JP2000094477A - トランスファモールド装置 - Google Patents
トランスファモールド装置Info
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- JP2000094477A JP2000094477A JP26513898A JP26513898A JP2000094477A JP 2000094477 A JP2000094477 A JP 2000094477A JP 26513898 A JP26513898 A JP 26513898A JP 26513898 A JP26513898 A JP 26513898A JP 2000094477 A JP2000094477 A JP 2000094477A
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- cavity
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は基板に搭載された個片化された半導体
素子に樹脂パッケージを形成するトランスファモールド
装置に関し、樹脂パッケージの形成効率を向上すること
を課題とする。 【解決手段】個片化された半導体素子44が搭載された
基板45を金型21にクランプし、金型21に形成され
たキャビティ24内に樹脂を注入することにより封止パ
ッケージ46をトランスファモールドするトランスファ
モールド装置において、金型21を構成する上型22及
び下型23の夫々のクランプ面に、前記トランスファモ
ールド時に発生する余剰樹脂48がクランプ面に付着す
ることを防止するフィルム28,29を配設する。
素子に樹脂パッケージを形成するトランスファモールド
装置に関し、樹脂パッケージの形成効率を向上すること
を課題とする。 【解決手段】個片化された半導体素子44が搭載された
基板45を金型21にクランプし、金型21に形成され
たキャビティ24内に樹脂を注入することにより封止パ
ッケージ46をトランスファモールドするトランスファ
モールド装置において、金型21を構成する上型22及
び下型23の夫々のクランプ面に、前記トランスファモ
ールド時に発生する余剰樹脂48がクランプ面に付着す
ることを防止するフィルム28,29を配設する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はトランスファモール
ド装置に係り、特に基板に搭載された個片化された半導
体素子に樹脂パッケージを形成するトランスファモール
ド装置に関する。近年、半導体装置は小型化が進み、パ
ッケージ形状が半導体素子と略同一形状まで小型化され
たCSP(Chip Size Package) やμBGA(Ball Grid A
rray) が注目されるようになってきている。
ド装置に係り、特に基板に搭載された個片化された半導
体素子に樹脂パッケージを形成するトランスファモール
ド装置に関する。近年、半導体装置は小型化が進み、パ
ッケージ形状が半導体素子と略同一形状まで小型化され
たCSP(Chip Size Package) やμBGA(Ball Grid A
rray) が注目されるようになってきている。
【0002】また、半導体装置には低コスト化の要求も
あり、半導体装置の製造工程の効率化を図る必要があ
る。よって、半導体装置の製造工程の一つである樹脂パ
ッケージの製造工程においても、パッケージの形成効率
の向上が望まれている。一般に、樹脂パッケージはトラ
ンスファモールド装置を用いて形成されており、よって
トランスファモールド装置による樹脂パッケージの形成
効率の向上が望まれている。
あり、半導体装置の製造工程の効率化を図る必要があ
る。よって、半導体装置の製造工程の一つである樹脂パ
ッケージの製造工程においても、パッケージの形成効率
の向上が望まれている。一般に、樹脂パッケージはトラ
ンスファモールド装置を用いて形成されており、よって
トランスファモールド装置による樹脂パッケージの形成
効率の向上が望まれている。
【0003】
【従来の技術】一般に、CSP,μBGAは、基板に半
導体素子(チップ)を搭載し、基板と半導体素子とをワ
イヤ,バンプ等により電気的に接続した後、半導体素子
を樹脂パッケージにより封止した構成とされている。ま
た、この樹脂パッケージを形成する方法としては、複
数の半導体素子を1枚の大きな基板に実装した後、この
複数の半導体素子に一括的に樹脂パッケージを形成し、
その後に個々の半導体装置に切断する方法(以下、一括
形成法という)と、予め半導体素子を個片化してお
き、この個片化した半導体素子に所定の検査を行なった
後に同じく個片化された基板に搭載し、その後に個々樹
脂パッケージを形成する方法(以下、個片化形成法とい
う)が知られている。
導体素子(チップ)を搭載し、基板と半導体素子とをワ
イヤ,バンプ等により電気的に接続した後、半導体素子
を樹脂パッケージにより封止した構成とされている。ま
た、この樹脂パッケージを形成する方法としては、複
数の半導体素子を1枚の大きな基板に実装した後、この
複数の半導体素子に一括的に樹脂パッケージを形成し、
その後に個々の半導体装置に切断する方法(以下、一括
形成法という)と、予め半導体素子を個片化してお
き、この個片化した半導体素子に所定の検査を行なった
後に同じく個片化された基板に搭載し、その後に個々樹
脂パッケージを形成する方法(以下、個片化形成法とい
う)が知られている。
【0004】上記した一括形成法の場合、複数の半導体
装置を一括的に形成することができるが、半導体装置が
完成した後に試験を行なうため、仮に基板に不良がある
と樹脂パッケージも含めて廃棄する必要があり不経済で
ある。これに対し、個片化形成法では、良品基板のみに
樹脂パッケージの形成を行なうため、一括形成法のよう
な不都合はなく、歩留り及び経済性の向上を図ることが
