JP2000061801A - Cutting method, cutting device and manufacture of semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control the degree of curvature at a cut surface during cutting of a rod-like workpiece such as an ingot into thin disks. SOLUTION: A cutting device is composed of cylindrical wire guides 3 for guiding a running wire 2, a table 5 for vertically moving an ingot 1 through the intermediary of an ingot holding means 4 so as to make the ingot 1 and the running wire 2 into press-contact with each other, nozzles 11 for jetting a polishing agent containing abrasive grain onto the wire 2, and a control part 8 for causing the table 5 to press the ingot 1 and the wire 2 against each other so as to previously cut the ingot 2, and then for longitudinally moving the ingot 1 in accordance with a degree of curvature at the previously cut surface of the ingot 1. After the previously cutting, the ingot 1 is cut while it is moved by the control part 8, thereby it is possible to control the degree of curvature of the cut surface of the ingot 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被加工物の切断技
術に関し、特に、半導体シリコンからなるインゴットの
切断における切断面の平坦化に適用して有効な技術に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for cutting a workpiece, and more particularly to a technique effectively applied to flattening a cut surface in cutting an ingot made of semiconductor silicon.

【０００２】[0002]

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。2. Description of the Related Art The techniques described below are for studying the present invention,
The present invention was studied by the present inventors upon completion, and its outline is as follows.

【０００３】半導体集積回路の製造においては、その高
密度・高集積化に伴い、高精密化が要求されている。ま
た、半導体集積回路の製造に用いられる半導体ウェハの
処理工程においては、単結晶成長後のシリコンのインゴ
ット（被加工物）をウェハ状にスライス加工する（薄板
状の半導体ウェハを形成する）工程があり、この工程で
用いられる半導体製造装置の１つにワイヤソーと呼ばれ
る切断装置が知られている。In the manufacture of semiconductor integrated circuits, higher precision is required as the density and the degree of integration are increased. Further, in the process of processing a semiconductor wafer used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, a process of slicing a silicon ingot (workpiece) after single crystal growth into a wafer (forming a thin semiconductor wafer) is performed. A cutting device called a wire saw is known as one of the semiconductor manufacturing devices used in this process.

【０００４】前記ワイヤソーでは、研磨材（例えば、Ｓ
ｉＣ）と粘性剤（例えば、ナフテン系鉱物油）とを混合
したスラリーをワイヤ（例えば、直径0.０８ｍｍ〜0.１
８ｍｍ程度のＣｕめっきしたピアノ線）の上部からワイ
ヤに対して供給して切断を行う。In the wire saw, an abrasive (for example, S
iC) and a viscous agent (for example, naphthenic mineral oil) are mixed into a wire (for example, a diameter of 0.08 mm to 0.18 mm).
The wire is cut from the top of a Cu-plated piano wire (about 8 mm) supplied to the wire.

【０００５】その際、ワイヤを一定間隔（切断する厚み
幅＋カーフロス）に並列配置し、かつ一定の張力（例え
ば、２５Ｎ以上）を付与した状態で高速走行（例えば、
１０ｍ／ｓ）させ、さらに、一定周期（例えば、１ｍｉ
ｎ）で往復走行させる。なお、１周期の往路走行距離を
復路走行距離より長く（例えば、往路３００ｍ、復路２
００ｍ）設定し、この条件でワイヤを走行させる。At this time, the wires are arranged in parallel at a constant interval (thickness width to be cut + kerf loss) and a constant tension (for example, 25 N or more) is applied to the wires for high speed running (for example,
10 m / s) and a fixed period (for example, 1 mi)
Drive back and forth in n). It should be noted that one cycle of the forward travel distance is longer than the return travel distance (for example, the forward travel of 300 m, the return travel of 2
00m) is set and the wire is run under this condition.

【０００６】また、スラリーは、その粘度（例えば、２
8.０）が高いため、ワイヤの表面に付着した状態で被加
工物に接触する。さらに、被加工物は、ワイヤに対して
上方または下方から直角に所定の速度（例えば、平均速
度３５０μｍ／ｍｉｎで切断距離にほぼ比例して速度を
可変させる）で接触する。被加工物は、ワイヤに付着し
かつ運動エネルギを持った研磨材に接触するこによって
切削加工され、ウェハ状にスライス（切断）される。Further, the slurry has a viscosity (for example, 2
8.0) is high, so it contacts the work piece while being attached to the surface of the wire. Further, the work piece is in contact with the wire from above or below at a right angle at a predetermined speed (for example, the average speed is 350 μm / min and the speed is changed substantially in proportion to the cutting distance). The object to be processed is cut by being brought into contact with an abrasive material attached to the wire and having kinetic energy, and sliced (cut) into a wafer shape.

【０００７】一方、ワイヤは、ワイヤガイドにより並列
に保持され、これにより、高速で走行するが、ワイヤガ
イドを高速回転させているため、運動熱を発生するとと
もに、切削時の発熱によって各部材（例えば、ワイヤガ
イド、ワイヤガイド支持部材筐体およびスラリー）が熱
変形を引き起こす。On the other hand, the wires are held in parallel by the wire guides and run at high speed. However, since the wire guides are rotated at high speed, kinetic heat is generated and each member ( For example, the wire guide, the wire guide support member housing, and the slurry) cause thermal deformation.

【０００８】したがって、前記各部材には温調機構が設
けられている。Therefore, each member is provided with a temperature control mechanism.

【０００９】なお、高精度の半導体ウェハにスライスす
るためには、ワイヤの横方向の変位を発生させないため
にワイヤの切断方向の弛みを無くすことが絶対条件とな
るが、ワイヤには破断荷重があり、破断荷重以下ではワ
イヤの弛みを無くすことはできない。For slicing into a highly accurate semiconductor wafer, it is absolutely necessary to eliminate slack in the cutting direction of the wire in order to prevent lateral displacement of the wire. However, the slack of the wire cannot be eliminated below the breaking load.

