JP2000068192A - Apparatus and method for exposure and method of detecting position - Google Patents
Apparatus and method for exposure and method of detecting positionInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ガラス基板等
の感光基板にマスクの回路パターンを投影する露光装置
及び方法、並びにこれらに用いられる位置検出方法に関
する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an exposure apparatus and method for projecting a circuit pattern of a mask onto a photosensitive substrate such as a liquid crystal glass substrate, and to a position detecting method used for these.
【０００２】[0002]
【従来の技術】露光装置では、マスクと呼ばれる原画に
描かれた回路パターンを投影レンズを介して液晶ガラス
基板等のレジスト層に焼付け、それを現像することで所
望の回路のレジストパターンを形成している。2. Description of the Related Art In an exposure apparatus, a circuit pattern drawn on an original called a mask is printed on a resist layer such as a liquid crystal glass substrate through a projection lens and developed to form a resist pattern of a desired circuit. ing.
【０００３】回路パターンの焼付けに際しては、露光装
置に設けた位置検出装置から得られる検出結果に基づい
て、感光基板を予め投影光学系及びマスクに対して位置
決めする。When printing a circuit pattern, a photosensitive substrate is preliminarily positioned with respect to a projection optical system and a mask based on a detection result obtained from a position detection device provided in an exposure device.
【０００４】すなわち、感光基板への回路パターンの投
影に先立って、移動ステージ上にセットした感光基板に
対して垂直方向から位置検出用レーザビームを照射す
る。感光基板上に形成された位置検出用マークは、位置
検出用レーザビームが当たることによって散乱光を生じ
させる。したがって、移動ステージをその載置面に沿っ
てスキャン移動させつつ、位置検出用マークからの散乱
光が検出された際に、移動ステージ上に設けた反射鏡の
位置を検出するレーザ干渉計からの検出信号を読み取れ
ば、感光基板の移動ステージ上での位置を検出すること
ができる。That is, prior to the projection of the circuit pattern onto the photosensitive substrate, the photosensitive substrate set on the moving stage is irradiated with a laser beam for position detection from the vertical direction. The position detection mark formed on the photosensitive substrate generates scattered light when irradiated with the position detection laser beam. Therefore, while moving the movable stage along the mounting surface, when the scattered light from the position detection mark is detected, the laser interferometer detects the position of the reflecting mirror provided on the movable stage. By reading the detection signal, the position of the photosensitive substrate on the moving stage can be detected.
【０００５】例えば、液晶用の露光装置では、液晶ガラ
ス基板上に形成されたいくつかの位置検出用マークを同
時に検出することができるように、複数の位置検出装置
を備える場合がある。このような場合、位置検出時間の
短縮化のため、これら複数の位置検出装置の配置（すな
わち位置検出用レーザビームの照射位置）にガラス基板
上の位置決め用マークの位置を一致させることにより、
一度の位置検出動作で各位置検出装置からほぼ同時に位
置情報を得ることができる。[0005] For example, an exposure apparatus for a liquid crystal may include a plurality of position detection devices so that several position detection marks formed on a liquid crystal glass substrate can be simultaneously detected. In such a case, in order to shorten the position detection time, by aligning the positions of the positioning marks on the glass substrate with the arrangement of the plurality of position detection devices (that is, the irradiation position of the laser beam for position detection),
With one position detection operation, position information can be obtained from each position detection device almost simultaneously.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
露光装置においては、位置検出用レーザビームを発生す
るレーザ光源が発熱源であることから、その発熱が装置
に悪影響を与えないように、レーザ光源を温調チヤンバ
内で、風下側であって露光のための結像光学系や位置検
出装置から離れた場所に置かざるを得ない。そのため、
レーザ光源から位置検出装置まで、レーザビームを長い
光路で引き回す必要があり、液晶ガラス基板の短辺寸法
に合わせて位置検出装置の位置を変更することによって
移動ステージ上に載置されるガラス基板の大きさにある
程度の自由度をもたせようとすると、位置検出装置の光
学調整を再度行う必要があった。However, in the above-described exposure apparatus, since the laser light source for generating the position detecting laser beam is a heat source, it is necessary to prevent the heat from adversely affecting the apparatus. The laser light source must be located in the temperature control chamber, on the leeward side, away from the imaging optical system for exposure and the position detecting device. for that reason,
From the laser light source to the position detection device, it is necessary to route the laser beam in a long optical path, and by changing the position of the position detection device according to the short side dimensions of the liquid crystal glass substrate, the position of the glass substrate placed on the moving stage is changed. In order to give a certain degree of freedom to the size, it was necessary to perform optical adjustment of the position detecting device again.
【０００７】そこで、この発明は、位置検出装置の位置
を簡易に変更することができる露光装置及び方法、並び
にこれらに用いられる位置検出方法を提供することを目
的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and method capable of easily changing the position of a position detection device, and a position detection method used for the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の露光装置は、感光基板（Ｐ）を載置する基
板ステージ（ＳＴ２）と、感光基板にマスク（Ｒ）のパ
ターン（ＰＡ）を投影する投影光学系（ＰＬ）と、投影
光学系の光軸（ＡＸ）に対する感光基板の位置決めパタ
ーン（ＰＭ）の位置を検出するセンサユニット（１０
５）と、投影光学系を支持する支持台（３３）又は投影
光学系に設けられるとともに、位置決めパターンの位置
に応じてセンサユニットの位置を変える位置変更機構
（７２、７３、１７１、１７６、１７７）とを備える。In order to solve the above problems, an exposure apparatus according to the present invention comprises a substrate stage (ST2) on which a photosensitive substrate (P) is mounted, and a mask (R) pattern (PA) on the photosensitive substrate. ), And a sensor unit (10) for detecting the position of the positioning pattern (PM) of the photosensitive substrate with respect to the optical axis (AX) of the projection optical system.
5) and a position change mechanism (72, 73, 171, 176, 177) provided on the support stand (33) for supporting the projection optical system or the projection optical system and changing the position of the sensor unit according to the position of the positioning pattern. ).
【０００９】また、好ましい態様では、センサユニット
（１０５）が、投影光学系（ＰＬ）に対して位置を変え
る駆動手段（１７６、１７７、１７８）を備えることを
特徴とする。In a preferred embodiment, the sensor unit (105) is provided with driving means (176, 177, 178) for changing the position with respect to the projection optical system (PL).