できる。
装置を一括的に形成することができるが、半導体装置が
完成した後に試験を行なうため、仮に基板に不良がある
と樹脂パッケージも含めて廃棄する必要があり不経済で
ある。これに対し、個片化形成法では、良品基板のみに
樹脂パッケージの形成を行なうため、一括形成法のよう
な不都合はなく、歩留り及び経済性の向上を図ることが
できる。
【0005】また、個片化形成法を用いて半導体装置を
製造する場合、個片化された半導体装置及び基板は微小
であるため、従来では図1に示すように半導体素子1が
搭載された基板2をリードフレーム3に装着することが
行なわれている。そして、樹脂パッケージを形成するト
ランスファモールド装置の金型にこのリードフレーム3
を装着し、トランスファモールドを行なうことにより樹
脂パッケージを形成していた。
製造する場合、個片化された半導体装置及び基板は微小
であるため、従来では図1に示すように半導体素子1が
搭載された基板2をリードフレーム3に装着することが
行なわれている。そして、樹脂パッケージを形成するト
ランスファモールド装置の金型にこのリードフレーム3
を装着し、トランスファモールドを行なうことにより樹
脂パッケージを形成していた。
【0006】しかるに、図1に示されるようなリードフ
レーム3を用いた樹脂パッケージの形成方法では、リー
ドフレーム3が高価であり、また半導体素子1を搭載し
た基板をリードフレーム3に取り付け及び取り外す作業
が必要となり、製造される半導体装置の製品コストが上
昇してしまうという問題点がある。具体的な樹脂パッケ
ージ9の製造方法としては、先ず金型4を構成する上型
5と下型6の間に半導体素子1を搭載した基板2をクラ
ンプする。この際、基板2は下型6に形成されている下
型キャビティ8内に装着される。続いて、上型5に形成
されている上型キャビティ7内に樹脂パッケージ9とな
る樹脂を注入し半導体素子1をオーバーモールドする。
続いて、樹脂パッケージ9が形成された基板2を金型4
から離型し、所定の外部接続端子を形成することにより
半導体装置が完成する。
レーム3を用いた樹脂パッケージの形成方法では、リー
ドフレーム3が高価であり、また半導体素子1を搭載し
た基板をリードフレーム3に取り付け及び取り外す作業
が必要となり、製造される半導体装置の製品コストが上
昇してしまうという問題点がある。具体的な樹脂パッケ
ージ9の製造方法としては、先ず金型4を構成する上型
5と下型6の間に半導体素子1を搭載した基板2をクラ
ンプする。この際、基板2は下型6に形成されている下
型キャビティ8内に装着される。続いて、上型5に形成
されている上型キャビティ7内に樹脂パッケージ9とな
る樹脂を注入し半導体素子1をオーバーモールドする。
続いて、樹脂パッケージ9が形成された基板2を金型4
から離型し、所定の外部接続端子を形成することにより
半導体装置が完成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記したよ
うに個片化された基板2は小さいため、金型4が基板2
をクランプするクランプ面積も必然的に小さくなり、よ
って確実なクランプを行なうことが困難となる。また、
図2に示されるように、基板2に厚み誤差等が存在する
場合、上型5と下型6との間に間隙10が形成されてし
まう。
うに個片化された基板2は小さいため、金型4が基板2
をクランプするクランプ面積も必然的に小さくなり、よ
って確実なクランプを行なうことが困難となる。また、
図2に示されるように、基板2に厚み誤差等が存在する
場合、上型5と下型6との間に間隙10が形成されてし
まう。
【0008】この状態においてトランスファーモールド
を行なうと、この間隙10にも樹脂は進行して樹脂パッ
ケージ9に対し不要な樹脂部分(以下、これを余剰樹脂
11という)が形成されてしまう。この余剰樹脂11は
離型時に上型5或いは下型6に残存してしまい、よって
金型4は余剰樹脂11により汚れてしまう。このため、
1回の樹脂パッケージ9の形成処理毎に余剰樹脂11を
除去する作業が必要となり、樹脂パッケージ9の形成効
率が低下してしまうという問題点があった。
を行なうと、この間隙10にも樹脂は進行して樹脂パッ
ケージ9に対し不要な樹脂部分(以下、これを余剰樹脂
11という)が形成されてしまう。この余剰樹脂11は
離型時に上型5或いは下型6に残存してしまい、よって
金型4は余剰樹脂11により汚れてしまう。このため、
1回の樹脂パッケージ9の形成処理毎に余剰樹脂11を
除去する作業が必要となり、樹脂パッケージ9の形成効
率が低下してしまうという問題点があった。
【0009】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、樹脂パッケージの形成効率を向上しうるトランス
ファモールド装置を提供するとを目的とする。
あり、樹脂パッケージの形成効率を向上しうるトランス
ファモールド装置を提供するとを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項1記載の発明は、ウェーハを
切断することにより個片化された半導体素子が搭載され
た基板をキャビティが形成された金型にクランプし、前
記キャビティ内に樹脂を注入することにより前記半導体
素子を封止する封止パッケージをトランスファモールド
するトランスファモールド装置において、前記金型を構
成する上型及び下型の夫々のクランプ面に、前記トラン
スファモールド時に発生する余剰樹脂が前記クランプ面
に付着することを防止するフィルムを配設し、かつ、前
記上型或いは前記下型の少なくとも一方を分割型とし、
前記分割型を組み合わせる時、前記フィルムを前記分割
型間に挟み込み密着固定する構成としたことを特徴とす
るものである。
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。請求項1記載の発明は、ウェーハを
