JP2000122093A - Reflective liquid crystal display device - Google Patents
Reflective liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、直視型ディスプレ
イもしくは反射型プロジェクションディスプレイなどに
用いられる反射型液晶表示装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type liquid crystal display device used for a direct view type display or a reflection type projection display.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年パーソナルコンピューターなどのＯ
Ａ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）機器の小型
化、軽量化が進み、個人が常時携帯する情報機器の実用
化が進んでいる。このような情報機器の表示装置として
は、低消費電力、小型、軽量という点で液晶を用いた液
晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ：ＬＣＤ）が最も広く用いられている。このよう
な液晶表示装置では、通常バックライトを用いた透過型
液晶表示装置が用いられているが、近年より低消費電力
化の要求が高まり、バックライトを用いない反射型液晶
表示装置の開発が盛んに行われている。2. Description of the Related Art Recently, personal computers and the like
A (Office Automation) devices are becoming smaller and lighter, and information devices that are always carried by individuals are being put to practical use. As a display device of such an information device, a liquid crystal display device (Liquid Crystal Disp) using a liquid crystal in terms of low power consumption, small size, and light weight is used.
layer: LCD) is most widely used. In such a liquid crystal display device, a transmissive liquid crystal display device using a backlight is usually used. However, in recent years, there has been an increasing demand for lower power consumption, and the development of a reflective liquid crystal display device without a backlight has been developed. It is being actively performed.
【０００３】下記に、例えば特開平５−３２３３７１号
公報で開示されているような従来の反射型液晶表示装置
について説明する。図１１は従来の反射型液晶表示装置
のＡ−Ａ断面図であり、図１２はその平面図である。ガ
ラスなどからなる絶縁性の基板１上に、アルミ、タンタ
ルなどからなる複数の走査配線２が互いに平行に設けら
れ、走査配線２からはゲート電極３が分岐している。ゲ
ート電極３を覆って基板１の上全面に窒化シリコン（Ｓ
ｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などからなるゲー
ト絶縁膜４が形成されている。ゲート電極３の上方のゲ
ート絶縁膜４上には、ａ−Ｓｉ、ｐｏｌｙ−Ｓｉなどか
らなる半導体活性層５が形成されている。半導体活性層
５の両端部には、不純物イオンを添加したａ−Ｓｉ、微
結晶シリコン、ｐｏｌｙ−Ｓｉなどからなるコンタクト
層６が形成されている。一方のコンタクト層６上には、
アルミ、チタン、タンタル、クロムなどからなるソース
電極７、ドレイン電極８が形成されている。A conventional reflection type liquid crystal display device disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-323371 will be described below. FIG. 11 is a sectional view of the conventional reflection type liquid crystal display device taken along line AA, and FIG. 12 is a plan view thereof. A plurality of scanning lines 2 made of aluminum, tantalum, or the like are provided in parallel on an insulating substrate 1 made of glass or the like, and a gate electrode 3 branches from the scanning lines 2. Silicon nitride (S) is formed on the entire surface of the substrate 1 covering the gate electrode 3.
A gate insulating film 4 made of iNx), silicon oxide (SiO 2 ) or the like is formed. On the gate insulating film 4 above the gate electrode 3, a semiconductor active layer 5 made of a-Si, poly-Si, or the like is formed. At both ends of the semiconductor active layer 5, contact layers 6 made of a-Si, microcrystalline silicon, poly-Si or the like to which impurity ions are added are formed. On one contact layer 6,
A source electrode 7 and a drain electrode 8 made of aluminum, titanium, tantalum, chromium or the like are formed.
【０００４】図１２に示すように、ソース電極７には、
走査配線２に前述のゲート絶縁膜４をはさんで交差する
信号配線１０が接続されている。信号配線１０もソース
電極７と同じ材料で形成されている。ゲート電極３、ゲ
ート絶縁膜４、半導体活性層５、コンタクト層６、ソー
ス電極７およびドレイン電極８はＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）１１を構成し、そのＴＦＴ１１はスイッチング素
子の機能を有する。As shown in FIG. 12, a source electrode 7 has
The signal wiring 10 that intersects the scanning wiring 2 with the gate insulating film 4 interposed therebetween is connected. The signal wiring 10 is also formed of the same material as the source electrode 7. The gate electrode 3, the gate insulating film 4, the semiconductor active layer 5, the contact layer 6, the source electrode 7 and the drain electrode 8 constitute a TFT (thin film transistor) 11, and the TFT 11 has a function of a switching element.
【０００５】走査配線２、信号配線１０、ＴＦＴ１１を
覆って、基板１の上全面に窒化シリコンなどの無機材料
もしくは有機材料からなる層間絶縁膜１２が形成されて
いる。層間絶縁膜１２上には、アルミなど反射率の高い
材料からなる反射画素電極１３が形成されている。ドレ
イン電極８部分には、コンタクトホール１４が形成さ
れ、反射画素電極１３とドレイン電極８が接続されてい
る。さらに、その上には配向膜が形成される。このよう
にしてアクティブマトリクス基板が形成される。[0005] An interlayer insulating film 12 made of an inorganic material such as silicon nitride or an organic material is formed on the entire surface of the substrate 1 so as to cover the scanning wiring 2, the signal wiring 10 and the TFT 11. On the interlayer insulating film 12, a reflective pixel electrode 13 made of a material having a high reflectance such as aluminum is formed. A contact hole 14 is formed in the drain electrode 8 portion, and the reflective pixel electrode 13 and the drain electrode 8 are connected. Further, an alignment film is formed thereon. Thus, an active matrix substrate is formed.
【０００６】他方の対向基板は、ガラスなどからなる絶
縁性の基板１５上に、カラーフィルター１６が形成され
る。反射画素電極１３と対向する位置には、赤、緑
（青）のカラーフィルター１６Ｒ、１６Ｇ（１６Ｂ）形
成され、反射画素電極１３に対向しない位置には、窒化
クロム、窒化タンタルなどからなる金属の遮光膜（ブラ
ックマトリクス、以下、ＢＭと呼ぶ）１６ＢＭが形成さ
れている。ＢＭは金属以外の黒色の樹脂などでも形成さ
れる。カラーフィルター１６の上には、ＩＴＯなどの透
明導電材料からなる共通電極１７が形成される。液晶層
１８はアクティブマトリクス基板と対向基板の間に配置
される。The other counter substrate has a color filter 16 formed on an insulating substrate 15 made of glass or the like. Red and green (blue) color filters 16R and 16G (16B) are formed at positions opposed to the reflective pixel electrode 13, and at positions not opposed to the reflective pixel electrode 13, metal filters made of chromium nitride, tantalum nitride, or the like are used. A light-shielding film (black matrix, hereinafter referred to as BM) 16BM is formed. The BM is also formed of a black resin or the like other than metal. A common electrode 17 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the color filter 16. The liquid crystal layer 18 is disposed between the active matrix substrate and the counter substrate.
