JP2000100768A

JP2000100768A - 回転処理装置

Info

Publication number: JP2000100768A
Application number: JP27296598A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Tsukamoto; 清宏塚本; Mitsunori Nakamori; 光則中森; Hiromi Taniyama; 博己谷山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-09-28
Filing date: 1998-09-28
Publication date: 2000-04-07

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理体を保持する保持ピンの精度の向上及
び被処理体への水分の飛散防止を図れるようにした回転
処理装置を提供すること。【解決手段】半導体ウエハＷを保持して回転させなが
ら半導体ウエハＷを処理する回転処理装置において、半
導体ウエハＷの周辺下面を支持する支持面３０と、半導
体ウエハＷの周辺側面を保持する保持面３１とを有する
保持ピン２０を具備する。保持ピン２０における少なく
とも保持面３１を含む半導体ウエハＷ側内方面に、断面
円弧状面３２を形成すると共に、外方裏面側に、基準面
例えば鉛直方向に沿う平坦状面３３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は回転処理装置に関
するもので、更に詳細には、被処理体を保持して回転さ
せながら種々の処理を行う回転処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、被
処理体である半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の被処
理体（以下にウエハ等という）の表面に付着したパーチ
ィクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーショ
ンを除去するために、洗浄処理システムが採用されてい
る。上記ウエハ等を洗浄するシステムの１つとして、枚
葉式の洗浄処理装置を用いた洗浄処理システムが知られ
ている。

【０００３】上記枚葉式の洗浄処理装置は、ウエハ等を
収容する容器と、この容器内でウエハ等を保持ピンにて
保持して回転する回転テーブルと、ウエハ等の表裏面に
薬液｛例えば、アンモニア過水（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋
Ｈ2Ｏ），塩酸過水（ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）あるいは
希フッ酸（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ）｝や純水等の処理液を供給す
る供給ノズル等を具備してなる。

【０００４】上記のように構成される洗浄処理装置によ
ってウエハ等を洗浄するには、容器内においてウエハ等
を回転テーブル上に適宜間隔をおいて立設された複数の
保持ピンによって保持した状態で、回転テーブルを回転
させ、この状態で、ウエハ等の表面に薬液を供給して、
ウエハ等の表面に付着したパーチィクル、有機汚染物等
を除去する。その後、純水によりリンス処理を行い、最
後に、高速回転して遠心力により水分を除去していわゆ
る「スピン乾燥」と称する乾燥処理を行う。

【０００５】ところで、上記枚葉式の洗浄処理装置にお
けるスピン乾燥では、ウエハ等を保持ピンで保持した状
態で回転テーブルを回転することで、遠心力で水分を飛
ばして乾燥させるため、ウエハ等の周辺部と保持ピンの
接触部に水分が残り、乾燥不良が発生するという問題が
あった。この問題を解決するために、従来では、ウエハ
等の周辺部を保持する保持ピンに、水分を除去するため
の透孔や溝を設けた洗浄処理装置が知られている（特開
平７−１１５０８１号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄処理装置においては、水分を確実に除去するため
に、保持ピンにおけるウエハ等の保持部に透孔や溝を設
け、しかも透孔や溝の下面をウエハ等の上面と面一にな
るように加工する必要があるために、保持ピンの加工に
高精度が要求される上、加工が面倒であった。また、乾
燥処理時に、ウエハ等から飛び出た水分（水滴）が保持
ピンの垂直面に衝突して飛散し、ウエハ等に再付着する
という問題もあった。また、この種の回転処理装置にお
いては、ウエハ等の保持時や保持ピンに対してウエハ等
の受渡しや受取りの際において、ウエハ等の接触部分を
できるだけ少なくする方が、ウエハ等へのパーティクル
の付着防止及び装置の小型化が図れる点で好ましい。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体を保持する保持ピンの精度の向上及び被処
理体への水分の飛散防止を図れるようにした回転処理装
置を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の回転処理装置は、以下のように構成す
る。

【０００９】（１）請求項１記載の発明は、被処理体を
保持して回転させながら被処理体を処理する回転処理装
置において、上記被処理体の周辺下面を支持する支持
面と、被処理体の周辺側面を保持する保持面とを有する
保持ピンを具備し、上記保持ピンにおける少なくとも
上記保持面を含む上記被処理体側内方面を、断面円弧状
に形成すると共に、外方裏面側に基準面を設けた、こと
を特徴とする。この場合、基準面を、鉛直方向に沿って
平坦状に形成する方が好ましい（請求項２）。