切断することにより個片化された半導体素子が搭載され
た基板をキャビティが形成された金型にクランプし、前
記キャビティ内に樹脂を注入することにより前記半導体
素子を封止する封止パッケージをトランスファモールド
するトランスファモールド装置において、前記金型を構
成する上型及び下型の夫々のクランプ面に、前記トラン
スファモールド時に発生する余剰樹脂が前記クランプ面
に付着することを防止するフィルムを配設し、かつ、前
記上型或いは前記下型の少なくとも一方を分割型とし、
前記分割型を組み合わせる時、前記フィルムを前記分割
型間に挟み込み密着固定する構成としたことを特徴とす
るものである。
【0011】また、請求項2記載の発明は、前記請求項
1記載のトランスファモールド装置において、前記キャ
ビティに対応した形状を有しており、前記キャビティ内
に挿入させることにより、前記フィルムを前記キャビテ
ィの形状に対応した形状に成形するフィルム成形用治具
を設けたことを特徴とするものである。
1記載のトランスファモールド装置において、前記キャ
ビティに対応した形状を有しており、前記キャビティ内
に挿入させることにより、前記フィルムを前記キャビテ
ィの形状に対応した形状に成形するフィルム成形用治具
を設けたことを特徴とするものである。
【0012】更に、請求項3記載の発明は、前記請求項
1又は2記載のトランスファモールド装置において、前
記金型に前記フィルムを前記キャビティの内壁に向け吸
引する吸引孔を形成たことを特徴とするものである。上
記した各手段は、次のように作用する。
1又は2記載のトランスファモールド装置において、前
記金型に前記フィルムを前記キャビティの内壁に向け吸
引する吸引孔を形成たことを特徴とするものである。上
記した各手段は、次のように作用する。
【0013】請求項1記載の発明によれば、金型を構成
する上型及び下型の夫々のクランプ面に、トランスファ
モールド時に発生する余剰樹脂がクランプ面に付着する
ことを防止するフィルムを配設することにより、個片化
された半導体素子に樹脂モールドを行なうことにより樹
脂洩れが発生し余剰樹脂が発生しても、これにより金型
が汚れることを防止することができる。よって、従来必
要とされた余剰樹脂の除去作業が不要となり、樹脂パッ
ケージの形成効率を向上させることができる。
する上型及び下型の夫々のクランプ面に、トランスファ
モールド時に発生する余剰樹脂がクランプ面に付着する
ことを防止するフィルムを配設することにより、個片化
された半導体素子に樹脂モールドを行なうことにより樹
脂洩れが発生し余剰樹脂が発生しても、これにより金型
が汚れることを防止することができる。よって、従来必
要とされた余剰樹脂の除去作業が不要となり、樹脂パッ
ケージの形成効率を向上させることができる。
【0014】また、上型或いは下型の少なくとも一方を
分割型とし、分割型を組み合わせる時にフィルムを分割
型間に挟み込み密着固定することにより、フィルムに弛
みが発生することを防止でき、成形される樹脂パッケー
ジの精度の向上を図ることができる。また、請求項2記
載の発明によれば、キャビティに対応した形状を有した
フィルム成形用治具を設け、このフィルム成形用治具を
キャビティ内に挿入させ、フィルムをキャビティの形状
に対応した形状に成形することにより、シート状であっ
たフィルムはキャビティに対応した形状となる。即ち、
フィルムはキャビティの内壁に密着した状態となる。よ
って、金型にフィルムを配設しても、精度の高い樹脂パ
ッケージを形成することが可能となる。
分割型とし、分割型を組み合わせる時にフィルムを分割
型間に挟み込み密着固定することにより、フィルムに弛
みが発生することを防止でき、成形される樹脂パッケー
ジの精度の向上を図ることができる。また、請求項2記
載の発明によれば、キャビティに対応した形状を有した
フィルム成形用治具を設け、このフィルム成形用治具を
キャビティ内に挿入させ、フィルムをキャビティの形状
に対応した形状に成形することにより、シート状であっ
たフィルムはキャビティに対応した形状となる。即ち、
フィルムはキャビティの内壁に密着した状態となる。よ
って、金型にフィルムを配設しても、精度の高い樹脂パ
ッケージを形成することが可能となる。
【0015】更に、請求項3記載の発明によれば、金型
に吸引孔を形成し、フィルムをキャビティの内壁に向け
吸引する構成としたことにより、フィルムは強制的にキ
ャビティの内壁に密着されるため、更に精度の高い樹脂
パッケージを形成することが可能となる。
に吸引孔を形成し、フィルムをキャビティの内壁に向け
吸引する構成としたことにより、フィルムは強制的にキ
ャビティの内壁に密着されるため、更に精度の高い樹脂
パッケージを形成することが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図3は、本発明の一実施例であ
るトランスファモールド装置20の要部構成図である。
同図に示すように、トランスファモールド装置20は、
大略すると金型21,上型用フィルム28,下型用フィ
ルム29,上型用フィルム成形治具35(以下、上型用
治具という),及び下型用フィルム成形治具36(以
下、下型用治具という)等により構成されている。
て図面と共に説明する。図3は、本発明の一実施例であ
るトランスファモールド装置20の要部構成図である。
同図に示すように、トランスファモールド装置20は、
大略すると金型21,上型用フィルム28,下型用フィ
ルム29,上型用フィルム成形治具35(以下、上型用
治具という),及び下型用フィルム成形治具36(以
下、下型用治具という)等により構成されている。
【0017】このトランスファモールド装置20は、図
9に示すように、個片化された半導体素子44が搭載さ
れた基板45が装着され、この基板45上に半導体素子
44を封止する樹脂パッケージ46を形成するものであ
