JP2000113520A - Production of master disk of optical disk - Google Patents
Production of master disk of optical diskInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤の
製造方法に関する。[0001] The present invention relates to a method for manufacturing a master optical disc.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の光ディスク原盤の製造方法の一例
としては、特開平７−２８７８７４号公報に記載された
提案がある。この提案について、図４に基づいて説明す
る。2. Description of the Related Art As an example of a conventional method for manufacturing an optical disk master, there is a proposal described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-287874. This proposal will be described with reference to FIG.
【０００３】まず、ガラス基板１に、レジスト層２、透
過光制限層３を順次積層して、レジスト基板４を形成す
る（図４（ａ）参照）。透過光制限層３は、所定強度以
上の光のみを透過させる物質で形成されていて、材料と
しては例えば、可飽和色素があげられる。First, a resist layer 2 and a transmitted light limiting layer 3 are sequentially laminated on a glass substrate 1 to form a resist substrate 4 (see FIG. 4A). The transmitted light limiting layer 3 is formed of a substance that transmits only light having a predetermined intensity or higher, and examples of the material include a saturable dye.
【０００４】可飽和色素は、光照射時の吸収飽和現象に
より、強度の低い光は殆ど透過せず、あるレベル以上の
強度の光のみを透過するという特性を有する。[0004] Saturable dyes have the property that, due to the absorption and saturation phenomenon upon light irradiation, light having low intensity is hardly transmitted, and only light having an intensity higher than a certain level is transmitted.
【０００５】次に、同心円状の強度分布を持つガウスビ
ームであるレーザ光Ｌにより、レジスト基板４のピット
及びグルーブに相当する部分を露光する。すると、レー
ザ光Ｌの中心部の光強度が強い部分だけが透過光制限層
３を透過し、その光によりレジスト層２が露光される
（図４（ｂ）参照）。Next, a portion corresponding to the pits and grooves of the resist substrate 4 is exposed with a laser beam L which is a Gaussian beam having a concentric intensity distribution. Then, only a portion of the laser beam L at the central portion where the light intensity is high transmits through the transmitted light limiting layer 3, and the light exposes the resist layer 2 (see FIG. 4B).
【０００６】その後、レジスト基板４を現像することに
より、光ディスク原盤５が得られる（図４（ｃ）参
照）。Thereafter, by developing the resist substrate 4, an optical disk master 5 is obtained (see FIG. 4C).
【０００７】このような方法により、レジスト層２にお
けるレーザ光のスポット径は、透過光制限層３における
レーザ光のスポット径に比べて小さくなり、レーザスポ
ット径よりも小さい幅のピット及びグルーブを得ること
ができる。According to such a method, the spot diameter of the laser beam on the resist layer 2 becomes smaller than the spot diameter of the laser beam on the transmitted light limiting layer 3, and pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter are obtained. be able to.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示すよ
うな従来の光ディスク原盤の製造方法では、可飽和色素
の溶剤によりレジスト層２が融けてしまうため、均一な
レジスト層２を形成するのが困難である。However, in the conventional method for manufacturing an optical disc master as shown in FIG. 4, the resist layer 2 is melted by the solvent of the saturable dye, so that a uniform resist layer 2 is formed. Is difficult.
【０００９】また、透過光制限層３を通過してレジスト
層に達するレーザ光のパワーは１／１０程度であって、
透過光制限層３による露光面パワーのロスが大きい。こ
こでパワー不足を補うために透過光制限層３の膜厚を薄
くすれば、透過光制限層３としての十分な効果が得られ
なくなる。このため、ピット及びグルーブを所定の幅及
び深さに形成するためには、露光線速を上げることがで
きず、露光時間が長くなる。露光線速を１．２ｍ／ｓと
すると、ＣＤ−Ｒ( Compact Disk-Recordable)の露光時
間は約７０分、ＤＶＤ−ＲＯＭ( Digital Video Disk-R
ead Only Memory)の露光時間は約３６０分である。露光
時間が長くなると、露光レーザのパワー変動や光軸変動
などによる悪影響を受けやすくなる。これを防ぐために
は、例えば、原盤露光機の改造が必要となり、光ディス
ク原盤５の製造コストをアップさせている。Further, the power of the laser beam that passes through the transmitted light limiting layer 3 and reaches the resist layer is about 1/10,
Exposure surface power loss due to the transmitted light limiting layer 3 is large. Here, if the thickness of the transmitted light limiting layer 3 is reduced to compensate for the power shortage, a sufficient effect as the transmitted light limiting layer 3 cannot be obtained. For this reason, in order to form pits and grooves with a predetermined width and depth, the exposure linear velocity cannot be increased, and the exposure time becomes longer. Assuming an exposure linear velocity of 1.2 m / s, the exposure time of a CD-R (Compact Disk-Recordable) is about 70 minutes, and a DVD-ROM (Digital Video Disk-R)
The exposure time of the ead Only Memory is about 360 minutes. When the exposure time becomes longer, the exposure laser is more likely to be adversely affected by power fluctuations and optical axis fluctuations. In order to prevent this, for example, it is necessary to remodel the master disk exposure machine, which increases the manufacturing cost of the optical disk master 5.
