寄ったＡ−Ａ線に沿って切ったものである。また、図１
３Ｂは図１４のＢ−Ｂ線に沿って切ったものである。さ
らに、図１４においては、後に形成する薄膜コイルの輪
郭も鎖線で示した。Next, in order to form a lead for the GMR layer 26 on the insulating layer 30, copper is added by 0.3 to 0.6 μm.
FIG. 13 shows a state in which first and second conductive layers 32a and 32b having desired shapes are formed by sputtering with a film thickness of m and lift-off. FIG. 14 shows a plane at this time. As is apparent from FIG. 14, these conductive layers 32a and 32b are connected to the first and second lead-out electrodes 27a and 27b via the openings 31a and 31b, respectively. The first and second conductive layers 32a and 32b can be formed in a desired pattern by plating instead of sputtering. As is clear from the plan view of FIG.
A is not cut along the middle between the first and second conductive layers 32a and 32b, but is cut along the line AA slightly approaching the first conductive layer side. FIG.
3B is cut along the line BB in FIG. Further, in FIG. 14, the outline of a thin film coil to be formed later is also indicated by a chain line.

【００４２】次に、表面全体にアルミナより成る絶縁層
３３を２．５〜３．５μm の膜厚で形成した後に研磨処
理を施して第２の磁性層２９の表面を露出させるととも
に全体を平坦とした様子を図１５に示す。この研磨は機
械的な研磨とすることもできるが、本例では化学−機械
研磨（ＣＭＰ）処理とする。研磨後のアルミナ絶縁層３
３の膜厚はほぼ０．４〜０．９μm となっており、シー
ルドギャップ層の膜厚よりも著しく厚いものである。Next, an insulating layer 33 made of alumina is formed on the entire surface to a thickness of 2.5 to 3.5 μm and then polished to expose the surface of the second magnetic layer 29 and to flatten the entire surface. FIG. 15 shows the situation. This polishing can be mechanical polishing, but in this example, it is a chemical-mechanical polishing (CMP) process. Alumina insulating layer 3 after polishing
3 has a thickness of about 0.4 to 0.9 μm, which is much larger than the thickness of the shield gap layer.

【００４３】本発明では、図１５に示すように、ＧＭＲ
層２６に対するリードを構成する第１および第２の導電
層３２ａおよび３２ｂと下部シールド層２４との間に
は、第１および第２のシールドギャップ層２５および２
８および０．１〜０．３μm の膜厚のアルミナ絶縁層３
０の他にほぼ０．４〜０．９μm の膜厚のアルミナ絶縁
層３３が存在しているので、これら導電層と下部シール
ド層との間にはパーティクルやピンホールによる電気的
な短絡は発生せず、両者間の絶縁特性は非常に良好なも
のとなる。In the present invention, as shown in FIG.
First and second shield gap layers 25 and 2 are provided between first and second conductive layers 32 a and 32 b constituting a lead to layer 26 and lower shield layer 24.
8 and an alumina insulating layer 3 having a thickness of 0.1 to 0.3 μm
Since there is an alumina insulating layer 33 having a thickness of about 0.4 to 0.9 μm in addition to 0, an electrical short circuit due to particles or pinholes occurs between these conductive layers and the lower shield layer. Without this, the insulation properties between the two are very good.

【００４４】また、導電率の高い銅よりなる膜厚の厚い
第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂはＧＭＲ膜
２６の近傍まで延在しており、したがって抵抗が比較的
高い第１および第２の引き出し電極層２７ａおよび２７
ｂの長さを短くすることができ、したがってＧＭＲ層に
対するリード全体としての抵抗値を一層低くすることが
できる。その結果、ＧＭＲ層２６の微小な出力信号をき
わめて高い精度および感度で検出することができる。こ
のような効果は、特に面記録密度を高くした場合に有利
となる。The thick first and second conductive layers 32a and 32b made of copper having high conductivity extend to the vicinity of the GMR film 26, and therefore have a relatively high resistance. 2 extraction electrode layers 27a and 27
The length of b can be shortened, so that the resistance of the entire lead to the GMR layer can be further reduced. As a result, a very small output signal of the GMR layer 26 can be detected with extremely high accuracy and sensitivity. Such an effect is particularly advantageous when the areal recording density is increased.

【００４５】次に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの上
部シールド層として作用するとともに誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの一方の磁極として作用する下部ポール（第３の磁
性層）３４をパーマロイによって２．５〜３．５μm の
膜厚に形成し、全体にアルミナまたは酸化シリコンより
なる絶縁層３５を４〜６μm の膜厚に形成し、ＣＭＰに
よって研磨して下部ポール３４の平坦な表面を露出させ
た後、アルミナまたは酸化シリコンより成るライトギャ
ップ層３６を、露出している下部ポール３４の表面に、
０．２〜０．３μm の膜厚で所定のパターンにしたがっ
て形成し、その上に絶縁層３７を１〜２μm の膜厚で所
定のパターンにしたがって形成した様子を図１６に示
す。Next, a lower pole (third magnetic layer) 34 that functions as an upper shield layer of the magnetoresistive thin-film magnetic head and also functions as one magnetic pole of the inductive thin-film magnetic head is made of Permalloy by 2.5 to 2.5 mm. After forming an insulating layer 35 made of alumina or silicon oxide to a thickness of 4 to 6 μm and polishing it by CMP to expose a flat surface of the lower pole 34, A light gap layer 36 made of alumina or silicon oxide is placed on the exposed surface of the lower pole 34.
FIG. 16 shows a state in which a film is formed in a thickness of 0.2 to 0.3 μm in accordance with a predetermined pattern, and an insulating layer 37 is formed thereon in a thickness of 1 to 2 μm in accordance with a predetermined pattern.

【００４６】この下部ポール３４を形成するに先立っ
て、絶縁層３３を部分的に除去して第１および第２の導
電層３２ａおよび３２ｂの後端を露出させ、これらの導
電層と電気的に接続された磁性材料の部分を形成する。
この磁性材料の部分は、第１および第２の導電層３２ａ
および３２ｂを、外部回路との接続を行なうための接点
パッドに接続するリードの一部として作用するので、第
１および第２の導体層３８ａおよび３８ｂと称すること
にする。図１６では、第２の導体層３８ｂは見えない
が、図１４の平面図において鎖線で示した。また、絶縁
層３７のほぼ中央にも開口３９を設け、下部ポール３４
の表面を露出させる。この開口３９の輪郭も図１４にお
いて鎖線で示した。この開口３９は、後に形成する上部
ポールと下部ポール３４とを連結するためのものであ
る。Prior to forming the lower pole 34, the insulating layer 33 is partially removed to expose the rear ends of the first and second conductive layers 32a and 32b, and to electrically connect with these conductive layers. Form a portion of the connected magnetic material.
This portion of the magnetic material is provided in the first and second conductive layers 32a.
And 32b will be referred to as first and second conductor layers 38a and 38b because they act as part of the leads connecting to contact pads for making connections to external circuits. In FIG. 16, the second conductor layer 38b is not visible, but is indicated by a chain line in the plan view of FIG. Further, an opening 39 is provided substantially at the center of the insulating layer 37, and the lower pole 34 is provided.
Expose the surface. The outline of the opening 39 is also shown by a chain line in FIG. The opening 39 is for connecting an upper pole and a lower pole 34 to be formed later.

【００４７】次に、アルミナまたは酸化シリコンより成
るライトギャップ層３６の表面に形成した絶縁層３７の
上に、メッキ法によって２〜３μm の膜厚の第１層目の
薄膜コイル４０をフォトレジストより成る絶縁層４１に
よって絶縁分離されるように形成し、続いて第２層目の
薄膜コイル４２をフォトレジストより成る絶縁層４３に
よって絶縁分離して支持されるように形成し、全体を約
２００℃の温度でキュアして薄膜コイルの上面を平坦と
した様子を図１７に示す。Next, on the insulating layer 37 formed on the surface of the light gap layer 36 made of alumina or silicon oxide, a first-layer thin-film coil 40 having a thickness of 2 to 3 μm is formed from a photoresist by a plating method. A second thin-film coil 42 is formed so as to be insulated and supported by an insulating layer 43 made of photoresist, and the whole is formed at about 200 ° C. FIG. 17 shows a state in which the upper surface of the thin film coil is flattened by curing at the temperature of FIG.

【００４８】第１の薄膜コイル４０を形成するのと同時
に、第１および第２の導体層３８ａおよび３８ｂと電気
的に接続されるように第３および第４の導体層５１ａお
よび５１ｂを形成し、第２の薄膜コイル４２を形成する
のと同時に、第３および第４の導体層５１ａおよび５１
ｂと電気的に接続されるように第５および第６の導体層
５２ａおよび５２ｂを形成する。ただし、図１７では、
第４および第６の導体層５１ｂおよび５２ｂは見えてい
ない。これら第３〜第６の導体層５１ａ，５１ｂ，５２
ａ，５２ｂは上述した接点パッドまで延在させる。第１
層目および第２層目の薄膜コイル４０および４２は銅で
形成しているのでこれらの導体層も磁性材料よりも遙に
導電率の高い銅で形成されることになり、したがってリ
ード全体の抵抗値を下げることができる。Simultaneously with the formation of the first thin-film coil 40, the third and fourth conductor layers 51a and 51b are formed so as to be electrically connected to the first and second conductor layers 38a and 38b. , Second thin-film coil 42 and third and fourth conductor layers 51 a and 51 a at the same time.
The fifth and sixth conductor layers 52a and 52b are formed so as to be electrically connected to the second conductor layer 52b. However, in FIG.
The fourth and sixth conductor layers 51b and 52b are not visible. These third to sixth conductor layers 51a, 51b, 52
a, 52b extend to the contact pads described above. First
Since the thin-film coils 40 and 42 of the first and second layers are formed of copper, these conductor layers are also formed of copper having much higher conductivity than the magnetic material, and therefore, the resistance of the entire lead is reduced. You can lower the value.

