JP2000086742A - エポキシ樹脂組成物及び導電性ペースト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】エポキシ系の新規な重合体及び該重合体を含む
耐熱性、アルミニウム等の金属との接着性に優れたエポ
キシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物で封止され
た信頼性の高い半導体装置並びに回路基板。 【解決手段】式（１） （Ｒ１，Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン、フルオロアルキル基、フェニル基）で表される繰
り返し単位構造を有する重合体及び該重剛体を含む組成
物。それを用いた導電性ペースト、半導体装置、回路基
板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は耐熱性、導電性に優
れ、かつリードフレーム等の金属との接着性に優れたエ
ポキシ樹脂組成物及び導電性ペースト、該導電性ペース
トを用いた回路基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来半導体素子の封止用樹脂としては、
電気的特性、機械的特性、接着性の優れたエポキシ樹脂
が用いられている。その封止方法には、液状エポキシ樹
脂組成物を用いてキャステイング成形又はポッテイング
成形する方法と、固形エポキシ樹脂組成物を用いてトラ
ンスファー成形する方法がある。特に、トランスファー
成形する方法は大量生産に適していることから、樹脂封
止型半導体装置の製造に用いられている。

【０００３】また、半導体装置の実装方式は高密度実装
の点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移
行している。基板への半導体装置の実装には基板全体を
赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いられ、
パッケージが２００℃以上の高温に晒されるため、パッ
ケージ内部、特に接着剤層中または封止材中に含まれる
水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラックが発
生し、半導体装置の信頼性が低下する。その理由として
は、リード部に対して接着剤の接着力が低いことと、リ
ード部とＳｉチップとの線膨張係数の差が大きいため
に、チップクラックやチップ反りが発生することがあ
る。

【０００４】この対応として封止用樹脂や接着剤用樹脂
の耐熱性、接着性の向上及び低応力化が図られてきた。
特開平５−１１３０号公報には、ジアミノ基含有シロキ
サンオリゴマーと無水マレイン酸とから誘導されるビス
マレイミド、１，２−ポリブタジエンの側鎖を酸化して
得られるエポキシ化物および導電性粉末を必須成分とし
てなることを特徴とする耐熱性に優れた導電性ペースト
（接着剤）の開示がある。

【０００５】しかしながら、前記の高密度表面実装に該
導電性ペーストを用いても、２００℃以上の耐リフロー
ソルダリング後の信頼性に課題が残る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は樹脂組成物の
リード部に対するピール強度、特に銅リード部やアルミ
ニウム等の金属配線に対するピール強度を向上させ、か
つ樹脂組成物を低応力化することによりチップクラック
やチップ反りの発生を抑制することで従来技術の欠点を
除去し、銅リードフレームにおいてもリフローソルダリ
ング時にクラックの無い樹脂組成物及びこれを用いた半
導体装置、回路基板並びに導電性ペーストを提供する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、

【０００８】

【１】一般式（１）

【０００９】

【化１０】

【００１０】（但し、上記式中、Ｒ１，Ｒ２は水素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、フルオロアルキル
基、フェニル基の中から選択されるいずれかであり、お
互いに同じであっても異なっていてもよい。）で表され
る繰り返し単位構造を有する重合体を含むことを特徴と
する組成物。

【００１１】

【２】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂と、

【００１２】

【化１１】

【００１３】一般式（３）で表される芳香族ジアミン系
化合物

【００１４】

【化１２】

【００１５】（但し、上記式中、Ｒ１，Ｒ２は水素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、フルオロアルキル
基、フェニル基の中から選択されるいずれかであり、お
互いに同じであっても異なっていてもよい。）を含有す
ることを特徴とし、一般式（２）で表されるエポキシ樹
脂と一般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物と
の配合比が前者１モルに対し後者０．７〜１．２モルで
あるエポキシ樹脂組成物を提供する。

【００１６】また、前記エポキシ樹脂組成物に更に少な
くとも１個のＮ−置換不飽和イミド基を有する化合物を
含有するエポキシ樹脂組成物を提供する。この場合にお
いても、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂と一般式
（３）で表される芳香族ジアミン系化合物との配合比が
前者１モルに対し後者０．７〜１．２モルであることが
好ましい。。

【００１７】

【３】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、

【００１８】

【化１３】

【００１９】一般式（３）で表される芳香族ジアミン系
化合物、

【００２０】

【化１４】

【００２１】（但し、上記式中、Ｒ１，Ｒ２は水素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、フルオロアルキル
基、フェニル基の中から選択されるいずれかであり、お
互いに同じであっても異なっていてもよい。）及び導電
性材料を含有する導電性ペースト。

【００２２】

【４】絶縁性基材の表面に電気的回路層が形成され、該
電気的回路層上に外部接続用電極が形成されてなる回路
基板において、前記外部接続用電極の少なくとも１部
が、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、

【００２３】

【化１５】

【００２４】一般式（３）で表される芳香族ジアミン系
化合物、

【００２５】

【化１６】

【００２６】（但し、上記式中、Ｒ１，Ｒ２は水素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、フルオロアルキル
基、フェニル基の中から選択されるいずれかであり、お
互いに同じであっても異なっていてもよい。）及び導電
性材料を含有する導電性ペーストで構成されていること
を特徴とする回路基板を提供する。

【００２７】

【５】半導体素子が接着層を介して支持部材に固着さ
れ、更に前記半導体素子の少なくとも１部が樹脂組成物
で被覆又は／及び封止されてなる半導体装置において、
前記接着層が上記に記載のエポキシ樹脂組成物であるこ
とを特徴とする半導体装置。

