JP2000098621A - Exposure device - Google Patents
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- JP2000098621A JP2000098621A JP27134298A JP27134298A JP2000098621A JP 2000098621 A JP2000098621 A JP 2000098621A JP 27134298 A JP27134298 A JP 27134298A JP 27134298 A JP27134298 A JP 27134298A JP 2000098621 A JP2000098621 A JP 2000098621A
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- photomask
- exposure
- unit
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＣＲＴのシ
ャドウマスク用の金属基板、半導体のリードフレーム用
の金属基板、フラットディスプレイ用のガラス基板、プ
リント回路基板等の製造加工過程において、フォトマス
クに形成されたパターンを感光性の基板に転写する際に
使用する露光装置に係り、特にフォトマスクに付着した
異物等の検査手段を備えた露光装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a photomask in a manufacturing process of a metal substrate for a shadow mask of a CRT, a metal substrate for a lead frame of a semiconductor, a glass substrate for a flat display, a printed circuit board, and the like. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus used when transferring a formed pattern to a photosensitive substrate, and more particularly to an exposure apparatus provided with an inspection unit for foreign matter or the like attached to a photomask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、上記の如きＣＲＴのシャドウマス
ク用の金属基板、半導体のリードフレーム用の金属基
板、フラットディスプレイ用のガラス基板、プリント回
路基板上に所望のパターンを形成するに際しては、表面
に感光材料層を形成した基板にフォトマスクを介して露
光装置により所望のパターンを転写することが一般的に
行われている。このような感光性の基板上に所望のパタ
ーンを露光する際、フォトマスクに付着した異物、キズ
等の欠陥があると、それらは製品すべてに影響して共通
欠陥となるため、十分な注意を払う必要がある。これを
回避するため、これまでも作業前のフォトマスクの検
査、フォトマスクと基板を密着させないプロキシミティ
ー露光、露光直後の基板の検査等の手法が採られてき
た。2. Description of the Related Art Conventionally, when a desired pattern is formed on a metal substrate for a shadow mask of a CRT, a metal substrate for a semiconductor lead frame, a glass substrate for a flat display, or a printed circuit board as described above, In general, a desired pattern is transferred to a substrate on which a photosensitive material layer is formed by an exposure apparatus via a photomask. When exposing a desired pattern on such a photosensitive substrate, if there are defects such as foreign matter and scratches attached to the photomask, they will affect all products and become common defects. You need to pay. In order to avoid this, techniques such as inspection of the photomask before the operation, proximity exposure without bringing the photomask into contact with the substrate, and inspection of the substrate immediately after the exposure have been adopted.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来よ
り採られてきた上記の手法はいずれも検査画像処理に時
間がかかりリアルタイムなものではなく、また所要の効
果を挙げようとすると、露光装置全体のシステム構成が
複雑で使いにくいという問題点がある。However, all of the above-mentioned methods which have been conventionally employed take a long time for inspection image processing and are not real-time. In addition, if desired effects are to be obtained, the entire exposure apparatus cannot be used. There is a problem that the system configuration is complicated and difficult to use.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、検査項目としてパターン検査は行わ
ず、フォトマスクを単なる鏡面板と見做してその表面の
欠陥検査に特化させることとしている。それにより、検
査系は単純な光源と反射光検出系のみでよく、検査装置
全体を小型で軽量なものにすることができる。このた
め、露光装置全体のシステム構成を小型にでき、使いや
すいものにできる。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention does not perform pattern inspection as an inspection item, but considers a photomask as a mere mirror plate and inspects its surface for defects. It is decided to make it. Thus, the inspection system only needs a simple light source and a reflected light detection system, and the entire inspection apparatus can be made small and lightweight. For this reason, the system configuration of the entire exposure apparatus can be reduced in size and can be easily used.
【０００５】[0005]
【発明の実施の形態】本発明は、フォトマスクを介して
感光性基板を露光する露光部と、露光に使用するフォト
マスクの欠陥を検出する検査部とを備えた露光装置にお
いて、前記検査部がフォトマスクの両面をそれぞれ検査
する別の検査ユニットを有しており、各検査ユニット
は、フォトマスクを照射する光源と、フォトマスクから
の正反射光をとらえる第１のセンサと、フォトマスクか
らの散乱光をとらえる第２のセンサと、第１のセンサ及
び第２のセンサから入力した画像信号を比較する演算部
と、判定レベルに基づいて演算結果より良否判断する判
定部とにより構成したものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention relates to an exposure apparatus including an exposure unit for exposing a photosensitive substrate through a photomask and an inspection unit for detecting a defect in a photomask used for exposure. Has another inspection unit for inspecting both sides of the photomask, and each inspection unit includes a light source for irradiating the photomask, a first sensor for capturing specularly reflected light from the photomask, and a photomask. A second sensor that captures the scattered light, a calculation unit that compares image signals input from the first sensor and the second sensor, and a determination unit that determines pass / fail based on the calculation result based on the determination level. It is.
