JP2000091224A - Method and device for heat treatment - Google Patents
Method and device for heat treatmentInfo
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- JP2000091224A JP2000091224A JP29473798A JP29473798A JP2000091224A JP 2000091224 A JP2000091224 A JP 2000091224A JP 29473798 A JP29473798 A JP 29473798A JP 29473798 A JP29473798 A JP 29473798A JP 2000091224 A JP2000091224 A JP 2000091224A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われる
ガラス基板に対して加熱処理を施す加熱処理方法及び加
熱処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment method and a heat treatment apparatus for performing a heat treatment on a glass substrate used for, for example, a liquid crystal display (LCD).
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用
のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や
電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造
に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利
用される。フォトリソグラフィ技術では、レジスト膜を
基板上に形成し、これを露光し、さらに現像している。2. Description of the Related Art In an LCD manufacturing process, a photolithography technique similar to that used in the manufacture of semiconductor devices is used to form an ITO (Indium Tin Oxide) thin film and an electrode pattern on an LCD glass substrate. Used. In the photolithography technique, a resist film is formed on a substrate, which is exposed and further developed.
【０００３】上記のレジスト膜の形成工程では、ガラス
基板上にレジスト液を塗布した後に、加熱処理して乾燥
させており、このような加熱処理は、一般に図８に示す
ような加熱処理装置１００によって行われる。In the above-described resist film forming step, a resist solution is applied onto a glass substrate and then heated and dried. Such a heat treatment is generally performed by a heating apparatus 100 as shown in FIG. Done by
【０００４】この加熱処理装置１００では、ホットプレ
ート１０１表面に設けられた支持ピン１０２上にガラス
基板Ｇを載せ、その上から蓋体１０３を被せて加熱処理
空間１０４を形成する。そして、ホットプレート１０１
自体を所定の加熱温度にすると共に、加熱処理空間１０
４内にも例えば加熱エアーを送り込み、ガラス基板Ｇを
加熱処理している。In the heat treatment apparatus 100, a glass substrate G is placed on support pins 102 provided on the surface of a hot plate 101, and a lid 103 is placed on the glass substrate G to form a heat treatment space 104. And hot plate 101
The temperature of the heat treatment space 10
For example, heated air is fed into the glass substrate 4 to heat the glass substrate G.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな加熱処理装置では、特に乾燥性の高いレジストにお
いて、図９に示すように、レジスト層１０５の内部１０
６の乾燥が不充分なまま表面１０７から乾きが発生する
ため、ガラス基板Ｇの支持ピン１０２との接触部分や
溝、穴部分に転写が発生する、という課題がある。However, in such a heat treatment apparatus, particularly in a highly dry resist, as shown in FIG.
Since drying occurs from the surface 107 with insufficient drying of 6, there is a problem that transfer occurs at a contact portion of the glass substrate G with the support pins 102, a groove, and a hole portion.
【０００６】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、被処理体上に塗布された塗布液を内部
から乾燥させることができ、転写の発生を防止すること
ができる加熱処理方法及び加熱処理装置を提供すること
を目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and a heat treatment capable of drying a coating solution applied on an object to be processed from the inside and preventing transfer from occurring. It is an object to provide a method and a heat treatment device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の加熱処理方法は、塗布液が塗布された被処
理体を溶剤雰囲気中で加熱して乾燥するものである。即
ち、本発明では、被処理体上に塗布された塗布液の表面
には溶剤雰囲気が充満しているため、被処理体表面に接
触している内部の塗布液から乾燥が始まり、最後に塗布
液の表面が乾燥する。これにより、転写の発生を防止す
ることができる。In order to solve the above-mentioned problems, the heat treatment method of the present invention is to heat and dry the object to which the coating solution is applied in a solvent atmosphere. That is, in the present invention, since the surface of the coating liquid applied on the object to be processed is filled with the solvent atmosphere, drying starts from the inner coating liquid in contact with the surface of the object to be processed, and finally the coating is performed. The surface of the liquid dries. As a result, transfer can be prevented.
【０００８】本発明の加熱処理方法は、塗布液が塗布さ
れた被処理体を処理室内で加熱して乾燥する加熱処理方
法であって、（ａ）前記処理室内を溶剤雰囲気に飽和す
る工程と、（ｂ）前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送
り込みつつ排気する工程と、（ｃ）前記処理室内への気
化溶剤の送り込みを停止して排気する工程とを具備する
ものである。即ち、本発明では、（ａ）工程により被処
理体表面に接触している内部の塗布液から乾燥を開始さ
せ、（ｂ）工程により塗布液内部から乾燥させながら塗
布液表面から乾きを促進し、（ｃ）工程により乾燥をさ
らに促進している。よって、被処理体を溶剤雰囲気中で
加熱して乾燥した場合に、乾燥速度が遅くなりスループ
ットの低下の原因となるおそれがあるが、このような事
態を回避し、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速めス
ループットの向上を図ることができる。[0008] The heat treatment method of the present invention is a heat treatment method for heating and drying an object to be coated on which a coating solution is applied in a processing chamber, wherein (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere. (B) exhausting the vaporized solvent while sending it into the saturated processing chamber; and (c) stopping and exhausting the vaporized solvent into the processing chamber. That is, in the present invention, drying is started from the inside of the coating liquid in contact with the surface of the object to be processed in the step (a), and drying is promoted from the surface of the coating liquid while drying from the inside of the coating liquid in the step (b). , (C) further promotes drying. Therefore, when the object to be processed is heated and dried in a solvent atmosphere, there is a possibility that the drying speed is reduced and the throughput is reduced.However, such a situation is avoided and transfer is prevented. The drying speed can be increased to improve the throughput.
【０００９】本発明の加熱処理方法は、塗布液が塗布さ
れた被処理体を処理室内で加熱して乾燥する加熱処理方
法であって、（ａ）前記処理室内を溶剤雰囲気に飽和す
る工程と、（ｂ）前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送
り込みつつ排気する工程と、（ｃ）前記処理室内を大気
開放する工程とを具備するものである。即ち、本発明で
は、（ａ）工程により被処理体表面に接触している内部
の塗布液から乾燥を開始させ、（ｂ）工程により塗布液
内部から乾燥させながら塗布液表面から乾きを促進し、
（ｃ）工程により乾燥をさらに促進している。よって、
このような事態を回避し、転写の発生を防止しつつ乾燥
速度を速めスループットの向上を図ることができる。The heat treatment method of the present invention is a heat treatment method for heating and drying an object to which a coating solution is applied in a processing chamber, wherein (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere. (B) exhausting the vaporized solvent while feeding it into the saturated processing chamber; and (c) releasing the processing chamber to the atmosphere. That is, in the present invention, drying is started from the inside of the coating liquid in contact with the surface of the object to be processed in the step (a), and drying is promoted from the surface of the coating liquid while drying from the inside of the coating liquid in the step (b). ,
The drying is further promoted by the step (c). Therefore,
By avoiding such a situation, it is possible to increase the drying speed and improve the throughput while preventing the occurrence of transfer.
