JP2000111956A - Active matrix substrate and its preparation and liquid crystal device and electronic apparatus - Google Patents
Active matrix substrate and its preparation and liquid crystal device and electronic apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は２端子素子を有する
アクティブマトリクス基板、特に画素電極が反射板を兼
ねた反射型液晶装置、又は半透過反射型液晶装置に用い
るアクティブマトリクス基板に関する。さらにはそのア
クティブマトリクス基板を用いた液晶装置及び電子機器
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix substrate having two-terminal elements, and more particularly to an active matrix substrate used in a reflection type liquid crystal device in which pixel electrodes also serve as a reflection plate or a transflective type liquid crystal device. Further, the present invention relates to a liquid crystal device and an electronic device using the active matrix substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】２端子素子をスイッチング素子として用
いる液晶表示装置は主として透過型の液晶装置として利
用されてきた。ところが、透過型の液晶装置にあって
は、バックライトを点灯させて用いるため消費電力が大
きい。そのため、携帯電話、小型情報機器のように持ち
運んで使用する電子機器には単純マトリックス駆動を用
いた反射型液晶装置、又はアイコン表示型の液晶装置が
用いられることが多かった。これら反射型の液晶装置
は、バックライトを使用しないため消費電力が小さいた
め小型の情報機器等には適しているからである。2. Description of the Related Art A liquid crystal display device using a two-terminal element as a switching element has been mainly used as a transmission type liquid crystal device. However, a transmissive liquid crystal device consumes a large amount of power because it is used by turning on a backlight. Therefore, a reflection type liquid crystal device using a simple matrix drive or an icon display type liquid crystal device is often used for an electronic device which is carried and used, such as a mobile phone and a small information device. This is because these reflection-type liquid crystal devices do not use a backlight and thus consume less power, and thus are suitable for small-sized information devices and the like.
【０００３】一方、これら単純マトリックス駆動、又は
アイコン表示型の液晶装置は動画表示や、画質といった
点ではアクティブ駆動型の液晶装置には及ばない場合が
多い。On the other hand, these simple matrix drive or icon display type liquid crystal devices are often inferior to active drive type liquid crystal devices in terms of displaying moving images and image quality.
【０００４】そこで、近年にあってはＴＦＴ素子やＭＩ
Ｍ素子をスイッチング素子として用いた反射型あるいは
半透過反射型の液晶装置、特に画素電極が反射板を兼ね
ている液晶装置が注目を浴びている。In recent years, TFT devices and MI devices have been developed.
A reflective or transflective liquid crystal device using an M element as a switching element, particularly a liquid crystal device in which a pixel electrode also serves as a reflective plate, has been receiving attention.
【０００５】ここで、２端子非線型素子をスイッチング
素子として用いた従来のアクティブマトリクス基板に用
いる２端子素子の例を図７に示す。Here, FIG. 7 shows an example of a two-terminal element used for a conventional active matrix substrate using a two-terminal nonlinear element as a switching element.
【０００６】図７においては、アルミニウムからなる信
号線７１が形成されているとともに、その信号線７１に
絶縁膜を介して電気的に接続したタンタルからなる導電
膜７２が形成されている。導電膜７２の上側にはタンタ
ルを陽極酸化して得た絶縁膜を挟んで反射性画素電極で
ある導電膜７３が形成されている。つまり、導電膜７２
と導電膜７３及びそれらに挟まれた絶縁膜によって２端
子素子を形成している。In FIG. 7, a signal line 71 made of aluminum is formed, and a conductive film 72 made of tantalum which is electrically connected to the signal line 71 via an insulating film is formed. A conductive film 73 serving as a reflective pixel electrode is formed above the conductive film 72 with an insulating film obtained by anodizing tantalum interposed therebetween. That is, the conductive film 72
And the conductive film 73 and the insulating film sandwiched therebetween form a two-terminal element.
【０００７】ここで、信号線７１及び導電膜７３はフォ
トリソグラフィ法及びエッチング技術によってパターニ
ングされている。Here, the signal line 71 and the conductive film 73 are patterned by a photolithography method and an etching technique.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】透過型の液晶装置にあ
っては、第２導電膜及びそれと一体形成された画素電極
をＩＴＯ等で形成するが、反射型あるいは半透過反射型
の液晶装置にあっては、画素電極をアルミニウム等の反
射性物質で形成する。そのため、上記の従来技術にあっ
ては次のような問題が生じた。In a transmissive liquid crystal device, a second conductive film and a pixel electrode integrally formed therewith are formed of ITO or the like. If so, the pixel electrode is formed of a reflective material such as aluminum. For this reason, the above-described conventional technology has the following problems.
