JP2000114317A - 回路板 - Google Patents
回路板Info
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- JP2000114317A JP2000114317A JP10277392A JP27739298A JP2000114317A JP 2000114317 A JP2000114317 A JP 2000114317A JP 10277392 A JP10277392 A JP 10277392A JP 27739298 A JP27739298 A JP 27739298A JP 2000114317 A JP2000114317 A JP 2000114317A
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- adhesive
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- resin
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がな
く、接続信頼性が大幅に向上する回路板を提供する。 【解決手段】接着樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性
樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％、かつガラス転
移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を含むことを特
徴とする接着剤を用いて接着フィルムを作製した。接着
フィルムをＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼
り付け、接着フィルム側にチップを対向し、チップのバ
ンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板の位置合
わせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。
く、接続信頼性が大幅に向上する回路板を提供する。 【解決手段】接着樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性
樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％、かつガラス転
移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を含むことを特
徴とする接着剤を用いて接着フィルムを作製した。接着
フィルムをＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼
り付け、接着フィルム側にチップを対向し、チップのバ
ンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板の位置合
わせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフリップチ
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に、両者の電極同士を電気的に接続する回
路板に関する。
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に、両者の電極同士を電気的に接続する回
路板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体実装分野では、低コスト化・高精
細化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接
プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップ
チップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式
としては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ
接続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行
う方式が知られている。これらの方式では、接続するチ
ップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環
境に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下す
るという問題がある。このため、接続界面のストレスを
緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル材
をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィル注入工程は、プロセスを
煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問題
がある。このような問題を解決すべく最近では、異方導
電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフリ
ップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注目
されている。
細化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接
プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップ
チップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式
としては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ
接続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行
う方式が知られている。これらの方式では、接続するチ
ップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環
境に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下す
るという問題がある。このため、接続界面のストレスを
緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル材
をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィル注入工程は、プロセスを
煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問題
がある。このような問題を解決すべく最近では、異方導
電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフリ
ップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注目
