JP2000098536A

JP2000098536A - Ｘ線画像形成システム

Info

Publication number: JP2000098536A
Application number: JP10267628A
Authority: JP
Inventors: Sumiya Nagatsuka; 澄也長束; Koji Amitani; 幸二網谷
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1998-09-22
Filing date: 1998-09-22
Publication date: 2000-04-07

Abstract

(57)【要約】【課題】各画素間の読み出すことができない領域（デッ
ドスペース）の部分も独自のデータを持つことになり、
鮮鋭性が向上する。【解決手段】Ｘ線画像を撮影して得られるＸ線エネルギ
ーを直接電荷に変換してＸ線用半導体フラットパネルデ
ィテクタ２の各画素７０に蓄積して捕獲し、この蓄積さ
れた各画素７０の電荷を各画素７０間に配置されたスイ
ッチング素子の作動により各画素７０のデータライン毎
に読み出し、撮影したＸ線画像を画像信号として取り出
すことが可能なＸ線画像形成システムにおいて、Ｘ線用
半導体フラットパネルディテクタ２の各画素をアクティ
ブデータで出力し、各画素７０間のデッドスペース７１
はアクティブデータを用いて補間して出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、医療診断を行う
際のＸ線撮影に用いられるＸ線画像形成システムに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】医療診断を行う際のＸ線撮影に用いられ
るＸ線画像形成システムとして、例えばＸ線画像を撮影
して得られるＸ線エネルギーを直接電荷に変換してＸ線
用半導体フラットパネルディテクタの各画素に蓄積して
捕獲し、この蓄積された各画素の電荷を各画素間に配置
されたスイッチング素子の作動により前記各画素のデー
タライン毎に読み出し、撮影したＸ線画像を画像信号と
して取り出しＸ線画像を形成するものがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
Ｘ線画像形成システムでは、発光を利用する他のＸ線画
像形成システムと異なり、Ｘ線画像情報が殆どぼけるこ
とがなく、位置情報としても正確に検知できるため、極
めて鮮鋭性に優れたＸ線画像を得ることができる。しか
し、その反面各画素毎のデータを独立に読み出す目的で
各画素間にスイッチング素子を配置しているため、原理
的に読み出すことができない領域（デッドスペース）が
必ず存在し、このデッドスペースの部分に一致したデー
タを読み出せないことがあり、画像の鮮鋭性が低下す
る。

【０００４】また、デッドスペースを含む画像をそのま
ま例えばＣＲＴに表示したり、プリントしたりする場合
には、デッドスペースが各画素のアクティブデータに置
換されてしまう等の問題がある。

【０００５】この発明は、前記実情に鑑みなされたもの
で、各画素間の読み出すことができない領域（デッドス
ペース）の部分も独自のデータを持つことになり、鮮鋭
性が向上するＸ線画像形成システムを提供することを目
的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、かつ
目的を達成するために、この発明は、以下のように構成
した。

【０００７】請求項１記載の発明は、『Ｘ線画像を撮影
して得られるＸ線エネルギーを直接電荷に変換してＸ線
用半導体フラットパネルディテクタの各画素に蓄積して
捕獲し、この蓄積された各画素の電荷を各画素間に配置
されたスイッチング素子の作動により前記各画素のデー
タライン毎に読み出し、撮影したＸ線画像を画像信号と
して取り出すことが可能なＸ線画像形成システムにおい
て、前記Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタの各画
素をアクティブデータで出力し、前記各画素間のデッド
スペースは前記アクティブデータを用いて補間して出力
することを特徴とするＸ線画像形成システム。』であ
る。

【０００８】この請求項１記載の発明によれば、Ｘ線用
半導体フラットパネルディテクタの各画素をアクティブ
データで出力し、各画素間のデッドスペースはアクティ
ブデータを用いて補間して出力し、デッドスペース部も
デッドスペース部独自のデータを持つことになり、デッ
ドスペースを含む画像をそのまま例えばＣＲＴに表示し
たり、プリントしたりすることがなくなり、画像の鮮鋭
性が向上する。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、この発明のＸ線画像形成シ
ステムの実施の形態を、図面に基づいて説明するが、こ
の発明は、この実施の形態に限定されるものではないこ
とは明らかである。