【００１０】本発明の加熱処理方法は、前記（ｂ）工程
で、処理室の排気量を処理室への気化溶剤の送り込み量
より徐々に大きくして行くものである。即ち、本発明で
は、（ｂ）工程における塗布液内部からの乾燥をよりス
ムーズに行うことができる。In the heat treatment method of the present invention, in the step (b), the exhaust amount of the processing chamber is gradually increased from the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber. That is, in the present invention, the drying from the inside of the coating liquid in the step (b) can be performed more smoothly.
【００１１】本発明の加熱処理方法は、処理室の排気量
または処理室への気化溶剤の送り込み量の制御を、制御
信号のパルス数またはパルス幅に応じたバルプの開閉に
より行うものである。これにより、処理室の排気量また
は処理室への気化溶剤の送り込み量の制御を簡単にかつ
精度よく行うことができる。In the heat treatment method of the present invention, the control of the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber is performed by opening and closing a valve in accordance with the pulse number or pulse width of the control signal. This makes it possible to easily and accurately control the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent sent to the processing chamber.
【００１２】本発明の加熱処理装置は、被処理体を収容
して加熱する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り
込む手段と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理
室内を溶剤雰囲気に飽和した後、前記飽和した処理室内
へ気化溶剤を送り込みつつ排気し、その後前記処理室内
への気化溶剤の送り込みを停止して排気するように上記
の手段を制御する手段とを具備するものである。即ち、
本発明では、処理室内を溶剤雰囲気に飽和することで被
処理体表面に接触している内部の塗布液から乾燥を開始
させ、飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気
することで塗布液内部から乾燥させながら塗布液表面か
ら乾きを促進し、処理室内への気化溶剤の送り込みを停
止して排気することで乾燥をさらに促進している。よっ
て、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速めスループッ
トの向上を図ることができる。[0012] A heat treatment apparatus according to the present invention comprises a processing chamber for housing and heating an object to be processed, a means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, a means for exhausting the processing chamber, and a solvent atmosphere in the processing chamber. After exhausting while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber, and then stopping the supply of the vaporized solvent into the processing chamber and then controlling the above means to exhaust. is there. That is,
In the present invention, drying is started from the coating liquid in contact with the surface of the object to be processed by saturating the processing chamber with a solvent atmosphere, and exhausting while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber. The drying is further promoted by promoting drying from the surface of the coating solution while drying from the surface of the coating solution, and stopping and feeding the vaporized solvent into the processing chamber. Therefore, the drying speed can be increased and the throughput can be improved while preventing the occurrence of transfer.
【００１３】本発明の加熱処理装置は、被処理体を収容
して加熱する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り
込む手段と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理
室内を溶剤雰囲気に飽和した後、処理室の排気量を処理
室への気化溶剤の送り込み量より徐々に大きくしながら
前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気
し、その後前記処理室内への気化溶剤の送り込みを停止
して排気するように上記の手段を制御する手段とを具備
するものである。即ち、本発明では、処理室内を溶剤雰
囲気に飽和した後に、処理室の排気量を処理室への気化
溶剤の送り込み量より徐々に大きくしながら飽和した処
理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気しているので、塗
布液内部からの乾燥をよりスムーズに行うことができ
る。[0013] The heat treatment apparatus of the present invention comprises a processing chamber for housing and heating an object to be processed, a means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, a means for exhausting the processing chamber, and a solvent atmosphere in the processing chamber. After saturating, the exhaust amount of the processing chamber is gradually increased from the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber, and the vaporized solvent is exhausted while being sent into the saturated processing chamber, and then the vaporized solvent is fed into the processing chamber. And means for controlling the above means so as to stop and exhaust. That is, in the present invention, after the processing chamber is saturated with the solvent atmosphere, the exhaust gas is exhausted while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber while gradually increasing the exhaust amount of the processing chamber from the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber. Therefore, drying from inside the coating liquid can be performed more smoothly.
【００１４】本発明の加熱処理装置は、被処理体を収容
して加熱する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り
込む手段と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理
室内を溶剤雰囲気に飽和した後、前記飽和した処理室内
へ気化溶剤を送り込みつつ排気するように上記の手段を
制御する手段と、前記処理室内を大気開放する手段とを
具備するものである。即ち、本発明では、処理室内を溶
剤雰囲気に飽和することで被処理体表面に接触している
内部の塗布液から乾燥を開始させ、飽和した処理室内へ
気化溶剤を送り込みつつ排気することで塗布液内部から
乾燥させながら塗布液表面から乾きを促進し、処理室内
を大気開放することで乾燥をさらに促進している。よっ
て、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速めスループッ
トの向上を図ることができる。[0014] The heat treatment apparatus of the present invention comprises a processing chamber for housing and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and a solvent atmosphere in the processing chamber. And a means for controlling the above means so that the vaporized solvent is exhausted while being fed into the saturated processing chamber after the saturation, and a means for opening the processing chamber to the atmosphere. That is, in the present invention, the coating is started by starting the drying from the coating liquid in contact with the surface of the processing object by saturating the processing chamber with the solvent atmosphere, and exhausting while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber. Drying is promoted from the surface of the coating solution while drying from inside the solution, and drying is further promoted by opening the processing chamber to the atmosphere. Therefore, the drying speed can be increased and the throughput can be improved while preventing the occurrence of transfer.
【００１５】本発明の加熱処理装置は、被処理体を収容
して加熱する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り
込む手段と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理
室内を溶剤雰囲気に飽和した後、処理室の排気量を処理
室への気化溶剤の送り込み量より徐々に大きくしながら
前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気す
るように上記の手段を制御する手段と、前記処理室内を
大気開放する手段とを具備するものである。即ち、本発
明では、処理室内を溶剤雰囲気に飽和した後に、処理室
の排気量を処理室への気化溶剤の送り込み量より徐々に
大きくしながら飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込み
つつ排気しているので、塗布液内部からの乾燥をよりス
ムーズに行うことができる。[0015] The heat treatment apparatus of the present invention comprises a processing chamber for housing and heating an object to be processed, a means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, a means for exhausting the processing chamber, and a solvent atmosphere in the processing chamber. After saturation, means for controlling the above means to exhaust while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber while gradually increasing the exhaust amount of the processing chamber to the amount of vaporized solvent sent to the processing chamber, Means for opening the processing chamber to the atmosphere. That is, in the present invention, after the processing chamber is saturated with the solvent atmosphere, the exhaust gas is exhausted while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber while gradually increasing the exhaust amount of the processing chamber from the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber. Therefore, drying from inside the coating liquid can be performed more smoothly.
