JP2000065729A - 表面プラズモン共鳴角検出装置のセンサーチップ - Google Patents
表面プラズモン共鳴角検出装置のセンサーチップInfo
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Abstract
ことができるSPR装置のセンサーチップの提供。 【解決手段】表面プラズモン共鳴角検出装置は試料溶液
が吸着されるセンサーチップに密着したプリズムの入射
側に所要角度幅の光を照射してセンサーチップからの反
射光の強度により試料溶液への吸光度が最大になる共鳴
角を検出して試料成分を特定する。下面が開口した多数
のセルが所要の間隔をおいて設けられたセルプレートの
下面に対し、各セル側の上面に金属薄膜が成膜されたガ
ラス基板を各セルの開口を閉鎖するように取付ける。
Description
る吸光度が最大になる共鳴角により試料成分を特定する
表面プラズモン共鳴角検出装置(以下、SPR装置とい
う)のセンサーチップに関する。
チップは、ガラス基板の表面に例えば金薄膜及び銀薄膜
の少なくとも何れの金属薄膜を成膜すると共に該金属薄
膜と反対側のガラス基板にプリズムを密着させて構成し
ている。そして試料溶液中の特定物質を検出するための
抗体や試薬が予め付着されたガラス基板の金属薄膜上
に、被検出体としての試料溶液を固着させた後、プリズ
ムの入射側に光源からの光を照射すると共に金属薄膜か
らの反射光の強度が最小になる共鳴角を検出して試料成
分を特定しているが、多種類の試料溶液の成分を検出す
るには、夫々の試料溶液毎に金属薄膜上に試料溶液を分
注して固着させる作業、検出後には金属薄膜に固着した
試料溶液を洗浄する作業を必要としていた。
質を検出するための抗体や試薬が異なるため、試料成分
に応じて対応する抗体や試薬が付着されたガラス基板に
取換える必要があった。この場合、その都度、プリズム
とガラス基板を密着させなければならず、交換作業に手
間がかかっていた。
ために発明されたものであり、その課題とする処は、多
種類の試料成分の共鳴角を効率的に検出することができ
るSPR装置のセンサーチップを提供することにあ。
料溶液が吸着されるセンサーチップに密着したプリズム
の入射側に所要角度幅の光を照射してセンサーチップか
らの反射光の強度により試料溶液への吸光度が最大にな
る共鳴角を検出して試料成分を特定する表面プラズモン
共鳴角検出装置において、センサーチップを下面が開口
した多数のセルが所要の間隔をおいて設けられたセルプ
レートと、該セルプレート下面に対し、各セルの開口を
閉鎖するように取付けられ、各セル側の上面に金属薄膜
が成膜されたガラス基板とから構成したことを特徴とし
ている。
試料溶液を、夫々のセルに応じたガラス基板下面にプリ
ズムを選択的に密着させて夫々の共鳴角を連続して検出
する。
って説明する。図1はSPR装置の概略を示す一部断面
説明図である。図2はセンサーチップの一部断面分解斜
視図である。
SPR装置1のプリズム取付けブロック3には半割り円
筒形状のプリズム5が、その上面がプリズム取付けブロ
ック3の上面とほぼ面一状になるように取付けられてい
る。該プリズム5は後述する多検体用のセンサーチップ
7における単一のセル7aとほぼ一致する大きさからな
る。
に応じたブロック3には光入射通路3a及び光出射通路
3bが形成されている。各光入射通路3a及び光出射通
路3bの開口幅はプリズム5に対する光の入射角及び出
射角度が約35〜80度及び100〜145度になるよ
うに設定されている。
通路3b側には受光装置11が夫々配置されている。光
源9は後述するセンサーチップ7におけるガラス基板1
3と金属薄膜の境界にて集束する所要角度(約35〜8
0度)幅の光を照射する。尚、光源9としてはプリズム
5外周の円弧に沿って回動し、スポット光を上記角度幅
にわたって照射するものであってもよい。一方、受光装
置11はCCDやフォトダイオードアレイ等からなり、
上記した夫々の角度に応じた境界からの反射光を受光し
てその強度に応じた電気信号を出力する。
方体形状で、多数のセル15aが列方向及び行方向へ所
要の間隔をおいたマトリクス状に配列されている。各セ
ル15aは凹状で、底面に開口15bが同一深さで形成
された形状からなる。又、各セル15aの配列状態とし
ては行方向へ12個及び列方向へ8個、又はこの倍数の
マトリクス状からなる。
はセルプレート15の下面全体を覆う大きさの長方形状
で、その上面には金薄膜及び銀薄膜の少なくとも何れか
からなる金属薄膜(図示せず)がイオンプレーティング
法、スパッタ法及び蒸着法の何れかにより一面に成膜さ
れている。そしてガラス基板13はセルプレート15に
対し、各セル15aの開口15bを閉鎖するように接着
され、各セル15aには夫々の検体としての異なる種類
の試料溶液が分注される。尚、夫々のセル15aに応じ
たガラス基板13の金属薄膜には、試料溶液中における
特定物質を検出するための抗体や試薬が予め固定化され
ている。
種類の試料溶液の共鳴角検出作用を説明する。
鳴角が検出される異なる種類の試料溶液(図示せず)が
予め分注され、これにより各セル15aにおける金属薄
膜に夫々の試料溶液が吸着されている。そして行方向n
番目と列方向k番目(n及びkは任意整数とする)のセ
ル15a内に分注された試料溶液の共鳴角を検出するに
は、セルプレート15を行方向及び列方向の二次元方向
へ選択的に移動して所望の行位置及び列位置のセル15
aをプリズム5上面に相対させた後、セルプレート15
をプリズム5側へ移動して該セル15aに対応するガラ
ス基板13下面(金属薄膜の非成膜側)をプリズム5の
上面に密着させる(図1参照)。
応じたガラス基板13下面との間に、屈折率がプリズム
5及びガラス基板13とほぼ等しいマッチングオイル或
いはシリコンゴムシート(何れも図示せず)を介在させ
ることにより両者を、気泡の混入がない状態で密着させ
ることができる。
光源9からガラス基板13と金属薄膜の境界で集光する
所要角度幅の光或いはプリズム5の外周面と一致する円
弧上を所要角度にわたって回動してスポット光を照射
し、上記境界からの反射光を受光装置11にて受光して
反射光強度を測定して反射光の強度が最小、従って選択