【０００６】図１はフォトマスクのマスクパターンが無
い方の面を検査する検査ユニットをフォトマスクと共に
示す説明図である。この図１においてＭはマスクパター
ンＰが形成されたフォトマスク、１は検査ユニットであ
り、２はフォトマスクＭを照射する線状の光源、３はフ
ォトマスクＭからの正反射光をとらえる第１のラインセ
ンサ、４はフォトマスクＭからの散乱光をとらえる第２
のラインセンサである。そして、検査ユニット１がフォ
トマスクＭに対して相対的に平行移動することによりフ
ォトマスクＭの欠陥検査が行われる。FIG. 1 is an explanatory view showing an inspection unit for inspecting a surface of a photomask having no mask pattern, together with the photomask. In FIG. 1, M is a photomask on which a mask pattern P is formed, 1 is an inspection unit, 2 is a linear light source that irradiates the photomask M, and 3 is a first light source that captures specularly reflected light from the photomask M. A line sensor 4 for detecting scattered light from the photomask M;
Line sensor. The defect inspection of the photomask M is performed by moving the inspection unit 1 relatively parallel to the photomask M.
【０００７】フォトマスクＭの正常部は正反射するのに
対し、異常部では付着した異物あるいはキズにより反射
光が散乱するか或いは強度が変化する。したがって、マ
スクパターンＰが無い方の面に欠陥が無い場合、第１の
ラインセンサ３について見ると、その画像信号は図２の
Ａ0 のようになる。図２（以下の図面も同様）において
Ｌ1 は第１の判定レベル、Ｌ2 は第２の判定レベルであ
り、マスクパターンＰが無い方の面に欠陥が無い場合は
これらの間に画像信号Ａ0 が挟まれるように設定され
る。一方、マスクパターンＰが無い方の面に欠陥が有る
場合、第１のラインセンサ３の画像信号は図３のＡ1 の
ようになる。すなわち、欠陥の有るところではその影響
で記号Ｅで示すようにレベルが下がる。したがって、第
２の判定レベルＬ2 は欠陥部Ｅが下につき出るように設
定される。なお、図２の画像信号Ａ 0 及び図３の画像信
号Ａ1 において窪み部分Ｐｂは裏側のマスクパターンＰ
の影響でレベルが下がったところである。第２のライン
センサ４についても、強度は異なるが第１のラインセン
サ３と同様なパターンの画像信号が得られるので、ここ
では説明を省略する。ただし、欠陥部Ｅの信号がある場
合は、図４の画像信号Ａ2 のように逆方向になり立ち上
がっている。Although the normal portion of the photomask M is specularly reflected,
On the other hand, abnormal parts are reflected by foreign matter or scratches attached.
Light scatters or changes in intensity. Therefore,
If there is no defect on the surface without the mask pattern P, the first
Looking at the line sensor 3, its image signal is shown in FIG.
A0become that way. In FIG. 2 (the same applies to the following drawings)
L1Is the first determination level, LTwoIs the second judgment level
If there is no defect on the surface without the mask pattern P,
Between these, the image signal A0Is set to be sandwiched
You. On the other hand, there is a defect on the surface without the mask pattern P
In this case, the image signal of the first line sensor 3 is A in FIG.1of
Become like In other words, where there is a defect, its effect
As shown by the symbol E, the level goes down. Therefore,
Judgment level L of 2TwoIs set so that the defect E
Is determined. The image signal A in FIG. 0And the image signal of FIG.
Issue A1The recessed portion Pb is the mask pattern P on the back side.
The level has just dropped due to the influence of. Second line
The sensor 4 also has a different intensity, but the first line sensor.
Since an image signal having the same pattern as that of the camera 3 can be obtained,
Then, the description is omitted. However, when there is a signal of the defect E,
In the case of FIG.TwoIt rises in the opposite direction like
Is disgusted.
【０００８】図５はフォトマスクのマスクパターンが有
る方の面を検査する検査ユニットをフォトマスクと共に
示す説明図である。この検査においても先に説明したの
と同様な検査ユニット１が使用され、また同様にその検
査ユニット１がフォトマスクＭに対して相対的に平行移
動することによりフォトマスクＭの欠陥検査が行われ
る。FIG. 5 is an explanatory view showing an inspection unit for inspecting the surface of the photomask on which the mask pattern is present, together with the photomask. Also in this inspection, the same inspection unit 1 as described above is used, and similarly, the inspection unit 1 is relatively translated with respect to the photomask M, so that the defect inspection of the photomask M is performed. .