【００１６】本発明の加熱処理装置は、処理室の排気量
または処理室への気化溶剤の送り込み量の制御を、制御
信号のパルス数またはパルス幅に応じたバルプの開閉に
より行うものである。これにより、処理室の排気量また
は処理室への気化溶剤の送り込み量の制御を簡単にかつ
精度よく行うことができる。In the heat treatment apparatus of the present invention, control of the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber is performed by opening and closing a valve in accordance with the pulse number or pulse width of the control signal. This makes it possible to easily and accurately control the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent sent to the processing chamber.
【００１７】本発明の加熱処理装置は、被処理体を収容
して加熱する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り
込む手段と、前記処理室内を排気する手段とを具備する
ものである。即ち、本発明では、被処理体表面に接触し
ている内部の塗布液から乾燥が始まり、最後に塗布液の
表面が乾燥するように加熱処理することができるので、
転写の発生を防止することができる。[0017] The heat treatment apparatus of the present invention includes a treatment chamber for accommodating and heating an object to be treated, means for feeding a vaporized solvent into the treatment chamber, and means for exhausting the treatment chamber. That is, in the present invention, drying starts from the inner coating liquid that is in contact with the surface of the object to be processed, and heat treatment can be performed so that the surface of the coating liquid is finally dried.
Transfer can be prevented.
【００１８】本発明の加熱処理装置は、被処理体を保持
しつつ加熱する熱板と、前記被処理体を保持した熱板を
囲繞する蓋体と、前記熱板と前記蓋体により囲まれた空
間へ気化溶剤を送り込む手段と、前記空間を排気する手
段と、前記蓋体を開閉する手段とを具備するものであ
る。これにより、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速
めスループットの向上を図ることができる。The heat treatment apparatus according to the present invention includes a heating plate for heating while holding the object to be processed, a lid surrounding the hot plate holding the object to be processed, and a lid surrounded by the heating plate and the lid. Means for feeding a vaporized solvent into the space, means for exhausting the space, and means for opening and closing the lid. This makes it possible to increase the drying speed and improve the throughput while preventing the occurrence of transfer.
【００１９】本発明の加熱処理装置は、被処理体を保持
しつつ加熱する熱板と、前記被処理体を保持した熱板を
囲繞すると共に、排気通路が設けられた第１の蓋体と、
前記熱板を囲繞する第１の蓋体を囲繞する第２の蓋体
と、前記熱板と前記第１の蓋体により囲まれた空間へ気
化溶剤を送り込む手段と、前記第１の蓋体を囲繞する第
２の蓋体により囲まれた空間を排気する手段と、前記第
１及び第２の蓋体を開閉する手段とを具備するものであ
る。即ち、本発明では、蓋体を２重構造とし、内側の蓋
体内に気体溶剤を送り込み、その外側を排気するように
しているので、従来構成からの改良が容易であり、しか
も気体溶剤が外部に漏れる可能性が低く安全性が高い。The heat treatment apparatus according to the present invention includes a heating plate for heating while holding the object to be processed, a first lid surrounding the heating plate holding the object to be processed, and having an exhaust passage. ,
A second lid surrounding a first lid surrounding the hot plate, a unit for feeding a vaporized solvent into a space surrounded by the hot plate and the first lid, and a first lid And means for opening and closing the first and second lids. That is, in the present invention, since the lid has a double structure, the gaseous solvent is fed into the inner lid and the outside is evacuated, it is easy to improve the conventional configuration, and the gaseous solvent is removed from the outside. The possibility of leakage is low and the safety is high.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係
る塗布・現像処理システムの斜視図である。図１に示す
ように、この塗布・現像処理システム１の前方には、ガ
ラス基板Ｇを、塗布・現像処理システム１に対して搬出
入するローダ・アンローダ部２が設けられている。この
ローダ・アンローダ部２には、ガラス基板Ｇを例えば２
５枚ずつ収納したカセットＣを所定位置に整列させて載
置させるカセット載置台３と、各カセットＣから処理す
べきガラス基板Ｇを取り出し、また塗布・現像処理シス
テム１において処理の終了したガラス基板Ｇを各カセッ
トＣへ戻すローダ・アンローダ４が設けられている。図
示のローダアンローダ４は、本体５の走行によってカセ
ットＣの配列方向に移動し、本体５に搭載された板片状
のピンセット６によって各カセットＣからガラス基板Ｇ
を取り出し、また各カセットＣへガラス基板Ｇを戻すよ
うになっている。また、ピンセット６の両側には、ガラ
ス基板Ｇの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合
わせ部材７が設けられている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a coating / developing processing system according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a loader / unloader unit 2 that carries a glass substrate G in and out of the coating and developing system 1 is provided in front of the coating and developing system 1. In the loader / unloader unit 2, the glass substrate G is
A cassette mounting table 3 for arranging and mounting cassettes C containing five sheets at predetermined positions, a glass substrate G to be processed being taken out of each cassette C, and a glass substrate having been processed in the coating and developing system 1 A loader / unloader 4 for returning G to each cassette C is provided. The illustrated loader / unloader 4 moves in the direction in which the cassettes C are arranged by traveling of the main body 5, and is moved from each cassette C to the glass substrate G by plate-like tweezers 6 mounted on the main body 5.
, And the glass substrate G is returned to each cassette C. Further, on both sides of the tweezers 6, there are provided substrate positioning members 7 for holding and positioning the four corners of the glass substrate G.
【００２１】塗布・現像処理システム１の中央部には、
長手方向に配置された廊下状の搬送路１０、１１が第１
の受け渡し部１２を介して一直線上に設けられており、
この搬送路１０、１１の両側には、ガラス基板Ｇに対す
る各処理を行うための各種処理装置が配置されている。At the center of the coating and developing system 1,
Corridor-like transport paths 10, 11 arranged in the longitudinal direction are the first.
Are provided in a straight line via the transfer unit 12 of
Various processing apparatuses for performing each processing on the glass substrate G are arranged on both sides of the transport paths 10 and 11.
【００２２】図示の塗布・現像処理システム１にあって
は、搬送路１０の一側方に、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄
すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄
装置１６が例えば２台並設されている。また、搬送路１
０を挟んで反対側に、二基の現像装置１７が並設され、
その隣りに二基の加熱処理装置１８が積み重ねて設けら
れている。In the coating / development processing system 1 shown in the drawing, for example, two cleaning devices 16 for cleaning the glass substrate G by brush and high-pressure jet water are provided on one side of the transport path 10. Has been established. In addition, transport path 1
Two developing devices 17 are arranged side by side on the opposite side with respect to 0,
Two heat treatment devices 18 are stacked next to each other.
