JP2000131714A - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス液晶表示装置

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JP2000131714A JP30501398A JP30501398A JP2000131714A JP 2000131714 A JP2000131714 A JP 2000131714A JP 30501398 A JP30501398 A JP 30501398A JP 30501398 A JP30501398 A JP 30501398A JP 2000131714 A JP2000131714 A JP 2000131714A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】低消費電力で表示輝度の均一性が高く、高コン
トラストな高視野角のアクティブマトリクス液晶表示装
置を得る。 【解決手段】共通配線レス（コモンレス）のＩＰＳ方式
のアクティブマトリクス液晶表示装置において、信号配
線１０３及びＴＦＴの上方に絶縁層を介して対向電極１
０７を配置し、この対向電極及び走査配線１０１により
信号配線若しくはＴＦＴを覆って遮光することにより、
ＢＭの削除または小型化と基板の平坦化を実現し、開口
率とセルギャップの均一性を向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス液晶表示装置に係り、特にＩＰＳ（In-PlaneSwitch
ing)方式（＝横電界方式）のアクティブマトリクス液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代
表されるアクティブ素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の高画質でＣＲＴよりも
低消費電力及び小型であることから、パソコンやワーク
ステーションなどのモニターとして使用されつつある。
【０００３】このようにモニター用途に適した液晶表示
装置の一形態として、ＩＰＳ方式のアクティブマトリク
ス液晶表示装置がある。この液晶表示装置の構成は、同
一基板上に走査配線，信号配線，共通配線を配置し、２
つの電極（画素電極と対向電極）を櫛歯状に形成するこ
とにより、液晶に印加する電界の方向を基板面にほぼ平
行な方向としていることが特徴である。このＩＰＳ方式
の液晶表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して広視
野角という特徴があり、直視型モニター用途に最適であ
る。
【０００４】図４は、このような従来のＩＰＳ方式のア
クティブマトリクス液晶表示装置における１つの画素部
の平面構造を示し、図５は、そのＢ−Ｂ′断面構造を示
している。
【０００５】図４において、１０１はＣｒで形成した走
査配線、１０２はアモルファスシリコンで形成した半導
体層、１０３はＣｒで形成した信号配線、１０６はＣｒ
で形成した画素電極、１０７及び１０７′はＣｒで形成
した対向電極、４０１はＣｒで形成した共通配線、４０
２はブラックマトリクスである。
【０００６】このような構成の液晶表示装置では、対向
電極１０７と信号配線１０３の間に隙間がある。この間
隙部には画素表示用の有効な電界が印加することができ
ないばかりでなく、常時変化する信号配線電圧により光
漏れが発生するため、遮光する必要がある。
【０００７】また、信号配線１０３と共通配線４０１の
間隙部も、常時印加されている直流電圧により光漏れが
発生するため、遮光する必要がある。また、走査配線１
０１と対向電極１０７，１０７′の端部の間の間隙部も
同じ理由により遮光する必要がある。さらに光リーク電
流による薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の誤動作を防ぐた
め、ＴＦＴ上部も遮光する必要がある。このようなこと
から、この液晶表示装置は、ブラックマトリクス４０２
で画素部を遮光するようにしているために、開口率が低
い。共通配線４０１があることも開口率が低くなる１つ
の原因である。図５に示すように、ＴＦＴ２１６が配置
された部分でＴＦＴ基板２１４及び対向基板２１５の間
隙が急激に狭くなっている。
【０００８】これは、 １）パシベーション膜２０５を厚くしてＴＦＴ基板２１
４を平坦化することは液晶駆動電圧の増加を伴うために
採用できない、 ２）対向基板２１５にＴＦＴ部に対向させて設けたブラ
ックマトリクス４０２は光リーク電流によるＴＦＴの誤
動作を防止するために省略できない、ためである。
【０００９】この液晶表示装置では、このＴＦＴ部に位
置するスペーサビーズ（以下、単にビーズという）２１
１がセルギャップを規定する。ところが、ＴＦＴ部の面
積は画素全体の１／１００程度であるため、ＴＦＴ部に
ビーズ２１１が配置される割合は１／１００以下とな
る。このため、スペーサビーズ２１１がＴＦＴ部に配置
されず基板が支持されない領域では、セルギャップが不
均一になり、セルギャップが不均一性に起因して表示輝
度が不均一になる。
【００１０】しかして、ビーズ２１１の分散量を増加し
てセルギャップを均一化しようとすると、ＴＦＴ部に位
置するビーズ数が増加すると共に開口部に位置するビー
ズ数も増加する。従って、セルギャップが均一化する反
面、開口部に位置するビーズ周辺で光漏れが生じコント
ラストが低下する。
【００１１】なお、２０１はガラス基板、２０２はゲー
ト絶縁層、２０４はコンタクト層、２０６は配向膜、２
０７はガラス基板、２０８はカラーフィルタ層、２０９
は保護膜であり、平坦化膜としての機能も有する、２１
０は配向膜、２１２は液晶層、２１３，２１７は偏光板
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】このＩＰＳ方式の液晶
表示装置を従来のＴＮ方式の液晶表示装置と比較した場
合、次のような２つの課題がある。