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】チップを異方導電材を
介して基板に搭載する場合、吸湿条件下では接着剤とチ
ップまたは接着剤と基板界面の接着力が低下し、さら
に、温度サイクル条件下ではチップと基板の熱膨張係数
差に基づくストレスが接続部において生じることによっ
て、熱衝撃試験、ＰＣＴ試験、高温高湿試験等の信頼性
試験を行うと接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じると
いう問題がある。また、半導体パッケージでは高温高湿
試験で吸湿させた後に耐はんだリフロー温度試験を行う
ため、接着剤中に吸湿された水分が急激に膨張すること
によって接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じるという
問題がある。一般に、エポキシ樹脂の内部応力を緩和し
強靭化を図る目的で、液状ゴムや架橋ゴム及びコアシェ
ル型のゴム粒子を分散させる技術が知られている。しか
しながら、エポキシ樹脂中にゴムを分散させた硬化物は
エポキシ樹脂単体の硬化物に対して軟化点温度（又はガ
ラス転移温度、以下Ｔｇと記す）が低下することが知ら
れており、高耐熱性が要求される分野では信頼性を低下
させる原因となる。一方、ゴム分散系でＴｇを向上させ
るべくエポキシ樹脂の架橋密度を増加させることは、ゴ
ム分散の効果を低下させ、硬化物の脆さを増加させると
共に、吸水率を増加させ、信頼性を低下させる原因とな
る。また、Ｔｇを低下させずにエポキシ樹脂を強靭化さ
せる方法として、エンジニアリングプラスチックとして
知られる高耐熱性の熱可塑性樹脂との配合が知られてい
るが、一般に、これらのエンジニアリングプラスチック
は溶剤に対する溶解性に乏しい為、エポキシ樹脂との配
合は粉体の練り込みによるものであり、接着剤用途への
展開は不適当である。本発明は、接続部での接続抵抗の
増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上す
る回路板を提供するものである。
介して基板に搭載する場合、吸湿条件下では接着剤とチ
ップまたは接着剤と基板界面の接着力が低下し、さら
に、温度サイクル条件下ではチップと基板の熱膨張係数
差に基づくストレスが接続部において生じることによっ
て、熱衝撃試験、ＰＣＴ試験、高温高湿試験等の信頼性
試験を行うと接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じると
いう問題がある。また、半導体パッケージでは高温高湿
試験で吸湿させた後に耐はんだリフロー温度試験を行う
ため、接着剤中に吸湿された水分が急激に膨張すること
によって接続抵抗の増大や接着剤の剥離が生じるという
問題がある。一般に、エポキシ樹脂の内部応力を緩和し
強靭化を図る目的で、液状ゴムや架橋ゴム及びコアシェ
ル型のゴム粒子を分散させる技術が知られている。しか
しながら、エポキシ樹脂中にゴムを分散させた硬化物は
エポキシ樹脂単体の硬化物に対して軟化点温度（又はガ
ラス転移温度、以下Ｔｇと記す）が低下することが知ら
れており、高耐熱性が要求される分野では信頼性を低下
させる原因となる。一方、ゴム分散系でＴｇを向上させ
るべくエポキシ樹脂の架橋密度を増加させることは、ゴ
ム分散の効果を低下させ、硬化物の脆さを増加させると
共に、吸水率を増加させ、信頼性を低下させる原因とな
る。また、Ｔｇを低下させずにエポキシ樹脂を強靭化さ
せる方法として、エンジニアリングプラスチックとして
知られる高耐熱性の熱可塑性樹脂との配合が知られてい
るが、一般に、これらのエンジニアリングプラスチック
は溶剤に対する溶解性に乏しい為、エポキシ樹脂との配
合は粉体の練り込みによるものであり、接着剤用途への
展開は不適当である。本発明は、接続部での接続抵抗の
増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上す
る回路板を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の回路板は、第一
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第一の回路部材より熱膨張係数が大きい第二の
回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向
して配置し、前記対向は位置した第一の接続端子と第二
の接続端子の間に接着剤を介在させ、加熱加圧して前記
対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的
に接続させた回路板であって、前記接着剤が、少なくと
も三次元架橋性樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％
かつガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を
含む接着剤であることを特徴とする回路板。相対向する
回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加
圧方向の電極間を電気的に接続する回路部材接続用接着
剤であって、接着樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性
樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％かつガラス転移
温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を含むことを特徴
とするものである。吸水率０．０１〜０．３重量％かつ
ガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂は、化
２の一般式（１）で示され、芳香族炭化水素系溶剤に溶
解できるポリアリレート樹脂が使用される。
の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子
を有する第一の回路部材より熱膨張係数が大きい第二の
回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向
して配置し、前記対向は位置した第一の接続端子と第二
の接続端子の間に接着剤を介在させ、加熱加圧して前記
対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的
に接続させた回路板であって、前記接着剤が、少なくと
も三次元架橋性樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％
かつガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を
含む接着剤であることを特徴とする回路板。相対向する
回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加
圧方向の電極間を電気的に接続する回路部材接続用接着