【００２３】また、搬送路１１の一側方に、ガラス基板
Ｇにレジスト液を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理
するアドヒージョン装置２０が設けられ、このアドヒー
ジョン装置２０の下方には冷却用のクーリング装置２１
が配置されている。また、これらアドヒージョン装置２
０とクーリング装置２１の隣には加熱処理装置２２が二
列に二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路
１１を挟んで反対側に、ガラス基板Ｇの表面にレジスト
液を塗布することによってガラス基板Ｇの表面にレジス
ト膜を形成するレジスト塗布装置２３が配置されてい
る。図示はしないが、これら塗布装置２３の側部には、
第２の受け渡し部２８を介し、ガラス基板Ｇ上に形成さ
れたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための
露光装置等が設けられる。第２の受け渡し部２８は、ガ
ラス基板Ｇを搬入および搬出するための搬出入ピンセッ
ト２９および受け渡し台３０を備えている。Further, on one side of the transport path 11, an adhesion device 20 for hydrophobically treating the glass substrate G before applying the resist liquid to the glass substrate G is provided. Below the adhesion device 20, a cooling device is provided. Cooling device 21
Is arranged. In addition, these adhesion devices 2
Next to the cooling device 21 and 0, two heat treatment devices 22 are stacked in two rows. On the opposite side of the transport path 11, a resist coating device 23 that forms a resist film on the surface of the glass substrate G by applying a resist liquid on the surface of the glass substrate G is disposed. Although not shown, on the side of these coating devices 23,
An exposure device or the like for exposing a predetermined fine pattern to the resist film formed on the glass substrate G via the second transfer unit 28 is provided. The second transfer unit 28 includes a loading / unloading tweezers 29 for loading and unloading the glass substrate G, and a delivery table 30.
【００２４】以上の各処理装置１５〜１８および２０〜
２３は、何れも搬送路１０、１１の両側において、ガラ
ス基板Ｇの出入口を内側に向けて配設されている。第１
の搬送装置２５がローダ・アンローダ部２、各処理装置
１５〜１８および第１の受け渡し部１２との間でガラス
基板Ｇを搬送するために搬送路１０上を移動し、第２の
搬送装置２６が第１の受け渡し部１２、第２の受け渡し
部２８および各処理装置２０〜２３との間でガラス基板
Ｇを搬送するために搬送路１１上を移動するようになっ
ている。The above processing units 15 to 18 and 20 to
23 is disposed on both sides of the transport paths 10 and 11 with the entrance of the glass substrate G facing inward. First
Transfer device 25 moves on the transfer path 10 to transfer the glass substrate G between the loader / unloader unit 2, each of the processing devices 15 to 18, and the first transfer unit 12, and the second transfer device 26 Move on the transfer path 11 to transfer the glass substrate G between the first transfer unit 12, the second transfer unit 28, and each of the processing devices 20 to 23.
【００２５】各搬送装置２５、２６は、それぞれ上下一
対のアーム２７、２７を有しており、各処理装置１５〜
１８および２０〜２３にアクセスするときは、一方のア
ーム２７で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス
基板Ｇを搬出し、他方のアーム２７で処理前のガラス基
板Ｇをチャンバ内に搬入するように構成されている。Each of the transfer devices 25 and 26 has a pair of upper and lower arms 27 and 27, respectively.
When accessing 18 and 20 to 23, the processed glass substrate G is unloaded from the chamber of each processing apparatus by one arm 27, and the unprocessed glass substrate G is loaded into the chamber by the other arm 27. Is configured.
【００２６】図２は上述した加熱処理装置２２の構成を
示す正面図である。この加熱処理装置２２のほぼ中央に
は、ホットプレート（熱板）３１が配置されている。そ
して、ホットプレート３１の下部には、ヒータ３２が配
置されている。また、ホットプレート３１の表面には、
複数の支持ピン３３が設けられ、加熱処理時にはこの支
持ピン３３の上にガラス基板Ｇが載置され、ガラス基板
Ｇは直接ホットプレート３１に接触しないようになって
いる。FIG. 2 is a front view showing the structure of the above-described heat treatment apparatus 22. A hot plate (hot plate) 31 is disposed substantially at the center of the heat treatment device 22. A heater 32 is arranged below the hot plate 31. Also, on the surface of the hot plate 31,
A plurality of support pins 33 are provided, and a glass substrate G is mounted on the support pins 33 during the heat treatment so that the glass substrate G does not directly contact the hot plate 31.
【００２７】ホットプレート３１上には、このホットプ
レートを囲繞するための蓋体３４が配置され、この蓋体
３４は図示を省略した昇降機構により昇降可能となって
いる。そして、加熱処理時にはホットプレート３１上に
この蓋体３４が被せられて加熱処理空間３５が形成され
るようになっている。A cover 34 for surrounding the hot plate is disposed on the hot plate 31, and the cover 34 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown). Then, at the time of the heat treatment, the lid 34 is placed on the hot plate 31 to form a heat treatment space 35.
【００２８】蓋体３４の上部外周付近には、気体溶剤と
してのシンナガスを加熱処理空間３５内に送り込むため
のガス導入孔３６が複数設けられている。ガス導入孔３
６は配管３７を介してシンナガス送出機構３８に接続さ
れている。また、この配管３７上には開閉バルプ３９が
配置され、この開閉バルプ３９は制御装置４０の制御の
基で開閉制御が行われるようになっている。そして、加
熱処理空間３５へのシンナガスの送り込み量は、図３
（ａ）に示すように制御装置４０の制御信号のパルス数
（Ｓｎ）に応じて開閉バルプ３９を開閉することで制御
されるようになっている。なお、図３（ｂ）に示すよう
に制御装置４０の制御信号のパルス幅（Ｓｌ）に応じて
開閉バルプ３９を開閉するようにしてもよい。A plurality of gas introduction holes 36 for feeding thinner gas as a gaseous solvent into the heat treatment space 35 are provided in the vicinity of the upper outer periphery of the lid 34. Gas inlet 3
6 is connected to a thinner gas delivery mechanism 38 via a pipe 37. An opening / closing valve 39 is arranged on the pipe 37, and the opening / closing valve 39 is controlled to open and close under the control of the control device 40. The amount of thinner gas fed into the heat treatment space 35 is as shown in FIG.
As shown in (a), the control is performed by opening and closing the opening and closing valve 39 in accordance with the pulse number (Sn) of the control signal of the control device 40. As shown in FIG. 3B, the opening and closing valve 39 may be opened and closed according to the pulse width (S1) of the control signal of the control device 40.
【００２９】蓋体３４のほぼ中央には、加熱処理空間３
５を排気するための排気孔４１が設けられている。排気
孔４１は配管４２を介して排気機構４３に接続されてい
る。また、この配管４２上には開閉バルプ４４が配置さ
れ、この開閉バルプ４４は制御装置４０の制御の基で図
３に示したものと同様の開閉制御が行われるようになっ
ている。At the substantially center of the lid 34, a heat treatment space 3 is provided.
An exhaust hole 41 for exhausting the exhaust gas 5 is provided. The exhaust hole 41 is connected to an exhaust mechanism 43 via a pipe 42. An opening / closing valve 44 is disposed on the pipe 42. The opening / closing valve 44 is controlled by the control device 40 to perform the same opening / closing control as that shown in FIG.