【００１０】このように構成することにより、回転処理
時の回転により生じる気流の被処理体上への巻き上がり
を防止することができ、被処理体から外方に飛び出る水
分（水滴）を円弧状部に沿わせて外方に排出させること
ができ、被処理体への再付着を防止することができる。
また、保持ピンに基準面例えば鉛直方向に沿う平坦状面
を設けることで、加工に際して保持ピンの真直度を容易
にすることができるので、保持ピンの精度の向上を図る
ことができる。

【００１１】（２）請求項３記載の発明は、請求項１記
載の回転処理装置において、上記保持ピンの上記保持
面を、被処理体の厚みより僅かに大きい高さに形成する
と共に、保持面の上端より上方に向かって外方に拡開す
る傾斜部を延在してなる、ことを特徴とする。この場
合、上記傾斜部の鉛直線に対する角度を、３０度以上４
５度以下にする方が好ましい（請求項５）。

【００１２】このように構成することにより、保持ピン
に対する被処理体の受渡し及び受取りの際の保持ピンと
被処理体との接触を可及的に少なくすることができる。
また、保持ピンにて被処理体を保持した状態において、
被処理体の浮き上がりを防止することができると共に、
被処理体の保持を確実にすることができる。

【００１３】（３）請求項４記載の発明は、被処理体を
保持して回転させながら被処理体を処理する回転処理装
置において、上記被処理体の周辺下面を支持する支持
面と、被処理体の周辺側面を保持する保持面とを有する
保持ピンを具備し、上記保持ピンにおける少なくとも
上記保持面を含む上記被処理体側内方面を、断面円弧状
に形成し、上記保持ピンの上記保持面を、被処理体の
厚みより僅かに大きい高さに形成すると共に、保持面の
上端より上方に向かって外方に拡開する傾斜部を延在し
てなる、ことを特徴とする。この場合、上記傾斜部の鉛
直線に対する角度を、３０度以上４５度以下にする方が
好ましい（請求項５）。

【００１４】このように構成することにより、回転処理
時の回転により生じる気流の被処理体上への巻き上がり
を防止することができ、被処理体から外方に飛び出る水
分（水滴）を円弧状部に沿わせて外方に排出させること
ができ、被処理体への再付着を防止することができる。
また、保持ピンに対する被処理体の受渡し及び受取りの
際の保持ピンと被処理体との接触を可及的に少なくする
ことができる。また、保持ピンにて被処理体を保持した
状態において、被処理体の浮き上がりを防止することが
できると共に、被処理体の保持を確実にすることができ
る。

【００１５】（４）請求項６記載の発明は、請求項１な
いし５のいずれかに記載の回転処理装置において、上
記保持ピンの上記支持面の内方側に、下り勾配の傾斜面
を延在してなる、ことを特徴とする。

【００１６】このように構成することにより、被処理体
の支持面の面積を可及的に少なくすることができると共
に、保持ピンの径をある程度大きくすることができるの
で、被処理体に付着する水分を傾斜面を介して速やかに
排出することができると共に、保持ピンの強度性を維持
することができる。

【００１７】（５）請求項７記載の発明は、請求項１な
いし６のいずれかに記載の回転処理装置において、上
記保持ピンに、遠心力に伴って流れる気流の軌跡に沿う
貫通孔を穿設してなる、ことを特徴とする。

【００１８】このように構成することにより、乾燥処理
時に被処理体から飛び出て保持ピンに付着する水分（水
滴）を、貫通孔を介して外部に排出することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、この
発明の回転処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理シ
ステムに適用した場合について説明する。

【００２０】図１は、この発明の回転処理装置を適用し
た洗浄・乾燥処理システムの概略平面図、図２は、この
発明の回転処理装置の一例を示す概略断面図、図３は、
図２の要部を示す平面図である。

【００２１】上記洗浄・乾燥処理システムは、被処理体
である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数
枚例えば２５枚収納するキャリア１を載置する載置部２
と、この載置部２に載置されたキャリア１から未処理の
ウエハＷを１枚ずつ取り出すと共に、処理後のウエハＷ
をキャリア１内に１枚ずつ収納する受渡しアーム３と、
ウエハＷに対して所定の洗浄処理、乾燥処理を施すこの
発明に係る回転処理装置を具備する処理装置７〜１２を
有する洗浄処理部５と、この洗浄処理部５の側面側にメ
ンテナンススペース１３を介在して配置されるケミカル
ボックス１４とで主要部が構成されている。

