JP2000091698A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JP2000091698A JP2000091698A JP10254916A JP25491698A JP2000091698A JP 2000091698 A JP2000091698 A JP 2000091698A JP 10254916 A JP10254916 A JP 10254916A JP 25491698 A JP25491698 A JP 25491698A JP 2000091698 A JP2000091698 A JP 2000091698A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザから発生する熱を効率良く放出
できる構造の半導体レ−ザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板２上に互いに隣接して形成さ
れた第１の半導体レーザ素子３と、第２の半導体レーザ
素子４とを有する半導体レーザ素子１において、第１の
半導体レーザ素子３と第２の半導体レーザ素子４の間に
形成され、かつ半導体基板２の途中までエッチング形成
された分離溝５と、分離溝５中に順次形成された絶縁層
６と、金属層７とからなる。
できる構造の半導体レ−ザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板２上に互いに隣接して形成さ
れた第１の半導体レーザ素子３と、第２の半導体レーザ
素子４とを有する半導体レーザ素子１において、第１の
半導体レーザ素子３と第２の半導体レーザ素子４の間に
形成され、かつ半導体基板２の途中までエッチング形成
された分離溝５と、分離溝５中に順次形成された絶縁層
６と、金属層７とからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａ
ｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅ
ｏ Ｄｉｓｋ）の光ディスク装置の光ピックアップに利
用される半導体レーザ素子であり、特に、ＣＤ用とＤＶ
Ｄ用の光ディスクを１つの光ピックアップで再生するた
めの２波長を有する半導体レーザ素子に関する。
ｃｔ Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｉｄｅ
ｏ Ｄｉｓｋ）の光ディスク装置の光ピックアップに利
用される半導体レーザ素子であり、特に、ＣＤ用とＤＶ
Ｄ用の光ディスクを１つの光ピックアップで再生するた
めの２波長を有する半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ用やＤＶＤ用の光ディスク装置を安
価にし、使い勝手を良くするために、1個の光ピックア
ップを用いて、ＣＤ用とＤＶＤ用の光ディスクの記録情
報を再生する光ディスク装置の開発がさかんに行われて
いる。一方、ＣＤ用の光ディスクを再生するレーザ光は
７８０ｎｍであり、ＤＶＤ用の光ディスクを再生するレ
ーザ光は６５０ｎｍである。７８０ｎｍのレーザ光を発
光する半導体レーザ素子の材料は、ＡｌＧａＡｓ系であ
り、６５０ｎｍのレーザ光を発光する半導体レーザ素子
の材料は、ＡｌＧａＩｎＰ系である。このため、ＡｌＧ
ａＡｓ系の材料から作製されたＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子と、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料から作製された半導
体レーザ素子とを光ピックアップに搭載することが必要
となる。また、光ピックアップを安価にするために１つ
の光学レンズ系を用いて、光ディスクに集光することが
要求されている。このことから、この２個の半導体レー
ザ素子の発光層を略１００μｍ以内に近接して配置する
ことが必要とされていた。
価にし、使い勝手を良くするために、1個の光ピックア
ップを用いて、ＣＤ用とＤＶＤ用の光ディスクの記録情
報を再生する光ディスク装置の開発がさかんに行われて
いる。一方、ＣＤ用の光ディスクを再生するレーザ光は
７８０ｎｍであり、ＤＶＤ用の光ディスクを再生するレ
ーザ光は６５０ｎｍである。７８０ｎｍのレーザ光を発
光する半導体レーザ素子の材料は、ＡｌＧａＡｓ系であ
り、６５０ｎｍのレーザ光を発光する半導体レーザ素子
の材料は、ＡｌＧａＩｎＰ系である。このため、ＡｌＧ
ａＡｓ系の材料から作製されたＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子と、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料から作製された半導
体レーザ素子とを光ピックアップに搭載することが必要
となる。また、光ピックアップを安価にするために１つ
の光学レンズ系を用いて、光ディスクに集光することが
要求されている。このことから、この２個の半導体レー
ザ素子の発光層を略１００μｍ以内に近接して配置する
ことが必要とされていた。
【０００３】一般的に、半導体レーザ素子は、ＭＯＣＶ
Ｄ（Ｍｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）法やＭＢＥ（Ｍｏｃｕ
ｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｃｙ）法を用いて作製
される。
Ｄ（Ｍｅｔａｌ ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）法やＭＢＥ（Ｍｏｃｕ
ｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｃｙ）法を用いて作製
される。
【０００４】以下に、従来の半導体レーザ素子について
説明する。図１１は、従来の２波長を発光する半導体レ
ーザ素子３０を示す断面図である。半導体レーザ素子３
０は、ＧａＡｓ基板２上に形成されたＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ素子３１と、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子
３４と、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子３４との間に形成され、かつＧ
ａＡｓ基板２の途中までエッチング形成された分離溝３
７とから構成される。ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３
１は、発光層３３を含むＡｌＧａＡｓ半導体層３２を有
し、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４は、発光層３
６を含むＡｌＧａＩｎＰ半導体層３５を有している。な
お、発光層３３と発光層３６との間の距離は、略１００
μｍ以内である。
説明する。図１１は、従来の２波長を発光する半導体レ
ーザ素子３０を示す断面図である。半導体レーザ素子３
０は、ＧａＡｓ基板２上に形成されたＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ素子３１と、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子
３４と、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子３４との間に形成され、かつＧ
ａＡｓ基板２の途中までエッチング形成された分離溝３
７とから構成される。ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３
１は、発光層３３を含むＡｌＧａＡｓ半導体層３２を有