【００３０】次に、このように構成された加熱処理装置
２２の動作について説明する。図４はこの加熱処理装置
２２の動作を示す処理フローである。蓋体３４が上昇し
てホットプレート３１上に被せられていない状態で、加
熱処理装置２２内に塗布液としてのレジスト液が塗布さ
れたガラス基板Ｇが搬入され、ホットプレート３１の支
持ピン３３上に載置される。Next, the operation of the heat treatment apparatus 22 configured as described above will be described. FIG. 4 is a processing flow showing the operation of the heat treatment apparatus 22. With the lid 34 raised and not covered on the hot plate 31, the glass substrate G coated with the resist liquid as a coating liquid is carried into the heat treatment device 22, and the glass substrate G is placed on the support pins 33 of the hot plate 31. Placed on
【００３１】次に、蓋体３５が下降してホットプレート
３１上に被せられ、ホットプレート３１と蓋体３５とで
加熱処理空間３５が形成される。Next, the lid 35 is lowered to cover the hot plate 31, and the hot plate 31 and the lid 35 form a heat treatment space 35.
【００３２】そして、ホットプレート３１がヒータ３２
により加熱されると共に（既に加熱されていてもよ
い。）、開閉バルプ４４が閉じて排気孔４１が閉じた状
態で、ガス導入孔３６より加熱処理空間３５内にシンナ
ガスが導入され、加熱処理空間３５内がシンナガス雰囲
気で飽和される（ステップ４０１）。Then, the hot plate 31 is
(Or may be already heated), and thinner gas is introduced from the gas introduction hole 36 into the heat treatment space 35 with the open / close valve 44 closed and the exhaust hole 41 closed. 35 is saturated with a thinner gas atmosphere (step 401).
【００３３】次に、ガス導入孔３６より飽和した加熱処
理空間３５内へシンナガスを送り込みつつ、開閉バルプ
４４を開いて排気孔４１より加熱処理空間３５を排気す
る（ステップ４０２）。その際、加熱処理空間３５の排
気量を加熱処理空間３５へのシンナガスの送り込み量よ
り徐々に大きくして行くことで、図５に示すように、加
熱処理空間３５内におけるシンナの含有量を徐々に減ら
していく。このような制御は開閉バルプ３９または開閉
バルプ４４のうち一方または両方を開閉制御することに
よって行われる。Next, the open / close valve 44 is opened and the heat treatment space 35 is exhausted from the exhaust hole 41 while the thinner gas is fed into the heat treatment space 35 saturated from the gas introduction hole 36 (step 402). At this time, by gradually increasing the exhaust amount of the heat treatment space 35 from the amount of the thinner gas fed into the heat treatment space 35, the thinner content in the heat treatment space 35 is gradually reduced as shown in FIG. To reduce. Such control is performed by controlling opening / closing of one or both of the open / close valve 39 and the open / close valve 44.
【００３４】次に、開閉バルプ３９を閉じて加熱処理空
間３５内へのシンナガスの送り込みを停止しつつ、開閉
バルプ４４を開いて排気孔４１より加熱処理空間３５を
排気する（ステップ４０３）。Next, the open / close valp 44 is opened and the heat treatment space 35 is exhausted from the exhaust hole 41 while closing the opening / closing valve 39 and stopping the supply of the thinner gas into the heat treatment space 35 (step 403).
【００３５】以上の工程で加熱処理が完了すると、蓋体
３４が上昇して加熱処理装置２２内からガラス基板Ｇが
搬出される。When the heat treatment is completed in the above steps, the lid 34 is raised and the glass substrate G is carried out from the heat treatment device 22.
【００３６】以上のように、この実施の形態によれば、
加熱処理に際し、ガラス基板Ｇ上に塗布されたレジスト
液の表面にはシンナガス雰囲気が充満しているため、ガ
ラス基板Ｇ表面に接触している内部のレジスト液から乾
燥が始まり、最後にレジスト液の表面が乾燥する。従っ
て、加熱処理の際にガラス基板Ｇを支持ピン３３により
支持していても転写の発生を防止することができる。As described above, according to this embodiment,
During the heat treatment, the surface of the resist liquid applied on the glass substrate G is filled with a thinner gas atmosphere, so that drying starts from the internal resist liquid in contact with the surface of the glass substrate G, and finally the resist liquid The surface dries. Therefore, even when the glass substrate G is supported by the support pins 33 during the heat treatment, transfer can be prevented.
【００３７】次に本発明の他の実施形態について説明す
る。図６はこの実施形態の動作を示す処理フローであ
る。この実施形態では、加熱処理の際に、まず排気孔４
１を閉じた状態で、ガス導入孔３６より加熱処理空間３
５内にシンナガスを導入し、加熱処理空間３５内をシン
ナガス雰囲気で飽和し（ステップ６０１）、次にガス導
入孔３６より飽和した加熱処理空間３５内へシンナガス
を送り込みつつ、開閉バルプ４４を開いて排気孔４１よ
り加熱処理空間３５を排気する（ステップ６０２）、と
いう点は上述した実施形態と同様であるが、その後蓋体
３４を上昇して加熱処理空間３５内を大気開放する（ス
テップ６０３）、という点が上述した実施形態と異な
る。Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a processing flow showing the operation of this embodiment. In this embodiment, during the heat treatment, first the exhaust holes 4
1 is closed, and the heat treatment space 3 is
5, the inside of the heat treatment space 35 is saturated with the thinner gas atmosphere (step 601). Then, the thin valve is opened while the thinner gas is sent from the gas introduction hole 36 into the saturated heat treatment space 35. The point that the heat treatment space 35 is exhausted from the exhaust hole 41 (step 602) is the same as the above-described embodiment, but thereafter, the lid 34 is raised to open the inside of the heat treatment space 35 to the atmosphere (step 603). This is different from the above-described embodiment.
【００３８】この実施の形態によれば、上述した実施の
形態と同様に転写の発生を防止することができるが、ス
テップ６０３で大気開放しているため、排気機構４３の
容量を小さいものとすることができる。According to this embodiment, transfer can be prevented in the same manner as in the above-described embodiment, but the capacity of the exhaust mechanism 43 is reduced because the air is released to the atmosphere in step 603. be able to.
【００３９】次に本発明の更に別の実施形態について説
明する。図７はこの実施形態に係る加熱処理装置の構成
を示す平面図である。この実施形態に係る加熱処理装置
５１では、蓋体が２重構造となっている点が上述した実
施の形態と異なる。Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a plan view showing the configuration of the heat treatment apparatus according to this embodiment. The heat treatment apparatus 51 according to this embodiment is different from the above-described embodiment in that the lid has a double structure.
【００４０】即ち、ホットプレート３１上には、このホ
ットプレート３１を囲繞するための第１の蓋体５２が配
置され、更にこられホットプレート３１と第１の蓋体５
２を囲繞するように第２の蓋体５３が配置されている。
また、第１の蓋体５２にはガス導入孔５４が設けられ、
第２の蓋体５３には排気孔５５が設けられている。そし
て、これら第１及び第２の蓋体５２、５３は図示を省略
した昇降機構により昇降可能となっている。That is, a first lid 52 for surrounding the hot plate 31 is disposed on the hot plate 31, and the hot plate 31 and the first lid 5 are further provided.