【００１０】さらに、レジスト除去工程においては、溶
剤に溶けた可飽和色素がスタンパ表面を汚してしまうと
いう不都合がある。Furthermore, in the resist removing step, there is a disadvantage that the saturable dye dissolved in the solvent stains the stamper surface.
【００１１】本発明は、レーザスポット径より小さい幅
のピット及びグルーブを形成することを目的とする。An object of the present invention is to form pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の光
ディスク原盤の製造方法は、第一レジスト層と、所定値
以上の強度のレーザ光が照射されることにより蒸発する
マスク層と、第二レジスト層とを順次基板上に積層した
レジスト基板を形成し、スポット中心部の強度が前記所
定値以上であるレーザ光により前記レジスト基板を露光
して、前記レジスト基板を現像する。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical disk master, comprising: a first resist layer; a mask layer which is evaporated by being irradiated with a laser beam having a predetermined intensity or more; A resist substrate is formed by sequentially laminating two resist layers on the substrate, and the resist substrate is exposed by a laser beam having a spot central portion having an intensity of the predetermined value or more, and the resist substrate is developed.
【００１３】したがって、ガウスビームであるレーザ光
でレジスト基板を露光することにより、強度が所定値以
上となるレーザ光のスポット中心部が、第二レジスト層
表面におけるレーザスポット径よりも小さい幅の溝をマ
スク層に形成し、その溝を通ったレーザ光が第一レジス
ト層を露光する。Therefore, by exposing the resist substrate with a laser beam that is a Gaussian beam, the center of the spot of the laser beam having an intensity of a predetermined value or more is formed in a groove having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer. Is formed on the mask layer, and the laser light passing through the groove exposes the first resist layer.
【００１４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク原盤の製造方法であって、前記マスク層として
融解点が６００℃以上１６００℃以下の金属膜を用い
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the first aspect, wherein a metal film having a melting point of 600 ° C. to 1600 ° C. is used as the mask layer.
【００１５】したがって、請求項１に記載のレーザ光で
レジスト基板を露光すると、第二レジスト層表面におけ
るレーザスポット径よりも小さい幅の溝がマスク層に形
成される。Therefore, when the resist substrate is exposed to the laser light according to the first aspect, a groove having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer is formed in the mask layer.
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項２記載の光
ディスク原盤の製造方法であって、前記マスク層をＡｌ
またはＮｉで形成する。According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the second aspect, wherein the mask layer is formed of Al.
Alternatively, it is formed of Ni.
【００１７】したがって、マスク層は請求項２に記載の
条件を満たし、請求項１に記載のレーザ光でレジスト基
板を露光すると、第二レジスト層表面におけるレーザス
ポット径よりも小さい幅の溝がマスク層に形成される。Therefore, when the mask layer satisfies the condition of claim 2 and the resist substrate is exposed to the laser light of claim 1, a groove having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer is formed on the mask. Formed in layers.
【００１８】請求項４記載の発明は、請求項１，２また
は３記載の光ディスク原盤の製造方法であって、前記マ
スク層を膜厚３０Å以上２００Å以下で形成する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disc master according to the first, second or third aspect, wherein the mask layer is formed with a thickness of 30 ° to 200 °.
【００１９】したがって、請求項１に記載のレーザ光で
レジスト基板を露光すると、第二レジスト層表面におけ
るレーザスポット径よりも小さい幅の溝がマスク層に形
成される。Therefore, when the resist substrate is exposed to the laser beam according to the first aspect, a groove having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer is formed in the mask layer.