【００１０】また、好ましい態様では、センサユニット
（１０５）が、光源（５１ａ）と、この光源からの光を
感光基板に照射するとともに基板からの信号光を検出す
る位置検出光学系（５１、５２、５３、５４、５５、５
６）とを備えることを特徴とする。In a preferred embodiment, the sensor unit (105) includes a light source (51a) and a position detecting optical system (51, 52) for irradiating the photosensitive substrate with light from the light source and detecting signal light from the substrate. , 53, 54, 55, 5
6).
【００１１】また、好ましい態様では、光源（５１ａ）
と位置検出光学系（５２、５３、５４、５５、５６）と
が、投影光学系（ＰＬ）に対して一体的に位置を変更す
ることを特徴とする。In a preferred embodiment, the light source (51a)
And the position detection optical system (52, 53, 54, 55, 56) changes the position integrally with the projection optical system (PL).
【００１２】また、好ましい態様では、センサユニット
（１０５）が、光源（５１ａ）と位置検出光学系（５
１、５２、５３、５４、５５、５６）との間に断熱壁
（５１ｂ）を備えることを特徴とする。In a preferred embodiment, the sensor unit (105) includes a light source (51a) and a position detecting optical system (5).
1, 52, 53, 54, 55, 56) and a heat insulating wall (51b).
【００１３】また、好ましい態様では、光源（５１ａ）
が、この光源の温度を制御する温調装置（５７）を備え
ることを特徴とする。In a preferred embodiment, the light source (51a)
However, a temperature controller (57) for controlling the temperature of the light source is provided.
【００１４】また、好ましい態様では、光源（５１ａ）
が、断熱壁（５１ｂ）で覆われていることを特徴とす
る。In a preferred embodiment, the light source (51a)
Are covered with a heat insulating wall (51b).
【００１５】また、本発明の別の態様に係る露光装置
は、感光基板（Ｐ）を載置する基板ステージ（ＳＴ２）
と、感光基板にマスク（Ｒ）のパターン（ＲＰ）を投影
する投影光学系（ＰＬ）と、投影光学系の光軸（ＡＸ）
に対する感光基板の位置決めパターン（ＰＭ）を検出す
るセンサユニット（１０５）と、センサユニットを投影
光学系の光軸（ＡＸ）方向と直交する方向に移動する位
置変更機構（７２、７３、１７１、１７６、１７７）と
を備えることを特徴とする。An exposure apparatus according to another aspect of the present invention provides a substrate stage (ST2) on which a photosensitive substrate (P) is placed.
, A projection optical system (PL) for projecting a pattern (RP) of a mask (R) on a photosensitive substrate, and an optical axis (AX) of the projection optical system
A sensor unit (105) for detecting a positioning pattern (PM) of the photosensitive substrate with respect to the image sensor, and a position changing mechanism (72, 73, 171, 176) for moving the sensor unit in a direction perpendicular to the optical axis (AX) direction of the projection optical system. , 177).
【００１６】また、本発明の露光方法は、感光基板
（Ｐ）の複数の位置決めパターン（ＰＭ）とこの複数の
位置決めパターンに対応する複数のセンサユニット
（５、１０５）を用いて感光基板とこの感光基板にマス
クパターン（ＰＡ）を投影する投影光学系（ＰＬ）とを
位置決めし、感光基板にマスクパターンを露光する露光
方法において、複数の位置決めパターンの間隔に応じて
複数のセンサユニット（５、１０５）の間隔を調節する
ことを特徴とする。Further, the exposure method of the present invention uses a plurality of positioning patterns (PM) of the photosensitive substrate (P) and a plurality of sensor units (5, 105) corresponding to the plurality of positioning patterns to form the photosensitive substrate and the photosensitive substrate. In an exposure method for positioning a projection optical system (PL) for projecting a mask pattern (PA) on a photosensitive substrate and exposing the mask pattern on the photosensitive substrate, a plurality of sensor units (5, 105) The interval is adjusted.
【００１７】また、本発明の位置検出方法は、感光基板
（Ｐ）の位置決めパターン（ＰＭ）とこの感光基板にマ
スク（Ｒ）のパターン（ＰＡ）を投影する投影光学系
（ＰＬ）との相対位置を検出するセンサユニット（１０
５）を用いて位置検出する位置検出方法において、位置
決めパターンの位置に応じてセンサユニットの位置を変
更することを特徴とする。Further, the position detecting method according to the present invention provides a method for detecting a relative position between a positioning pattern (PM) of a photosensitive substrate (P) and a projection optical system (PL) for projecting a pattern (PA) of a mask (R) onto the photosensitive substrate. Sensor unit (10
In the position detection method for performing position detection using the method (5), the position of the sensor unit is changed according to the position of the positioning pattern.
【００１８】また、本発明の別の態様に係る位置検出方
法は、基板（Ｐ）に設けられた第１及び第２の位置決め
マーク（ＰＭ）とこの第１の位置決めマークに対応する
第１のセンサユニット（５）と第２の位置決めマークに
対応する第２のセンサユニット（１０５）とを用いて複
数の位置決めマークを検出する位置検出方法において、
第１及び第２の位置決めマークの間隔に応じて第１及び
第２のセンサユニット（５、１０５）の間隔を調節する
ことを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a position detecting method, comprising: a first and a second positioning mark provided on a substrate; and a first positioning mark corresponding to the first positioning mark. In a position detecting method for detecting a plurality of positioning marks using a sensor unit (5) and a second sensor unit (105) corresponding to the second positioning mark,
The distance between the first and second sensor units (5, 105) is adjusted according to the distance between the first and second positioning marks.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
露光装置を添付図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An exposure apparatus according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００２０】図１は、実施形態の露光装置の概略構成を
示す図である。この露光装置は、パターンＰＡを形成し
たレチクルＲを均一に照明するための照明系２と、照明
系２によって照明されるレチクルＲを載置するレチクル
ステージＳＴ１と、レチクルＲ上のパターンＰＡを液晶
製造用ガラスプレートからなる基板Ｐ上に投影する投影
レンズＰＬと、基板Ｐを載置して投影レンズＰＬに対し
て相対的に移動可能なＸ−Ｙステージである基板ステー
ジＳＴ２と、基板ステージＳＴ２の移動を制御するステ
ージ制御系４と、投影レンズＰＬ及び基板ステージＳＴ
２間のアライメントを行うアライメント制御系６と、こ
れらを統括制御する主制御装置８とを備える。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus of the embodiment. The exposure apparatus includes an illumination system 2 for uniformly illuminating the reticle R on which the pattern PA is formed, a reticle stage ST1 on which the reticle R illuminated by the illumination system 2 is mounted, and a pattern PA on the reticle R formed of a liquid crystal. A projection lens PL for projecting onto a substrate P made of a manufacturing glass plate, a substrate stage ST2 which is an XY stage on which the substrate P can be mounted and relatively moved with respect to the projection lens PL, and a substrate stage ST2 Control system 4 for controlling the movement of the projection lens PL and the substrate stage ST
An alignment control system 6 for performing alignment between the two, and a main control device 8 for integrally controlling these are provided.