【００１３】その１つは、消費電力が高いことである。
これは、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、開口率が低く、
従来のＴＮ方式の液晶表示装置と同等の輝度を得るため
には、バックライトの消費電力が高くなるためである。
【００１４】ＩＰＳ方式の液晶表示装置の開口率が低い
原因は、 １）櫛歯状電極が光を透過しない、 ２）対向基板上に配置されたブラックマトリクス（以
下、ＢＭという）が開口部の一部を遮光する、ためであ
る。
【００１５】ＢＭが遮光する領域は、走査配線及び信号
配線の縁端部及びＴＦＴ部である。走査配線及び信号配
線の縁端部を遮光する理由は、その部分に光漏れが発生
するためであり、ＴＦＴを遮光する理由は、光リーク電
流によるＴＦＴの誤動作を防止するためである。ＢＭの
面積は、遮光すべき光漏れ発生領域及びＴＦＴが形成さ
れている基板（以下、ＴＦＴ基板という）とＢＭが形成
されている基板（以下、対向基板）の合わせ裕度を見込
んで、ＢＭの面積は光漏れ発生領域及びＴＦＴ領域より
大きめに設定されている。
【００１６】これが、さらに開口率を低くする要因にな
る。消費電力を低減するには、開口率を増加する必要が
ある。
【００１７】もう１つの課題は、ＩＰＳ方式の液晶表示
装置は、表示輝度の均一性が低いという課題がある。こ
れは、ＩＰＳ方式の液晶表示装置では輝度特性のしきい
値電圧が一対の基板に挟まれた液晶層の厚さ（セルギャ
ップ）に反比例するために、セルギャップに不均一性が
あると、それが輝度の不均一性となって表示に現われて
しまうためである。
【００１８】ＴＮ方式の液晶表示装置ではしきい値電圧
はセルギャップに依存しないため、表示輝度の均一性が
比較的高い。表示輝度の均一性を向上するには、基板面
内におけるセルギャップの均一性をＴＮ方式の液晶表示
装置よりも厳しくする必要がある。しかし、現状の方法
でセルギャップを均一化しようとすると、コントラスト
が低下するという、別の課題が発生する。以下、この２
番目の課題の原因について説明する。
【００１９】セルギャップが不均一で且つセルギャップ
を均一化しようとするとコントラストの低下が起きる原
因は、２枚の基板表面に凹凸があり、且つセルギャップ
形成にビーズを用いるためである。
【００２０】凹凸を有する２枚の基板でビーズを挟持し
てセルギャップを形成する場合、セルギャップを規定す
るのは基板間隔が最も狭い領域に挟まれたビーズであ
る。アクティブマトリクス液晶表示装置では、基板間隔
が最も狭い領域は、ＴＦＴ部である。
【００２１】このＴＦＴ部では、一方の基板で最も凸な
ＴＦＴ部と、他方の基板で最も凸なカラーフィルタとＴ
ＦＴ遮光用ブラックマトリクスの重なり部とが向き合っ
た構成となっており、基板間隔が最も狭くなっている。
【００２２】ＴＦＴ部の面積は画素面積の約１／１００
である。ＴＦＴ基板にビーズを分散した場合、凸部はそ
の他の平坦な部分と較べてビーズが乗りにくいことを考
え併せると、ＴＦＴ部にビーズが挟持される確率は１／
１００以下である。例えば、１００個のビーズを分散し
た場合、９９個のビーズはＴＦＴ部以外の画素部に位置
することになり基板支持に寄与しない。ビーズによって
基板が支持されない領域ではセルギャップが不均一にな
りやすく、これがＩＰＳ方式の液晶表示装置では表示輝
度の不均一性を引き起こす。
【００２３】表示輝度の均一性を向上するためには、セ
ルギャップを均一化する必要がある。ビーズの分散量を
増加してセルギャップを均一化しようとすると、ＴＦＴ
部に位置するビーズの数が増加すると共に開口部に位置
するビーズの数も増加する。一般にビーズ周辺では液晶
の配向不良に起因して光漏れが発生する。このため、セ
ルギャップが均一化する反面、開口部に位置するビーズ
の周辺の光漏れによりコントラストが低下する。従っ
て、ビーズの分散量を増加することによってセルギャッ
プを均一化するとコントラストの低下が起きる。均一化
に必要なビーズの分散量を減らすためには、一対の基板
の表面凹凸を減らして平坦化することが必要である。
【００２４】以上まとめると、ＩＰＳ方式のアクティブ
マトリクス液晶表示装置には、 １）消費電力が高い、 ２）表示輝度の均一性が低い、という課題がある。これ
らの課題を克服するためには、 １）開口率を向上させてバックライトの消費電力を軽減
する、 ２）コントラストの低下が生じないようにセルギャップ
を均一化する、必要がある。
【００２５】本発明の目的は、コントラストが高いＩＰ
Ｓ方式のアクティブマトリクス液晶表示装置、即ち、不
要な遮光膜の要らないＩＰＳ方式のアクティブマトリク
ス液晶表示装置を提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
第１の構造として、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス
液晶表示装置において、画素電極との間で表示のために
液晶を基板面と支配的に平行に駆動する電界を生じさせ
る対向電極の一部を信号電極の上に絶縁膜を介して形成
する。そして、この基板面に垂直な方向から見た信号電
極が形成された領域が対向電極が形成された領域と走査
配線が形成された領域に含まれ、はみ出ないようにす
る。又、アクティブ素子上に絶縁膜を介して、対向電極
の一部を形成してもよい。
【００２７】この構成の第１の特徴は、従来のＩＰＳ方
式のアクティブマトリクス液晶表示装置が具備していた
共通配線を省略し、共通配線を走査配線で兼用した、特
開平8−62578号公報に記載されたような、共通配線レス
構成であることである。共通配線レス構成をベースとし
た前記構成を採用することにより、従来の液晶表示装置
において対向基板に設けていたＢＭを削除することがで
きるため、開口率が向上し、かつ対向基板の平坦性が向
上する。
【００２８】従来はアクティブ素子及び走査配線及び信
号配線の縁端部の光漏れ領域を遮光するために必要だっ
たＢＭを削除できる理由は、 １）アクティブ素子の上方に配置された対向電極が該ア