【０００７】次に、このように構成された反射型液晶表
示装置の動作について説明する。ＴＦＴ１１がオン状態
になると、信号配線１０より反射画素電極１３に電流が
流れ、反射画素電極１３はその時の信号配線１０の電圧
に充電される。このとき、反射画素電極１３と共通電極
１７に挟まれた液晶層１８に電圧が印加されて、液晶層
１８が動作する。反射型液晶表示装置では、対向基板側
から入射した光を反射画素電極１３で反射することによ
り表示を行う。対向基板側から入射し反射画素電極１３
で反射された光は、液晶層１８で偏光され透過率が変化
する。これにより、反射画素電極１３間でコントラスト
の差を生じ画像を表示することができる。Next, the operation of the thus-configured reflection type liquid crystal display device will be described. When the TFT 11 is turned on, a current flows from the signal line 10 to the reflective pixel electrode 13, and the reflective pixel electrode 13 is charged to the voltage of the signal line 10 at that time. At this time, a voltage is applied to the liquid crystal layer 18 sandwiched between the reflective pixel electrode 13 and the common electrode 17, and the liquid crystal layer 18 operates. In the reflection type liquid crystal display device, display is performed by reflecting light incident from the counter substrate side on the reflection pixel electrode 13. Reflection pixel electrode 13 incident from the opposite substrate side
Is reflected by the liquid crystal layer 18 and the transmittance changes. As a result, a difference in contrast occurs between the reflective pixel electrodes 13 and an image can be displayed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】対向基板上のカラーフ
ィルター１６が形成され、反射画素電極１３に対向しな
い位置には、ＢＭ１６ＢＭが形成されている。カラーフ
ィルターのコストダウンを図るために、このＢＭ１６Ｂ
Ｍを無くした構成（以下、ＢＭレス構造と呼ぶ）が検討
されている。特に、ＢＭに金属の膜を用いると、製造コ
ストが大幅に増加するという問題がある。ＢＭレス構造
とは、例えば赤緑青のカラーフィルターの色層だけで作
製する構造である。このＢＭレス構造として考えられる
構造について、図１３により説明する。A color filter 16 on a counter substrate is formed, and a BM 16BM is formed at a position not facing the reflective pixel electrode 13. To reduce the cost of color filters, this BM16B
A configuration without M (hereinafter, referred to as a BM-less structure) is being studied. In particular, when a metal film is used for the BM, there is a problem that the manufacturing cost is significantly increased. The BM-less structure is, for example, a structure formed only with the color layers of red, green and blue color filters. A structure considered as the BM-less structure will be described with reference to FIG.
【０００９】（１）図１３（１）に示すように、反射画
素電極１３に対向しない位置には、ＢＭを形成せず、共
通電極１７と配向膜５１を基板１５の上に積層させる。 （２）図１３（２）に示すように、反射画素電極１３に
対向しない位置には、赤のカラーフィルター１６Ｒと緑
のカラーフィルター１６Ｇとを重ね合わせる。その上
に、共通電極１７と配向膜５１を積層させる。このよう
にカラーフィルターの色層を重ね合わせる。あるいは、
カラーフィルターの色層を重ね合わせずに、信号配線や
走査配線の中程で隣り合う色層どうしを隙間なく配置さ
せても良い。 （３）図１３（３）に示すように、カラーフィルター１
６の上に絶縁膜５２を形成させ、平坦化させる。その
際、反射画素電極１３に対向しない位置には、絶縁膜５
２が埋まっている。その絶縁膜５２の上に、共通電極１
７と配向膜５１を積層させる。(1) As shown in FIG. 13A, a common electrode 17 and an alignment film 51 are laminated on a substrate 15 without forming a BM at a position not opposed to the reflective pixel electrode 13. (2) As shown in FIG. 13 (2), a red color filter 16R and a green color filter 16G are superimposed at a position not opposed to the reflective pixel electrode 13. The common electrode 17 and the alignment film 51 are stacked thereon. Thus, the color layers of the color filter are superposed. Or,
Instead of overlapping the color layers of the color filter, color layers adjacent to each other in the middle of the signal wiring or the scanning wiring may be arranged without gaps. (3) As shown in FIG.
6, an insulating film 52 is formed and flattened. At this time, the insulating film 5 is located at a position not facing the reflective pixel electrode 13.
2 is buried. On the insulating film 52, the common electrode 1
7 and the alignment film 51 are laminated.
【００１０】図１４に示すように、従来の反射型液晶表
示装置をＢＭレス構造にすると、反射型液晶表示装置の
前面からの入射光２１が、反射画素電極１３と信号配線
１０の隙間２２、反射画素電極１３と走査配線２の隙間
２２から、反射型液晶表示装置の裏面へ通過する。反射
型液晶表示装置の裏面には、コントロール基板、台座な
どの反射率の高い材料からなる部材３０が配置される場
合が多く、入射光２１は部材３０にて反射される。この
とき、入射光２１は部材３０の表面形状によりさまざま
な方向に散乱する。この散乱光のうち、ＴＦＴ１１の近
傍に達した光は、直接あるいは反射画素電極１３の裏面
で反射してＴＦＴ１１の半導体活性層５に入射する。こ
れにより、光伝導効果が生じ光リーク電流が流れ、反射
画素電極１３と共通電極１７との間に蓄積された電荷が
減少し、反射型液晶表示装置のコントラストが低下す
る。As shown in FIG. 14, when the conventional reflection type liquid crystal display device has a BM-less structure, incident light 21 from the front surface of the reflection type liquid crystal display device causes a gap 22 between the reflection pixel electrode 13 and the signal wiring 10, The light passes through the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2 to the back surface of the reflective liquid crystal display device. In many cases, a member 30 made of a material having a high reflectance, such as a control substrate or a pedestal, is arranged on the back surface of the reflection type liquid crystal display device, and the incident light 21 is reflected by the member 30. At this time, the incident light 21 is scattered in various directions depending on the surface shape of the member 30. Of the scattered light, the light that has reached the vicinity of the TFT 11 is incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 directly or reflected on the back surface of the reflective pixel electrode 13. As a result, a photoconductive effect occurs, a light leak current flows, and the charge accumulated between the reflective pixel electrode 13 and the common electrode 17 decreases, and the contrast of the reflective liquid crystal display device decreases.
【００１１】さらに、信号配線１０または走査配線２を
ＩＴＯなどの透明導電材料で形成した場合には、信号配
線１０または走査配線２により遮光されることがないた
め、より多くの入射光２１が部材３０で散乱され、表示
品位を低下させる。Further, when the signal wiring 10 or the scanning wiring 2 is formed of a transparent conductive material such as ITO, the signal wiring 10 or the scanning wiring 2 is not shielded from light, so that more incident light 21 is transmitted to the member. It is scattered by 30 and degrades the display quality.
【００１２】本発明は、対向基板のカラーフィルタに遮
光膜を配置することなく、薄膜トランジスタの光リーク
電流を抑制し、反射型液晶表示装置のコントラスト低下
を防ぐ反射型液晶表示装置を提供するものである。The present invention provides a reflection type liquid crystal display device which suppresses a light leak current of a thin film transistor and prevents a decrease in contrast of a reflection type liquid crystal display device without disposing a light shielding film on a color filter of a counter substrate. is there.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の反射型液
晶表示装置は、絶縁性基板に配置された複数本の走査配
線と、これと絶縁膜を介し交差するように配置された複
数本の信号配線と、前記走査配線と信号配線の交差部分
に薄膜トランジスタとが設けられ、前記薄膜トランジス
タに接続され反射機能を有する反射画素電極が設けられ
ているアクティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に、
前記反射画素電極に対応する領域にはカラーフィルター
の色層を形成し、前記反射画素電極間に対応する領域に
は遮光膜を設けないカラーフィルターを形成し、その上
に透明導電材料からなる共通電極を設けた対向基板との
間に、液晶が挟持された反射型液晶表示装置において、
前記反射画素電極と少なくとも一方の配線の隙間領域
に、薄膜トランジスタを構成する半導体層と同じ材料か
らなる遮光膜が形成されていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a reflection type liquid crystal display device comprising: a plurality of scanning lines arranged on an insulating substrate; and a plurality of scanning lines arranged so as to intersect with the scanning lines via an insulating film. A signal wiring, an active matrix substrate provided with a thin film transistor at an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, a reflective pixel electrode connected to the thin film transistor and having a reflective function, and an insulating substrate;
A color layer of a color filter is formed in a region corresponding to the reflective pixel electrode, and a color filter having no light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a common color filter made of a transparent conductive material is formed thereon. In a reflective liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a counter substrate provided with electrodes,
A light-shielding film made of the same material as the semiconductor layer forming the thin film transistor is formed in a gap region between the reflective pixel electrode and at least one of the wirings.