【０００９】アルミニウムは非常に反応性が高く、かつ
電極電位が卑である。そのため、２端子素子形成工程の
現像、エッチング、レジストのはく離など化成溶液とア
ルミニウムとが接触する各工程でアルミニウムが溶解し
てしまう現象を引き起こし、表示品質の低下、点欠陥な
どの不良原因になる。具体的には図６に示すように、信
号線６１、あるいは第２導電膜６２が溶解してしまう。
このような現象が発生する原因としては、信号線、ある
いは第２導電膜に滞留した静電気などの電荷が、上記の
化成溶液を使用する工程で局部的に接続部分に集中し、
電池反応を促進させることによってアルミニウムが化成
溶液中に溶解するものと想像される。Aluminum is very reactive and has a low electrode potential. As a result, aluminum is dissolved in each step of contacting the chemical solution with aluminum, such as development, etching, and resist stripping in the two-terminal element forming process, which causes a deterioration in display quality and defects such as point defects. . Specifically, as shown in FIG. 6, the signal line 61 or the second conductive film 62 is dissolved.
As a cause of such a phenomenon, electric charges such as static electricity accumulated in the signal line or the second conductive film are locally concentrated in the connection portion in the step of using the chemical conversion solution,
It is assumed that aluminum is dissolved in the chemical conversion solution by promoting the battery reaction.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明においては以下の構成をとる。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention has the following arrangement.
【００１１】基板と、この基板上に所定のパターンで配
設された信号線と、この信号線に接続された２端子非線
形素子と、この２端子非線形素子接続されており金属を
その主成分として含む画素電極と、を有するアクティブ
マトリクス基板であって、前記２端子非線形素子は、前
記基板の上に形成された第１の導電膜と、この第１の導
電膜の上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の表面に重
なって形成されており、金属をその主成分として含む第
２の導電膜と、を有し、前記第２の導電膜は環状に形成
された部位を有しており、前記環状に形成された部位と
前記絶縁膜とが交差していることを特徴とする。A substrate, a signal line disposed on the substrate in a predetermined pattern, a two-terminal nonlinear element connected to the signal line, and a two-terminal nonlinear element connected to the two-terminal nonlinear element and having a metal as its main component. An active matrix substrate comprising: a first conductive film formed on the substrate; and an insulating film formed on the first conductive film. And a second conductive film that is formed so as to overlap with the surface of the insulating film and contains metal as a main component. The second conductive film has a portion formed in an annular shape. And wherein the ring-shaped portion and the insulating film intersect with each other.
【００１２】本発明によれば、第２の導電膜が環状に形
成された部位を有しており、その環状部位が絶縁膜と交
差している。そのため、アクティブマトリクス基板の製
造工程中、第２の導電膜と絶縁膜との交差部分に滞留し
た静電気などの電荷が環状部分を通って他に分散され
る。、そのため、エッチング液、例えばリン酸、硝酸、
塩酸の混合液と、第２の導電膜との間に局部的な電池反
応が起こりにくくなり第２の導電膜の局所的な溶解が起
こらない。According to the present invention, the second conductive film has a portion formed in an annular shape, and the annular portion intersects the insulating film. Therefore, during the manufacturing process of the active matrix substrate, electric charges such as static electricity staying at the intersection between the second conductive film and the insulating film are dispersed to other parts through the annular portion. Therefore, an etching solution such as phosphoric acid, nitric acid,
A local battery reaction does not easily occur between the mixed solution of hydrochloric acid and the second conductive film, and local dissolution of the second conductive film does not occur.
【００１３】また、前記第２の導電膜は、前記画素電極
と一体形成されている、あるいは第２の導電膜と、画素
電極又は信号線もしくはその両方と、同一の工程で形成
できるので製造プロセスの削減が実現する。Further, the second conductive film is formed integrally with the pixel electrode, or can be formed in the same step as the second conductive film and the pixel electrode and / or the signal line. Reduction is realized.
【００１４】また、前記第２の導電膜、前記信号線及び
前記画素電極はアルミニウムあるいはアルミニウムをそ
の主成分として含有する金属で形成されていると好まし
い。Further, it is preferable that the second conductive film, the signal line and the pixel electrode are formed of aluminum or a metal containing aluminum as a main component.