【０００９】そして、マスクパターンＰが有る方の面に
欠陥が無い場合、第１のラインセンサ３と第２のライン
センサ４の画像信号はそれぞれ図６のＢ0 、図７のＣ0
のようになる。これらの画像信号Ｂ0 及び画像信号Ｃ0
において窪み部分Ｐｓは表側のマスクパターンＰの影響
でレベルが下がったところであり、第２の判定レベルＬ
2 より下方となる。これらの窪み部分Ｐｓの下がり値を
それぞれＶ1 ，Ｖ2 としておく。一方、マスクパターン
Ｐが有る方の面に欠陥がある場合は次のようになる。ま
ず、マスクパターンＰ上に欠陥が有る場合、第１のライ
ンセンサ３と第２のラインセンサ４の画像信号はそれぞ
れ図８のＢ1 、図９のＣ1 のようになる。すなわち、図
８では窪み部分Ｐｓのところにレベルの下がる欠陥部Ｅ
が現れ、図９では窪み部分Ｐｓのところにレベルの上が
る欠陥部Ｅが現れる。次に、マスクパターンＰ以外のと
ころに欠陥が有る場合、第１のラインセンサ３と第２の
ラインセンサ４の画像信号はそれぞれ図１０のＢ2 、図
１１のＣ2 のようになる。すなわち、図１０では窪み部
分Ｐｓ以外のところにレベルの下がる欠陥部Ｅが現れ、
図１１では窪み部分Ｐｓ以外のところにレベルの上がる
欠陥部Ｅが現れる。[0009] When a defect on the surface towards the mask pattern P there is no, B 0 of the first line sensor 3, respectively image signals 6 of the second line sensor 4, C 0 7
become that way. These image signal B 0 and image signal C 0
In FIG. 7, the level of the depression Ps has just dropped due to the influence of the mask pattern P on the front side, and the second determination level L
It is lower than 2 . The falling values of these depressions Ps are set as V 1 and V 2 , respectively. On the other hand, when there is a defect on the side where the mask pattern P is located, the following is performed. First, if a defect is present on the mask pattern P, B 1 of the first line sensor 3 and the second is the image signal of the line sensor 4, respectively Figure 8, so that the C 1 in FIG. That is, in FIG. 8, the defect portion E whose level is lowered at the concave portion Ps
9 and a defective portion E having an increased level appears at the concave portion Ps in FIG. Then, if a defect is present at the non-mask pattern P, B 2 of the first line sensor 3 and an image signal of the second line sensor 4, respectively Figure 10, so that the C 2 in FIG. 11. That is, in FIG. 10, a defective portion E having a lower level appears in a portion other than the concave portion Ps,
In FIG. 11, a defective portion E whose level rises other than the concave portion Ps appears.
【００１０】以上のように、フォトマスクＭの両面をそ
れぞれ検査する各検査ユニット１における第１のライン
センサ３及び第２のラインセンサ４から上述のような複
数の画像信号が得られる。そして、各検査ユニット１に
は演算部と判定部が設けられており、演算部では得られ
た画像信号の比較を行い、判定部では判定レベルに基づ
いて演算結果より良否判断を行う。以下に述べる判定部
での第１、第２の判定レベルは上述の第１、第２の判定
レベルとは数値は異なる。As described above, a plurality of image signals as described above are obtained from the first line sensor 3 and the second line sensor 4 in each inspection unit 1 for inspecting both sides of the photomask M. Each of the inspection units 1 is provided with a calculation unit and a determination unit. The calculation unit compares the obtained image signals, and the determination unit determines pass / fail based on the calculation result based on the determination level. The first and second determination levels in the determination unit described below are different from the first and second determination levels in numerical values.
【００１１】まず、（画像信号Ａ0 ）−（画像信号
Ａ1 ）により図１２に示す画像データが得られる。図示
のように第１の判定レベルＬ1 より大きな突出部Ｆがあ
る場合、これによりマスクパターンＰが無い面に欠陥が
あると判断される。しかし、裏側のマスクパターンＰの
影響は、光源等の画像信号計測系により異なることが十
分に考えられる。そこで、裏側のマスクパターンＰの影
響があっても、後述の表側にマスクパターンＰがある場
合のように、窪み部分Ｐｂが大きくなった場合、図３及
び図４を参考にして、（画像信号Ａ1 ）−（Ｖ11／
Ｖ21）（画像信号Ａ2 ）として計算してもよい。この場
合のＶ11，Ｖ21は裏側にあるマスクパターンＰの影響に
よる画像信号になるため、以下の数値とは異なる場合が
考えられる。First, image data shown in FIG. 12 is obtained from (image signal A 0 )-(image signal A 1 ). If there is a large protrusions F than the first determination level L 1 as shown, thereby it is determined that there is a defect in the plane mask pattern P no. However, it is sufficiently conceivable that the influence of the mask pattern P on the back side differs depending on the image signal measurement system such as the light source. Therefore, even if there is an influence of the mask pattern P on the back side, when the recessed portion Pb becomes large as in the case where the mask pattern P is on the front side, which will be described later, referring to FIGS. A 1 ) − (V 11 /
V 21 ) (image signal A 2 ). In this case, since V 11 and V 21 are image signals due to the influence of the mask pattern P on the back side, the values may be different from the following values.