【００１０】ただし、前記温調機構、被加工物の真直度
などの改善によってあるレベルの品質は得ることができ
るが、今後、さらに高精度化が要求される半導体ウェハ
の品質要求を満足できなくなることが推測される。However, although a certain level of quality can be obtained by improving the temperature control mechanism and the straightness of the workpiece, it will not be possible to satisfy the quality requirement of the semiconductor wafer which is required to have higher precision in the future. It is speculated that

【００１１】したがって、品質要求を満足するために
は、ワイヤソー本体に被加工物の加工精度をコントロー
ルする機能が必要となるが、その加工精度に対しては、
切断による反り量が影響を及ぼすため、切断時の反り量
を改善しなければならない。Therefore, in order to satisfy the quality requirement, the wire saw main body must have a function of controlling the processing accuracy of the work piece.
The amount of warpage due to cutting has an effect, so the amount of warpage during cutting must be improved.

【００１２】ただし、ワイヤソーには、切断時の半導体
ウェハの反り量を制御する機構が設けられていないた
め、今後、半導体ウェハの品質要求を満足できなくなる
ものと思われる。However, since the wire saw is not provided with a mechanism for controlling the warp amount of the semiconductor wafer at the time of cutting, it is considered that the quality requirement of the semiconductor wafer will not be satisfied in the future.

【００１３】そこで、生産性を無視して可能な限り零に
近い遅い速度で切断を行うと、現在のワイヤソーであっ
ても品質要求を満足することは可能であるが、量産には
適用できない。Therefore, if productivity is ignored and cutting is performed at a slow speed as close to zero as possible, even the current wire saw can satisfy the quality requirement, but it cannot be applied to mass production.

【００１４】なお、インゴットを切断するワイヤソーに
ついては、例えば、株式会社工業調査会、１９９３年１
１月２０日発行、「超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブッ
ク＜１９９４年版＞、電子材料１１月号別冊（１９９３
年別冊）」、３３頁に記載されている。Regarding the wire saw for cutting the ingot, for example, Industrial Research Institute Co., Ltd., 1993, 1
Published January 20, "VLSI Manufacturing and Testing Equipment Guidebook <1994 Edition>, Electronic Materials November issue, separate volume (1993
Annual separate volume) ”, page 33.

【００１５】[0015]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のワイヤソーを用いて被加工物の切断を行うと、ワイ
ヤの弛みにともなうワイヤの軌道のずれを生じる。ここ
で、ワイヤの軌道のずれは、被加工物（ここでは、シリ
コンのインゴット）の反りとなり、この反りによる反り
量を任意の大きさに制御できないことが問題とされる。However, when the work piece is cut using the wire saw of the above-mentioned technique, deviation of the trajectory of the wire occurs due to slack of the wire. Here, the deviation of the trajectory of the wire causes a warp of the workpiece (here, a silicon ingot), and there is a problem that the warp amount due to the warp cannot be controlled to an arbitrary size.

【００１６】なお、ワイヤソーにおけるワイヤの軌道の
ずれについては、例えば、１９９５年１２月１０日、ア
イピーシー出版発行、「マルチワイヤソーによるスライ
シング加工」に記載されており、切断中のワイヤの弛み
は、ワイヤの破断荷重が無限大にならない限り無くすこ
とはできない。The deviation of the orbit of the wire in the wire saw is described in, for example, December 10, 1995, published by IPC Publishing, "Slicing with a multi-wire saw," and the slack of the wire during cutting is as follows. It cannot be eliminated unless the breaking load of the wire becomes infinite.

【００１７】本発明の目的は、インゴットなどの棒状の
被加工物を薄板に切断する際の切断面の反り量を制御可
能な切断方法および装置ならびに半導体装置の製造方法
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a cutting method and apparatus capable of controlling the amount of warp of a cut surface when a rod-shaped workpiece such as an ingot is cut into a thin plate, and a semiconductor device manufacturing method.

【００１８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１９】[0019]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【００２０】すなわち、本発明の切断方法は、細いワイ
ヤを用いて棒状の被加工物を切断するものであり、前記
被加工物の長手方向と直角を成す方向に前記ワイヤを走
行させる工程と、前記被加工物と走行中の前記ワイヤと
が接触して相互に加圧するように前記被加工物と前記ワ
イヤのうち何れか一方もしくは両者を移動させて前記被
加工物を予備切断する工程と、前記予備切断後、前記予
備切断により形成された前記被加工物の切断面の反り量
に基づいて前記被加工物または前記ワイヤを前記被加工
物の前記長手方向に移動させながら前記被加工物を切断
する工程とを有し、前記被加工物の切断時に前記被加工
物の前記切断面の前記反り量を制御し得るものである。That is, the cutting method of the present invention is for cutting a rod-shaped workpiece with a thin wire, and a step of running the wire in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the workpiece, Pre-cutting the workpiece by moving one or both of the workpiece and the wire so that the workpiece and the running wire come into contact with each other and pressurize each other; After the preliminary cutting, the workpiece is moved while moving the workpiece or the wire in the longitudinal direction of the workpiece based on the warp amount of the cut surface of the workpiece formed by the preliminary cutting. And a step of cutting, and the amount of warpage of the cut surface of the workpiece can be controlled when the workpiece is cut.

【００２１】これにより、被加工物の切断面の反り量を
制御して被加工物を切断することができる。Thus, the amount of warp of the cut surface of the workpiece can be controlled to cut the workpiece.

【００２２】したがって、被加工物の切断時に、ワイヤ
の撓みに伴うワイヤの軌道に同期させて被加工物を切断
することができるようになり、その結果、被加工物の切
断面の反り量を制御できる。Therefore, at the time of cutting the work piece, the work piece can be cut in synchronization with the trajectory of the wire due to the bending of the wire, and as a result, the warp amount of the cut surface of the work piece can be reduced. You can control.