The second lid 53 is arranged so as to surround the second lid 53.
Further, a gas introduction hole 54 is provided in the first lid 52,
An exhaust hole 55 is provided in the second lid 53. The first and second lids 52 and 53 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown).
【００４１】そして、加熱処理時にはホットプレート３
１上にこの第１の蓋体５２が被せられて加熱処理空間５
６が形成され、更にそれらを覆うようにして第２の蓋体
５３が被せられるようになっている。なお、シンナガス
の送出及び排気の動作については上述した実施の形態と
同様に行われるようになっている。During the heat treatment, the hot plate 3
1 is covered with the first lid 52 so that the heat treatment space 5
6 are formed, and the second lid 53 is further covered so as to cover them. The operation of sending and exhausting the thinner gas is performed in the same manner as in the above-described embodiment.
【００４２】この実施の形態によれば、上述した実施の
形態と同様に転写の発生を防止することができるが、蓋
体を２重構造とし、内側の蓋体内にシンナガスを送り込
み、その外側を排気するようにしているので、従来構成
からの改良が容易であり、しかもシンナガスが外部に漏
れる可能性が低く安全性が高い。According to this embodiment, transfer can be prevented as in the above-described embodiment. However, the lid has a double structure, thinner gas is fed into the inner lid, and the outside is removed. Since exhaust is performed, improvement from the conventional configuration is easy, and the possibility of thinner gas leaking to the outside is low and the safety is high.
【００４３】なお、本発明は上述した実施の形態には限
定されない。例えば、ＬＣＤ用のガラス基板を加熱処理
するための装置ばかりでなく、半導体ウェハ等を加熱処
理するための装置にも本発明を当然適用できる。また、
気化溶剤は、シンナガスばかりでなく、他の溶剤を用い
ても構わない。要は、被処理体上の塗布液の表面が乾か
ないようにする機能を果たせば、いかなる気体溶剤であ
っても構わない。The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the present invention can naturally be applied not only to an apparatus for heat-treating a glass substrate for LCD, but also to an apparatus for heat-processing a semiconductor wafer or the like. Also,
As the vaporizing solvent, not only cinnagas but also other solvents may be used. In short, any gaseous solvent may be used as long as it functions to keep the surface of the coating solution on the object from drying out.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
塗布液が塗布された被処理体を溶剤雰囲気中で加熱して
乾燥するように構成したので、被処理体上に塗布された
塗布液を内部から乾燥させることができ、転写の発生を
防止することができる。As described above, according to the present invention,
Since the object to be processed to which the coating liquid is applied is heated and dried in a solvent atmosphere, the coating liquid applied to the object to be processed can be dried from the inside, thereby preventing transfer from occurring. be able to.
【００４５】本発明によれば、塗布液が塗布された被処
理体を処理室内で加熱して乾燥する加熱処理方法であっ
て、（ａ）前記処理室内を溶剤雰囲気に飽和する工程
と、（ｂ）前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込み
つつ排気する工程と、（ｃ）前記処理室内への気化溶剤
の送り込みを停止して排気する工程とを具備するように
構成したので、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速め
スループットの向上を図ることができる。According to the present invention, there is provided a heat treatment method for heating and drying an object to which a coating solution is applied in a processing chamber, wherein (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere; b) a step of exhausting while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber; and (c) a step of stopping the supply of the vaporized solvent into the processing chamber and exhausting the same. The drying speed can be increased and the throughput can be improved while preventing the above.
【００４６】本発明によれば、塗布液が塗布された被処
理体を処理室内で加熱して乾燥する加熱処理方法であっ
て、（ａ）前記処理室内を溶剤雰囲気に飽和する工程
と、（ｂ）前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込み
つつ排気する工程と、（ｃ）前記処理室内を大気開放す
る工程とを具備するように構成したので、転写の発生を
防止しつつ乾燥速度を速めスループットの向上を図るこ
とができる。According to the present invention, there is provided a heat treatment method for heating and drying an object to which a coating solution is applied in a processing chamber, wherein (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere; b) a step of exhausting the vaporized solvent while sending it into the saturated processing chamber; and (c) a step of opening the processing chamber to the atmosphere, so that the drying speed is increased while preventing the occurrence of transfer. Throughput can be improved.
【００４７】本発明によれば、前記（ｂ）工程で、処理
室の排気量を処理室への気化溶剤の送り込み量より徐々
に大きくして行くように構成したので、（ｂ）工程にお
ける塗布液内部からの乾燥をよりスムーズに行うことが
できる。According to the present invention, in the step (b), the exhaust amount of the processing chamber is configured to be gradually larger than the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber. Drying from inside the liquid can be performed more smoothly.
【００４８】本発明によれば、処理室の排気量または処
理室への気化溶剤の送り込み量の制御を、制御信号のパ
ルス数またはパルス幅に応じたバルプの開閉により行う
ように構成したので、処理室の排気量または処理室への
気化溶剤の送り込み量の制御を簡単にかつ精度よく行う
ことができる。According to the present invention, since the control of the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber is performed by opening and closing the valve in accordance with the pulse number or pulse width of the control signal, It is possible to easily and accurately control the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent sent to the processing chamber.
【００４９】本発明によれば、被処理体を収容して加熱
する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段
と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内を溶
剤雰囲気に飽和した後、前記飽和した処理室内へ気化溶
剤を送り込みつつ排気し、その後前記処理室内への気化
溶剤の送り込みを停止して排気するように上記の手段を
制御する手段とを具備するように構成したので、転写の
発生を防止しつつ乾燥速度を速めスループットの向上を
図ることができる。According to the present invention, a processing chamber for accommodating and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and saturation of the processing chamber to a solvent atmosphere. And then exhausting while feeding the vaporized solvent into the saturated processing chamber, and then stopping the feeding of the vaporized solvent into the processing chamber and controlling the above means to exhaust the gas. Therefore, it is possible to increase the drying speed and improve the throughput while preventing the occurrence of transfer.
【００５０】本発明によれば、被処理体を収容して加熱
する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段
と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内を溶
剤雰囲気に飽和した後、処理室の排気量を処理室への気
化溶剤の送り込み量より徐々に大きくしながら前記飽和
した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気し、その後
前記処理室内への気化溶剤の送り込みを停止して排気す
るように上記の手段を制御する手段とを具備するように
構成したので、塗布液内部からの乾燥をよりスムーズに
行うことができる。According to the present invention, a processing chamber for accommodating and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and saturation of the processing chamber to a solvent atmosphere. After that, while the evacuation amount of the processing chamber is gradually increased from the amount of the vaporized solvent sent into the processing chamber, the evaporating solvent is exhausted while being sent into the saturated processing chamber, and then the feeding of the vaporized solvent into the processing chamber is stopped. And a means for controlling the above means so as to exhaust the gas. Then, the drying from the inside of the coating liquid can be performed more smoothly.