【００４９】上述した絶縁層３７は、フォトレジスト膜
のような有機絶縁材料またはアルミナや酸化シリコンや
窒化シリコンのような無機絶縁材料で形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料で形成する場合には、フォ
トリソグラフィによって所望のパターンに選択的にエッ
チングすることができ、このときパターンエッジにテー
パを付けるが、このエッジによってスロートハイトが決
定される。また、有機絶縁材料で形成する場合には、そ
のパターンエッジでスロートハイトが決定される。The above-mentioned insulating layer 37 can be formed of an organic insulating material such as a photoresist film or an inorganic insulating material such as alumina, silicon oxide or silicon nitride. For example, in the case of using an inorganic insulating material, a desired pattern can be selectively etched by photolithography. At this time, the pattern edge is tapered, and the throat height is determined by this edge. In the case of using an organic insulating material, the throat height is determined at the pattern edge.

【００５０】次に、記録ヘッドのトラック幅を決める磁
極部分を有し、高い飽和磁束密度を有する磁性材料であ
るNiFe(50%, 50%)やFeN より成る上部ポール４４をメッ
キ法によってほぼ３μm の膜厚で所定のパターンに形成
し、この磁極部分をマスクとしてその周辺のライトギャ
ップ層３６をドライエッチングし、露出した下部ポール
３４を、その膜厚の一部分に亘って、例えば０．３〜
０．５μm に亘ってイオンミリングにより除去してトリ
ム構造を形成し、さらに全体にアルミナより成るオーバ
ーコート層４５を形成した様子を図１８に示す。本例で
は、上述した高い飽和磁束密度を有する磁性材料である
NiFe(50%, 50%)やFeN より成る上部ポール４３はメッキ
法で所定のパターンに形成するが、スパッタ後、ドライ
エッチングで所定のパターンとすることもできる。ま
た、この上部ポール４３の磁極部分の巾によって記録ト
ラックの巾が決まるので、その巾は０．５〜１．２μm
と狭くする。Next, the upper pole 44 made of a magnetic material having a high magnetic flux density, such as NiFe (50%, 50%) or FeN, having a magnetic pole portion for determining the track width of the recording head, is plated to a thickness of approximately 3 μm by plating. The magnetic pole portion is used as a mask to dry-etch the surrounding write gap layer 36, and the exposed lower pole 34 is partially covered with a thickness of, for example, 0.3 to 0.3 mm.
FIG. 18 shows a state in which a trim structure is formed by ion milling over 0.5 μm to form a trim structure, and an overcoat layer 45 made entirely of alumina is formed. In this example, the magnetic material having the high saturation magnetic flux density described above is used.
The upper pole 43 made of NiFe (50%, 50%) or FeN is formed in a predetermined pattern by a plating method, but may be formed in a predetermined pattern by dry etching after sputtering. Since the width of the recording track is determined by the width of the magnetic pole portion of the upper pole 43, the width is 0.5 to 1.2 μm.
And narrow.

【００５１】図１９〜２２は本発明による複合型薄膜磁
気ヘッドの第２の実施例の順次の製造工程を示すもので
ある。本例において前例と同様の部分には同じ符号を付
けて示した。先ず、図１９に示すように、アルティック
（AlTiC ）より成る基体本体２１の一方の表面に、約３
〜５μm の膜厚でアルミナより成る絶縁層２２を堆積し
て基体２３を形成し、次に磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドに対する下部シールド層を電解メッキによって形成す
るためのパーマロイより成るシード層を50nmの膜厚に形
成した後、イオンミリングによって所望のパターンに形
成し、下部シールド層２４をパーマロイにより約３μm
の膜厚に電解メッキで形成する。FIGS. 19 to 22 show sequential manufacturing steps of a second embodiment of the composite type thin film magnetic head according to the present invention. In this example, the same parts as those in the previous example are denoted by the same reference numerals. First, as shown in FIG. 19, one surface of a base body 21 made of AlTiC (AlTiC)
An insulating layer 22 made of alumina is deposited to a thickness of about 5 .mu.m to form a substrate 23. Then, a seed layer made of permalloy for forming a lower shield layer for the magnetoresistive thin-film magnetic head by electrolytic plating is formed to a thickness of 50 nm. Then, a desired pattern is formed by ion milling, and the lower shield layer 24 is formed to about 3 μm by permalloy.
The film thickness is formed by electrolytic plating.

【００５２】次に、図２０に示すように、後に形成する
ＧＭＲ膜を含む磁極部分に第２の磁性層２９を0.2 〜0.
7 μm の膜厚に鍍金法によって形成した後、その上に
０．１〜０．３μm の膜厚のアルミナより成る絶縁層３
０を形成し、さらにこの絶縁層の上に、ＧＭＲ層に対す
るリードを構成するために、銅を０．３〜０．６μm の
膜厚でスパッタリングし、リフトオフにより所望の形状
の第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂを形成
し、表面全体にアルミナより成る絶縁層３３を２．５〜
３．５μm の膜厚で形成した後に研磨処理を施して第２
の磁性層２９の表面を露出させるとともに全体を平坦と
する。この研磨は機械的な研磨とすることもできるが、
本例では化学−機械研磨（ＣＭＰ）処理とする。研磨後
のアルミナ絶縁層３３の膜厚はほぼ０．４〜０．９μm
となっており、シールドギャップ層の膜厚よりも著しく
厚いものである。また、上述した実施例と同様に、第１
および第２の導電層３２ａおよび３２ｂはスパッタリン
グではなく、鍍金法によって所望のパターンに形成する
こともできる。Next, as shown in FIG. 20, a second magnetic layer 29 is formed on the magnetic pole portion including the GMR film to be formed later by 0.2 to 0.2.
After being formed to a thickness of 7 μm by plating, an insulating layer 3 of alumina having a thickness of 0.1 to 0.3 μm is formed thereon.
0, and further, on this insulating layer, in order to form a lead for the GMR layer, copper is sputtered to a thickness of 0.3 to 0.6 μm, and the first and second layers having desired shapes are lifted off. Conductive layers 32a and 32b are formed, and an insulating layer 33 made of alumina
After forming a film having a thickness of 3.5 μm,
The surface of the magnetic layer 29 is exposed and the whole is made flat. This polishing can be mechanical polishing,
In this example, a chemical-mechanical polishing (CMP) process is used. The thickness of the polished alumina insulating layer 33 is approximately 0.4 to 0.9 μm.
And is significantly thicker than the thickness of the shield gap layer. Further, similarly to the above-described embodiment, the first
The second conductive layers 32a and 32b can be formed into a desired pattern by plating instead of sputtering.

【００５３】次に、図２１に示すように、露出した第２
の磁性層２９の表面に、窒化アルミまたはアルミナより
成る下部シールドギャップ層２５を40〜100 nmの膜厚に
形成し、続いてＧＭＲ層２６を数十nmの膜厚でスパッタ
リングにより形成し、リフトオフし易いような形状、例
えばＴ型のレジストパターンを形成した後、アルゴン系
のイオンミリングによって磁気抵抗素子用のパターンを
形成し、続いて、同じフォトマスクを用いてＧＭＲ層２
６に対する第１および第２の引き出し電極層２７ａおよ
び２７ｂを80〜150 nmの膜厚に形成し、さらに、窒化ア
ルミまたはアルミナより成る上部シールドギャップ層２
８をスパッタリングによって40〜70 nmの膜厚に形成
し、さらにアルミナより成る絶縁層５５を１〜１．２μ
m の膜厚に形成した後、ＣＭＰによって平坦化する。Next, as shown in FIG.
On the surface of the magnetic layer 29, a lower shield gap layer 25 made of aluminum nitride or alumina is formed to a thickness of 40 to 100 nm, and then a GMR layer 26 is formed to a thickness of several tens nm by sputtering, and lift-off is performed. After forming a T-type resist pattern, a pattern for the magnetoresistive element is formed by argon-based ion milling, and then the GMR layer 2 is formed using the same photomask.
The first and second lead electrode layers 27a and 27b are formed to a thickness of 80 to 150 nm with respect to the upper shield gap layer 2 made of aluminum nitride or alumina.
8 was formed to a thickness of 40 to 70 nm by sputtering, and an insulating layer 55 made of alumina was formed to a thickness of 1 to 1.2 μm.
After forming to a film thickness of m 2, it is planarized by CMP.

【００５４】上述したＧＭＲ膜２６および第１および第
２の引き出し電極層２７ａおよび２７ｂを形成するのに
先立って、図２０に示すように、絶縁層３３の一部分に
開口を形成して下側の第１および第２の導電層３２ａお
よび３２ｂの表面を露出させる。これにより、第１およ
び第２の引き出し電極層２７ａおよび２７ｂは、第１お
よび第２の導電層３２ａおよび３２ｂにそれぞれ電気的
に接続されることになる。本例でも、第１および第２の
引き出し電極層２７ａおよび２７ｂは、TiW/CoPt/TiW/T
a/Auの積層膜で形成する。また、第１および第２の引き
出し電極層２７ａおよび２７ｂの長さは短いので磁気抵
抗素子に対するリード全体としての抵抗値を一層低くす
ることができる。Prior to forming the above-described GMR film 26 and the first and second extraction electrode layers 27a and 27b, as shown in FIG. The surfaces of the first and second conductive layers 32a and 32b are exposed. As a result, the first and second lead electrode layers 27a and 27b are electrically connected to the first and second conductive layers 32a and 32b, respectively. Also in this example, the first and second lead electrode layers 27a and 27b are made of TiW / CoPt / TiW / T
It is formed of a laminated film of a / Au. Further, since the lengths of the first and second lead electrode layers 27a and 27b are short, the resistance value of the entire lead with respect to the magnetoresistive element can be further reduced.