クティブ素子を遮光する、 ２）対向電極及び走査配線で信号配線が完全に覆われる
ため、信号配線縁端部の光漏れが解消する、 ３）共通配線レス構成であるため、特開平8−62578号公
報に記載のように、走査配線縁端部は光漏れがなく遮光
不要である、ためである。
【００２９】このうち、２）において対向電極及び走査
配線で信号配線を完全に覆うため、本発明の構成では、
対向電極の端部が対応する走査配線上に重なるように形
成することで実現している。
【００３０】このような構成を採用することにより信号
配線縁端部の光漏れが完全に解消できるのは、本発明で
共通配線レス構成を採用しているためである。
【００３１】これは、共通配線レス構成では特開平8−6
2578号公報に記載のように、液晶表示動作の殆どの期間
中、対向電極と対応する走査配線に印加される電圧が等
しいため、対向電極の端部を対応する走査配線上に重ね
ても光漏れが生じないためである。
【００３２】一方、従来の共通配線を有する構成では、
液晶表示動作の殆どの期間中、対向電極と対応する走査
配線に直流電圧が印加されるため、対向電極の端部を対
応する走査配線近傍に近接させると、信号配線縁端部の
光漏れ領域を低減する反面、上記直流電圧によって対向
電極の端部と対応する走査配線の間の領域で光漏れが生
じてしまう。
【００３３】従って、従来の構成では、本発明の対向電
極の端部を対応する走査配線上に重ねる構造を採用して
も、信号配線縁端部の光漏れを完全に解消することはで
きず、共通電極を有さないコモンレス構造でこそ効果を
有する発明である。
【００３４】前記構成において、前記複数の対向電極は
配向膜を介して液晶層に接するために、液晶組成物と対
向電極との電気化学的な反応に起因した不良発生を防ぐ
ためには、前記複数の対向電極を構成する材料としては
Ｎｂまたは窒化Ｎｂといった電気化学的に安定な材料が
望ましい。
【００３５】セルギャップの形成にビーズを用いず、Ｔ
ＦＴ基板上に設けた高さ一定の柱状スペーサを用い、前
記スペーサを前記一対の基板で挟持することによりセル
ギャップを形成すれば、セルギャップの均一性が向上す
る。柱状スペーサを配置する位置として、画素電極の周
期的な配置に併せて一定周期で等間隔に配置することが
望ましい。
【００３６】特に、前記対向電極を介してアクティブ素
子の上方に前記スペーサを配置すると、この部分は基板
間隔が最も狭くなっているため、柱状スペーサの高さを
最も低くすることができる。
【００３７】従って、柱状スペーサ材料が削減すること
ができ、柱状スペーサ形成に要する時間が短縮すること
ができる。
【００３８】また、柱状スペーサは対向電極を介してア
クティブ素子の上方に配置されるため、アクティブ素子
上方の電位は対抗電極の電位に保たれ、柱状スペーサの
影響を受けることがないため、柱状スペーサをアクティ
ブ素子の上方に配置することによってアクティブ素子が
誤動作することはない。
【００３９】前記複数の対向電極を構成する材料とし
て、電気化学的に安定なインジウム錫酸化物等の導電性
酸化物を用いることもできるが、これらの材料は透明で
あるため、ＴＦＴを遮光する必要がある。この場合に
は、前記対向電極を介してアクティブ素子の上方に遮光
性を有する柱状のスペーサを配置すれば、セルギャップ
の均一化とＴＦＴの遮光が同時に達成することができ
る。ＴＦＴの上方に小さなＢＭを形成して遮光すること
も可能である。
【００４０】なお、アクティブ素子としてＴＦＴを用い
た場合、絶縁層を介してＴＦＴの上方に設けられた対向
電極はゲート電極の機能を有する（いわゆる２重ゲート
TFT構造）ために、移動度が増加しＴＦＴのスイッチン
グ性能が増加する効果が得られる。
【００４１】
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、実施形態
１における１つの画素部の平面構造を示している。１０
１はＣｒで形成した走査配線、１０２はアモルファスシ
リコンで形成した半導体層、１０３はＣｒで形成した信
号配線、１０４はＣｒで形成した画素電極端子、105は
Ｃｒで形成した保持容量端子、１０６は画素電極、１０
７及び１０７′は対向電極である。
【００４２】図２は、図１における画素部をＡ−Ａ′線
に沿って切断した断面構造を示している。２０１はガラ
ス基板、２０２は窒化シリコンで形成したゲート絶縁
層、２０３は酸化シリコンで形成した絶縁層、２０４は
燐が添加されたｎ+ 型アモルファスシリコンで形成した
コンタクト層、２０５は有機絶縁膜からなるパシベーシ
ョン層、２０６は配向膜、２０７はガラス基板、２０８
はカラーフィルタ層、２０９は保護膜、２１０は配向
膜、２１１はスペーサビーズ、２１２は液晶層、２１３
は偏光板、２１４はＴＦＴ基板、２１５は対向基板、２
１６は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。
【００４３】図１及び２に示した実施形態１のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置は、以下のようにして作成す
る。
【００４４】ＴＦＴ基板２１４は、次のようにして作成
する。先ず、コーニング１７３７ガラス基板２０１上に
厚さ約３００ｎｍのＣｒ膜をスパッタリング法により形
成する。ホトエッチングによりこのＣｒ膜をパターニン
グして走査配線１０１を形成する。その上にプラズマ化
学気相成長（ＣＶＤ）法により、厚さ２５０ｎｍの窒化
シリコン、厚さ５０ｎｍの酸化シリコン層、厚さ２００
ｎｍのアモルファスシリコン層、厚さ５０ｎｍの燐が添
加されたｎ+ 型アモルファスシリコン層を連続形成す
る。各層の形成に用いた原料ガスは以下の通りである：
ＳｉＨ4＋ＮＨ3＋Ｎ2（窒化シリコン層），ＳｉＨ4＋Ｎ
2Ｏ（酸化シリコン層），ＳｉＨ4＋Ｈ2(アモルファスシ
リコン層)，ＳｉＨ4＋Ｈ2＋ＰＨ3(ｎ+ 型アモルファス
シリコン層)。そして、ホトエッチングによりｎ+ 型ア
モルファスシリコン層，アモルファスシリコン層，酸化
シリコン層を同時に島状加工することにより、半導体層
１０２及び絶縁層２０３を形成する。