る。金型21は、上型22と下型23とにより構成され
ている。この金型21は図示しないプレス装置に装着さ
れており、トランスファモールド時以外は、上型22と
下型23とは離間した状態となっており、またトランス
ファモールド時には上型22は下型23に向け移動し、
上型22と下型23とがクランプした状態においてトラ
ンスファモールドが行なわれる構成とされている。
9に示すように、個片化された半導体素子44が搭載さ
れた基板45が装着され、この基板45上に半導体素子
44を封止する樹脂パッケージ46を形成するものであ
る。金型21は、上型22と下型23とにより構成され
ている。この金型21は図示しないプレス装置に装着さ
れており、トランスファモールド時以外は、上型22と
下型23とは離間した状態となっており、またトランス
ファモールド時には上型22は下型23に向け移動し、
上型22と下型23とがクランプした状態においてトラ
ンスファモールドが行なわれる構成とされている。
【0018】上型22は、図3に加え図4,図7に示す
ように、上型クランプ面49に上型キャビティ24,ゲ
ート39,及びランナ40が形成された構成とされてい
る。上型キャビティ24は、形成される樹脂パッケージ
46(図9参照)に対応した形状とされている。また、
ゲート39は、後述する下型23に形成されたプランジ
ャ41と対向するよう形成されており、プランジャ41
からの樹脂はゲート39に供給され、ゲート39を介し
て各上型キャビティ24に供給される。また、上型22
には複数の上型用吸引孔26が形成されており、この上
型用吸引孔26は図示しない吸引装置に接続されてい
る。この上型用吸引孔26は、図8に示すように、上型
キャビティ24の内部にも複数形成されており、特に上
型キャビティ24の内周縁24aに沿うよう形成されて
いる。
ように、上型クランプ面49に上型キャビティ24,ゲ
ート39,及びランナ40が形成された構成とされてい
る。上型キャビティ24は、形成される樹脂パッケージ
46(図9参照)に対応した形状とされている。また、
ゲート39は、後述する下型23に形成されたプランジ
ャ41と対向するよう形成されており、プランジャ41
からの樹脂はゲート39に供給され、ゲート39を介し
て各上型キャビティ24に供給される。また、上型22
には複数の上型用吸引孔26が形成されており、この上
型用吸引孔26は図示しない吸引装置に接続されてい
る。この上型用吸引孔26は、図8に示すように、上型
キャビティ24の内部にも複数形成されており、特に上
型キャビティ24の内周縁24aに沿うよう形成されて
いる。
【0019】更に、本実施例では、上型22を複数の分
割型22A〜22Cからなる構成としている。即ち、上
型22は、図4(B)に示す分割位置37,38により
図中矢印Zで示す方向に分割できる構成となっている。
下型23は、図3に加え図5に示すように、下型クラン
プ面50に下型キャビティ25及びプランジャ41が形
成された構成とされている。下型キャビティ25は、半
導体素子44が搭載された基板45の形状に対応した形
状とされている(図9参照)。
割型22A〜22Cからなる構成としている。即ち、上
型22は、図4(B)に示す分割位置37,38により
図中矢印Zで示す方向に分割できる構成となっている。
下型23は、図3に加え図5に示すように、下型クラン
プ面50に下型キャビティ25及びプランジャ41が形
成された構成とされている。下型キャビティ25は、半
導体素子44が搭載された基板45の形状に対応した形
状とされている(図9参照)。
【0020】また、プランジャ41は樹脂パッケージ4
6となる樹脂が注入される部位であり、このプランジャ
41に注入された樹脂は、前記した上型22に設けられ
たゲート39に供給され、ゲート39を介して各上型キ
ャビティ24に供給される。また、下型23には複数の
下型用吸引孔27が形成されており、この下型用吸引孔
27も図示しない吸引装置に接続されている。この下型
用吸引孔27は、前記した上型用吸引孔26と同様に下
型キャビティ25の内部にも複数形成されている。
6となる樹脂が注入される部位であり、このプランジャ
41に注入された樹脂は、前記した上型22に設けられ
たゲート39に供給され、ゲート39を介して各上型キ
ャビティ24に供給される。また、下型23には複数の
下型用吸引孔27が形成されており、この下型用吸引孔
27も図示しない吸引装置に接続されている。この下型
用吸引孔27は、前記した上型用吸引孔26と同様に下
型キャビティ25の内部にも複数形成されている。
【0021】尚、上記した上型22は複数の分割型22
A〜22Cからなる構成としたが、本実施例では下型2
3は分割型構造とはしていない。しかるに、下型23を
上型22と同様に分割型構造とすることも可能である。
上型用フィルム28は耐熱性を有した樹脂テープであ
り、図1及び図4に示すように、上型22の上型クラン
プ面49と対向するよう配設されている。この上型用フ
ィルム28は、供給側が供給リール31に巻回されてお
り、排出側が巻き取りリール33に巻回されている。ま
た、上型用フィルム28は、上型22に形成されたゲー
ト39の配設位置には配設されていない。よって、上型
用フィルム28は、ゲート39の形成位置を挟んで2本
配設された構成となっている。
A〜22Cからなる構成としたが、本実施例では下型2
3は分割型構造とはしていない。しかるに、下型23を
上型22と同様に分割型構造とすることも可能である。
上型用フィルム28は耐熱性を有した樹脂テープであ
り、図1及び図4に示すように、上型22の上型クラン
プ面49と対向するよう配設されている。この上型用フ
ィルム28は、供給側が供給リール31に巻回されてお
り、排出側が巻き取りリール33に巻回されている。ま
た、上型用フィルム28は、上型22に形成されたゲー
