JP2000067449A - 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザおよびその製造方法Info
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Abstract
射角を小さく設定することを可能とする面発光型半導体
レーザを提供する。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ100
は、半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、共振器よ
り半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する。共振
器を含む半導体堆積体(柱状部)101の表面に、凸レ
ンズ形状を有する出射部111が形成されている。この
面発光型半導体レーザ100は、以下の工程を含む製造
方法によって製造される。 (a)半導体基板上に、前記柱状部101を形成する工
程、(b)柱状部101の表面の所定領域が露出した状
態で、共振器に電流を注入するための電極(上部電極)
106を形成する工程、(c)上部電極106の表面
に、撥液処理を施す工程、(d)硬化させると出射部1
11を構成し、かつ、撥液膜によってはじかれる液状物
を、露出した柱状部101の表面に位置させる工程、お
よび(e)液状物を硬化させて、出射部111を形成す
る工程。
Description
て垂直にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザおよ
びその製造方法に関する。
べてレーザ放射角が等方的で、かつ、小さいという特徴
を有している。面発光型半導体レーザを大コア径の光フ
ァイバー、たとえば、プラスチック光ファイバーに適用
した場合には、上記の特徴のため、レンズなどを介さ
ず、直接にレーザ光をファイバー内に効率よく入射する
ことができる。そのため、プラスチック光ファイバーと
面発光型半導体レーザを組み合わせることにより、きわ
めて簡単な構成の光通信モジュールを実現することがで
きる。
チック光ファイバーには、伝達損失が大きいという欠点
があるため、伝送距離を長くするには、大きな光出力の
光源が必要になる。面発光レーザのレーザ出力を増すに
は、レーザ出射口径を大きくすることが有効である。し
かし、レーザ出射口径を大きくすると放射角が大きくな
るという問題が生じる。光送信モジュールの構成の簡略
化のため、直接結合、すなわち、光ファイバーと光源と
の間にレンズを介さずに、直接にレーザ光を光ファイバ
ーに入射を行った場合において、放射角の増大は、結合
効率、すなわち、ファイバーコア内に入射するレーザ光
の光量の低下および取り付けマージンの減少などを招く
結果となる。そのため、伝送距離の長さを確保すること
と、直接結合による光送信モジュールの構成の簡略化の
両立が難しいという問題があった。
うにするもので、具体的には、レーザ出力を増したとし
ても、レーザ光の放射角を小さく設定することを可能と
する面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供す
ることにある。
レーザは、半導体基板上に垂直方向の共振器を有し、前
記共振器より前記半導体基板に垂直な方向にレーザ光を
出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器を
含む半導体堆積体の表面に、凸レンズ形状を有する出射
部が形成されている。
レーザ」という)によれば、上述の共振器を含む半導体
堆積体の表面に、前記凸レンズ形状を有する出射部を形
成したことで、レーザ出射面において、レーザビームを
屈折させ、その放射角を狭めることができる。また、こ
の構成によれば、レーザ出射面において放射角を狭める
ことができるため、レーザ出力を増すためにレーザ出射
口径を大きくしたとしても放射角を小さく設定すること
も可能となる。
合物を挙げることができる。具体的には、ポリイミド樹
脂、紫外線硬化型アクリル樹脂および紫外線硬化型エポ
キシ樹脂の群から選択される少なくとも1種を挙げるこ
とができる。
に電流を注入するための電極が形成される。前記電極
は、前記出射部を被覆しないように、該出射部を囲むよ
うにして形成される。さらに、電極の表面には、撥液膜
を形成することが望ましい。
程(a)〜(e)を含む製造方法により、形成すること
ができる。
堆積して共振器を含む半導体堆積体を形成する工程、
(b)前記半導体堆積体の表面の所定領域が露出した状
態で、前記共振器に電流を注入するための電極を形成す
る工程、(c)前記電極の表面に、撥液処理を施す工
程、(d)硬化させると凸レンズ形状を有する出射部を