【００２３】さらに、本発明の切断装置は、細いワイヤ
を用いて棒状の被加工物の切断を行う切断装置であり、
前記被加工物の長手方向と直角を成す方向に前記ワイヤ
を走行させるワイヤ走行手段と、前記被加工物を保持す
る被加工物保持手段と、前記被加工物と走行中の前記ワ
イヤとが接触して相互に加圧するように前記被加工物と
前記ワイヤのうち何れか一方もしくは両者を移動させる
移動手段と、前記移動手段により前記被加工物と前記ワ
イヤとを相互に加圧させて前記被加工物を予備切断し、
前記予備切断により形成された前記被加工物の切断面の
反り量に基づいて前記被加工物または前記ワイヤを前記
被加工物の前記長手方向に移動させる制御部とを有し、
前記予備切断後、前記制御部によって前記被加工物また
は前記ワイヤを移動させながら前記被加工物を切断する
ことにより、前記被加工物の前記切断面の前記反り量を
制御し得るものである。Further, the cutting device of the present invention is a cutting device for cutting a rod-shaped workpiece using a thin wire,
Wire traveling means for traveling the wire in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the workpiece, workpiece retaining means for retaining the workpiece, and the workpiece and the traveling wire in contact with each other. Moving means for moving one or both of the workpiece and the wire so as to press each other, and the workpiece and the wire are mutually pressed by the moving means. Pre-cut the workpiece,
A control unit that moves the workpiece or the wire in the longitudinal direction of the workpiece based on the amount of warp of the cut surface of the workpiece formed by the preliminary cutting,
After the preliminary cutting, the warp amount of the cut surface of the workpiece can be controlled by cutting the workpiece while moving the workpiece or the wire by the control unit.

【００２４】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体シリコンからなる被加工物である棒状のインゴッ
トの長手方向と直角を成す方向に細いワイヤを走行させ
る工程と、前記インゴットと走行中の前記ワイヤとが接
触して相互に加圧するように前記インゴットと前記ワイ
ヤのうち何れか一方もしくは両者を移動させて前記イン
ゴットを予備切断する工程と、前記予備切断後、前記予
備切断により形成された前記インゴットの切断面の反り
量に基づいて前記インゴットまたは前記ワイヤを前記イ
ンゴットの前記長手方向に移動させながら前記インゴッ
トを切断して半導体ウェハを形成する工程と、前記半導
体ウェハに半導体集積回路を備えた半導体チップを形成
する工程と、前記半導体ウェハを個々の前記半導体チッ
プに分離する工程と、前記半導体チップとチップ支持部
材とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極と
外部端子に電気的に接続されるリード部とを電気的に接
続する工程とを有し、前記インゴットの切断時に前記イ
ンゴットの前記切断面の前記反り量を制御し得るもので
ある。The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is
A step of running a thin wire in a direction perpendicular to the longitudinal direction of a rod-shaped ingot that is a workpiece made of semiconductor silicon, and the ingot so that the ingot and the running wire come into contact with each other and pressurize each other. And a step of preliminarily cutting the ingot by moving one or both of the wires, and after the precutting, the ingot or the ingot based on the warp amount of the cut surface of the ingot formed by the precutting. A step of forming a semiconductor wafer by cutting the ingot while moving a wire in the longitudinal direction of the ingot; a step of forming a semiconductor chip having a semiconductor integrated circuit on the semiconductor wafer; A step of separating the semiconductor chip and a step of joining the semiconductor chip and the chip supporting member. And a step of electrically connecting a surface electrode of the semiconductor chip and a lead portion electrically connected to an external terminal, and controlling the warp amount of the cut surface of the ingot when the ingot is cut. It is possible.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【００２６】図１は本発明による切断装置（ワイヤソ
ー）の構造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図２
は図１に示すワイヤソーのワイヤガイドとノズルの構造
の一例を示す拡大部分斜視図、図３は図１に示すワイヤ
ソーの要部の構造の一例を示す正面図、図４は図１に示
すワイヤソーの要部の構造の一例を示す側面図、図５〜
図７は本発明の切断方法においてインゴットの縦切断位
置に対するインゴットの横移動量および切断面の反り量
の関係の一例を示す図であり、それぞれ（ａ）はインゴ
ットの横移動量を示す図、（ｂ）は（ａ）の条件で切断
した際の切断面の反り量を示す図、図８は本発明の切断
装置によって切断を行った際の移動補正前のワイヤ軌道
の実施の形態の一例を示す拡大部分断面図、図９は本発
明の切断装置によって切断を行った際の移動補正時のワ
イヤ軌道の実施の形態の一例を示す拡大部分断面図、図
１０は本発明の半導体装置の製造方法によって製造され
た半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す拡大断面
図である。FIG. 1 is a structural conceptual view showing an example of an embodiment of the structure of a cutting device (wire saw) according to the present invention, FIG.
1 is an enlarged partial perspective view showing an example of the structure of the wire guide and nozzle of the wire saw shown in FIG. 1, FIG. 3 is a front view showing an example of the structure of the main part of the wire saw shown in FIG. 1, and FIG. 4 is the wire saw shown in FIG. Side view showing an example of the structure of the main part of FIG.
FIG. 7 is a diagram showing an example of the relationship between the lateral movement amount of the ingot and the warp amount of the cutting surface with respect to the vertical cutting position of the ingot in the cutting method of the present invention, and FIG. 7A is a diagram showing the lateral movement amount of the ingot, FIG. 8B is a diagram showing a warp amount of a cut surface when cut under the condition of FIG. 8A, and FIG. 8 is an example of an embodiment of a wire trajectory before movement correction when cutting is performed by the cutting device of the present invention. FIG. 9 is an enlarged partial cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wire trajectory at the time of movement correction when cutting is performed by the cutting device of the present invention, and FIG. 10 is a semiconductor device of the present invention. It is an expanded sectional view showing an example of an embodiment of the structure of a semiconductor device manufactured by a manufacturing method.