【００１４】請求項２記載の液晶表示装置は、絶縁性基
板に配置された複数本の金属膜からなる走査配線と、こ
れと絶縁膜を介し交差するように配置された複数本の信
号配線と、前記走査配線と信号配線の交差部分に薄膜ト
ランジスタとが設けられ、前記薄膜トランジスタに接続
され反射機能を有する反射画素電極が設けられているア
クティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に、前記反射
画素電極に対応する領域にはカラーフィルターの色層を
形成し、前記反射画素電極間に対応する領域には遮光膜
を設けないカラーフィルターを形成し、その上に透明導
電材料からなる共通電極を設けた対向基板との間に、液
晶が挟持された反射型液晶表示装置において、前記反射
画素電極と前記信号配線の隙間領域に、前記走査配線と
同材料である遮光膜が形成されていることを特徴とす
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of metal wirings arranged on an insulating substrate; and a plurality of signal wirings arranged so as to intersect with the scanning wiring via the insulating film. A thin film transistor is provided at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring, an active matrix substrate provided with a reflective pixel electrode connected to the thin film transistor and having a reflective function, and an insulating substrate, A color layer of a color filter is formed in a corresponding region, a color filter without a light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a common electrode made of a transparent conductive material is provided thereon. In a reflective liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a substrate and a substrate, a light-shielding material made of the same material as the scanning wiring is provided in a gap region between the reflective pixel electrode and the signal wiring. Wherein the but has been formed.
【００１５】請求項３記載の液晶表示装置は、絶縁性基
板に配置された複数本の走査配線と、これと絶縁膜を介
し交差するように配置された複数本の金属膜からなる信
号配線と、前記走査配線と信号配線の交差部分に薄膜ト
ランジスタとが設けられ、前記薄膜トランジスタに接続
され反射機能を有する反射画素電極が設けられているア
クティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に、前記反射
画素電極に対応する領域にはカラーフィルターの色層を
形成し、前記反射画素電極間に対応する領域には遮光膜
を設けないカラーフィルターを形成し、その上に透明導
電材料からなる共通電極を設けた対向基板との間に、液
晶が挟持された反射型液晶表示装置において、前記反射
画素電極と前記走査配線の隙間領域に、前記信号配線と
同材料である遮光膜が形成されていることを特徴とす
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of scanning wirings arranged on an insulating substrate; and a plurality of metal wirings arranged so as to intersect with the scanning wirings via an insulating film. A thin film transistor is provided at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring, an active matrix substrate provided with a reflective pixel electrode connected to the thin film transistor and having a reflective function, and an insulating substrate, A color layer of a color filter is formed in a corresponding region, a color filter without a light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a common electrode made of a transparent conductive material is provided thereon. In a reflective liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a substrate and a substrate, a light-shielding material made of the same material as the signal wiring is provided in a gap region between the reflective pixel electrode and the scanning wiring. Wherein the but has been formed.
【００１６】請求項４記載の液晶表示装置は、前記少な
くとも一方の配線が透明導電材料で構成され、この配線
に重畳して前記遮光膜が形成されていることを特徴とす
る。According to a fourth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device, the at least one wiring is made of a transparent conductive material, and the light shielding film is formed so as to overlap with the wiring.
【００１７】請求項５記載の液晶表示装置は、前記遮光
膜が薄膜トランジスタ近傍領域にも形成されていること
を特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device, the light shielding film is formed also in a region near the thin film transistor.
【００１８】請求項６記載の液晶表示装置は、前記遮光
膜が隣りあう反射画素電極に存在する同形状の遮光膜と
連結されていることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device, the light-shielding film is connected to a light-shielding film of the same shape existing on adjacent reflective pixel electrodes.
【００１９】請求項７記載の液晶表示装置は、前記遮光
膜の一端が、走査配線または走査配線と同層に形成され
る共通配線に連結されていることを特徴とする。According to a seventh aspect of the invention, in the liquid crystal display device, one end of the light shielding film is connected to a scanning wiring or a common wiring formed in the same layer as the scanning wiring.
【００２０】上記構成による作用を説明する。請求項１
記載の反射型液晶表示装置によれば、対向基板のカラー
フィルターがＢＭレス構造の場合でも、配線と反射画素
電極との隙間を通って部材から反射してくる光が少なく
なるので、薄膜トランジスタに裏面から入射する光も少
なくなる。したがって、薄膜トランジスタに光リーク電
流が流れないのでオフ特性が改善され、コントラストの
高い反射型液晶表示装置をプロセスをふやすことなく実
現できる。半導体層は、実施形態１で後述する半導体活
性層またはコンタクト層を意味する。コンタクト層の方
が半導体活性層よりも遮光性が高いので、コンタクト層
で遮光膜を形成した方が、光リーク電流を低減すること
ができる。そして、コンタクト層と半導体活性層とを併
用することで、さらに遮光性を高くすることができる。
また、半導体層で遮光膜を形成すれば、反射画素電極と
遮光膜との間で生じる寄生容量を、金属膜で形成する場
合よりも、小さくすることができる。The operation of the above configuration will be described. Claim 1
According to the reflective liquid crystal display device described above, even when the color filter of the opposing substrate has the BM-less structure, the amount of light reflected from the member through the gap between the wiring and the reflective pixel electrode is reduced. Light incident from the light source is also reduced. Therefore, since no light leakage current flows through the thin film transistor, the off characteristic is improved, and a reflective liquid crystal display device with high contrast can be realized without increasing the process. The semiconductor layer means a semiconductor active layer or a contact layer described later in the first embodiment. Since the contact layer has a higher light-shielding property than the semiconductor active layer, forming the light-shielding film with the contact layer can reduce the light leakage current. By using the contact layer and the semiconductor active layer together, the light-shielding property can be further enhanced.
In addition, when the light-shielding film is formed of the semiconductor layer, the parasitic capacitance generated between the reflective pixel electrode and the light-shielding film can be reduced as compared with the case where the light-shielding film is formed of the metal film.
【００２１】請求項２記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、対向基板のカラーフィルターがＢＭレス構造の場合
でも、配線と反射画素電極との隙間を通って部材から反
射してくる光が少なくなるので、薄膜トランジスタに裏
面から入射する光も少なくなる。したがって、薄膜トラ
ンジスタに光リーク電流が流れないのでオフ特性が改善
され、コントラストの高い反射型液晶表示装置をプロセ
スをふやすことなく実現できる。According to the reflection type liquid crystal display device of the second aspect, even when the color filter of the opposite substrate has the BM-less structure, less light is reflected from the member through the gap between the wiring and the reflection pixel electrode. Therefore, light incident on the thin film transistor from the back surface is also reduced. Therefore, since no light leakage current flows through the thin film transistor, the off characteristic is improved, and a reflective liquid crystal display device with high contrast can be realized without increasing the process.
【００２２】請求項３記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、対向基板のカラーフィルターがＢＭレス構造の場合
でも、配線と反射画素電極との隙間を通って部材から反
射してくる光が少なくなるので、薄膜トランジスタに裏
面から入射する光も少なくなる。したがって、薄膜トラ
ンジスタに光リーク電流が流れないのでオフ特性が改善
され、コントラストの高い反射型液晶表示装置をプロセ
スをふやすことなく実現できる。According to the reflective liquid crystal display device of the third aspect, even when the color filter of the opposite substrate has a BM-less structure, less light is reflected from the member through the gap between the wiring and the reflective pixel electrode. Therefore, light incident on the thin film transistor from the back surface is also reduced. Therefore, since no light leakage current flows through the thin film transistor, the off characteristic is improved, and a reflective liquid crystal display device with high contrast can be realized without increasing the process.