【００１０】図１はＸ線画像形成システムの概略構成
図、図２はＸ線用半導体フラットパネルディテクタ（Ｆ
ＰＤ）を示す概略断面図、図３はＸ線用半導体フラット
パネルディテクタ（ＦＰＤ）を示す概略平面図である。

【００１１】Ｘ線画像形成システムは、図１に示すよう
に、Ｘ線管１から照射されるＸ線により被写体６０の撮
影を行い、Ｘ線画像をＸ線用半導体フラットパネルディ
テクタ（ＦＰＤ）２に捕獲する。このＸ線用半導体フラ
ットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２からＸ線画像を画像
信号として取り出し、画像処理部３で画像処理してネッ
トワーク４に送る。ネットワーク４には液晶ディスプレ
イ５等の画像表示部やレーザイメージャー６等の画像の
ハードコピー出力部等が接続されており、液晶ディスプ
レイ５にＸ線画像を表示したり、レーザイメージャー６
でＸ線画像をプリントして出力する。

【００１２】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ
（ＦＰＤ）２は、図２及び図３に示すように構成され
る。

【００１３】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ
（ＦＰＤ）２は、図２に示すように、ガラス板等の誘電
基板層２０に、光導電層２１、誘電層２２、前面導電層
２３を順に積層して構成される。誘電基板層２０上に
は、複数の第１の微小導電電極マイクロプレート２４が
設けられる。複数の第１の微小導電電極マイクロプレー
ト２４上には、静電容量誘電材２５が形成されている。
Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２か
ら誘電層２２を除いてもＸ線画像を形成することができ
る。

【００１４】さらに、誘電基板層２０上には、２個の電
極２６，２７とゲート２８を有する複数のトランジスタ
２９が積層されている。さらに、誘電基板層２０上に
は、複数の第２の微小導電電極マイクロプレート３０が
積層されている。

【００１５】図３に示すように、少なくとも１つのトラ
ンジスタ２９は、複数の第２の微小導電電極マイクロプ
レート３０をＸアドレスライン４１とＹセンスライン４
２に接続している。電荷蓄積キャパシタ３６は、第１の
微小導電電極マイクロプレート２４、第２の微小導電電
極マイクロプレート３０及び静電容量誘電材２５によっ
て形成されている。第２の微小導電電極マイクロプレー
ト３０はトランジスタ２９の電極２７にも接続されてい
る。第１の微小導電電極マイクロプレート２４はアース
に接続されている。

【００１６】トランジスタ２９は双方向スイッチの働き
をし、バイアス電圧がＸアドレスライン４１を介してゲ
ートに印加されたかどうかに応じて、Ｙセンスライン４
２と電荷蓄積キャパシタ３６との間に電流を流す。

【００１７】複数の第２の微小導電電極マイクロプレー
ト３０間のスペースには、導電電極またはＸアドレスラ
イン４１、及び導電電極またはＹセンスライン４２が配
置されている。Ｘアドレスライン４１とＹセンスライン
４２は、図示のように相互に対してほぼ直交するように
配置されている。Ｘアドレスライン４１とＹセンスライ
ン４２は、リード線またはコネクタを通して、Ｘ線用半
導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２のサイドま
たはエッジに沿って個別にアクセス可能になっている。

【００１８】Ｘアドレスライン４１の各々は、バイアス
電圧をラインに、したがって、アドレスされるＸアドレ
スライン４１に接続されたされたトランジスタ２９のゲ
ートに印加することによって順次にアドレスされる。こ
れにより、トランジスタ２９は導通状態になり、対応す
る電荷蓄積キャパシタ３６に蓄積された電荷はＹセンス
ライン４２に流れると共に、電荷検出器４６の入力側に
流れる。電荷検出器４６はＹセンスライン４２上で検出
された電荷に比例する電圧出力を発生する。電荷検出器
４６の出力は順次にサンプリングされて、アドレスした
Ｘアドレスライン４１上のマイクロキャパシタの電荷分
布を表す画像信号が得られ、各マイクロキャパシタは１
つのイメージ画素を表す。Ｘアドレスライン４１上の画
素のあるラインから信号が読み出されると、電荷増幅器
はリセットライン４９を通してリセットされる。次のＸ
アドレスライン４１がアドレスされ、このプロセスは、
すべての電荷蓄積キャパシタ３６がサンプリングされ
て、イメージ全体が読み出されるまで繰り返される。