し、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４は、発光層３
６を含むＡｌＧａＩｎＰ半導体層３５を有している。な
お、発光層３３と発光層３６との間の距離は、略１００
μｍ以内である。
【０００５】ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１及びＡ
ｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４の動作は、発振しき
い値以上の電流をＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１及
びＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４に注入すること
によって、発光層３３及び発光層３６からレーザ光を放
出して行われる。
ｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４の動作は、発振しき
い値以上の電流をＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１及
びＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４に注入すること
によって、発光層３３及び発光層３６からレーザ光を放
出して行われる。
【０００６】なお、半導体レーザ素子３０を用いてＣＤ
用の光ディスクを再生する場合には、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ素子３１に発振しきい値以上の電流を注入する
ことによって行い、ＤＶＤ用の光ディスクを再生する場
合には、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４に発振し
きい値以上の電流を注入することによって行うことがで
きる。
用の光ディスクを再生する場合には、ＡｌＧａＡｓ半導
体レーザ素子３１に発振しきい値以上の電流を注入する
ことによって行い、ＤＶＤ用の光ディスクを再生する場
合には、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子３４に発振し
きい値以上の電流を注入することによって行うことがで
きる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、分離溝
３７中は空気で満たされているため、熱伝導率が悪いの
で、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１、又はＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子３４の動作時に発生する熱を効
率良く、外部に放出することができない。半導体レーザ
素子３０は、この熱により発生する結晶欠陥や転位のた
めに、劣化し、信頼性が低下するといった問題を生じて
いた。
３７中は空気で満たされているため、熱伝導率が悪いの
で、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３１、又はＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子３４の動作時に発生する熱を効
率良く、外部に放出することができない。半導体レーザ
素子３０は、この熱により発生する結晶欠陥や転位のた
めに、劣化し、信頼性が低下するといった問題を生じて
いた。
【０００８】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、半導体レーザ素子から
発生する熱を効率良く放出できる構造の半導体レ−ザ素
子を提供することを目的とする。
解消するためになされたもので、半導体レーザ素子から
発生する熱を効率良く放出できる構造の半導体レ−ザ素
子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明における半導体レ
ーザ素子の第１の発明は、半導体基板上に互いに隣接し
て形成された第１の半導体レーザ素子と、第２の半導体
レーザ素子とを有する半導体レーザ素子において、前記
第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子
と間に形成され、かつ前記半導体基板の途中までエッチ
ング形成された分離溝と、前記分離溝中に順次形成され
た絶縁層、金属層とからなることを特徴とする。
ーザ素子の第１の発明は、半導体基板上に互いに隣接し
て形成された第１の半導体レーザ素子と、第２の半導体
レーザ素子とを有する半導体レーザ素子において、前記
第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子
と間に形成され、かつ前記半導体基板の途中までエッチ
ング形成された分離溝と、前記分離溝中に順次形成され
た絶縁層、金属層とからなることを特徴とする。
【００１０】本発明の第２の発明は、請求項１記載の半
導体レーザ素子において、前記金属層は、Ｔｉ、Ａｕで
あることを特徴とする。
導体レーザ素子において、前記金属層は、Ｔｉ、Ａｕで
あることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の半導体レ−ザ素子の一実
施例について図１を用いて説明する。図１は、本発明の
半導体レーザ素子を示す断面図である。
施例について図１を用いて説明する。図１は、本発明の
半導体レーザ素子を示す断面図である。
【００１２】以下に、本発明の半導体レーザ素子１につ
いて図１を用いて説明する。まず初めに、本発明の半導
体レ−ザ素子１の構成について説明する。半導体レーザ
素子１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に互いに隣接して形成
されたＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３と、ＡｌＧａＩ
ｎＰ半導体レーザ素子４とを有し、ＡｌＧａＡｓ半導体
レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との
間に形成され、かつｎ型ＧａＡｓ基板の途中までエッチ
ング形成された分離溝５と、この分離溝５中に順次形成
された絶縁層６と、金属層７とから構成される。絶縁層
６は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎ
Ｐ半導体レーザ素子４とを電気的に分離するために、金
属層７は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子４から発生する熱を効率良く外
部に放出するために設けられている。なお、絶縁層６
は、例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ2Ｎ3の材料からなる。ま
た、金属層７は、例えば、Ｔｉ、Ａｕの材料からなる。
いて図１を用いて説明する。まず初めに、本発明の半導
体レ−ザ素子１の構成について説明する。半導体レーザ
素子１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に互いに隣接して形成
されたＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３と、ＡｌＧａＩ
ｎＰ半導体レーザ素子４とを有し、ＡｌＧａＡｓ半導体
レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との
間に形成され、かつｎ型ＧａＡｓ基板の途中までエッチ
ング形成された分離溝５と、この分離溝５中に順次形成
された絶縁層６と、金属層７とから構成される。絶縁層