【００２８】

【６】集積回路を形成した半導体素子と、該半導体素子
の集積回路形成面側に形成された複数の電極パッドと、
該電極パッドに接続された外部接続用バンプ電極を有す
る実装基材とから構成される半導体装置において、前記
電極パッド及び前記外部接続用バンプ電極の少なくとも
一方が本発明の上記に記載の導電性ペーストを用いてな
ることを特徴とする半導体装置、及び前記半導体素子の
集積回路形成面に形成された電極パッドと、前記実装基
材の外部接続用バンプ電極が電気的に接続され、該集積
回路形成面と実装基材との間に応力緩和層が形成されて
なる半導体装置を提供する。

【００２９】本発明において、一般式（１）で表される
繰り返し単位構造を有する重合体は、一般式（２）で表
されるエポキシ樹脂と一般式（３）で表される芳香族ジ
アミン系化合物とを、前者１モルに対して後者０．７〜
１．２モルの範囲で、例えば両者の溶媒中又は非溶媒中
で加熱することにより得ることができる。成形材料、塗
料、接着剤等の用途に用いる場合には、溶媒を除去した
後用いればよい。また、含浸用、注型用等のワニスとし
て用いる場合には、溶媒を除去することなしに用いるこ
ともできる。

【００３０】前記溶媒としては、通常一般にエポキシ樹
脂の溶媒として用いられている化合物であれば特に限定
されるものではない。例えば、メチルエチルケトン、ア
セトン、ジブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシ
レン等の石油系類、セロソルブアセテート類、Ｎ−メチ
ルーピロリドン、ジメチルスルホオキシド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の極性溶媒等が挙
げられる。

【００３１】一般式（１）で表される繰り返し単位構造
を有する重合体は、金属又は金属含有化合物と反応し
て、一般式（４）

【００３２】

【化１７】

【００３３】（式中、Ｒ１，Ｒ２は上記と同じである。
Ｍ１、Ｍ２は金属原子で有り、お互いに同じでであって
も異なっていてもよい。）で表される繰り返し単位構造
を有する重合体となる。

【００３４】金属又は金属含有化合物としては、例え
ば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルト、マンガン、
クロム、鉛等の金属類、ジルコニウムアセチルアセトナ
ート、コバルトアセチルアセトナート、アルミニウムア
セチルアセトナート、マンガンアセチルアセトナート、
チタニウムアセチルアセトナート等のキレート化合物、
β―ヒドロキシアミノ構造を有する化合物と酸化鉛等の
酸化金属とのキレート化反応生成物、２―エチルヘキサ
ン酸鉛、ナフテン酸鉛、オクチル酸鉛、安息香酸鉛、酢
酸鉛、乳酸鉛、蟻酸鉛、グリコール酸鉛、オクチル酸ジ
ルコウム等のカルボキシレート等が挙げられる。これら
の中でも特に銅、銀粉、金属キレート化合物が好まし
い。前記金属類は、前記一般式（４）で表される繰り返
し単位構造を有する重合体の固形分に対する金属含有率
が一般に１重量％以上で９９重量％未満、好ましくは５
重量％以上で５０重量％未満で使用できる。

【００３５】また、チタン白、鉛白、酸化鉛、ベンガラ
等の着色顔料、酸化アンチモン、酸化亜鉛、塩基性炭酸
鉛、塩基性硫酸鉛、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、ア
ルミニウムシリカ、炭酸マグネシウム、マグネシウムシ
リカ、クロム酸ストロンチウム、クロム酸鉛、塩基性ク
ロム酸鉛、鉛丹、ケイ酸鉛、塩基性ケイ酸鉛、リン酸
鉛、塩基性リン酸鉛、トリポリリン酸鉛、ケイクロム酸
鉛、黄鉛、シアナミド鉛、鉛酸カルシウム、亜酸化鉛、
硫酸鉛等の顔料を用いることもできる。該顔料と、一般
式（４）で表される繰り返し単位構造を有する重合体の
固形分に対する配合比率は通常、前者／後者の重量比で
２／１〜７／１の範囲が好ましい。上記の金属類又は金
属含有化合物は、１種以上併用することもできる。

【００３６】該一般式（４）で表される繰り返し単位構
造を有する重合体は耐熱性、接着性に優れ、熱膨張係数
が小さく、導電性付与の点で優れた効果を示す。

【００３７】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂と一
般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物とを、前
者１モルに対して後者０．７モル未満で用いると、従来
知られているエポキシ基とジアミンの活性水素との反応
における化学量論比に近くなり、３次元架橋反応による
硬化物が生成し易くなる。この場合、耐熱性、接着性、
金属や無機成分と樹脂とのなじみの点で、本発明の効果
を得ることは難しい。また、１．２モルを超えると一般
式（１）で表される繰り返し単位を有する重合体の収率
が低くくなる。

【００３８】本発明において、一般式（２）で表される
エポキシ樹脂とは、例えば１，４―フェニレンジグリシ
ジルエーテル、１，４―（３―メチル）フェニレンジグ
リシジルエーテル、１，４―（３―エチル）フェニレン
ジグリシジルエーテル、１，４―（３―プロピル）フェ
ニレンジグリシジルエーテル、１、４―（２―メチル）
フェニレンジグリシジルエーテル、１，４―（２、６―
ジメチル）フェニレンジグリシジルエーテル、１，４―
（２―フルオロ）フェニレンジグリシジルエーテル、
１，４―（２―トリフルオロメタン）フェニレンジグリ
シジルエーテル、１，４―（２、６―ジブロム）フェニ
レンジグリシジルエーテル等が挙げられる。