【００１９】次に、図１乃至図３のＸ線画像をＸ線用半
導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２に捕獲し、
このＸ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）
２からＸ線画像を画像信号として取り出すＸ線画像形成
システムは、図４に示すようにＸ線画像を撮影し、この
撮影したＸ線画像をＸ線用半導体フラットパネルディテ
クタ（ＦＰＤ）２に捕獲し、このＸ線用半導体フラット
パネルディテクタ（ＦＰＤ）２から撮影したＸ線画像を
画像信号として取り出すように構成されている。

【００２０】図４は撮影したＸ線画像を画像信号として
取り出すＸ線画像形成システムの概略構成図である。

【００２１】Ｘ線画像形成システムでは、Ｘ線画像を撮
影する撮影手段５０を備え、画像処理部３がＸ線用半導
体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２から画像信号
として取り出される撮影したＸ線画像の画像処理を行う
画像処理手段５１を構成しており、撮影手段５０の作動
により例えば１秒間に複数回の連続撮影を行い、Ｘ線用
半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２を用いて
血管造影等に最適な連続撮影によるＸ線画像を得ること
ができる。

【００２２】また、Ｘ線用半導体フラットパネルディテ
クタ（ＦＰＤ）２に応じて残像消去特性データを予め記
憶した記憶手段５２を備え、画像処理手段５１は、残像
消去特性データに基づきＸ線画像のデータの残像部分を
除く補正を行っても良い。

【００２３】このように、Ｘ線用半導体フラットパネル
ディテクタ（ＦＰＤ）２特有の残像消去特性を撮影条件
に応じて予め記憶しておき、その残像消去特性を用い
て、残像レベルを画素単位で予測し、前回までの撮影に
よる各画像から残像レベルの予測値を差し引きした画素
値を画像処理手段５１のメモリに記憶し、液晶ディスプ
レイ５やレーザイメージャー６に出力してもよい。Ｘ線
用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２を用い
て特に連続Ｘ線撮影を行う場合は、静止画撮影に比べて
残留電荷の消去に十分な時間がとれないが、残像消去特
性データに基づきＸ線画像のデータの残像部分を除く補
正を行うことで、残像の影響の少ない良好な画像が得ら
れ、診断能が向上する。

【００２４】また、記憶手段５２には、複数の使用する
Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２に
応じて求めた残像消去特性データを予めフラットパネル
ディテクタの識別標識５３と対応させて記憶しておき、
使用するＸ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰ
Ｄ）２の識別標識５３を検出する識別標識検出手段５４
と、検出された識別標識５３に基づき使用するＸ線用半
導体フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）２の残像消去
特性データを選択する制御手段５５とを備えていてもよ
く、その場合は、選択された残像消去特性データに基づ
きＸ線画像のデータの残像部分を除く補正を行うことが
できる。使用するＸ線用半導体フラットパネルディテク
タ（ＦＰＤ）２の識別標識５３に基づき残像消去特性デ
ータを選択することで、使用するＸ線用半導体フラット
パネルディテクタ（ＦＰＤ）２に応じてＸ線画像のデー
タの残像部分を除く補正を行うことができ、より残像の
影響の少ない良好な画像が得られ、診断能が向上する。

【００２５】このようにＸ線画像形成システムでは、図
５に示すようにＸ線画像を撮影して得られるＸ線エネル
ギーを直接電荷に変換してＸ線用半導体フラットパネル
ディテクタ（ＦＰＤ）２の各画素７０に蓄積して捕獲
し、この蓄積された各画素７０の電荷を各画素間に配置
されたトランジスタ２９で構成されるスイッチング素子
の作動により各画素７０のデータライン毎に読み出し、
撮影したＸ線画像を画像信号として取り出すことが可能
である。

【００２６】ところで、図６に示すように、各画素７０
毎のデータを独立に読み出すために、各画素７０間にス
イッチング素子を配置しているため、原理的に読み出す
ことができない領域（デッドスペース）７１が必ず存在
し、このデッドスペース７１がアクティブデータに置換
され、デッドスペース７１を含む画像をそのまま例えば
ＣＲＴに表示したり、プリントしたりする。この場合に
は、デッドスペース７１が各画素７０のアクティブデー
タＡ１，Ａ２・・・に置換されてしまう。