６は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎ
Ｐ半導体レーザ素子４とを電気的に分離するために、金
属層７は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子４から発生する熱を効率良く外
部に放出するために設けられている。なお、絶縁層６
は、例えば、ＳｉＯ2、Ｓｉ2Ｎ3の材料からなる。ま
た、金属層７は、例えば、Ｔｉ、Ａｕの材料からなる。
【００１３】更に、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３
は、以下の構成を有している。ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層８（Ｓｉドープ、厚さ１μｍ）上にＡｌＧａＡｓ活
性層９（厚さ０．１３μｍ、ノンドープ）、第１のｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１０（Ｚｎドープ、厚さ０．２
μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１
（Ｚｎドープ、厚さ０．０３μｍ）が順次積層されてい
る。このｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１上
には、第２のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２（Ｚｎド
ープ、厚さ０．８μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３
（Ｚｎドープ、厚さ０．３μｍ）が順次積層されたリッ
ジ部１４と、このリッジ部１４を挟持した一対のｎ型Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層１５ａ、１５ａ（Ｓｉドープ、厚さ
０．８μｍ）が形成されている。
は、以下の構成を有している。ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層８（Ｓｉドープ、厚さ１μｍ）上にＡｌＧａＡｓ活
性層９（厚さ０．１３μｍ、ノンドープ）、第１のｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１０（Ｚｎドープ、厚さ０．２
μｍ）、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１
（Ｚｎドープ、厚さ０．０３μｍ）が順次積層されてい
る。このｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１上
には、第２のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２（Ｚｎド
ープ、厚さ０．８μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３
（Ｚｎドープ、厚さ０．３μｍ）が順次積層されたリッ
ジ部１４と、このリッジ部１４を挟持した一対のｎ型Ｇ
ａＡｓ電流狭窄層１５ａ、１５ａ（Ｓｉドープ、厚さ
０．８μｍ）が形成されている。
【００１４】リッジ部１４及び一対のｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層１５ａ、１５ａ上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１６ａが形成され、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
６ａ上にｐ型オーミック電極１７ａが形成されている。
狭窄層１５ａ、１５ａ上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１６ａが形成され、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
６ａ上にｐ型オーミック電極１７ａが形成されている。
【００１５】また、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４
は、以下の構成を有している。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１９（Ｓｉドープ、厚さ１μｍ）上にＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層２０（ノンドープ）、第１のｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２１（Ｚｎドープ、厚さ０．２μｍ）、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２（厚さ
０．０３μｍ）が順次積層されている。ここで、ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層２０は、一対のＡｌＧａＩｎＰガイド層
２０ａ、２０ａ（ノンドープ）との間に３対のＧａＩｎ
Ｐ量子井戸層２０ｂと２対のＡｌＧａＩｎＰバリア層２
０ｃが交互に形成され、かつＧａＩｎＰ量子井戸層２０
ｂがＡｌＧａＩｎＰガイド層２０ａに隣接した構成を有
している。
は、以下の構成を有している。ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１９（Ｓｉドープ、厚さ１μｍ）上にＡｌＧａＩ
ｎＰ活性層２０（ノンドープ）、第１のｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２１（Ｚｎドープ、厚さ０．２μｍ）、
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２（厚さ
０．０３μｍ）が順次積層されている。ここで、ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層２０は、一対のＡｌＧａＩｎＰガイド層
２０ａ、２０ａ（ノンドープ）との間に３対のＧａＩｎ
Ｐ量子井戸層２０ｂと２対のＡｌＧａＩｎＰバリア層２
０ｃが交互に形成され、かつＧａＩｎＰ量子井戸層２０
ｂがＡｌＧａＩｎＰガイド層２０ａに隣接した構成を有
している。
【００１６】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層
２２上には、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３
（厚さ０．８μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２４（厚
さ０．３μｍ）が順次積層されたリッジ部２５と、この
リッジ部２５を挟持した一対のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
１５ｂ、１５ｂ（厚さ０．８μｍ）が形成されている。
リッジ部２５及び一対のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
ｂ、１５ｂ上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂが
形成され、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂ上にｐ
型オーミック電極１７ｂが形成されている。なお、これ
らの積層方向と逆方向のｎ型ＧａＡｓ基板２には、Ａｌ
ＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レ
ーザ素子４とに共通なｎ型オ−ミック電極１８が形成さ
れている。