剤であって、接着樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性
樹脂及び吸水率０．０１〜０．２重量％かつガラス転移
温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂を含むことを特徴
とするものである。吸水率０．０１〜０．３重量％かつ
ガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂は、化
２の一般式（１）で示され、芳香族炭化水素系溶剤に溶
解できるポリアリレート樹脂が使用される。
【０００５】
【化２】 （ここでＲ1 は水素原子または炭素数１〜２のアルキル
基、好ましくは炭素数１〜４の直鎖または分岐したアル
キル基であり、Ｒ2 は炭素数２〜１３の直鎖状または分
岐したアルキル基であり、ｎは１０〜２５０の整数であ
る）
基、好ましくは炭素数１〜４の直鎖または分岐したアル
キル基であり、Ｒ2 は炭素数２〜１３の直鎖状または分
岐したアルキル基であり、ｎは１０〜２５０の整数であ
る）
【０００６】三次元架橋性樹脂は、少なくともエポキシ
系樹脂と潜在性硬化剤を含有しているものが好ましい。
接着剤樹脂組成物はフィルム状であることが好ましい。
接着剤樹脂組成物には、導電粒子が０．１〜２０体積％
含有されていてもよい。
系樹脂と潜在性硬化剤を含有しているものが好ましい。
接着剤樹脂組成物はフィルム状であることが好ましい。
接着剤樹脂組成物には、導電粒子が０．１〜２０体積％
含有されていてもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる回路部材とし
て半導体チップ等の能動素子、抵抗体、コンデンサ等の
受動素子、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを
基材としたフレキシブル配線等が挙げられる。半導体チ
ップや基板の電極パッド上には、めっきで形成されるバ
ンプや金ワイヤの先端をトーチ等により溶融させ、金ボ
ールを形成し、このボールを電極パッド上に圧着した
後、ワイヤを切断して得られるワイヤバンプ等の突起電
極を設け、接続端子として用いることができる。本発明
に用いられる接着剤の吸水率０．０１〜０．３重量％か
つガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂とし
ては一般式（１）で示され、芳香族炭化水素系溶媒に可
溶であるポリアリレート樹脂が使用される。前記ポリア
リレート樹脂は、ビスフェノール化合物又はそのエステ
ル化誘導体と芳香族ジカルボン酸又はその酸塩化物から
合成される。
て半導体チップ等の能動素子、抵抗体、コンデンサ等の
受動素子、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを
基材としたフレキシブル配線等が挙げられる。半導体チ
ップや基板の電極パッド上には、めっきで形成されるバ
ンプや金ワイヤの先端をトーチ等により溶融させ、金ボ
ールを形成し、このボールを電極パッド上に圧着した
後、ワイヤを切断して得られるワイヤバンプ等の突起電
極を設け、接続端子として用いることができる。本発明
に用いられる接着剤の吸水率０．０１〜０．３重量％か
つガラス転移温度８０℃〜１５０℃の熱可塑性樹脂とし
ては一般式（１）で示され、芳香族炭化水素系溶媒に可
溶であるポリアリレート樹脂が使用される。前記ポリア
リレート樹脂は、ビスフェノール化合物又はそのエステ
ル化誘導体と芳香族ジカルボン酸又はその酸塩化物から
合成される。
【０００８】前記ポリアリレート樹脂を合成するための
ビスフェノール化合物としては、１，１（４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニル）３−メチルブタン（Ｒ１は水素
原子、Ｒ２は炭素数４の分岐したアルキル基）、２，２
（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）４−メチルペン
タン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数４の
分岐したアルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキ
シジフェニル）３ーエチルヘキサン（Ｒ１は水素原子、
Ｒ２は炭素数７の分岐したアルキル基）３，３（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）ペンタン（Ｒ１は炭素
数２のアルキル基、Ｒ２は炭素数２のアルキル基）、
２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ヘプタン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数５の直鎖
状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル）ヘプタン（Ｒ１は水素原子、Ｒ２は炭素数６の
直鎖状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニル）オクタン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、
Ｒ２は炭素数６の直鎖状アルキル基）、１，１（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）オクタン（Ｒ１は炭素
数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数７の直鎖状アルキル
基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ノ
ナン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数７の
直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニル）ノナン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ
２は炭素数８の直鎖状アルキル基）、２，２（４，４’
−ジヒドロキシジフェニル）デカン（Ｒ１は炭素数１の
アルキル基、Ｒ２は炭素数８の直鎖状アルキル基）、
１，１（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）デカン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数９の直鎖
状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル）ウンデカン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ
２は炭素数９の直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’
−ジヒドロキシジフェニル）ウンデカン（Ｒ１は水素原
子、Ｒ２は炭素数１０の直鎖状アルキル基）、２，２
