JP2000068209A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 排気系へのプロセスガスの生成物の付着を低
減でき、パーティクルの発生を抑制することができる基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 二つの導入口４、４に交互にプロセスガ
スを供給すると共に、プロセスガスを導入している導入
口４側の排気口５をＡＰＣバルブ１１で閉じ、反対側の
排気口５をＡＰＣバルブ１１により開度を制御し、処理
容器１にプロセスガスをガス流Ｆ１とガス流Ｆ２とに交
互に切り替えて流す。プロセスガスを導入している導入
口４側の排気口５をＡＰＣバルブ１１で塞ぎ、排気口５
の排気管６がプロセスガスの滞留部となるのを防止し、
排気管６などに付着するプロセスガスの生成物の付着量
を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハや
ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置に係り、
特に排気系のパーティクルの発生を抑制することができ
る基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ウェーハやガラス基板等の基板に成膜、
拡散、酸化等の処理を施す基板処理装置として、図２に
示すように、処理容器１の基板が載置される反応室部２
内に供給されるプロセスガスを、交互に逆方向に切り替
えて流すようにした、いわゆるフリップフロップ方式の
基板処理装置が知られている。

【０００３】反応室部２両側の反応室フランジ部３、３
には、それぞれ上部にプロセスガスの導入口４、４が、
また底部には排気口５、５が形成されている。排気口
５、５には、それぞれテーパ状の排気管６、６を介して
アングルバルブ７、７が設けられている。二つのアング
ルバルブ７、７は、集合管８によって集合され排気管９
に接続されている。排気管９と集合管８との接続部に
は、ＡＰＣ（自動圧力制御）バルブ１０が設けられてい
る。

【０００４】この基板処理装置では、反応室部２を流れ
るプロセスガスの方向が、図示のようにガス流Ｆ１とガ
ス流Ｆ２とに交互に切り替えられるように、二つの導入
口４、４のいずれか一方から且つ交互にプロセスガスが
導入されると共に、二つのアングルバルブ７、７のう
ち、プロセスガスが導入されている導入口４側のアング
ルバルブ７が閉、反対側のアングルバルブ７が開となる
ように開閉状態が切り替えられる。プロセスガスのガス
流が常に一方向のみ（例えば、ガス流Ｆ１の一方向の
み）であると、基板に形成される膜の膜厚などがガス流
の上流側と下流側とで不均一となる。そこで、ガス流Ｆ
１とガス流Ｆ２とに交互に切り替えて二方向に流し、基
板に形成される膜の膜厚などの均一化を図っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た基板処理装置では、導入口４から導入したプロセスガ
スが、その導入口４下方の排気口５の排気管６に流れ込
み、排気管６部分がプロセスガスの滞留部となってい
た。このため、排気口５からアングルバルブ７に至るま
での排気管６の内壁面等にプロセスガスの生成物などが
付着し、パーティクル発生の原因となっていた。

【０００６】本発明は、上記背景のもとになされたもの
で、排気系のパーティクルの発生を抑制することができ
る基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の基板処理装置は、プロセスガスを供給して
基板の処理を行うと共に処理後のガスを排気する処理室
を形成する処理容器の排気口部に、排気口を開閉するバ
ルブを備えたことを特徴とする。

【０００８】処理容器の排気口にこれを開閉するバルブ
を設けたため、排気口から排気を行っていない場合など
には、バルブで排気口を塞ぐことにより、排気口に接続
される排気管などの排気系に、プロセスガスの生成物な
どの付着を低減でき、パーティクルの発生を抑制でき
る。殊に、複数の排気系を有し、これら排気系を順次切
り替えて排気するフリップフロップ排気方式などの基板
処理装置に有効である。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装
置の一実施形態の概略構成を示す斜視図である。この実
施形態の基板処理装置は、枚葉式のもので、反応室内の
基板に対しプロセスガスの流れを交互に逆方向に切り替
える、フリップフロップ方式の基板処理装置である。