【００４５】この上にスパッタリング法を用いて形成し
た厚さ３００ｎｍのＣｒをホトエッチングによりパター
ニングして、信号配線１０３，画素電極端子１０４、及
び保持容量端子１０５、を形成する。さらに、信号配線
１０３及び画素電極端子１０４で覆われていない半導体
層１０２上のｎ＋ 型アモルファスシリコン層をエッチ
ングすることによって、信号配線１０３，画素電極端子
１０４と半導体層１０２の間にコンタクト層２０４を形
成する。さらにこの上にスピンコーティング法により厚
さ約１０００ｎｍのポリイミドからなるパシベーション
膜２０５を形成する。ホトエッチングによりパシベーシ
ョン膜２０５及びゲート絶縁層２０２にコンタクトホー
ルを形成した後に、スパッタリング法により厚さ３００
ｎｍの金属薄膜を形成後、ホトエッチングにより前記金
属薄膜をパターニングして、画素電極１０６，対向電極
１０７，１０７′を形成する。
【００４６】これにより、コンタクトホールを介して、
画素電極１０６と画素電極端子104及び保持容量端子１
０５が接続され、対向電極１０７と走査配線１０１が接
続される。
【００４７】そして、ゲート絶縁層２０２の走査配線１
０１と保持容量端子１０５に挟持された部分が保持容量
となる。その上にスピンコーティング法により厚さ約２
００ｎｍの配向膜２０６を形成する。以上により、ＴＦ
Ｔ基板２１４が完成する。
【００４８】対向基板２１５は次のようにして作成す
る。先ず、コーニング１７３７からなるガラス基板２０
７上に、スピンコーティング法により厚さ５００ｎｍの
カラーフィルタ２０８を形成する。その上に、スピンコ
ーティング法により厚さ５００ｎｍの保護膜２０９及び
厚さ２００ｎｍの配向膜２１０を形成する。
【００４９】ＴＦＴ基板２１４及び対向基板２１５は、
その配向膜２０６及び２１０の表面を配向処理した後
に、酸化シリコンからなる直径約４μｍのビーズ２１１
を挟持するように対向させて形成したセルギャップ間に
液晶組成物を封入して液晶層２１２を形成する。最後
に、ＴＦＴ基板２１４及び対向基板２１５の表面に偏光
板を貼り付けて、液晶パネルを完成する。
【００５０】この実施形態では、信号配線１０３及びＴ
ＦＴ２１６の上方に絶縁性のパシベーション膜２０５を
介して該信号配線１０３及びＴＦＴ２１６に重畳するよ
うに、対向電極１０７を配置し、対向電極１０７の端部
が対応する走査配線１０１上に位置し、対向電極１０７
及び走査配線１０１が占有する領域の中に、信号配線１
０３が占有する領域が含まれる。従って、特願平9−151
886 号の明細書及び図面にも記載されているように信号
配線１０３の縁端部の光漏れが解消するために、信号配
線１０３縁端部を遮光するＢＭが不要となる。ＴＦＴ２
１６は対向電極１０７によって遮光される。
【００５１】また、この液晶表示装置は、パシベーショ
ン膜２０５及びゲート絶縁層２０２に連続して開けたコ
ンタクトホールを介して対向電極１０７が走査配線１０
１に接続された特開平8−62578号公報に記載されたよう
な共通配線レス構成になっている。従って、この走査配
線１０１の縁端部では光漏れが発生しないため遮光不要
となる。
【００５２】従って、この液晶表示装置は、対向基板に
設けていたＢＭは不要である。この結果、従来よりも開
口率が約２０％向上し、約６０％となった。また、この
構成では、パシベーション膜２０５の厚さを厚くするこ
とによりＴＦＴ基板２１４の平坦性が向上し、ＢＭがな
いため対向基板２１５の平坦性も向上した。そのため
に、所定のセルギャップを維持するために必要なビーズ
は、１画素あたり１個以下（従来は３個程度必要）とす
ることができ、コントラストが向上する。しかも、この
構成では、液晶に電圧を印加するために用いる画素電極
１０６及び対向電極１０７，１０７′がパシベーション
膜２０５上に形成されているため、パシベーション膜２
０５の厚さを厚くしても液晶駆動電圧は増加しない。
【００５３】この構成において、画素電極１０６及び対
向電極１０７，１０７′は配向膜２０６を介して液晶層
２１２に触れるので、電気化学的に安定な材料で構成す
ることが望ましい。Ｎｂまたは窒化Ｎｂを用いたとこ
ろ、液晶パネルの寿命試験において画素電極１０６及び
対向電極１０７，１０７′の腐食は起こらなかった。な
お、この実施形態において、ＴＦＴ構成はいわゆる２重
ゲートＴＦＴ構造であるために、従来ＴＦＴ構造と比べ
て移動度が約１０％向上した。また、この実施形態のＴ
ＦＴ構成は、窒化シリコンからなるゲート絶縁層２０２
と半導体層１０２の間に酸化シリコン膜からなる絶縁層
２０３が介在したＰＣＴ出願JP96−3467号の明細書及び
図面に記載されたようなＭＮＯＳ構造であり、共通配線
レス方式の駆動に必要なエンハンスメント型ＴＦＴ特性
が得られる。
【００５４】（実施形態２）図３は、実施形態２におけ
る画素部の断面構造を示している。本実施例は、ビーズ
２１１の代わりにＴＦＴ基板２１４上に形成した柱状ス
ペーサ３０１をTFT基板２１４及び対向基板２１５で挟
持することによってセルギャップを形成する構成であ
る。柱状スペーサ３０１は、例えばＳＯＧ(Spin on Gla
ss）法により形成した厚さ４μｍの酸化シリコン膜をホ
トエッチングによりパターニングして形成する。
【００５５】対向電極１０７及びパシベーション膜２０
５を介してＴＦＴ２１６の上方に柱状スペーサ３０１を
配置したところ、柱状スペーサ３０１を小さく（低く）
することができ、この柱状スペーサ３０１の形成に要す
る時間が短縮できた。これは、実際には、この部分は基
板間隔が最も狭くなっているために、所定のセルギャッ
プを得るために必要な柱状スペーサの高さが最も低くな
るためである。また、柱状スペーサ３０１とＴＦＴ２１
６の間に対向電極１０７が介在するために、ＴＦＴ２１
６の上方の電位は対抗電極１０７の電位に保たれること
から、柱状スペーサの電気的な性質によって電界が乱れ
てＴＦＴ２１６が誤動作することはない。
【００５６】（実施形態３）対向電極１０７を構成する
材料として、電気化学的に安定なインジウム錫酸化物等