【００２２】上記載置部２は、ウエハＷを２５枚収納す
るキャリア１を複数個（図面では２個の場合を示す。）
載置できる構成になっている。また、受渡しアーム３
は、水平方向（Ｘ，Ｙ方向）及び垂直方向（Ｚ方向）に
移動自在に形成されると共に、回転方向（θ方向）に移
動可能に形成されている。また、洗浄処理部５には、上
記受渡しアーム３と同様に形成される搬送アーム６と、
受渡しアーム３と搬送アーム６との間でウエハＷの受渡
しの役割を担うウエハ載置台４とが設けられている。そ
して、上記処理装置７，８，９は、搬送アーム６の四方
のうち三方を包囲するように配置されており、搬送アー
ム６を包囲する残りの一方に、電気系統の配電盤等を収
納した操作ボックス１５が配置されている。処理装置
７，８，９の下方には、処理装置１０，１１，１２が処
理装置７，８，９と同様に配置され、処理装置７，８，
９及び処理装置１０，１１，１２が同時に洗浄処理又は
洗浄・乾燥処理が進行できるように構成されている。

【００２３】例えば、処理装置７，８，９及び処理装置
１０，１１，１２で行われる洗浄工程の一例について説
明すると、処理装置７及び１０では、アンモニア過水
（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）を用いたＳＣ１洗浄を行
ってウエハＷの表面に付着している有機汚染物、パーテ
ィクル等の不純物質を除去し、純水によるリンス処理、
その後の水切り乾燥を行う。また、処理装置８及び１１
では、希フッ酸（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ）を用いたＤＨＦ洗浄を
行って、ウエハＷの表面に形成されて酸化膜を除去し、
純水によるリンス処理、その後の水切り乾燥を行う。そ
して、処理装置９及び１２では、塩酸過水（ＨＣｌ＋Ｈ
2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）を用いたＳＣ２洗浄を行って、金属イオ
ンを除去し、純水によるリンス処理、その後の水切り乾
燥を行う。

【００２４】なお、上記の配列や処理装置の組合せは、
ウエハＷに対する洗浄処理の種類によって適宜組み合せ
ることができる。例えば、上記処理装置７〜１２の任意
の装置を取り除いたり、あるいは、他の処理装置を組み
込むなど任意に組み合わせることができる。

【００２５】次に、上記処理装置７〜１２に組み込まれ
たこの発明の回転処理装置について説明する。ここで
は、各処理装置７〜１２は、同様の構成を有しているの
で、アンモニア過水（ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）を用
いたＳＣ１洗浄を行う処理装置７を代表として説明す
る。

【００２６】上記処理装置すなわち回転処理装置７は、
図２及び図３に示すように、処理室１６ａを構成する容
器１６と、この容器１６内に配設され、昇降回転機構１
７によって昇降及び回転可能な回転テーブル１８と、回
転テーブル１８も周辺部上に適宜間隔をおいて立設され
てウエハＷを水平状態に保持する複数組例えば３組の保
持部１９と、保持部１９によって保持されたウエハＷの
上面に薬液例えばアンモニア過水又は純水を供給すると
共に、窒素（Ｎ2）ガスなどの乾燥ガスを供給する供給
ノズル２３と、ウエハＷの裏面に純水等を供給する純水
供給ノズル２４とで主要部が構成されている。なお、純
水供給ノズル２４は、回転テーブル１８及び昇降回転軸
２８の中心を貫通した純水供給通路２５に接続されてい
る。

【００２７】一方、上記各組の保持部１９は、１本の可
動保持ピン２１と、この可動保持ピン２１の両側に立設
する２本の固定保持ピン２２とで構成されている。これ
ら可動保持ピン２１と固定保持ピン２２は、同じ形状を
有しているので、ここでは固定保持ピン２２を代表して
説明する。