【００１２】次に、（画像信号Ｂ0 ）−（Ｖ1 ／Ｖ2 ）
（画像信号Ｃ0 ）により図１３に示す画像データＹ0 が
得られる。この図１３のように画像データＹ0 が第１の
判定レベルＬ1 と第２の判定レベルＬ2 の間に収まって
いる場合、マスクパターンＰが有る方の面に欠陥は無い
と判断される。Next, (image signal B 0 ) − (V 1 / V 2 )
The image data Y 0 shown in FIG. 13 is obtained from the (image signal C 0 ). When the image data Y 0 falls between the first determination level L 1 and the second determination level L 2 as shown in FIG. 13, it is determined that the surface having the mask pattern P has no defect. .
【００１３】また、（画像信号Ｂ1 ）−（Ｖ1 ／Ｖ2 ）
（画像信号Ｃ1 ）により図１４に示す画像データＹ1 が
得られる。この図１４のように画像データＹ1 に第１の
判定レベルＬ1 から突き出る突出部Ｆがある場合、マス
クパターンＰが有る方の面でマスクパターンＰのところ
に欠陥が有ると判断される。Also, (image signal B 1 ) − (V 1 / V 2 )
The image data Y 1 shown in FIG. 14 is obtained from the (image signal C 1 ). In this case there is a projecting portion F projecting from the first determination level L 1 to the image data Y 1 as shown in FIG. 14, it is determined that a defect is present at the mask pattern P in terms of the direction in which the mask pattern P exists.
【００１４】また、（画像信号Ｂ2 ）−（Ｖ1 ／Ｖ2 ）
（画像信号Ｃ2 ）により図１５に示す画像データＹ2 が
得られる。この図１５のように画像データＹ2 に第１の
判定レベルＬ1 から突き出る突出部Ｆがある場合、マス
クパターンＰが有る方の面でマスクパターンＰの無いと
ころに欠陥が有ると判断される。Further, (image signal B 2 ) − (V 1 / V 2 )
The image data Y 2 shown in FIG. 15 is obtained from the (image signal C 2 ). It is determined that a defect is present in place if the image data Y 2 have protrusions F projecting from the first determination level L 1, no mask pattern P in terms of the direction in which the mask pattern P is present as in FIG. 15 .
【００１５】なお、フォトマスクＭのサイズ、工程のタ
クトタイム等の条件によっては、フォトマスクＭの各面
に対して検査ユニットをそれぞれ複数台併設してもよ
い。Depending on conditions such as the size of the photomask M and the tact time of the process, a plurality of inspection units may be provided on each surface of the photomask M.
【００１６】本発明の露光装置は、検査前のフォトマス
クを保管しておくための第１のマスクストッカーを検査
部の前に配置してもよい。また、露光部の後には、露光
に使用したフォトマスクを洗浄するためのマスク洗浄装
置を配置してもよいし、露光に使用したフォトマスクを
保管するための第２のマスクストッカーを配置してもよ
く、後者の場合は別の場所で使用済みフォトマスクの洗
浄が行われる。In the exposure apparatus of the present invention, a first mask stocker for storing a photomask before inspection may be arranged in front of the inspection unit. After the exposure unit, a mask cleaning device for cleaning the photomask used for exposure may be provided, or a second mask stocker for storing the photomask used for exposure may be provided. In the latter case, the used photomask is washed in another place.
【００１７】また、本発明の露光装置は、検査部と第１
のマスクストッカーの間にフォトマスクの清掃部を配置
することが好ましい。この清掃部に使用される清掃ユニ
ットの一例をフォトマスクとともに図１６に示す。図示
の清掃ユニット５は、空気を吹き付けるエアノズル６と
空気を吸引する吸引ノズル７とからなる機械的清掃手段
を有し、さらに除電バー８からなる電気的清掃手段を有
している。エアノズル６はフォトマスクＭに付着してい
るゴミを吹き飛ばし、吸引ノズル７はその吹き飛ばされ
たゴミを吸引する。エアノズル６と吸引ノズル７の配置
は図と逆でもよいが、吸引量は吹付け量の２倍程度が好
ましい。一方、除電バー８は帯電してフォトマスクＭに
付着しているゴミをエアノズル６と吸引ノズル７とで除
去しやすくする。In the exposure apparatus of the present invention, the inspection unit and the first
It is preferable to dispose a photomask cleaning unit between the mask stockers. FIG. 16 shows an example of a cleaning unit used in the cleaning section together with a photomask. The illustrated cleaning unit 5 includes a mechanical cleaning unit including an air nozzle 6 that blows air and a suction nozzle 7 that suctions air, and further includes an electrical cleaning unit including a static elimination bar 8. The air nozzle 6 blows off dust adhering to the photomask M, and the suction nozzle 7 sucks the blown dust. The arrangement of the air nozzle 6 and the suction nozzle 7 may be reversed from the figure, but the suction amount is preferably about twice the spray amount. On the other hand, the static elimination bar 8 makes it easier for the air nozzle 6 and the suction nozzle 7 to remove dust adhering to the photomask M by charging.