【００２７】本実施の形態の切断装置は、ワイヤソーと
呼ばれ、棒状の被加工物を切断する装置であり、ここで
は、被加工物の一例として、半導体シリコンからなるイ
ンゴット１を取り上げて説明する。The cutting device of this embodiment is called a wire saw and is a device for cutting a rod-shaped workpiece. Here, as an example of the workpiece, an ingot 1 made of semiconductor silicon will be taken up and described. .

【００２８】つまり、前記ワイヤソーは、半導体製造工
程において、引き上げによって形成した半導体シリコン
からなる棒状のインゴット１（被加工物）をウェハ（薄
板）状に切断するものであり、張力（テンション）をか
けた細いワイヤ２を走行させて、そこに砥粒を含む研磨
材６（スラリーともいう）を塗布して切断を行うもので
ある。That is, the wire saw cuts a rod-shaped ingot 1 (workpiece) made of semiconductor silicon formed by pulling up into a wafer (thin plate) shape in a semiconductor manufacturing process, and applies a tension. The thin wire 2 is made to travel, and the abrasive material 6 (also referred to as slurry) containing abrasive grains is applied thereto for cutting.

【００２９】なお、前記被加工物は、高脆性の材料によ
って形成されていることが望ましい。The work piece is preferably made of a highly brittle material.

【００３０】図１〜図４に示す前記ワイヤソーの構成に
ついて説明すると、インゴット１の長手方向１ａと直角
を成す方向（図３に示すワイヤ走行方向１２のこと）に
ワイヤ２を走行させかつ回転してワイヤ２の走行を案内
するとともにワイヤ２に張力を掛ける円筒形のワイヤガ
イド３（ワイヤ走行手段）と、インゴット１を保持する
被加工物保持手段であるインゴット保持手段４（ビーム
ともいう）と、インゴット１と走行中のワイヤ２とが接
触して相互に加圧するようにインゴット保持手段４を介
してインゴット１を上下移動させるテーブル５（移動手
段）と、砥粒を含む研磨材６をワイヤ２に対して吐出す
るノズル１１と、テーブル５によりインゴット１とワイ
ヤ２とを相互に加圧させてインゴット１を予備切断し、
前記予備切断により形成されたインゴット１の切断面１
ｂ（図８参照）の反り量に基づいて前記インゴット１を
インゴット１の長手方向１ａに移動させる制御部８と、
テーブル５および制御部８を備えたワイヤソー本体７と
によって構成され、予備切断後、制御部８によってイン
ゴット１を移動させながらインゴット１を切断すること
により、インゴット１の切断面１ｂの前記反り量を任意
の値に制御することが可能なものである。The structure of the wire saw shown in FIGS. 1 to 4 will be described. The wire 2 is run and rotated in a direction perpendicular to the longitudinal direction 1a of the ingot 1 (the wire running direction 12 shown in FIG. 3). A cylindrical wire guide 3 (wire traveling means) that guides the traveling of the wire 2 and applies tension to the wire 2, and an ingot retaining means 4 (also referred to as a beam) that is a workpiece retaining means that retains the ingot 1. , A table 5 (moving means) for moving the ingot 1 up and down via the ingot holding means 4 so that the ingot 1 and the running wire 2 contact each other and pressurize each other, and the abrasive 6 containing abrasive grains Nozzle 11 for discharging to 2 and table 5 pressurize ingot 1 and wire 2 to each other to pre-cut ingot 1.
Cut surface 1 of ingot 1 formed by the preliminary cutting
a control unit 8 for moving the ingot 1 in the longitudinal direction 1a of the ingot 1 based on the warp amount of b (see FIG. 8);
It is constituted by the table 5 and the wire saw main body 7 having the control unit 8, and after the preliminary cutting, the control unit 8 cuts the ingot 1 while moving the ingot 1, whereby the amount of warp of the cut surface 1b of the ingot 1 is reduced. It can be controlled to any value.

【００３１】なお、本実施の形態においては、前記予備
切断により形成されたインゴット１の切断面１ｂの前記
反り量に基づいてワイヤ２の軌道を推測し、この推測結
果に基づいて、インゴット１の切断時に制御部８によっ
てインゴット１をその長手方向１ａに移動させるもので
ある。In the present embodiment, the trajectory of the wire 2 is estimated based on the warp amount of the cut surface 1b of the ingot 1 formed by the preliminary cutting, and the ingot 1 of the ingot 1 is estimated based on this estimation result. The controller 8 moves the ingot 1 in the longitudinal direction 1a at the time of cutting.

【００３２】また、本実施の形態においては、上下方向
（切断方向２４）に対しては、図３に示すように、イン
ゴット１を下降（移動）させてインゴット１とワイヤ２
とを相互に加圧させる場合を説明するが、インゴット１
を固定として、ワイヤ２を移動（上昇もしくは下降）さ
せて切断を行ってもよく、さらに、インゴット１とワイ
ヤ２とが加圧しあうように両者を上下方向（切断方向２
４）に対して移動させてもよい。Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 3, the ingot 1 is lowered (moved) in the vertical direction (cutting direction 24) to move the ingot 1 and the wire 2.
The case of pressurizing and is mutually explained, but ingot 1
The wire 2 may be moved (ascended or descended) to perform the cutting, and the ingot 1 and the wire 2 may be pressed in the up-down direction (cutting direction 2) so as to press each other.
It may be moved with respect to 4).

【００３３】なお、本実施の形態のワイヤソーで用いる
研磨材６は、砥粒を含む加工液（スラリーともいう）で
あり、例えば、ナフテン系の鉱物油中に砥粒としてＳｉ
Ｃを含ませたものである。The abrasive 6 used in the wire saw according to the present embodiment is a working liquid (also referred to as slurry) containing abrasive grains. For example, Si is used as abrasive grains in naphthenic mineral oil.
C is included.

【００３４】さらに、ワイヤ２は、例えば、直径0.０８
〜0.１８ｍｍ程度のピアノ線などのばね鋼材に亜鉛と銅
のメッキ処理を行ったものである。Further, the wire 2 has, for example, a diameter of 0.08.
A spring steel material such as a piano wire of about 0.18 mm is plated with zinc and copper.