【００２０】請求項５記載の発明の光ディスク原盤の製
造方法は、基板上に下地層とレジスト層とを順次積層し
たレジスト基板を形成し、前記レジスト基板をレーザ光
により露光して現像し、前記レジスト層をマスクとして
前記下地層をエッチングして前記レジスト層を除去す
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an optical disc master, a resist substrate is formed by sequentially laminating an underlayer and a resist layer on the substrate, and the resist substrate is exposed to laser light and developed. The resist layer is removed by etching the base layer using the resist layer as a mask.
【００２１】したがって、ガウスビームであるレーザ光
によりレジスト層はすり鉢状に露光され、現像されるこ
とによりレジスト層の下地層側の面には、レーザスポッ
ト径よりも小さい幅の穴が形成される。Therefore, the resist layer is exposed in a mortar shape by the laser beam as a Gaussian beam, and is developed to form a hole having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the resist layer on the side of the underlayer. .
【００２２】請求項６記載の発明は、請求項５記載の光
ディスク原盤の製造方法であって、前記レジスト層及び
前記下地層として、前記レジスト層のエッチングレート
ｒrと前記下地層のエッチングレートｒuとがｒu／ｒr＞
２を満たす材料を用いる。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the fifth aspect, wherein the resist layer and the base layer have an etching rate r r of the resist layer and an etching rate r of the base layer. u and r u / r r >
2 is used.
【００２３】したがって、レジスト層をマスクとして下
地層を効率よくエッチングできる。Therefore, the underlying layer can be efficiently etched using the resist layer as a mask.
【００２４】請求項７記載の発明は、請求項６記載の光
ディスク原盤の製造方法であって、前記下地層をＡｕま
たはＡｇで形成する。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the sixth aspect, wherein the underlayer is formed of Au or Ag.
【００２５】したがって、下地層は請求項６に記載の条
件を満たし、レジスト層をマスクとして下地層を効率よ
くエッチングできる。Therefore, the underlayer satisfies the conditions described in claim 6, and the underlayer can be efficiently etched using the resist layer as a mask.
【００２６】[0026]
【発明の実施の形態】本発明の光ディスク原盤の製造方
法の第一の実施の形態について、図１に基づいて説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of a method for manufacturing an optical disk master according to the present invention will be described with reference to FIG.
【００２７】本実施の形態では、まず、研磨して洗浄し
たガラス基板１１の表面に、密着材（図示せず）をスピ
ンコート法により塗布する。同様にスピンコート法によ
りレジストを塗布し、その後、９０℃のクリーンオーブ
ンで３０分間ベークして第一レジスト層１２を形成す
る。ベーク後の第一レジスト層１２の厚さは約４００Å
である。In the present embodiment, first, an adhesive (not shown) is applied to the surface of the glass substrate 11 polished and cleaned by spin coating. Similarly, a resist is applied by spin coating, and then baked in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes to form a first resist layer 12. The thickness of the first resist layer 12 after baking is about 400 °
It is.
【００２８】続いて、第一レジスト層１２上に、スパッ
タリング法によりＮｉ薄膜を５０Å成膜して、マスク層
１３を形成する。さらに、マスク層１３上に、第一レジ
スト層１２と同様にスピンコート法によりレジストを塗
布してベークし、膜厚２０００Åの第二レジスト層１４
を形成する。この工程まで済ませたレジスト基板１５を
図１（ａ）に示す。Subsequently, a Ni thin film is formed on the first resist layer 12 by sputtering at a thickness of 50 ° to form a mask layer 13. Further, a resist is applied on the mask layer 13 by a spin coating method in the same manner as the first resist layer 12 and baked, and a second resist layer 14
To form FIG. 1A shows the resist substrate 15 which has been completed up to this step.
【００２９】次に、図１（ｂ）に示すように、原盤露光
機（図示せず）によってレジスト基板１５を露光する。
原盤露光機が発するレーザ光Ｌの露光波長は４１３ｎ
ｍ、対物レンズのＮＡ（開口数）０．９、露光線速７．
６８ｍ／ｓ、トラックピッチ０．６μｍ、対物レンズ下
のレーザスポット径０．４μｍ、（１／ｅ2）、露光面
パワーは４ｍＷである。Next, as shown in FIG. 1B, the resist substrate 15 is exposed by a master exposure machine (not shown).