（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ドデカン（Ｒ１
は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１０の直鎖状ア
ルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジフェニ
ル）ドデカン（Ｒ１は水素原子、Ｒ２は炭素数１１の直
鎖状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジ
フェニル）トリデカン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、
Ｒ２は炭素数１１の直鎖状アルキル基）、１，１（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）トリデカン（Ｒ１は水
素原子、Ｒ２は炭素数１２の直鎖状アルキル基）、２，
２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）テトラデカン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１２の直
鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジ
フェニル）テトラデカン（Ｒ１は水素原子、Ｒ２は炭素
数１３の直鎖状アルキル基）、及び２，２（４，４’−
ジヒドロキシジフェニル）ペンタデカン（Ｒ１は炭素数
１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１３の直鎖状アルキル
基）が挙げられ、これらは２種以上が混合されていても
よい。好ましくは２，２（４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル）オクタン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２
は炭素数６の直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−
ジヒドロキシジフェニル）デカン（Ｒ１は炭素数１のア
ルキル基、Ｒ２は炭素数９の直鎖状アルキル基）が使用
される。
ビスフェノール化合物としては、１，１（４，４’−ジ
ヒドロキシジフェニル）３−メチルブタン（Ｒ１は水素
原子、Ｒ２は炭素数４の分岐したアルキル基）、２，２
（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）４−メチルペン
タン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数４の
分岐したアルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキ
シジフェニル）３ーエチルヘキサン（Ｒ１は水素原子、
Ｒ２は炭素数７の分岐したアルキル基）３，３（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）ペンタン（Ｒ１は炭素
数２のアルキル基、Ｒ２は炭素数２のアルキル基）、
２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ヘプタン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数５の直鎖
状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジフ
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直鎖状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニル）オクタン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、
Ｒ２は炭素数６の直鎖状アルキル基）、１，１（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）オクタン（Ｒ１は炭素
数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数７の直鎖状アルキル
基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ノ
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直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシ
ジフェニル）ノナン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ
２は炭素数８の直鎖状アルキル基）、２，２（４，４’
−ジヒドロキシジフェニル）デカン（Ｒ１は炭素数１の
アルキル基、Ｒ２は炭素数８の直鎖状アルキル基）、
１，１（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）デカン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数９の直鎖
状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル）ウンデカン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ
２は炭素数９の直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’
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子、Ｒ２は炭素数１０の直鎖状アルキル基）、２，２
（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）ドデカン（Ｒ１
は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１０の直鎖状ア
ルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジフェニ
ル）ドデカン（Ｒ１は水素原子、Ｒ２は炭素数１１の直
鎖状アルキル基）、２，２（４，４’−ジヒドロキシジ
フェニル）トリデカン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、
Ｒ２は炭素数１１の直鎖状アルキル基）、１，１（４，
４’−ジヒドロキシジフェニル）トリデカン（Ｒ１は水
素原子、Ｒ２は炭素数１２の直鎖状アルキル基）、２，
２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）テトラデカン
（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１２の直
鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−ジヒドロキシジ
フェニル）テトラデカン（Ｒ１は水素原子、Ｒ２は炭素