【００２１】照明系２は、図示を省略しているが、照明
光を発生する光源、この光源からの光束の形状を変換す
るビームエキスパンダ、均一照明を行うためのインテグ
レータ光学系、光束径を制限する開口絞り、コンデンサ
レンズ群等を備えており、ミラー２１を介して照明光を
レチクルＲ上に入射させることにより、レチクルＲを所
望の条件で照明する。Although not shown, the illumination system 2 includes a light source for generating illumination light, a beam expander for converting the shape of a light beam from this light source, an integrator optical system for performing uniform illumination, and a light beam diameter. A reticle R is illuminated under desired conditions by providing an aperture stop, a condenser lens group, and the like for limiting the illumination light and making the illumination light incident on the reticle R via the mirror 21.
【００２２】レチクルステージＳＴ１は、レチクルステ
ージＳＴ１の移動を制御するステージ制御系（図示を省
略）を備える。なお、レチクルステージＳＴ１の上方に
は、レチクルアライメント検出系３１が配置されてい
る。このレチクルアライメント検出系３１は、レチクル
Ｒ上に形成されたアライメント用のレチクルマークＲＭ
と、基板Ｐ上に形成されたアライメント用の基板マーク
ＰＭや基板ステージＳＴ２上に配置した基準マークＦＭ
とを投影レンズＰＬを介して位置合わせすることができ
るようなアライメントセンサになっている。The reticle stage ST1 has a stage control system (not shown) for controlling the movement of the reticle stage ST1. Note that a reticle alignment detection system 31 is arranged above reticle stage ST1. The reticle alignment detection system 31 is provided with a reticle mark RM for alignment formed on the reticle R.
And a reference mark FM arranged on the substrate stage ST2 and an alignment substrate mark PM formed on the substrate P.
Is an alignment sensor that can adjust the position of the lens through the projection lens PL.
【００２３】投影レンズＰＬは、両側、又は基板側に片
側テレセントリックであり、レチクルＲから基板Ｐへの
投影倍率は、例えば等倍となっている。なお、この投影
レンズＰＬの鏡筒は、露光装置の本体側から延びる支持
台３３に固定されている。また、投影レンズＰＬの鏡筒
下部には、基板Ｐ上の基板マークＰＭや基板ステージＳ
Ｔ２上の基準マークＦＭを検出するため、一対の位置検
出装置５、１０５が取り付けられている。The projection lens PL is one-side telecentric on both sides or the substrate side, and the projection magnification from the reticle R onto the substrate P is, for example, equal. Note that the lens barrel of the projection lens PL is fixed to a support 33 extending from the main body of the exposure apparatus. Further, a substrate mark PM on the substrate P and a substrate stage S are provided below the lens barrel of the projection lens PL.
In order to detect the reference mark FM on T2, a pair of position detection devices 5 and 105 are attached.
【００２４】基板ステージＳＴ２は、ステージ駆動部３
７に駆動されて、基板ＰとともにＸ−Ｙ面内で２次元的
に移動するとともに、Ｚ方向にも移動可能となってい
る。なお、基板ステージＳＴ２の上方であって投影レン
ズＰＬの側方には、フォーカス検出系３５が配置されて
おり、レチクルＲ上のパターンＰＡを基板Ｐ上に投影し
た際の結像状態に関する情報を検出する。The substrate stage ST2 includes a stage driving unit 3
7 to move two-dimensionally in the XY plane together with the substrate P, and also to move in the Z direction. Note that a focus detection system 35 is disposed above the substrate stage ST2 and on the side of the projection lens PL, and stores information regarding an image forming state when the pattern PA on the reticle R is projected on the substrate P. To detect.
【００２５】ステージ制御系４は、アライメント制御系
６や主制御装置８からの指示に基づいてステージ駆動部
３７を制御し、基板ステージＳＴ２をＸ−Ｙ面内で２次
元的に移動させて適所に配置するとともに、Ｚ方向にも
移動させてレチクルＲ上のパターンＰＡの像を投影レン
ズＰＬを介して基板Ｐ上に合焦させることができるよう
になっている。The stage control system 4 controls the stage driving section 37 based on an instruction from the alignment control system 6 and the main control device 8 to move the substrate stage ST2 two-dimensionally in the XY plane to a suitable position. , And also moved in the Z direction so that the image of the pattern PA on the reticle R can be focused on the substrate P via the projection lens PL.
【００２６】アライメント制御系６は、レチクルアライ
メント検出系３１や位置検出装置５、１０５を駆動する
とともに、これらからの検出信号に応じた指示をステー
ジ制御系４に伝達し、ステージ駆動部３７を介してレチ
クルＲと基板Ｐとの位置合わせ動作を行わせる。The alignment control system 6 drives the reticle alignment detection system 31 and the position detection devices 5 and 105, transmits an instruction corresponding to a detection signal from these to the stage control system 4, Then, the positioning operation between the reticle R and the substrate P is performed.