The exposure wavelength of the laser beam L emitted from the master exposure machine is 413n
m, NA (numerical aperture) of the objective lens 0.9, exposure linear velocity 7.
68 m / s, track pitch 0.6 μm, laser spot diameter 0.4 μm below the objective lens, (1 / e 2 ), and exposure surface power 4 mW.
【００３０】レーザ光はガウスビームであるので、その
強度は中心部から外周部へ向かって徐々に弱くなる。こ
れにより、第二レジスト層１４はすり鉢状に感光する。
したがって、マスク層１３に達するレーザ光のスポット
径は、対物レンズ下のレーザスポット径よりも小さくな
る。Since the laser beam is a Gaussian beam, its intensity gradually decreases from the center toward the outer periphery. Thereby, the second resist layer 14 is exposed in a mortar shape.
Therefore, the spot diameter of the laser beam reaching the mask layer 13 is smaller than the laser spot diameter below the objective lens.
【００３１】マスク層１３に達したレーザ光で所定値以
上の強度を有するスポット中心部は、その部分のＮｉ薄
膜を蒸発させてマスク層１３に開口部１３ａを形成す
る。この開口部１３ａを通ったレーザ光により、第一レ
ジスト層１２が露光される。したがって、第一レジスト
層１２におけるレーザスポット径は、第二レジスト層１
４におけるレーザスポット径よりも小さい。At the center of the spot having the intensity of a predetermined value or more by the laser beam reaching the mask layer 13, the Ni thin film in that portion is evaporated to form an opening 13 a in the mask layer 13. The first resist layer 12 is exposed by the laser beam passing through the opening 13a. Therefore, the laser spot diameter in the first resist layer 12 is
4 is smaller than the laser spot diameter.
【００３２】次に、図１（ｃ）に示すように、ＵＶラン
プ１６により第二レジスト層１４全面を露光する。その
後、レジスト基板１５を現像することにより、第二レジ
スト層１４と第一レジスト層１２の感光された部分が現
像液に溶解して除去されてピット及びグルーブ１７が形
成され、図１（ｄ）に示す光ディスク原盤１８が得られ
る。ピット及びグルーブ１７の幅は、対物レンズ下のレ
ーザスポット径０．４μｍよりも小さい０．２８μｍと
なる。Next, as shown in FIG. 1C, the entire surface of the second resist layer 14 is exposed by a UV lamp 16. Thereafter, by developing the resist substrate 15, the exposed portions of the second resist layer 14 and the first resist layer 12 are dissolved and removed in a developing solution to form pits and grooves 17, and FIG. 1 is obtained. The width of the pits and grooves 17 is 0.28 μm, which is smaller than the laser spot diameter 0.4 μm below the objective lens.
【００３３】図２に示す光ディスク原盤１８に形成され
たピット及びグルーブ１７の幅Ｗ(μｍ)について、マス
ク層１３の材料及び膜厚を変化させた場合について調べ
た結果を表１に示す。Table 1 shows the results obtained by examining the width W (μm) of the pits and grooves 17 formed on the optical disk master 18 shown in FIG. 2 when the material and the film thickness of the mask layer 13 were changed.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】測定は、ＡＦＭ(atomic force microscop
e) で行った。また、マスク層以外のその他の条件は、
第一の実施の形態と同様である。The measurement was performed using AFM (atomic force microscop).
e). Other conditions other than the mask layer are as follows:
This is the same as in the first embodiment.
【００３６】表１より、Ｔｅは、第一のレジスト層２に
形成されたピット及びグルーブ１７の幅Ｗが対物レンズ
下のレーザスポット径に略等しくなり、マスク層として
機能しないことがわかった。一方、Ｃｒは、第一のレジ
スト層２に形成されたピット及びグルーブ１７の幅が不
均一で、また、一部には、マスク層１３が蒸発せず、ピ
ット及びグルーブが形成されなかった。これに対して、
Ｎｉ，Ａｌでは、レーザスポット径より小さい幅のピッ
ト及びグルーブ１７が形成できた。From Table 1, it was found that Te did not function as a mask layer because the width W of the pits and grooves 17 formed in the first resist layer 2 was substantially equal to the laser spot diameter below the objective lens. On the other hand, for Cr, the widths of the pits and grooves 17 formed in the first resist layer 2 were not uniform, and in some portions, the mask layer 13 did not evaporate, and no pits and grooves were formed. On the contrary,
With Ni and Al, pits and grooves 17 having a width smaller than the laser spot diameter could be formed.