【００３９】本発明においては、本発明の効果を損なわ
ない範囲で、その目的と用途に応じて上記のエポキシ樹
脂に公知のエポキシ樹脂を併用することもできる。

【００４０】例えば、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、オルトークレゾールノボラック型エポキシ樹脂等
のフェノール類とアルデヒド類を酸性触媒下で縮合反応
して得られるノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとを
反応して得られるエポキシ樹脂、ビスフェノールＡ，ビ
スフェノールＦ，ビスフェノールＳ，水添ビスフェノー
ルＡ等のグリシジルエーテル、フタル酸，ダイマー酸等
の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得ら
れるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、パラ−フェニ
レンジアミン，ジアミノジフェニルメタン等のポリアミ
ンとエピクロルヒドリンとのとの反応によって得られる
グリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過
酢酸等の過酸により酸化して得られる線状脂肪族エポキ
シ樹脂等がある。これらのエポキシ樹脂は十分に精製さ
れていることが好ましい。

【００４１】また、一般式（３）で表される芳香族ジア
ミン系化合物としては、例えばｐ―フェニレンジアミ
ン、２―メチルーｐ―フェニレンジアミン、２―エチル
ーｐ―フェニレンジアミン、２―プロピルーｐ―フェニ
レンジアミン、２―ブチルーｐ―フェニレンジアミン、
２，３―ジメチルーｐ―フェニレンジアミン、２，３―
ジエチルーｐ―フェニレンジアミン、２，６―ジメチル
ーｐ―フェニレンジアミン、２―フルオローｐ―フェニ
レンジアミン、２―トリフルオロメタンーｐ―フェニレ
ンジアミン、２，３―ジフルオローｐ―フェニレンジア
ミン、２，３―ジフルオロメタンーｐ―フェニレンジア
ミン、２―ブロムーｐ―フェニレンジアミン等が挙げら
れる。

【００４２】また、本発明においては、本発明の効果を
損なわない範囲で、目的と用途に応じて上記の芳香族ジ
アミン系化合物に公知のアミン系化合物を併用すること
もできる。

【００４３】このような化合物としては例えば、１，２
−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４
−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６
−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，
８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，
１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカ
ン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族ジアミン、
ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ
−フェニレンジアミン、３，３'−ジアミノジフェニル
エーテル、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、
４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、３，３'−ジア
ミノジフェニルメタン、３，４'−ジアミノジフェニル
メタン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、３，３'
−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４'−ジ
アミノジフェニルジフルオロメタン、４，４'−ジアミ
ノジフェニルジフルオロメタン、３，３'−ジアミノジ
フェニルスルホン、３，４'−ジアミノジフェニルスル
ホン、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'
−ジアミノジフェニルスルフイド、３，４'−ジアミノ
ジフェニルスルフイド、４，４'−ジアミノジフェニル
スルフイド、３，３'−ジアミノジフェニルケトン、
３，４'−ジアミノジフェニルケトン、４，４'−ジアミ
ノジフェニルケトン、２，２−ビス（３−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２'−（３，４'−ジアミノジフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−（３，４'−ジアミノジフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−ア
ミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス
（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、３，３'−（１，４−フェ
ニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、
３，４'−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン））ビスアニリン、４，４'−（１，４−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、
２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル）スルフイド、ビス（４
−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン等
の芳香族ジアミン等がある。

【００４４】また、少なくとも１個のＮ−置換不飽和イ
ミド基を有する化合物としては、例えば、モノ置換マレ
イミド、ビス置換マレイミド、トリ置換マレイミド、テ
トラ置換マレイミド等がある。これらは１種以上併用す
ることができる。これらの中でも特に有用な化合物とし
ては、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ'−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェ
ニルエーテルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルス
ルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキシルメ
タンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−キシレンビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−キシ
リレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルシクロヘ
キサンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジクロロージフェニ
ルビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタンビスメ
チルマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルエーテルビスメ
チルマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、２，２−ビス−４〔−４−〔マレイミドフェ
ノキシ〕フェニル〕プロパン、２，２−ビス−４〔−４
−〔マレイミドフェノキシ〕フェニル〕ヘキサフルオロ
プロパン（それぞれ異性体を含む）、Ｎ，Ｎ'−エチレ
ンビスマレイミド，Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビスマレ
イミド，Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビスメチルマレイミ
ド等のＮ，Ｎ'−ビスマレイミド化合物，これらＮ，Ｎ'
−ビスマレイミド化合物とジアミン類を付加させて得ら
れる末端がＮ，Ｎ'−ビスマレイミド骨格を有するプレ
ポリマー、アニリン、ホルマリン縮合物のマレイミド化
物、メチルマレイミド化物などが挙げられる。

【００４５】本発明のエポキシ樹脂組成物には、一般式
（３）で表される芳香族ジアミン系化合物とは別に更に
硬化剤を添加して、加熱、光エネルギー照射等により硬
化することもできる。

【００４６】該硬化剤としては、エポキシ樹脂と硬化反
応を示すものであれば特に制限されず、公知の硬化剤が
使用できる。例えば、無水フタル酸、メチルテトラヒド
ロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無
水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル
酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリッ
ト酸、無水マレイン酸、無水ピロメリット酸等の酸無水
物、2-エチル-4-メチルイミダゾ-ル、2-ウンデシルイミ
ダゾ-ル、2-ヘプタデシルイミダゾ-ル、2-フェニルイミ
ダゾ-ル、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾ-
ル、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾ-ル、1-シア
ノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウム・トリメリテー
ト、2,4-ジアミノ-6-［2-エチル-4-メチルイミダゾリル
-（1）］-エチル-S-トリアジン、2-フェニル-4,5-ジヒ
ドロキシメチルイミダゾ-ル、1-ドデシル-2-メチル-3-
ベンジルイミダゾリウム・クロライド等のイミダゾール
類、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルス
ルホン、ジシアンジアミド、前記一般式（2）で表され
るジアミン化合物等のジアミン類、トリフェニルホスフ
ィンテトラフェニルボレート、トリエチルアミンテトラ
フェニルボレート、N-メチルモルホリンテトラフェニル
ボレート、ピリジンテトラフェニルボレートなどのカリ
ボール塩、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、ポリビニルフェノール等のフェノール類、
三フッ化ホウ素-アミンコンプレックス、有機酸ヒドラ
ジド、芳香族ジアゾニウム塩等が挙げられるがこれらに
限定されるものではない。これらは単独、あるいは2種
類以上用いられる。硬化剤の配合量は特に限定されるも
のではないが、良好な硬化物を得るためにエポキシ基1
当量に対して0.１〜1.０当量が好ましい。