構成し、かつ、前記撥液膜によってはじかれる液状物
を、露出した半導体堆積体の表面に位置させる工程、お
よび(e)前記液状物を硬化させて、前記出射部を形成
する工程。
し、液状物を、電極が開口してある出射部を設けようと
する位置に供給してやり、柱状部の上面のコンタクト層
上に残った液状物を硬化することのみで、マイクロレン
ズとして機能するレーザ出射部をセルフアラインで形成
することができる。つまり、電極の表面と露出した半導
体堆積体の表面との液状物に対するぬれの程度に差をも
たせることにより、液状物が手を加えなくとも放置して
おくだけで、自発的に出射部を設けようとする位置に凝
集していく。その結果、出射部をセルフアラインで形成
することができる。このようにレーザ出射部をセルフア
ラインで形成することができるため、光軸合わせが不要
で光軸ずれのないレーザ出射部をきわめて簡単な工程で
形成することができる。
は、たとえば、撥液膜を形成することによる撥液処理、
たとえば、CF4 などのフッ素系ガスのプラズマを用い
た表面のフッ素化などを挙げることができる。このう
ち、撥液膜を形成することによる撥液処理が好ましい。
半導体堆積体の表面に、液状物を供給する手段として
は、たとえば、以下の2つの方法を挙げることができ
る。
「ノズル」という)の先端に前記液状物の液滴を作り、
該液滴を少なくとも上述の露出した半導体堆積体の表面
に接触させ、該液状物を該表面に供給する方法である。
物の粘度、ノズル径およびノズル先端の液滴量などを調
整したり、ノズル先端の表面処理などにより、出射部の
厚さを容易に制御することができる。また、ノズルによ
る液状物の供給方法は、液状物の粘度による影響を受け
難いため、使用可能な液状物の範囲が広い。さらに、必
要なところのみ液状物を確実に供給することができるた
め、無駄がなく、余計なところに液状物が付着すること
もない。
いて前記液状物を上述の露出した半導体堆積体の表面に
射出し、該液状物を該表面に供給する方法である。
時間で液状物を前記表面に供給することができ、生産性
が高いという利点がある。
化合物の前駆体を含むことが望ましい。
性質を有する膜であれば、特に限定されないが、たとえ
ば、前記電極に吸着する化合物からなる単分子膜を挙げ
ることができる。
前記単分子膜は、一方の末端に前記液状物をはじく性質
を有する原子団(以下「機能基」という)を含むチオー
ルからなることが望ましい。以下に、この望ましい理由
を述べる。
黄原子と金の表面の金原子とが共有結合的に化学結合す
ることにより、金に化学吸着する性質を有する。この性
質のため、金層からなる前記電極を機能基を有するチオ
ールを含む溶液に浸漬すると、機能基を末端に有するチ
オールは、メルカプト基を前記電極に向けた配向をとっ
て前記電極の表面上に化学吸着される。一方、露出した
半導体堆積体の表面には、機能基を末端に有するチオー
ルは、化学吸着しない。したがって、機能基を含むチオ
ールからなる単分子膜を撥液膜とすることで、簡便に、
かつ、選択的に前記電極の表面に撥液膜を形成すること
ができる。
について、図面を参照しながら説明する。
にかかる面発光レーザを模式的に示す断面図である。
aAs基板109上に、Al0.15Ga0.85AsとAlA
sとを交互に積層した25ペアの分布反射型多層膜ミラ
ー(以下、「下部DBRミラー」という)104、厚さ
3nmのGaAsウエル層と厚さ3nmのAl0.3Ga
0.7Asバリア層から成り該ウエル層が3層で構成され
る量子井戸活性層105、Al0.15Ga0.85AsとAl
0.9Ga0.1Asとを交互に積層した30ペアの分布反射
型多層膜ミラー(以下、「上部DBRミラー」という)
103およびコンタクト層102が順次積層されて形成
されている。
ングされることにより、p型にされ、下部DBRミラー
104は、Seがドーピングされることにより、n型と
されている。したがって、上部DBRミラー103、不
純物がドーピングされていない量子井戸活性層105お
よび下部DBRミラー104とで、pinダイオードが
形成される。
はじかない性質を有している。また、コンタクト層10
2は、後に記載の上部電極106とオーミック接触可能
な材質であることが必要で、AlGaAs系材料の場
合、たとえば、1019cm-3以上の高濃度の不純物がド
ーピングされたAl0.15Ga0.85Asからなる。
03、量子井戸活性層105および下部DBRミラー1
04の途中まで、所定の領域を除き、メサ状にエッチン
グすることにより、柱状部101が形成されている。ま
た、柱状部101の上には、レーザ光の出射部111が
設けられている。
側面の一部分および下部DBRミラー104の上面を覆
うようにして形成されている。
タン,白金,金を順次積層した金属層、あるいは、クロ