【００２８】上記固定保持ピン２２（以下に保持ピン２
０という）は、耐食性及び強度性に富む材質例えばＰＥ
ＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等のフッ素樹脂製
部材にて形成されており、図４及び図５に示すように、
回転テーブル１８の上面に設けられた取付孔（図示せ
ず）に嵌挿される脚部２６ａを有する保持ピン本体２６
の上端に、ウエハＷの周辺下面を支持する水平状の支持
面３０を具備すると共に、ウエハＷの周辺外側面を保持
する垂直状の保持面３１を具備してなる。この場合、保
持ピン２０における少なくとも保持面３１を含むウエハ
Ｗ側内方面には、断面円弧状面３２が形成されると共
に、保持ピン本体２６と保持面３１の外方裏面側は、製
作時の基準面例えば鉛直方向に沿って平坦状面３３が形
成されている。

【００２９】このように保持ピン２０における少なくと
も保持面３１を含むウエハＷ側内方面を断面円弧状に形
成することにより、乾燥処理時の回転テーブル１８の回
転により生じる気流がウエハＷ上に巻き上げられるのを
防止することができ、遠心力によりウエハＷから飛び出
る水分（水滴）を、円弧状面３２に沿わせて外方側に排
出することができるので、水分（水滴）がウエハＷに再
付着するのを防止することができる。また、保持ピン本
体２６と保持面３１の外方裏面側に、基準面例えば鉛直
方向に沿う平坦状面３３を形成することにより、保持ピ
ン２０の真直度を容易に加工することができるので、保
持ピン２０の寸法精度を高精度にすることができる。

【００３０】また、保持ピン２０の保持面３１は、ウエ
ハＷの厚み（例えば０．７５ｍｍ）より僅かに大きい高
さ（例えば１．５ｍｍ）に形成されており、保持面３１
の上端より上方に向かって外方に拡開する傾斜部３４が
延在されている。この場合、傾斜部３４の鉛直線に対す
る角度αは、３０度以上で４５度以下に形成されている
（図５（ｃ）参照）。このように、保持面３１の高さを
ウエハＷの厚みより若干高くすることにより、乾燥処理
時の回転テーブル１８の高速回転においてウエハＷが保
持ピン２０から浮き上がるのを防止することができる。
また、傾斜部３４を設けることで、保持ピン２０に対す
るウエハＷの受渡しの際にウエハＷが不用意に保持ピン
２０に接触するのを防止することができる。ここで、傾
斜部３４の鉛直線に対する角度αを、３０度以上４５度
以下に形成した理由は、４０度以下にすると、ウエハＷ
の受渡しの際にウエハＷが保持ピン２０に引っかかる恐
れがあり、また、４５度以上にすると、保持ピン２０が
大きくなり、それに伴って回転テーブル１８ひいては処
理装置が大型になる恐れがあるからである。したがっ
て、傾斜部３４の鉛直線に対する角度αは、３０度以上
４５度以下に形成されている。

【００３１】また、保持ピン２０における支持面３０の
内方側には、下り勾配の傾斜面３５が形成されている。
この場合、傾斜面３５の支持面３０に対する角度βは、
例えば１０度〜２０度に形成されている。このように、
支持面３０の内方側に、下り勾配の傾斜面３５を形成す
ることにより、支持面３０の面積を可及的に小さくする
ことができると共に、保持ピン２０の径をある程度大き
くできるので、ウエハＷに付着する水分（水滴）を傾斜
面３５を介して速やかに排出することができると共に、
保持ピン２０の強度性を維持することができる。

【００３２】なお、可動保持ピン２１は、回転テーブル
１８に対して半径方向に移動可能に枢着されると共に、
図示しない重りを具備してなり、回転テーブル１８の回
転により生じる遠心力によって重りが外方に移動するこ
とで、可動保持ピン２１の保持面３１がウエハＷの周辺
外側面を中心側に押圧してウエハＷを保持するように構
成されている。

【００３３】次に、この発明の回転処理装置を用いたウ
エハＷの洗浄工程の一例について説明する。まず、図示
しない搬送ロボットが未処理の複数枚例えば２５枚のウ
エハＷを収納したキャリア１を載置部２に載置する。そ
して、この載置部２に載置されたキャリア１から受渡し
アーム３によって１枚ずつウエハＷが取り出され、受渡
しアーム３からウエハ載置台４を経由して、搬送アーム
６に受け渡される。そして、搬送アーム６は、ウエハＷ
を処理装置７〜９又は処理装置１０〜１２に順次搬送す
る。