【００３７】これらの結果から、マスク層１３の材料の
融解点を限定することにより、マスク層１３の開口部幅
を制御できることがわかり、その融解点としては、６０
０〜１６００℃が好ましいことがわかる。From these results, it can be seen that by limiting the melting point of the material of the mask layer 13, the width of the opening of the mask layer 13 can be controlled.
It turns out that 0-1600 degreeC is preferable.
【００３８】次に、本発明の光ディスク原盤の製造方法
の第二の実施の形態について、図３に基づいて説明す
る。本実施の形態では、まず、研磨して洗浄したガラス
基板２１の表面に、スパッタリング法によりＡｕ薄膜を
４００Å成膜して下地層２２を形成する。Next, a second embodiment of the method for manufacturing an optical disk master according to the present invention will be described with reference to FIG. In the present embodiment, first, an Au thin film is formed to a thickness of 400 ° by a sputtering method on the surface of a polished and cleaned glass substrate 21 to form an underlayer 22.
【００３９】続いて、この下地層２２上に、密着材（図
示せず）をスピンコート法により塗布する。同様にスピ
ンコート法によりレジストを塗布し、その後、９０℃の
クリーンオーブンで３０分間ベークしてレジスト層２３
を形成する。ベーク後のレジスト層２３の膜厚は約３０
００Åである。この工程まで済ませたレジスト基板２４
を図２（ａ）に示す。Subsequently, an adhesion material (not shown) is applied on the underlayer 22 by spin coating. Similarly, a resist is applied by spin coating, and then baked in a clean oven at 90 ° C. for 30 minutes to form a resist layer 23.
To form The thickness of the resist layer 23 after baking is about 30
00 °. Resist substrate 24 completed up to this step
Is shown in FIG.
【００４０】次に、図２（ｂ）に示すように、原盤露光
機（図示せず）によって露光して、レジスト層２３に潜
像２５を形成する。原盤露光機が発するレーザ光Ｌの露
光波長は４１３ｎｍ、対物レンズのＮＡ（開口数）０．
９、露光線速７．６８ｍ／ｓ、トラックピッチ０．６μ
ｍ、対物レンズ下のレーザスポット径０．４μｍ、（１
／ｅ2）、露光面パワーは２．５ｍＷである。Next, as shown in FIG. 2B, a latent image 25 is formed on the resist layer 23 by exposure using a master exposing machine (not shown). The exposure wavelength of the laser beam L emitted from the master exposure machine is 413 nm, and the NA (numerical aperture) of the objective lens is 0.
9. Exposure linear velocity 7.68m / s, track pitch 0.6μ
m, laser spot diameter 0.4 μm below the objective lens, (1
/ E 2 ), and the exposure surface power is 2.5 mW.
【００４１】次に、図２（ｃ）に示すように、レジスト
層２３に形成された潜像２５を現像する。ここで、レー
ザ光はガウスビームであるので、その強度は中心部から
外周部へ向かって徐々に弱くなる。これにより、レジス
ト層２３はすり鉢状に感光する。したがって、下地層２
２の表面の現像によって現れた部分の幅は、対物レンズ
下のレーザスポット径よりも小さい０．２５μｍであ
る。Next, as shown in FIG. 2C, the latent image 25 formed on the resist layer 23 is developed. Here, since the laser beam is a Gaussian beam, its intensity gradually decreases from the center to the outer periphery. Thereby, the resist layer 23 is exposed in a mortar shape. Therefore, the underlayer 2
The width of the portion that appeared due to the development of the surface of No. 2 was 0.25 μm, which was smaller than the laser spot diameter under the objective lens.
【００４２】続いて、現像後のレジスト層２３をマスク
として、下地層２２をＡｒイオンによりエッチングし、
下地層２２にピット及びグルーブ２６を形成する。この
場合、ピット及びグルーブ２６の断面形状は、矩形に近
い形状が得られる。また、ピット及びグルーブ２６の幅
は、レジスト層２３の底部溝幅になる。Subsequently, using the developed resist layer 23 as a mask, the underlying layer 22 is etched with Ar ions,
Pits and grooves 26 are formed in the underlayer 22. In this case, the cross-sectional shape of the pits and grooves 26 is substantially rectangular. The width of the pits and grooves 26 is the width of the bottom groove of the resist layer 23.