【００３５】次に、前記ワイヤソーの主要部の詳細構成
について説明すると、前記ワイヤソーは、図１に示すよ
うに、大きく分けて、インゴット１の切断が行われる切
断室９と、ワイヤ２の送り出しおよび巻取りが行われる
ワイヤ室１０とに分けられる。Next, the detailed structure of the main part of the wire saw will be described. As shown in FIG. 1, the wire saw is roughly divided into a cutting chamber 9 in which the ingot 1 is cut, and a wire 2 for feeding and It is divided into a wire chamber 10 in which winding is performed.

【００３６】ここで、ワイヤ室１０内には、ワイヤ２の
送り出しおよび巻き取りを行うワイヤリール１０ａと巻
き取りボビン１０ｂ、ワイヤ２の走行中の上下動を案内
するロングローラ１０ｃ、ワイヤ２が均等に巻き取られ
るようにワイヤ２の走行を上下に振り分けるトラバーサ
１０ｄ，１０ｅ、ワイヤ２に掛かるテンションの強弱を
調節する可動式のテンションコントローラ１０ｆ，１０
ｇ、ワイヤ２のテンションを検知可能なセンサ（例え
ば、歪みゲージ）が組み込まれたテンションセンシング
プーリ１０ｈ，１０ｉ、ワイヤ２の走行を案内する複数
のプーリ１０ｊなどが設けられている。Here, in the wire chamber 10, a wire reel 10a for feeding and winding the wire 2, a winding bobbin 10b, a long roller 10c for guiding the vertical movement of the wire 2 during traveling, and a wire 2 are evenly arranged. The traversers 10d and 10e that distribute the traveling of the wire 2 up and down so that the wire 2 is wound around, and the movable tension controllers 10f and 10 that adjust the strength of the tension applied to the wire 2.
g, tension sensing pulleys 10h and 10i incorporating a sensor capable of detecting the tension of the wire 2 (for example, strain gauge), a plurality of pulleys 10j for guiding the traveling of the wire 2, and the like are provided.

【００３７】本実施の形態のワイヤソーは、予備切断に
より取得したインゴット１の切断面１ｂの反り量のデー
タに基づいて次回の切断時のワイヤ２の軌道を推測し、
この推測結果に基づいて、制御部８によってワイヤ２を
インゴット１の長手方向１ａに移動させながら切断を行
い、これにより、切断面１ｂの反り量が許容範囲内に収
まるように制御するものである。The wire saw of this embodiment estimates the trajectory of the wire 2 at the next cutting based on the data of the warp amount of the cutting surface 1b of the ingot 1 obtained by the preliminary cutting,
Based on this estimation result, the control unit 8 moves the wire 2 in the longitudinal direction 1a of the ingot 1 to perform cutting, thereby controlling so that the amount of warp of the cut surface 1b falls within an allowable range. .

【００３８】すなわち、切断面１ｂの前記反り量を小さ
くするものである。That is, the amount of warp of the cut surface 1b is reduced.

【００３９】その際、まず、１回めの予備切断を行い、
その後、インゴット１を洗浄して１回めの予備切断によ
る切断面１ｂの反り量を計測する。続いて、この計測結
果によってワイヤ２の軌道のずれ（切断時の横方向の振
れ）を算出し、前記軌道のずれに応じて制御部８によっ
てインゴット１をその長手方向１ａ（ここでは、前記軌
道のずれと同方向）に移動させながら２回めの切断を行
う。At this time, first, the first preliminary cutting is performed,
After that, the ingot 1 is washed and the amount of warp of the cut surface 1b by the first preliminary cutting is measured. Subsequently, the deviation of the trajectory of the wire 2 (lateral deflection at the time of cutting) is calculated from the measurement result, and the control unit 8 controls the ingot 1 to move the ingot 1 in the longitudinal direction 1a (here, the trajectory described above) according to the deviation of the trajectory. The second cutting is performed while moving in the same direction as the shift.

【００４０】ここで、前記反り量の計測、あるいは前記
ワイヤ２の軌道のずれ（図８に示すワイヤ軌道ずれ２１
のこと）の算出などは、制御部８が行ってもよく、ま
た、制御部８以外の他の処理部（例えば、演算部など）
が行ってもよい。Here, the amount of warpage is measured or the trajectory of the wire 2 is deviated (wire trajectory deviation 21 shown in FIG. 8).
The calculation may be performed by the control unit 8 or a processing unit other than the control unit 8 (for example, a calculation unit).
May go.

【００４１】その後、前記予備切断を繰り返し（最低１
回行い）、最終的に、反り量が許容範囲となった時点で
その切断条件によってインゴット１の半導体ウェハ形成
用の切断を行う。Thereafter, the preliminary cutting is repeated (at least 1
Finally, when the amount of warp reaches the allowable range, the ingot 1 is cut for forming a semiconductor wafer under the cutting conditions.

【００４２】なお、インゴット１に対しては、ワイヤ２
の軌道のずれに応じたインゴット１の長手方向１ａへの
移動とは別に、上下への送りである切断方向２４への移
動も平行して行う。For the ingot 1, the wire 2
In addition to the movement of the ingot 1 in the longitudinal direction 1a in accordance with the deviation of the track, the movement in the cutting direction 24, which is the vertical feeding, is also performed in parallel.

【００４３】また、ワイヤソーの特徴として、連続して
切断した際の切断面１ｂの反り形状は近似しており、同
一条件下ではほぼ同等の形状に切断可能であるため、こ
の特徴を利用し、予備切断による切断面１ｂの反り量
（反り形状）に基づいて次の切断時のワイヤ２の軌道を
推測する。さらに、この推測結果に基づいて予備切断時
のワイヤ２の軌道に応じてインゴット１の長手方向１ａ
への移動を制御する。Further, as a characteristic of the wire saw, the warped shape of the cut surface 1b when continuously cut is similar, and it is possible to cut into substantially the same shape under the same conditions, so this characteristic is utilized, The trajectory of the wire 2 at the time of the next cutting is estimated based on the warp amount (warp shape) of the cut surface 1b due to the preliminary cutting. Further, based on this estimation result, the longitudinal direction 1a of the ingot 1 is determined according to the trajectory of the wire 2 during the preliminary cutting.
Control movement to.