２２上には、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３
（厚さ０．８μｍ）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２４（厚
さ０．３μｍ）が順次積層されたリッジ部２５と、この
リッジ部２５を挟持した一対のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
１５ｂ、１５ｂ（厚さ０．８μｍ）が形成されている。
リッジ部２５及び一対のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
ｂ、１５ｂ上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂが
形成され、このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂ上にｐ
型オーミック電極１７ｂが形成されている。なお、これ
らの積層方向と逆方向のｎ型ＧａＡｓ基板２には、Ａｌ
ＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レ
ーザ素子４とに共通なｎ型オ−ミック電極１８が形成さ
れている。
【００１７】次に、半導体レーザ素子１の動作について
説明する。ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３を動作させ
る場合には、ｐ型オ−ミック電極１７ａからｎ型オ−ミ
ック電極１８に向かって発振しきい値以上の電流を注入
し、この電流が、ｐ型オ−ミック電極１７ａ→ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１６ａ→リッジ部１４→ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓエッチングストップ層１１→第１のｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１０→ＡｌＧａＡｓ活性層９→ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層８→ｎ型ＧａＡｓ基板２→ｎ型オ−ミ
ック電極１８に流れ、ＡｌＧａＡｓ活性層９の発光層Ｐ
からレ−ザ光が放出されるのである。ＡｌＧａＩｎＰ半
導体レーザ素子４を動作させる場合も、ＡｌＧａＡｓを
ＡｌＧａＩｎＰに代えるだけでＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子３の動作と同様である。即ち、ｐ型オ−ミック電
極１７ｂからｎ型オ−ミック電極１８に向かって発振し
きい値以上の電流を注入し、この電流が、ｐ型オ−ミッ
ク電極１７ｂ→ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂ→リッ
ジ部２５→ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２
２→第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２１→ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層２０→ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
９→ｎ型ＧａＡｓ基板２→ｎ型オ−ミック電極１８に流
れ、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０の発光層Ｑからレ−ザ光
が放出されるのである。この際、ＡｌＧａＡｓ半導体レ
ーザ素子３及びＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との
間に形成された分離溝５中に金属層７が形成されている
ので、これらの半導体レーザ素子から発生した熱は、こ
の金属層７を介して効率良く外部に放出することができ
る。
説明する。ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３を動作させ
る場合には、ｐ型オ−ミック電極１７ａからｎ型オ−ミ
ック電極１８に向かって発振しきい値以上の電流を注入
し、この電流が、ｐ型オ−ミック電極１７ａ→ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１６ａ→リッジ部１４→ｐ型ＡｌＧａ
Ａｓエッチングストップ層１１→第１のｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１０→ＡｌＧａＡｓ活性層９→ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層８→ｎ型ＧａＡｓ基板２→ｎ型オ−ミ
ック電極１８に流れ、ＡｌＧａＡｓ活性層９の発光層Ｐ
からレ−ザ光が放出されるのである。ＡｌＧａＩｎＰ半
導体レーザ素子４を動作させる場合も、ＡｌＧａＡｓを
ＡｌＧａＩｎＰに代えるだけでＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子３の動作と同様である。即ち、ｐ型オ−ミック電
極１７ｂからｎ型オ−ミック電極１８に向かって発振し
きい値以上の電流を注入し、この電流が、ｐ型オ−ミッ
ク電極１７ｂ→ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６ｂ→リッ
ジ部２５→ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２
２→第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２１→ＡｌＧ
ａＩｎＰ活性層２０→ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
９→ｎ型ＧａＡｓ基板２→ｎ型オ−ミック電極１８に流
れ、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０の発光層Ｑからレ−ザ光
が放出されるのである。この際、ＡｌＧａＡｓ半導体レ
ーザ素子３及びＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との
間に形成された分離溝５中に金属層７が形成されている
ので、これらの半導体レーザ素子から発生した熱は、こ
の金属層７を介して効率良く外部に放出することができ
る。
【００１８】更に、分離溝５中に絶縁層６が形成されて
いるので、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子４とは電気的に分離されている
ため、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３を動作させる場
合には、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３に注入された
電流は、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４に流れない
ので、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３だけを動作させ
ることができる。また、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素
子４のみを動作させる場合も同様である。ＡｌＧａＡｓ
半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子
４を同時に動作させる場合には、ｐ型オーミック電極１
７ａ、１７ｂからｎ型オーミック電極１８に向かって同
時に発振しきい値以上の電流を注入すればよい。