【００４７】それらの中でも、成形のし易さ、硬化物の
電気的特性、機械的特性、耐熱特性、接着特性等の点か
ら、ノボラック型フェノール樹脂、あるいは酸無水物を
用いることが好ましい。ノボラック型フェノール樹脂と
しては、フェノールノボラック樹脂、Ｏ―クレゾールノ
ボラック樹脂等が好ましい。また、酸無水物としては、
例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水
フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテ
トラヒドロ無水フタル酸、無水マレイン酸、無水シトラ
コン酸、無水ジクロルマレイン酸等、あるいはこれらの
化合物とジシクロジェンとのディールス・アルダー（Di
els・Alder）付加物が好ましく、それらの少なくとも１
種が用いられる。

【００４８】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
硬化促進剤として例えば、アミン類、イミダゾ-ル類、
カリボール塩、芳香族ジアゾニウム塩等を添加すること
ができる。具体的に化合物を例示すると、１，８−ジア
ザービシクロ（５，４，０）ウンデセンー７、トリエチ
レンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノー
ルアミン、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール
等の第三級アミン類、２―メチルイミダゾール、２―フ
ェニルイミダゾール、２―フェニルー４―メチルイミダ
ゾール、１―ベンジルー２―フェニルイミダゾール等の
イミダゾール類、トリブチルフォスフィン、トリフェニ
ルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォ
スフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート、トリフェニルフォスフィンテトラフェニル
ボレート、２―エチルー４―メチルイミダゾールテトラ
フェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩（カリボ
ール塩）等が挙げられる。その配合量はその使用条件、
用途に合わせて適宜決められるが、通常、エポキシ樹脂
１００重量部に対して、０．０５〜１０重量部、好まし
くは０．１〜５重量部で用いればよい。

【００４９】本発明のエポキシ樹脂組成物に用いられる
充填剤は特に制限はなく、無機系としては、シリカ、砕
石、珪砂、炭酸カルシウム、水酸化バリウム、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、カオリン、
ガラスパウダー、ガラス繊維等、有機系としては、カー
ボンやグラファイト、ポリエステル、ポリアミド等の繊
維や粉末等が単独若しくは併用して用いられる。その使
用量はエポキシ樹脂組成物の総量に対して３０〜９５重
量％が好ましい。

【００５０】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤、
シランカップリング剤、チタンカップリング剤等の接着
力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤
等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡剤、無機イオン
交換体等のイオントラップ剤等を適宜添加することがで
きる。

【００５１】その他、本発明のエポキシ樹脂組成物に
は、本発明の効果を損なわない限りフェニルグリシジル
エーテル、ジグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリ
ン等の希釈剤、ポリグリシジルエーテル、ポリオール、
カルボキシル化合物、ウレタンプレポリマー、シリコー
ン系化合物、フッ素系化合物等の可撓性付与剤の配合も
可能である。酸化アンチモン、酸化亜鉛、塩基性炭酸
鉛、塩基性硫酸鉛、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、ア
ルミニウムシリカ、炭酸マグネシウム、マグネシウムシ
リカ、クレー、タルク等の耐湿顔料、クロム酸ストロン
チウム、クロム酸鉛、塩基性クロム酸鉛、鉛丹、ケイ酸
鉛、塩基性ケイ酸鉛、リン酸鉛、塩基性リン酸鉛、トリ
ポリリン酸鉛、ケイクロム酸鉛、黄鉛、シアナミド鉛、
鉛酸カルシウム、亜酸化鉛、硫酸鉛等の防食顔料が挙げ
られる。これらの顔料と、塗料用樹脂との比率は通常、
固形分の重量比で２／１〜７／１の範囲が好ましい。
さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途に
応じて種々の素材が配合される。

【００５２】本発明において、導電性ペーストに用いる
導電性材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケ
ル、コバルト、マンガン、クロム、鉛等の金属類が好ま
しく、特に銀粉が好ましい。前記金属類は、エポキシ樹
脂の固形分に対する金属含有率が一般に３０重量％以上
で９９重量％未満、好ましくは５０重量％以上で９５重
量％未満で使用できる。

【００５３】また、目的と用途に応じて、カーボンブラ
ック、チタン白、鉛白、酸化鉛、ベンガラ等の着色顔
料、酸化アンチモン、酸化亜鉛、塩基性炭酸鉛、塩基性
硫酸鉛、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、アルミニウム
シリカ、炭酸マグネシウム、マグネシウムシリカ、クレ
ー、タルク等の耐湿顔料、クロム酸ストロンチウム、ク
ロム酸鉛、塩基性クロム酸鉛、鉛丹、ケイ酸鉛、塩基性
ケイ酸鉛、リン酸鉛、塩基性リン酸鉛、トリポリリン酸
鉛、ケイクロム酸鉛、黄鉛、シアナミド鉛、鉛酸カルシ
ウム、亜酸化鉛、硫酸鉛等の防食顔料を用いることもで
きる。該顔料と、エポキシ樹脂との配合比率は通常、固
形分の重量比で２／１〜７／１の範囲が好ましい。