【００２３】請求項４記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、配線を透明導電材料のみで形成することにより、プ
ロセスをさらに簡略化した場合であっても、請求項１と
同様の効果が得られる。反射型液晶表示装置の周辺部に
存在する駆動用ドライバの接続端子電極にも透明導電材
料が使用されているため、配線を透明導電材料で形成す
ることにより、駆動用ドライバの接続端子電極の形成も
簡略化することができる。According to the reflection type liquid crystal display device of the fourth aspect, the same effect as that of the first aspect can be obtained even if the process is further simplified by forming the wiring only with the transparent conductive material. Can be Since the transparent conductive material is also used for the connection terminal electrodes of the driving driver existing in the peripheral portion of the reflection type liquid crystal display device, the wiring is formed of the transparent conductive material to form the connection terminal electrodes of the driving driver. Can also be simplified.
【００２４】請求項５記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、配線と反射画素電極との隙間を通ってきた光が、部
材で反射して薄膜トランジスタに入射するのをさらに防
ぐことができるので、さらに薄膜トランジスタのオフ特
性が改善される。According to the reflection type liquid crystal display device of the present invention, the light that has passed through the gap between the wiring and the reflection pixel electrode can be further prevented from being reflected by the member and incident on the thin film transistor. Further, the off characteristic of the thin film transistor is improved.
【００２５】請求項６記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、遮光膜部の段差が少なくなり、この上層に形成され
る膜の段切れが低減される。According to the reflection type liquid crystal display device of the present invention, the step of the light shielding film portion is reduced, and the disconnection of the film formed thereon is reduced.
【００２６】請求項７記載の反射型液晶表示装置によれ
ば、遮光膜部の段差が少なくなり、この上層に形成され
る膜の段切れが低減される。陽極酸化法によってゲート
絶縁膜を形成するとき、遮光膜の周囲にも同様にゲート
絶縁膜が形成されるので、一層効果がある。さらに、共
通配線に連結されている方が、寄生容量を低くすること
ができる。According to the reflection type liquid crystal display device of the present invention, the step of the light-shielding film portion is reduced, and the disconnection of the film formed thereon is reduced. When the gate insulating film is formed by the anodic oxidation method, the gate insulating film is similarly formed around the light-shielding film, which is more effective. Furthermore, the parasitic capacitance can be reduced by connecting to the common wiring.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、実施形態により本発明を具
体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to embodiments.
【００２８】（実施形態１）図１は、実施形態１の反射
型液晶表示装置のＡ−Ａ断面図であり、図２はその平面
図である。ガラスなどからなる絶縁性の基板１上に、ア
ルミ、タンタルなどからなる複数の走査配線２が互いに
平行に設けられ、走査配線２からはゲート電極３が分岐
している。また、走査配線２と同一の材料からなる遮光
膜３１が配置される。走査配線２、ゲート電極３、遮光
膜３１を覆って基板１上の全面に窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）などからなるゲート絶縁膜４が形成されている。ゲ
ート電極３の上方のゲート絶縁膜４上には、ａ−Ｓｉな
どからなる半導体活性層５が形成されている。半導体活
性層５の両端部には、不純物イオンを添加したａ−Ｓ
ｉ、微結晶シリコンなどからなるコンタクト層６が形成
されている。一方のコンタクト層６上には、アルミ、タ
ンタルなどからなるソース電極７が形成され、他方のコ
ンタクト層６上にも、ソース電極７と同じ材料からなる
ドレイン電極８が重畳形成されている。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA of the reflection type liquid crystal display device of Embodiment 1, and FIG. 2 is a plan view thereof. A plurality of scanning lines 2 made of aluminum, tantalum, or the like are provided in parallel on an insulating substrate 1 made of glass or the like, and a gate electrode 3 branches from the scanning lines 2. Further, a light-shielding film 31 made of the same material as the scanning wiring 2 is disposed. Silicon nitride (SiN) is formed on the entire surface of the substrate 1 covering the scanning wiring 2, the gate electrode 3, and the light shielding film 31.
x) and the like are formed. On the gate insulating film 4 above the gate electrode 3, a semiconductor active layer 5 made of a-Si or the like is formed. At both ends of the semiconductor active layer 5, a-S doped with impurity ions is used.
i, a contact layer 6 made of microcrystalline silicon or the like is formed. A source electrode 7 made of aluminum, tantalum, or the like is formed on one contact layer 6, and a drain electrode 8 made of the same material as the source electrode 7 is formed on the other contact layer 6.
【００２９】図２に示すように、ソース電極７には、走
査配線２に前述のゲート絶縁膜４をはさんで交差する信
号配線１０が接続されている。信号配線１０もソース電
極７と同じ透明導電材料で形成されている。ゲート電極
３、ゲート絶縁膜４、半導体活性層５、コンタクト層
６、ソース電極７およびドレイン電極８はＴＦＴ１１を
構成し、ＴＦＴ１１はスイッチング素子の機能を有す
る。As shown in FIG. 2, the source electrode 7 is connected to the signal wiring 10 which intersects the scanning wiring 2 with the gate insulating film 4 interposed therebetween. The signal wiring 10 is also formed of the same transparent conductive material as the source electrode 7. The gate electrode 3, the gate insulating film 4, the semiconductor active layer 5, the contact layer 6, the source electrode 7 and the drain electrode 8 constitute a TFT 11, and the TFT 11 has a function of a switching element.
【００３０】走査配線２、信号配線１０、ＴＦＴ１１を
覆って、基板１上全面に窒化シリコンなどの無機材料、
もしくは有機材料からなる層間絶縁膜１２が形成されて
いる。層間絶縁膜１２上には、アルミなど反射率の高い
材料からなる反射画素電極１３が形成されている。ドレ
イン電極８部分には、コンタクトホール１４が形成さ
れ、反射画素電極１３とドレイン電極８が接続されてい
る。さらにその上には配向膜が形成される。このように
して、アクティブマトリクス基板が形成される。An inorganic material such as silicon nitride is formed on the entire surface of the substrate 1 so as to cover the scanning wiring 2, the signal wiring 10, and the TFT 11.
Alternatively, an interlayer insulating film 12 made of an organic material is formed. On the interlayer insulating film 12, a reflective pixel electrode 13 made of a material having a high reflectance such as aluminum is formed. A contact hole 14 is formed in the drain electrode 8 portion, and the reflective pixel electrode 13 and the drain electrode 8 are connected. Further, an alignment film is formed thereon. Thus, an active matrix substrate is formed.
【００３１】層間絶縁膜を厚く形成しているのは、開口
率を向上させるためである。仕様や目的により、層間絶
縁膜を厚く形成しなくても良い。The reason why the interlayer insulating film is formed thick is to improve the aperture ratio. Depending on the specifications and purpose, the interlayer insulating film does not have to be formed thick.
【００３２】他方の対向基板は、ガラスなどからなる絶
縁性の基板１５上に、カラーフィルター１６が形成され
る。反射画素電極１３と対向する位置には、赤、緑
（青）のカラーフィルター１６Ｒ、１６Ｇ（１６Ｂ）形
成され、反射画素電極１３に対向しない位置には、遮光
膜を設けない。カラーフィルター１６上には、ＩＴＯな
どの透明導電材料からなる共通電極１７が形成される。
図１３に示すように、カラーフィルター１６はＢＭレス
構造であり、反射画素電極１３に対向しない位置には、
共通電極１７が形成されている。アクティブマトリクス
基板と対向基板の間には、液晶層１８が配置される。On the other counter substrate, a color filter 16 is formed on an insulating substrate 15 made of glass or the like. Red and green (blue) color filters 16R and 16G (16B) are formed at positions opposed to the reflective pixel electrode 13, and no light-shielding film is provided at positions not opposed to the reflective pixel electrode 13. A common electrode 17 made of a transparent conductive material such as ITO is formed on the color filter 16.