【００５５】本例における以後の工程は上述した第１の
実施例の図１６〜１８に示した工程と同じであり、図２
２に完成した複合型薄膜磁気ヘッドの構造を示す。本例
でも第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂと接続
される第１および第２の導体層３８ａおよび３８ｂ（３
８ｂは図面では見えない）は下部ポール３３と同時に形
成し、その上の第３および第４の導体層５１ａおよび５
２ａはそれぞれ第１層目の薄膜コイル４０および第２層
目の薄膜コイル４２と同時に形成されるものである。Subsequent steps in this embodiment are the same as the steps shown in FIGS.
2 shows the structure of the completed composite thin film magnetic head. Also in this example, the first and second conductive layers 38a and 38b (3) connected to the first and second conductive layers 32a and 32b
8b is not shown in the drawing) is formed simultaneously with the lower pole 33, and the third and fourth conductor layers 51a and 51
2a is formed simultaneously with the first-layer thin-film coil 40 and the second-layer thin-film coil 42, respectively.

【００５６】本例においても、ＧＭＲ層２６に対するリ
ードの大部分を構成する第１および第２の導電層３２ａ
および３２ｂは膜厚が厚く、導電率が高い銅で形成され
ているとともにこれらの導電層とＧＭＲ層とを接続する
導電率の比較的低い第１および第２の引き出し電極層２
７ａおよび２７ｂの長さは短いので、リード全体として
の抵抗値を著しく低くすることができる。また、第１お
よび第２の導電層３２ａおよび３２ｂと下部シールド
（第１の磁性層２４）および上部シールド（下部ポール
３４）との間には膜厚の厚い絶縁層が介在しているの
で、これらの間で絶縁不良が起こる恐れはなく、性能の
劣化がないとともに製造の歩留りが向上する。さらに、
ＧＭＲ層２６は膜厚の薄い下部シールドギャップ層２６
および上部シールドギャップ層２８によって挟まれれて
いるので、サーマルアスピリティの問題も起こらない。Also in this example, the first and second conductive layers 32a constituting most of the leads for the GMR layer 26 are formed.
And 32b are first and second lead electrode layers 2 which are made of copper having a large thickness and high conductivity and have relatively low conductivity for connecting these conductive layers and the GMR layer.
Since the lengths of 7a and 27b are short, the resistance value of the entire lead can be significantly reduced. Since a thick insulating layer is interposed between the first and second conductive layers 32a and 32b and the lower shield (first magnetic layer 24) and upper shield (lower pole 34), There is no possibility that insulation failure occurs between them, and there is no deterioration in performance and the production yield is improved. further,
The GMR layer 26 is a thin lower shield gap layer 26.
Also, since it is sandwiched by the upper shield gap layer 28, the problem of thermal aspirity does not occur.

【００５７】図２３〜２６は本発明による複合型薄膜磁
気ヘッドの第３の実施例の順次の製造工程における構造
を示すものである。上述した第２の実施例の図１０〜１
５に示した工程は本例でも同じである。本例では、図２
３に示すように、下部ポール３４の平坦な表面に磁性材
料をほぼ３μm の膜厚に選択的に形成し、記録用磁気ヘ
ッドのスロートハイトを決定するとともにトラック幅を
決める下部ポールチップ５６および第１および第２の導
体層３８ａと接続された導体層５７を鍍金法で形成す
る。この磁性材料としては、NiFe(50%,50%) や窒化鉄ま
たはその化合物のように飽和磁束密度の高い磁性材料を
用いるのが好適である。これらの下部ポールチップ５６
および導体層５７は、鍍金法の他にスパッタリング後パ
ターニングして形成することもできる。さらに、全体に
アルミナまたは酸化シリコンより成る絶縁層５８を４〜
６μmの膜厚に形成した後、ＣＭＰ処理を施して下部ポ
ールチップ５６の表面を露出させるとともに全体の表面
を平坦とする。このような構成では、下部ポールチップ
５６の後端縁と絶縁層５８の前端縁との境界が記録用磁
気ヘッドのスロートハイト零の基準位置となる。FIGS. 23 to 26 show the structure of the composite thin film magnetic head according to the third embodiment of the present invention in the sequential manufacturing steps. 10 to 1 of the second embodiment described above.
The process shown in 5 is the same in this example. In this example, FIG.
As shown in FIG. 3, a magnetic material is selectively formed on the flat surface of the lower pole 34 to a thickness of about 3 μm to determine the throat height of the recording magnetic head and the track width and the lower pole tip 56 and the third pole tip. The conductor layer 57 connected to the first and second conductor layers 38a is formed by plating. As this magnetic material, it is preferable to use a magnetic material having a high saturation magnetic flux density, such as NiFe (50%, 50%), iron nitride or a compound thereof. These lower pole tips 56
The conductor layer 57 may be formed by patterning after sputtering instead of plating. Further, an insulating layer 58 made entirely of alumina or silicon oxide is
After forming the film to a thickness of 6 μm, a CMP process is performed to expose the surface of the lower pole tip 56 and to flatten the entire surface. In such a configuration, the boundary between the rear edge of the lower pole tip 56 and the front edge of the insulating layer 58 is a reference position for zero throat height of the recording magnetic head.

【００５８】次に、このように平坦とした表面にアルミ
ナまたは酸化シリコンより成るライトギャップ層３６を
０．１５〜０．３μm の膜厚で所定のパターンにしたが
って形成し、さらにライトギャップ層および絶縁層５８
の後方部分に開口５９を形成した後、ライトギャップ層
の上に薄膜コイル４０を絶縁層４１によって絶縁分離し
て形成した様子を図２４に示す。この薄膜コイル４０の
形成と同時に、上述した導体層５７と接触するように導
体層５１ａが形成される。Next, a light gap layer 36 made of alumina or silicon oxide is formed on the flat surface in a thickness of 0.15 to 0.3 μm according to a predetermined pattern. Layer 58
FIG. 24 shows a state in which the thin film coil 40 is formed on the write gap layer by insulatingly separating the thin film coil 40 by the insulating layer 41 after the opening 59 is formed in the rear portion of the thin film coil. Simultaneously with the formation of the thin-film coil 40, the conductor layer 51a is formed so as to be in contact with the conductor layer 57 described above.

【００５９】次に、上部ポール４５を、その後端部分が
上述した開口５９を経て下部ポール３４と連結されるよ
うに形成した後、その磁極部分をマスクとしてドライエ
ッチングを施してその近傍のライトギャップ層３６を選
択的に除去し、さらにイオンミリングによって露出した
下部ポールチップ５６を０．３〜０．５μm の深さに亘
って除去してトリム構造を形成した様子を図２５に示
す。最後に、全体を覆うようにアルミナより成るオーバ
ーコート層４５を形成した様子を図２６に示す。Next, the upper pole 45 is formed so that its rear end portion is connected to the lower pole 34 through the above-described opening 59, and dry etching is performed using the magnetic pole portion as a mask to form a write gap in the vicinity thereof. FIG. 25 shows a state in which the layer 36 is selectively removed, and the lower pole tip 56 exposed by ion milling is removed over a depth of 0.3 to 0.5 μm to form a trim structure. Finally, FIG. 26 shows a state in which an overcoat layer 45 made of alumina is formed so as to cover the whole.

【００６０】本例では、薄膜コイル４０を一層構造とし
ているので、上述した第１および第２の実施例に比べて
製造工程が簡素化される。勿論、本例でも、ＧＭＲ層２
６に対するリードを構成する第１および第２の導電層３
２ａおよび３２ｂは膜厚の厚い銅で形成されているので
リードの抵抗値を下げることができる。さらに、これら
第１および第２の導電層３２ａおよび３２ｂと磁気シー
ルドとの間には厚い絶縁層が介在しているので、絶縁特
性も良好となる。さらに、ＧＭＲ層２６は膜厚の薄い第
１および第２のシールドギャップ層２５および２８によ
って挟まれているのでサーマルアスピリティの問題も起
こらない。In this embodiment, since the thin-film coil 40 has a single-layer structure, the manufacturing process is simplified as compared with the above-described first and second embodiments. Of course, also in this example, the GMR layer 2
First and second conductive layers 3 forming leads for the first and second conductive layers 3
Since 2a and 32b are formed of thick copper, the resistance value of the lead can be reduced. Further, since a thick insulating layer is interposed between the first and second conductive layers 32a and 32b and the magnetic shield, the insulating properties are improved. Further, since the GMR layer 26 is sandwiched between the first and second shield gap layers 25 and 28 having a small thickness, the problem of thermal aspirity does not occur.

【００６１】図２７および２８は本発明による複合型薄
膜磁気ヘッドの第３の実施例の製造工程を示すものであ
る。本例における磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド部分の製造
工程は、上述した第２の実施例と同様である。本例で
は、上部シールドを兼ねる下部ポール３４を形成した
後、その上に下部ポールチップ５６、導体層５７および
下部ポール３４と上部ポールとを連結するための連結部
６０を形成した後、アルミナより成る絶 層６１を0.3
〜0.8 μm の膜厚に形成し、その上に第１層目の薄膜コ
イル４０を形成し、これを埋め込むようにアルミナ絶縁
層６２を形成し、ＣＭＰによって表面を平坦とし、さら
に平坦な表面にライトギャップ層３６を0.2〜0.3 μm
の膜厚に形成した様子を図２７に示す。このように、本
例においては第１層目の薄膜コイル４０は下部ポールチ
ップ５６の膜厚の範囲内に形成されることになる。FIGS. 27 and 28 show the manufacturing steps of the third embodiment of the composite thin film magnetic head according to the present invention. The manufacturing process of the magnetoresistive thin-film magnetic head in this embodiment is the same as that in the second embodiment. In this example, after the lower pole 34 also serving as the upper shield is formed, the lower pole tip 56, the conductor layer 57, and the connecting portion 60 for connecting the lower pole 34 and the upper pole are formed thereon, and then the alumina is formed. 0.3
The first thin-film coil 40 is formed thereon, an alumina insulating layer 62 is formed so as to embed the first thin-film coil 40, and the surface is flattened by CMP. 0.2-0.3 μm light gap layer 36
FIG. 27 shows a state in which the film thickness is formed. As described above, in this example, the first-layer thin-film coil 40 is formed within the thickness range of the lower pole tip 56.