【００４３】そして、最後にレジスト層２３を周知の方
法で除去することにより、図２（ｄ）に示す光ディスク
原盤２７が得られる。Finally, by removing the resist layer 23 by a known method, an optical disk master 27 shown in FIG. 2D is obtained.
【００４４】Ａｒイオンに対するレジスト層２３及び下
地層２２のエッチングレートをそれぞれｒr及びｒuとす
ると、ｒu／ｒr＜１の場合、レジスト層２３の方が下地
層２２よりも早くエッチングされてしまうため、レジス
ト層２３がマスク層として機能しない。ｒu／ｒr＞１の
場合でも、下地層２２のエッチングレートが低い材料で
は、それだけエッチングに時間を要することになり、そ
れだけ製造コストをアップさせてしまう。よって、下地
層２２のエッチングレートはなるべく高い方が好まし
い。[0044] As each of the etching rate of the resist layer 23 and the underlayer 22 for Ar-ion and r r and r u, if the r u / r r <1, towards the resist layer 23 is faster etching than the underlying layer 22 Therefore, the resist layer 23 does not function as a mask layer. Even in the case of r u / r r> 1, the lower the etching rate of the underlying layer 22 material, it takes a much time to etch, thereby to correspondingly up the manufacturing cost. Therefore, the etching rate of the underlayer 22 is preferably as high as possible.
【００４５】Ａｒイオンに対するエッチングレートを表
２に示す。Table 2 shows the etching rates for Ar ions.
【００４６】[0046]
【表２】 [Table 2]
【００４７】ｒu／ｒr＞２であるＡｕ，Ａｇを下地層に
した場合、効率よく下地層２２にグルーブ２６を形成で
きた。 When Au and Ag satisfying r u / r r > 2 were used as the underlayer, the groove 26 could be efficiently formed in the underlayer 22.
【００４８】[0048]
【発明の効果】請求項１記載の発明では、第一レジスト
層と、所定値以上の強度のレーザ光が照射されることに
より蒸発するマスク層と、第二レジスト層とを順次基板
上に積層したレジスト基板を形成し、スポット中心部の
強度が前記所定値以上であるレーザ光によりレジスト基
板を露光するので、マスク層に第二レジスト層表面にお
けるレーザスポット径よりも小さい幅の溝を形成できる
ため、その溝を通ったレーザ光で第一レジスト層が露光
され、これを現像することにより、第二レジスト層表面
におけるレーザスポット径よりも小さい幅のピット及び
グルーブを得ることができる。また、本発明では、マス
ク層の材料及び膜厚の組み合わせにより、マスク層を蒸
発させるのに必要なパワーを調整できるため、高露光線
速においても、露光スポット径より狭い溝幅のグルーブ
やピットを形成できる。According to the first aspect of the present invention, a first resist layer, a mask layer that evaporates when irradiated with a laser beam having a predetermined intensity or more, and a second resist layer are sequentially laminated on a substrate. Forming a resist substrate, and exposing the resist substrate with laser light having an intensity at the center of the spot equal to or greater than the predetermined value, so that a groove having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer can be formed in the mask layer. Therefore, by exposing the first resist layer with the laser light passing through the groove and developing it, pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer can be obtained. Further, in the present invention, since the power required to evaporate the mask layer can be adjusted by a combination of the material and the film thickness of the mask layer, even at a high exposure linear velocity, a groove or a pit having a groove width smaller than the exposure spot diameter can be obtained. Can be formed.
【００４９】請求項２記載の発明では、マスク層として
融解点が６００℃以上１６００℃以下の金属膜を用いる
ので、スポット中心部の強度が所定値以上であるレーザ
光でレジスト基板を露光すると、第二レジスト層表面に
おけるレーザスポット径よりも小さい幅の溝をマスク層
に形成できるため、第二レジスト層表面におけるレーザ
スポット径よりも小さい幅のピット及びグルーブを第一
レジスト層に形成できる。According to the second aspect of the present invention, since a metal film having a melting point of not less than 600 ° C. and not more than 1600 ° C. is used as the mask layer, when the resist substrate is exposed to a laser beam having an intensity at the center of the spot of not less than a predetermined value, Since grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the second resist layer surface can be formed in the mask layer, pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the second resist layer surface can be formed on the first resist layer.