【００２７】以下に、図１の装置におけるアライメント
及び露光の手順について説明する。まず、位置検出装置
５、１０５についてベースライン計測を行う。すなわ
ち、基板ステージＳＴ２上に設けられた基準マークＦＭ
を位置検出装置５、１０５で検出すると共に、その基準
マークＦＭとレチクルＲ上のレチクルマークＲＭとを、
レチクルＲの上方に配置されるレチクルアライメント検
出系３１で検出する。そして、この２つの検出結果と、
基板ステージＳＴ２の位置検出用の干渉計の出力とに基
づいて、位置検出装置５、１０５のベースライン量を決
定する。このベースライン量の測定は、機械的な振動な
どを要因としてベースラインが変動しうる場合に行えば
良く、各アライメントごとに実行する必要はない。な
お、このベースライン計測により、位置検出装置５、１
０５と投影レンズＰＬとの相対的な位置関係が得られ
る。次に、基板Ｐがプリアライメント装置（図示を省
略）により予めプリアライメントされて基板ステージＳ
Ｔ２上に載置される。位置検出装置５、１０５からの帯
状のスポット光を基板マークＰＭ上に照射し、この基板
マークＰＭから発生する散乱光を検出して基板マークＰ
Ｍの位置を計測する。この計測により、位置検出装置
５、１０５に対する基板マークＰＭの位置（間接的には
投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対する基板マークＰＭの位
置）を監視することができる。ステージ駆動部３７は、
ステージ制御系４からの指示に従って、計測された基板
マークＰＭの位置に基づいて基板ステージＳＴ２を動か
すことにより、基板Ｐを任意の露光領域に移動させ、順
次露光を繰り返す。そして最後に、レチクルＲを交換し
て他のパターンを露光するか否かを判断する。レチクル
Ｒを交換する必要が無い場合は、上記ベースライン計測
を除いたアライメントからの手順を繰り返す。レチクル
を交換し、さらに露光を行う場合は、レチクルＲの交換
後、上記ベースライン計測から開始する。The procedure of alignment and exposure in the apparatus shown in FIG. 1 will be described below. First, baseline measurement is performed for the position detection devices 5 and 105. That is, the reference mark FM provided on the substrate stage ST2
Are detected by the position detection devices 5 and 105, and the reference mark FM and the reticle mark RM on the reticle R are
Detection is performed by a reticle alignment detection system 31 arranged above the reticle R. And these two detection results,
Based on the output of the interferometer for detecting the position of the substrate stage ST2, the base line amounts of the position detecting devices 5 and 105 are determined. The measurement of the baseline amount may be performed when the baseline can fluctuate due to mechanical vibration or the like, and need not be performed for each alignment. Note that the position detection devices 5, 1 and
The relative positional relationship between the lens 05 and the projection lens PL is obtained. Next, the substrate P is pre-aligned in advance by a pre-alignment device (not shown) and the substrate stage S
It is placed on T2. A band-like spot light from the position detection devices 5 and 105 is irradiated onto the substrate mark PM, and scattered light generated from the substrate mark PM is detected to detect the substrate mark P.
Measure the position of M. By this measurement, the position of the substrate mark PM with respect to the position detection devices 5 and 105 (indirectly, the position of the substrate mark PM with respect to the optical axis AX of the projection lens PL) can be monitored. The stage driving unit 37
In accordance with an instruction from the stage control system 4, the substrate P is moved to an arbitrary exposure region by moving the substrate stage ST2 based on the measured position of the substrate mark PM, and exposure is sequentially repeated. Finally, it is determined whether or not the reticle R is replaced to expose another pattern. When it is not necessary to replace the reticle R, the procedure from the alignment except for the above-described baseline measurement is repeated. When exchanging the reticle and further performing exposure, the reticle R is exchanged, and then the above-described baseline measurement is started.
【００２８】図２は、位置検出装置５の配置及び構造を
説明する斜視図である。各位置検出装置５、１０５は、
ほぼ同一の構造を有する。すなわち、各位置検出装置
５、１０５は、断熱材からなるチャンバ５０内に、アラ
イメント用のレーザビームを発生するレーザ光源装置５
１と、レーザ光源装置５１からのレーザビームを適所に
導く複数の反射ミラー５２及びハーフミラー５３と、基
板Ｐ上にスポット状に垂直入射させるレーザビームを偏
光させる偏光ビームスプリッタ５４と、この偏光ビーム
スプリッタ５４と基板Ｐとの間に配置される波長板５５
と、スポット光によって照明された基板Ｐ上の基板マー
クＰＭからの散乱光を検出するディテクタ部５６とを収
容した構造となっている。ここで、反射ミラー５２、ハ
ーフミラー５３、偏光ビームスプリッタ５４、波長板５
５及びディテクタ部５６は検出光学系を構成する。ディ
テクタ部５６からの検出出力は、図１に示す主制御装置
８に出力される。各位置検出装置５、１０５を覆うチャ
ンバ５０の上部には、内部のレーザ光源装置５１を冷却
するための冷却装置５７が配置されている。FIG. 2 is a perspective view for explaining the arrangement and structure of the position detecting device 5. Each position detecting device 5, 105
It has almost the same structure. That is, each of the position detection devices 5 and 105 is provided with a laser light source device 5 for generating a laser beam for alignment in a chamber 50 made of a heat insulating material.
1, a plurality of reflection mirrors 52 and half mirrors 53 for guiding a laser beam from a laser light source device 51 to an appropriate position, a polarizing beam splitter 54 for polarizing a laser beam to be vertically incident on a substrate P in a spot shape, Wave plate 55 disposed between splitter 54 and substrate P
And a detector unit 56 for detecting scattered light from the substrate mark PM on the substrate P illuminated by the spot light. Here, the reflection mirror 52, the half mirror 53, the polarization beam splitter 54, the wave plate 5
The detector 5 and the detector unit 56 constitute a detection optical system. The detection output from the detector 56 is output to the main control device 8 shown in FIG. A cooling device 57 for cooling the internal laser light source device 51 is disposed above the chamber 50 covering the position detection devices 5 and 105.
【００２９】位置検出装置５、１０５の下方には、Ｘ軸
方向及びＹ軸方向に移動自在な基板ステージＳＴ２が配
置されている。基板ステージＳＴ２の上部は、ステージ
テーブル部３８ａとなっており、さらにその上部は基板
Ｐを吸着する基板ホルダ３８ｂとなっている。基板ステ
ージＳＴ２の直交する２辺側には、それぞれ駆動モータ
３７ａ、３７ｂが配置されており、これら駆動モータ３
７ａ、３７ｂは、駆動制御回路３７ｃからの信号によっ
て駆動されて、ステージテーブル部３８ａを２次元的に
移動させる。なお、駆動モータ３７ａ、３７ｂと駆動制
御回路３７ｃとは、図１に示すステージ駆動部３７を構
成する。Below the position detecting devices 5 and 105, a substrate stage ST2 movable in the X-axis direction and the Y-axis direction is disposed. The upper part of the substrate stage ST2 is a stage table part 38a, and the upper part is a substrate holder 38b for sucking the substrate P. Driving motors 37a and 37b are arranged on two orthogonal sides of the substrate stage ST2, respectively.
7a and 37b are driven by a signal from the drive control circuit 37c to move the stage table section 38a two-dimensionally. Note that the drive motors 37a and 37b and the drive control circuit 37c constitute the stage drive unit 37 shown in FIG.
【００３０】また、ステージテーブル部３８ａには、直
交する２辺に沿ってそれぞれ反射ミラー３８ｅ（一方の
み図示）が載置されていて、これらに対向してレーザ干
渉計（図示を省略）が配設されている。これらのレーザ
干渉計のうち例えば反射ミラー３８ｅに対向する干渉計
は、反射ミラー３８ｅにレーザ光束ＬＡを照射すること
によって、基板ステージＳＴ２（具体的にはステージテ
ーブル部３８ａ）のＸ軸方向の位置（又は移動量）を計
測し、この結果を図１に示す主制御装置８に出力する。A reflection mirror 38e (only one is shown) is mounted on the stage table section 38a along two orthogonal sides, and a laser interferometer (not shown) is arranged opposite to these. Has been established. Among these laser interferometers, for example, the interferometer facing the reflection mirror 38e irradiates the reflection mirror 38e with the laser beam LA to thereby position the substrate stage ST2 (specifically, the stage table section 38a) in the X-axis direction. (Or the amount of movement), and outputs the result to main controller 8 shown in FIG.