【００６２】さらに、図２８に示すように、このライト
ギャップ層３６の上に上部ポールチップ６３および連結
部６４を2 〜2.5 μm の膜厚に形成した後、上部ポール
チップをマスクとしてライトギャップ層３６をリアクテ
ィブイオンエッチングによって除去し、さらにイオンビ
ームエッチングを施して下部ポールチップ５６をその膜
厚の一部分に亘って除去してトリム構造を形成する。さ
らに0.3 〜0.8 μm の膜厚のアルミナ絶縁層６５を形成
し、その上に第２層目の薄膜コイル４２を形成し、これ
をアルミナ絶縁層６６で埋め込み、ＣＭＰによって表面
を平坦とし、その上に上部ポール４４を、その先端面が
エアベアリング面から後退するように形成し、最後に全
体にオーバーコート層４５を形成する。Further, as shown in FIG. 28, after forming the upper pole tip 63 and the connecting portion 64 to a thickness of 2 to 2.5 μm on the write gap layer 36, the write gap layer is formed by using the upper pole tip as a mask. 36 is removed by reactive ion etching, and ion beam etching is further performed to remove the lower pole tip 56 over a part of its film thickness to form a trim structure. Further, an alumina insulating layer 65 having a thickness of 0.3 to 0.8 μm is formed, a second-layer thin-film coil 42 is formed thereon, buried with the alumina insulating layer 66, and the surface is flattened by CMP. Then, an upper pole 44 is formed such that the tip end surface is receded from the air bearing surface, and finally, an overcoat layer 45 is formed entirely.

【００６３】本例では、第１層目の薄膜コイル４０を下
部ポールチップ５６の膜厚の範囲内に形成し、第２層目
の薄膜コイル４２を上部ポールチップ６３の膜厚の範囲
内に形成し、これら第１および第２の薄膜コイルの間に
ライトギャップ層３５を形成したので、第２層目の薄膜
コイル４２を絶縁分離した状態で支持する絶縁層６６の
表面と上部ポールチップ６３の表面とは平坦となり、こ
の平坦な表面の上に上部ポール４４を平坦に形成するの
で、上部ポールを容易かつ正確に微細加工することがで
きるとともに全体の高さを低くすることができる。In this embodiment, the first-layer thin-film coil 40 is formed within the thickness range of the lower pole tip 56, and the second-layer thin-film coil 42 is formed within the thickness range of the upper pole tip 63. Since the write gap layer 35 is formed between the first and second thin-film coils, the surface of the insulating layer 66 for supporting the second-layer thin-film coil 42 in an isolated state and the upper pole tip 63 The upper pole 44 is formed flat on this flat surface, so that the upper pole can be easily finely processed accurately and the overall height can be reduced.

【００６４】図２９は、本発明による複合型薄膜磁気ヘ
ッドの第５の実施例を示すものである。本例は図２８に
示した第３の実施例において、平坦な上部ポール４４の
先端面をエアベアリング面まで延在させたものであり、
それ以外の構成は第４の実施例と同様である。FIG. 29 shows a fifth embodiment of the composite type thin film magnetic head according to the present invention. In this embodiment, the tip of the flat upper pole 44 is extended to the air bearing surface in the third embodiment shown in FIG.
Other configurations are the same as those of the fourth embodiment.

【００６５】図３０〜３２は、本発明による複合型薄膜
磁気ヘッドの第６の実施例の製造工程を示すものであ
る。本例でも、磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド部分を形成す
るまでの工程は、第２の実施例の図１９〜２１までの工
程と同じである。本例においては、図３０に示すように
上部シールドを兼ねる下部ポール３４を形成した後、そ
の上に下部ポールチップ５６、導体層５７および下部ポ
ール３４と上部ポールとを連結するための連結部６０を
１〜１．５μｍの膜厚で島状に形成した後、アルミナよ
り成る絶縁層５８を３〜４μｍの膜厚に形成し、ＣＭＰ
によって表面を平坦化する。FIGS. 30 to 32 show the manufacturing steps of the sixth embodiment of the composite thin film magnetic head according to the present invention. Also in this example, the steps up to forming the magnetoresistive thin-film magnetic head are the same as the steps of FIGS. 19 to 21 of the second embodiment. In this example, as shown in FIG. 30, after the lower pole 34 also serving as the upper shield is formed, the lower pole tip 56, the conductor layer 57, and the connecting portion 60 for connecting the lower pole 34 and the upper pole are formed thereon. Is formed in an island shape with a thickness of 1 to 1.5 μm, an insulating layer 58 made of alumina is formed to a thickness of 3 to 4 μm, and CMP is performed.
To flatten the surface.

【００６６】さらに、図３１に示すように、このように
平坦化した表面にライトギャップ層３６を形成した後、
その上に上部ポールチップ６３および連結部６４を３μ
ｍの膜厚に形成した後、上部ポールチップをマスクとし
てライトギャップ層３６をリアクティブイオンエッチン
グによって除去し、さらにイオンビームエッチングを施
して下部ポールチップ５６をその膜厚の一部分に亘って
除去してトリム構造を形成する。さらにライトギャップ
層３６の上に第１層目の薄膜コイル４０を形成し、これ
を３〜４μｍの膜厚のアルミナ絶縁層６２で埋め込み、
ＣＭＰによって表面を平坦として上部ポールチップ６３
の表面を露出させ、さらにアルミナ絶縁層６６の上に第
２層目の薄膜コイル４２を形成する。Further, as shown in FIG. 31, after forming the write gap layer 36 on the flattened surface,
The upper pole tip 63 and the connecting portion 64 are 3 μm
Then, the write gap layer 36 is removed by reactive ion etching using the upper pole tip as a mask, and ion beam etching is performed to remove the lower pole tip 56 over a part of the thickness. To form a trim structure. Further, a first-layer thin-film coil 40 is formed on the write gap layer 36 and is buried with an alumina insulating layer 62 having a thickness of 3 to 4 μm.
The upper pole tip 63 is made flat by CMP.
Is exposed, and a second-layer thin-film coil 42 is formed on the alumina insulating layer 66.

【００６７】次に、図３２に示すように、第２層目の薄
膜コイル４２を覆うようにフォトレジスト絶縁層６７を
形成し、２００〜２５０℃でキュアして表面を平坦化
し、さらに上部ポール４４を３μｍ程度の膜厚に形成し
た後、全面にアルミナより成るオーバーコート層４５を
形成する。Next, as shown in FIG. 32, a photoresist insulating layer 67 is formed so as to cover the second-layer thin-film coil 42, and is cured at 200 to 250 ° C. to flatten the surface. After forming the layer 44 to a thickness of about 3 μm, an overcoat layer 45 made of alumina is formed on the entire surface.

【００６８】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものではなく、幾多の変更や変形が可能である。例え
ば、上述した実施例では、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの上に誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した複合型薄膜磁
気ヘッドとしたが、積層順序を逆とすることもできる。
さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドは磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドのみとすることもできる。また、上述した実
施例では磁気抵抗素子をＧＭＲ素子としたが、ＡＭＲ素
子とすることもできる。また、上述した各部の寸法や材
料および製造プロセスは一例として挙げたものであり、
種々の変形が可能である。The present invention is not limited only to the above-described embodiment, and many modifications and variations are possible. For example, in the above-described embodiment, the composite type thin film magnetic head is formed by laminating the inductive type thin film magnetic head on the magnetoresistive effect type thin film magnetic head. However, the lamination order may be reversed.
Further, the thin-film magnetic head of the present invention may be a magneto-resistance effect type thin-film magnetic head alone. In the above-described embodiment, the magnetoresistive element is a GMR element, but may be an AMR element. In addition, the dimensions, materials, and manufacturing processes of the respective parts described above are given as examples,
Various modifications are possible.

【００６９】[0069]

【発明の効果】上述した本発明による薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法によれば、読み取り用の磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドを構成する磁気抵抗層を外部回路へ接
続するための電気接続部材の大部分を構成する第１およ
び第２の導電層は、下部シールドと上部シールドとの間
の広い間隙に形成されているので、これらの導電層の膜
厚を十分厚くして抵抗を低くすることができるので磁気
抵抗素子の微少な出力信号をノイズに影響されることな
く正確に読み取ることができる。According to the above-described thin film magnetic head and the method of manufacturing the same according to the present invention, the size of the electric connection member for connecting the magnetoresistive layer constituting the read magnetoresistive thin film magnetic head to an external circuit is large. Since the first and second conductive layers forming the portion are formed in a wide gap between the lower shield and the upper shield, it is necessary to sufficiently increase the thickness of these conductive layers to lower the resistance. As a result, a very small output signal of the magnetoresistive element can be accurately read without being affected by noise.

【００７０】しかもこれら第１および第２の導電層と、
下部シールドおよび上部シールドとの間には十分な膜厚
を有する絶縁層が介在するので、これらの間の絶縁特性
も良好なものとなる。絶縁不良による歩留りの低下を抑
止することができる。Further, these first and second conductive layers are
Since an insulating layer having a sufficient film thickness is interposed between the lower shield and the upper shield, the insulating characteristics between them is also good. A decrease in yield due to insulation failure can be suppressed.

【００７１】さらに、磁気抵抗層を挟むシールドギャッ
プ層は薄くすることができるので、サーマルアスピリテ
ィを改善することができ、磁気抵抗素子の性能を向上す
ることができる。Furthermore, since the shield gap layer sandwiching the magnetoresistive layer can be made thin, thermal aspirity can be improved, and the performance of the magnetoresistive element can be improved.