ト39の配設位置には配設されていない。よって、上型
用フィルム28は、ゲート39の形成位置を挟んで2本
配設された構成となっている。
【0022】供給リール31及び巻き取りリール33
は、図示しない駆動装置により回転する構成とされてい
る。よって、この駆動装置が駆動することにより、上型
用フィルム28は供給リール31から巻き取りリール3
3に向け移動しうる構成となっている。下型用フィルム
29も耐熱性を有した樹脂テープであり、図1及び図5
に示すように、下型23の上型クランプ面50と対向す
るよう配設されている。この下型用フィルム29も供給
側が供給リール32に巻回され、排出側が巻き取りリー
ル34に巻回されている。また、下型用フィルム29
は、下型23に形成されたプランジャ41の配設位置に
は配設されていない。よって、下型用フィルム29は、
プランジャ41の形成位置を挟んで2本配設された構成
となっている。
は、図示しない駆動装置により回転する構成とされてい
る。よって、この駆動装置が駆動することにより、上型
用フィルム28は供給リール31から巻き取りリール3
3に向け移動しうる構成となっている。下型用フィルム
29も耐熱性を有した樹脂テープであり、図1及び図5
に示すように、下型23の上型クランプ面50と対向す
るよう配設されている。この下型用フィルム29も供給
側が供給リール32に巻回され、排出側が巻き取りリー
ル34に巻回されている。また、下型用フィルム29
は、下型23に形成されたプランジャ41の配設位置に
は配設されていない。よって、下型用フィルム29は、
プランジャ41の形成位置を挟んで2本配設された構成
となっている。
【0023】また、供給リール32及び巻き取りリール
34は、図示しない駆動装置により回転する構成とされ
ており、この駆動装置が駆動することにより下型用フィ
ルム29は供給リール32から巻き取りリール34に向
け移動しうる構成となっている。尚、本実施例におい
て、上型22に形成されたゲート39の配設位置に上型
用フィルム28を配設せず、かつ下型23に形成された
プランジャ41の配設位置に下型用フィルム29を配設
しない構成としたのは、この位置に各フィルム28,2
9を設けるとプランジャ41から供給される樹脂をゲー
ト39に供給することができなくなってしまうからであ
る。
34は、図示しない駆動装置により回転する構成とされ
ており、この駆動装置が駆動することにより下型用フィ
ルム29は供給リール32から巻き取りリール34に向
け移動しうる構成となっている。尚、本実施例におい
て、上型22に形成されたゲート39の配設位置に上型
用フィルム28を配設せず、かつ下型23に形成された
プランジャ41の配設位置に下型用フィルム29を配設
しない構成としたのは、この位置に各フィルム28,2
9を設けるとプランジャ41から供給される樹脂をゲー
ト39に供給することができなくなってしまうからであ
る。
【0024】上型用治具35は、図示しない移動装置に
より上型22に向け移動可能な構成となっている。ま
た、上型用治具35には複数の凸部35aが形成されて
おり、この凸部35aは上型22に形成されている上型
キャビティ24の配設位置及び形状に対応した構成とな
っている。具体的には、凸部35aは上型キャビティ2
4内に挿入しうる構成となっている。
より上型22に向け移動可能な構成となっている。ま
た、上型用治具35には複数の凸部35aが形成されて
おり、この凸部35aは上型22に形成されている上型
キャビティ24の配設位置及び形状に対応した構成とな
っている。具体的には、凸部35aは上型キャビティ2
4内に挿入しうる構成となっている。
【0025】下型用治具36も図示しない移動装置によ
り下型23に向け移動可能な構成となっている。また、
下型用治具36には複数の凸部36aが形成されてお
り、この凸部36aは下型23に形成されている下型キ
ャビティ25の配設位置及び形状に対応した構成となっ
ている。具体的には、凸部36aは下型キャビティ25
内に挿入しうる構成となっている。
り下型23に向け移動可能な構成となっている。また、
下型用治具36には複数の凸部36aが形成されてお
り、この凸部36aは下型23に形成されている下型キ
ャビティ25の配設位置及び形状に対応した構成となっ
ている。具体的には、凸部36aは下型キャビティ25
内に挿入しうる構成となっている。
【0026】続いて、上記構成とされたトランスファモ
ールド装置20を用い、半導体素子44を搭載した基板
45上に樹脂パッケージ46を形成する手順について説
明する。樹脂パッケージ46を形成するには、先ず各供
給リール31,32及び巻き取りリール33,34を駆
動することにより、上型22と対向する上型用フィルム
28及び下型23と対向する下型用フィルム29を新規
なものとする。この際、上型22に設けられた上型吸引
孔26、及び下型23に設けられた下型吸引孔27は吸
引処理は行なっていない。
ールド装置20を用い、半導体素子44を搭載した基板
45上に樹脂パッケージ46を形成する手順について説
明する。樹脂パッケージ46を形成するには、先ず各供
給リール31,32及び巻き取りリール33,34を駆
動することにより、上型22と対向する上型用フィルム
28及び下型23と対向する下型用フィルム29を新規
なものとする。この際、上型22に設けられた上型吸引
孔26、及び下型23に設けられた下型吸引孔27は吸
引処理は行なっていない。
【0027】続いて、上型22を前記した分割位置3
7,38で分割し、図7に示すように、上型用フィルム
28の一部を分割位置37,38内に挿入する。そし
て、再び各分割型22A〜22Cを組み合わせ上型22
を形成する。このように、上型22を分割型とし、分割
型22A〜22Cを組み合わせる時に上型用フィルム2
8を挟み込むことにより、上型用フィルム28を上型2
2に密着させた状態で固定することができる。これによ