【００２７】請求項１記載の発明の実施の形態では、図
７に示すようにＸ線用半導体フラットパネルディテクタ
（ＦＰＤ）２の各画素７０をアクティブデータＡで出力
し、各画素７０間のデッドスペース７１はアクティブデ
ータＡを補間して補間データＤとして出力する。例え
ば、画素７０のアクティブデータＡ１とＡ２のデッドス
ペース７１は、補間データＤ１として出力し、画素７０
のアクティブデータＡ２とＡ３のデッドスペース７１
は、補間データＤ２として出力する。データの補間は、
例えば特開平４−１７９３７０号、特開平４−１８０３
５４号及び特開平４−１８０３５５号等に開示される濃
度補正が用いられる。

【００２８】このようにＸ線用半導体フラットパネルデ
ィテクタ（ＦＰＤ）２の各画素７０をアクティブデータ
Ａで出力し、各画素７０間のデッドスペース７１はアク
ティブデータＡを補間し補間データＤとして出力し、デ
ッドスペース部もデッドスペース部独自のデータを持つ
ことになり、鮮鋭性が向上する。

【００２９】また、補間に時間がかかる場合には、図８
に示すように例えば、画素７０のアクティブデータＡ１
とＡ２のデッドスペース７１は、補間データとして出力
し、画素７０のアクティブデータＡ２とＡ３のデッドス
ペース７１は、補間しないで出力する。また、画素７０
のアクティブデータＡ１とＡ１１のデッドスペース７１
は、補間データとして出力し、画素７０のアクティブデ
ータＡ１１とＡ２１のデッドスペース７１は、補間しな
いで出力する。このように、補間に時間がかかる場合に
は、画素７０がデッドスペース７１を減らすように配置
される。

【００３０】このＸ線画像形成システムで得られた画像
情報は、医療診断分野のＭＲ，ＣＴ，ＲＩ等の画像出力
装置として用いられている、走査型レーザ露光装置（一
般的な呼称としてレーザーイメージャとも呼ばれる）を
用いて画像信号によりレーザービーム強度を変調し、従
来のハロゲン化銀写真感光材料や熱現像ハロゲン化銀感
光材料に露光したあと、適切な現像処理過程を経て、画
像のハードコピーを得ることができる。

【００３１】この走査型レーザー露光装置は、レーザー
光源としてルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレ
ーザーなど固体レーザー；Ｈｅ―Ｎｅレーザー、Ａｒイ
オンレーザー、Ｋｒイオンレーザザー、ＣＯ２レーザ
ー、ＣＯレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ｎ２レーザ
ー、エキシマーレーザーなどの気体レーザー、ＩｎＧ
ａＰレーザー、ＡｌＧａＡｓレーザー、ＧａＡｓレーザ
ー、ＩｎＧａＡｓレーザー、ＩｎＡｓＰレーザー、Ｃｄ
ＳｎＰ２レーザー、ＧａＳｂレーザー、ＧａＮレレーザ
ーなど半導体レーザー、化学レーザー、色素レーザーが
あげられる。

【００３２】本発明で用いられるハロゲン化銀写真感光
材料はポリエステル、３酢酸アセート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリカーボネートそしてポリノルボルネン
系樹脂等の着色あるいは無着色の透明な高分子材料を支
持体に、接着性を付与する下引き層を塗布し、更にその
上に支持体の片面もしくは両面にハロゲン化銀粒子を分
散したゼラチンなどの高分子層（感光層）が塗設され
る。

【００３３】片面のみにハロゲン化銀粒子などを含む感
光層が塗設される場合は、該層の別の面にハレーション
防止塗料、帯電防止剤、マット剤などを必要に応じて含
むゼラチン層を塗設することができる。この層のゼラチ
ンなどの高分子膜は該感光材料が環境の湿度変化や水中
での処理中に強いカールを起こさないように、その膜厚
を調整することができる。この感光材料で用いられ感光
層はハロゲン化銀粒子を分散する。このハロゲン化銀、
塩化銀、塩臭化銀などの組成であって、形態はサイコロ
状、８面体、その粒径分布は狭いものから広いものまで
目的によって選択できる。ジャガイモ状、球状、棒状、
平板状などで、平均粒径は球状のハロゲン化銀粒子とし
て換算して０．１〜１μｍが好ましい。平板状の場合は
平均アスペクト比が１００：１〜２：１のものを用いる
ことができる。ハロゲン化銀粒子の内部と表面のハロゲ
ン組成の異なる多重層構造のコア／シェル型粒子を用い
ることが好ましい。