【００１５】本発明の画素電極は、画素電極として機能
するための導電性を有するだけでなく反射板としても機
能するためその高い反射性が要求される。アルミニウム
は、高反射性を有ししかも価格も安価であるので、本発
明に好適に利用できる。もちろんアルミニウム以外の金
属、例えばチタン、クロム又は銀などを使用することも
可能である。The pixel electrode of the present invention not only has conductivity for functioning as a pixel electrode but also functions as a reflector, and is required to have high reflectivity. Since aluminum has high reflectivity and is inexpensive, it can be suitably used in the present invention. Of course, it is also possible to use metals other than aluminum, for example, titanium, chromium or silver.
【００１６】本発明のアクティブマトリクス基板は、例
えば以下に示す工程で作成できる。The active matrix substrate of the present invention can be prepared, for example, by the following steps.
【００１７】つまり、（ａ）２端子非線形素子の第１の
導電膜を形成する工程（ｂ）前記第１の導電膜の表面に
絶縁膜を形成する工程（ｃ）金属をその主成分として含
み、環状に形成された部位を有する第２の導電膜を、前
記環状に形成された部位と前記絶縁膜とが交差するよう
に前記絶縁膜上に形成する工程である。That is, (a) a step of forming a first conductive film of a two-terminal nonlinear element, (b) a step of forming an insulating film on the surface of the first conductive film, and (c) a metal as a main component. Forming a second conductive film having a ring-shaped portion on the insulating film such that the ring-shaped portion intersects with the insulating film.
【００１８】本発明の製造方法によれば、工程（ｃ）
で、第２導電膜の環状に形成された部位と絶縁膜とが交
差するように第２導電膜を形成している。According to the production method of the present invention, step (c)
Thus, the second conductive film is formed such that the ring-shaped portion of the second conductive film intersects with the insulating film.
【００１９】具体的な工程（ｃ）としては第２の導電膜
をフォトリソグラフィ及びエッチング技術によってパタ
ーニングするが、その際、リン酸、硝酸及び塩酸等の混
合液と第２の導電膜との間に電池反応が生じる。本発明
によれば、第２導電膜の環状に形成された部位と絶縁膜
とが交差するように第２導電膜を形成しているので、電
荷が環状部分を通って他に拡散する。そのため電池反応
が局所的におこることを防止できる。As a specific step (c), the second conductive film is patterned by photolithography and etching techniques. In this case, a mixture between phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid and the like and the second conductive film are formed. , A battery reaction occurs. According to the present invention, since the second conductive film is formed so that the ring-shaped portion of the second conductive film intersects with the insulating film, the electric charge diffuses through the ring portion to the other. Therefore, it is possible to prevent the battery reaction from occurring locally.
【００２０】また、工程(a）における第１の導電膜と
は、例えばスパッタリング法等によって形成されたタン
タルが上げられる。また、工程（ｂ）における絶縁膜
は、前記タンタルを陽極酸化して得た酸化タンタルが一
例として上げられる。The first conductive film in the step (a) is, for example, tantalum formed by a sputtering method or the like. The insulating film in the step (b) is, for example, tantalum oxide obtained by anodizing the tantalum.
【００２１】また、本発明の液晶装置は、上記アクティ
ブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に
対向して配置され、前記アクティブマトリクス基板の画
素電極に対向する位置に信号線を備えた対向基板と、前
記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に封
入された液晶層と、を有することを特徴とする。Further, the liquid crystal device of the present invention comprises: the above-mentioned active matrix substrate; and a counter substrate which is arranged to face the active matrix substrate and has a signal line at a position facing a pixel electrode of the active matrix substrate; A liquid crystal layer sealed between the active matrix substrate and the counter substrate.
【００２２】この液晶装置によれば、信頼性の高い液晶
装置が実現する。According to this liquid crystal device, a highly reliable liquid crystal device is realized.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】[第１の実施の形態]本発明の実施
の一形態に係わる液晶装置について図１に基づいて説明
する。図１(a）は概略断面図、（ｂ）は２端子素子部分
の拡大図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A liquid crystal device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a schematic sectional view, and FIG. 1B is an enlarged view of a two-terminal element portion.
【００２４】アクティブマトリクス基板を構成する２端
子素子は、バック・ツー・バック構造を有する。つまり
第１の２端子非線型素子１０ａと第２の２端子非線型素
子１０ｂとを極性を反対にして直列に接続した構造を有
する。The two-terminal element constituting the active matrix substrate has a back-to-back structure. That is, it has a structure in which the first two-terminal nonlinear element 10a and the second two-terminal nonlinear element 10b are connected in series with opposite polarities.