【００１８】[0018]
【実施例】実施例について図面を参照して説明すると、
図１７において１０はフォトマスクＭの各面を検査する
２台の検査ユニット１を備えた検査部、２０は光源装置
２１を有する露光部、３０は検査前のフォトマスクＭを
保管しておくための第１のマスクストッカー、４０は露
光に使用したフォトマスクＭを洗浄するマスク洗浄装置
であり、Ｇは感光性の基板である。ここでの露光部２０
は、基板ＧとフォトマスクＭが接触しないプロキシミテ
ィー露光方式でもよいし接触するコンタクト方式でもよ
い。また、その光源装置２１は超高圧水銀灯やメタルハ
ライドランプの光源と反射板を備えている。Embodiments will be described with reference to the drawings.
In FIG. 17, reference numeral 10 denotes an inspection unit having two inspection units 1 for inspecting each surface of the photomask M, reference numeral 20 denotes an exposure unit having a light source device 21, and reference numeral 30 denotes a storage unit for storing the photomask M before inspection. Is a first mask stocker, 40 is a mask cleaning device for cleaning the photomask M used for exposure, and G is a photosensitive substrate. Exposure unit 20 here
May be a proximity exposure method in which the substrate G and the photomask M are not in contact, or a contact method in which the substrate G and the photomask M are in contact. Further, the light source device 21 includes a light source of a super-high pressure mercury lamp or a metal halide lamp and a reflector.
【００１９】検査前のフォトマスクＭは第１のマスクス
トッカー３０に複数枚が立てた状態で保管されており、
使用時に際して１枚ずつ隣接する検査部１０に搬送され
る。検査部１０では検査ユニット１がマスク面に沿って
走行して欠陥を検出する。そして、欠陥が見つかったフ
ォトマスクＭは露光部２０を通過してマスク洗浄装置４
０に搬入され、第１のマスクストッカー３０に保存され
ている次のフォトマスクＭが検査部１０に搬送され同様
に検査される。欠陥の無いフォトマスクＭは露光部２０
にて使用に供される。一方、感光性の基板Ｇは、露光部
２０のところまで水平状態で搬送され、そこで垂直に立
てられた後、フォトマスクＭと立設する露光位置まで移
動する。露光を終えた基板Ｇは元の水平位置に戻って次
の工程に搬送される。基板Ｇの製造完了後、露光に使用
されたフォトマスクＭはマスク洗浄装置４０に搬送され
る。A plurality of photomasks M before inspection are stored in the first mask stocker 30 in a state where a plurality of the photomasks M stand.
At the time of use, the sheets are transported one by one to the adjacent inspection unit 10. In the inspection unit 10, the inspection unit 1 travels along the mask surface to detect a defect. Then, the photomask M in which the defect is found passes through the exposure unit 20 and passes through the mask cleaning device 4.
0, and the next photomask M stored in the first mask stocker 30 is transported to the inspection unit 10 and similarly inspected. The photomask M having no defect is exposed in the exposed portion 20.
Available for use at. On the other hand, the photosensitive substrate G is transported in a horizontal state to the exposure unit 20, where it is erected vertically, and then moves to the exposure position where the photomask M is erected. The substrate G after the exposure returns to the original horizontal position and is transported to the next step. After the manufacture of the substrate G is completed, the photomask M used for exposure is transported to the mask cleaning device 40.
【００２０】図１８に示される実施例では、検査部１０
における２台の検査ユニット１が固定されており、フォ
トマスクＭが第１のマスクストッカー３０から露光部２
０へと移動する時に２台の検査ユニット１の間を通過さ
せて欠陥を検出する。検査ユニットを移動させないため
検査部１０が小型化できる。そして、検査部１０での検
査結果が良くないフォトマスクＭは露光部２０を通過し
て第２のマスクストッカー５０に搬入され、また露光に
使用したフォトマスクＭも同じく第２のマスクストッカ
ー５０に搬入されるようになっており、所定枚数が溜ま
った時に別の場所に移動して洗浄が行われる。In the embodiment shown in FIG.
Are fixed, and the photomask M is moved from the first mask stocker 30 to the exposure unit 2.