【００４４】また、図２に示すように、ワイヤソーに設
置された２本のノズル１１は、切断中、研磨材６をワイ
ヤ２に向けて吐出するものであり、研磨材６を吐出させ
るためのスリット状の細長い孔がワイヤ２に向けた方向
にそれぞれに設けられている。Further, as shown in FIG. 2, the two nozzles 11 installed on the wire saw discharge the abrasive 6 toward the wire 2 during cutting, and discharge the abrasive 6. Elongated slit-shaped holes are provided in the respective directions toward the wire 2.

【００４５】これにより、ノズル１１において、研磨材
６は、カーテン状（層状）に吐出される。As a result, the abrasive material 6 is discharged in the form of a curtain (layer) at the nozzle 11.

【００４６】ただし、ノズル１１に設けられる研磨材６
吐出用の孔形状は、スリット状の細長い孔に限定される
ものではなく、例えば、ワイヤ２に向けて細かい小孔が
複数設けられていてもよい。However, the abrasive 6 provided on the nozzle 11
The shape of the discharging hole is not limited to the slit-shaped elongated hole, and for example, a plurality of small small holes may be provided toward the wire 2.

【００４７】なお、ノズル１１からワイヤ２に向けて吐
出された研磨材６はワイヤ２に付着した後、その状態で
ワイヤ２によって切断位置まで送られ、インゴット１の
切断に至る。The abrasive 6 discharged from the nozzle 11 toward the wire 2 adheres to the wire 2 and is then sent to the cutting position by the wire 2 to cut the ingot 1.

【００４８】また、ビームとも呼ばれるインゴット保持
手段４は、例えば、ポリ系樹脂によって形成され、切断
を行う際には、インゴット１はエポキシ系の接着剤など
によってインゴット保持手段４に固定される。The ingot holding means 4, which is also called a beam, is formed of, for example, a poly-based resin, and the ingot 1 is fixed to the ingot holding means 4 by an epoxy adhesive or the like when cutting.

【００４９】これにより、インゴット保持手段４は切断
時にインゴット１を保持するとともに、切断後のインゴ
ット１が半導体ウェハ毎にばらけないように切断後もイ
ンゴット１を保持するものである。Thus, the ingot holding means 4 holds the ingot 1 at the time of cutting and also holds the ingot 1 after cutting so that the ingot 1 after cutting does not disperse for each semiconductor wafer.

【００５０】また、本実施の形態のワイヤソーには、図
３に示すように、４つの円筒形のワイヤガイド３が設置
されており、４つのワイヤガイド３のうち、例えば、下
側に設置された２つのワイヤガイド３がモータ駆動によ
る回転式のもので、この下側の２つのワイヤガイド３の
駆動によってワイヤ２を所定方向（順送りまたは逆送
り）に走行させる。As shown in FIG. 3, the wire saw according to the present embodiment is provided with four cylindrical wire guides 3, and one of the four wire guides 3 is installed, for example, on the lower side. The two wire guides 3 are of a rotary type driven by a motor, and the lower two wire guides 3 are driven to cause the wire 2 to travel in a predetermined direction (forward or reverse feed).

【００５１】これに対し、切断時のテンションが掛かる
上側の２つのワイヤガイド３は、フリーに回転すること
ができるように取り付けられている。On the other hand, the upper two wire guides 3 to which tension is applied at the time of cutting are attached so as to be freely rotatable.

【００５２】さらに、ワイヤガイド３は、例えば、基材
がステンレス鋼によって形成され、その表面がポリウレ
タンなどによって形成されている。Further, in the wire guide 3, for example, the base material is made of stainless steel, and the surface thereof is made of polyurethane or the like.

【００５３】また、表面のポリウレタンには、一本一本
のワイヤ２を案内するワイヤ２よりも少し幅広の溝が形
成されている。例えば、長さが２８０ｍｍの１本のイン
ゴット１から２５０枚の半導体ウェハを形成する際に
は、それぞれのワイヤガイド３に、少なくとも２５１個
の前記溝が等間隔で形成されていなければならない。Further, the polyurethane on the surface is provided with grooves that are slightly wider than the wires 2 that guide the individual wires 2. For example, when forming 250 semiconductor wafers from one ingot 1 having a length of 280 mm, at least 251 grooves must be formed at equal intervals in each wire guide 3.

【００５４】この場合、例えば、厚さ８５０μｍの半導
体ウェハを形成できる。In this case, for example, a semiconductor wafer having a thickness of 850 μm can be formed.

【００５５】なお、切断中、ワイヤ２は、順送りと逆送
りとが複数回繰り返される。During cutting, the wire 2 is repeatedly fed forward and backward a plurality of times.

【００５６】すなわち、所定の送り速度（例えば、１０
ｍ／秒程度）で、所定長さ（例えば、３００ｍ程度）順
送りされ、その後、同じ送り速度で、所定長さ（例え
ば、２００ｍ程度）逆送りされ、この順送りと逆送りと
を所定時間（例えば、両者で１分程度）ずつ複数回繰り
返してインゴット１を切断していく。That is, a predetermined feed speed (for example, 10
m / sec), a predetermined length (for example, about 300 m) is sequentially fed, and then, at the same feed speed, a predetermined length (for example, about 200 m) is reversely fed, and the forward feeding and the reverse feeding are performed for a predetermined time (for example, , For about 1 minute) and cut the ingot 1 by repeating it several times.

【００５７】次に、図１〜図１０を用いて、本実施の形
態の切断方法について説明する。Next, the cutting method of this embodiment will be described with reference to FIGS.