数１３の直鎖状アルキル基）、及び２，２（４，４’−
ジヒドロキシジフェニル）ペンタデカン（Ｒ１は炭素数
１のアルキル基、Ｒ２は炭素数１３の直鎖状アルキル
基）が挙げられ、これらは２種以上が混合されていても
よい。好ましくは２，２（４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニル）オクタン（Ｒ１は炭素数１のアルキル基、Ｒ２
は炭素数６の直鎖状アルキル基）、１，１（４，４’−
ジヒドロキシジフェニル）デカン（Ｒ１は炭素数１のア
ルキル基、Ｒ２は炭素数９の直鎖状アルキル基）が使用
される。
【０００９】また、前記ポリアリレート樹脂を合成する
ための芳香族ジカルボン酸としては、フタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸、４ーメチルフタル酸、５ーｔｅ
ｒｔーブチルーイソフタル酸及び２，５ージメチルフタ
ル酸が挙げられる。これらは単独もしくは２種以上が混
合されてもよく、好ましくは（Ａ）イソフタル酸または
５ーｔｅｒｔーブチルーイソフタル酸及び（Ｂ）テレフ
タル酸が（Ａ）：（Ｂ）＝１：９９〜９９：１の混合比
であることが好ましく、さらに好ましくは（Ａ）：
（Ｂ）＝５０：５０であることが好ましい。
ための芳香族ジカルボン酸としては、フタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸、４ーメチルフタル酸、５ーｔｅ
ｒｔーブチルーイソフタル酸及び２，５ージメチルフタ
ル酸が挙げられる。これらは単独もしくは２種以上が混
合されてもよく、好ましくは（Ａ）イソフタル酸または
５ーｔｅｒｔーブチルーイソフタル酸及び（Ｂ）テレフ
タル酸が（Ａ）：（Ｂ）＝１：９９〜９９：１の混合比
であることが好ましく、さらに好ましくは（Ａ）：
（Ｂ）＝５０：５０であることが好ましい。
【００１０】前記ポリアリレート樹脂は界面重合法、溶
液重合法又は溶融重合法等の通常の方法で合成すること
ができる。例えば、界面重合法の場合、ビスフェノール
化合物をベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等の
触媒と共に水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、芳香族ジ
カルボン酸塩化物を水に溶解せず、生成したポリアリレ
ート樹脂が溶解する溶媒、例えば、トルエンに溶解し、
これらの溶液を混合して１０〜５０℃で３０分〜３時間
反応させて目的のポリアリレート樹脂を合成する。ま
た、溶液重合法の場合、生成するポリアリレート樹脂が
溶解するような溶媒、例えば、トルエン、クロロホル
ム、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサン、シクロ
ヘキサノン、ピリジン等にビスフェノール化合物及び芳
香族ジカルボン酸塩化物を溶解し、トリエチルアミン等
の塩基存在下に１０℃〜５０℃で３０分〜３時間反応さ
せて目的のポリアリレート樹脂を合成する。さらに、溶
融重合法の場合、ビスフェノール化合物のエステル化誘
導体例えばビスフェノールジアセテートと芳香族ジカル
ボン酸を２００〜３５０℃の高温でエステル交換反応を
行うことによって、目的のポリアリレート化合物を合成
する。
液重合法又は溶融重合法等の通常の方法で合成すること
ができる。例えば、界面重合法の場合、ビスフェノール
化合物をベンジルトリエチルアンモニウムクロリド等の
触媒と共に水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、芳香族ジ
カルボン酸塩化物を水に溶解せず、生成したポリアリレ
ート樹脂が溶解する溶媒、例えば、トルエンに溶解し、
これらの溶液を混合して１０〜５０℃で３０分〜３時間
反応させて目的のポリアリレート樹脂を合成する。ま
た、溶液重合法の場合、生成するポリアリレート樹脂が
溶解するような溶媒、例えば、トルエン、クロロホル
ム、テトラヒドロフラン、１、４−ジオキサン、シクロ
ヘキサノン、ピリジン等にビスフェノール化合物及び芳
香族ジカルボン酸塩化物を溶解し、トリエチルアミン等
の塩基存在下に１０℃〜５０℃で３０分〜３時間反応さ
せて目的のポリアリレート樹脂を合成する。さらに、溶
融重合法の場合、ビスフェノール化合物のエステル化誘
導体例えばビスフェノールジアセテートと芳香族ジカル
ボン酸を２００〜３５０℃の高温でエステル交換反応を
行うことによって、目的のポリアリレート化合物を合成
する。
【００１１】本発明のポリアリレート樹脂は、接着剤に
強靭性を付与する目的で、テトラヒドロフランを溶媒と
したゲルパーミテーションクロマトグラフィーで測定し
た際の分子量が、ポリスチレン換算で２万以上３０万以
下が好ましい。２万以下では硬化物が脆くなくおそれが
あり、３０万以上では樹脂組成物の流動性が低下するた
め、電子部品と回路基板の接続行った際、電子部品と回
路基板間の接着剤樹脂による充填が困難になる。
強靭性を付与する目的で、テトラヒドロフランを溶媒と
したゲルパーミテーションクロマトグラフィーで測定し
た際の分子量が、ポリスチレン換算で２万以上３０万以
下が好ましい。２万以下では硬化物が脆くなくおそれが
あり、３０万以上では樹脂組成物の流動性が低下するた
め、電子部品と回路基板の接続行った際、電子部品と回
路基板間の接着剤樹脂による充填が困難になる。
【００１２】本発明に用いられる三次元架橋性樹脂は、
接着時の高信頼性を得られる樹脂として、エポキシ系樹
脂とイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−
アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミ
ンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物が
用いられる。
接着時の高信頼性を得られる樹脂として、エポキシ系樹
脂とイミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−
アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミ
ンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤の混合物が
用いられる。
【００１３】本発明の接着剤樹脂組成物は、前記ポリア
リレート樹脂と前記三次元架橋性樹脂の配合比が重量部
で１：９９〜９９：１で使用することができ、好ましく
は１０：９０〜９０：１０である。本発明の接着剤樹脂
組成物には、硬化物の弾性率を低減する目的でアクリル
ゴム等のゴム成分を配合することもできる。本発明の接
着剤樹脂組成物には、フィルム形成性をより容易にする
ために、フェノキシ樹脂等の熱可塑性樹脂を配合するこ
ともできる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキシ系樹脂
をベース樹脂とした場合、エポキシ樹脂と構造が類似し
ているため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に優れる
等の特徴を有するので好ましい。フィルム形成は、これ