When it moves to zero, it passes between the two inspection units 1 to detect defects. Since the inspection unit is not moved, the size of the inspection unit 10 can be reduced. Then, the photomask M having an unsatisfactory inspection result in the inspection unit 10 passes through the exposure unit 20 and is carried into the second mask stocker 50, and the photomask M used for exposure is also stored in the second mask stocker 50. It is carried in, and when a predetermined number of sheets have accumulated, it is moved to another place and washed.
【００２１】図１９に示される実施例では、検査部１０
と第１のマスクストッカー３０との間にフォトマスクＭ
の清掃部６０を配置している。この清掃部６０は、フォ
トマスクＭの両面をそれぞれ検査する別の清掃ユニット
５を有している。したがって、第１のマスクストッカー
３０から出たフォトマスクＭは清掃部６０を通過する時
にゴミが除去されてから、検査部１０へと搬送される。
簡単な洗浄で除ける欠陥はあらかじめ除いてあるため効
率がよい。そして、検査結果が良好ならば、露光部２０
の露光位置へ移動して露光に供され、露光後は第２のマ
スクストッカー５０に搬入される。また、検査結果が良
くなければ、露光部２０を通過して第２のマスクストッ
カー５０に搬入される。In the embodiment shown in FIG.
Between the first mask stocker 30 and the photomask M
Cleaning unit 60 is disposed. The cleaning unit 60 has another cleaning unit 5 for inspecting both sides of the photomask M. Therefore, the photomask M coming out of the first mask stocker 30 is conveyed to the inspection unit 10 after dust is removed when passing through the cleaning unit 60.
Efficiency is high because defects that can be removed by simple cleaning are removed in advance. If the inspection result is good, the exposure unit 20
Is moved to the exposure position, and is subjected to exposure. After the exposure, the wafer is carried into the second mask stocker 50. If the inspection result is not good, the wafer passes through the exposure unit 20 and is carried into the second mask stocker 50.
【００２２】図２０に示される実施例は、図１９に示す
のと略同じであるが、検査部１０の検査ユニット１が露
光部２０の中へ出し入れできるようになっている。した
がって、或るフォトマスクＭを使用して何回か露光を行
った後で、その使用中のフォトマスクＭを露光位置から
移動経路に戻して欠陥を検査することができる。基板Ｇ
がゴミを持ち込んだ場合等により、使用中のフォトマス
クＭに新たに付着したゴミ等の欠陥を基板Ｇの製造中に
発見でき、フォトマスクＭを交換することができるので
製造効率がよくなる。プロキシミティー露光方式よりコ
ンタクト方式の方が基板ＧとフォトマスクＭが接触する
ためより効果がある。The embodiment shown in FIG. 20 is substantially the same as that shown in FIG. 19, except that the inspection unit 1 of the inspection unit 10 can be put in and out of the exposure unit 20. Therefore, after exposure is performed several times using a certain photomask M, the used photomask M can be returned from the exposure position to the movement path to inspect for defects. Substrate G
In the case where the user brings in dust or the like, a defect such as dust newly attached to the photomask M in use can be found during the manufacture of the substrate G, and the photomask M can be replaced, thereby improving the manufacturing efficiency. The contact method is more effective than the proximity exposure method because the substrate G and the photomask M are in contact with each other.
【００２３】上記実施例はフォトマスクＭ、感光性基板
Ｇが２０インチ以上の大型の場合に有効である。特に４
０インチ以上の大型基板は人手により搬送できない上、
水平なまま露光する場合は基板ＧやフォトマスクＭが自
重でたわむからである。また、フォトマスクＭを水平な
まま保存しているとゴミが付着しやすくなるため、本実
施例のようにフォトマスクＭを立てて保存する方が有利
である。The above embodiment is effective when the photomask M and the photosensitive substrate G are 20 inches or larger. Especially 4
Large substrates larger than 0 inches cannot be transported by hand,
This is because, when the exposure is performed horizontally, the substrate G and the photomask M bend under their own weight. In addition, if the photomask M is stored horizontally, dust easily adheres to the photomask M. Therefore, it is more advantageous to store the photomask M upright as in this embodiment.