【００５０】請求項３記載の発明では、マスク層をＡｌ
またはＮｉで形成するので、スポット中心部の強度が所
定値以上であるレーザ光でレジスト基板を露光すると、
第二レジスト層表面におけるレーザスポット径よりも小
さい幅の溝をマスク層に形成できるため、第二レジスト
層表面におけるレーザスポット径よりも小さい幅のピッ
ト及びグルーブを第一レジスト層に形成できる。According to the third aspect of the present invention, the mask layer is made of Al
Or, since the resist substrate is formed of Ni, when the resist substrate is exposed to laser light having an intensity at the center of the spot that is equal to or more than a predetermined value,
Since grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the second resist layer surface can be formed in the mask layer, pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the second resist layer surface can be formed on the first resist layer.
【００５１】請求項４記載の発明では、マスク層を膜厚
３０Å以上２００Å以下で形成するので、スポット中心
部の強度が所定値以上であるレーザ光でレジスト基板を
露光すると、第二レジスト層表面におけるレーザスポッ
ト径よりも小さい幅の溝をマスク層に形成できるため、
第二レジスト層表面におけるレーザスポット径よりも小
さい幅のピット及びグルーブを第一レジスト層に形成で
きる。According to the fourth aspect of the present invention, since the mask layer is formed with a thickness of 30 ° to 200 °, when the resist substrate is exposed to a laser beam having an intensity at the center of the spot of a predetermined value or more, the surface of the second resist layer is exposed. Since a groove having a width smaller than the laser spot diameter can be formed in the mask layer,
Pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter on the surface of the second resist layer can be formed on the first resist layer.
【００５２】請求項５記載の発明の光ディスク原盤の製
造方法は、基板上に下地層とレジスト層とを順次積層し
たレジスト基板をレーザ光により露光して現像し、この
レジスト層をマスクとして下地層をエッチングするの
で、レーザ光によりレジスト層はすり鉢状に露光され、
現像されることによりレジスト層の下地層側の面にレー
ザスポット径よりも小さい幅の穴が形成されるため、こ
のレジスト層をマスクとして下地層をエッチングするこ
とにより、下地層にはレジスト層表面におけるレーザス
ポット径よりも小さい幅のピット及びグルーブを形成で
きる。また、本発明では、レジスト層と下地層境界部の
溝幅が所望の溝幅になっていればよく、レジスト層の断
面形状は問わないため、パワー不足であれば、高感度の
レジストを使用することにより、高露光線速で露光レー
ザスポット径より狭い溝幅のグルーブやピットを形成で
きる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a master optical disc, wherein a resist substrate in which a base layer and a resist layer are sequentially laminated on a substrate is exposed to laser light and developed, and the resist layer is used as a mask to develop the base layer. The resist layer is exposed in a mortar shape by laser light,
By developing, a hole having a width smaller than the laser spot diameter is formed on the surface of the resist layer on the side of the underlayer. By etching the underlayer using the resist layer as a mask, the resist layer surface is formed on the underlayer. The pits and grooves having a width smaller than the laser spot diameter can be formed. Also, in the present invention, the groove width at the boundary between the resist layer and the underlayer may be a desired groove width, and the cross-sectional shape of the resist layer is not limited. By doing so, grooves and pits having a groove width smaller than the exposure laser spot diameter can be formed at a high exposure linear velocity.
【００５３】請求項６記載の発明では、レジスト層及び
下地層として、レジスト層のエッチングレートｒrと下
地層のエッチングレートｒuとがｒu／ｒr＞２を満たす
材料を用いるので、レジスト層よりも下地層が早く溶解
するため、レジスト層をマスクとして下地層を効率よく
エッチングできる。[0053] In the present invention of claim 6, wherein, as the resist layer and the underlying layer, since the etching rate r u of the etching rate r r and the underlayer of the resist layer using a material that satisfies r u / r r> 2, the resist Since the base layer dissolves faster than the layer, the base layer can be efficiently etched using the resist layer as a mask.