【００３１】両位置検出装置５、１０５は、投影レンズ
ＰＬに対して固定されており、基板Ｐ上の４隅に形成さ
れた４つの基板マークＰＭにほぼ同時にスポット光を投
影することができる。基板マークＰＭの位置計測に際し
ては、基板ステージＳＴ２をＸ軸方向及びＹ軸方向にス
キャンしながらスポット光を基板マークＰＭ上で移動さ
せる。この場合、位置検出装置５、１０５からのスポッ
ト光の間隔と基板マークＰＭとの間隔を一致させている
ので、位置検出装置５、１０５によって基板マークＰＭ
から発生する散乱光を監視すれば、基板マークＰＭの有
無を４箇所でほぼ同時に検出することができ、迅速な位
置検出が可能になる。The position detection devices 5 and 105 are fixed to the projection lens PL, and can project a spot light almost simultaneously on four substrate marks PM formed at four corners on the substrate P. When measuring the position of the substrate mark PM, the spot light is moved on the substrate mark PM while scanning the substrate stage ST2 in the X-axis direction and the Y-axis direction. In this case, since the distance between the spot light from the position detection devices 5 and 105 and the distance between the substrate marks PM are matched, the position detection devices 5 and 105 use the substrate marks PM.
By monitoring the scattered light generated from the substrate mark, the presence / absence of the substrate mark PM can be detected almost simultaneously at four places, and quick position detection becomes possible.
【００３２】基板ステージＳＴ２の基板ホルダ３８ｂ上
には、実線で示す基板Ｐよりも大きな基板（２点鎖線）
Ｐ’を載置することができるようになっている。この場
合、基板Ｐの短辺側のサイズに対応して、基板マークＰ
Ｍの基板ホルダ３８ｂ上での位置も変わる。したがっ
て、基板Ｐ’上の４隅に形成された４つの基板マークＰ
Ｍ、ＰＭ’を同時に検出できるように、一方の位置検出
装置１０５を一体のユニットとして投影レンズＰＬから
離間させるようにその光軸ＡＸに垂直なＸ方向に所定量
だけ移動させて固定する（２点鎖線の位置参照）。これ
により、両ユニット５、１０５の間隔を基板マークＰ
Ｍ、ＰＭ’の間隔に対応させることができ、基板Ｐのサ
イズに応じた迅速な位置検出が可能になる。On the substrate holder 38b of the substrate stage ST2, a substrate (two-dot chain line) larger than the substrate P shown by the solid line
P 'can be placed. In this case, the substrate mark P corresponds to the size of the short side of the substrate P.
The position of M on the substrate holder 38b also changes. Therefore, the four substrate marks P formed at the four corners on the substrate P ′
One of the position detecting devices 105 is moved and fixed by a predetermined amount in the X direction perpendicular to the optical axis AX so that one of the position detecting devices 105 is separated from the projection lens PL as an integral unit so that M and PM ′ can be simultaneously detected (2). (See the position of the dotted line.) As a result, the space between the two units 5 and 105 is set to the substrate mark P
It is possible to correspond to the interval between M and PM ′, and quick position detection according to the size of the substrate P becomes possible.
【００３３】図３は、図２に示す位置検出装置１０５の
内部構造の詳細を示すもので、レーザ光源装置５１の冷
却方法を説明している。レーザ光源装置５１は、その本
体部分５１ａの周囲に断熱壁として冷却シールド５１ｂ
を設けている。冷却シールド５１ｂの内部には、冷却流
体を通す穴５１ｃが貫通している。穴５１ｃの両端は、
断熱性の冷却配管５９を介して冷却装置５７に接続され
ており、この穴５１ｃには冷却流体が絶えず循環するよ
うになっている。冷却装置５７は、冷却流体の温度をモ
ニタすることができ、チャンバ５０内が設定温度となる
ようにパワーを制御しつつ冷却流体を穴５１ｃに循環さ
せる。例えば、温冷却流体の温度が急上昇するなど、冷
却装置５７の動作に異常が生じていると判断した場合、
主制御装置８は、露光装置の動作を停止させる。また、
冷却装置５７の異常が何らかの理由で発見できない場合
に備え、レーザ光源装置５１の冷却シールド５１ｂ近傍
の適当な構造物に温度センサ５８を取り付けている。こ
の温度センサ５８は主制御装置８に接続されており、レ
ーザ光源装置５１付近の温度が設定温度範囲から外れて
いる場合、主制御装置８が露光装置の動作を停止させ
る。FIG. 3 shows details of the internal structure of the position detecting device 105 shown in FIG. 2, and explains a method of cooling the laser light source device 51. The laser light source device 51 includes a cooling shield 51b as a heat insulating wall around the main body portion 51a.
Is provided. A hole 51c through which a cooling fluid passes is penetrated inside the cooling shield 51b. Both ends of the hole 51c are
The cooling device 57 is connected to the cooling device 57 via a heat-insulating cooling pipe 59, and the cooling fluid is constantly circulated through the hole 51c. The cooling device 57 can monitor the temperature of the cooling fluid, and circulates the cooling fluid to the hole 51c while controlling the power so that the inside of the chamber 50 becomes the set temperature. For example, when it is determined that an abnormality has occurred in the operation of the cooling device 57, such as a sudden rise in the temperature of the warm cooling fluid,
Main controller 8 stops the operation of the exposure apparatus. Also,
A temperature sensor 58 is attached to an appropriate structure near the cooling shield 51b of the laser light source device 51 in case an abnormality of the cooling device 57 cannot be found for some reason. The temperature sensor 58 is connected to the main control device 8, and when the temperature near the laser light source device 51 is out of the set temperature range, the main control device 8 stops the operation of the exposure device.