いるので、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌＧａ
ＩｎＰ半導体レーザ素子４とは電気的に分離されている
ため、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３を動作させる場
合には、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３に注入された
電流は、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４に流れない
ので、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３だけを動作させ
ることができる。また、ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素
子４のみを動作させる場合も同様である。ＡｌＧａＡｓ
半導体レーザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子
４を同時に動作させる場合には、ｐ型オーミック電極１
７ａ、１７ｂからｎ型オーミック電極１８に向かって同
時に発振しきい値以上の電流を注入すればよい。
【００１９】なお、ＡｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０で発光した光のうち発光層Ｐ及びＱか
ら放出されることについて以下に説明する。一対のｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１５ａ、１５ａ及び一対のｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５ｂ、１５ｂにそれぞれに対応するＡ
ｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａＩｎＰ活性層２０部分
では、ＡｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａＩｎＰ活性層
２０で発光するレーザ光は吸収されるため、リッジ部１
４、２５に対応するＡｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０部分からレーザ光が放出される。即
ち、ＡｌＧａＡｓ活性層９のリッジ部１４に対応する部
分が発光層Ｐとなり、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０のリッ
ジ部２５に対応する部分が発光層Ｑとなるのである。
ＩｎＰ活性層２０で発光した光のうち発光層Ｐ及びＱか
ら放出されることについて以下に説明する。一対のｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１５ａ、１５ａ及び一対のｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５ｂ、１５ｂにそれぞれに対応するＡ
ｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａＩｎＰ活性層２０部分
では、ＡｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａＩｎＰ活性層
２０で発光するレーザ光は吸収されるため、リッジ部１
４、２５に対応するＡｌＧａＡｓ活性層９及びＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０部分からレーザ光が放出される。即
ち、ＡｌＧａＡｓ活性層９のリッジ部１４に対応する部
分が発光層Ｐとなり、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０のリッ
ジ部２５に対応する部分が発光層Ｑとなるのである。
【００２０】以上のように、本発明の実施例の半導体レ
ーザ素子１は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との間に形成され、かつ
ｎ型ＧａＡｓ基板２の途中までエッチング形成された分
離溝５と、この分離溝５中に順次形成された絶縁層６
と、金属層７とからなるので、ＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４とが電気
的に分離され、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４とから発生する熱は、金
属層７を介して効率良く外部に放出することができる。
このため、半導体レーザ素子１には、結晶欠陥や転位の
発生を低減でき、安定した動作を行うことができる。こ
の結果、半導体レーザ素子１は、十分信頼性を有したも
のとなる。
ーザ素子１は、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４との間に形成され、かつ
ｎ型ＧａＡｓ基板２の途中までエッチング形成された分
離溝５と、この分離溝５中に順次形成された絶縁層６
と、金属層７とからなるので、ＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザ素子３とＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４とが電気
的に分離され、ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子３とＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体レーザ素子４とから発生する熱は、金
属層７を介して効率良く外部に放出することができる。
このため、半導体レーザ素子１には、結晶欠陥や転位の
発生を低減でき、安定した動作を行うことができる。こ
の結果、半導体レーザ素子１は、十分信頼性を有したも
のとなる。
【００２１】本発明の実施例の半導体レ−ザ素子１の製
造方法について、図２乃至図１０を用いて以下に説明す
る。 （第１工程）図２に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、
ｎ型ＧａＡｓ基板２上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
８、ＡｌＧａＡｓ活性層９、第１のｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１０、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層
１１、第２のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１３を順次積層する。
造方法について、図２乃至図１０を用いて以下に説明す
る。 （第１工程）図２に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、
ｎ型ＧａＡｓ基板２上にｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
８、ＡｌＧａＡｓ活性層９、第１のｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１０、ｐ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層
１１、第２のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１３を順次積層する。
【００２２】（第２工程）図３に示すように、スパッタ
法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３上にＳｉＯ2層