り、上型用フィルム28に弛みが発生することを防止で
き、成形される樹脂パッケージ46の精度の向上を図る
ことができる。
7,38で分割し、図7に示すように、上型用フィルム
28の一部を分割位置37,38内に挿入する。そし
て、再び各分割型22A〜22Cを組み合わせ上型22
を形成する。このように、上型22を分割型とし、分割
型22A〜22Cを組み合わせる時に上型用フィルム2
8を挟み込むことにより、上型用フィルム28を上型2
2に密着させた状態で固定することができる。これによ
り、上型用フィルム28に弛みが発生することを防止で
き、成形される樹脂パッケージ46の精度の向上を図る
ことができる。
【0028】特に、上型22に形成された上型キャビテ
ィ24は樹脂が注入される部位であるため、基板45が
形成される下型キャビティ25に比べて上型用フィルム
28の位置ずれが発生し易い。しかるに、上記のよう
に、上型22を分割型とすることにより、上型用フィル
ム28の弛み発生を確実に防止することができる。上記
のように各フィルム28,29の設定が終了すると、続
いて上型用治具35を上型22と対向する位置に移動さ
せると共に、下型用治具36を下型23と対向する位置
に移動させる。続いて、凸部35aが上型22に形成さ
れた上型キャビティ24に挿入されるよう上型用治具3
5を上動させると共に、凸部36aが下型23に形成さ
れた下型キャビティ25に挿入されるよう上型用治具3
6を下動させる。この時、前記した吸引装置を駆動し、
上型22に形成された上型吸引孔26、及び下型23に
形成された上型吸引孔27を用いて吸引処理を開始す
る。
ィ24は樹脂が注入される部位であるため、基板45が
形成される下型キャビティ25に比べて上型用フィルム
28の位置ずれが発生し易い。しかるに、上記のよう
に、上型22を分割型とすることにより、上型用フィル
ム28の弛み発生を確実に防止することができる。上記
のように各フィルム28,29の設定が終了すると、続
いて上型用治具35を上型22と対向する位置に移動さ
せると共に、下型用治具36を下型23と対向する位置
に移動させる。続いて、凸部35aが上型22に形成さ
れた上型キャビティ24に挿入されるよう上型用治具3
5を上動させると共に、凸部36aが下型23に形成さ
れた下型キャビティ25に挿入されるよう上型用治具3
6を下動させる。この時、前記した吸引装置を駆動し、
上型22に形成された上型吸引孔26、及び下型23に
形成された上型吸引孔27を用いて吸引処理を開始す
る。
【0029】前記したように、上型22の上型クランプ
面49には上型用フィルム28が添接されており、また
下型23の下型クランプ面50には下型用フィルム29
が添接されている。よって、凸部35aが上型キャビテ
ィ24に挿入されることにより、上型用フィルム28は
上型キャビティ24内に圧入され上型キャビティ24の
内壁に密着した状態となる。また、凸部36aが下型キ
ャビティ25に挿入されることにより、下型用フィルム
29は下型キャビティ25内に圧入され下型キャビティ
25の内壁に密着した状態となる。
面49には上型用フィルム28が添接されており、また
下型23の下型クランプ面50には下型用フィルム29
が添接されている。よって、凸部35aが上型キャビテ
ィ24に挿入されることにより、上型用フィルム28は
上型キャビティ24内に圧入され上型キャビティ24の
内壁に密着した状態となる。また、凸部36aが下型キ
ャビティ25に挿入されることにより、下型用フィルム
29は下型キャビティ25内に圧入され下型キャビティ
25の内壁に密着した状態となる。
【0030】上記の処理が終了すると、上型用治具35
及び下型用治具36は、上型22及び下型23から離間
する。図6は、この状態を示している。前記したよう
に、上型22に形成された上型吸引孔26及び下型23
に形成された上型吸引孔27は吸引処理を開始している
ため、上型用治具35及び下型用治具36を上型22及
び下型23から離間させても、上型用フィルム28及び
下型用フィルム29は各キャビティ24,25の内壁に
密着した状態を保っている。
及び下型用治具36は、上型22及び下型23から離間
する。図6は、この状態を示している。前記したよう
に、上型22に形成された上型吸引孔26及び下型23
に形成された上型吸引孔27は吸引処理を開始している
ため、上型用治具35及び下型用治具36を上型22及
び下型23から離間させても、上型用フィルム28及び
下型用フィルム29は各キャビティ24,25の内壁に
密着した状態を保っている。
【0031】続いて、上型用治具35及び下型用治具3
6は、金型21による樹脂パッケージ46をトランスフ
ァーモールドするのに邪魔にならない位置まで移動す
る。この状態において、半導体素子44が搭載された基
板45を金型21に装着する。本実施例では、半導体装
置44は予めウェーハを切断することにより個片化され
たものであり、また基板45も個片化されたものであ
る。よって、半導体素子44が搭載された基板45は、
小さな形状とされている。この基板45は、下型23に
形成された下型キャビティ25内に装着される。
6は、金型21による樹脂パッケージ46をトランスフ
ァーモールドするのに邪魔にならない位置まで移動す
る。この状態において、半導体素子44が搭載された基
板45を金型21に装着する。本実施例では、半導体装
置44は予めウェーハを切断することにより個片化され
たものであり、また基板45も個片化されたものであ
る。よって、半導体素子44が搭載された基板45は、
小さな形状とされている。この基板45は、下型23に
形成された下型キャビティ25内に装着される。
【0032】上記のように半導体素子44が搭載された
基板45が下型キャビティ25に装着されると、前記し
たプレス装置が駆動され、上型22は下動して下型23
にクランプされる。続いて、下型23のプランジャ41
