JP2000082427A

JP2000082427A - 漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装置及び漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000082427A
Application number: JP10248227A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Hanaoka; 英章花岡
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-09-02
Filing date: 1998-09-02
Publication date: 2000-03-21

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、周辺に損傷を与えることなく形成
でき、かつ短時間で効率良く、導電膜との電気的接触が
可能になる漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示
装置及び漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装
置の製造方法を提供すること。【解決手段】基材１３１と反射防止膜１３４との間に
設けられた導電膜１３３に対して接触して配置される漏
洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装置におい
て、上記電極部１４０が光の照射によって溶解した半田
１７０によって構成されていることを特徴とする漏洩電
磁界のシールド用電極部１４０を有する表示装置１０
０。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、漏洩電磁界のシー
ルド用電極部を有する表示装置及び漏洩電磁界のシール
ド用電極部を有する表示装置の製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンピュータ等の表示装置である
ディスプレイを操作する操作者は、操作に際し、このデ
ィスプレイと近接して操作することが必要であった。こ
のディスプレイは、その装置の性質上、漏洩電磁界が出
てしまうことが知られている。この漏洩電磁界は、例え
ばＶＬＦ帯（２〜４００ＫＨｚ）及びＥＬＦ帯（５〜２
０００ＫＨｚ）等であるため、この漏洩電磁界の操作者
の人体に対する影響が問題となっていた。そして、この
ような漏洩電磁界に対してヨーロッパを中心として、Ｍ
ＰＲ−２という規格やＴＣＯというガイドラインが設け
られている。このような状況で、この漏洩電磁界を低減
するために、以下のような手法が用いられている。すな
わち、例えばディスプレイからの漏洩電磁界を回路的に
キャンセルする方法や、適当なシールド板を設けるなど
の方法である。これらの方法は、漏洩電磁界をある程度
低減させることはできるが、ディスプレイに透明な導電
膜を設けて、それをディスプレイのアースと接続させる
方法の方がより有効である。この方法の場合、透明な導
電膜として用いられるのは、例えばＩＴＯ（酸化インジ
ウム錫）やＳｎＯ２等の酸化物又はＰｄ，Ａｕ，Ｃｒ，
Ｔｉ等の金属であるが、これらの金属の屈折率は、一般
に空気よりも大きい。このため、外光や照明の反射がこ
の透明な導電膜で強くなるため、ディスプレイ上の表示
文字又は図形と外光との反射像とが重なり合うことにな
り、好ましくない。このような不都合を避けるため、こ
の透明な導電膜上に少なくとも１層の反射防止膜（ａｎ
ｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃｏａｔｉｎｇ，ＡＲ
膜）を形成する方法がとられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
導電膜の上に設ける反射防止膜は、一般にＳｉＯ2 ，Ａ
ｌ2 Ｏ2 , ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 等の誘電体酸化物で形成
されている。この誘電体酸化物の体積抵抗率は１０×１
０乗Ωｃｍ以上と高いため、上述の導電膜との電気的接
触が困難となり、上述のディスプレイのアースと接続さ
せるのが難しくなるという問題があった。また、この反
射防止膜の耐久性や指紋等の汚れに対するこの反射防止
膜の防汚性を改善するため、この反射防止膜上に、フッ
ソ化合物による膜をさらに形成することも行われている
ため、ますます、上記ディスプレイのアースと接続させ
るのが困難となっていた。この上記導電膜と上記ディス
プレイのアースとを接続させることの困難を解決する方
法として、以下の方法があった。すなわち、接続をした
い部分の上記導電膜の上にある上記反射防止膜等を除去
する方法や、上記反射防止膜等の形成時に可動式防着板
を使って、特定の部分だけこの反射防止膜等を形成しな
いようにする方法等がある。しかし、この上記反射防止
膜等を除去する方法では、反射防止膜等が１０〜２００
ｎｍと一般に薄いため、機械的に除去するのは、困難で
あり、もし無理に除去しようとすると、反射防止膜等の
みならず導電膜も共に除去してしまうという問題があ
る。また、上記防着板を使って、特定の部分だけこの反
射防止膜等を形成しないようにする方法（例えば特開平
２−９４２９６号等）は、大がかりな設備が必要とな
り、コストが上昇するという問題がある。