【００３４】図４は、位置検出装置５、１０５の固定方
法を説明する図である。投影レンズＰＬの鏡筒外周に
は、鏡筒に固設された一対の張出部材７１、７２が形成
されている。両張出部材７１、７２の下側には、位置検
出装置５、１０５がそれぞれ固定されている。位置検出
装置５は、張出部材７１に取り付けた４つのボルト７３
によって投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対して位置決めさ
れた状態で張出部材７１に締結されている。他方の位置
検出装置１０５も、位置変更機構を構成する張出部材７
２に取り付けた４つのボルト７３によって、投影レンズ
ＰＬの光軸ＡＸに対して位置決めされた状態で張出部材
７２に締結されている。後者の位置検出装置１０５は、
全ボルト７３を緩めることにより、張出部材７２から取
り外すことができる。また、張出部材７２には、ボルト
７３をねじ込むことができる４つのネジ穴７５が別に形
成されており、これらのネジ穴７５にボルト７３をねじ
込むことにより、位置検出装置１０５を投影レンズＰＬ
の光軸ＡＸからより離れた位置に移動させて固定するこ
とができる。つまり、基板Ｐに形成された基板マークＰ
Ｍの間隔に応じて両位置検出装置５、１０５の間隔を簡
易に変更することができる。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of fixing the position detecting devices 5 and 105. A pair of projecting members 71 and 72 fixed to the lens barrel are formed on the outer circumference of the lens barrel of the projection lens PL. The position detecting devices 5 and 105 are fixed to the lower side of the overhang members 71 and 72, respectively. The position detecting device 5 includes four bolts 73 attached to the overhanging member 71.
Is fastened to the projecting member 71 while being positioned with respect to the optical axis AX of the projection lens PL. The other position detecting device 105 also has the overhanging member 7 constituting the position changing mechanism.
The two bolts 73 attached to the projection lens 2 are fastened to the extension member 72 while being positioned with respect to the optical axis AX of the projection lens PL. The latter position detection device 105
By loosening all the bolts 73, the bolts 73 can be removed from the overhanging member 72. Further, four screw holes 75 into which bolts 73 can be screwed are formed separately on the overhanging member 72. By screwing the bolts 73 into these screw holes 75, the position detecting device 105 can be connected to the projection lens PL.
Can be moved to a position more distant from the optical axis AX and fixed. That is, the substrate mark P formed on the substrate P
The interval between the two position detection devices 5 and 105 can be easily changed according to the interval of M.
【００３５】また、張出部材には、位置検出装置の固定
ビスををはずした場合に落下を防ぎ、図には示してはい
ないが、位置をずらすためのガイドを取り付けるように
すれば、位置検出装置５、１０５の位置変更もガイドに
沿って移動させることにより、簡易に行うことができ
る。さらに、移動させたときの位置検出装置の厳密な位
置は、基板ステージＳＴ２に設けられた基準マークの位
置を測定することにより、位置変更の相対位置関係より
求められる。Further, if the fixing screw of the position detecting device is removed, the projecting member is prevented from dropping, and although not shown in the drawing, a guide for shifting the position is attached to the projecting member. Changing the positions of the detection devices 5 and 105 can be easily performed by moving the detection devices along the guides. Further, the exact position of the position detecting device when it is moved can be obtained from the relative positional relationship of the position change by measuring the position of the reference mark provided on the substrate stage ST2.
【００３６】図５は、図４に示す位置検出装置１０５の
位置変更方法の変形例を示す図である。投影レンズＰＬ
の鏡筒に固定された張出部材１７２は、水平部１７２ａ
と垂直部１７２ｂとからなりＬ字状に形成されている。
水平部１７２ａの下面には、スライドガイド１７９を設
けてあり、位置検出装置１０５が投影レンズＰＬの光軸
に垂直なＸ方向に滑らかに往復移動できるようになって
いる。垂直部１７２ｂの外側には駆動手段であるモータ
１７６が固定されている。このモータ１７６の回転軸に
は、ネジ軸１７７が連結されており、位置検出装置１０
５内に固定されたナット１７８にねじ込まれている。モ
ータ１７６を制御してその回転量を適宜調節すれば、位
置検出装置１０５を投影レンズＰＬの光軸に垂直なＸ方
向の位置に適宜移動させてそこに固定することができ
る。FIG. 5 is a diagram showing a modification of the position changing method of the position detecting device 105 shown in FIG. Projection lens PL
The overhanging member 172 fixed to the lens barrel of
And a vertical portion 172b and are formed in an L-shape.
A slide guide 179 is provided on the lower surface of the horizontal portion 172a, so that the position detecting device 105 can smoothly reciprocate in the X direction perpendicular to the optical axis of the projection lens PL. A motor 176 as a driving unit is fixed outside the vertical portion 172b. A screw shaft 177 is connected to the rotation shaft of the motor 176, and the position detection device 10
5 is screwed into a nut 178 fixed within. If the amount of rotation is controlled by controlling the motor 176, the position detecting device 105 can be appropriately moved to the position in the X direction perpendicular to the optical axis of the projection lens PL and fixed there.
【００３７】図４では、位置検出装置１０５を移動可能
な構造としているが、位置検出装置５の張出部材７１に
ついても張出部材７２と同様な構造にすることにより位
置検出装置５、１０５の間隔を自在に変更することがで
きる。In FIG. 4, the position detecting device 105 has a movable structure. However, the projecting member 71 of the position detecting device 5 has the same structure as that of the projecting member 72, so that the position detecting device 5 The interval can be changed freely.
【００３８】以上の説明から明らかなように、上記実施
形態の露光装置では、レーザ光源装置５１を位置検出装
置５、１０５中に配置するので光路を短縮して、位置検
出光学系を簡単な構造とすることができる。As is clear from the above description, in the exposure apparatus of the above embodiment, since the laser light source device 51 is disposed in the position detection devices 5 and 105, the optical path is shortened and the position detection optical system has a simple structure. It can be.
【００３９】また、位置検出装置１０５がチャンバ５０
中に収容されてセンサユニットとして簡易に移動できる
ので、位置検出装置１０５内での光学調整が不要とな
り、レーザ光源装置５１と位置検出光学系の相対的な位
置関係を保ったままで基板Ｐ上で検出すべき基板マーク
ＰＭの間隔等の変更に簡易に対応することができる。Further, the position detecting device 105 is
Since it is housed inside and can be easily moved as a sensor unit, optical adjustment in the position detecting device 105 is not required, and the laser light source device 51 and the position detecting optical system are maintained on the substrate P while maintaining a relative positional relationship. It is possible to easily cope with a change in the interval between the substrate marks PM to be detected.
【００４０】以上、実形形態に即してこの発明を説明し
たが、この発明は上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば、位置検出装置５、１０５は、張出部材７
１、７２に固定する必要はなく、投影レンズＰＬを固定
するための支持台３３に固定することができ、この支持
台３３に対して位置検出装置１０５の取付け位置を変更
することができる。Although the present invention has been described in connection with the actual embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the position detecting devices 5 and 105
There is no need to fix the projection lens PL to the support base 33 for fixing the projection lens PL. The mounting position of the position detection device 105 with respect to the support base 33 can be changed.