ら少なくともポリアリレート樹脂、エポキシ樹脂、潜在
性硬化剤からなる接着組成物を有機溶剤に溶解あるいは
分散により、液状化して、剥離性基材上に塗布し、硬化
剤の活性温度以下で溶剤を除去することにより行われ
る。この時用いる溶剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系
の混合溶剤が材料の溶解性を向上させるため好ましい。
リレート樹脂と前記三次元架橋性樹脂の配合比が重量部
で１：９９〜９９：１で使用することができ、好ましく
は１０：９０〜９０：１０である。本発明の接着剤樹脂
組成物には、硬化物の弾性率を低減する目的でアクリル
ゴム等のゴム成分を配合することもできる。本発明の接
着剤樹脂組成物には、フィルム形成性をより容易にする
ために、フェノキシ樹脂等の熱可塑性樹脂を配合するこ
ともできる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキシ系樹脂
をベース樹脂とした場合、エポキシ樹脂と構造が類似し
ているため、エポキシ樹脂との相溶性、接着性に優れる
等の特徴を有するので好ましい。フィルム形成は、これ
ら少なくともポリアリレート樹脂、エポキシ樹脂、潜在
性硬化剤からなる接着組成物を有機溶剤に溶解あるいは
分散により、液状化して、剥離性基材上に塗布し、硬化
剤の活性温度以下で溶剤を除去することにより行われ
る。この時用いる溶剤は、芳香族炭化水素系と含酸素系
の混合溶剤が材料の溶解性を向上させるため好ましい。
【００１４】本発明の接着剤には、チップのバンプや基
板電極の高さばらつきを吸収するために、異方導電性を
積極的に付与する目的で導電粒子を分散することもでき
る。本発明において導電粒子は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｃｕやはんだ等の金属の粒子またはこれらの金属表
面に、金やパラジウムなどの薄膜をめっきや蒸着によっ
て形成した金属粒子であり、また、ポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けた導電粒子を用いることができる。粒径は、基
板の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極
の高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きい
ことが好ましく、かつ無機充填材の平均粒径より大きい
ことが好ましく、１〜１０μｍが好ましい。また、接着
剤に分散される導電粒子量は、０．１〜３０体積％であ
り、好ましくは０．２〜１５体積％である。
板電極の高さばらつきを吸収するために、異方導電性を
積極的に付与する目的で導電粒子を分散することもでき
る。本発明において導電粒子は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｃｕやはんだ等の金属の粒子またはこれらの金属表
面に、金やパラジウムなどの薄膜をめっきや蒸着によっ
て形成した金属粒子であり、また、ポリスチレン等の高
分子の球状の核材にＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、はんだ等の導電
層を設けた導電粒子を用いることができる。粒径は、基
板の電極の最小の間隔よりも小さいことが必要で、電極
の高さばらつきがある場合、高さばらつきよりも大きい
ことが好ましく、かつ無機充填材の平均粒径より大きい
ことが好ましく、１〜１０μｍが好ましい。また、接着
剤に分散される導電粒子量は、０．１〜３０体積％であ
り、好ましくは０．２〜１５体積％である。
【００１５】本発明の回路部材接続用接着剤は、各成分
を有機溶剤に溶解あるいは分散させ、任意の方法で攪
拌、混合することによって容易に製造することができ、
さらに、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下
で溶剤を除去することによってフィルム形成を行うこと
ができる。その際に、上記の配合組成物以外にも、通常
のエポキシ樹脂系組成物の調整で用いられる添加剤を加
えて差し支えない。本発明のフィルム状接着剤の膜厚
は、特に限定するものではないが、第一および第２の回
路部材間のギャップに比べ、厚いほうが好ましく、一般
にはギャップに対して５μｍ以上厚い膜厚が望ましい。
を有機溶剤に溶解あるいは分散させ、任意の方法で攪
拌、混合することによって容易に製造することができ、
さらに、剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度以下
で溶剤を除去することによってフィルム形成を行うこと
ができる。その際に、上記の配合組成物以外にも、通常
のエポキシ樹脂系組成物の調整で用いられる添加剤を加
えて差し支えない。本発明のフィルム状接着剤の膜厚
は、特に限定するものではないが、第一および第２の回
路部材間のギャップに比べ、厚いほうが好ましく、一般
にはギャップに対して５μｍ以上厚い膜厚が望ましい。
【００１６】
【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいて詳細に説
明する。 実施例１ ２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）オクタン
２．９８ｇとトリエチルアミン２．６３ｇをＴＨＦ５０
ｍｌ中で窒素雰囲気下１０℃で攪拌した。この混合物
に、イソフタル酸クロリド１．０１ｇとテレフタルサン
クロリド１．０１ｇを加え、ゆっくりと攪拌した。２時
間攪拌した後、アセトン３００ｍｌ中に滴下し、生成し
た沈殿物をろ取した。沈殿物をＴＨＦに溶解し、不溶物
をろ別した後、ろ液をメタノール３００ｍｌに滴下し
た。生成した沈殿物をろ取してポリアリレート樹脂１．
３ｇを得た。ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算でＭ
ｎ＝１７４００、Ｍｗ＝３２０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
８３であった。生成物のＦＴ−ＩＲ分析を行い、原料の
ジフェノール由来のＯＨ伸縮振動（３２００〜３４００
ｃｍ-1）の消失とエステル結合に由来するＣ−ＣＯ−Ｏ
伸縮振動（１２６０〜１１７０ｃｍ-1）の存在を確認し
た。生成したポリアリレート樹脂をＴＨＦに溶解させ、
シャーレに塗布し、溶媒を気散させることによってキャ
ストフィルムを作製した。キャストフィルムを２ｃｍ角
に切断し、減圧下に１００℃で乾燥させた後、重量を測
定し、さらに、純水に２４時間浸漬後、重量を測定して
重量増加を算出することによって、ポリアリレート樹脂
の吸水率を測定した。吸水率測定の結果、生成したポリ
アリレート樹脂の吸水率は０．０５であった。また、キ
ャストフィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率を
測定し、ｔａｎδのピーク値によってＴｇを測定した結
果、Ｔｇ１４５℃であった。生成したポリアリレート樹
脂１．０ｇをトルエン５ｇに溶解し、２０％溶液を得