ム,金−亜鉛合金,金を順次積層した金属層などからな
り、柱状部101の上面において、コンタクト層102
とリング状に接触し、露出した柱状部101の側面、お
よび絶縁層108の表面の一部を覆うようにして形成さ
れている。上部電極106の上には、撥液膜110が形
成されている。撥液膜110については、後述する製造
プロセスのところで詳述する。
たとえば、Au−Ge合金、Ni,Auを順次積層した
下部電極107が形成されている。
上に、上部電極106で取り囲まれるようにして設けら
れている。出射部111の上面は、凸レンズ面を構成
し、レーザビームを屈折させる機能が付与されている。
出射部の材質は、特に限定されるものではないが、たと
えば、ポリイミド樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂、紫
外線硬化型エポキシ樹脂などが挙げられ、好ましくは、
ポリイミド樹脂を挙げることができる。
する。
inダイオードに順方向の電圧を印加すると、量子井戸
活性層105において、電子と正孔との再結合が起こ
り、再結合発光が生じる。そこで生じた光が上部DBR
ミラー103と下部DBRミラー104との間を往復す
る際、誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利
得が光損失を上まわるとレーザ発振が起こり、出射部1
11から基板に対して垂直方向にレーザ光が出射され
る。
1に示すように、柱状部101の上に出射部111が設
けられ、さらに、出射部111の上面、すなわち、レー
ザ出射面が凸レンズ形状に形成されていることである。
レーザ出射面が凸レンズ形状に形成されていることによ
り、レーザ出射面において、レーザビームを屈折させ、
その放射角を狭めることができる。また、この構成によ
れば、レーザ出射面において放射角を制御できるため、
レーザ出射口径を大きくしたとしても放射角を小さく設
定することも可能となる。
示す面発光レーザ100の製造プロセスについて説明す
る。図2〜図6は、面発光レーザ100の製造工程を示
したものである。
る。n型GaAs基板109上に、Al0.15Ga0.85A
sとAlAsとを交互に積層し、Seをドーピングした
25ペアの下部DBRミラー104を形成する。次に、
下部DBRミラー104上に、厚さ3nmのGaAsウ
エル層と、厚さ3nmのAl0.3Ga0.7Asバリア層か
ら成り、該ウエル層が3層で構成される量子井戸活性層
105を形成する。さらに、量子井戸活性層105上
に、Al0.15Ga0.85AsとAl0.9Ga0.1Asとを交
互に積層し、Znをドーピングした30ペアの上部DB
Rミラー103を形成する。その後、上部DBRミラー
103上に、Al0.15Ga0.85Asからなるコンタクト
層102を積層する。
PE:Metal−OrganicVapor Pha
se Epitaxy)法でエピタキシャル成長させる
ことができる。このとき、例えば、成長温度は、750
℃、成長圧力は、2×104Paで、III族原料にTMG
a(トリメチルガリウム)、TMAl(トリメチルアル
ミニウム)の有機金属を用い、V族原料にAsH3 、n
型ドーパントにH2Se、p型ドーパントにDEZn
(ジメチル亜鉛)を用いることができる。
ジストを塗布した後、フォトリソグラフィーにより、フ
ォトレジストをパターニングすることにより、図2に示
すように、所定のパターンの第1のレジスト層R1を形
成する。
レジスト層R1をマスクとして、反応性イオンエッチン
グ法により、コンタクト層102、上部DBRミラー1
03、量子井戸活性層105および下部DBRミラー1
04の途中まで、メサ状にエッチングし、柱状部101
を形成する。このエッチングには、通常、エッチングガ
スとして塩素または塩素系ガス(塩化水素,BCl3)
を用いた、反応性イオンビームエッチング法が使われ
る。
4(モノシラン)ガスとO2(酸素)ガスを用い、N
2(窒素)ガスをキャリアガスとする常圧熱CVD法に
より、基板上に、例えば、膜厚100〜300nmのシ
リコン酸化膜(SiOX膜)を形成する。その後、フォ
トリソグラフィとドライエッチングにより、図4に示す
ように、柱状部101の側面の一部および下部DBRミ
ラー104の一部を除き、シリコン酸化膜をエッチング
除去して、絶縁層108を形成する。
により、Au−Ge合金、Ni,Auを順次積層した下
部電極107を形成する。
の上面においてコンタクト層102とリング状に接触
し、かつ、柱状部101の側面および絶縁層108を覆
うように、上部電極106をリフトオフ法により形成す
る。ここでは、上部電極106には、チタン,白金,金
を順次積層した金属層を用いた。
106上に撥液膜110を形成する。