【００７２】また、上述した第１および第２の導電層
を、磁気抵抗素子の近傍までさせ延在させ、磁気抵抗層
の動作特性を向上するような積層体で構成された引き出
し電極膜を介して磁気抵抗素子に接続するようにした実
施例では、比較的抵抗の高い引き出し電極膜を使用して
も、その長さを短くすることができるので、磁気抵抗素
子に対するリードの全体の抵抗値を低くすることができ
る。Further, the first and second conductive layers described above are extended to the vicinity of the magnetoresistive element, and extended through a lead electrode film formed of a laminate for improving the operating characteristics of the magnetoresistive layer. In the embodiment in which the lead electrode film is connected to the magnetoresistive element by using the lead electrode film having a relatively high resistance, the length of the lead electrode film can be shortened. Can be lower.

【００７３】さらに、第４および第６の実施例で示した
ように、上部ポールを構成する磁性層を、その先端面が
エアベアリング面から後退するように形成する場合に
は、上部ポールでのサイドライトの問題は発生せず、ト
ラック幅を狭くすることができ、面記録密度を向上する
ことができる。Further, as shown in the fourth and sixth embodiments, when the magnetic layer constituting the upper pole is formed so that the front end face is receded from the air bearing surface, the upper pole may be used. The problem of side light does not occur, the track width can be reduced, and the areal recording density can be improved.

【００７４】また、第４および第５の実施例で示すよう
に、下部ポールチップを形成し、その膜厚の範囲内に第
１層目の薄膜コイルを収めるように形成するとともに上
部ポールチップを形成し、その膜厚の範囲内に第２層目
の薄膜コイルを形成した場合には、薄膜コイルの高さを
低くすることができるとともに、第２層目の薄膜コイル
の上面と上部ポールチップの上面とを平坦に形成するこ
とができ、したがってこの平坦な表面上に上部ポール
を、所望のパターンにしたがって容易にかつ正確に形成
することができる。第６の実施例に示したように、第１
層目の薄膜コイルを上部ポールチップの膜厚内に形成す
る場合にも、薄膜コイルの高さを低くすることができ
る。Further, as shown in the fourth and fifth embodiments, a lower pole tip is formed, the first pole thin film coil is formed within the range of the thickness thereof, and the upper pole tip is formed. When the thin film coil of the second layer is formed within the range of the film thickness, the height of the thin film coil can be reduced, and the upper surface of the thin film coil of the second layer and the upper pole tip can be formed. Can be formed flat, and thus the upper pole can be easily and accurately formed on the flat surface according to a desired pattern. As shown in the sixth embodiment, the first
Even when the thin film coil of the layer is formed within the thickness of the upper pole tip, the height of the thin film coil can be reduced.

【００７５】さらに、上述したように薄膜コイルを平坦
な表面上に形成する場合には、コイル巻回体の微細化が
可能となり、ヘッド全体に対してコイルが占める面積を
小さくできる。その結果、下部ポールから上部ポールに
至る磁路長を短くすることができ、記録用磁気ヘッドの
性能を向上することができる。Further, when the thin-film coil is formed on a flat surface as described above, the coil winding can be miniaturized, and the area occupied by the coil with respect to the entire head can be reduced. As a result, the magnetic path length from the lower pole to the upper pole can be shortened, and the performance of the recording magnetic head can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１ＡおよびＢは、従来の複合型薄膜磁気ヘッ
ドを製造する方法の最初の工程を示す断面図である。FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views showing the first step of a method of manufacturing a conventional composite type thin film magnetic head.

【図２】図２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views showing the next step.

【図３】図３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views showing the next step.

【図４】図４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing the next step.

【図５】図５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views showing the next step.

【図６】図６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views showing the next step.

【図７】図７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。FIGS. 7A and 7B are cross-sectional views showing the next step.

【図８】図８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図であ
る。8A and 8B are cross-sectional views showing the next step.

【図９】図９は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗素子に対するリードを形成した後の状態を
示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a state after a lead for a magnetoresistive element is formed in a conventional composite type thin film magnetic head.

【図１０】図１０ＡおよびＢは、本発明による複合型薄
膜磁気ヘッドの製造方法の第１の実施例における最初の
工程を示す断面図である。FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views showing the first step in the first embodiment of the method of manufacturing the composite thin-film magnetic head according to the present invention.

【図１１】図１１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。11A and 11B are cross-sectional views showing the next step.

【図１２】図１２ＡおよびＢは、そのときの平面図およ
び断面図である。12A and 12B are a plan view and a cross-sectional view at that time.

【図１３】図１３ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。13A and 13B are cross-sectional views showing the next step.

【図１４】図１４は、そのときの平面図である。FIG. 14 is a plan view at that time.

【図１５】図１５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。15A and 15B are cross-sectional views showing the next step.

【図１６】図１６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。16A and 16B are cross-sectional views showing the next step.

【図１７】図１７ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。17A and 17B are cross-sectional views showing the next step.

【図１８】図１８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。18A and 18B are cross-sectional views showing the next step.

【図１９】図１９ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第２の実施例の製造工程を示す断面図である。FIGS. 19A and 19B are cross-sectional views showing manufacturing steps of a second embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention.

【図２０】図２０ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIG. 20A and FIG. 20B are cross-sectional views showing the next step.

【図２１】図２１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。21A and 21B are cross-sectional views showing the next step.

【図２２】図２２は、そのときの平面図である。FIG. 22 is a plan view at that time.

【図２３】図２３ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第３の実施例の製造工程を示す断面図である。23A and 23B are cross-sectional views showing manufacturing steps of a third embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention.

【図２４】図２４ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIGS. 24A and 24B are cross-sectional views showing the next step.

【図２５】図２５ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIG. 25A and FIG. 25B are cross-sectional views showing the next step.

【図２６】図２６ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。26A and 26B are cross-sectional views showing the next step.

【図２７】図２７ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第４の実施例の製造工程を示す断面図である。FIGS. 27A and 27B are cross-sectional views showing manufacturing steps of the fourth embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention.

【図２８】図２８ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIG. 28A and FIG. 28B are cross-sectional views showing the next step.

【図２９】図２９ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第５の実施例の構成を示す断面図である。FIGS. 29A and 29B are cross-sectional views showing the configuration of a fifth embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention.

【図３０】図３０ＡおよびＢは、本発明による薄膜磁気
ヘッドの第６の実施例の製造工程を示す断面図である。FIGS. 30A and 30B are cross-sectional views showing manufacturing steps of a thin-film magnetic head according to a sixth embodiment of the present invention.

【図３１】図３１ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIGS. 31A and 31B are cross-sectional views showing the next step.

【図３２】図３２ＡおよびＢは、次の工程を示す断面図
である。FIGS. 32A and 32B are cross-sectional views showing the next step.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１ 基体本体、 ２２ 絶縁層、 ２３ 基体、 ２
４ 下部シールド層（第１磁性層）、 ２５ 下部シー
ルドギャップ層、 ２６ ＧＭＲ層、 ２７ａ，２７ｂ
第１および第２の引き出し電極層、 ２８上部シール
ドギャップ層、２９ 第２磁性層、 ３０ 絶縁層、
３２ａ，３２ｂ 第１および第２の導電層、 ３３ 絶
縁層、 ３４ 下部シールド層（第３の磁性層）、 ３
５ 絶縁層、 ３６ ライトギャップ層、 ３７ 絶縁
層、 ４０ 第１層目の薄膜コイル、 ４１ 絶縁層、
４２ 第２層目の薄膜コイル、 ４３ 絶縁層、 ４
４上部ポール、 ４５ オーバーコート層、 ５５ 絶
縁層、 ５６ 下部ポールチップ、５８ 絶縁層、６２
絶縁層、 ６３ 上部ポールチップ、 ６５絶縁層、
６６ 絶縁層21 base body, 22 insulating layer, 23 base, 2
4 lower shield layer (first magnetic layer), 25 lower shield gap layer, 26 GMR layer, 27a, 27b
First and second extraction electrode layers, 28 upper shield gap layer, 29 second magnetic layer, 30 insulating layer,
32a, 32b first and second conductive layers, 33 insulating layer, 34 lower shield layer (third magnetic layer), 3
5 insulating layer, 36 write gap layer, 37 insulating layer, 40 first layer thin film coil, 41 insulating layer,
42 thin film coil of second layer, 43 insulating layer, 4
4 upper pole, 45 overcoat layer, 55 insulating layer, 56 lower pole tip, 58 insulating layer, 62
Insulating layer, 63 upper pole tip, 65 insulating layer,
66 Insulation layer