【００５４】また、本発明の導電性ペーストは、適当な
導電性基材（被塗物）に塗布し、その塗膜を例えば８０
〜２５０℃、好ましくは１２０〜１６０℃の温度で硬化
させることができる。また、電着による電着塗膜を１６
０℃以下で硬化させるには、鉛化合物、ジルコニウム化
合物、コバルト化合物、アルミニウム化合物、マンガン
化合物、銅化合物、亜鉛化合物、鉄化合物、クロム化合
物、ニッケル化合物、スス化合物等から選ばれる１種若
しくは２種以上の触媒を添加することが有効である。こ
れらの化合物の具体例としては、例えば、ジルコニウム
アセチルアセトナート、コバルトアセチルアセトナー
ト、アルミニウムアセチルアセトナート、マンガンアセ
チルアセトナート、チタニウムアセチルアセトナート等
のキレート化合物、β―ヒドロキシアミノ構造を有する
化合物と酸化鉛等の酸化金属とのキレート化反応生成
物、２―エチルヘキサン酸鉛、ナフテン酸鉛、オクチル
酸鉛、安息香酸鉛、酢酸鉛、乳酸鉛、蟻酸鉛、グリコー
ル酸鉛、オクチル酸ジルコウム等のカルボキシレート等
が挙げられる。

【００５５】本発明の導電性ペーストには、ペースト組
成物の作成時の作業性及び使用時の塗布作業性をより良
好ならしめるため、必要に応じて希釈剤を添加すること
ができる。このような希釈剤としては、ブチルセロソル
ブ、カルビトール、酢酸ブチルセロソルブ、酢酸カルビ
トール、エチレングリコールジエチルエーテル、α−テ
ルピネオール等の有機溶剤、及び１分子中に１〜２個の
エポキシ基を有する公知の反応性希釈剤が挙げられる。

【００５６】本発明の導電ペーストに用いられる充填剤
としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニ
ウム、ステンレス、酸化ケイ素、窒化ホウ素、ホウ酸ア
ルミ等の他表面に金属（層）を有する粉体などが挙げら
れる。これらにシリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、
酸化鉄などの無機絶縁体を本発明の効果を損なわない範
囲で添加することもできる。充填剤の配合量は、導電性
ペースト組成物総量に対して５〜９５重量％が好まし
く、１０〜９０重量％がより好ましく、２０〜８５重量
％が特に好ましい。これらの充填剤成分は単独又は２種
以上混合して使用することができる。

【００５７】本発明において、導電性材料は、特にその
形状については特定されるものではないが、粒状の場合
には平均粒径で１０μｍ以下であることが好ましい。平
均粒径が１０μｍを超えると、組成物の性状がペースト
状にならず塗布性能が低下し好ましくない。

【００５８】導電性材料とエポキシ樹脂成分［一般式
（２）で表されるエポキシ樹脂と一般式（３）で表され
る芳香族ジアミン系化合物及び硬化剤の合計量］との配
合割合は、前者／後者の重量比で４０／６０〜９５／５
であることが好ましい。導電性材料が４０重量部未満で
あると、満足な導電性が得られず、また、９５重量部を
超えると塗布作業性が低下する。

【００５９】本発明の導電性ペーストは、粘度調整のた
め必要に応じて有機溶剤を使用できる。該有機溶剤とし
ては、ジオキサン、ヘキサン、酢酸セロソルブ、エチル
セロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセ
テート、ブチルカルビトールアセテート、イソホロン等
が挙げられ、これらは単独又は２種以上併用できる。

【００６０】本発明の導電性ペーストを製造するには、
前記の各成分を少なくとも含む組成物を各種添加剤とと
もに、一括または分割して撹拌器、らいかい器、３本ロ
ール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜
組み合わせ、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混
練または分散して均一なペースト状とすれば良い。

【００６１】本発明においては、上記で製造した導電性
ペーストを用いて半導体素子の回路形成面のパッド電極
部を被覆した後、前記パッド電極部と実装基材の外部接
続バンプ電極端子とを接着して半導体装置を得ることが
できる。その後、その表面を封止用樹脂組成物で被覆又
は／及び封止することにより半導体装置を得ることもで
きる。また、前記実装基材の外部接続バンプ電極端子が
本発明の導電性ペーストで形成されていてもよい。前記
パッド電極及び実装基材の外部接続用バンプ電極のいず
れかが本発明の導伝電性ペーストである場合にはその他
の一方は金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム
等の金属であってもよい。

【００６２】本発明の樹脂ペーストを用いて半導体素子
をリードフレーム等の支持部材に接着させるには、まず
支持部材上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、ス
クリーン印刷法、スタンピング法等により塗布した後、
半導体素子を圧着し、その後オーブン、ヒートブロック
等の加熱装置を用いて加熱硬化することにより行うこと
ができる。さらに、ワイヤボンド工程を経たのち、通常
の樹脂あるいはセラミックスを用いた方法により少なく
とも半導体素子の１部を被覆又は／及び封止して半導体
装置を得ることができる。

【００６３】本発明のエポキシ樹脂組成物は半導体装置
の被覆・封止用として有用である。半導体封止用材料と
しての用途には、ジルコン、シリカ、アルミナ、水酸化
アルミニウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、タ
ルク、珪砂、溶融石英ガラス、アスベスト、マイカ、各
種ウイスカー、カーボンブラック、二硫化モリブデン等
の充填材、高級脂肪族酸やワックスなどの離型剤、エポ
キシシラン、ビニルシラン、アルコキシチタネート化合
物などのカップリング剤が配合される。また、必要に応
じて含ハロゲン系化合物、酸化アンチモン、リン系化合
物などの難燃性付与剤等を用いることができる。これら
はエポキシ樹脂組成物とロール、ニーダ等を用いて均一
に混合して成形材料とする。