【０００４】さらに、特開平１−２８６２２９号に示さ
れているように、上記反射防止膜等の上に合金半田を配
置し、これを超音波を付加しながら熱を加えて溶解さ
せ、この溶解によって、反射防止膜等の下にある導電膜
と接触可能な電極を形成する方法もある。しかし、この
導電膜の下に設けられているプラスチック基材の結晶化
温度は、例えばポリメタクリル酸メチル（アクリル樹
脂）で１００度Ｃ前後、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）で７０度前後、ポリカーボネート（ＰＣ）で
は１５０度Ｃ前後であり、一般に半田付けで使われる温
度１８０度Ｃ〜４００度Ｃより低い。このため、上述の
ように合金半田に熱を加えると電極を形成しようとする
部分だけでなく、その周辺も熱変形を起こす可能性があ
り、問題があった。一方、このような熱変形を避けるた
め、融点の低い半田材料を用い半田付けの温度を低くす
ると、上記導電膜と電極部分とが十分な接触を得られな
いという問題もあった。

【０００５】また、上記プラスチック基材に上記導電膜
及び上記反射防止膜を形成した後に、この基材毎、ディ
スプレイの大きさに合わせて切断するため、この切断面
を利用して、この導電膜と接触をとるという方法もあ
る。しかし、この導電膜が、一般に１〜５００ｎｍと薄
いため、この導電膜との接触面積が小さく、かつ切断面
における導電膜の破壊や欠落により実際に確実な接触を
とるのは困難であるという問題があった。また、上記プ
ラスチック基材が薄いため、これをディスプレイの表示
面に粘着材や接着剤で、張りつけると、これら粘着材や
接着剤のはみ出し等により上記導電膜の断面が覆われて
しまうため、この導電膜との接触は困難になるという問
題があった。さらに、アメリカ合衆国の特許（Ｎｏ．
４，７３２，４５４）に示されているように、上記導電
膜が露出している場合は、貫通孔を用いて、その露出し
た導電膜に導体を押しつけることにより、アースをする
ことが可能となるが、導電膜が露出していない場合は、
単に導体を押しつけても安定した接触（接続）は得られ
ないという問題があった。

【０００６】本発明は、以上の点に鑑み、周辺に損傷を
与えることなく形成でき、かつ短時間で効率良く、導電
膜との電気的接触が可能になる漏洩電磁界のシールド用
電極部を有する表示装置及び漏洩電磁界のシールド用電
極部を有する表示装置の製造方法を提供することを目的
としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、基材と反射防止膜との間に設けられた導電膜に対
して接触して配置される漏洩電磁界のシールド用電極部
を有する表示装置において、上記電極部が光の照射によ
って溶解した半田によって構成されていることを特徴と
する漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装置に
より、達成される。

【０００８】また、上記目的は、本発明によれば、基材
と反射防止膜の間に導電膜を配置し、この反射防止膜上
に半田を配置し、この半田を光の照射によって溶解さ
せ、この溶解した半田を、上記導電膜と接触させること
で、この溶解した半田が漏洩電磁界のシールド用電極部
を形成し、これら基材、反射防止膜及びシールド用電極
部を表示装置に配置することを特徴とする漏洩電磁界の
シールド用電極部を有する表示装置の製造方法により、
達成される。

【０００９】上記構成によれば、反射防止膜上に設けら
れた半田を光の照射によって溶解することで漏洩電磁界
のシールド用電極部が形成され、この電極部が導電膜に
対して接触して配置される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図６を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。

【００１１】図１は、本発明の漏洩電磁界のシールド用
電極部を有する表示装置の実施の形態を示す図である。
図において、表示装置である陰極線管（ブラウン管）１
００は、テレビジョン又はコンピュータのディスプレイ
等として用いられるものである。陰極線管１００は、そ
の本体が、パネルガラス１１０で形成されており、図に
おいて下方から上方に向かってその径が広がるように形
成されている。そして、図において上面には画像等の表
示部がもうけられている。この画像等の表示部及びその
近傍を示したものが図２である。すなわち、図２は、図
１のＡで示した部分を拡大した図である図において、パ
ネルガラス１１０の上面には、接着剤層１２０を介して
機能性フィルムであるＡＲ（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔ
ｉｏｎ）フィルム１３０が設けられている。このＡＲフ
ィルム１３０には、漏洩電磁界のシールド用電極部１４
０が設けられており、この漏洩電磁界のシールド用電極
部１４０に接触して、導電テープ１５０が配置されてい
る。そして、この導電テープ１５０は、図において下方
で、テンションバンド１６０によって保持されている。