Claims (32)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの一方お
よび他方のシールドをそれぞれ構成し、いずれか一方が
エアベアリング面から延在する厚膜部分と、この厚膜部
分から後方へ延在する薄膜部分とを有する第１および第
２の磁性部材と、 これら第１および第２の磁性部材のいずれか一方の厚膜
部分と他方の磁性部材との間に設けられた第１および第
２のシールドギャップ層と、 これら第１および第２のシールドギャップ層間に埋設す
るように配置された磁気抵抗層と、 この磁気抵抗層を外部回路に接続するための電気的接続
部材と、を具え、 前記電気的接続部材が、前記いずれか一方の磁性部材の
薄膜部分と、他方の磁性部材との間に、それぞれ前記第
１および第２のシールドギャップ層よりも膜厚の厚い第
１および第２の絶縁層を介して延在させた第１および第
２の導電層を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。1. A thick film portion which forms one and the other shields of a magnetoresistive thin film magnetic head, one of which is extended from an air bearing surface, and a thin film which extends rearward from the thick film portion. First and second magnetic members having first and second magnetic members, and first and second shields provided between the thick film portion of one of the first and second magnetic members and the other magnetic member. A gap layer; a magnetoresistive layer disposed so as to be buried between the first and second shield gap layers; and an electrical connection member for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit. A first insulating member and a second insulating member each having a thickness larger than the first and second shield gap layers, respectively, between the thin film portion of one of the magnetic members and the other magnetic member; Through layers First and second thin film magnetic head is characterized in that a conductive layer extended Te. 【請求項２】 前記第１および第２の導電層の前記磁気
抵抗層側の端部を、それぞれ第１および第２の引き出し
電極層を介して磁気抵抗層の両端にそれぞれ接続したこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。2. An end of the first and second conductive layers on the side of the magnetoresistive layer connected to both ends of the magnetoresistive layer via first and second lead electrode layers, respectively. 2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein: 【請求項３】 前記第１および第２の導電層の膜厚を、
第１および第２の引き出し電極の膜厚よりも厚いが、前
記一方の磁性部材の厚膜部分と薄膜部分との段差の寸法
よりも小さくし、この段差の範囲内で延在するように形
成したことを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。3. The film thickness of the first and second conductive layers is
It is thicker than the first and second lead electrodes, but smaller than the step size between the thick film portion and the thin film portion of the one magnetic member, and formed so as to extend within the range of the step. 3. The thin-film magnetic head according to claim 2, wherein: 【請求項４】 前記第１および第２の導電層を銅で形成
し、前記第１および第２の引き出し電極層を、少なくと
も１層の磁性材料層と、少なくとも１層の導電材料層と
の積層体で形成したことを特徴とする請求項３に記載の
薄膜磁気ヘッド。4. The method according to claim 1, wherein the first and second conductive layers are formed of copper, and the first and second lead electrode layers are formed of at least one magnetic material layer and at least one conductive material layer. 4. The thin-film magnetic head according to claim 3, wherein the thin-film magnetic head is formed of a laminate. 【請求項５】 前記銅より成る第１および第２の導電層
の膜厚を0.3 〜0.5μm としたことを特徴とする請求項
４に記載の薄膜磁気ヘッド。5. The thin-film magnetic head according to claim 4, wherein the first and second conductive layers made of copper have a thickness of 0.3 to 0.5 μm. 【請求項６】 前記第１および第２の引き出し電極層の
各々を構成する積層体を、TiW/CoPt/TiW/Ta/Auとしたこ
とを特徴とする請求項４に記載の薄膜磁気ヘッド。6. The thin-film magnetic head according to claim 4, wherein the laminated body forming each of the first and second lead electrode layers is TiW / CoPt / TiW / Ta / Au. 【請求項７】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層し
た複合型薄膜磁気ヘッドであって、 絶縁材料よりなり、エアベアリング面を規定する端面を
有する基体と、この基体によって支持され、磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドの一方のシールドを構成するように
前記エアベアリング面から後方へ延在する第１の磁性層
と、 この第１の磁性層の、前記基体とは反対側の面に、前記
エアベアリング面から延在するように形成された第１の
シールドギャップ層と、 この第１のシールドギャップ層の、前記第１の磁性層と
は反対側の面に、前記エアベアリング面から後方へ延在
するように形成された磁気抵抗層と、 この磁気抵抗層の、前記第１のシールドギャップ層とは
反対側の面に、第１のシールドギャップ層と共に前記磁
気抵抗層を埋設するようにエアベアリング面から延在す
るように形成された第２のシールドギャップ層と、 前記磁気抵抗層を、外部回路に接続するための電気的接
続部材と、 前記第２のシールドギャップ層の、前記磁気抵抗層とは
反対側の面に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの他方の
シールドを構成するように前記エアベアリング面から前
記磁気抵抗層のほぼ後端縁まで延在するように形成され
た第２の磁性層と、 この第２の磁性層の、前記第２のシールドギャップ層と
は反対側の面に、第２の磁性層と共に磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドの他方のシールドを構成するとともに誘導
型薄膜磁気ヘッドの一方のポールを構成するようにエア
ベアリング面から延在するように形成された第３の磁性
層と、 この第３の磁性層の少なくとも磁極部分の、前記第２の
磁性層とは反対側の面に、エアベアリング面から延在す
るように形成されたライトギャップ層と、 エアベアリング面を含む磁極部分において前記ライトギ
ャップ層を介して前記第３の磁性層と対向し、エアベア
リング面から遠い位置において第３の磁性層と磁気的に
結合され、前記誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを
構成する第４の磁性部材と、 一部分が、前記第３および第４の磁性層によって構成さ
れる閉磁路を通るように絶縁材料で絶縁分離された状態
で配設された薄膜コイルと、を具え、 前記磁気抵抗層に対する電気的接続部材が、前記第１の
磁性層と第３の磁性層との間に、それぞれ前記第１およ
び第２のシールドギャップ層よりも膜厚の厚い第１およ
び第２の絶縁層を介して前記第２の磁性層の膜厚の範囲
内で延在する第１および第２の導電層を有することを特
徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。7. A composite thin-film magnetic head in which a read magnetoresistive thin-film magnetic head and a write inductive thin-film magnetic head are laminated, the end face being made of an insulating material and defining an air bearing surface. A first magnetic layer supported by the base and extending rearward from the air bearing surface so as to constitute one shield of a magnetoresistive thin-film magnetic head; and a first magnetic layer. A first shield gap layer formed on the surface opposite to the base so as to extend from the air bearing surface; and the first magnetic layer of the first shield gap layer. A magnetoresistive layer formed on the opposite surface so as to extend rearward from the air bearing surface; and a first magnetoresistive layer on a surface of the magnetoresistive layer opposite to the first shield gap layer. Shi A second shield gap layer formed to extend from the air bearing surface so as to bury the magnetoresistive layer together with the field gap layer; and an electrical connection member for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit. And on the surface of the second shield gap layer opposite to the magnetoresistive layer, from the air bearing surface to substantially the magnetoresistive layer so as to constitute the other shield of the magnetoresistive thin-film magnetic head. A second magnetic layer formed to extend to the rear edge; and a second magnetic layer and a second magnetic layer on a surface of the second magnetic layer opposite to the second shield gap layer. A third magnetic layer formed from the air bearing surface so as to constitute the other shield of the effect type thin film magnetic head and constitute one pole of the inductive type thin film magnetic head; A write gap layer formed so as to extend from an air bearing surface on at least a surface of the magnetic layer opposite to the second magnetic layer of the magnetic pole portion; A fourth magnetic layer opposed to the third magnetic layer via the gap layer and magnetically coupled to the third magnetic layer at a position far from the air bearing surface to form the other pole of the inductive thin film magnetic head; A magnetic member, and a thin-film coil partially disposed insulated by an insulating material so as to pass through a closed magnetic path formed by the third and fourth magnetic layers; Electrically connecting the first and second insulating layers between the first magnetic layer and the third magnetic layer, the first and second insulating layers being thicker than the first and second shield gap layers, respectively. Through A composite thin-film magnetic head having first and second conductive layers extending within the range of the thickness of the second magnetic layer. 【請求項８】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層し
た複合型薄膜磁気ヘッドであって、 絶縁材料よりなり、エアベアリング面を規定する端面を
有する基体と、 この基体によって支持され、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの一方のシールドを構成するように前記エアベアリ
ング面から延在する第１の磁性層と、 この第１の磁性層の、前記基体によって支持された面と
は反対側の面に、前記エアベアリング面からほぼ磁極部
分の後端まで延在するように形成された第２の磁性層
と、 少なくともこの第２の磁性層の、前記第１の磁性層とは
反対側の面に、エアベアリング面から延在するように形
成された第１のシールドギャップ層と、 この第１のシールドギャップ層の、前記第２の磁性層と
は反対側の面に、エアベアリング面から後方へ延在する
が、前記第２の磁性層の後端を越えることがないように
形成された磁気抵抗層と、 少なくもこの磁気抵抗層の、前記第１のシールドギャッ
プ層とは反対側の面に、第１のシールドギャップ層と共
に前記磁気抵抗層を埋設するようにエアベアリング面か
ら延在するように形成された第２のシールドギャップ層
と、 前記磁気抵抗層を、外部回路に接続するための電気的接
続部材と、 前記第２のシールドギャップ層の、前記磁気抵抗層とは
反対側の面に、前記エアベアリング面から前記磁気抵抗
層の後端を越えて延在し、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの他方のシールドを構成するとともに誘導型薄膜磁気
ヘッドの一方のポールを構成するように形成された第３
の磁性層と、 この第３の磁性層の少なくとも磁極部分の、前記第２の
磁性層とは反対側の面に、エアベアリング面から延在す
るように形成されたライトギャップ層と、 エアベアリング面を含む磁極部分において前記ライトギ
ャップ層を介して前記第３の磁性層と対向し、エアベア
リング面から遠い位置において第３の磁性層と磁気的に
結合され、誘導型薄膜磁気ヘッドの他方のポールを構成
する第４の磁性層と、 一部分が、前記第３および第４の磁性層によって構成さ
れる閉磁路を通るように絶縁材料で絶縁分離された状態
で配設された薄膜コイルと、を具え、 前記磁気抵抗層に対する電気的接続部材が、前記第１の
磁性層と第３の磁性層との間に、それぞれ前記第１およ
び第２のシールドギャップ層よりも膜厚の厚い第１およ
び第２の絶縁層を介して前記第２の磁性層の膜厚の範囲
内で延在する第１および第２の導電層を設けたことを特
徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。8. A composite thin film magnetic head in which a magnetoresistive thin film magnetic head for reading and an inductive thin film magnetic head for writing are laminated, wherein the end face is made of an insulating material and defines an air bearing surface. A first magnetic layer supported by the base and extending from the air bearing surface so as to constitute one shield of a magnetoresistive thin-film magnetic head; and A second magnetic layer formed on the surface opposite to the surface supported by the base so as to extend from the air bearing surface to substantially the rear end of the magnetic pole portion; A first shield gap layer formed on a surface opposite to the first magnetic layer so as to extend from an air bearing surface; and a second shield gap layer of the first shield gap layer. A magnetic resistance layer extending rearward from the air bearing surface but not exceeding the rear end of the second magnetic layer; A second shield gap layer formed on the surface opposite to the first shield gap layer so as to extend from the air bearing surface so as to bury the magnetoresistive layer together with the first shield gap layer. An electrical connection member for connecting the magnetoresistive layer to an external circuit; and a surface of the second shield gap layer opposite to the magnetoresistive layer, the magnetoresistive layer being connected to the magnetoresistive layer from the air bearing surface. A third pole extending beyond the rear end of the layer and constituting the other shield of the magnetoresistive thin-film magnetic head and one pole of the inductive thin-film magnetic head;
A write gap layer formed on at least a magnetic pole portion of the third magnetic layer on a surface opposite to the second magnetic layer so as to extend from an air bearing surface; The magnetic pole portion including the surface is opposed to the third magnetic layer via the write gap layer, and is magnetically coupled to the third magnetic layer at a position far from the air bearing surface. A fourth magnetic layer constituting a pole, a thin-film coil partially disposed insulated by an insulating material so as to pass through a closed magnetic path constituted by the third and fourth magnetic layers, An electrical connection member for the magnetoresistive layer is provided between the first magnetic layer and the third magnetic layer, the first magnetic layer having a thickness greater than that of the first and second shield gap layers. And the second A composite thin-film magnetic head comprising first and second conductive layers extending within a range of the thickness of the second magnetic layer via an edge layer. 【請求項９】 前記第１および第２の導電層の前記磁気
抵抗層側の端部を、それぞれ第１および第２の引き出し
電極層を介して磁気抵抗層の両端にそれぞれ接続したこ
とを特徴とする請求項７および８の何れかに記載の複合
型薄膜磁気ヘッド。9. An end of the first and second conductive layers on the magnetoresistive layer side is connected to both ends of the magnetoresistive layer via first and second lead electrode layers, respectively. 9. The composite thin-film magnetic head according to claim 7, wherein: 【請求項１０】 前記第１および第２の導電層の膜厚
を、第１および第２の引き出し電極の膜厚よりも厚くし
たことを特徴とする請求項９に記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッド。10. The composite thin-film magnetic head according to claim 9, wherein the first and second conductive layers have a thickness greater than that of the first and second lead electrodes. . 【請求項１１】 前記第１および第２の導電層を銅で形
成し、前記第１および第２の引き出し電極層を、少なく
とも１層の磁性材料層と、少なくとも１層の導電材料層
との積層体で形成したことを特徴とする請求項１０に記
載の複合型薄膜磁気ヘッド。11. The first and second conductive layers are formed of copper, and the first and second lead electrode layers are formed of at least one magnetic material layer and at least one conductive material layer. The composite thin-film magnetic head according to claim 10, wherein the composite thin-film magnetic head is formed of a laminate. 【請求項１２】 前記銅より成る第１および第２の導電
層の膜厚を0.3 〜0.5 μm としたことを特徴とする請求
項１１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。12. The composite thin-film magnetic head according to claim 11, wherein the first and second conductive layers made of copper have a thickness of 0.3 to 0.5 μm. 【請求項１３】 前記第１および第２の引き出し電極層
の各々を構成する積層体を、TiW/CoPt/TiW/Ta/Auとした
ことを特徴とする請求項１１に記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッド。13. The composite thin film magnetic device according to claim 11, wherein the laminated body constituting each of the first and second extraction electrode layers is TiW / CoPt / TiW / Ta / Au. head. 【請求項１４】 前記第３の磁性層と前記ライトギャッ
プ層との間および前記第４の磁性層と前記ライトギャッ
プ層との間の少なくとも一方に、エアベアリング面から
延在するポールチップを介在させたことを特徴とする請
求項７〜１３の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッド。14. A pole tip extending from an air bearing surface is interposed between at least one of the third magnetic layer and the write gap layer and between at least one of the fourth magnetic layer and the write gap layer. 14. The composite thin film magnetic head according to claim 7, wherein 【請求項１５】 前記ポールチップを、前記第３および
第４の磁性層よりも飽和磁束密度が高い磁性材料で形成
したことを特徴とする請求項１４に記載の複合型薄膜磁
気ヘッド。15. The composite thin-film magnetic head according to claim 14, wherein said pole tip is formed of a magnetic material having a higher saturation magnetic flux density than said third and fourth magnetic layers. 【請求項１６】 前記ポールチップを少なくとも前記第
４の磁性層と前記ライトギャップ層との間に介在させ、
前記第４の磁性層の先端面をエアベアリング面から後退
させたことを特徴とする請求項１４および１５の何れか
に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。16. The pole tip interposed between at least the fourth magnetic layer and the write gap layer,
16. The composite thin-film magnetic head according to claim 14, wherein a tip end surface of said fourth magnetic layer is recessed from an air bearing surface. 【請求項１７】 前記薄膜コイルの少なくとも１層目の
薄膜コイルを前記ポールチップの膜厚内に形成してこれ
ら薄膜コイルとポールチップの表面を平坦としたことを
特徴とする請求項１３〜１６の何れかに記載の複合型薄
膜磁気ヘッド。17. The thin-film coil according to claim 13, wherein at least a first-layer thin-film coil of said thin-film coil is formed within the thickness of said pole tip to flatten the surfaces of said thin-film coil and pole tip. A composite thin film magnetic head according to any one of the above. 【請求項１８】 前記薄膜コイルを第１層目の薄膜コイ
ルと第２層目の薄膜コイルで構成し、第１層目の薄膜コ
イルを前記第３の磁性層とライトギャップ層との間に形
成した第１のポールチップの膜厚内に形成してこれら第
１層目の薄膜コイルと第１のポールチップの表面を平坦
とし、第２層目の薄膜コイルを前記ライトギャップ層と
第４の磁性層との間に形成した第２のポールチップの膜
厚内に形成してこれら第２層目の薄膜コイルと第２のポ
ールチップの表面を平坦としたことを特徴とする請求項
１７に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。18. The thin-film coil comprises a first-layer thin-film coil and a second-layer thin-film coil, and the first-layer thin-film coil is provided between the third magnetic layer and the write gap layer. The first thin film coil and the first pole tip are formed within the thickness of the formed first pole tip to flatten the surfaces of the first thin film coil and the first pole tip. 18. The second thin-film coil formed in the thickness of the second pole tip formed between the second thin-film coil and the second pole tip has a flat surface. 3. The composite thin-film magnetic head according to item 1. 【請求項１９】 前記第４の磁性層を、前記平坦とした
第２のポールチップと第２層目の薄膜コイルの表面に平
坦に形成したことを特徴とする請求項１８に記載の複合
型薄膜磁気ヘッド。19. The composite type according to claim 18, wherein the fourth magnetic layer is formed flat on the surfaces of the flat second pole tip and the second layer thin-film coil. Thin film magnetic head. 【請求項２０】 前記第１および第２の導電層の、前記
磁気抵抗層と接続した側とは反対側を、それぞれ第１お
よび第２の導電部材を介して、外部回路への接続用の第
１および第２の接点パッドにそれぞれに接続したことを
特徴とする請求項７〜１９の何れかに記載の複合型薄膜
磁気ヘッド。20. The first and second conductive layers, which are opposite to the side connected to the magnetoresistive layer, are connected to an external circuit via first and second conductive members, respectively. 20. The composite thin-film magnetic head according to claim 7, wherein the composite thin-film magnetic head is connected to the first and second contact pads, respectively. 【請求項２１】 前記第１および第２の導電部材を、前
記第３の磁性層と同じ磁性材料で同時に形成した部分
と、前記薄膜コイルの少なくとも一部と同じ導電材料で
同時に形成した部分とで構成したことを特徴とする請求
項２０に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。21. A part in which the first and second conductive members are simultaneously formed of the same magnetic material as the third magnetic layer, and a part in which at least a part of the thin-film coil is simultaneously formed of the same conductive material. 21. The composite type thin film magnetic head according to claim 20, wherein: 【請求項２２】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを基体
上に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、 基体上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの下部シール
ドを構成する第１の磁性層を、後に形成されるエアベア
リング面から後方へ延在するように形成する工程と、 この第１の磁性層の上に、エアベアリング面から延在す
るように第１のシールドギャップ層を形成する工程と、 この第１のシールドギャップ層上に、エアベアリング面
から延在するように磁気抵抗層を形成する工程と、 前記第１のシールドギャップ層と相俟って前記磁気抵抗
層を埋設するようにエアベアリング面から延在する第２
のシールドギャップ層を形成する工程と、 この第２のシールドギャップ層の上に、前記磁気抵抗層
をほぼ覆うように第２の磁性層を形成する工程と、 前記第２のシールドギャップ層の、前記第２の磁性層が
形成されていない部分の上に第１の絶縁層を形成する工
程と、 この第１の絶縁層の上に、それぞれが前記磁気抵抗層の
両端に電気的に接続される第１および第２の導電層を所
定のパターンにしたがって形成する工程と、 これら第１および第２の導電層の上に第２の絶縁層を形
成する工程と、 前記第２の磁性層および第２の絶縁層の上に、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドに対する上部磁気シールドおよび
誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポールを兼ねる第１の磁性
部材、ライトギャップ層、薄膜コイルおよび上部ポール
を構成する第２の磁性部材を形成して誘導型薄膜磁気ヘ
ッドを形成する工程と、を具えることを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法。22. A method of manufacturing a composite thin-film magnetic head in which a magnetoresistive thin-film magnetic head for reading and an inductive thin-film magnetic head for writing are laminated on a base, wherein a magnetic thin-film magnetic head is provided on the base. Forming a first magnetic layer constituting a lower shield of the resistive thin-film magnetic head so as to extend rearward from an air bearing surface to be formed later; and forming an air layer on the first magnetic layer. Forming a first shield gap layer so as to extend from a bearing surface; forming a magnetoresistive layer on the first shield gap layer so as to extend from an air bearing surface; A second extending from the air bearing surface so as to bury the magnetoresistive layer in combination with the first shield gap layer;