た。次いで、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有す
る液状エポキシ（エポキシ当量１８５）１．８５ｇをこ
の溶液に加え、攪拌し、さらにポリスチレン系核体（直
径：５μｍ）の表面にＡｕ層を形成した導電粒子を５容
量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセ
パレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布
し、１００℃、１０分乾燥し厚み４０μｍの接着フィル
ムを作製した。接着フィルムを１５０℃で３時間硬化さ
せ、硬化フィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率
を測定し、ｔａｎδのピーク値によってＴｇを測定した
結果、Ｔｇ１５０℃であった。次に、作製した接着フィ
ルムを用いて、金バンプ（面積：８０×８０μｍ、スペ
ース３０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８８）付き
チップ（１０×１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／
ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高さ：２０μ
ｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示すように行っ
た。接着フィルム３（１２×１２ｍｍ）をＮｉ／Ａｕめ
っきＣｕ回路プリント基板に６０℃、０．５ＭＰａで仮
接続工程を行った。仮接続工程後、セパレータを剥離し
た。チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板の位置合わせを行った後、１７０℃、３０ｇ／バ
ンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行
い、本接続を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプ
あたり最高で５ｍΩ、平均で１．５ｍΩ、絶縁抵抗は１
０８Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱
衝撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１
℃、２気圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１
０秒後においても変化がなく、良好な接続信頼性を示し
た。
明する。 実施例１ ２，２（４，４’−ジヒドロキシジフェニル）オクタン
２．９８ｇとトリエチルアミン２．６３ｇをＴＨＦ５０
ｍｌ中で窒素雰囲気下１０℃で攪拌した。この混合物
に、イソフタル酸クロリド１．０１ｇとテレフタルサン
クロリド１．０１ｇを加え、ゆっくりと攪拌した。２時
間攪拌した後、アセトン３００ｍｌ中に滴下し、生成し
た沈殿物をろ取した。沈殿物をＴＨＦに溶解し、不溶物
をろ別した後、ろ液をメタノール３００ｍｌに滴下し
た。生成した沈殿物をろ取してポリアリレート樹脂１．
３ｇを得た。ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算でＭ
ｎ＝１７４００、Ｍｗ＝３２０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
８３であった。生成物のＦＴ−ＩＲ分析を行い、原料の
ジフェノール由来のＯＨ伸縮振動（３２００〜３４００
ｃｍ-1）の消失とエステル結合に由来するＣ−ＣＯ−Ｏ
伸縮振動（１２６０〜１１７０ｃｍ-1）の存在を確認し
た。生成したポリアリレート樹脂をＴＨＦに溶解させ、
シャーレに塗布し、溶媒を気散させることによってキャ
ストフィルムを作製した。キャストフィルムを２ｃｍ角
に切断し、減圧下に１００℃で乾燥させた後、重量を測
定し、さらに、純水に２４時間浸漬後、重量を測定して
重量増加を算出することによって、ポリアリレート樹脂
の吸水率を測定した。吸水率測定の結果、生成したポリ
アリレート樹脂の吸水率は０．０５であった。また、キ
ャストフィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率を
測定し、ｔａｎδのピーク値によってＴｇを測定した結
果、Ｔｇ１４５℃であった。生成したポリアリレート樹
脂１．０ｇをトルエン５ｇに溶解し、２０％溶液を得
た。次いで、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有す
る液状エポキシ（エポキシ当量１８５）１．８５ｇをこ
の溶液に加え、攪拌し、さらにポリスチレン系核体（直
径：５μｍ）の表面にＡｕ層を形成した導電粒子を５容
量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。この溶液をセ
パレータ（シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ
ートフィルム、厚み４０μｍ）にロールコータで塗布
し、１００℃、１０分乾燥し厚み４０μｍの接着フィル
ムを作製した。接着フィルムを１５０℃で３時間硬化さ
せ、硬化フィルムを動的粘弾性測定装置を用いて弾性率
を測定し、ｔａｎδのピーク値によってＴｇを測定した
結果、Ｔｇ１５０℃であった。次に、作製した接着フィ
ルムを用いて、金バンプ（面積：８０×８０μｍ、スペ
ース３０μｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８８）付き
チップ（１０×１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／
ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（電極高さ：２０μ
ｍ、厚み：０．８ｍｍ）の接続を以下に示すように行っ
た。接着フィルム３（１２×１２ｍｍ）をＮｉ／Ａｕめ
っきＣｕ回路プリント基板に６０℃、０．５ＭＰａで仮
接続工程を行った。仮接続工程後、セパレータを剥離し
た。チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板の位置合わせを行った後、１７０℃、３０ｇ／バ
ンプ、２０秒の条件でチップ上方から加熱、加圧を行
い、本接続を行った。本接続後の接続抵抗は、１バンプ
あたり最高で５ｍΩ、平均で１．５ｍΩ、絶縁抵抗は１
０８Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２５℃の熱
衝撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験（１２１
℃、２気圧）２００時間、２６０℃のはんだバス浸漬１
０秒後においても変化がなく、良好な接続信頼性を示し
た。
【００１７】
【発明の効果】本発明の回路板は、接着剤として、接着
樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性樹脂及び吸水率