【００４１】また、上記実施形態では、位置検出装置１
０５のみを投影レンズＰＬに対して移動可能にしている
が、位置検出装置５も投影レンズＰＬに対して移動可能
にすることができる。In the above embodiment, the position detecting device 1
Although only 05 is movable with respect to the projection lens PL, the position detection device 5 can also be movable with respect to the projection lens PL.
【００４２】また、冷却装置５７をチャンバ５０の周囲
に配置する必要は必ずしもなく、露光装置の外側に設け
た冷却装置５７によってレーザ光源装置５１を冷却して
もよい。この際、冷却配管５９を可撓性の材料で形成す
ることにより、位置検出装置１０５の移動が簡易となり
作業性が高まる。Further, it is not always necessary to arrange the cooling device 57 around the chamber 50, and the laser light source device 51 may be cooled by the cooling device 57 provided outside the exposure device. At this time, by forming the cooling pipe 59 from a flexible material, the movement of the position detecting device 105 is simplified, and workability is improved.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の露光装置によれば、位置変更機構が、投影光学系を支
持する支持台又は投影光学系に設けられるとともに、位
置決めパターンの位置に応じてセンサユニットの位置を
変えるので、位置決めパターンの位置変更等に即応した
迅速な位置検出が可能になる。As is apparent from the above description, according to the exposure apparatus of the present invention, the position changing mechanism is provided on the support base or the projection optical system that supports the projection optical system, and is provided at the position of the positioning pattern. Since the position of the sensor unit is changed accordingly, quick position detection in response to a change in the position of the positioning pattern or the like becomes possible.
【００４４】また、好ましい態様によれば、センサユニ
ットが投影光学系に対して位置を変える駆動手段を備え
るので、位置決めパターンの位置変更等が簡易になり、
作業性が高まる。Further, according to a preferred embodiment, since the sensor unit is provided with a driving means for changing the position with respect to the projection optical system, the position of the positioning pattern can be easily changed.
Workability is improved.
【００４５】また、好ましい態様によれば、センサユニ
ットが光源とこの光源からの光を感光基板に照射すると
ともに基板からの信号光を検出する位置検出光学系とを
備えるので、光源及び位置検出光学系を一組として簡易
かつ精密に移動させることができ、位置決めパターンの
位置変更等に応じて迅速かつ精密な位置検出が可能にな
る。According to a preferred embodiment, the sensor unit includes the light source and the position detecting optical system for irradiating the light from the light source to the photosensitive substrate and detecting the signal light from the substrate. The system can be easily and precisely moved as a set, and quick and precise position detection can be performed according to a change in the position of the positioning pattern.
【００４６】また、好ましい態様によれば、光源と位置
検出光学系とが投影光学系に対して一体的に位置を変更
するので、センサユニットの位置を変更しても光源及び
位置検出光学系について再度アライメントする必要がな
く、簡易に位置検出精度を維持することができる。According to a preferred mode, the light source and the position detecting optical system change their positions integrally with respect to the projection optical system. Therefore, even if the position of the sensor unit is changed, the light source and the position detecting optical system are changed. There is no need to perform alignment again, and the position detection accuracy can be easily maintained.
【００４７】また、好ましい態様によれば、センサユニ
ットが光源と位置検出光学系との間に断熱壁を備えるの
で、光源の発熱が位置検出光学系に影響することを防止
して、アライメント精度を高めることができるととも
に、光源から位置検出光学系にかけての光路長を簡易に
短くすることができる。Further, according to a preferred embodiment, since the sensor unit has a heat insulating wall between the light source and the position detecting optical system, it is possible to prevent the heat generation of the light source from affecting the position detecting optical system and to improve the alignment accuracy. The optical path length from the light source to the position detection optical system can be easily shortened.
【００４８】また、好ましい態様によれば、光源がこの
光源の温度を制御する温調装置を備えるので、光源の熱
がセンサユニット内外に伝達されて露光装置の動作精度
等に悪影響を及ぼすことを防止できる。Further, according to a preferred embodiment, since the light source is provided with a temperature control device for controlling the temperature of the light source, it is possible to prevent the heat of the light source from being transmitted into and out of the sensor unit and adversely affecting the operation accuracy of the exposure device. Can be prevented.
【００４９】また、好ましい態様によれば、光源が断熱
壁で覆われているので、光源の熱が周囲に放出されるこ
とを防止することができ、露光装置の動作精度等を維持
することができる。Further, according to the preferred embodiment, since the light source is covered with the heat insulating wall, the heat of the light source can be prevented from being released to the surroundings, and the operation accuracy of the exposure apparatus can be maintained. it can.
【００５０】また、本発明の別の態様に係る露光装置に
よれば、センサユニットを投影光学系の光軸方向と直交
する方向に移動する位置変更機構とを備えるので、マス
クの種類、マスクの露光条件、基板のサイズ等の変更に
即応した迅速な位置検出が可能になる。According to another aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus including a position changing mechanism for moving a sensor unit in a direction orthogonal to an optical axis direction of a projection optical system. Rapid position detection can be performed in response to changes in exposure conditions, substrate size, and the like.
【００５１】また、本発明の露光方法によれば、複数の
位置決めパターンの間隔に応じて複数のセンサユニット
の間隔を調節するので、位置決めパターンの間隔、すな
わち基板ステージ上に載置される基板のサイズ等に応じ
た迅速な位置検出が可能になる。According to the exposure method of the present invention, the interval between the plurality of sensor units is adjusted in accordance with the interval between the plurality of positioning patterns. Rapid position detection according to the size and the like becomes possible.
【００５２】また、本発明の位置検出方法によれば、位
置決めパターンの位置に応じてセンサユニットの位置を
変更するので、位置決めパターンの位置変更等に即応し
た迅速な位置検出が可能になる。Further, according to the position detecting method of the present invention, the position of the sensor unit is changed according to the position of the positioning pattern, so that quick position detection can be performed in response to the position change of the positioning pattern.
【００５３】また、本発明の別の態様に係る位置検出方
法によれば、第１及び第２の位置決めマークの間隔に応
じて第１及び第２のセンサユニットの間隔を調節するの
で、第１及び第２の位置決めマークの間隔、すなわち基
板ステージ上に載置される基板のサイズ等に応じた迅速
な位置検出が可能になる。According to the position detecting method according to another aspect of the present invention, the distance between the first and second sensor units is adjusted according to the distance between the first and second positioning marks. Further, quick position detection according to the interval between the second positioning marks, that is, the size of the substrate placed on the substrate stage, and the like can be performed.