の導電性酸化物を用いることもできる。この場合、対向
電極１０７は透明となるため、ＴＦＴ２１６に対する遮
光手段が必要となる。この遮光手段は、このＴＦＴ２１
６に対向させた小さなＢＭを設けることにより実現でき
る。
【００５７】また、樹脂ＢＭ材料のような遮光性を有す
る材料で形成した柱状スペーサ301をＴＦＴ２１６の上
方に配置するようにすれば、均一なセルギャップの形成
とＴＦＴ２１６の遮光をともに達成することができる。
【００５８】（実施形態４）図６は、実施形態４におけ
る画素部の断面構造を示している。この実施形態では、
カラーフィルタ層２０８をＴＦＴ基板側、特にパシベー
ション膜２０５の下部に設けたことを特徴とする。この
ような構成にすると、パシベーション膜205がカラーフ
ィルタ層２０８の保護膜２０９の役割を果たすため、保
護膜２０９を省略できるため、部材削減による低コスト
化の効果がある。
【００５９】図７は、実施形態４における画素部の平面
構造を示している。この図にはカラーフィルタ層２０８
のＲＧＢ各色領域の端部を太線で示してある。図６及び
図７に示すように、カラーフィルタ層２０８のＲＧＢ各
色領域の一方の端部をＴＦＴ上に配置した。対向電極１
０７，パシベーション膜２０５、及びカラーフィルタ層
２０８を介してＴＦＴ２１６の上方に柱状スペーサ３０
１を配置したところ、柱状スペーサ３０１をさらに小さ
く（低く）することができ、この柱状スペーサ３０１の
形成に要する時間が短縮できた。これは、ＴＦＴ上でカ
ラーフィルタ層２０８の隣接する２色の領域が重なり、
この部分で対向基板との間隙が更に狭くなったために、
所定のセルギャップを得るために必要な柱状スペーサの
高さがさらに低くなるためである。尚、カラーフィルタ
層２０８が対向基板上にある図３に示した実施形態でも
この効果を得ることができる。
【００６０】（実施形態５）図８は、実施形態５におけ
る画素部の平面構造を示している。この構造では、１本
の画素電極１０６と２本の対向電極１０７で画素が２分
割されるいわゆる２分割画素構造となっている。このよ
うな画素構造は、液晶表示装置の精細度（単位長さ当た
りの画素数）が約１５０dpi(dot par inch）以上の高精
細のＩＰＳ方式の液晶表示装置で採用される。このよう
に高精細なＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素サイズ
は、図１に示した４分割画素構造の約半分程度になる。
【００６１】従って、１画素の面積に対する配線及びＢ
Ｍの遮光面積の割合は４分割画素構造よりも更に大きく
なる。従って、共通配線及びＢＭを省略し、対向電極１
０７を信号配線１０３及び半導体層１０２に重畳した画
素構造を採用したことによって、特に大きな開口率向上
効果を得ることができた。また、このように小さな画素
ではビーズに起因した光漏れによるコントラスト低下の
割合が大きくなるため、実施形態２の柱状スペーサを採
用した結果、大幅にコントラストが向上した。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、対向基板に設けるＢＭ
を削除または小型化することができるために、開口率が
向上し、基板が平坦化する。そして、開口率の向上によ
り消費電力が低減し、基板の平坦化によってセルギャッ
プの均一性が向上すると共に所定のセルギャップの形成
に必要なビーズの数が減少するためにコントラストが向
上する。
【００６３】また、光漏れの原因となるビーズを用いず
に、ＴＦＴ基板上に設けた柱状のスペーサを用いてセル
ギャップを形成することにより、セルギャップの均一性
とコントラストを共に向上させることができる。
【００６４】以上のように、本発明によれば、開口率及
びセルギャップの均一性が向上し、低消費電力で表示輝
度の均一性が高く、高コントラストなアクティブマトリ
クス液晶表示装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における画素部の平面構造
を示す平面図である。
【図２】図１における画素部のＡ−Ａ′線に沿った断面
構造を示す側面図である。
【図３】本発明の他の実施形態における画素部の断面構
造を示す側面図である。
【図４】従来の液晶表示装置における画素部の平面構造
を示す平面図である。
【図５】図４における画素部のＢ−Ｂ′線に沿った断面
構造を示す側面図である。
【図６】本発明の一実施例の平面構造を示す図である。
【図７】図６の平面構造の断面構造を示す図である。
【図８】本発明の一実施例の平面構造を示す図である。
【符号の説明】
１０１…走査配線、１０２…半導体層、１０３…信号配
線、１０４…画素電極端子、１０５…保持容量端子、１
０６…画素電極、１０７，１０７′…対向電極、２０１
…ガラス基板、２０２…ゲート絶縁層、２０３…ＳｉＯ
2 絶縁層、204…コンタクト層、２０５…パシベーショ
ン膜、２０６，２１０…配向膜、２０７…ガラス基板、
２０８…カラーフィルタ層、２０９…保護膜、２１１…
スペーサビーズ、２１２…液晶層、２１３…偏光板、２
１４…ＴＦＴ基板、２１５…対向基板、３０１…柱状ス
ペーサ、４０１…共通配線、４０２…ブラックマトリク
ス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若木 政利 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H089 LA09 LA10 LA16 MA01X NA05 NA14 NA17 QA11 QA14 QA16 RA04 RA18 2H092 GA14 JA26 JA29 JA36 JA38 JA42 JA44 JB14 JB23 JB32 JB33 JB38 JB54 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA16 KA18 KB13 KB14 MA05 MA08 MA13 MA14 MA15 MA18 MA19 MA20 MA27 MA35 MA37 MA41 NA07 NA19 NA25 PA03 PA09 QA06 QA18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と、こ