【００６４】この場合には、一般式（２）で表されるエ
ポキシ化合物と、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アリルフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂等のグリシジルエー
テル型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキ
シ樹脂及びその重合物、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビ
フェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、更に
はエポキシ樹脂の一部もしくは全部に１分子中に置換又
は非置換のアリル基を有するナフタレン環を少なくとも
１個以上有するエポキシ樹脂等を併用して用いるとよ
い。

【００６５】本発明の半導体装置は、上記したエポキシ
樹脂組成物を用いて、好ましくは、半導体素子をトラン
スファー成形することにより提供できる。 トランスフ
ァー成形の条件は、成形温度としては５０〜２００℃、
好ましくは１００〜１７０℃、更に好ましくは１２０〜
１５０℃である。成形圧力としては、１００〜５０００
ｋｇ・ｆ／ｃｍ、好ましくは２００〜１０００ｋｇ・ｆ
／ｃｍである。成形時間としては、３０〜６００秒、好
ましくは４５〜３００秒、更に好ましくは６０〜１８０
秒である。

【００６６】トランスファー成形により樹脂封止された
半導体装置は、場合に応じてアフタキュアされてもよ
い。アフタキュアの条件は、通常１００〜２００℃、好
ましくは１２０〜１８０℃で行われる。

【００６７】また、積層板用材料の用途には、無機繊維
賭してEガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラ
ス、Qガラス等の各種ガラスクロス、有機繊維としてア
ラミド繊維、カーボン繊維、ポリエステル繊維等やアラ
ミド、芳香族ポリエステル不織布等が用いられる。本発
明のエポキシ樹脂組成物を有機溶媒に溶解し、それぞれ
の繊維に塗布した後、有機溶媒を加熱乾燥して積層板用
材料を得ることができる。有機溶媒としては例えば、ア
セトン、キシレン、メチルセルソルブ、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン、キノリン、シクロペンタノン、ｍ−
クレゾ−ル、クロロホルムなどのうち、少なくとも１種
が用いられる。

【００６８】

【発明の実施の形態】次に、実施例により本発明を具体
的に説明する。

【００６９】

【実施例１】エポキシ樹脂として、１，４―フェニレン
ジグリシジルエーテル100重量部、パラフェニレンジア
ミン６０重量部をメチルエチルケトン１６５ｍｌに溶解
し、固形分50重量％のワニスを調整した。該ワニスに硬
化剤として2-ヘプタデシルイミダゾール4重量部を添加
した。このワニスをガラスクロス（Eガラス、厚さ0.05m
m）に塗布し、80℃、10分間乾燥させプリプレグを得
た。該プリプレグを20枚積層し、圧力30kgf/cm^２,130℃
で40分、170℃で2時間加熱硬化して積層板を得た。

【００７０】

【比較例１】エポキシ樹脂をビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂ＥＰ８２８（油化シエル株製）１００重量部、パ
ラフェニレンジアミン６０重量部をメタフェニレンジア
ミン６０重量部に変えた他は実施例１と同じ条件で作成
した場合の積層板の特性比較を表１に示す。

【００７１】

【表１】

【００７２】

【実施例２】エポキシ樹脂として、１，４―フェニレン
ジグリシジルエーテル100重量部、ｐ−ＰＡ３５重量
部、フェノールノボラック樹脂２０重量部、トリエチル
アミンテトラフェニルボレート1.0重量部、カップリン
グ剤としてγーグリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン1.0重量部、石英粉500重量部、離型剤としてステアリ
ン酸1.5重量部、カーボンブラック1.0重量部の配合物を
70℃の2本ロールで均一に混合し、成形材料を作成し
た。該成形材料を180℃、70kg/cm^２,5分間の条件でトラ
ンスファ成形し、各種特性測定用試験片を作成した。表
２に特性値を示す。

【００７３】

【比較例２】エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック
樹脂（エポキシ当量200）１００重量部、硬化剤として
フェノールノボラック樹脂６０重量部を用いた他は実施
例２と同様にして成形材料及び試験片を作成した。

【００７４】

【表２】

【００７５】

【実施例３〜５】

【比較例３，４】エポキシ樹脂として、１，４―フェニ
レンジグリシジルエーテル６０重量部、ＹＤＦ−１７０
（東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エ
ポキシ当量＝１７０）４０重量部、ｐ−ＰＡ３５重量
部、フェノールノボラック樹脂２０重量部、希釈剤とし
てＰＰ−１０１（東都化成株製、アルキルフェニルグリ
シジルエーテル、エポキシ当量＝２３０）２０重量部を
１００℃に加熱し、１時間撹拌を続け、均一なフェノー
ル樹脂溶液、２Ｐ４ＭＨＺ（四国化成社製イミダゾール
系硬化促進剤）を添加して調製した。

【００７６】表３に示す配合割合で各材料を混合し、３
本ロールを用いて混練した後、５トル（Torr）以下で１
０分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。

【００７７】この樹脂ペースト組成物の特性（粘度、ピ
ール強度及び耐リフロー性）を下記に示す方法で調べ
た。その結果を表３に示す。

【００７８】

【表３】

【００７９】（１）粘度：ＥＨＤ型回転粘度計（東京計
器社製）を用いて２５℃における粘度（Pa・s）を測定
した。

【００８０】（２）ピール強度：樹脂ペースト組成物を
銅リードフレーム上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に
８ｍｍ×８ｍｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧着
し、さらにオーブンで１５０℃まで３０分で昇温し１５
０℃で１時間硬化させた。