２６を形成し、このＳｉＯ2層２６上にフォトリソグラ
フィ法によりフォトレジストパターン２７を形成する。
この後、ドライエッチング法により、フォトレジストパ
ターン２７で覆われた以外のＳｉＯ2層２６をエッチン
グする。
法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３上にＳｉＯ2層
２６を形成し、このＳｉＯ2層２６上にフォトリソグラ
フィ法によりフォトレジストパターン２７を形成する。
この後、ドライエッチング法により、フォトレジストパ
ターン２７で覆われた以外のＳｉＯ2層２６をエッチン
グする。
【００２３】（第３工程）続いて、図４に示すように、
有機溶剤を用いて、フォトレジストパターン２７を除去
後、燐酸系エッチング液を用いて、ＳｉＯ2層２６で覆
われた以外のｎ型ＧａＡｓ基板２までエッチングする。
有機溶剤を用いて、フォトレジストパターン２７を除去
後、燐酸系エッチング液を用いて、ＳｉＯ2層２６で覆
われた以外のｎ型ＧａＡｓ基板２までエッチングする。
【００２４】（第４工程）次に、図５に示すように、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２及びＳｉＯ2層
２６上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０、第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層２１、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２
２、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層２４を順次積層する。なお、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０は、ＡｌＧａＩｎＰガイド層２０ａ上
にＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、ＡｌＧａＩｎＰバリア
層２０ｃ、ＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、ＡｌＧａＩｎ
Ｐバリア層２０ｃ、ＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、Ａｌ
ＧａＩｎＰガイド層２０ａを順次積層して形成される。
この際、これらの層は、ＳｉＯ2層２６には成長せず、
ｎ型ＧａＡｓ基板２にだけ成長する。
ＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２及びＳｉＯ2層
２６上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０、第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層２１、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２
２、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層２４を順次積層する。なお、ＡｌＧａ
ＩｎＰ活性層２０は、ＡｌＧａＩｎＰガイド層２０ａ上
にＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、ＡｌＧａＩｎＰバリア
層２０ｃ、ＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、ＡｌＧａＩｎ
Ｐバリア層２０ｃ、ＧａＩｎＰ量子井戸層２０ｂ、Ａｌ
ＧａＩｎＰガイド層２０ａを順次積層して形成される。
この際、これらの層は、ＳｉＯ2層２６には成長せず、
ｎ型ＧａＡｓ基板２にだけ成長する。
【００２５】このことは、以下のように説明できる。一
般的に、ＭＯＣＶＤ法を用いた３―５族化合物半導体結
晶の成長は、半導体基板を加熱した状態で、この半導体
基板に半導体結晶を構成する３族元素を含む有機金属ガ
スと５族元素を含む水素化合物ガスを供給し、この半導
体基板の触媒作用により有機金属ガスを３族元素と有機
物に、水素化合物ガスを５族元素と水素に熱分解して、
この熱分解された３族元素と５族元素とが前記半導体基
板上で化学結合することによって行われる。このため、
ｎ型ＧａＡｓ基板２には、これらの有機金属ガスや水素
化合物を熱分解する触媒作用があるため、この熱分解さ
れた３族元素と５族元素が化学結合し、ｎ型ＧａＡｓ基
板２上に形成される。一方、ＳｉＯ2層２６には、上記
した触媒作用がないため、有機金属ガスや水素化合物ガ
スを熱分解して、このＳｉＯ2層２６上に形成すること
ができない。このため、上記した各層は、ｎ型ＧａＡｓ
基板２のみに成長し、ＳｉＯ2層２６に成長しないので
ある。
般的に、ＭＯＣＶＤ法を用いた３―５族化合物半導体結
晶の成長は、半導体基板を加熱した状態で、この半導体
基板に半導体結晶を構成する３族元素を含む有機金属ガ
スと５族元素を含む水素化合物ガスを供給し、この半導
体基板の触媒作用により有機金属ガスを３族元素と有機
物に、水素化合物ガスを５族元素と水素に熱分解して、
この熱分解された３族元素と５族元素とが前記半導体基
板上で化学結合することによって行われる。このため、
ｎ型ＧａＡｓ基板２には、これらの有機金属ガスや水素
化合物を熱分解する触媒作用があるため、この熱分解さ
れた３族元素と５族元素が化学結合し、ｎ型ＧａＡｓ基
板２上に形成される。一方、ＳｉＯ2層２６には、上記
した触媒作用がないため、有機金属ガスや水素化合物ガ
スを熱分解して、このＳｉＯ2層２６上に形成すること
ができない。このため、上記した各層は、ｎ型ＧａＡｓ
基板２のみに成長し、ＳｉＯ2層２６に成長しないので
ある。
【００２６】（第５工程）続いて、図６に示すように、
ＳｉＯ2層２６をエッチング除去後、スパッタ法によ
り、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３、２４上にＳｉＯ2を
形成し、このＳｉＯ2上にフォトリソグラフィ法により
フォトレジストパターン２９、２９を形成する。この
際、フォトレジストパターン２９、２９の間隔は、１０
０μｍ以内にする。この後、フォトレジストパターン２
９、２９で覆われた以外のＳｉＯ2をエッチング除去し
て、ＳｉＯ2パターン２８、２８を形成する。
ＳｉＯ2層２６をエッチング除去後、スパッタ法によ
り、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３、２４上にＳｉＯ2を
形成し、このＳｉＯ2上にフォトリソグラフィ法により
フォトレジストパターン２９、２９を形成する。この
際、フォトレジストパターン２９、２９の間隔は、１０
０μｍ以内にする。この後、フォトレジストパターン２
９、２９で覆われた以外のＳｉＯ2をエッチング除去し
て、ＳｉＯ2パターン２８、２８を形成する。
【００２７】（第６工程）この後、有機溶剤を用いて、
フォトレジストパターン２９、２９を除去する。更に、
図７に示すように、ドライエッチング法により、ＳｉＯ
2層２８、２８で覆われた以外の第２のｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１２、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３及び第
２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２４をそれぞれｐ型ＡｌＧａＡｓエッチング
ストップ層１１及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングスト
ップ層２２までエッチングしてリッジ部１４及びリッジ
部２５を形成する。この際、エッチング液の流れによ