【００５４】請求項７記載の発明では、下地層をＡｕま
たはＡｇで形成するので、レジスト層のエッチングレー
トｒrと下地層のエッチングレートｒuとがｒu／ｒr＞２
を満たすため、レジスト層をマスクとして下地層を効率
よくエッチングできる。[0054] claimed in the invention of claim 7, since forming the underlying layer of Au or Ag, the etching rate of the resist layer etching rate r r and the underlying layer of r u and the r u / r r> 2
Therefore, the underlying layer can be efficiently etched using the resist layer as a mask.
【図１】本発明の光ディスク原盤の製造方法の第一の実
施の形態を示す摸式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of a method of manufacturing an optical disc master according to the present invention.
【図２】第一のレジスト層に形成されたピット及びグル
ーブを示す縦断正面図である。FIG. 2 is a vertical sectional front view showing pits and grooves formed in a first resist layer.
【図３】本発明の光ディスク原盤の製造方法の第二の実
施の形態を示す摸式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a second embodiment of the method of manufacturing an optical disc master according to the present invention.
【図４】従来の光ディスク原盤の製造方法の一例を示す
模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing an example of a conventional method for manufacturing a master optical disc.
１１ 基板 １２ 第一レジスト層 １３ マスク層 １４ 第二レジスト層 １５ レジスト基板 １８ 光ディスク原盤 ２１ 基板 ２２ 下地層 ２３ レジスト層 ２４ レジスト基板 ２７ 光ディスク基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Substrate 12 First resist layer 13 Mask layer 14 Second resist layer 15 Resist substrate 18 Optical disk master 21 Substrate 22 Underlayer 23 Resist layer 24 Resist substrate 27 Optical disk substrate
Claims (7)
レーザ光が照射されることにより蒸発するマスク層と、
第二レジスト層とを順次基板上に積層したレジスト基板
を形成し、スポット中心部の強度が前記所定値以上であ
るレーザ光により前記レジスト基板を露光して、前記レ
ジスト基板を現像する光ディスク原盤の製造方法。A first resist layer, a mask layer that evaporates when irradiated with a laser beam having an intensity equal to or greater than a predetermined value,
Forming a resist substrate in which a second resist layer and a resist layer are sequentially laminated on the substrate, exposing the resist substrate with a laser beam having an intensity at the center of the spot equal to or greater than the predetermined value, and developing an optical disc master for developing the resist substrate. Production method.
上１６００℃以下の金属膜を用いる請求項１記載の光デ
ィスク原盤の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a metal film having a melting point of 600 ° C. to 1600 ° C. is used as the mask layer.
る請求項２記載の光ディスク原盤の製造方法。3. The method according to claim 2, wherein the mask layer is formed of Al or Ni.
以下で形成する請求項１，２または３記載の光ディスク
原盤の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the mask layer has a thickness of 30 ° to 200 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 1, wherein the optical disk master is formed as follows.
層したレジスト基板を形成し、前記レジスト基板をレー
ザ光により露光して現像し、前記レジスト層をマスクと
して前記下地層をエッチングして前記レジスト層を除去
する光ディスク原盤の製造方法。5. A resist substrate in which a base layer and a resist layer are sequentially laminated on a substrate is formed, the resist substrate is exposed to laser light and developed, and the base layer is etched using the resist layer as a mask. A method of manufacturing an optical disc master for removing the resist layer.
前記レジスト層のエッチングレートｒrと前記下地層の
エッチングレートｒuとがｒu／ｒr＞２を満たす材料を
用いる請求項５記載の光ディスク製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the resist layer and the underlayer are
The resist layer etching rate r r and the optical disc manufacturing method according to claim 5, wherein an etching rate r u underlayer using a material that satisfies r u / r r> 2 the.
請求項６記載の光ディスク原盤の製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the underlayer is formed of Au or Ag.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286360A JP2000113520A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Production of master disk of optical disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286360A JP2000113520A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Production of master disk of optical disk |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000113520A true JP2000113520A (en) | 2000-04-21 |
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ID=17703383
Family Applications (1)
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| JP10286360A Pending JP2000113520A (en) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | Production of master disk of optical disk |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000113520A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046904A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Information medium master manufacturing method, information medium stamper manufacturing method, information medium master manufacturing apparatus, and information medium stamper manufacturing apparatus |
| US7297472B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| JP2007305276A (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Sharp Corp | Method for forming fine pattern, stamper for optical disk, substrate for optical disk, and optical disk medium |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10286360A patent/JP2000113520A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4647542B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | Method for forming fine pattern |
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