【００１０】図１において、１はウェーハ、ガラス基板
等の基板（図示せず）を処理する処理容器であり、処理
容器１は、水平に載置された基板面に沿ってプロセスガ
スを流して成膜処理を行う反応室部２と、反応室部２の
両側に連通させて設けられた反応室フランジ部３、３と
からなる。二つの反応室フランジ部３、３の上部にはそ
れぞれプロセスガスの導入口４、４が、また底部には処
理後のガスを排気する排気口５、５が形成されている。
プロセスガスが流れる反応室部２の断面形状は長方形で
あるので、吸気及び排気のコンダクタンスを高め、且
つ、反応室内をガスが均一に流れるようにするために、
導入口４及び排気口５の形状も長方形となっている。

【００１１】反応室部２に直近の排気口５、５には、排
気口５の開度を調整して反応室内の圧力を一定に制御す
るためのＡＰＣ（自動圧力制御）バルブ１１、１１がそ
れぞれ設けられている。また、排気口５、５には、管路
断面を長方形から円形に変更するためのテーパ状の排気
管６、６がそれぞれ取り付けられている。排気管６、６
間には、これらを連通する集合管１２が設けられ、集合
管１２にはアングルバルブ１３を介して排気管１４が接
続されている。また、排気管１４には、図示省略の真空
ポンプなどを備えた排気系が接続されている。

【００１２】プロセスガスは、基板に成膜される膜厚の
均一化を図るために、図示のように反応室部２を一方の
反応室フランジ部３からもう一方の反応室フランジ部３
へと、交互にガス流Ｆ１とガス流Ｆ２とに切り替えて流
される。このようにガス流を二方向に交互に流すため
に、プロセスガスの供給系（図示せず）から二つの導入
口４、４のいずれか一方に且つ交互にプロセスガスを供
給すると共に、このプロセスガスの供給に対応させて、
二つのＡＰＣバルブ１１、１１のうち、プロセスガスを
導入している導入口４側の排気口５をＡＰＣバルブ１１
で閉じ、反対側の排気口５をＡＰＣバルブ１１により開
度を制御するように切り替える。

【００１３】このように、プロセスガスを導入している
導入口４側の排気口５をＡＰＣバルブ１１で塞いでいる
ので、導入口４から導入されたプロセスガスが、その下
方の排気口５から排気管６側へと流れ込み、排気管６な
どがガスの滞留部となることを防止できる。従って、排
気管６などの排気系に付着するプロセスガスの生成物な
どの付着量を低減でき、反応室部２のパーティクルの発
生を抑えることができ、処理される基板の品質及び歩留
まりを向上できる。

【００１４】なお、上記実施形態では、排気口５に反応
室の圧力制御をするＡＰＣバルブ１１を設けたが、排気
口５に単なる開閉バルブを設け、ＡＰＣバルブを排気管
１４等に設けるようにしてもよい。また、上記実施形態
では、反応室のプロセスガスを二方向に交互に切り替え
て流す、フリップフロップ方式の基板処理装置を例に挙
げて説明したが、ガス流が一定方向の基板処理装置の場
合にも、排気口にこれを開閉できるバルブを設けること
により、排気口に接続された排気管などへの不要な生成
物等の付着を軽減できる。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理容器の排気口にこれを開閉するバルブを設けたた
め、排気口から排気を行っていない場合などには、バル
ブで排気口を塞ぐことにより、排気口に接続される排気
管などの排気系に、プロセスガスの生成物などの付着を
低減でき、パーティクルの発生を抑制できる。このた
め、処理される基板の品質及び歩留まりの向上が図れ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略
構成を示す斜視図である。

【図２】従来の基板処理装置の概略構成を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１ 処理容器 ２ 反応室部 ３ 反応室フランジ部 ４ 導入口 ５ 排気口 ６ 排気管 ７ アングルバルブ ８ 集合管 ９ 排気管 １０ ＡＰＣバルブ １１ ＡＰＣバルブ １２ 集合管 １３ アングルバルブ １４ 排気管 Ｆ１、Ｆ２ ガス流

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】プロセスガスを供給して基板の処理を行う
   と共に処理後のガスを排気する処理室を形成する処理容
   器の排気口部に、排気口を開閉するバルブを備えたこと
   を特徴とする基板処理装置。