【００５１】本発明によれば、被処理体を収容して加熱
する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段
と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内を溶
剤雰囲気に飽和した後、前記飽和した処理室内へ気化溶
剤を送り込みつつ排気するように上記の手段を制御する
手段と、前記処理室内を大気開放する手段とを具備する
ように構成したので、転写の発生を防止しつつ乾燥速度
を速めスループットの向上を図ることができる。According to the present invention, a processing chamber for accommodating and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and saturation of the processing chamber to a solvent atmosphere. After that, it is configured to include a means for controlling the above means so as to exhaust the vaporized solvent while sending it into the saturated processing chamber, and a means for opening the processing chamber to the atmosphere, thereby preventing the occurrence of transfer. The drying speed can be increased while increasing the throughput.
【００５２】本発明によれば、被処理体を収容して加熱
する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段
と、前記処理室内を排気する手段と、前記処理室内を溶
剤雰囲気に飽和した後、処理室の排気量を処理室への気
化溶剤の送り込み量より徐々に大きくしながら前記飽和
した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気するように
上記の手段を制御する手段と、前記処理室内を大気開放
する手段とを具備するように構成したので、塗布液内部
からの乾燥をよりスムーズに行うことができる。According to the present invention, a processing chamber for accommodating and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and saturation of the processing chamber to a solvent atmosphere. Means for controlling the above means so as to exhaust the vaporized solvent while sending it into the saturated processing chamber while gradually increasing the exhaust amount of the processing chamber from the amount of the vaporized solvent sent into the processing chamber; and Since the apparatus is provided with means for opening the room to the atmosphere, drying from the inside of the coating solution can be performed more smoothly.
【００５３】本発明によれば、処理室の排気量または処
理室への気化溶剤の送り込み量の制御を、制御信号のパ
ルス数またはパルス幅に応じたバルプの開閉により行う
ように構成したので、処理室の排気量または処理室への
気化溶剤の送り込み量の制御を簡単にかつ精度よく行う
ことができる。According to the present invention, since the control of the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber is performed by opening and closing the valve in accordance with the pulse number or pulse width of the control signal, It is possible to easily and accurately control the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent sent to the processing chamber.
【００５４】本発明によれば、被処理体を収容して加熱
する処理室と、前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段
と、前記処理室内を排気する手段とを具備するように構
成したので、被処理体上に塗布された塗布液を内部から
乾燥させることができ、転写の発生を防止することがで
きる。According to the present invention, a processing chamber for accommodating and heating an object to be processed, a means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, and a means for exhausting the processing chamber are provided. The coating liquid applied on the object to be processed can be dried from the inside, and transfer can be prevented.
【００５５】本発明によれば、被処理体を保持しつつ加
熱する熱板と、前記被処理体を保持した熱板を囲繞する
蓋体と、前記熱板と前記蓋体により囲まれた空間へ気化
溶剤を送り込む手段と、前記空間を排気する手段と、前
記蓋体を開閉する手段とを具備するように構成したの
で、転写の発生を防止しつつ乾燥速度を速めスループッ
トの向上を図ることができる。According to the present invention, a hot plate for heating while holding the object to be processed, a lid surrounding the hot plate holding the object to be processed, and a space surrounded by the hot plate and the lid A means for feeding the vaporized solvent to the chamber, a means for exhausting the space, and a means for opening and closing the lid, so that the drying speed is increased while the transfer is prevented, and the throughput is improved. Can be.
【００５６】本発明によれば、被処理体を保持しつつ加
熱する熱板と、前記被処理体を保持した熱板を囲繞する
と共に、排気通路が設けられた第１の蓋体と、前記熱板
を囲繞する第１の蓋体を囲繞する第２の蓋体と、前記熱
板と前記第１の蓋体により囲まれた空間へ気化溶剤を送
り込む手段と、前記第１の蓋体を囲繞する第２の蓋体に
より囲まれた空間を排気する手段と、前記第１及び第２
の蓋体を開閉する手段とを具備するように構成したの
で、従来構成からの改良が容易であり、しかも気体溶剤
が外部に漏れる可能性が低く安全性が高い。According to the present invention, the heating plate for heating while holding the object to be processed, the first lid surrounding the hot plate holding the object to be processed and provided with an exhaust passage, A second lid surrounding the first lid surrounding the hot plate, means for feeding a vaporized solvent into a space surrounded by the hot plate and the first lid, and the first lid Means for evacuating a space surrounded by the surrounding second lid;
And means for opening and closing the lid, it is easy to improve from the conventional configuration, and the possibility of gas solvent leaking to the outside is low and the safety is high.
【図１】 本発明の実施形態に係る塗布・現像処理シス
テムの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a coating / developing processing system according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１に示した加熱処理装置の構成を示す正面
図である。FIG. 2 is a front view showing a configuration of the heat treatment apparatus shown in FIG.
【図３】 図２に示した開閉パルプの制御信号を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing control signals for the openable pulp shown in FIG. 2;
【図４】 図２に示した加熱処理装置の動作を示す処理
フローである。FIG. 4 is a process flow showing an operation of the heat treatment apparatus shown in FIG. 2;
【図５】 図２に示した加熱処理装置におけるシンナ含
有量の変化を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a change in thinner content in the heat treatment apparatus shown in FIG. 2;
【図６】 本発明の他の実施形態に係る加熱処理装置の
動作を示す処理フローである。FIG. 6 is a process flow showing an operation of a heat treatment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の更に別の実施形態に係る加熱処理装
置の構成を示す正面図である。FIG. 7 is a front view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to still another embodiment of the present invention.
【図８】 従来の加熱処理装置の構成を示す正面図であ
る。FIG. 8 is a front view showing a configuration of a conventional heat treatment apparatus.
【図９】 従来の加熱処理装置の問題点を説明するため
の図である。FIG. 9 is a view for explaining a problem of a conventional heat treatment apparatus.
２２ 加熱処理装置 ３１ ホットプレート ３４ 蓋体 ３５ 加熱処理空間 ３６ ガス導入孔 ３９ 開閉バルプ ４０ 制御装置 ４１ 排気孔 ４４ 開閉バルプ Ｇ ガラス基板Ｇ 22 Heating Device 31 Hot Plate 34 Lid 35 Heating Space 36 Gas Inlet 39 Open / Close Valve 40 Controller 41 Exhaust Hole 44 Open / Close Valve G Glass Substrate G
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１２ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３１２Ｚ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 G09F 9/30 312 G09F 9/30 312Z
Claims (13)
気中で加熱して乾燥することを特徴とする加熱処理方
法。1. A heat treatment method characterized by heating an object to be treated on which a coating liquid has been applied in a solvent atmosphere and drying it.