【００３４】処理装置すなわち回転処理装置に搬送され
たウエハＷは、昇降回転機構１７の駆動によって上昇す
る回転テーブル１８及び保持ピン２０｛具体的には可動
保持ピン２１及び固定保持ピン２２｝に受け渡された
後、回転テーブル１８及び保持ピン２０が下降して、ウ
エハＷは水平状に回転テーブル１８上に保持される。こ
の状態で、回転テーブル１８が回転すると、遠心力によ
って図示しない重りの作用によって可動保持ピン２１の
保持面３１によってウエハＷの周辺側面が保持される。
そして、ウエハＷの上方に移動する供給ノズル２３から
ウエハＷの表面に、薬液例えばアンモニア過水（ＮＨ4
ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）が所定時間供給されてＳＣ１洗
浄を行う。ＳＣ１洗浄が終了した後、純水供給ノズル２
４からウエハＷの裏面に純水が所定時間供給されてリン
ス処理を行う。ＳＣ１洗浄に使用された薬液及びリンス
処理に使用された純水は、排液管路２７から排液され
る。

【００３５】上記のようにして薬液及びリンス処理され
て、純水供給ノズル２４からの純水の供給が停止された
後、回転テーブル１８が高速回転して、ウエハＷに付着
した水分（水滴）を遠心力によって外方に飛び出させて
水分（水滴）を除去すると共に、乾燥する。この際、可
動保持ピン２１及び固定保持ピン２２は、少なくとも保
持面３１を含むウエハ側内方面が円弧状面３２となって
いるので、回転テーブル１８の回転に伴って生じる気流
がウエハＷ上に巻き上げられることがなく、ウエハＷか
ら飛び出た水分（水滴）がウエハＷに再付着するのを防
止することができる。また、ウエハＷの周辺下面に付着
する水分（水滴）は、支持面３０に連なる傾斜面３５を
介して下部側に排出される。

【００３６】上記のようにして乾燥処理が終了した後、
回転テーブル１８が上昇して、回転テーブル１８上のウ
エハＷは搬送アーム６に受け取られ、上述した動作と逆
にウエハ載置台４を経由してウエハ受渡しアーム３に受
け取れて、次の処理部又はキャリア１内に収納される。

【００３７】上記実施形態の保持ピン２０に代えて図６
に示す保持ピン２０Ａを用いてもよい。図６に示す保持
ピン２０Ａは、上記保持ピン２０と同様の構造を有す
る、すなわち支持面３０、保持面３１、傾斜部３４及び
傾斜面３５を具備する他に、保持ピン本体２６に適宜間
隔をおいて複数例えば７個の貫通孔４０を具備する。こ
の場合、貫通孔４０は、図６（ｂ）に示すように、回転
テーブル１８の回転によって生じる遠心力に伴って流れ
る気流の軌跡に沿うように流線形状に穿設されている。
このように保持ピン２０Ａに、遠心力に伴って流れる気
流の軌跡に沿う貫通孔４０を穿設することにより、乾燥
処理時にウエハＷから飛び出て保持ピン２０Ａに付着す
る水分（水滴）を、貫通孔４０を介して外部に効率よく
排出することができる。したがって、乾燥処理能力を向
上することができる。

【００３８】なお、上記実施形態では、この発明の回転
処理装置をウエハの洗浄・乾燥処理システムに組み込ん
だ場合について説明したが、塗布装置、現像装置等他の
回転処理装置として使用することも可能である。また、
被処理体はウエハＷ以外に例えばＬＣＤガラス基板の洗
浄乾燥処理についても適用できることは勿論である。

【００３９】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば上記のように構成されるので、以下のような優れた効
果が得られる。

【００４０】（１）請求項１，２記載の発明によれば、
回転処理時の回転により生じる気流の被処理体上への巻
き上がりを防止することができ、被処理体から外方に飛
び出る水分（水滴）を円弧状部に沿わせて外方に排出さ
せることができるので、被処理体への再付着を防止する
ことができる。また、保持ピンに基準面例えば鉛直方向
に沿う平坦状面を設けることで、加工に際して保持ピン
の真直度を容易にすることができるので、保持ピンの精
度の向上を図ることができる。

【００４１】（２）請求項３，５記載の発明によれば、
保持ピンに対する被処理体の受渡し及び受取りの際の保
持ピンと被処理体との接触を可及的に少なくすることが
できる。また、保持ピンにて被処理体を保持した状態に
おいて、被処理体の浮き上がりを防止することができる
と共に、被処理体の保持を確実にすることができる。