【図１】本発明の一実施形態である露光装置の構造を説
明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a structure of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の位置検出装置を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the position detection device of FIG.
【図３】図２の位置検出装置の詳細を説明する図であ
る。FIG. 3 is a diagram illustrating details of a position detection device in FIG. 2;
【図４】図３の位置検出装置の固定方法を説明する図で
ある。FIG. 4 is a diagram illustrating a method of fixing the position detection device of FIG.
【図５】図４の固定方法の変形例を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a modification of the fixing method of FIG. 4;
【符号の説明】 ２ 照明系 ４ ステージ制御系 ５ 位置検出装置 ６ アライメント制御系 ８ 主制御装置 ３１ レチクルアライメント検出系 ３３ 支持台 ３７ ステージ駆動部 ５０ チャンバ ５１ レーザ光源装置 ５１ａ 本体部分 ５１ｂ 冷却シールド ５１ｃ 穴 ５７ 冷却装置 ５８ 温度センサ ５９ 冷却配管 ７１，７２ 張出部材 ７３ ボルト ７５ ネジ穴 ＡＸ 光軸 Ｐ，Ｐ’ 基板 ＰＬ 投影レンズ ＰＭ 基板マーク Ｒ レチクル ＲＭ レチクルマーク ＳＴ１ レチクルステージ ＳＴ２ 基板ステージ[Description of Signs] 2 Illumination system 4 Stage control system 5 Position detection device 6 Alignment control system 8 Main control device 31 Reticle alignment detection system 33 Support base 37 Stage drive unit 50 Chamber 51 Laser light source device 51a Main unit 51b Cooling shield 51c Hole 57 Cooling device 58 Temperature sensor 59 Cooling pipe 71, 72 Overhang member 73 Bolt 75 Screw hole AX Optical axis P, P 'Substrate PL Projection lens PM Substrate mark R Reticle RM Reticle mark ST1 Reticle stage ST2 Substrate stage
Claims (11)
と、 前記投影光学系の光軸に対する前記感光基板の位置決め
パターンの位置を検出するセンサユニットと、 前記投影光学系を支持する支持台又は前記投影光学系に
設けられるとともに、前記位置決めパターンの位置に応
じて前記センサユニットの位置を変える位置変更機構
と、を備えることを特徴とする露光装置。A substrate stage on which a photosensitive substrate is placed; a projection optical system for projecting a mask pattern onto the photosensitive substrate; and a sensor for detecting a position of a positioning pattern of the photosensitive substrate with respect to an optical axis of the projection optical system. An exposure unit comprising: a unit; a support table that supports the projection optical system; or a position change mechanism that is provided on the projection optical system and that changes the position of the sensor unit according to the position of the positioning pattern. apparatus.
に対して位置を変える駆動手段を備えることを特徴とす
る請求項１記載の露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the sensor unit includes a driving unit that changes a position with respect to the projection optical system.
からの光を前記感光基板に照射するとともに前記基板か
らの信号光を検出する位置検出光学系と、を備えること
を特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。3. The sensor unit according to claim 1, further comprising: a light source; and a position detecting optical system that irradiates the photosensitive substrate with light from the light source and detects signal light from the substrate. 3. The exposure apparatus according to 1 or 2.
記投影光学系に対して一体的に位置を変更することを特
徴とする請求項３記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the light source and the position detection optical system change positions integrally with respect to the projection optical system.
位置検出光学系との間に断熱壁を備えることを特徴とす
る請求項３又は４記載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the sensor unit includes a heat insulating wall between the light source and the position detection optical system.
調装置を備えることを特徴とする請求項３、４又は５記
載の露光装置。6. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the light source includes a temperature controller for controlling a temperature of the light source.
を特徴とする請求項３、４、５又は６記載の露光装置。7. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the light source is covered with a heat insulating wall.
と、 前記投影光学系の光軸に対する前記感光基板の位置決め
パターンを検出するセンサユニットと、 前記センサユニットを前記投影光学系の光軸方向と直交
する方向に移動する位置変更機構と、を備えることを特
徴とする露光装置。8. A substrate stage for mounting a photosensitive substrate, a projection optical system for projecting a mask pattern onto the photosensitive substrate, and a sensor unit for detecting a positioning pattern of the photosensitive substrate with respect to an optical axis of the projection optical system. An exposure apparatus, comprising: a position changing mechanism that moves the sensor unit in a direction orthogonal to an optical axis direction of the projection optical system.
複数の位置決めパターンに対応する複数のセンサユニッ
トを用いて前記感光基板と該感光基板にマスクパターン
を投影する投影光学系とを位置決めし、前記感光基板に
前記マスクパターンを露光する露光方法において、 前記複数の位置決めパターンの間隔に応じて前記複数の
センサユニットの間隔を調節することを特徴とする露光
方法。9. Positioning the photosensitive substrate and a projection optical system for projecting a mask pattern onto the photosensitive substrate using a plurality of positioning patterns of the photosensitive substrate and a plurality of sensor units corresponding to the plurality of positioning patterns, An exposure method for exposing the mask pattern on a photosensitive substrate, comprising: adjusting an interval between the plurality of sensor units according to an interval between the plurality of positioning patterns.
基板にマスクのパターンを投影する投影光学系との相対
位置を検出するセンサユニットを用いて位置検出する位
置決め方法において、 前記位置決めパターンの位置に応じて前記センサユニッ
トの位置を変更することを特徴とする位置検出方法。10. A positioning method for detecting a position by using a sensor unit for detecting a relative position between a positioning pattern of a photosensitive substrate and a projection optical system for projecting a pattern of a mask onto the photosensitive substrate, wherein the position is determined according to the position of the positioning pattern. And changing the position of the sensor unit.
決めマークと該第１の位置決めマークに対応する第１の
センサユニットと前記第２の位置決めマークに対応する
第２のセンサユニットとを用いて前記複数の位置決めマ
ークを検出する位置検出方法において、 前記第１及び第２の位置決めマークの間隔に応じて前記
第１及び第２のセンサユニットの間隔を調節することを
特徴とする位置検出方法。11. A first and a second positioning mark provided on a substrate, a first sensor unit corresponding to the first positioning mark, and a second sensor unit corresponding to the second positioning mark. In the position detecting method for detecting the plurality of positioning marks by using, the distance between the first and second sensor units is adjusted according to the distance between the first and second positioning marks. Method.
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|---|---|---|---|
| JP10246527A JP2000068192A (en) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | Apparatus and method for exposure and method of detecting position |
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Cited By (9)
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