【００５８】なお、前記切断方法は、図１〜図４に示す
ワイヤソーを用いたインゴット１の切断方法であるとと
もに、本実施の形態では、前記切断方法を半導体装置の
製造方法に含めて説明する。The cutting method is a method of cutting the ingot 1 using the wire saw shown in FIGS. 1 to 4, and in the present embodiment, the cutting method will be described by including it in the method of manufacturing a semiconductor device. .

【００５９】また、本実施の形態では、前記半導体装置
の一例として、図１０に示すＱＦＰ（Quad Flat Packag
e)１３を取り上げて説明する。In this embodiment, as an example of the semiconductor device, a QFP (Quad Flat Packag) shown in FIG. 10 is used.
e) 13 will be explained.

【００６０】まず、図１０に示すＱＦＰ１３の構成につ
いて説明すると、半導体集積回路が形成されかつアルミ
ニウムからなるパッド１４ａ（表面電極）が設けられた
半導体チップ１４と、この半導体チップ１４を支持する
チップ支持部材であるタブ１５（ダイパッドともいう）
と、半導体チップ１４のパッド１４ａに応じて設けら
れ、かつこのパッド１４ａとワイヤボンディングによっ
て電気的に接続されたインナリード１６（リード部）
と、半導体チップ１４のパッド１４ａとこれに対応する
インナリード１６とを電気的に接続する金線であるボン
ディング用ワイヤ１７と、インナリード１６と一体に形
成されかつ外部に突出したＱＦＰ１３の外部端子である
アウタリード１８と、半導体チップ１４およびボンディ
ング用ワイヤ１７を樹脂封止して形成した封止部１９と
からなる。First, the structure of the QFP 13 shown in FIG. 10 will be described. A semiconductor chip 14 on which a semiconductor integrated circuit is formed and pads 14a (surface electrodes) made of aluminum are provided, and a chip support for supporting the semiconductor chip 14. Tab 15 that is a member (also called a die pad)
And an inner lead 16 (lead portion) provided corresponding to the pad 14a of the semiconductor chip 14 and electrically connected to the pad 14a by wire bonding.
And a bonding wire 17 which is a gold wire for electrically connecting the pad 14a of the semiconductor chip 14 and the inner lead 16 corresponding thereto, and an external terminal of the QFP 13 which is integrally formed with the inner lead 16 and protrudes to the outside. The outer lead 18 and the sealing portion 19 formed by resin-sealing the semiconductor chip 14 and the bonding wire 17 are formed.

【００６１】なお、半導体チップ１４は、例えば、銀ペ
ーストなどの接合材２０によってタブ１５に固着されて
いる。The semiconductor chip 14 is fixed to the tab 15 with a bonding material 20 such as silver paste.

【００６２】また、タブ１５、インナリード１６および
アウタリード１８は、例えば、鉄−ニッケル合金などに
よって形成された薄板状のものである。Further, the tab 15, the inner lead 16 and the outer lead 18 are thin plates made of, for example, iron-nickel alloy.

【００６３】さらに、封止部１９を形成する封止用樹脂
は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である。Further, the sealing resin forming the sealing portion 19 is, for example, an epoxy thermosetting resin.

【００６４】なお、封止部１９は、モールドによって形
成されたものであるが、モールド以外のポッティングな
どによって形成されてもよい。Although the sealing portion 19 is formed by molding, it may be formed by potting other than molding.

【００６５】続いて、本実施の形態の切断方法を含めた
ＱＦＰ１３（半導体装置）の製造方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing the QFP 13 (semiconductor device) including the cutting method of this embodiment will be described.

【００６６】なお、ここでは、直径２００ｍｍのインゴ
ット１から直径２００ｍｍの半導体ウェハを切り出し、
この半導体ウェハから半導体チップ１４を形成して半導
体装置を製造する場合について説明するが、前記半導体
ウェハの大きさについては特に限定されるものではな
く、他のサイズのものであってもよい。Here, a semiconductor wafer having a diameter of 200 mm is cut out from the ingot 1 having a diameter of 200 mm,
The case of manufacturing the semiconductor device by forming the semiconductor chip 14 from the semiconductor wafer will be described, but the size of the semiconductor wafer is not particularly limited, and other sizes may be used.

【００６７】まず、インゴット１をエポキシ系の接着剤
などによってインゴット保持手段４に固定し、さらに、
テーブル５の下部にこのインゴット保持手段４を取り付
ける。First, the ingot 1 is fixed to the ingot holding means 4 with an epoxy adhesive or the like, and further,
The ingot holding means 4 is attached to the bottom of the table 5.

【００６８】これにより、インゴット１が所定の位置に
セットされる。As a result, the ingot 1 is set at the predetermined position.

【００６９】その後、４つのワイヤガイド３のうち、モ
ータ駆動を有する下側の２つのワイヤガイド３を駆動さ
せ、ワイヤ２を所定の送り速度（例えば、１０ｍ／秒）
でかつ所定の方向（例えば、図３に示すワイヤ走行方向
１２のうち、時計方向を順送り方向とし、その反対の反
時計方向を逆送り方向とする）に走行させる。After that, of the four wire guides 3, the lower two wire guides 3 having a motor drive are driven to move the wire 2 at a predetermined feeding speed (for example, 10 m / sec).
And in a predetermined direction (for example, in the wire traveling direction 12 shown in FIG. 3, the clockwise direction is the forward feeding direction and the opposite counterclockwise direction is the backward feeding direction).

【００７０】また、これと同時に、両側のノズル１１か
ら、所定量の研磨材６をワイヤ２に向けて吐出し、ワイ
ヤ２に研磨材６を付着させる。At the same time, a predetermined amount of abrasive 6 is discharged toward the wire 2 from the nozzles 11 on both sides, and the abrasive 6 is attached to the wire 2.

【００７１】さらに、図３に示すように、テーブル５を
所定の送り速度で下降（移動）させ、インゴット１と走
行中のワイヤ２との接触を開始する。Further, as shown in FIG. 3, the table 5 is lowered (moved) at a predetermined feed speed to start contact between the ingot 1 and the traveling wire 2.