【００２５】ガラス、プラスチック等からなる基板２の
液晶９側の面には絶縁膜３が形成されており、絶縁膜３
上にはタンタルあるいはタンタル合金からなる第１の導
電膜６が形成されている。第１の導電膜の上部にはタン
タルを陽極酸化して得た絶縁膜７が形成されており、絶
縁膜７上にはアルミニウムあるいはアルミニウムを主成
分とする金属からなる信号線（データ線あるいは走査
線）５、アルミニウムあるいはアルミニウムを主成分と
する金属からなり画素電極である第２の導電膜８が形成
されている。つまり、第１導電膜６と第２導電膜８及び
それらに挟まれた絶縁膜７によって第１の２端子素子１
０aを形成している。また、第１導電膜６と信号線５及
びそれらに挟まれた絶縁膜７によって第２の２端子素子
１０ｂを形成している。An insulating film 3 is formed on the surface of the substrate 2 made of glass, plastic or the like on the liquid crystal 9 side.
A first conductive film 6 made of tantalum or a tantalum alloy is formed thereon. An insulating film 7 obtained by anodizing tantalum is formed on the first conductive film, and a signal line (a data line or a scanning line) made of aluminum or a metal containing aluminum as a main component is formed on the insulating film 7. Line) 5, a second conductive film 8 made of aluminum or a metal containing aluminum as a main component and serving as a pixel electrode is formed. That is, the first two-terminal element 1 is formed by the first conductive film 6 and the second conductive film 8 and the insulating film 7 interposed therebetween.
0a is formed. The first conductive film 6, the signal line 5, and the insulating film 7 sandwiched therebetween form a second two-terminal element 10b.
【００２６】ここで第２の導電膜８は、絶縁膜７との交
差部分に於いて環状構造をなしており、信号線５も第１
導電膜６との交差部分において環状構造をなしている。Here, the second conductive film 8 has an annular structure at the intersection with the insulating film 7, and the signal line 5 is also the first conductive film.
An annular structure is formed at the intersection with the conductive film 6.
【００２７】図１において、偏光板４が貼られた対向基
板１と素子基板２が対向ック配置されており、対向基板
１と素子基板２との間には液晶９が挟持されている。素
子基板２の液晶９側の面には絶縁膜３が形成されてお
り、絶縁膜３上にはアルミニウムからなる信号線５が形
成されているとともに、その信号線５と電気的に接続し
たタンタルからなる第１導電膜６が形成されている。第
１導電膜６の上側にはタンタルを陽極酸化して得た絶縁
膜７を挟んで反射電極である第２導電膜８が形成されて
いる。つまり、第１導電膜６と第２導電膜８及びそれら
に挟まれた絶縁膜７によって２端子素子を形成してい
る。In FIG. 1, an opposing substrate 1 on which a polarizing plate 4 is stuck and an element substrate 2 are arranged opposite to each other, and a liquid crystal 9 is sandwiched between the opposing substrate 1 and the element substrate 2. An insulating film 3 is formed on the surface of the element substrate 2 on the liquid crystal 9 side, and a signal line 5 made of aluminum is formed on the insulating film 3 and tantalum electrically connected to the signal line 5. A first conductive film 6 is formed. Above the first conductive film 6, a second conductive film 8 as a reflective electrode is formed with an insulating film 7 obtained by anodizing tantalum interposed therebetween. That is, a two-terminal element is formed by the first conductive film 6, the second conductive film 8, and the insulating film 7 interposed therebetween.
【００２８】ここで反射電極８は、絶縁膜７との交差部
分に於いて環状構造をなしており、信号線５も第１導電
膜６との交差部分において環状構造をなしている。Here, the reflective electrode 8 has an annular structure at the intersection with the insulating film 7, and the signal line 5 also has an annular structure at the intersection with the first conductive film 6.
【００２９】そして、上記アクティブマトリクス基板に
対向して配置され、アクティブマトリクス基板の画素電
極８に対向する位置に信号線（図示せず）を備えた対向
基板１と、アクティブマトリクス基板と対向基板１との
間に封入された液晶層９、及び対向基板外側にもうけた
偏光板４によって液晶装置を構成している。The opposing substrate 1 is disposed opposite the active matrix substrate and has a signal line (not shown) at a position opposing the pixel electrode 8 of the active matrix substrate. A liquid crystal device is constituted by a liquid crystal layer 9 sealed between the liquid crystal device and the polarizing plate 4 provided on the outside of the counter substrate.
【００３０】図４は、本発明の２端子非線形素子１０を
用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置の等価回路
の一例を示す。FIG. 4 shows an example of an equivalent circuit of an active matrix type liquid crystal device using the two-terminal nonlinear element 10 of the present invention.