【００２４】また、本実施例では大型のフォトマスクで
あるエマルジョンマスクを使用するのが好適である。こ
のエマルジョンマスクにはマスクパターンを形成する感
光材料として高解像度写真乳剤が塗布されている。もち
ろん、本発明で使用するフォトマスクはエマルジョンマ
スクに限るものではなく、クロム等の金属薄膜を用いて
パターンを形成する比較的小型のハードマスクでもよ
い。しかし、本発明の実施例に記載した露光装置は、以
上の説明から大型のフォトマスクを使用する場合により
有効に対応できる点でより効果がある。In this embodiment, it is preferable to use an emulsion mask which is a large-sized photomask. This emulsion mask is coated with a high-resolution photographic emulsion as a photosensitive material for forming a mask pattern. Of course, the photomask used in the present invention is not limited to an emulsion mask, but may be a relatively small hard mask that forms a pattern using a thin metal film such as chromium. However, the exposure apparatus described in the embodiment of the present invention is more effective in that it can more effectively cope with a case where a large photomask is used, as described above.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトマスクを単なる鏡面板と見做してその表面の異物
やキズを検出することで欠陥検査を行うようにしたの
で、リアルタイムな検査が可能となる上に、検査系が簡
単なものになることから、装置全体の小型化及び軽量化
を図ることができる。As described above, according to the present invention,
The defect inspection is performed by detecting the foreign matter and scratches on the surface of the photomask as a mere mirror plate, which enables real-time inspection and simplifies the inspection system. Therefore, the size and weight of the entire apparatus can be reduced.
【図１】フォトマスクのマスクパターンが無い方の面を
検査する検査ユニットをフォトマスクと共に示す説明図
である。FIG. 1 is an explanatory view showing an inspection unit for inspecting a surface of a photomask on which a mask pattern is not present, together with a photomask.
【図２】図１の検査ユニットにおける第１のラインセン
サの画像信号を欠陥の無い場合で示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing an image signal of a first line sensor in the inspection unit of FIG. 1 when there is no defect.
【図３】図１の検査ユニットにおける第１のラインセン
サの画像信号を欠陥の有る場合で示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing an image signal of a first line sensor in the inspection unit of FIG. 1 in a case where there is a defect.
【図４】図１の検査ユニットにおける第２のラインセン
サの画像信号を欠陥の有る場合で示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing an image signal of a second line sensor in the inspection unit of FIG. 1 in a case where there is a defect.
【図５】フォトマスクのマスクパターンが有る方の面を
検査する検査ユニットをフォトマスクと共に示す説明図
である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an inspection unit for inspecting a surface of a photomask on which a mask pattern is present, together with the photomask.
【図６】図５の検査ユニットにおける第１のラインセン
サの画像信号を欠陥の無い場合で示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing an image signal of a first line sensor in the inspection unit of FIG. 5 when there is no defect.
【図７】図５の検査ユニットにおける第２のラインセン
サの画像信号を欠陥の無い場合で示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing an image signal of a second line sensor in the inspection unit of FIG. 5 when there is no defect.
【図８】図５の検査ユニットにおける第１のラインセン
サの画像信号をマスクパターン上に欠陥の有る場合で示
すグラフである。8 is a graph showing an image signal of a first line sensor in the inspection unit of FIG. 5 when a defect is present on a mask pattern.
【図９】図５の検査ユニットにおける第２のラインセン
サの画像信号をマスクパターン上に欠陥の有る場合で示
すグラフである。9 is a graph showing an image signal of a second line sensor in the inspection unit of FIG. 5 when a defect is present on a mask pattern.
【図１０】図５の検査ユニットにおける第１のラインセ
ンサの画像信号をマスクパターン以外のところに欠陥の
有る場合で示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing an image signal of a first line sensor in the inspection unit of FIG. 5 in a case where there is a defect other than a mask pattern.
【図１１】図５の検査ユニットにおける第２のラインセ
ンサの画像信号をマスクパターン以外のところに欠陥の
有る場合で示すグラフである。11 is a graph showing an image signal of a second line sensor in the inspection unit of FIG. 5 in a case where a defect exists in a portion other than a mask pattern.
【図１２】図２の画像信号から図３の画像信号を引いて
得た画像データを示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing image data obtained by subtracting the image signal of FIG. 3 from the image signal of FIG. 2;
【図１３】図６の画像信号から所定割合の図７の画像信
号を引いて得た画像データを示すグラフである。13 is a graph showing image data obtained by subtracting a predetermined percentage of the image signal of FIG. 7 from the image signal of FIG. 6;
【図１４】図８の画像信号から所定割合の図９の画像信
号を引いて得た画像データを示すグラフである。FIG. 14 is a graph showing image data obtained by subtracting a predetermined percentage of the image signal of FIG. 9 from the image signal of FIG. 8;
【図１５】図１０の画像信号から所定割合の図１１の画
像信号を引いて得た画像データを示すグラフである。FIG. 15 is a graph showing image data obtained by subtracting a predetermined percentage of the image signal of FIG. 11 from the image signal of FIG. 10;
【図１６】清掃部にて使用される清掃ユニットの一例を
示す概略構成図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a cleaning unit used in the cleaning unit.
【図１７】露光装置の実施例を示す概略構成図である。FIG. 17 is a schematic configuration diagram illustrating an embodiment of an exposure apparatus.
【図１８】露光装置の実施例を示す概略構成図である。FIG. 18 is a schematic configuration diagram illustrating an embodiment of an exposure apparatus.