【００３４】このハロゲン化銀粒子の製造方法は、特開
昭５９−１７７５３５号、同５９−１７８４４号、同６
０−３５７２６、同６０−１４７７２７号等を参考にす
ることができる。これらのハロゲン化銀粒子はハイポや
セレン化合物、テルル化合物、そして金化合物を用いて
化学増感することが好ましく、ハロゲン化銀粒子生成時
にイリジウム化合物やその他金属イオン、そしで増感色
素を添加することができる。感光材料に用いられる増感
色素の分光極大波長は５００〜１５００ｎｍであり、シ
アニン色素やメロシアニン色素が一般に用いられ、その
構造等については、例えばＣ．Ｅ．Ｋ．Ｍｅｅｓ，Ｔ．
Ｈ．Ｊａｍｅｓ著、Ｔｈｅｔｈｅｏｒｙｏｆｔｈ
ｅｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃＰｒｏｃｅｓｓ，第３
版１９８〜２０１ページ（マクミラン、ニューヨーク、
１９８６）に記載されている。

【００３５】また、感光層に保存中や現像処理中のカブ
リ上昇を抑制する種々の含窒素有機化合物や硫黄原子を
含有するメルカブト化合物を含有することが好ましい。
さらに感光層中にイラジエイションを防止する染料を含
有することができる。また、現像処理後の膜面に凹凸を
与えて外光の反射を抑えるための非感光性のハロゲン化
銀粒子を含有することができる。感光層の上層には感光
層を保護するゼラチン保護層を塗設することができ、こ
の層には目的に応じて帯電防止剤、マット剤、スベリ剤
などを含有せしめることができる。そして感光層ならび
にその保護層中にゼラチン鎖を架橋して膜面を強化する
硬膜材を含有することが好ましい。

【００３６】本発明のハロゲン化銀感光材料は自動現像
機を用いて現像処理することが好ましく、処理時間（Ｄ
ｒｙｔｏＤｒｙ）は１０〜２１０秒で処理すること
ができる。自動現像機で用いる現像液には現像種液とし
て特開平４ー１５４６４１、特開平４ー１６８４１号記
載のジヒドロキシベンゼン類や３ーピラゾリドン類、ま
たアスコルベン酸類を用いることが好ましい。保恒剤と
して亜流酸塩、アルカリ剤として水酸化塩や炭酸塩が特
開昭６１ー２８７０８号や特開昭６０ー９３４３９号記
載の緩衝剤とともに用いられる。溶解剤としてグリコー
ル類、銀スラッジ防止剤としてスルフィド、ジスルフィ
ルド化合物やトリアジンが用いられる。

【００３７】有機抑制剤はアゾール系有機防止剤、無機
抑制剤は臭化カリウム等Ｌ．Ｆ．Ａ．メイソン著「フォ
トグラフィック・プロセッシング・ケミストリー」フォ
ーカルプレス社刊（１９６６年）２２６〜２２９頁記載
の化合物を用いることができる。また、有機キレート
剤、ジアルデヒド系現像硬膜剤を含むことができる。現
像処理をする時の現像液の補充量は５〜１５ｍｌ／４つ
切り１枚が好ましい。定着液としては当業界で一般的に
用いられる定着素材を含むことができ、キレート剤や定
着硬膜剤、そして定着促進剤を含むことができる。

【００３８】特開平９ー３１１４０７号記載の、上記の
ようなウェット処理を行わずに熱現像を行うハロゲン化
銀感光材料を用いることができる。この感光材料は支持
体上に少なくとも１層の感光層を有し、有機銀塩、感光
性はハロゲン化銀粒子、銀イオンのための還元剤及びバ
インダーを含有する熱現像感光材料である。この感光材
料のハロゲン化銀粒子の組成は沃臭化銀、臭化銀、塩臭
化銀もしくは臭化銀で有り、立方体、８面体、球状、ジ
ャガイモ状で平均粒径は球形粒子として換算して０．２
〜０．１０μｍが好ましい。更にハロゲン化銀粒子にハ
イポやセレンそして金化合物で化学増感を施し、４００
〜１５００ｎｍに感色性を付与する分光増感色素を用い
ることが好ましい。