【００１２】図３は、図１の陰極線管１００の平面図で
ある。図示するように、中心部のパネルガラス１１０を
囲むように、テンションバンド１６０が配置されてい
る。そして、このテンションバンド１６０に保持された
導電テープ１５０が４つ設けられている。また、パネル
ガラス１１０の上には、上述のように、ＡＲフィルム１
３０が設けられており、このＡＲフィルム１３０に設け
られた漏洩電磁界のシールド用電極部１４０が、これら
４つの導電テープ１５０と接触するようになっている。
図４は、ＡＲフィルム１３０の断面を示した図である。
図において、ＡＲフィルム１３０は、先ず、基材である
プラスチックフィルム１３１を有している。このプラス
チックフィルム１３１は、例えば厚さ１８８μｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。その他、ホ
リメタクリル酸（アクリル樹脂）やポリカーボネート
（ＰＣ）等であってもよい。また、厚さも１８８μｍに
限らず、通常２５μｍ〜５００μｍ程度である。このよ
うなプラスチックフィルム１３１上に、例えばアクリル
系のハードコート１３２が設けられている。このハード
コート１３２の厚さは、例えば１０μｍ程度である。

【００１３】そして、このハードコート１３２の上に、
導電膜１３３が設けられている。この導電膜１３３は、
透明であって例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）がスパ
ッタリング法により、例えば厚さ１３０ｎｍ程度形成さ
れる。この導電膜１３３としては、他にＳｎＯ2 等の酸
化物やＰｄ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔｉ等の金属が用いられる。
このように設けられた導電膜１３３の上に、反射防止膜
としてのＡＲ膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎｃ
ｏａｔｉｎｇ）１３４が形成される。このＡＲ膜１３４
は、例えばＳｉＯ2 を例えば８０ｎｍ程度形成する。こ
のＡＲ膜１３４としては、ＳｉＯ2 以外にも、Ａｌ2 Ｏ
2 , ＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 等の誘電体酸化物が用いられ
る。このＡＲ膜１３４は反射防止膜であるため、導電膜
１３３を形成するＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の屈折
率が空気より大きいために生じる陰極線管１００の表示
面における表示文字又は図形と外光との反射像の重なり
が、このＡＲ膜１３４によって防止されることになる。

【００１４】このように複数の層で構成され、一体的に
形成れているＡＲフィルム１３０は、図１に示すよう
に、陰極線管１００のパネルガラス１１０の表示部に接
着剤層１２０によって接着されることになる。具体的に
は、先ず、パネルガラス１１０の表示部に、例えばアク
リル系紫外線硬化樹脂を塗布する。そして、ＡＲフィル
ム１３０をその樹脂の上に置き、図示しないローラで十
分押さえつけて、ＡＲフィルム１３０を樹脂に密着させ
る。その後、この樹脂に紫外線を照射し硬化させること
になる。このパネルガラス１１０に接着されたＡＲフィ
ルム１３０に、図２で示す漏洩電磁界のシールド用電極
部１４０が形成されることになる。以下のその形成方法
を説明する。

【００１５】先ず、このパネルガラス１１０に接着され
たＡＲフィルム１３０の四隅、例えば図３の導電テープ
１５０が設けられている部分に、クリーム半田１７０
（図５参照）を図示しないディスペンサーで５ｍｍ×５
ｍｍの正方形の形状で、かつ、約２００μｍ程度の厚さ
で塗布する。このクリーム半田１７０は、例えば錫と鉛
から成る半田材料を５０μｍ程度の小さな粒子状にした
ものに、１０〜２０％程度のフラックスを加えて固定
し、ペースト状にしたものである。そして、このクリー
ム半田１７０の粘度は例えば５０，０００ＣＰＳ程度と
高くなっている。このようなクリーム半田１７０を上記
ＡＲフィルム１３０上に載置した状態を示すのが図５で
ある。図に示すように、陰極線管１００のパネルガラス
１１０の上には、接着剤層１２０を介してＡＲフィルム
１３０が配置されている。そして、このＡＲフィルム１
３０上に載置されているクリーム半田１７０に対して、
高エネルギ密度を有する光であるレーザ、例えば４０Ｗ
の出力を有するＹＡＧ（ＹｔｔｒｉｕｍＡｌｕｍｉｎ
ｉｕｍＧａｒｎｅｔ）レーザを、例えば０．５秒照射
する。このＹＡＧレーザの照射は、上記のＡＲフィルム
１３０の四隅に載置されている４つのクリーム半田１７
０に対して、それぞれ行われる。このようにＹＡＧレー
ザを照射することで、クリーム半田１７０は、瞬間的に
溶解する。