性質を有している。
の表面が金層である場合には、撥液膜110としては、
たとえば、以下のようにして得られた単分子膜からな
る。
mMのエタノール水溶液に溶解させる。その溶液に上部
電極106を浸漬すると、上部電極106上にのみ、機
能基を有するチオール112の単分子膜(以下「チオー
ル単分子膜」という)が形成される。
しては、たとえば、CF3(CF2)n(CH2)mSH
(mは、5〜60の整数、nは、1〜20の整数を示
す)で表されるフッ素系の機能基を末端に有するチオー
ルなどを挙げることができる。
上に、チオール単分子膜116が形成される理由を説明
する。
の柱状部101の上面の一部分を模式的に示した拡大図
である。
黄原子と金原子とが共有結合的に化学結合することによ
り、金に化学吸着する性質を有する。この性質のため、
金層115からなる上部電極106を機能基を有するチ
オールを含む溶液に浸漬すると、図5に示すように、機
能基を末端に有するチオール112は、メルカプト基1
13を上部電極106に向けた配向をとって上部電極1
06の表面上に化学吸着される。一方、柱状部101の
上面のコンタクト層102が露出した表面には、機能基
を末端に有するチオールは、化学吸着しない。また、末
端に存在している機能基114は、チオール単分子膜1
16の表面に現れる。その結果、上部電極106上に、
チオール単分子膜116を形成することができる。
由で、撥液膜110として作用する。
図5に示すように、後述する液状物をはじく性質が付与
された機能基が現れている。このため、チオール単分子
膜116は、後述する液状物をはじく性質を有し、撥液
膜110として作用することができる。
0を形成する利点は、上部電極106上に、選択的に、
かつ、簡便に撥液膜110を形成することができる点に
ある。
101上面に供給する。
る。図6は、ノズルにより液状物を柱状部101上面に
供給する方法を経時的に表した模式図である。
その樹脂の前駆体の液状物をノズル117に注入する。
ノズル117の先端に、図6(a)に示すように、この
液状物の液滴を作る。次に、図6(b)に示すように、
この液滴を柱状部101の上面に接触させる。そうして
液滴を柱状部101の上面、特にコンタクト層102の
露出面に移した後、図6(c)に示すように、ノズル1
17を離す。
い材質からなる。そのため、露出したコンタクト層10
2上に移された液状物は、安定して存在することができ
る。また、上部電極106上にはみだした液状物は、上
部電極106の上に形成された撥液膜110によりはじ
かれる。はじかれた液状物は、コンタクト102層の露
出面上の液状物に吸収される。その結果、液状物は、柱
状部101の上面のコンタクト層102が露出した部分
の上に残る。残った液状物は、表面張力により、レーザ
出射部111の原形となるレンズ形状を形作る。
供給する方法によれば、液状物の粘度、ノズル径および
ノズル先端の液滴量などを調整したり、ノズル先端の表
面処理などにより、レーザ出射部111の厚さを容易に
制御することができる。また、ノズルによる液状物の供
給方法は、液状物の粘度による影響を受け難いため、使
用可能な液状物の範囲が広い。さらに、必要なところの
み液状物を確実に供給することができるため、無駄がな
く、余計なところに液状物が付着することもない。
硬化型アクリル系樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂を挙
げることができる。前駆体の液状物としては、ポリイミ
ド前駆体の液状物を挙げることができる。
化することができるため、素子への熱によるダメージ
や、熱硬化させた場合に生じる半導体層と樹脂との熱膨
張差によるレーザ出射部の剥離などの心配がない。
ゴマーおよびモノマーのうち少なくとも1種と光重合開
始剤を含んだものからなる。
ては、プレポリマーまたはオリゴマーとしては、例え
ば、エポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート
類、ポリエステルアクリレート類、ポリエーテルアクリ
レート類、スピロアセタール系アクリレート類等のアク
リレート類、エポキシメタクリレート類、ウレタンメタ
クリレート類、ポリエステルメタクリレート類、ポリエ
ーテルメタクリレート類等のメタクリレート類等が利用
できる。
キシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート、N−ビニル−2−ピロリド
ン、カルビトールアクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルアクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロ
ペンテニルアクリレート、1,3−ブタンジオールアク
リレート等の単官能性モノマー、1,6−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタ
クリレート、ネオペンチルグリコールアクリレート、ポ
リエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリ
トールジアクリレート等の二官能性モノマー、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト等の多官能性モノマーが挙げられる。
−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノンなどのアセ
トフェノン類、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、p
−イソプロピル−α−ヒドロキシイソブチルフェノンな
どのブチルフェノン類、p−tert−ブチルジクロロ
アセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロロアセ
トフェノン、α,α−ジクロル−4−フェノキシアセト
フェノンなどのハロゲン化アセトフェノン類、ベンゾフ
ェノン、N,N−テトラエチル−4,4−ジアミノベン
ゾフェノンなどのベンゾフェノン類、ベンジル、ベンジ
ルジメチルケタールなどのベンジル類、ベンゾイン、ベ
ンゾインアルキルエーテルなどのベンゾイン類、1−フ
ェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシ
カルボニル)オキシムなどのオキシム類、2−メチルチ
オキサントン、2−クロロチオキサントンなどのキサン
トン類、ベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエ
ーテルなどのベンゾインエーテル類、ミヒラーケトン類
のラジカル発生化合物を挙げることができる。紫外線硬
化型アクリル系樹脂を硬化した後の樹脂は、透明度が高
いという利点を有している。
酸、ポリアミック酸の長鎖アルキルエステルなどを挙げ
ることができる。ポリイミド前駆体を熱硬化させて得ら
れたポリイミド系樹脂は可視光領域において、80%以
上の透過率を有し、屈折率が1.7〜1.9と高いた
め、大きなレンズ効果が得られる。
物を硬化させ、図1に示すような面発光レーザが完成す
る。液状物が前述の紫外線硬化型樹脂の場合には、紫外
線を照射することにより、硬化させることができる。
液状物を用いた場合には、ポリイミド前駆体の液状物を
加熱キュア処理してイミド化反応を起こしポリイミド樹
脂を生成させることにより、硬化させることができる。
キュア温度は、前駆体の種類によって異なるが、素子へ
の熱によるダメージ、基板とポリイミド樹脂との熱膨張
差および電極のアロイングの防止などの観点から、15
0℃程度が適当である。加熱時間としては、電極を構成
する金属原子が半導体層の内部に異常拡散が生じない程
度に設定される。
10を形成し、液状物を、上部電極106が開口してあ
るレーザ出射部111を設けようとする位置に供給して
やり、柱状部101の上面のコンタクト層102上に残
った液状物を硬化することのみで、マイクロレンズとし
て機能するレーザ出射部111をセルフアラインで形成
することができる。このようにレーザ出射部111をセ
ルフアラインで形成することができるため、光軸合わせ
が不要で光軸ずれのないレーザ出射部111をきわめて
簡単な工程で形成することができる。
101の上のコンタクト層102が露出した部分に供給
する方法として、ディスペンサノズル117による供給
方法を例示したが、図7に示すように、インクジェット
ヘッド118を用いて、液状物を柱状部の上面に射出し
て供給する方法なども適用することができる。インクジ
ェットヘッド118を用いた方法は、短時間で液状物を
柱状部101の上面に供給することができ、生産性が高
いという利点がある。液状物をインクジェットする際、
液状物の液粘度は、重要な要素であるが、希釈溶剤を液
状物に添加することにより、適当な液粘度に調整するこ
ともできる。
釈溶剤としては、特に限定されるものではないが、たと
えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メ
トキシメチルプロピオネート、メトキシエチルプロピオ
ネート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテー
ト、エチルラクテート、エチルピルビネート、メチルア
ミルケトン、シクロヘキサノン、キシレン、トルエン、
ブチルアセテートなどを挙げることができ、単独で、ま
たは、2種以上を混合して使用することができる。