    の一対の基板に挟持された液晶層とを備え、前記一対の
    基板の一方には、複数の走査配線と、それらの走査配線
    にマトリクス状に形成された複数の信号配線と、これら
    の複数の信号配線と前記複数の走査配線とのそれぞれの
    交点に対応して形成された複数のアクティブ素子と、そ
    れらのアクティブ素子に接続された複数の画素電極と、
    前記複数の走査配線に接続され、前記複数の画素電極と
    の間に、前記一対の基板に対して支配的に平行な電界が
    生じるように形成された複数の対向電極を有するアクテ
    ィブマトリクス液晶表示装置において、 前記複数の対向電極の一部は前記複数の信号電極の上に
    絶縁膜を介して形成されており、 基板面に垂直な方向から見た前記複数の信号配線が形成
    された領域は前記複数の対向電極が形成された領域と前
    記複数の走査配線が形成された領域に含まれることを特
    徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。
  2. 【請求項２】請求項１において、前記対向電極の一部は
    対応する画素電極が接続された走査配線に隣接する走査
    配線に重畳するように形成されていることを特徴とする
    アクティブマトリクス液晶表示装置。
  3. 【請求項３】請求項１又は２において、前記複数の対向
    電極を構成する材料として、Ｎｂまたは窒化Ｎｂを用い
    たことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装
    置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至２において、ブラックマトリ
    クスを省略したことを特徴とするアクティブマトリクス
    液晶表示装置。
  5. 【請求項５】請求項１乃至２において、前記走査配線，
    信号配線及びアクティブ素子を有する基板上に形成した
    柱状のスペーサを、前記一対の基板で挟持することによ
    り、液晶層の厚さを一定に確保するようにしたことを特
    徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。
  6. 【請求項６】請求項５において、前記柱状のスペーサ
    は、アクティブ素子の上方の位置に前記対向電極を介し
    て配置したことを特徴とするアクティブマトリクス液晶
    表示装置。
  7. 【請求項７】請求項６において、前記柱状のスペーサ
    は、遮光性材料で形成したことを特徴とするアクティブ
    マトリクス液晶表示装置。
  8. 【請求項８】請求項１において、前記複数の対向電極を
    構成する材料としてインジウム錫酸化物等の導電性酸化
    物を用い、 前記対向電極を介してアクティブ素子の上方に遮光性を
    有する柱状のスペーサを有し、 前記スペーサにより前記一対の基板に挟持した液晶層の
    厚さを一定に確保するようにしたことを特徴とするアク
    ティブマトリクス液晶表示装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020005997A (ko) * 2000-07-10 2002-01-18 가나이 쓰토무 액정 표시 장치
JP2002116450A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
EP1310822A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-14 Hannstar Display Corp. Electrode array of in-plane switching mode liquid crystal display
JP2003186036A (ja) * 2001-12-20 2003-07-03 Ricoh Co Ltd 光路偏向素子及び画像表示装置
KR100456495B1 (ko) * 2000-12-18 2004-11-10 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치
US6823735B2 (en) 2001-01-24 2004-11-30 Fujitsu Limited Acceleration sensor
US7199851B2 (en) 2003-03-20 2007-04-03 Advanced Display Inc. Liquid crystal display device
KR100709704B1 (ko) * 2000-05-12 2007-04-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100812320B1 (ko) 2005-05-19 2008-03-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2013130862A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置、及び液晶表示装置の作製方法
TWI556045B (zh) * 2014-04-22 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
JP2016191963A (ja) * 2006-09-29 2016-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11202349A (ja) 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6680487B1 (en) * 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