【００３１】この液晶装置は走査信号駆動回路４１及び
データ信号駆動回路４２を含む。液晶装置には信号線、
すなわち複数の走査線４３および複数のデータ線４４が
もうけられ、走査線４３は走査信号駆動回路４１によ
り、データ線４４はデータ信号駆動回路４２により駆動
される。そして各単位画素４５において、走査線４３と
データ線４４との間に２端子非線形素子１０と液晶９と
が直列に接続されている。This liquid crystal device includes a scanning signal driving circuit 41 and a data signal driving circuit 42. Liquid crystal devices have signal lines,
That is, a plurality of scanning lines 43 and a plurality of data lines 44 are provided, and the scanning lines 43 are driven by the scanning signal driving circuit 41 and the data lines 44 are driven by the data signal driving circuit 42. In each unit pixel 45, the two-terminal nonlinear element 10 and the liquid crystal 9 are connected in series between the scanning line 43 and the data line 44.
【００３２】次に、アクティブマトリクス基板の製造工
程の詳細を説明する。Next, details of the manufacturing process of the active matrix substrate will be described.
【００３３】まず、直流スパッタリング法などにより、
ＴａＯｘなどからなる厚み３０００オングストロームの
絶縁膜３を基板上に形成する。上記の基板をしては、コ
ーニング社製商品名”７０５９”、日本電気ガラス社製
商品名”ＯＡ−２”などが例えば好ましく使用される。
このほかに、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ま
たはいわゆるソーダガラスなどのガラス基板を使用する
ことができる。また、そのガラス基板の板厚は０．３〜
１．１ｍ、好ましくは０．５〜０．７ｍｍ程度である。First, by a direct current sputtering method or the like,
An insulating film 3 made of TaOx or the like and having a thickness of 3000 Å is formed on a substrate. As the above substrate, for example, “7059” (trade name, manufactured by Corning Incorporated), “OA-2” (trade name, manufactured by NEC Corporation), and the like are preferably used.
In addition, a glass substrate such as quartz glass, borosilicate glass, or so-called soda glass can be used. The thickness of the glass substrate is 0.3 to
It is 1.1 m, preferably about 0.5 to 0.7 mm.
【００３４】また、基板上にもうける絶縁膜９は省略す
ることもできるが、該絶縁膜９を形成すれば、この絶縁
膜９上に形成する他の薄膜がガラス基板に含まれる不純
物により汚染されることなどを防止できるので、２端子
非線型素子の特性が向上するという効果を有する。Although the insulating film 9 formed on the substrate can be omitted, if the insulating film 9 is formed, other thin films formed on the insulating film 9 will be contaminated by impurities contained in the glass substrate. Therefore, the characteristics of the two-terminal nonlinear element are improved.
【００３５】次に、上記の基板２上に、スパッタリング
法によって，タンタル薄膜を厚さ３０００オングストロ
ームに形成する。さらに、上記タンタル薄膜に対して、
四フッ化炭素と酸素との混合ガスによるドライエッチン
グを行うことにより、基板表面に縞状の第１の導電膜６
を形成する。第１の導電膜６は、タンタル単体、あるい
はタンタルを主成分とし、これに周期律表で６、７及び
８属に属する元素を含ませた合金膜としてもよい。合金
に添加される元素としては、例えば、タングステン、ク
ロム、モリブデン、レニウム、イットリウム、ランタン
等を好ましく例示することができる。特に前記元素とし
てはタングステンが好ましく、その含有割合は例えば
０.２乃至６原子％である。Next, a tantalum thin film is formed to a thickness of 3000 angstroms on the substrate 2 by a sputtering method. Furthermore, for the above tantalum thin film,
By performing dry etching using a mixed gas of carbon tetrafluoride and oxygen, the stripe-shaped first conductive film 6 is formed on the substrate surface.
To form The first conductive film 6 may be tantalum alone or an alloy film containing tantalum as a main component and containing elements belonging to Groups 6, 7, and 8 in the periodic table. Preferable examples of the element added to the alloy include tungsten, chromium, molybdenum, rhenium, yttrium, and lanthanum. In particular, the element is preferably tungsten, and its content is, for example, 0.2 to 6 atomic%.
【００３６】次にスパッタリング法により信号線５をア
ルミニウムによって厚さ２０００オングストロームにな
るように形成する。なお、このアルミニウム薄膜は、ア
ルミニウムを主成分とする合金から形成してもよい。合
金成分としては マグネシウム、クロム、チタン、希土
類元素などが適宜用いられる。そして、上記アルミニウ
ム薄膜を、例えば燐酸、硝酸、塩酸などの混合液をエッ
チャントとして用いるフォトリソグラフィ法により、線
状にパターニングすることにより、第１の導電膜６の一
部を覆うように、信号線５を形成する。Next, the signal line 5 is formed of aluminum to a thickness of 2000 Å by sputtering. The aluminum thin film may be formed from an alloy containing aluminum as a main component. As the alloy component, magnesium, chromium, titanium, a rare earth element or the like is appropriately used. The aluminum thin film is linearly patterned by a photolithography method using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, or the like as an etchant, so that a signal line is formed so as to cover a part of the first conductive film 6. 5 is formed.