希釈溶剤としては、たとえば、N−メチル−2−ピロリ
ドンを挙げることができる。
の上のコンタクト層102が露出した部分に供給する方
法としては、適宜、スピンコート法、ディッピング法、
スプレーコート法、ロールコート法、バーコート法など
を利用することができる。
は、機能基を有するチオールからなる単分子膜について
述べたが、この化合物に限らず、上部電極106に吸着
し、かつ、上記の液状物をはじく性質を有する単分子膜
であれば、本発明の撥液膜110として適用することが
できる。また、撥液膜110は、単分子膜に限られるも
のではなく、液状物をはじく性質を有する膜であれば、
特に限定されない。また、撥液膜110は、必要に応じ
て、適宜、剥離することができる。
106を構成する金属層の表面が金層である場合につい
て述べたが、撥液膜111と密着するものであれば、特
に限定されるものではない。
式的に示す断面図である。
造方法の工程を模式的に示す断面図である。
造方法の工程を模式的に示す断面図である。
造方法の工程を模式的に示す断面図である。
成した直後の柱状部の上面の一部分を模式的に示した模
式図である。
域に供給する方法を経時的に表した模式図である。
の上面の所定領域に供給する方法を経時的に表した模式
図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板上に垂直方向の共振器を有
し、前記共振器より前記半導体基板に垂直な方向にレー
ザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、 前記共振器を含む半導体堆積体の表面に、凸レンズ形状
を有する出射部が形成されている面発光型半導体レー
ザ。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記出射部を囲むように前記共振器に電流を注入するた
めの電極が前記半導体堆積体の表面に形成されている面
発光型半導体レーザ。 - 【請求項3】 請求項2において、 前記電極の表面に撥液膜が形成されている面発光型半導
体レーザ。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかにお
いて、 前記出射部の材質は、高分子化合物からなる面発光型半
導体レーザ。 - 【請求項5】 以下の工程(a)〜(e)を含む面発光
型半導体レーザの製造方法。 (a)半導体基板上に、複数の半導体層を堆積して共振
器を含む半導体堆積体を形成する工程、(b)前記半導
体堆積体の表面の所定領域が露出した状態で、前記共振
器に電流を注入するための電極を形成する工程、(c)
前記電極の表面に、撥液処理を施す工程、(d)硬化さ
せると凸レンズ形状を有する出射部を構成し、かつ、前
記撥液膜によってはじかれる液状物を、露出した半導体
堆積体の表面に位置させる工程、および(e)前記液状
物を硬化させて、前記出射部を形成する工程。 - 【請求項6】 請求項5において、 前記工程(c)は、前記電極の表面に、撥液膜を形成す
ることにより、撥液処理を施す工程である面発光型半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項7】 請求項5において、 前記工程(d)は、ディスペンサノズルの先端に前記液
状物の液滴を作り、該液滴を少なくとも前記露出した半
導体堆積体の表面に接触させ、該液状物を該表面に位置
させる工程である面発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項8】 請求項5において、 前記工程(d)は、インクジェットヘッドを用いて前記
液状物を前記露出した半導体堆積体の表面に射出し、該
液状物を該表面に位置させる工程である面発光型半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項9】 請求項5ないし請求項8のいずれかにお
いて、 前記液状物は、樹脂または樹脂の前駆体を含む液状物で
ある面発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項10】 請求項5ないし請求項9のいずれかに
おいて、 前記撥液膜は、前記電極に吸着する化合物からなる単分
子膜である面発光型半導体レーザの製造方法。 - 【請求項11】請求項5ないし請求項10のいずれかに
おいて、 前記電極は、金層からなる面発光型半導体レーザの製造
方法。 - 【請求項12】請求項10において、 前記単分子膜は、一方の末端に前記液状物をはじく性質
を有する原子団を含むチオールからなる面発光型半導体
レーザの製造方法。
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