As shown in FIG. 13, the color filter 16 has a BM-less structure, and at a position not facing the reflective pixel electrode 13,
A common electrode 17 is formed. A liquid crystal layer 18 is arranged between the active matrix substrate and the counter substrate.
【００３３】次に、実施形態１の反射型液晶表示装置の
製造方法について説明する。アクティブマトリクス基板
側の基板１上にスパッタリング法により、膜厚１００〜
５０００ｎｍのアルミ合金を堆積する。フォトリソグラ
フィー法とＲＩＥ（反応性イオンエッチング法：Ｒｉａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いて走査
配線２およびゲート電極３および遮光膜２０を形成す
る。続いて、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜４と
なるＳｉＮｘ膜、半導体活性層５となるａ−Ｓｉ膜、コ
ンタクト層６となるｎ+添加微結晶シリコン膜（以下ｎ+
膜）を積層する。膜厚はＳｉＮｘ膜が３００ｎｍ、ａ−
Ｓｉ膜が２００ｎｍ、ｎ+膜が５０ｎｍである。フォト
リソグラフィー法とＲＩＥ法を用いてａ−Ｓｉ膜とｎ+
膜を島状に加工する。Next, a method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device of Embodiment 1 will be described. On the substrate 1 on the active matrix substrate side, a film thickness of 100 to
A 5000 nm aluminum alloy is deposited. Photolithography and RIE (Reactive Ion Etching: Ria
The scanning wiring 2, the gate electrode 3, and the light-shielding film 20 are formed using an active ion etching (active ion etching) method. Subsequently, a SiNx film serving as a gate insulating film 4, an a-Si film serving as a semiconductor active layer 5, and an n + -added microcrystalline silicon film (hereinafter referred to as n +) serving as a contact layer 6 are formed by a plasma CVD method.
Film). The thickness of the SiNx film is 300 nm,
The Si film has a thickness of 200 nm, and the n + film has a thickness of 50 nm. An a-Si film and n + are formed by photolithography and RIE.
Process the film into islands.
【００３４】次に、スパッタリング法により、膜厚１０
０〜３００ｎｍのアルミ合金を堆積し、フォトリソグラ
フィー法とウェットエッチング法を適用して、信号配線
１０、ソース電極７、ドレイン電極８を形成する。次
に、アルミ電極をマスクとして、ＨＣｌ／ＳＦ6の混合
ガスを用いたドライエッチにより、ｎ+膜とａ−Ｓｉ膜
の一部をエッチングし、ＴＦＴ１１が完成する。Next, a film thickness of 10
An aluminum alloy of 0 to 300 nm is deposited, and a signal wiring 10, a source electrode 7, and a drain electrode 8 are formed by applying photolithography and wet etching. Next, using the aluminum electrode as a mask, a part of the n + film and the a-Si film is etched by dry etching using a mixed gas of HCl / SF 6 , thereby completing the TFT 11.
【００３５】続いて、有機材料からなる膜厚０．３〜３
μｍの層間絶縁膜１２を堆積し、フォトリソ工程により
コンタクトホール１４を形成する。反射画素電極１３と
なるＡｌ／Ｍｏの積層膜をスパッタリング法により堆積
する。アルミの下層にＭｏを配置することで、アルミと
ＩＴＯの電蝕を防ぐ。さらに、ポリイミドからなる配向
膜を塗布する。Subsequently, a film thickness of 0.3 to 3 made of an organic material is used.
A μm interlayer insulating film 12 is deposited, and a contact hole 14 is formed by a photolithography process. An Al / Mo multilayer film serving as the reflective pixel electrode 13 is deposited by a sputtering method. By arranging Mo under aluminum, electrolytic corrosion of aluminum and ITO is prevented. Further, an alignment film made of polyimide is applied.
【００３６】対向基板は、ガラスからなる基板１５上に
カラーフィルター１６を形成後、共通電極１７となるＩ
ＴＯ膜をスパッタリング法により堆積する。アクティブ
マトリクス基板と、対向基板を貼り合わせ、その間に液
晶を注入させることにより、反射型液晶表示装置ができ
る。このように構成された反射型液晶表示装置の動作
は、従来の動作と同様である。The counter substrate is formed by forming a color filter 16 on a glass substrate 15 and then forming a common electrode 17.
A TO film is deposited by a sputtering method. By bonding an active matrix substrate and a counter substrate and injecting liquid crystal between them, a reflective liquid crystal display device can be obtained. The operation of the thus configured reflective liquid crystal display device is the same as the conventional operation.
【００３７】以上のように、実施形態１によれば、反射
画素電極と信号配線１０の隙間２２に対応する領域に、
走査配線２と同一の材料からなる遮光膜３１を配置する
ことにより、製造工程を増やすことなく、入射光２１が
反射画素電極１３と信号配線１０の隙間２２から反射型
液晶表示装置の裏面に達するのを低減することができ
る。このため、部材３０で散乱してＴＦＴ１１の半導体
活性層５に入射する光を低減することができるので、光
リーク電流を抑制することができる。As described above, according to the first embodiment, the area corresponding to the gap 22 between the reflective pixel electrode and the signal wiring 10 is
By arranging the light-shielding film 31 made of the same material as the scanning wiring 2, the incident light 21 reaches the back surface of the reflective liquid crystal display device from the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the signal wiring 10 without increasing the number of manufacturing steps. Can be reduced. For this reason, the light scattered by the member 30 and incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 can be reduced, so that the light leakage current can be suppressed.
【００３８】（実施形態２）図３は、実施形態２の平面
図である。実施形態１と異なる点は、信号配線１０をＩ
ＴＯなどの透明導電材料で形成し、走査配線２と同層で
同一材料からなる実施形態１の遮光膜３１をつなげたこ
とである。(Embodiment 2) FIG. 3 is a plan view of Embodiment 2. FIG. The difference from the first embodiment is that the signal wiring 10
It is formed of a transparent conductive material such as TO, and is connected to the light shielding film 31 of the first embodiment, which is the same layer and made of the same material as the scanning wiring 2.
【００３９】実施形態２によれば、信号配線１０を透明
導電材料で形成した場合にでも、入射光２１が信号配線
１０を通過して反射型液晶表示装置の裏面に達するのを
低減することができる。このため、部材３０で散乱して
ＴＦＴ１１の半導体活性層５に入射する光を低減するこ
とができるので、光リーク電流を抑制することができ
る。According to the second embodiment, even when the signal wiring 10 is formed of a transparent conductive material, it is possible to reduce the incident light 21 from passing through the signal wiring 10 and reaching the rear surface of the reflective liquid crystal display device. it can. For this reason, the light scattered by the member 30 and incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 can be reduced, so that the light leakage current can be suppressed.
【００４０】さらに、走査配線２を透明導電材料で形成
した場合には、コンタクト層６と同一材料からなる遮光
膜３１を信号配線１０に重畳して配置しても同様の効果
が得られる。Further, when the scanning wiring 2 is formed of a transparent conductive material, the same effect can be obtained even if the light shielding film 31 made of the same material as the contact layer 6 is arranged so as to overlap the signal wiring 10.