０．０１〜０．２重量％かつガラス転移温度８０℃〜１
５０℃の熱可塑性樹脂を含むことによって、耐湿特性及
び耐熱性の良好な硬化物を得ることができ、結果とし
て、接続信頼性を大幅に向上させることができる。
樹脂組成物が少なくとも三次元架橋性樹脂及び吸水率
０．０１〜０．２重量％かつガラス転移温度８０℃〜１
５０℃の熱可塑性樹脂を含むことによって、耐湿特性及
び耐熱性の良好な硬化物を得ることができ、結果とし
て、接続信頼性を大幅に向上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ａ (72)発明者 太田 悟 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 竹村 賢三 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA11 AA13 AA17 AA19 AB05 BA02 FA05 4J040 EC001 EC002 ED041 ED042 HA326 HC01 HC15 HC18 HC24 HD18 JA09 JB10 KA03 KA16 KA32 LA02 LA06 LA07 NA20 PA32 PA33 5E319 AA03 AB05 BB04 BB20 CC03 CC61 GG20 5E344 AA01 AA22 BB02 CC24 CD01 CD04 DD08 DD16 EE16 5F044 KK03 LL07
Claims (6)
- 【請求項１】第一の接続端子を有する第一の回路部材
と、第二の接続端子を有する第一の回路部材より熱膨張
係数が大きい第二の回路部材とを、第一の接続端子と第
二の接続端子を対向して配置し、前記対向は位置した第
一の接続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在さ
せ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第
二の接続端子を電気的に接続させた回路板であって、前
記接着剤が、少なくとも三次元架橋性樹脂及び吸水率
０．０１〜０．２重量％かつガラス転移温度８０℃〜１
５０℃の熱可塑性樹脂を含む接着剤であることを特徴と
する回路板。 - 【請求項２】接着剤樹脂組成物の熱可塑性樹脂が化１の
一般式（１）で示されるポリアリレート樹脂である請求
項１記載の回路板。 【化１】 （ここでＲ1 は水素原子または炭素数１〜２のアルキル
基、好ましくは炭素数１〜４の直鎖または分岐したアル
キル基であり、Ｒ2 は炭素数２〜１３の直鎖状または分
岐したアルキル基であり、ｎは１０〜２５０の整数であ
る） - 【請求項３】接着剤樹脂組成物の三次元架橋性樹脂がエ
ポキシ樹脂と潜在性硬化剤を含有している請求項２記載
の回路板。 - 【請求項４】接着樹脂組成物が少なくともエポキシ系樹
脂と、芳香族炭化水素系溶剤に溶解するポリアリレート
樹脂及び潜在性硬化剤を含有している回路部材接続用接
着剤である回路板。 - 【請求項５】接着剤がフィルム状である請求項１〜４い
ずれかに記載の回路板。 - 【請求項６】接着剤に０．２〜２０体積％の導電粒子が
分散されていることを特徴とする請求項１〜５いずれか
に記載の回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27739298A JP4092790B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27739298A JP4092790B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114317A true JP2000114317A (ja) | 2000-04-21 |
| JP4092790B2 JP4092790B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=17582909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27739298A Expired - Fee Related JP4092790B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 回路板 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4092790B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006182942A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Three M Innovative Properties Co | エポキシ樹脂接着剤フィルム |
| JP2008118091A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 配線板、配線板接続体および配線板モジュール |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112622A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| WO1999001519A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Adhesif pour composants semi-conducteurs |
| JPH11302620A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤 |
-
1998
- 1998-09-30 JP JP27739298A patent/JP4092790B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112622A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物 |
| WO1999001519A1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-01-14 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Adhesif pour composants semi-conducteurs |
| JPH11302620A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006182942A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Three M Innovative Properties Co | エポキシ樹脂接着剤フィルム |
| JP2008118091A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 配線板、配線板接続体および配線板モジュール |
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