【００８１】これを自動接着力装置（日立化成社製、内
製）を用い、２４０℃における引き剥がし強さ（ｋｇ/
チップ）を測定した。アルミピール強さ（接着強さ）金
型に鏡面仕上げされたアルミニウム箔を敷き、該アルミ
ニウム箔表面にエポキシ樹脂組成物を成形して得た試験
片を、オートグラフＡＧＳ−５００Ａ型（株・島津製作
所製）を用いて３０ｍｍ／ｍｉｎ．の速度でアルミニウ
ム箔を垂直にピールすることにより、エポキシ樹脂硬化
物のアルミニウムに対するピール強度（接着強さ）を測
定した。

【００８２】（３）チップ反り：樹脂ペースト組成物を
銅リードフレーム上に約３．２ｍｇを塗布し、この上に
５ｍｍ×１３ｍｍのＳｉチップ（厚さ０．４ｍｍ）を圧
着し、さらにオーブンで１５０℃まで３０分で昇温し１
５０℃で１時間硬化させた。これを表面粗さ計（sloan
社製、Dektuk 3030）を用い、チップ反り（μｍ）を測
定した。

【００８３】（４）耐リフロー性：実施例及び比較例に
より得た樹脂ペースト組成物を用い、下記リードフレー
ムとＳｉチップを、下記の硬化条件により硬化し接着し
た。

【００８４】その後日立化成工業製エポキシ封止材（商
品名ＣＥＬ−４６２０）により封止し、半田リフロー試
験用パッケージを得た。そのパッケージを温度及び湿度
がそれぞれ８５℃、８５％の条件に設定された恒温恒湿
槽中で７２時間吸湿させた。その後２４０℃／１０秒の
リフロー条件で半田リフローを行いパッケージの外部ク
ラックの発生数を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察した。

【００８５】５個のサンプルについてクラックの発生し
たサンプル数を示す。

【００８６】（チップサイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ、パッ
ケージ：ＱＦＰ、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ、フレー
ム：銅、硬化条件：１５０℃まで３０分で昇温、１５０
℃で１時間硬化） 表３の結果から、本発明の樹脂ペースト組成物（実施例
１，２および３）はエポキシ樹脂を用いた樹脂ペースト
組成物（比較例１）やビスマレイミドを単独で用いた樹
脂ペースト組成物（比較例２）に比較してピール強度、
チップ反りで良好な値を示し、耐リフロー性も優れてい
た。このことから、本発明の樹脂ペースト組成物によれ
ばパッケージの外部クラックの発生が抑制され、銅リー
ドフレームにおいても信頼性の高いパッケージが得られ
ることが確認された。

【００８７】

【実施例６〜１１】

【比較例７】エポキシ樹脂として、１，４―フェニレン
ジグリシジルエーテル100重量部、パラフェニレンジア
ミン６０重量部を配合したエポキシ樹脂（ａ）及び１，
４―（２―メチル）フェニレンジグリシジルエーテル10
0重量部、パラ（２―メチル）フェニレンジアミン６０
重量部エポキシ樹脂（ｂ）を取り上げ、これらに、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１６８
（ＥＰ−８２８、油化シェル株製）と、酸無水物硬化剤
として、ＨＮ−５５００（日立化成工業株製）、硬化促
進剤としてイミダゾール系の１―ベンジルー２―フェニ
ルイミダゾール、（１Ｂ２ＰＺ、四国化成株製）、離型
剤として、ヘキストワックスＥ（ヘキストジャパン株
製）の所定量をそれぞれ配合した。該組成物をそれぞれ
別個にニーダーで混練（バレル温度：９０℃）した後、
冷却、して７種のエポキシ樹脂組成物を得た。

【００８８】次いで、前記で得たエポキシ樹脂組成物を
用いて、トランスファー成形（成形温度：１７０℃、成
形圧力：７０ｋｇ・ｆ／ｃｍ^２、成形時間３分）によ
り、各種特性測定用試験片を成形したのち、１５０℃、
３時間アフタタキュアした。試験評価結果を表４に示
す。

【００８９】

【表４】

【００９０】

【実施例１０】（１）エポキシ系重合体前駆体組成物の
調製 実施例１で得られたポリマ１０ｇをγ−ブチロラクトン
１６ｇ、シクロペンタノン２ｇに溶解し、テトラエチレ
ングリコールジアクリレート２．５ｇ及び表１に示す感
光剤を配合した後、３μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾
過して、溶液状の感光性ポリイミド前駆体組成物を得
た。感光剤は、２，２´−ビス（ｏ−クロロフェニル）
−４，４´，５，５´−テトラフェニルビスイミダゾー
ル（Ｃｌ−ＨＡＢＩと略す）、メルカプトベンゾキサゾ
ール（ＭＢＯと略す）およびＮ−フェニルグリシン（Ｎ
ＰＧと略す）を使用した。

【００９１】（２）パターンの製造 各実施例及び比較例で調製した感光性ポリイミド前駆体
組成物を、シリコンウエーハ上に回転塗布し、ホットプ
レート上８０℃で２００秒加熱して１０μｍ厚の塗膜を
得た。この塗膜をｉ線ステッパにより４０（ｍＪ／ｃｍ
^２）ステップで４０〜３６０（ｍＪ／ｃｍ^２）、１００
（ｍＪ／ｃｍ^２）ステップで１００〜９００（ｍＪ／ｃ
ｍ^２）露光を行った。その後２．３８重量％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で浸漬現像を行い、
さらに水でリンスした。その際の現像時間は、塗膜の溶
解時間の１．７倍とした。