Forming a second magnetic layer on the second shield gap layer so as to substantially cover the magnetoresistive layer; and forming a second magnetic gap layer on the second shield gap layer. Forming a first insulating layer on a portion where the second magnetic layer is not formed; and, on the first insulating layer, each electrically connected to both ends of the magnetoresistive layer. Forming a first and a second conductive layer according to a predetermined pattern; forming a second insulating layer on the first and the second conductive layer; A first magnetic member serving also as an upper magnetic shield for the magnetoresistive thin-film magnetic head and a lower pole of the inductive thin-film magnetic head, a write gap layer, a thin-film coil and an upper pole are formed on the second insulating layer. 2 magnets Method of manufacturing a composite thin film magnetic head is characterized in that it comprises a step of forming an inductive thin film magnetic head to form a member. 【請求項２３】 前記磁気抵抗層を形成した後、その両
端に電気的に接続されるように第１および第２の引き出
し電極層を形成し、前記第１および第２の導電層を、そ
れぞれの一方の端部が前記第１および第２の引き出し電
極層と接続されるように形成することを特徴とする請求
項２２に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。23. After the formation of the magnetoresistive layer, first and second lead electrode layers are formed so as to be electrically connected to both ends thereof, and the first and second conductive layers are respectively formed. 23. The method according to claim 22, wherein one end of the head is formed so as to be connected to the first and second lead electrode layers. 【請求項２４】 読み取り用の磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドと、書き込み用の誘導型薄膜磁気ヘッドとを基体
上に積層した複合型薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、 基体上に、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの下部シール
ドを構成する第１の磁性層を、後に形成されるエアベア
リング面から後方に延在するように形成する工程と、 この第１の磁性層の上に、エアベアリング面から、後に
形成される磁気抵抗層の後端付近まで延在するように第
２の磁性層を形成する工程と、 前記第１の磁性層の上に第１の絶縁層を形成する工程
と、 この第１の絶縁層の上に、後に形成される磁気抵抗層と
電気的に接続される第１および第２の導電層を所定のパ
ターンにしたがって形成する工程と、 これらの導電層の上に第２の絶縁層を形成する工程と、 前記第２の磁気抵抗層および第２の絶縁層の上にエアベ
アリング面から延在するように第１のシールドギャップ
層を形成する工程と、 この第１のシールドギャップ層の前記第２の磁性層を覆
う部分の上に、エアベアリング面から延在するように磁
気抵抗層を形成する工程と、 前記第１のシールドギャップ層と相俟って前記磁気抵抗
層を埋設するようにエアベアリング面から延在する第２
のシールドギャップ層を形成する工程と、 前記第２のシールドギャップ層上に、磁気抵抗効果型薄
膜磁気ヘッドに対する上部磁気シールドおよび誘導型薄
膜磁気ヘッドの下部ポールを兼ねる第１の磁性部材、ラ
イトギャップ層、薄膜コイルおよび上部ポールを構成す
る第２の磁性部材を形成して誘導型薄膜磁気ヘッドを形
成する工程と、を具えることを特徴とする複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法。24. A method of manufacturing a composite thin-film magnetic head in which a magnetoresistive thin-film magnetic head for reading and an inductive thin-film magnetic head for writing are laminated on a substrate, wherein a magnetic thin-film magnetic head is provided on the substrate. Forming a first magnetic layer constituting a lower shield of the resistive thin-film magnetic head so as to extend rearward from an air bearing surface to be formed later; and forming an air layer on the first magnetic layer. Forming a second magnetic layer so as to extend from the bearing surface to the vicinity of the rear end of the magnetoresistive layer formed later; and forming a first insulating layer on the first magnetic layer. Forming, on the first insulating layer, first and second conductive layers that are electrically connected to a magnetoresistive layer to be formed later according to a predetermined pattern; Forming a second insulating layer thereon Forming a first shield gap layer on the second magnetoresistive layer and the second insulating layer so as to extend from an air bearing surface; and forming the second shield gap layer on the first shield gap layer. Forming a magnetoresistive layer on a portion covering the magnetic layer so as to extend from the air bearing surface; and forming an air bearing so as to embed the magnetoresistive layer together with the first shield gap layer. Second extending from the surface
Forming a shield gap layer on the second shield gap layer, a first magnetic member serving also as an upper magnetic shield for the magnetoresistive thin film magnetic head and a lower pole of the inductive thin film magnetic head, a write gap Forming a second magnetic member constituting a layer, a thin-film coil and an upper pole to form an inductive thin-film magnetic head. 【請求項２５】 前記磁気抵抗層を形成した後、その両
端にそれぞれの一端が電気的に接続されるるとともに他
端が前記第１および第２の導電層の一方の端部に接続さ
れるように第１および第２の引き出し電極層を形成する
ことを特徴とする請求項２４に記載の複合型薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。25. After the formation of the magnetoresistive layer, one end is electrically connected to both ends and the other end is connected to one end of the first and second conductive layers. 25. The method according to claim 24, wherein the first and second lead electrode layers are formed on the substrate. 【請求項２６】 前記第１および第２の導電層の、前記
磁気抵抗素子と電気的に接続される端部とは反対側の端
部に電気的に接続されるように前記第３の磁性部材と同
じ材料よりなる第１および第２の導体層を含む導電部材
を形成することを特徴とする請求項２２〜２５の何れか
に記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。26. The third magnetic layer so as to be electrically connected to an end of the first and second conductive layers opposite to an end electrically connected to the magnetoresistive element. 26. The method according to claim 22, wherein a conductive member including first and second conductive layers made of the same material as the member is formed. 【請求項２７】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポー
ルを構成する第１の磁性部材を形成する工程が、前記第
２の磁性層の表面および前記第２の絶縁層の表面に第３
の磁性層を形成する工程と、この第３の磁性層の表面に
第１のポールチップを形成する工程とを有し、前記第２
の磁性部材を形成する工程が、前記ライトギャップ層を
介して前記第１のポールチップと対向する磁極部分を有
するとともにエアベアリング面とは反対側で前記第３の
磁性層と磁気的に結合された第４の磁性層を形成する工
程とを有することを特徴とする請求項２２〜２６の何れ
かに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。27. A step of forming a first magnetic member constituting a lower pole of the inductive thin film magnetic head, comprising: forming a third magnetic member on a surface of the second magnetic layer and a surface of the second insulating layer;
Forming a first pole tip on the surface of the third magnetic layer, and forming the first pole tip on the surface of the third magnetic layer.
Forming a magnetic member having a magnetic pole portion facing the first pole tip via the write gap layer and being magnetically coupled to the third magnetic layer on the side opposite to the air bearing surface. 27. The method according to claim 22, further comprising the step of forming a fourth magnetic layer. 【請求項２８】 前記誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポー
ルを構成する第１の磁性部材を形成する工程が、前記第
２の磁性層の表面および前記第２の絶縁層の表面に第３
の磁性層を形成する工程と、この第３の磁性層の表面に
第１のポールチップを形成する工程とを有し、前記第２
の磁性部材を形成する工程が、前記ライトギャップ層を
介して前記第１のポールチップと対向するように第２の
ポールチップを形成する工程と、この第２のポールチッ
プと磁気的に結合するとともにエアベアリング面とは反
対側で前記第３の磁性層と磁気的に結合された第４の磁
性層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項
２２〜２６の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法。28. A step of forming a first magnetic member constituting a lower pole of the inductive type thin-film magnetic head, comprising: forming a third magnetic member on a surface of the second magnetic layer and a surface of the second insulating layer;
Forming a first pole tip on the surface of the third magnetic layer, and forming the first pole tip on the surface of the third magnetic layer.
Forming a second pole tip so as to face the first pole tip via the write gap layer, and magnetically coupling the second pole tip with the second pole tip. And forming a fourth magnetic layer magnetically coupled to the third magnetic layer on the side opposite to the air bearing surface. A method for manufacturing a composite thin film magnetic head. 【請求項２９】 前記第４の磁性層を、その先端面がエ
アベアリング面に露出するように形成することを特徴と
する請求項２７および２８の何れかに記載の複合型薄膜
磁気ヘッドの製造方法。29. The composite thin-film magnetic head according to claim 27, wherein the fourth magnetic layer is formed so that a tip end surface thereof is exposed to an air bearing surface. Method. 【請求項３０】 前記第４の磁性層を、その先端面がエ
アベアリング面から後退するように形成することを特徴
とする請求項２７および２８の何れかに記載の複合型薄
膜磁気ヘッドの製造方法。30. The composite thin-film magnetic head according to claim 27, wherein the fourth magnetic layer is formed such that a front end surface thereof recedes from an air bearing surface. Method. 【請求項３１】 前記薄膜コイルを形成する工程が、第
１層目の薄膜コイルを前記第１のポールチップの膜厚内
に形成する工程と、これら第１層目の薄膜コイルと第１
のポールチップの表面を平坦化する工程と、この平坦化
された表面に第２層目の薄膜コイルを、前記第２のポー
ルチップの膜厚内に収まるように形成する工程と、これ
ら第２層目の薄膜コイルと第２のポールチップの表面を
平坦化する工程とを有することを特徴とする請求項２８
〜３０の何れかに記載の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法。31. The step of forming the thin-film coil includes the steps of forming a first-layer thin-film coil within the thickness of the first pole tip,
Flattening the surface of the pole tip, forming a second-layer thin-film coil on the flattened surface so as to be within the thickness of the second pole tip, 29. The method according to claim 28, further comprising a step of flattening the surface of the thin film coil of the layer and the second pole tip.
31. The method for manufacturing a composite thin-film magnetic head according to any one of items 30 to 30. 【請求項３２】 前記第４の磁性層を、前記平坦とした
第２のポールチップと第２層目の薄膜コイルの表面に平
坦に形成することを特徴とする請求項３１に記載の複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法。32. The composite type according to claim 31, wherein the fourth magnetic layer is formed flat on the surfaces of the flat second pole tip and the second layer thin-film coil. A method for manufacturing a thin film magnetic head.
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