【００３７】その際、信号線５の一部を環状構造として
その環状部分と、第１導電膜６とが交差するようにパタ
ーニングする。なおこの信号線５は、後述する陽極酸化
工程において、陽極酸化配線としても機能する。At this time, a part of the signal line 5 is formed into an annular structure, and patterning is performed so that the annular portion and the first conductive film 6 intersect. The signal line 5 also functions as an anodized wiring in an anodizing step described later.
【００３８】次に、電解液として１％酒石酸アンモニウ
ム溶液を用いて、第１導電膜６の表面と、外部駆動回路
との接続端子近傍を除く信号配線の表面とを陽極酸化す
る。これにより、下部電極の表面に、厚さ約４００オン
グストロームのタンタルオキサイドからなる絶縁膜７を
形成するとともに、信号線５の表面に、アルミナからな
る絶縁膜を形成する。なおここでは、電解液の液温を２
５℃、化成電圧を３１Ｖ、化成電流を約１０ｍＡ／枚と
して陽極酸化を行った。Next, using a 1% ammonium tartrate solution as an electrolytic solution, the surface of the first conductive film 6 and the surface of the signal wiring except for the vicinity of the connection terminal to the external drive circuit are anodized. Thus, an insulating film 7 made of tantalum oxide having a thickness of about 400 Å is formed on the surface of the lower electrode, and an insulating film made of alumina is formed on the surface of the signal line 5. Here, the temperature of the electrolyte is set to 2
Anodization was performed at 5 ° C., a formation voltage of 31 V, and a formation current of about 10 mA / sheet.
【００３９】最後に、反射電極８としてアルミニウム合
金（ＡｌーＮＤ、Ｎｄ１重量％）を積層してパターニン
グすることにより、第１導電膜６の一部を覆うように反
射電極８を形成する。Finally, the reflective electrode 8 is formed so as to cover a part of the first conductive film 6 by laminating and patterning an aluminum alloy (Al-ND, Nd 1% by weight) as the reflective electrode 8.
【００４０】その際、反射電極８の一部を環状構造とし
てその環状部分と、絶縁膜７とが交差するようにパター
ニングする。At this time, a part of the reflection electrode 8 is formed into an annular structure and patterned so that the annular portion and the insulating film 7 intersect.
【００４１】なお信号配線５と反射電極８を同時に形成
してもよい。The signal wiring 5 and the reflection electrode 8 may be formed at the same time.
【００４２】本実施の形態によれば、反射電極８の一部
を環状構造としてその環状部分と、絶縁膜７とが交差す
るようにパターニングすることによって、電荷が集中す
ることを避ける構造をとっている。そのため、フォトリ
ソグラフィ法などで水溶液とアルミニウム直接接する場
合でも、図２に示すように第２導電膜と絶縁膜との交差
部分に滞留した静電気などの電荷が、環状部分を通って
他に分散されるため、エッチャント液等に起因する電池
反応が局部的に起こらない。そのため局部的な第２導電
膜の溶解が起こらない。According to the present embodiment, a structure is employed in which a portion of the reflective electrode 8 is formed into an annular structure and patterned so that the annular portion and the insulating film 7 intersect, thereby preventing charge from being concentrated. ing. Therefore, even when the aluminum is in direct contact with the aqueous solution by a photolithography method or the like, as shown in FIG. Therefore, a battery reaction caused by the etchant solution or the like does not occur locally. Therefore, local dissolution of the second conductive film does not occur.
【００４３】本実施の形態では、電荷が集中しない構造
として図２にあげたような額縁状としたが、電荷が集中
しなければ、図３（ａ）〜（ｂ）に代表的にあげるよう
な電極構造でもかまわない。In this embodiment, the structure in which the electric charge does not concentrate is a frame shape as shown in FIG. 2, but if the electric charge does not concentrate, as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). A simple electrode structure may be used.