【００９２】現像後のパターン形状を測定、観察した。
その結果、透過率は２８％、現像時間５０秒、解像度３
μｍ、接着率１００（％）、残留応力９Ｍｐａであっ
た。

【００９３】

【発明の効果】本発明のエポキシ系の重合体は耐熱性、
可撓性、接着性に優れており、該重合体を含む樹脂組成
物は、半導体装置のダイボンディング材として使用した
場合に銅リードフレームにおいても、チップクラックや
チップ反りおよび半田リフロー時のペースト層の剥離を
抑えることができ、リフロークラックの発生を低減させ
る。その結果、半導体装置としての信頼性を向上させる
ことができる。

【００９４】また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、、
金属（アルミニウム）との接着性に優れている。このた
め、信頼性に優れた半導体装置及び回路基板を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の重合体組成物を絶縁膜層に用いた多
層配線構造の半導体装置の断面を示す。

【図２】 本発明の重合体組成物を絶縁膜層に用い、図
１の窓６（パッド）部を導電性ペーストで埋めた多層配
線構造の半導体装置の断面を示す。

【符号の説明】

１…半導体基板、 ２…保護膜、 ３…第１導体層、
４…層間絶縁膜、 ５…第２導体層、 ６…窓、 ７
…導電性ペースト、 ８…表面保護層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年９月２２日（１９９８．９．２
２）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９０】

【実施例１２】（１）エポキシ系重合体前駆体組成物の
調製 実施例１で得られたポリマ１０ｇをγ−ブチロラクトン
１６ｇ、シクロペンタノン２ｇに溶解し、テトラエチレ
ングリコールジアクリレート２．５ｇ及び表１に示す感
光剤を配合した後、３μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾
過して、溶液状の感光性ポリイミド前駆体組成物を得
た。感光剤は、２，２´−ビス（ｏ−クロロフェニル）
−４，４´，５，５´−テトラフェニルビスイミダゾー
ル（Ｃｌ−ＨＡＢＩと略す）、メルカプトベンゾキサゾ
ール（ＭＢＯと略す）およびＮ−フェニルグリシン（Ｎ
ＰＧと略す）を使用した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 鈴木 正博 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 4J036 AC01 AC05 AC06 DC02 DC03 DC10 DC11 FB06 FB09 FB12 JA01 JA15 KA01 4J038 DB051 GA01 GA08 HA066 JB07 JB27 KA20 NA20 4M109 AA01 BA01 CA21 EA06 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EC01 EC03 EC05

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】式一般式（１） 【化１】 （但し、上記中、Ｒ１，Ｒ２は水素、アルキル基、アル
   コキシ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基
   の中から選択されるいずれかであり、お互いに同じであ
   っても異なっていてもよい。）で表される繰り返し単位
   構造を有する重合体を含むことを特徴とする組成物。
2. 【請求項２】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂と、 【化２】 （但し、上記式中、Ｒ１は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。） 一般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物 【化３】 （但し、上記式中、Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。）を含有することを特
   徴とするエポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂と一
   般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物との配合
   比が前者１モルに対し後者０．７〜１．２モルである請
   求項２記載のエポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、 【化４】 （但し、上記式中、Ｒ１は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。） 一般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物、 【化５】 （但し、上記式中、Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。）及び少なくとも１個
   のＮ−置換不飽和イミド基を有する化合物を含有するこ
   とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】一般式（２）で表される化合物が１，４―
   フェニレンジグリシジルエーテルであり、一般式（３）
   で表される芳香族ジアミン系化合物がｐ―フェニレンジ
   アミンである請求項２又は請求項３記載のエポキシ樹脂
   組成物。
6. 【請求項６】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、 【化６】 （但し、上記式中、Ｒ１は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。） 一般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物、 【化７】 但し、上記式中、Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキシ
   基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中か
   ら選択されるいずれかである。）及び導電性材料を含有
   することを特徴とする導電性ペースト。
7. 【請求項７】導電性材料が金属粉末であって、導電性ペ
   ーストの総量に対して３０〜９９重量％を含有する請求
   項６記載の導電性ペースト。
8. 【請求項８】絶縁性基材の表面に電気的回路層が形成さ
   れ、該電気的回路層上に外部接続用電極が形成されてな
   る回路基板において、前記外部接続用電極の少なくとも
   １部が、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂、 【化８】 （但し、上記式中、Ｒ１は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。） 一般式（３）で表される芳香族ジアミン系化合物、 【化９】 （但し、上記式中、Ｒ２は水素、アルキル基、アルコキ
   シ基、ハロゲン、フルオロアルキル基、フェニル基の中
   から選択されるいずれかである。）及び導電性材料を含
   有する導電性ペーストで構成されていることを特徴とす
   る回路基板。
9. 【請求項９】絶縁性基材が、厚さ１〜５００μｍのポリ
   イミド系又は、ポリキノリン系フィルムであることを特
   徴とする請求項８記載の回路基板。
10. 【請求項１０】半導体素子が接着層を介して支持部材に
    固着され、更に前記半導体素子の少なくとも１部が樹脂
    組成物で被覆又は／及び封止されてなる半導体装置にお
    いて、前記接着層が請求項１、請求項２又は請求項４記
    載のエポキシ樹脂組成物であることを特徴とする半導体
    装置。
11. 【請求項１１】集積回路を形成した半導体素子と、該半
    導体素子の集積回路形成面側に形成された複数の電極パ
    ッドと、該電極パッドに接続された外部接続用バンプ電
    極を有する実装基材とから構成される半導体装置におい
    て、前記電極パッド及び前記外部接続用バンプ電極の少
    なくとも一方が請求項６又は請求項７記載の導電性ペー
    ストを用いてなることを特徴とする半導体装置。
12. 【請求項１２】前記半導体素子の集積回路形成面に形成
    された電極パッドと、前記実装基材の外部接続用バンプ
    電極が電気的に接続され、該集積回路形成面と実装基材
    との間に応力緩和層が形成されてなることを特徴とする
    請求項１１記載の半導体装置。