【００３９】この感光材料では、感光材料の保存中のカ
ブリの上昇を抑制するために有機カルボン酸塩やイソシ
アネート化合物を含有することが好ましい。感光材料に
用いる有機銀塩は炭素数が１０〜３０の長鎖カルボン酸
銀塩が好ましい。その例としてベヘン酸銀、ステアリン
酸銀、オレイン酸銀、ラウリン酸銀、カノロン酸銀、ミ
リスチン酸銀、パルチミン酸銀、マレイン酸銀、フマル
酸銀、酒石酸銀、リノール酸銀、酪酸銀及び樟脳酸銀及
びこの混合物である。

【００４０】有機銀塩のための還元剤は、フェニドンや
ハイドロキノン等のジヒドロキシベンゼン類が用いられ
る。そのほかに広範囲の還元剤を用いることができ、例
えばアミドオキシム類、アジン類、脂肪族カルボン酸ア
リールヒドロアジドとアスコルビン酸との組み合わせ等
である。また、感光材料の感光層の上に保護膜を塗設す
ることが好ましく、この保護膜には帯電防止剤やマット
剤、スベリ剤等を目的に応じて添加することができる。

【００４１】これら感光層及び保護層は、接着性を付与
する下びき層を塗布したポリエステル、３酢酸アセー
ト、ポリエチレンナフタレート、ポリカーポネート、そ
してポリノルボルネン系樹脂等の着色あるいは無着色の
透明な高分子材料を支持体上に塗設する。感光層の塗布
をしていない支持体上にハレーション防止染料やマット
剤、帯電防止剤を含有したバッキング層を塗布すること
が好ましい。感光材料は走査型レーザ露光装置を用いて
画像信号が露光され、そして８０℃以上２００℃以下で
熱現像が行われる。

【００４２】このＸ線画像形成システムで得られた画像
情報は、例えば特開平８ー２８２０９９号に記載されて
いるように、走査レーザ露光装置を用いて画像信号によ
り高密度レーザービームで露光することによって顕色成
分を有する転写層から受容層に転写することにより、ハ
ードコピーを得ることができる。

【００４３】この走査型レーザー露光装置は、レーザー
光源としてルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレ
ーザー等固体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒイオ
ンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、ＣＯ２レーザー、Ｃ
Ｏレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ｎ２レーザー、エキ
シマーレーザー等の気体レーザー、ＩｎＧａＰレーザ
ー、ＡｌＧａＡｓレーザー、ＧａＡｓレーザー、ＩｎＧ
ａＡｓレーザー、ＩｎＡｓＰレーザー、ＣｄＳｎＰ２レ
ーザー、ＧａＳｂレーザー、ＧａＮレーザー等半導体レ
ーザー、化学レーザー、色素レーザーがあげられる。レ
ーザー光は４００〜１２００ｎｍである。

【００４４】感光材料は３つの支持体から構成される。
第１の支持体上に顕色成分を設けた転写材料と、第３の
支持体を有した剥離材料を転写層と対面するように設
け、第１の支持体側から高密度エネルギー光を像用に露
光することによって、露光部分の支持体と転写層の結合
力をアブレーションによって低下させ、転写材料と剥離
材料を引き離して、転写層の露光部を剥離材料上に転写
した後、剥離材料の露光部の転写層と、第２の支持体上
に発色成分を含有する受容層を有した受容材料の受容層
側と重ね合わせ画像を形成することを特徴とする。ここ
で言うアブレーションとは、画像露光部分の転写層の破
壊はおこらず、支持体と転写層間の結合力のみが低下す
る、あるいはなくなる、あるいは画像露光部分の転写層
の一部が熱破壊して発散する等のほかに、画像露光部分
の転写層に亀裂が生じるまでの現象まで含む。

【００４５】画像形成は、潜像形成時または潜像形成後
に発色成分と顕色成分を混合させることにより行われ、
さらに加熱または加圧することが好ましい。加熱する手
段はオープン、サーマルヘッド、ヒートロール、ホット
スタンプ、熱ペン等温度のみをかけるものでも、温度を
かけると同時に圧力をかけるものでも良い。第１層の顕
色成分は例えば、有機還元剤で第２の支持体の発色成分
は有機還元剤により発色する銀源である。有機還元剤は
例えばスクシンイミド、フタルイミド、２−メチルスク
シンイミド、ジチオウラシル、５−メチル−５−ｎ−ペ
ンチルヒダトイン、フタルイミド等があげられる。銀源
としては脂肪族カルボン酸との銀塩（たとえばベヘン酸
銀、ステアリン酸銀、オレイン酸銀、ラウリン酸銀等で
ある。