【００４４】図３（ａ）においては、第２導電層（画素
電極）８のコーナー部分に設けた開口部が、第１の導電
膜６との交差部分として機能している。図３（ａ）の例
においては、図２の例とは異なり、交差部分に溜まった
電荷は細いパターニン部分を通過せず、２箇所から直接
に画素電極中に分散していく。また、第１の導電膜６と
信号配線５との交差部分における環状構造においては、
その環状構造の一辺が信号線の幹部分となっているた
め、交差部分の電荷が２箇所から信号線の幹部分に逃げ
ていくことになる。In FIG. 3A, an opening provided at a corner of the second conductive layer (pixel electrode) 8 functions as an intersection with the first conductive film 6. In the example of FIG. 3A, unlike the example of FIG. 2, the electric charge accumulated at the intersection does not pass through the thin paternin part and is dispersed directly into the pixel electrode from two places. In the annular structure at the intersection between the first conductive film 6 and the signal wiring 5,
Since one side of the annular structure is the trunk of the signal line, the charge at the intersection escapes from two places to the trunk of the signal line.
【００４５】図３（ｂ）の例は、図３（ａ）の変形例で
ある。図３（ｂ）の例にあっては、第２の導電膜と第１
の導電膜との交差部分と、画素部との間において架橋構
造をとっている。また、信号線５と第１の導電膜の交差
部分との間においても架橋構造をとっている。そのた
め、電荷が架橋部分にも逃げていくのでより効率的に電
荷を分散できる。The example of FIG. 3B is a modified example of FIG. In the example of FIG. 3B, the second conductive film and the first conductive film
A crosslinked structure is formed between the intersection with the conductive film and the pixel portion. Further, a crosslinked structure is formed between the signal line 5 and the intersection of the first conductive film. As a result, the charge escapes to the cross-linking portion, so that the charge can be more efficiently dispersed.
【００４６】[第２の実施の形態]図５（ａ）〜（ｃ）に
実施例１に記載の液晶装置を用いた電子機器の例を示
す。[Second Embodiment] FIGS. 5A to 5C show examples of electronic devices using the liquid crystal device described in the first embodiment.
【００４７】（ａ）は携帯電話、（ｂ）は時計、（ｃ）
はノートパソコンをそれぞれ示している。液晶装置５１
は、それぞれの電子機器の表示部分として装着されてお
り、（ａ）にあっては、電話番号等の表示がなされ、
（ｂ）においては主として時刻表示がなされ、（ｃ）に
おいては、パソコンに入力された情報等に基づいた表示
がなされる。(A) is a mobile phone, (b) is a clock, (c)
Indicates notebook computers, respectively. Liquid crystal device 51
Is mounted as a display portion of each electronic device, and in (a), a telephone number or the like is displayed,
In (b), the time is mainly displayed, and in (c), the display is based on information or the like input to the personal computer.
【００４８】本発明の電子機器にあっては、２端子素子
を形成する第１の導電膜あるいは信号線、絶縁膜及び第
２の導電膜の交差部分ににおける各膜が、その製造工程
中にダメージを受けていない液晶装置を用いているので
非常に信頼性が高い。In the electronic device of the present invention, each film at the intersection of the first conductive film or the signal line, the insulating film, and the second conductive film forming the two-terminal element is formed during the manufacturing process. The reliability is very high because a liquid crystal device which is not damaged is used.
【図１】（a）は本発明による液晶装置の分解断面図で
あり、（ｂ）は２端子非線型素子部分の拡大図である。FIG. 1A is an exploded sectional view of a liquid crystal device according to the present invention, and FIG. 1B is an enlarged view of a two-terminal nonlinear element portion.
【図２】本発明による２端子非線型素子の平面図であ
り、電荷が分散する様子を示す図。FIG. 2 is a plan view of a two-terminal nonlinear element according to the present invention, showing how charges are dispersed.
【図３】(a）及び（ｂ）は本発明による２端子素子の他
の形状を示す図。FIGS. 3A and 3B are views showing another shape of the two-terminal element according to the present invention.
【図４】本発明の液晶装置の等価回路を示す図。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the liquid crystal device of the present invention.
【図５】本発明の液晶装置を用いた電子機器を示す図で
あり、（ａ）は携帯電話、（ｂ）は時計、（ｃ）はパー
ソナルコンピュータをそれぞれ示す。FIGS. 5A and 5B are diagrams showing an electronic device using the liquid crystal device of the present invention, wherein FIG. 5A shows a mobile phone, FIG. 5B shows a watch, and FIG. 5C shows a personal computer.
【図６】従来の２端子素子がダメージをうけていること
を示す図。FIG. 6 is a diagram showing that a conventional two-terminal element is damaged.
【図７】従来の２端子非線型素子部分の拡大図。FIG. 7 is an enlarged view of a conventional two-terminal nonlinear element portion.