【００４１】（実施形態３）図４は、実施形態３の平面
図である。実施形態２と異なる点は、走査配線２と同層
で同一材料からなる実施形態２の遮光膜３１が、走査配
線２と電気的に接続されていることである。(Third Embodiment) FIG. 4 is a plan view of a third embodiment. The difference from the second embodiment is that the light-shielding film 31 of the second embodiment, which is made of the same material as the scanning wiring 2 in the same layer, is electrically connected to the scanning wiring 2.
【００４２】実施形態３によれば、信号配線１０を透明
導電材料で形成した場合にでも、入射光２１が信号配線
１０を通過して反射型液晶表示装置の裏面に達するのを
低減することができる。このため、部材３０で散乱して
ＴＦＴ１１の半導体活性層５に入射する光を低減するこ
とができるので、光リーク電流を抑制することができ
る。さらに、信号配線が乗り越える遮光膜３１の段差の
数が減るので、信号配線の段切れ不良を低減することが
できる。また、陽極酸化法によってゲート絶縁膜を形成
するとき、遮光膜の周囲にも同様にゲート絶縁膜が形成
されるので、一層段切れが発生しにくくなる。According to the third embodiment, even when the signal wiring 10 is formed of a transparent conductive material, it is possible to reduce the incident light 21 from passing through the signal wiring 10 and reaching the rear surface of the reflective liquid crystal display device. it can. For this reason, the light scattered by the member 30 and incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 can be reduced, so that the light leakage current can be suppressed. Further, the number of steps of the light-shielding film 31 over which the signal wiring passes can be reduced, so that the disconnection failure of the signal wiring can be reduced. Further, when the gate insulating film is formed by the anodic oxidation method, the gate insulating film is also formed around the light-shielding film, so that step disconnection is further reduced.
【００４３】（実施形態４）図５は、実施形態４の反射
型液晶表示装置のＡ−Ａ断面図であり、図６はその平面
図である。実施形態３と異なる点は、走査配線２と同層
で同一材料からなる実施形態３の遮光膜３１を、ＴＦＴ
１１の近傍領域にも遮光膜３１ａを形成することであ
る。(Embodiment 4) FIG. 5 is an AA sectional view of a reflection type liquid crystal display device of Embodiment 4, and FIG. 6 is a plan view thereof. The difference from the third embodiment is that the light-shielding film 31 of the third embodiment, which is made of the same material as the scanning wiring 2 and made of the same material,
That is, a light-shielding film 31a is also formed in a region near 11.
【００４４】実施形態４によれば、入射光２１（図５の
反射画素電極１３と信号配線１０の隙間２２を通過した
光）があっても、その入射光２１が反射型液晶表示装置
の裏面に達し、部材３０で散乱してＴＦＴ１１の半導体
活性層５に入射する光を、ＴＦＴ１１の近傍の遮光膜３
１ａによって低減することができるので、光リーク電流
を抑制することができる。According to the fourth embodiment, even if there is incident light 21 (light passing through the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the signal wiring 10 in FIG. 5), the incident light 21 is reflected on the rear surface of the reflective liquid crystal display device. And the light scattered by the member 30 and incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 is transmitted to the light shielding film 3 near the TFT 11.
1a, the light leakage current can be suppressed.
【００４５】（実施形態５）図７は、実施形態５の反射
型液晶表示装置のＡ−Ａ断面図であり、図８はその平面
図である。実施形態１と異なる点は、信号配線１０と同
一材料からなる遮光膜３２が、反射画素電極１３と走査
配線２の隙間２２に配置されていることである。(Embodiment 5) FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA of the reflection type liquid crystal display device of Embodiment 5, and FIG. 8 is a plan view thereof. The difference from the first embodiment is that a light-shielding film 32 made of the same material as the signal wiring 10 is disposed in the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2.
【００４６】実施形態５によれば、反射画素電極１３と
走査配線２の隙間２２に信号配線１０と同一材料からな
る遮光膜３２を配置することにより、製造工程を増やす
ことなく、入射光２１が反射画素電極１３と走査配線２
の隙間２２から反射型液晶表示装置の裏面に達するのを
低減することができる。このため、部材３０で散乱して
ＴＦＴ１１の半導体活性層５に入射する光を低減するこ
とができるので、光リーク電流を抑制することができ
る。According to the fifth embodiment, the light shielding film 32 made of the same material as the signal wiring 10 is disposed in the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2 so that the incident light 21 can be formed without increasing the number of manufacturing steps. Reflection pixel electrode 13 and scanning wiring 2
To reach the back surface of the reflection type liquid crystal display device from the gap 22. For this reason, the light scattered by the member 30 and incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 can be reduced, so that the light leakage current can be suppressed.
【００４７】（実施形態６）図９は、実施形態６の平面
図である。ＴＦＴ１１を構成するコンタクト層６と同一
材料からなる遮光膜３３が、反射画素電極１３と走査配
線２の隙間２２に配置されていること以外、ＴＦＴ１１
の構造、配線などの構造や製造プロセスは、実施形態２
と同じである。(Embodiment 6) FIG. 9 is a plan view of Embodiment 6. Except that a light-shielding film 33 made of the same material as the contact layer 6 constituting the TFT 11 is disposed in the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2,
The structure of the semiconductor device, the structure such as wiring, and the manufacturing process are described in Embodiment 2.
Is the same as
【００４８】実施形態６によれば、反射画素電極１３と
走査配線２の隙間２２にとＴＦＴ１１を構成するコンタ
クト層６と同一材料からなる遮光膜３３を配置すること
により、製造工程を増やすことなく、入射光２１が反射
画素電極１３と走査配線２の隙間２２から反射型液晶表
示装置の裏面に達するのを低減することができる。この
ため、部材３０で散乱してＴＦＴ１１の半導体活性層５
に入射する光を低減することができるので、光リーク電
流を抑制することができる。According to the sixth embodiment, the light-shielding film 33 made of the same material as the contact layer 6 constituting the TFT 11 is disposed in the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2 without increasing the number of manufacturing steps. In addition, it is possible to reduce the incidence of the incident light 21 from the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2 to reach the rear surface of the reflective liquid crystal display device. Therefore, the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 is scattered by the member 30.
Can be reduced, so that light leakage current can be suppressed.
【００４９】（実施形態７）図１０は、実施形態７の平
面図である。実施形態４と異なる点は、走査配線２と同
一材料からなる遮光膜３１を、反射画素電極１３の中程
にある共通配線１９に電気的に接続されていることであ
る。共通配線１９は、走査配線２と同一材料で、走査配
線と同工程で形成されており、反射画素電極１３の下方
に走査配線２と平行となるように形成されている。そし
て、共通配線１９と、ドレイン電極８が延在した接続電
極とが重なることで、補助容量が形成されている。(Seventh Embodiment) FIG. 10 is a plan view of a seventh embodiment. The difference from the fourth embodiment is that the light-shielding film 31 made of the same material as the scanning wiring 2 is electrically connected to the common wiring 19 in the middle of the reflective pixel electrode 13. The common wiring 19 is formed of the same material as the scanning wiring 2 in the same step as the scanning wiring, and is formed below the reflective pixel electrode 13 so as to be parallel to the scanning wiring 2. An auxiliary capacitance is formed by overlapping the common wiring 19 and the connection electrode on which the drain electrode 8 extends.