から樹脂パッケージ46となる樹脂が注入され、この樹
脂はゲート39,ランナ40を介して上型キャビティ2
4に供給される。
基板45が下型キャビティ25に装着されると、前記し
たプレス装置が駆動され、上型22は下動して下型23
にクランプされる。続いて、下型23のプランジャ41
から樹脂パッケージ46となる樹脂が注入され、この樹
脂はゲート39,ランナ40を介して上型キャビティ2
4に供給される。
【0033】前記したように、上型キャビティ24の形
状は形成しようとする樹脂パッケージ46の形状に対応
している。よって、上型キャビティ24に樹脂を供給す
ることにより、基板45上の半導体素子44はオーバー
モールドされ、図9に示すように樹脂パッケージ46が
形成される。この際、上型キャビティ24の内部及び下
型キャビティ25の内部には、夫々フィルム28,29
が介在することとなるが、各フィルム28,29は上型
用治具35及び下型用治具36により各キャビティ2
4,25の形状に対応した形状に成形されている。更
に、上型22及び下型23に設けられている各吸引孔2
6,27は吸引処理を行なっている。よって、各フィル
ム28,29は各キャビティ24,25の内壁に密着し
た状態となり、よって金型21にフィルムを配設して
も、精度の高い樹脂パッケージ46を形成することが可
能となる。
状は形成しようとする樹脂パッケージ46の形状に対応
している。よって、上型キャビティ24に樹脂を供給す
ることにより、基板45上の半導体素子44はオーバー
モールドされ、図9に示すように樹脂パッケージ46が
形成される。この際、上型キャビティ24の内部及び下
型キャビティ25の内部には、夫々フィルム28,29
が介在することとなるが、各フィルム28,29は上型
用治具35及び下型用治具36により各キャビティ2
4,25の形状に対応した形状に成形されている。更
に、上型22及び下型23に設けられている各吸引孔2
6,27は吸引処理を行なっている。よって、各フィル
ム28,29は各キャビティ24,25の内壁に密着し
た状態となり、よって金型21にフィルムを配設して
も、精度の高い樹脂パッケージ46を形成することが可
能となる。
【0034】ところで、前記したように個片化された基
板45は小さいため、金型21が基板45をクランプす
るクランプ面積も必然的に小さくなり確実なクランプが
困難となる。また、基板45に厚み誤差が存在すると上
型22と下型23との間に間隙が形成されてしまう。図
9は、基板45の厚み誤差により上型22と下型23と
の間に間隙47が形成された例を示している。このよう
に、間隙47が形成された状態でトランスファーモール
ドを行なうと、この間隙47内に樹脂は進行して余剰樹
脂48が形成されてしまうことは前述した通りである。
板45は小さいため、金型21が基板45をクランプす
るクランプ面積も必然的に小さくなり確実なクランプが
困難となる。また、基板45に厚み誤差が存在すると上
型22と下型23との間に間隙が形成されてしまう。図
9は、基板45の厚み誤差により上型22と下型23と
の間に間隙47が形成された例を示している。このよう
に、間隙47が形成された状態でトランスファーモール
ドを行なうと、この間隙47内に樹脂は進行して余剰樹
脂48が形成されてしまうことは前述した通りである。
【0035】しかるに、本実施例では上型22の下型ク
ランプ面49(上型キャビティ24を含む)、及び下型
23の下型クランプ面50(下型キャビティ25を含
む)に、夫々上型用及び下型用フィルム28,29が配
設されている。この各フィルム28,29は、トランス
ファモールド時に発生する余剰樹脂48が各クランプ面
49,50に付着することを防止する機能を奏する。
ランプ面49(上型キャビティ24を含む)、及び下型
23の下型クランプ面50(下型キャビティ25を含
む)に、夫々上型用及び下型用フィルム28,29が配
設されている。この各フィルム28,29は、トランス
ファモールド時に発生する余剰樹脂48が各クランプ面
49,50に付着することを防止する機能を奏する。
【0036】よって、樹脂洩れが発生し余剰樹脂48が
形成されても、これにより金型21が汚れることを防止
することができる。これにより、従来必要とされた余剰
樹脂48の除去作業が不要となり、樹脂パッケージ46
の形成効率を向上させることができる。尚、樹脂パッケ
ージ46が形成された後、上型22と下型23は分離さ
れ離型処理が行なわれるが、この離型処理時において各
フィルム28,29は離型剤と同様の機能を奏し、離型
処理を容易に行なうことができる。
形成されても、これにより金型21が汚れることを防止
することができる。これにより、従来必要とされた余剰
樹脂48の除去作業が不要となり、樹脂パッケージ46
の形成効率を向上させることができる。尚、樹脂パッケ
ージ46が形成された後、上型22と下型23は分離さ
れ離型処理が行なわれるが、この離型処理時において各
フィルム28,29は離型剤と同様の機能を奏し、離型
処理を容易に行なうことができる。
【0037】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項1記載の発
明によれば、樹脂洩れが発生し余剰樹脂が発生しても、
これにより金型が汚れることを防止することができ、よ
って従来必要とされた余剰樹脂の除去作業が不要とな
り、樹脂パッケージの形成効率を向上させることができ
る。
種々の効果を実現することができる。請求項1記載の発
明によれば、樹脂洩れが発生し余剰樹脂が発生しても、
これにより金型が汚れることを防止することができ、よ
って従来必要とされた余剰樹脂の除去作業が不要とな
り、樹脂パッケージの形成効率を向上させることができ
る。
【0038】また、分割型を組み合わせる時にフィルム
を分割型間に挟み込み密着固定することにより、フィル