り、リッジ部１４及びリッジ部２５は台形状となる。
フォトレジストパターン２９、２９を除去する。更に、
図７に示すように、ドライエッチング法により、ＳｉＯ
2層２８、２８で覆われた以外の第２のｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１２、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１３及び第
２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２４をそれぞれｐ型ＡｌＧａＡｓエッチング
ストップ層１１及びｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングスト
ップ層２２までエッチングしてリッジ部１４及びリッジ
部２５を形成する。この際、エッチング液の流れによ
り、リッジ部１４及びリッジ部２５は台形状となる。
【００２８】（第７工程）次に、図８に示すように、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、リッジ部１４、リッジ部２５、ｐ型
ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１及び第２のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２上にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５を形成する。この際、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１５は、リッジ部１４、リッジ部２５、ｐ型
ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１及び第２のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２にだけ成長
し、ＳｉＯ2パターン２８、２８上には成長しない。こ
のことは、前述した（第４工程）で説明した理由と同様
である。
ＯＣＶＤ法により、リッジ部１４、リッジ部２５、ｐ型
ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１及び第２のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２上にｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５を形成する。この際、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１５は、リッジ部１４、リッジ部２５、ｐ型
ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１１及び第２のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層２２にだけ成長
し、ＳｉＯ2パターン２８、２８上には成長しない。こ
のことは、前述した（第４工程）で説明した理由と同様
である。
【００２９】（第８工程）図９に示すように、ＳｉＯ2
パターン２８、２８をエッチング除去した後、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、リッジ部１４、リッジ部２５及びｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６
を形成する。更に、真空蒸着法により、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１６上にｐ型オーミック電極１７を形成し、
積層方向と反対側のｎ型ＧａＡｓ基板２にｎ型オーミッ
ク電極１８を形成する。
パターン２８、２８をエッチング除去した後、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、リッジ部１４、リッジ部２５及びｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層１５上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６
を形成する。更に、真空蒸着法により、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１６上にｐ型オーミック電極１７を形成し、
積層方向と反対側のｎ型ＧａＡｓ基板２にｎ型オーミッ
ク電極１８を形成する。
【００３０】（第９工程）この後、図１０に示すよう
に、フォトリソグラフィ法により、ｐ型オーミック電極
１７上のリッジ部１４とリッジ部２５との間に対応する
部分に図示しない開口部を有するフォトレジストパター
ンを形成する。次に、ドライエッチング法により、この
開口部から露出したｐ型オーミック電極１７からｎ型Ｇ
ａＡｓ基板２の途中までエッチングして分離溝５を形成
する。ここで、この分離溝５によって、ｐ型オーミック
電極１７は、ｐ型オーミック電極１７ａと１７ｂに、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１６は、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層１６ａと１６ｂに、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５ａと１５ｂに分離され
る。
に、フォトリソグラフィ法により、ｐ型オーミック電極
１７上のリッジ部１４とリッジ部２５との間に対応する
部分に図示しない開口部を有するフォトレジストパター
ンを形成する。次に、ドライエッチング法により、この
開口部から露出したｐ型オーミック電極１７からｎ型Ｇ
ａＡｓ基板２の途中までエッチングして分離溝５を形成
する。ここで、この分離溝５によって、ｐ型オーミック
電極１７は、ｐ型オーミック電極１７ａと１７ｂに、ｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１６は、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層１６ａと１６ｂに、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５ａと１５ｂに分離され
る。
【００３１】（第１０工程）更に、フォトリソグラフィ
法により、図示しないフォトレジストパターンを形成し
た後、スパッタ法により、図示しないフォトレジストパ
ターン及び分離溝５にＳｉＯ2やＳｉ2Ｎ3等からなる絶
縁層６、ＴｉやＡｕ等からなる金属層７を順次形成す
る。この後、図示しないフォトレジストパターンを有機
溶剤で除去して、図１に示す半導体レーザ素子１が得ら
れる。なお、図示しないフォトレジストパターン上に形
成された絶縁層６や金属層７は、有機溶剤でこのフォト
レジストパターンを除去する時に同時に除去される。
法により、図示しないフォトレジストパターンを形成し
た後、スパッタ法により、図示しないフォトレジストパ
ターン及び分離溝５にＳｉＯ2やＳｉ2Ｎ3等からなる絶
縁層６、ＴｉやＡｕ等からなる金属層７を順次形成す
る。この後、図示しないフォトレジストパターンを有機
溶剤で除去して、図１に示す半導体レーザ素子１が得ら
れる。なお、図示しないフォトレジストパターン上に形
成された絶縁層６や金属層７は、有機溶剤でこのフォト
レジストパターンを除去する時に同時に除去される。
【００３２】このように、分離溝５は、ドライエッチン
グ法によるイオンを用いたエッチングであるので、金属
や半導体材料を問わず、精度良く作製できる。このた
め、分離溝５中に形成される金属層７も精度良く形成で