で加熱して乾燥する加熱処理方法であって、（ａ）前記
処理室内を溶剤雰囲気に飽和する工程と、（ｂ）前記飽
和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気する工程
と、（ｃ）前記処理室内への気化溶剤の送り込みを停止
して排気する工程とを具備することを特徴とする加熱処
理方法。2. A heat treatment method for heating and drying an object to be treated on which a coating liquid has been applied in a processing chamber, wherein: (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere; A heating process comprising the steps of: exhausting the vaporized solvent while sending it into the processing chamber; and (c) stopping the exhaust of the vaporized solvent into the processing chamber and exhausting the same.
で加熱して乾燥する加熱処理方法であって、（ａ）前記
処理室内を溶剤雰囲気に飽和する工程と、（ｂ）前記飽
和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気する工程
と、（ｃ）前記処理室内を大気開放する工程とを具備す
ることを特徴とする加熱処理方法。3. A heat treatment method for heating and drying an object to which a coating solution is applied in a processing chamber, wherein (a) a step of saturating the processing chamber with a solvent atmosphere, and (b) a step of saturating the processing chamber. And (c) opening the processing chamber to the atmosphere.
あって、 前記（ｂ）工程で、処理室の排気量を処理室への気化溶
剤の送り込み量より徐々に大きくして行くことを特徴と
する加熱処理方法。4. The heat treatment method according to claim 2, wherein, in the step (b), the amount of exhaust gas in the processing chamber is gradually increased from the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber. Characteristic heat treatment method.
の制御を、制御信号のパルス数またはパルス幅に応じた
バルプの開閉により行うことを特徴とする加熱処理方
法。5. The heat treatment method according to claim 4, wherein the control of the exhaust amount of the processing chamber or the supply amount of the vaporized solvent to the processing chamber is performed by opening and closing the valve in accordance with the number of pulses or the pulse width of the control signal. A heating method.
処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気し、その後前記
処理室内への気化溶剤の送り込みを停止して排気するよ
うに上記の手段を制御する手段とを具備することを特徴
とする加熱処理装置。6. A processing chamber for receiving and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and after the processing chamber is saturated with a solvent atmosphere, Means for controlling the above means so as to exhaust while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber, and thereafter to stop and exhaust the supply of the vaporized solvent into the processing chamber. .
量を処理室への気化溶剤の送り込み量より徐々に大きく
しながら前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつ
つ排気し、その後前記処理室内への気化溶剤の送り込み
を停止して排気するように上記の手段を制御する手段と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。7. A processing chamber for housing and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and processing after the processing chamber is saturated with a solvent atmosphere. While the evacuation amount of the chamber is gradually increased from the amount of the evaporating solvent sent into the processing chamber, the evaporating solvent is exhausted while being sent into the saturated processing chamber, and then the evacuation of the evaporating solvent into the processing chamber is stopped and exhausted. And a means for controlling the above means.
処理室内へ気化溶剤を送り込みつつ排気するように上記
の手段を制御する手段と、 前記処理室内を大気開放する手段とを具備することを特
徴とする加熱処理装置。8. A processing chamber for housing and heating the object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and after the processing chamber is saturated with a solvent atmosphere, A heat treatment apparatus, comprising: means for controlling the above means so as to exhaust while evaporating a vaporized solvent into a saturated processing chamber; and means for opening the processing chamber to the atmosphere.
量を処理室への気化溶剤の送り込み量より徐々に大きく
しながら前記飽和した処理室内へ気化溶剤を送り込みつ
つ排気するように上記の手段を制御する手段と、 前記処理室内を大気開放する手段とを具備することを特
徴とする加熱処理装置。9. A processing chamber for receiving and heating an object to be processed, means for feeding a vaporized solvent into the processing chamber, means for exhausting the processing chamber, and processing after the processing chamber is saturated with a solvent atmosphere. Means for controlling the above means so as to exhaust the vaporized solvent while sending the vaporized solvent into the saturated processing chamber while gradually increasing the exhaust amount of the chamber from the amount of the vaporized solvent sent into the processing chamber; and opening the processing chamber to the atmosphere. A heat treatment device comprising:
理装置であって、 処理室の排気量または処理室への気化溶剤の送り込み量
の制御を、制御信号のパルス数またはパルス幅に応じた
バルプの開閉により行うことを特徴とする加熱処理装
置。10. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein the control of the exhaust amount of the processing chamber or the amount of the vaporized solvent fed into the processing chamber is performed in accordance with the number of pulses or the pulse width of the control signal. A heat treatment apparatus characterized in that the heat treatment is performed by opening and closing a valp.
と、 前記処理室内へ気化溶剤を送り込む手段と、 前記処理室内を排気する手段と、 を具備することを特徴とする加熱処理装置。11. A heat treatment apparatus, comprising: a treatment chamber that accommodates and heats an object to be treated; a unit that sends a vaporized solvent into the treatment chamber; and a unit that exhausts the treatment chamber.
と、 前記被処理体を保持した熱板を囲繞する蓋体と、 前記熱板と前記蓋体により囲まれた空間へ気化溶剤を送
り込む手段と、 前記空間を排気する手段と、 前記蓋体を開閉する手段とを具備することを特徴とする
加熱処理装置。12. A heating plate for heating while holding an object to be processed, a lid surrounding the heating plate holding the object to be processed, and a vaporized solvent into a space surrounded by the heating plate and the lid. A heat treatment apparatus comprising: a means for sending in; a means for evacuating the space; and a means for opening and closing the lid.
と、 前記被処理体を保持した熱板を囲繞すると共に、排気通
路が設けられた第１の蓋体と、 前記熱板を囲繞する第１の蓋体を囲繞する第２の蓋体
と、 前記熱板と前記第１の蓋体により囲まれた空間へ気化溶
剤を送り込む手段と、 前記第１の蓋体を囲繞する第２の蓋体により囲まれた空
間を排気する手段と、 前記第１及び第２の蓋体を開閉する手段とを具備するこ
とを特徴とする加熱処理装置。13. A heating plate for heating while holding the object to be processed, a first lid surrounding the hot plate holding the object to be processed and provided with an exhaust passage, and surrounding the heating plate. A second cover surrounding the first cover, a means for feeding a vaporized solvent into a space surrounded by the hot plate and the first cover, and a second cover surrounding the first cover. A heat treatment apparatus comprising: means for exhausting a space surrounded by the lid, and means for opening and closing the first and second lids.
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|---|---|---|---|
| JP29473798A JP2000091224A (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Method and device for heat treatment |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP29473798A JP2000091224A (en) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | Method and device for heat treatment |
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| JP2000091224A true JP2000091224A (en) | 2000-03-31 |
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ID=17811660
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| JP (1) | JP2000091224A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2015075833A1 (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Pattern forming method and heating device |
-
1998
- 1998-09-09 JP JP29473798A patent/JP2000091224A/en active Pending
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