され足せる15a内に分注された試料溶液への吸光が最
大になる共鳴角を検出する。
注された試料溶液の共鳴角を検出するには、セルプレー
ト15全体を上方へ移動してプリズム5上面から離間さ
せた状態で、セルプレート15を、次に共鳴角を検出し
ようとする試料溶液が分注されたセル15aの行及び列
位置に応じて二次元移動してプリズム5の上面に相対さ
せた後、上記と同様にセルプレート15全体を下方へ移
動して選択されたセル15aに応じたガラス基板13下
面をプリズム5の上面に密着させる(図3参照)。そし
て上記と同様に光源9から光を照射して該セル15a内
の試料溶液の共鳴角を検出する。
注される多数のセル15aが配列されたセルプレート1
5の下面に金属薄膜が成膜されたガラス基板13を取付
けて多数のセンサーチップを一体に形成することがで
き、他種類の試料溶液の共鳴角を一度の作業で検出する
ことができ、共鳴角検出作業を効率化して検出時間を短
縮することができる。又、従来のように共鳴角検出作業
毎に金属薄膜上に試料容液を分注したり、検出後には金
属薄膜上に付着した試料溶液をその都度洗浄する手間を
省くことができる。
々のセル15aとプリズム5とを1対1の関係で相対さ
せて試料溶液の共鳴角を検出するようにしたが、本発明
のセンサーチップ7は一度に複数種類の試料溶液の共鳴
角を検出するようにしても良い。
なるプリズム51の軸線方向長さを、セルプレート15
の配列された複数、例えば4個分のセル15aにわたる
ように設定してこれら4個のセル15aに応じたガラス
基板13下面に一度に密着可能に構成する。又、プリズ
ム51の入射側及び出射側に4個の光源及び受光装置
(何れも図示せず)を夫々設け、各セル15aに応じた
ガラス基板13における金属薄膜の境界に光を入射可能
すると共に該境界からの反射光を受光可能にする。
5aの数は、上記した4個の他に2個、又は8個であっ
ても良い。又、光源及び受光装置としては、単一の光源
及び受光装置としても良い。この場合、光源から出社さ
れる単一の光を分光手段により波長が異なる複数の光に
分光しても良い。
する際に、オペレータは手作業でセンサーチップ7を行
方向及び列方向へ選択的に移動して所望の試料溶液が分
注されたセル15aをプリズム5に相対させた後にプリ
ズム5上面に該セル15aに応じたガラス基板13を密
着させたが、従来公知の三次元移動機構のスライダ(図
示せず)にセンサーチップ7を取付け、予めセットされ
た位置データに基づいてセンサーチップ7を選択時に三
次元移動させる構成であっても良い。
共鳴角を効率的に検出することができる。
る。
9 光源、11 受光装置、13 ガラス基板、15
セルプレート、15a セル、15b 開口
Claims (4)
- 【請求項1】試料溶液が吸着されるセンサーチップに密
着したプリズムの入射側に所要角度幅の光を照射してセ
ンサーチップからの反射光の強度により試料溶液への吸
光度が最大になる共鳴角を検出して試料成分を特定する
表面プラズモン共鳴角検出装置において、下面が開口し
た多数のセルが所要の間隔をおいて設けられたセルプレ
ートと、該セルプレート下面に対し、各セルの開口を閉
鎖するように取付けられ、各セル側の上面に金属薄膜が
成膜されたガラス基板とからなるセンサーチップ。 - 【請求項2】試料溶液が吸着されるセンサーチップに密
着したプリズムの入射側にスポット光を所要の角度にわ
たって照射してセンサーチップからの反射光の強度によ
り試料溶液への吸光度が最大になる共鳴角を検出して試
料成分を特定する表面プラズモン共鳴角検出装置におい
て、下面が開口した多数のセルが所要の間隔をおいて設
けられたセルプレートと、該セルプレート下面に対し、
各セルの開口を閉鎖するように取付けられ、各セル側の
上面に金属薄膜が成膜されたガラス基板とからなるセン
サーチップ。 - 【請求項3】請求項1又は2において、プリズムは単一
のセルに相対するガラス基板に密着可能な大きさからな
るセンサーチップ。 - 【請求項4】請求項1又は2において、プリズムは複数
のセルに相対するガラス基板に密着可能な大きさからな
るセンサーチップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23839198A JP2000065729A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 表面プラズモン共鳴角検出装置のセンサーチップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23839198A JP2000065729A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 表面プラズモン共鳴角検出装置のセンサーチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000065729A true JP2000065729A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17029510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23839198A Pending JP2000065729A (ja) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | 表面プラズモン共鳴角検出装置のセンサーチップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000065729A (ja) |
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-
1998
- 1998-08-25 JP JP23839198A patent/JP2000065729A/ja active Pending
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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