きるので、半導体レーザ素子１から発生する熱を常時安
定して放出することができる。
グ法によるイオンを用いたエッチングであるので、金属
や半導体材料を問わず、精度良く作製できる。このた
め、分離溝５中に形成される金属層７も精度良く形成で
きるので、半導体レーザ素子１から発生する熱を常時安
定して放出することができる。
【００３３】このようにして作製された半導体レーザ素
子１を周囲温度７０℃の環境下で５０ｍＡの電流を流し
て信頼性を行ったところ、従来の半導体レーザ素子３０
では１００時間の信頼性寿命しかなかったものが、３０
００時間まで信頼性寿命があり、十分な信頼性を有した
半導体レーザ素子１であることがわかった。
子１を周囲温度７０℃の環境下で５０ｍＡの電流を流し
て信頼性を行ったところ、従来の半導体レーザ素子３０
では１００時間の信頼性寿命しかなかったものが、３０
００時間まで信頼性寿命があり、十分な信頼性を有した
半導体レーザ素子１であることがわかった。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体レ−ザ素子によれば、半
導体基板上に互いに隣接して形成された第１の半導体レ
ーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子との間に形成さ
れ、かつ前記半導体基板の途中までエッチング形成され
た分離溝と、前記分離溝中に順次形成された絶縁層と、
金属層とからなるので、第１の半導体レーザ素子と第２
の半導体レーザ素子とを電気的に分離し、かつ第１の半
導体レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子を動作させ
る際に発生する熱を効率良く外部に放出することができ
る。このため、半導体レーザ素子は、結晶欠陥や転位の
発生を低減でき、良好な信頼性を得ることができる。
導体基板上に互いに隣接して形成された第１の半導体レ
ーザ素子と前記第２の半導体レーザ素子との間に形成さ
れ、かつ前記半導体基板の途中までエッチング形成され
た分離溝と、前記分離溝中に順次形成された絶縁層と、
金属層とからなるので、第１の半導体レーザ素子と第２
の半導体レーザ素子とを電気的に分離し、かつ第１の半
導体レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子を動作させ
る際に発生する熱を効率良く外部に放出することができ
る。このため、半導体レーザ素子は、結晶欠陥や転位の
発生を低減でき、良好な信頼性を得ることができる。
【図１】本発明の半導体レーザ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第１工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第２工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第３工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第４工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第５工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第６工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図８】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第７工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図９】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第８工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図１０】本発明の半導体レーザ素子の製造方法の第９
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体レーザ素子を示す断面図である
１…半導体レ−ザ素子、２…ｎ型ＧａＡｓ基板（半導体
基板）、３…ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子（第１の半
導体レーザ素子）、４…ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素
子（第２の半導体レーザ素子）、５…分離溝、６…絶縁
層、７…金属層
基板）、３…ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ素子（第１の半
導体レーザ素子）、４…ＡｌＧａＩｎＰ半導体レーザ素
子（第２の半導体レーザ素子）、５…分離溝、６…絶縁
層、７…金属層
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に互いに隣接して形成された
第１の半導体レーザ素子と、第２の半導体レーザ素子と
を有する半導体レーザ素子において、 前記第１の半導体レーザ素子と前記第２の半導体レーザ
素子との間に形成され、かつ前記半導体基板の途中まで
エッチング形成された分離溝と、前記分離溝中に順次形
成された絶縁層と、金属層とからなることを特徴とする
半導体レーザ素子。 - 【請求項２】前記金属層は、Ｔｉ、Ａｕであることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254916A JP2000091698A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254916A JP2000091698A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091698A true JP2000091698A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17271647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10254916A Pending JP2000091698A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091698A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002344084A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-29 | Sony Corp | マルチビーム半導体発光装置及びその作製方法 |
| JP2003031904A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sony Corp | 半導体レーザー装置の製造方法 |
| JP2004356586A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2005197414A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Sony Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
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-
1998
- 1998-09-09 JP JP10254916A patent/JP2000091698A/ja active Pending
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