JP4298131B2 (ja) 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6630977B1 (en) * 1999-05-20 2003-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor formed around contact hole
JP2001005007A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Ltd 液晶表示装置
TW459275B (en) 1999-07-06 2001-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of fabricating the same
KR100493869B1 (ko) * 1999-12-16 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
US7071041B2 (en) * 2000-01-20 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6639265B2 (en) 2000-01-26 2003-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
JP3695308B2 (ja) * 2000-10-27 2005-09-14 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
KR100437596B1 (ko) * 2001-04-18 2004-06-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 컬러 필터 기판 제조방법
JP4305811B2 (ja) * 2001-10-15 2009-07-29 株式会社日立製作所 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法
JP4071652B2 (ja) * 2002-03-04 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ発光表示装置
KR100494711B1 (ko) * 2002-05-16 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치
JP4104489B2 (ja) * 2002-05-17 2008-06-18 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその製造方法
TWI243271B (en) * 2002-05-17 2005-11-11 Advanced Display Kk Liquid crystal display device
KR100906635B1 (ko) * 2002-10-23 2009-07-10 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US20040109119A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-10 Hannstar Display Corporation In-plane switching liquid crystal display with high aperture ratio
JP4194362B2 (ja) * 2002-12-19 2008-12-10 奇美電子股▲ふん▼有限公司 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ
KR100947175B1 (ko) * 2003-03-20 2010-03-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈
KR20040084488A (ko) * 2003-03-28 2004-10-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100675631B1 (ko) * 2003-06-27 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
US20050035351A1 (en) * 2003-08-15 2005-02-17 Hung-Jen Chu Device and method for protecting gate terminal and lead
KR101016740B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101157870B1 (ko) * 2004-03-26 2012-06-22 후지필름 가부시키가이샤 감광성 조성물, 감광성 전사재료, 표시장치용 차광층,컬러필터, 액정표시소자 및 표시장치용 차광층이 형성된기판 및 그 제조방법
JP4325498B2 (ja) * 2004-07-07 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP2006145602A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示パネル及び液晶表示装置
US7737442B2 (en) * 2005-06-28 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
KR100849599B1 (ko) * 2007-02-05 2008-07-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치