【００４６】また、特開平９−１８８０７３号記載の熱
転感熱記録方法を用いることができる。熱転写シートの
染料層面と熱転写受像シートの受容層面とが接するよう
に向かい合わせ、染料層と受容層の界面にサーマルヘッ
ド等の加熱印加手段により、画像情報に応じた熱エネル
ギーを与えることにより、染料層中の染料を受容層に移
行させる。さらに、移行した後に熱転写シートの背面側
からサーマルヘッド等の加熱印加手段により所定の熱エ
ネルギーを与えることにより、未反応染料の定着を行
う。

【００４７】染料層の熱移行性の染料の具体例は、例え
ば特開昭５９−７８８９３号、同５９−１０９０９３９
４号、同６０−２３９８号の公開公報に記載されている
ものをあげることができる。染料層に用いられるバイン
ダー樹脂の代表例は、セルロース系、ポリアクリル酸
系、ポリビニルアルコール系等から選ぶことができる。
受容層は昇華染料が定着しやすい樹脂が選ばれ、例えば
ポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビ
ニリデン樹脂等から選ぶことができる。

【００４８】更にピエゾ効果等により、入力する画像信
号に基づいてインク微粒子を像用に射出して画像を形成
する、いわゆるインクジェットによって画像を出力する
ことが可能であり、更に画像信号を光信号に置き換え
て、トナーによる画像を形成するゼログラフィの一つで
ある、いわゆるデジタルコピアーにより画像を出力する
ことができる。

【００４９】

【発明の効果】前記したように、請求項１記載の発明で
は、Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタの各画素を
アクティブデータで出力し、各画素間のデッドスペース
はアクティブデータを用いて補間して出力するから、デ
ッドスペース部もデッドスペース部独自のデータを持つ
ことになり、デッドスペースを含む画像をそのまま例え
ばＣＲＴに表示したり、プリントしたりすることがなく
なり、画像の鮮鋭性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｘ線画像形成システムの概略構成図である。

【図２】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰ
Ｄ）を示す概略断面図である。

【図３】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰ
Ｄ）を示す概略平面図である。

【図４】撮影したＸ線画像を画像信号として取り出すＸ
線画像形成システムの概略構成図である。

【図５】撮影したＸ線画像を画像信号として取り出すＸ
線画像形成システムの概略構成図である。

【図６】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰ
Ｄ）の各画素毎のデッドスペースがアクティブデータに
置換して出力されることを説明する図である。

【図７】Ｘ線用半導体フラットパネルディテクタ（ＦＰ
Ｄ）の各画素をアクティブデータで出力し、各画素間の
デッドスペースはアクティブデータを補間して補間デー
タとして出力することを説明する図である。

【図８】補間に時間がかかる場合のＸ線用半導体フラッ
トパネルディテクタ（ＦＰＤ）の各画素の配置を説明す
る図である。

【符号の説明】

１Ｘ線管２フラットパネルディテクタ３画像処理部４ネットワーク５液晶ディスプレイ６レーザイメージャー５０撮影手段５１画像処理手段５２記憶手段７０画素７１デッドスペース

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG21 JJ05 KK29 KK32 LL12 MM04 2H013 AB08 AC01 AC03 2H123 AA52 5C024 AA11 CA11 FA01 FA11 GA07 GA31 HA08 HA24 HA27 JA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線画像を撮影して得られるＸ線エネルギ
ーを直接電荷に変換してＸ線用半導体フラットパネルデ
ィテクタの各画素に蓄積して捕獲し、この蓄積された各
画素の電荷を各画素間に配置されたスイッチング素子の
作動により前記各画素のデータライン毎に読み出し、撮
影したＸ線画像を画像信号として取り出すことが可能な
Ｘ線画像形成システムにおいて、前記Ｘ線用半導体フラ
ットパネルディテクタの各画素をアクティブデータで出
力し、前記各画素間のデッドスペースは前記アクティブ
データを用いて補間して出力することを特徴とするＸ線
画像形成システム。