【００１６】このようにクリーム半田１７０が、ＹＡＧ
レーザによって瞬間的に溶解することによって、クリー
ム半田１７０が漏洩電磁界のシールド用電極部１４０と
なる。この状態を示すのが図６である。図において、Ｙ
ＡＧレーザの照射があると、その熱によりＡＲフィルム
１３０を部分的に破壊することになる。すなわち、図６
において、ＡＲフィルム１３０のＡＲ膜１３４、導電膜
１３３、ハードコート１３２を貫いて、その下のプラス
チックフィルム１３１の一部にまで、その破壊が行われ
ることになる。このように破壊された部分に、溶解した
クリーム半田１７０が流れ込むことになる。この流れ込
んだクリーム半田１７０は、破壊された導電膜１３４の
端面と接触し、電気的にも接触することになる。この電
気的接触により、陰極線管１００のＶＬＦ帯（２〜４０
０ＫＨｚ）やＥＬＦ帯（５〜２０００ＫＨｚ）等の人体
に有害な漏洩電磁界をアースし、除去できるため、この
溶解したクリーム半田１７０は、漏洩電磁界のシールド
用電極部１４０となる。また、このように漏洩電磁界の
シールド用電極部１４０を形成すると、図６に示すよう
に、溶解したクリーム半田１７０がＡＲ膜１３４、導電
膜１３３、ハードコート１３２のみならず、プラスチッ
クフィルム１３１にまで達することになる。このため、
投錨効果により漏洩電磁界のシールド用電極部１４０
は、ＡＲフィルム１３０に対し、十分に密着されること
になる。さらに、このようにＹＡＧレーザ等の高エネル
ギ密度の光の照射によって、漏洩電磁界のシールド用電
極部１４０を形成するため、この電極部１４０周辺での
熱による損傷が少なく、プラスチックフィルム１３１の
熱容量にかかわらず短時間で電極部１４０を形成するこ
とができる。

【００１７】このように形成された漏洩電磁界のシール
ド用電極部１４０を有するＡＲフィルム１３０は、上述
のように陰極線管１００のパネルガラス１１０に接着層
１２０を介して接着される。そして、図３に示すよう
に、電極部１４０を覆うように導電性のテープ１５０が
配置される。この導電性のテープ１５０は、テンション
バンド１６０と接続され、アース（接地）されることに
なる。このようにアースされることで、上述の人体に有
害な漏洩電磁界をシールドすることができる。上述のよ
うにして、パネルガラス１１０の四隅に設けられた漏洩
電磁界のシールド用電極部１４０のうち、対角線上に配
置されている電極部１４０間の抵抗をテスタで測定した
ところ、ＡＲ膜１３４を表面に設けていない電極部と同
じ測定値である、６６０Ωであった。したがって、漏洩
電磁界のシールド用電極部１４０は、導電膜１３３と良
好な接触が得られていることが証明された。

【００１８】このように本実施に形態によれば、プラス
チックフィルム１３１が薄い場合や、このプラスチック
フィルム１３１を含むＡＲフィルム１３０を陰極線管１
００のパネルガラス１１０に接着剤等で接着される場合
であっても、特殊な設備を必要とせず、導電膜１３３と
の良好な接触を得ることができる漏洩電磁界のシールド
用電極部１４０を、ＡＲフィルム１３０に設けることが
できる。また、プラスチックフィルム１３１との密着が
良い漏洩電磁界のシールド用電極部１４０を形成するこ
とができる。さらに、短時間のＹＡＧレーザの照射で漏
洩電磁界のシールド用電極部１４０の相当部に熱エネル
ギを集中して与えることにより、プラスチックフィルム
１３１の熱伝導率や熱容量に左右されることなく、クリ
ーム半田１７０の溶解に必要な温度を集中的に、かつ瞬
間的に与えることができる。したがって、プラスチック
フィルム１３１の損傷が少なく、かつ安定した電気的接
触が導電膜１３３と漏洩電磁界のシールド用電極部１４
０との間で得られることになる。また、短時間に漏洩電
磁界のシールド用電極部１４０が形成できるため、効率
がが良く製造上コストダウンが可能となる。