【００５０】実施形態７によれば、２つの効果がある。 （１）信号配線１０を透明導電材料で形成した場合にで
も、入射光２１が信号配線１０を通過して反射型液晶表
示装置の裏面に達するのを低減することができる。そし
て、入射光２１が信号配線１０の遮光膜３１の存在しな
い領域や、反射画素電極１３と走査配線２の隙間２２を
通過して反射型液晶表示装置の裏面に達し、部材３０で
散乱してＴＦＴ１１の半導体活性層５に入射する光が存
在しても、ＴＦＴ１１近傍の遮光膜３１ａによってさら
に低減することができるので、光リーク電流を抑制する
ことができる。According to the seventh embodiment, there are two effects. (1) Even when the signal wiring 10 is formed of a transparent conductive material, it is possible to reduce the incident light 21 passing through the signal wiring 10 and reaching the rear surface of the reflective liquid crystal display device. Then, the incident light 21 passes through the region of the signal wiring 10 where the light shielding film 31 does not exist or the gap 22 between the reflective pixel electrode 13 and the scanning wiring 2 to reach the back surface of the reflective liquid crystal display device, and is scattered by the member 30. Even if light incident on the semiconductor active layer 5 of the TFT 11 is present, the light can be further reduced by the light-shielding film 31a near the TFT 11, so that light leakage current can be suppressed.
【００５１】（２）遮光膜３１は、共通配線１９に電気
的に接続されているので、段差が少なくなり、信号配線
１０の段切れを低減することができる。さらに、走査配
線２に接続された場合よりも寄生容量を小さくすること
ができる。すなわち、走査配線２に接続された場合、遮
光膜３１と反射画素電極１３の重なり部で寄生容量（Ｃ
ｇｄ）が発生する。Ｃｇｄが大きくなると、液晶層１８
にかかる電圧の直流成分のばらつきが大きくなって、表
示のブロック別れ、液晶層１８の信頼性の低下などの問
題が生じる。このような、場合は、実施形態７のよう
に、遮光膜３１を共通配線１９に電気的に接続すると良
い。(2) Since the light-shielding film 31 is electrically connected to the common wiring 19, the level difference is reduced, and disconnection of the signal wiring 10 can be reduced. Further, the parasitic capacitance can be reduced as compared with the case where the parasitic capacitance is connected to the scanning wiring 2. That is, when connected to the scanning wiring 2, the parasitic capacitance (C
gd) occurs. When Cgd increases, the liquid crystal layer 18
The variation in the DC component of the voltage applied to the LCD becomes large, causing problems such as separation of display blocks and reduction in the reliability of the liquid crystal layer 18. In such a case, it is preferable to electrically connect the light shielding film 31 to the common wiring 19 as in the seventh embodiment.
【００５２】[0052]
【発明の効果】対向基板のカラーフィルターがＢＭレス
構造の場合でも、配線と反射画素電極との隙間を通って
部材から反射してくる光が少なくなるので、薄膜トラン
ジスタに裏面から入射する光も少なくなる。したがっ
て、薄膜トランジスタに光リーク電流が流れないのでオ
フ特性が改善され、コントラストの高い反射型液晶表示
装置をプロセスをふやすことなく実現できる。また、半
導体層で遮光膜を形成すれば、反射画素電極と遮光膜と
の間で生じる寄生容量を、金属膜で形成する場合より
も、小さくすることができる。According to the present invention, even when the color filter of the opposite substrate has the BM-less structure, the amount of light reflected from the member through the gap between the wiring and the reflective pixel electrode is reduced, so that the light incident on the thin film transistor from the back surface is also reduced. Become. Therefore, since no light leakage current flows through the thin film transistor, the off characteristic is improved, and a reflective liquid crystal display device with high contrast can be realized without increasing the process. In addition, when the light-shielding film is formed of the semiconductor layer, the parasitic capacitance generated between the reflective pixel electrode and the light-shielding film can be reduced as compared with the case where the light-shielding film is formed of the metal film.
【００５３】配線を透明導電材料のみで形成することに
より、プロセスをさらに簡略化した場合であっても、上
記と同様の効果が得られる。反射型液晶表示装置の周辺
部に存在する駆動用ドライバの接続端子電極にも透明導
電材料が使用されているため、配線を透明導電材料で形
成することにより、駆動用ドライバの接続端子の形成も
簡略化することができる。By forming the wiring only with the transparent conductive material, the same effects as described above can be obtained even when the process is further simplified. Since the transparent conductive material is also used for the connection terminal electrodes of the driving driver existing in the peripheral portion of the reflection type liquid crystal display device, the connection terminals of the driving driver can be formed by forming the wiring with the transparent conductive material. It can be simplified.
【００５４】配線と反射画素電極との隙間を通ってきた
光が、部材で反射して薄膜トランジスタに入射するのを
さらに防ぐことができるので、さらに薄膜トランジスタ
のオフ特性が改善される。Light that has passed through the gap between the wiring and the reflective pixel electrode can be further prevented from being reflected by the member and incident on the thin film transistor, so that the off characteristic of the thin film transistor is further improved.
【００５５】遮光膜部の段差が少なくなり、この上層に
形成される膜の段切れが低減される。また、陽極酸化法
によってゲート絶縁膜を形成するとき、遮光膜の周囲に
も同様にゲート絶縁膜が形成されるので、一層効果があ
る。さらに、共通配線に連結されている方が、寄生容量
を低くすることができる。The step in the light-shielding film portion is reduced, so that the step formed in the film formed on this layer is reduced. Further, when the gate insulating film is formed by the anodic oxidation method, the gate insulating film is similarly formed around the light-shielding film, which is more effective. Furthermore, the parasitic capacitance can be reduced by connecting to the common wiring.
【図１】実施形態１の反射型液晶表示装置の断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device according to a first embodiment.
【図２】実施形態１の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of the reflective liquid crystal display device of the first embodiment.
【図３】実施形態２の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 3 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a second embodiment.
【図４】実施形態３の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a third embodiment.
【図５】実施形態４の反射型液晶表示装置の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図６】実施形態４の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 6 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a fourth embodiment.
【図７】実施形態５の反射型液晶表示装置の断面図であ
る。FIG. 7 is a sectional view of a reflective liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図８】実施形態５の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 8 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a fifth embodiment.
【図９】実施形態６の反射型液晶表示装置の平面図であ
る。FIG. 9 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a sixth embodiment.
【図１０】実施形態７の反射型液晶表示装置の平面図で
ある。FIG. 10 is a plan view of a reflective liquid crystal display device according to a seventh embodiment.
【図１１】従来の反射型液晶表示装置の断面図である。FIG. 11 is a sectional view of a conventional reflective liquid crystal display device.
【図１２】従来の反射型液晶表示装置の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a conventional reflective liquid crystal display device.
【図１３】ＢＭレス構造のカラーフィルターを説明する
ため図である。FIG. 13 is a diagram for explaining a color filter having a BM-less structure.
【図１４】従来の反射型液晶表示装置をＢＭレス構造に
した場合の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of a conventional reflective liquid crystal display device having a BM-less structure.