JP5151212B2 (ja) * 2007-03-30 2013-02-27 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶パネル
KR101016886B1 (ko) * 2007-04-06 2011-02-22 주식회사 엘지화학 액정표시소자용 스페이서 제조방법 및 이에 의해 제조된액정표시소자용 스페이서
KR101320499B1 (ko) * 2007-10-17 2013-10-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
US8830439B2 (en) * 2010-06-10 2014-09-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display panel
KR101809657B1 (ko) * 2011-09-22 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150015996A (ko) 2013-08-02 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102283806B1 (ko) 2013-12-17 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6775325B2 (ja) * 2016-05-13 2020-10-28 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
KR102553976B1 (ko) * 2016-08-01 2023-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566989B2 (ja) 1994-08-24 2004-09-15 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその駆動方法
JP3174497B2 (ja) * 1996-03-19 2001-06-11 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3597305B2 (ja) * 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
TW396289B (en) * 1996-10-29 2000-07-01 Nippon Electric Co Liquid crystal display device
KR100269351B1 (ko) * 1997-09-25 2000-10-16 구본준 횡전계방식 액정표시장치

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100709704B1 (ko) * 2000-05-12 2007-04-19 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20020005997A (ko) * 2000-07-10 2002-01-18 가나이 쓰토무 액정 표시 장치
JP2002116450A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
KR100456495B1 (ko) * 2000-12-18 2004-11-10 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치
US6823735B2 (en) 2001-01-24 2004-11-30 Fujitsu Limited Acceleration sensor
EP1310822A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-14 Hannstar Display Corp. Electrode array of in-plane switching mode liquid crystal display
JP2003186036A (ja) * 2001-12-20 2003-07-03 Ricoh Co Ltd 光路偏向素子及び画像表示装置
US7199851B2 (en) 2003-03-20 2007-04-03 Advanced Display Inc. Liquid crystal display device
KR100812320B1 (ko) 2005-05-19 2008-03-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP2016191963A (ja) * 2006-09-29 2016-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018032054A (ja) * 2006-09-29 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI705287B (zh) * 2006-09-29 2020-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP7470263B2 (ja) 2006-09-29 2024-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP7490902B2 (ja) 2006-09-29 2024-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2013130862A (ja) * 2011-11-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置、及び液晶表示装置の作製方法
TWI556045B (zh) * 2014-04-22 2016-11-01 友達光電股份有限公司 顯示面板

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