【００４２】（３）請求項４，５記載の発明によれば、
回転処理時の回転により生じる気流の被処理体上への巻
き上がりを防止することができ、被処理体から外方に飛
び出る水分（水滴）を円弧状部に沿わせて外方に排出さ
せることができ、被処理体への再付着を防止することが
できる。また、保持ピンに対する被処理体の受渡し及び
受取りの際の保持ピンと被処理体との接触を可及的に少
なくすることができる。また、保持ピンにて被処理体を
保持した状態において、被処理体の浮き上がりを防止す
ることができると共に、被処理体の保持を確実にするこ
とができる。

【００４３】（４）請求項６記載の発明によれば、被処
理体の支持面の面積を可及的に少なくすることができる
と共に、保持ピンの径をある程度大きくすることができ
るので、被処理体に付着する水分を傾斜面を介して速や
かに排出することができると共に、保持ピンの強度性を
維持することができる。

【００４４】（５）請求項７記載の発明によれば、乾燥
処理時に被処理体から飛び出て保持ピンに付着する水分
（水滴）を、貫通孔を介して外部に排出することができ
る。したがって、上記（１）〜（４）に加えて更に乾燥
処理の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の回転処理装置を適用した洗浄・乾燥
システムを示す概略斜視図である。

【図２】この発明の回転処理装置を示す概略断面図であ
る。

【図３】図２の要部平面図である。

【図４】この発明における保持ピンを別の角度から見た
斜視図である。

【図５】上記保持ピンの平面図（ａ）、正面図（ｂ）及
び側面図（ｃ）である。

【図６】この発明における保持ピンの別の形態を示す正
面図（ａ）及び（ａ）のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図
（ｂ）である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理体）１８回転テーブル１９保持部２０，２０Ａ保持ピン２１可動保持ピン２２固定保持ピン３０支持面３１保持面３２円弧状面３３平坦状面（基準面）３４傾斜部３５傾斜面４０貫通孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者谷山博己佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エレクトロン九州株式会社佐賀事業所内Ｆターム(参考） 3L113 AA04 AB08 AC17 AC60 AC68 BA34 DA01 5F031 CA02 CA05 FA01 GA47 HA24 MA23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体を保持して回転させながら被処
理体を処理する回転処理装置において、上記被処理体の周辺下面を支持する支持面と、被処理体
の周辺側面を保持する保持面とを有する保持ピンを具備
し、上記保持ピンにおける少なくとも上記保持面を含む上記
被処理体側内方面を、断面円弧状に形成すると共に、外
方裏面側に基準面を設けてなる、ことを特徴とする回転
処理装置。
【請求項２】請求項１記載の回転処理装置において、上記保持ピンに設けられる基準面が、鉛直方向に沿って
形成される平坦状面である、ことを特徴とする回転処理
装置。
【請求項３】請求項１記載の回転処理装置において、上記保持ピンの上記保持面を、被処理体の厚みより僅か
に大きい高さに形成すると共に、保持面の上端より上方
に向かって外方に拡開する傾斜部を延在してなる、こと
を特徴とする回転処理装置。
【請求項４】被処理体を保持して回転させながら被処
理体を処理する回転処理装置において、上記被処理体の周辺下面を支持する支持面と、被処理体
の周辺側面を保持する保持面とを有する保持ピンを具備
し、上記保持ピンにおける少なくとも上記保持面を含む上記
被処理体側内方面を、断面円弧状に形成し、上記保持ピンの上記保持面を、被処理体の厚みより僅か
に大きい高さに形成すると共に、保持面の上端より上方
に向かって外方に拡開する傾斜部を延在してなる、こと
を特徴とする回転処理装置。
【請求項５】請求項３又は４記載の回転処理装置にお
いて、上記傾斜部の鉛直線に対する角度を、３０度以上４５度
以下にした、ことを特徴とする回転処理装置。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の回
転処理装置において、上記保持ピンの上記支持面の内方側に、下り勾配の傾斜
面を延在してなる、ことを特徴とする回転処理装置。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の回
転処理装置において、上記保持ピンに、遠心力に伴って流れる気流の軌跡に沿
う貫通孔を穿設してなる、ことを特徴とする回転処理装
置。