ムに弛みが発生することを防止でき、成形される樹脂パ
ッケージの精度の向上を図ることができる。また、請求
項2及び請求項3記載の発明によれば、フィルムはキャ
ビティの内壁に密着した状態となるため、金型にフィル
ムを配設しても、精度の高い樹脂パッケージを形成する
ことが可能となる。
を分割型間に挟み込み密着固定することにより、フィル
ムに弛みが発生することを防止でき、成形される樹脂パ
ッケージの精度の向上を図ることができる。また、請求
項2及び請求項3記載の発明によれば、フィルムはキャ
ビティの内壁に密着した状態となるため、金型にフィル
ムを配設しても、精度の高い樹脂パッケージを形成する
ことが可能となる。
【図1】従来の一例である樹脂パッケージの製造方法を
説明するための図である(その1)。
説明するための図である(その1)。
【図2】従来の一例である樹脂パッケージの製造方法を
説明するための図である(その2)。
説明するための図である(その2)。
【図3】本発明の一実施例であるトランスファモールド
装置の要部構成図である。
装置の要部構成図である。
【図4】本発明の一実施例であるトランスファモールド
装置の上型を説明するための図である。
装置の上型を説明するための図である。
【図5】本発明の一実施例であるトランスファモールド
装置の下型を説明するための図である。
装置の下型を説明するための図である。
【図6】本発明の一実施例であるトランスファモールド
装置の上型用治具及び下型用治具を説明するための図で
ある。
装置の上型用治具及び下型用治具を説明するための図で
ある。
【図7】上型を構成する分割型を説明するための図であ
る。
る。
【図8】金型に設けられる吸引孔を説明するための図で
ある。
ある。
【図9】本発明の一実施例であるトランスファモールド
装置の樹脂形パッケージ形成状態を示す図である。
装置の樹脂形パッケージ形成状態を示す図である。
20 トランスファモールド装置 21 金型 22 上型 22A〜22C 分割型 23 下型 24 上型キャビティ 25 下型キャビティ 26 上型吸引孔 27 下型吸引孔 28 上型用フィルム 29 下型用フィルム 35 上型用治具 36 下型用治具 44 半導体素子 45 基板 46 樹脂パッケージ 47 間隙 48 余剰樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F202 AD05 AD08 AH37 CA12 CB12 CB17 CK42 CP06 CQ01 CQ05 4F206 AD05 AD08 AH37 JA02 JB12 JB17 JF05 JF23 JL02 JQ06 JQ81 5F061 AA01 BA03 CA21 DA02 DA08 EA02
Claims (3)
- 【請求項1】 ウェーハを切断することにより個片化さ
れた半導体素子が搭載された基板をキャビティが形成さ
れた金型にクランプし、前記キャビティ内に樹脂を注入
することにより前記半導体素子を封止する封止パッケー
ジをトランスファモールドするトランスファモールド装
置において、 前記金型を構成する上型及び下型の夫々のクランプ面
に、前記トランスファモールド時に発生する余剰樹脂が
前記クランプ面に付着することを防止するフィルムを配
設し、 かつ、前記上型或いは前記下型の少なくとも一方を分割
型とし、前記分割型を組み合わせる時、前記フィルムを
前記分割型間に挟み込み密着固定する構成としたことを
特徴とするトランスファモールド装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のトランスファモールド装
置において、 前記キャビティに対応した形状を有しており、前記キャ
ビティ内に挿入させることにより、前記フィルムを前記
キャビティの形状に対応した形状に成形するフィルム成
形用治具を設けたことを特徴とするトランスファモール
ド装置。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載のトランスファモー
ルド装置において、 前記金型に前記フィルムを前記キャビティの内壁に向け
吸引する吸引孔を形成たことを特徴とするトランスファ
モールド装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26513898A JP2000094477A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | トランスファモールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26513898A JP2000094477A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | トランスファモールド装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000094477A true JP2000094477A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17413163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26513898A Pending JP2000094477A (ja) | 1998-09-18 | 1998-09-18 | トランスファモールド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000094477A (ja) |
-
1998
- 1998-09-18 JP JP26513898A patent/JP2000094477A/ja active Pending
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