１、 ・・・対向基板 ２、 ・・・素子基板 ３、 ・・・絶縁膜 ４、 ・・・偏光板 ５、 ・・・信号線 ６、 ・・・第１導電膜 ７、 ・・・絶縁膜 ８、 ・・・第２導電膜（反射電極） ９、 ・・・液晶 1, counter substrate 2, element substrate 3, insulating film 4, polarizing plate 5, signal line 6, first conductive film 7, insulating Film 8, second conductive film (reflective electrode) 9, liquid crystal
Claims (7)
設された信号線と、この信号線に接続された２端子非線
形素子と、この２端子非線形素子接続されており金属を
その主成分として含む画素電極と、を有するアクティブ
マトリクス基板であって、 前記２端子非線形素子は、前記基板の上に形成された第
１の導電膜と、この第１の導電膜の上に形成された絶縁
膜と、この絶縁膜の表面に重なって形成されており、金
属をその主成分として含む第２の導電膜と、を有し、 前記第２の導電膜は環状に形成された部位を有してお
り、前記環状に形成された部位と前記絶縁膜とが交差し
ていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。1. A substrate, a signal line disposed on the substrate in a predetermined pattern, a two-terminal nonlinear element connected to the signal line, and a metal connected to the two-terminal nonlinear element and connected to the two-terminal nonlinear element. An active matrix substrate comprising: a pixel electrode containing a component; and a two-terminal nonlinear element, wherein the two-terminal nonlinear element is formed on a first conductive film formed on the substrate, and on the first conductive film. An insulating film; and a second conductive film formed so as to overlap with a surface of the insulating film and containing metal as a main component. The second conductive film has a portion formed in a ring shape. An active matrix substrate, wherein the ring-shaped portion and the insulating film intersect with each other.
形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアク
ティブマトリクス基板。2. The active matrix substrate according to claim 1, wherein said second conductive film is formed integrally with said pixel electrode.
成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクテ
ィブマトリクス基板。3. The active matrix substrate according to claim 1, wherein the second conductive film is formed integrally with the signal line.
素電極はアルミニウムあるいはアルミニウムをその主成
分として含有する金属で形成されていることを特徴とす
るアクティブマトリクス基板。4. An active matrix substrate, wherein said second conductive film, said signal line and said pixel electrode are formed of aluminum or a metal containing aluminum as a main component.
アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリク
ス基板に対向して配置され、前記アクティブマトリクス
基板の画素電極に対向する位置に信号線を備えた対向基
板と、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に
封入された液晶層と、を有することを特徴とする液晶装
置。5. The active matrix substrate according to claim 1, further comprising: a signal line disposed at a position facing the pixel electrode of the active matrix substrate. And a liquid crystal layer sealed between the active matrix substrate and the counter substrate.
を特徴とする電子機器。6. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 5.
る工程と、 前記第１の導電膜の表面に絶縁膜を形成する工程と、 金属をその主成分として含み、環状に形成された部位を
有する第２の導電膜を、前記環状に形成された部位と前
記絶縁膜とが交差するように前記絶縁膜上に形成する工
程と、を有するアクティブマトリクス基板の製造方法。7. A step of forming a first conductive film of a two-terminal nonlinear element, a step of forming an insulating film on a surface of the first conductive film, and a metal formed as a main component and formed in an annular shape. Forming a second conductive film having a curved portion on the insulating film so that the ring-shaped portion and the insulating film intersect with each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28180198A JP2000111956A (en) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | Active matrix substrate and its preparation and liquid crystal device and electronic apparatus |
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|---|---|---|---|
| JP28180198A JP2000111956A (en) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | Active matrix substrate and its preparation and liquid crystal device and electronic apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000111956A true JP2000111956A (en) | 2000-04-21 |
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ID=17644179
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| JP28180198A Withdrawn JP2000111956A (en) | 1998-10-02 | 1998-10-02 | Active matrix substrate and its preparation and liquid crystal device and electronic apparatus |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000111956A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005040906A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film diode panel for trans-reflectective liquid crystal display |
| US7137903B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-11-21 | Acushnet Company | Transitioning hollow golf clubs |
| US7942760B2 (en) | 2004-04-21 | 2011-05-17 | Cobra Golf Incorporated | Transitioning hollow golf clubs |
-
1998
- 1998-10-02 JP JP28180198A patent/JP2000111956A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005040906A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film diode panel for trans-reflectective liquid crystal display |
| US7137903B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-11-21 | Acushnet Company | Transitioning hollow golf clubs |
| US7147571B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-12-12 | Acushnet Company | Transitioning hollow golf clubs |
| US7942760B2 (en) | 2004-04-21 | 2011-05-17 | Cobra Golf Incorporated | Transitioning hollow golf clubs |
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