１ １５ 基板 ２ 走査配線 ３ ゲート電極 ４ ゲート絶縁膜 ５ 半導体活性層 ６ コンタクト層 ７ ソース電極 ８ ドレイン電極 １０ 信号配線 １１ ＴＦＴ １２ 層間絶縁膜 １３ 反射画素電極 １４ コンタクトホール １６ カラーフィルター １７ 共通電極 １８ 液晶層 １９ 共通配線 ２０ ３１ ３２ ３３ 遮光膜 ２１ 入射光 ２２ 隙間 ３０ 部材 ５１ 配向膜 ５２ 絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 15 Substrate 2 Scanning wiring 3 Gate electrode 4 Gate insulating film 5 Semiconductor active layer 6 Contact layer 7 Source electrode 8 Drain electrode 10 Signal wiring 11 TFT 12 Interlayer insulating film 13 Reflection pixel electrode 14 Contact hole 16 Color filter 17 Common electrode 18 Liquid crystal Layer 19 common wiring 20 31 32 33 light shielding film 21 incident light 22 gap 30 member 51 orientation film 52 insulating film
フロントページの続き (72)発明者 村井 淳人 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 岡本 昌也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA02Z FA14Z FA34Z FC02 FD04 GA06 GA07 GA13 LA12 LA15 LA17 2H092 HA05 JA26 JA33 JA35 JA39 JA43 JB07 JB27 JB36 JB51 JB58 KA05 KA12 KA18 KB04 KB13 KB25 MA05 MA18 MA19 MA20 MA41 NA07 NA15 NA19 NA22 NA23 NA25 NA27 PA02 PA06 PA08 PA09 PA12 RA05 5F110 AA02 AA06 AA18 CC07 EE03 EE04 EE06 EE44 FF03 FF24 FF30 GG02 GG15 GG45 HK09 HK15 HK16 HK35 HL03 HL04 HL06 HM18 NN04 NN24 NN27 NN44 NN46 NN47 QQ04 QQ19Continued on the front page (72) Inventor Atsuto Murai 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Inside (72) Inventor Masaya Okamoto 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Sharp Corporation F term (reference) 2H091 FA02Z FA14Z FA34Z FC02 FD04 GA06 GA07 GA13 LA12 LA15 LA17 2H092 HA05 JA26 JA33 JA35 JA39 JA43 JB07 JB27 JB36 JB51 JB58 KA05 KA12 KA18 KB04 KB13 KB25 MA05 MA18 NA19 NA02 NA07 NA07 NA07 PA08 PA09 PA12 RA05 5F110 AA02 AA06 AA18 CC07 EE03 EE04 EE06 EE44 FF03 FF24 FF30 GG02 GG15 GG45 HK09 HK15 HK16 HK35 HL03 HL04 HL06 HM18 NN04 NN24 NN27 NN44 NN46 Q19 QQ
Claims (7)
線と、これと絶縁膜を介し交差するように配置された複
数本の信号配線と、前記走査配線と信号配線の交差部分
に薄膜トランジスタとが設けられ、前記薄膜トランジス
タに接続され反射機能を有する反射画素電極が設けられ
ているアクティブマトリクス基板と、絶縁性基板上に、
前記反射画素電極に対応する領域にはカラーフィルター
の色層を形成し、前記反射画素電極間に対応する領域に
は遮光膜を設けないカラーフィルターを形成し、その上
に透明導電材料からなる共通電極を設けた対向基板との
間に、液晶が挟持された反射型液晶表示装置において、 前記反射画素電極と少なくとも一方の配線の隙間領域
に、薄膜トランジスタを構成する半導体層と同じ材料か
らなる遮光膜が形成されていることを特徴とする反射型
液晶表示装置。1. A plurality of scanning wirings arranged on an insulating substrate, a plurality of signal wirings arranged to intersect the scanning wirings via an insulating film, and a thin film transistor at an intersection of the scanning wirings and the signal wirings. Is provided, an active matrix substrate connected to the thin film transistor and provided with a reflective pixel electrode having a reflective function, and on an insulating substrate,
A color layer of a color filter is formed in a region corresponding to the reflective pixel electrode, and a color filter having no light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a common color filter made of a transparent conductive material is formed thereon. In a reflective liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a counter substrate provided with electrodes, a light-shielding film made of the same material as a semiconductor layer forming a thin film transistor is provided in a gap region between the reflective pixel electrode and at least one wiring. A reflective liquid crystal display device, characterized in that:
からなる走査配線と、これと絶縁膜を介し交差するよう
に配置された複数本の信号配線と、前記走査配線と信号
配線の交差部分に薄膜トランジスタとが設けられ、前記
薄膜トランジスタに接続され反射機能を有する反射画素
電極が設けられているアクティブマトリクス基板と、絶
縁性基板上に、前記反射画素電極に対応する領域にはカ
ラーフィルターの色層を形成し、前記反射画素電極間に
対応する領域には遮光膜を設けないカラーフィルターを
形成し、その上に透明導電材料からなる共通電極を設け
た対向基板との間に、液晶が挟持された反射型液晶表示
装置において、 前記反射画素電極と前記信号配線の隙間領域に、前記走
査配線と同材料である遮光膜が形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置。2. A scanning wiring comprising a plurality of metal films disposed on an insulating substrate, a plurality of signal wirings disposed so as to intersect with the scanning wiring via an insulating film, and a plurality of scanning wirings and signal wirings. A thin film transistor is provided at the intersection, and an active matrix substrate provided with a reflective pixel electrode connected to the thin film transistor and having a reflective function, and a color filter on a region corresponding to the reflective pixel electrode on an insulating substrate. A color layer is formed, a color filter without a light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a liquid crystal is formed between the color filter and a counter substrate provided with a common electrode made of a transparent conductive material. In the sandwiched reflection type liquid crystal display device, a light shielding film made of the same material as the scanning wiring is formed in a gap region between the reflection pixel electrode and the signal wiring. Reflection type liquid crystal display device which.
線と、これと絶縁膜を介し交差するように配置された複
数本の金属膜からなる信号配線と、前記走査配線と信号
配線の交差部分に薄膜トランジスタとが設けられ、前記
薄膜トランジスタに接続され反射機能を有する反射画素
電極が設けられているアクティブマトリクス基板と、絶
縁性基板上に、前記反射画素電極に対応する領域にはカ
ラーフィルターの色層を形成し、前記反射画素電極間に
対応する領域には遮光膜を設けないカラーフィルターを
形成し、その上に透明導電材料からなる共通電極を設け
た対向基板との間に、液晶が挟持された反射型液晶表示
装置において、 前記反射画素電極と前記走査配線の隙間領域に、前記信
号配線と同材料である遮光膜が形成されていることを特
徴とする反射型液晶表示装置。3. A plurality of scanning wirings arranged on an insulating substrate, a plurality of metal wirings arranged so as to intersect the scanning wirings with an insulating film interposed therebetween, and a plurality of scanning wirings and signal wirings. A thin film transistor is provided at the intersection, and an active matrix substrate provided with a reflective pixel electrode connected to the thin film transistor and having a reflective function, and a color filter on a region corresponding to the reflective pixel electrode on an insulating substrate. A color layer is formed, a color filter without a light-shielding film is formed in a region corresponding to between the reflective pixel electrodes, and a liquid crystal is formed between the color filter and a counter substrate provided with a common electrode made of a transparent conductive material. In the sandwiched reflective liquid crystal display device, a light-shielding film made of the same material as the signal wiring is formed in a gap region between the reflective pixel electrode and the scanning wiring. Reflection type liquid crystal display device which.
料で構成され、この配線に重畳して前記遮光膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１から３記載の反射型
液晶表示装置。4. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein said at least one wiring is made of a transparent conductive material, and said light shielding film is formed so as to overlap with said wiring.
にも形成されていることを特徴とする請求項１から３記
載の反射型液晶表示装置。5. The reflection type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light shielding film is formed also in a region near the thin film transistor.
在する同形状の遮光膜と連結されていることを特徴とす
る請求項１記載の反射型液晶表示装置。6. The reflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding film is connected to light-shielding films of the same shape existing on adjacent reflective pixel electrodes.
査配線と同層に形成される共通配線に連結されているこ
とを特徴とする請求項２記載の反射型液晶表示装置。7. The reflection type liquid crystal display device according to claim 2, wherein one end of the light shielding film is connected to a scanning wiring or a common wiring formed in the same layer as the scanning wiring.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29745098A JP2000122093A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Reflective liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29745098A JP2000122093A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Reflective liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000122093A true JP2000122093A (en) | 2000-04-28 |
Family
ID=17846676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29745098A Pending JP2000122093A (en) | 1998-10-20 | 1998-10-20 | Reflective liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000122093A (en) |
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