【００１９】本実施の形態では、クリーム半田１７０と
し、その半田材料として一例を挙げたが、これに限るも
のではなく、例えば錫／鉛（Ｓｎ／Ｐｂ）を主成分とし
て、Ｚｎ，Ｓｂ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｃｕ等を添加し、
合金化したものなども含まれる。また、半田の形状も、
クリーム半田１７０のみならず、一般的な糸状半田、リ
ボン状半田、円盤状チップに加工されたもの、ドーナツ
盤状チップに加工されたリング半田等でもよい。そし
て、このようなチップ形状のものを使う場合は、ＹＡＧ
レーザの照射までの間にフラックス等で電極部に相当す
る位置に固定することになる。

【００２０】また、本実施の形態において、ＹＡＧレー
ザをクリーム半田１７０に照射する場合に、光ファイバ
ーを用いて光分岐をさせ、多点を同時に照射したり、シ
リドリカルレンズを用いて線状に集光して照射したり、
スキャン用ミラーを用いてスキャニングするなどの手法
が応用できる。これらの手法を用いることにより、より
短時間に効率よく、かつ多くの漏洩電磁界のシールド用
電極部１４０を形成することができる。

【００２１】さらに、本実施の形態では、高エネルギ密
度を有する光として、ＹＡＧレーザを用いたが、それに
限らず、光として２００Ｗのハロゲンランプを反射鏡で
直径３ｍｍ程度まで集光させた光を使用して、５秒間照
射しても良い。

【００２２】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、周
辺に損傷を与えることなく形成でき、かつ短時間で効率
良く、導電膜との電気的接触が可能になる漏洩電磁界の
シールド用電極部を有する表示装置及び漏洩電磁界のシ
ールド用電極部を有する表示装置の製造方法を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の漏洩電磁界のシールド用電極部を有す
る表示装置の実施の形態を示す図である。

【図２】図１の画像等の表示部及びその近傍を示したも
のが図２である。

【図３】図１の陰極線管の概略平面図である。

【図４】ＡＲフィルムの断面を示した概略断面図であ
る。

【図５】ＡＲフィルム上に載置されたクリーム半田に対
してＹＡＧレーザを照射する状態を示す説明図である。

【図６】ＹＡＧレーザによって溶解したクリーム半田が
漏洩電磁界のシールド用電極部となる状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１００・・・陰極線管、１１０・・・パネルガラス、１
２０・・・接着剤層、１３０・・・ＡＲフィルム、１３
１・・・プラスチックフィルム、１３２・・・ハードコ
ート、１３３・・・導電膜、１３４・・・ＡＲ膜、１４
０・・・漏洩電磁界のシールド用電極部、１５０・・・
導電テープ、１６０・・・テンションバンド、１７０・
・・クリーム半田

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材と反射防止膜との間に設けられた導
電膜に対して接触して配置される漏洩電磁界のシールド
用電極部を有する表示装置において、上記電極部が光の照射によって溶解した半田によって構
成されていることを特徴とする漏洩電磁界のシールド用
電極部を有する表示装置。
【請求項２】上記光が高エネルギ密度を有するレーザ
又はハロゲンランプであることを特徴とする請求項１に
記載の漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装
置。
【請求項３】上記電極部は上記導電膜と上記表示装置
のアース部とを接続していると共に、上記基材、上記反
射防止膜及びこの導電膜が機能性フィルムとして形成さ
れていることを特徴とする請求項１に記載の漏洩電磁界
のシールド用電極部を有する表示装置。
【請求項４】上記表示装置が画像表示用ＣＲＴであっ
て、上記機能性フィルムと上記電極部が、そのＣＲＴの
表面又はその近傍に設けられていることを特徴とする請
求項３に記載の漏洩電磁界のシールド用電極部を有する
表示装置。
【請求項５】基材と反射防止膜の間に導電膜を配置
し、この反射防止膜上に半田を配置し、この半田を光の照射によって溶解させ、この溶解した半田を、上記導電膜と接触させることで、
この溶解した半田が漏洩電磁界のシールド用電極部を形
成し、これら基材、反射防止膜及びシールド用電極部を表示装
置に配置することを特徴とする漏洩電磁界のシールド用
電極部を有する表示装置の製造方法。
【請求項６】上記光が高エネルギ密度を有するレーザ
又はハロゲンランプであることを特徴とする請求項５に
記載の漏洩電磁界のシールド用電極部を有する表示装置
の製造方法。