【図１９】露光装置の実施例を示す概略構成図である。FIG. 19 is a schematic configuration diagram illustrating an embodiment of an exposure apparatus.
【図２０】露光装置の実施例を示す概略構成図である。FIG. 20 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of an exposure apparatus.
１ 検査ユニット ２ 光源 ３ 第１のラインセンサ ４ 第２のラインセンサ ５ 清掃ユニット ６ エアノズル ７ 吸引ノズル ８ 除電バー １０ 検査部 ２０ 露光部 ２１ 光源装置 ３０ 第１のマスクストッカー ４０ マスク洗浄装置 ５０ 第２のマスクストッカー ６０ 清掃部 Ｍ フォトマスク Ｐ マスクパターン Ｇ 基板 Reference Signs List 1 inspection unit 2 light source 3 first line sensor 4 second line sensor 5 cleaning unit 6 air nozzle 7 suction nozzle 8 static elimination bar 10 inspection unit 20 exposure unit 21 light source device 30 first mask stocker 40 mask cleaning device 50 second Mask stocker 60 Cleaning unit M Photomask P Mask pattern G Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G051 AA56 AB01 AC15 BA20 BC05 CA03 CA07 CD06 DA06 EA16 2H095 BB19 BB29 BB30 BD04 BD12 BD15 BD27 BE12 2H097 BA04 BA06 DA01 LA10 5F067 AA19 DA16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2G051 AA56 AB01 AC15 BA20 BC05 CA03 CA07 CD06 DA06 EA16 2H095 BB19 BB29 BB30 BD04 BD12 BD15 BD27 BE12 2H097 BA04 BA06 DA01 LA10 5F067 AA19 DA16
Claims (6)
出する検査部と、フォトマスクを介して感光性基板を露
光する露光部とを備えた露光装置において、前記検査部
がフォトマスクの両面をそれぞれ検査する別の検査ユニ
ットを有しており、各検査ユニットは、フォトマスクを
照射する光源と、フォトマスクからの正反射光をとらえ
る第１のセンサと、フォトマスクからの散乱光をとらえ
る第２のセンサと、第１のセンサ及び第２のセンサから
入力した画像信号を比較する演算部と、判定レベルに基
づいて演算結果より良否判断する判定部とにより構成さ
れていることを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus comprising: an inspection unit for detecting a defect of a photomask used for exposure; and an exposure unit for exposing a photosensitive substrate through the photomask, wherein the inspection unit covers both surfaces of the photomask. Each of the inspection units has a light source for irradiating the photomask, a first sensor for capturing specularly reflected light from the photomask, and a second sensor for capturing scattered light from the photomask. 2, an arithmetic unit that compares image signals input from the first sensor and the second sensor, and a determination unit that determines pass / fail based on the calculation result based on the determination level. Exposure equipment.
配置した請求項１に記載の露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a first mask stocker is arranged before the inspection unit.
請求項２に記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein a mask cleaning device is disposed after the exposure section.
配置した請求項１に記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein a second mask stocker is arranged after the exposure section.
清掃部を配置した請求項２に記載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 2, wherein a cleaning unit is disposed between the inspection unit and the first mask stocker.
れ清掃する別の清掃ユニットを有しており、各清掃ユニ
ットは、空気を吹き付けるエアノズルと空気を吸引する
吸引ノズルとからなる機械的清掃手段と、除電バーから
なる電気的清掃手段により構成される請求項５に記載の
露光装置。6. The cleaning unit has another cleaning unit that cleans both sides of the photomask, and each cleaning unit includes a mechanical cleaning unit including an air nozzle that blows air and a suction nozzle that sucks air. 6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exposure apparatus comprises an electric cleaning unit including a static elimination bar.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27134298A JP2000098621A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27134298A JP2000098621A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000098621A true JP2000098621A (en) | 2000-04-07 |
Family
ID=17498734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27134298A Pending JP2000098621A (en) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | Exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000098621A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010127738A (en) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter surface inspection machine |
| JP2011081282A (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Hoya Corp | Method, device, and head for correcting defect of photomask, device for detecting defect of photomask, and method for manufacturing photomask |
| JP2013504768A (en) * | 2009-09-14 | 2013-02-07 | エルジー ケム． エルティーディ． | Foreign object detection device in pouch-type battery |
| JP2015115600A (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社東芝 | Imprint method |
| CN109374638A (en) * | 2018-12-18 | 2019-02-22 | 王章飞 | A kind of wood floor surface detection device and its detection method based on machine vision |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27134298A patent/JP2000098621A/en active Pending
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| CN109374638B (en) * | 2018-12-18 | 2022-01-18 | 深圳市鼎源检测技术有限公司 | Wood floor surface detection device based on machine vision and detection method thereof |
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