【００７２】つまり、ワイヤ２によって搬送された研磨
材６をインゴット１に供給しつつ、インゴット１をその
長手方向１ａに対して固定して（図５（ａ）に示す横移
動量０の状態）、インゴット１の１回めの予備切断を行
う。That is, while supplying the abrasive 6 conveyed by the wire 2 to the ingot 1, the ingot 1 is fixed in the longitudinal direction 1a thereof (state in which the lateral movement amount is 0 as shown in FIG. 5A). , Perform the first preliminary cutting of the ingot 1.

【００７３】ここで、図５〜図７において、それぞれの
図の横軸のインゴットの縦切断位置とは、直径２００ｍ
ｍのインゴット１の切断面１ｂの下端部を切断位置０
（ｍｍ）とし、中央部を切断位置１００（ｍｍ）とし、
上端部を切断位置２００（ｍｍ）として表したものであ
る（なお、切断位置０ｍｍと２００ｍｍとでは、上下端
部を反対に対応させてもよい。つまり、下端部を２００
ｍｍの位置とし、上端部を０ｍｍの位置としてもよ
い）。Here, in FIGS. 5 to 7, the vertical cutting position of the ingot on the horizontal axis in each of the drawings is a diameter of 200 m.
At the cutting position 0, the lower end of the cut surface 1b of the m ingot 1 is cut.
(Mm), and the central portion is the cutting position 100 (mm),
The upper end is shown as a cutting position 200 (mm) (the cutting position 0 mm and the cutting position 200 mm may correspond to the upper and lower ends oppositely. That is, the lower end is 200 mm).
mm position and the upper end may be 0 mm position).

【００７４】１回めの予備切断終了後、インゴット１を
洗浄し、その切断面１ｂの反り量を計測する。After the first preliminary cutting is completed, the ingot 1 is washed and the amount of warp of the cut surface 1b is measured.

【００７５】その結果、前記１回めの予備切断（インゴ
ット１の横移動量０（ｍｍ））では、図５（ｂ）に示す
ように、中央部が２０μｍ（凹む方向に）反った状態と
なった（ここでは、これを−２０μｍと表している）。As a result, in the first preliminary cutting (horizontal movement amount 0 (mm) of the ingot 1), as shown in FIG. 5B, the central portion is warped by 20 μm (in the concave direction). (Here, this is expressed as −20 μm).

【００７６】すなわち、インゴット１の１回め（横移動
量０）の予備切断では、中央部で２０μｍの反り量が発
生した。That is, in the first preliminary cutting of the ingot 1 (horizontal movement amount 0), a warpage amount of 20 μm occurred in the central portion.

【００７７】その後、前記１回めの予備切断によって形
成されたインゴット１の切断面１ｂの反り量（中央部の
−２０（μｍ））に基づいて再びワイヤ２の軌道を推測
し、この推測結果に基づいてインゴット１をその長手方
向１ａに移動させながらインゴット１を切断する。Thereafter, the trajectory of the wire 2 is again estimated based on the warp amount (-20 (μm) at the central portion) of the cut surface 1b of the ingot 1 formed by the first preliminary cutting, and this estimation result is obtained. Based on the above, the ingot 1 is cut while moving the ingot 1 in its longitudinal direction 1a.

【００７８】つまり、図６（ａ）に示すように、ワイヤ
２が、半導体ウェハの下端部と上端部とに配置される場
合には、インゴット１の長手方向１ａへの横移動量を０
（ｍｍ）とし、その中央部に配置される場合には、イン
ゴット１の長手方向１ａへの横移動量を−２０（μｍ）
に設定して切断を行う。That is, as shown in FIG. 6A, when the wire 2 is arranged at the lower end and the upper end of the semiconductor wafer, the lateral movement amount of the ingot 1 in the longitudinal direction 1a is 0.
(Mm), and when it is arranged in the central portion, the lateral movement amount of the ingot 1 in the longitudinal direction 1a is -20 (μm).
Set to and disconnect.

【００７９】これにより、図６（ａ）に示す曲線Ａが得
られる。As a result, the curve A shown in FIG. 6 (a) is obtained.

【００８０】続いて、２回めの予備切断終了後、インゴ
ット１を洗浄し、その切断面１ｂの反り量を計測する。Then, after the completion of the second preliminary cutting, the ingot 1 is washed and the amount of warp of the cut surface 1b is measured.

【００８１】その結果、図６（ｂ）に示すように、イン
ゴット１の中央部が−５μｍ反った状態となった。As a result, as shown in FIG. 6B, the central portion of the ingot 1 was warped by -5 μm.

【００８２】これにより、図６（ｂ）に示す曲線Ｂが得
られる。As a result, the curve B shown in FIG. 6B is obtained.

【００８３】すなわち、インゴット１の２回め（横移動
量−２０μｍ）の予備切断では、中央部で−５μｍの反
り量が発生した。That is, in the second preliminary cutting of the ingot 1 (lateral movement amount -20 μm), a warp amount of -5 μm was generated in the central portion.

【００８４】続いて、前記２回めの予備切断によって形
成されたインゴット１の切断面１ｂの反り量（中央部の
−５（μｍ））に基づいて再びワイヤ２の軌道を推測
し、この推測結果に基づいてインゴット１をその長手方
向１ａに移動させながらインゴット１を切断する。Subsequently, the trajectory of the wire 2 is again estimated based on the warp amount (-5 (μm) at the central portion) of the cut surface 1b of the ingot 1 formed by the second preliminary cutting, and this estimation is made. Based on the result, the ingot 1 is cut while moving the ingot 1 in its longitudinal direction 1a.

【００８５】つまり、ワイヤ２が、図７（ａ）に示すよ
うに、半導体ウェハの下端部と上端部とに配置される場
合には、インゴット１の長手方向１ａへの横移動量を０
（ｍｍ）とし、その中央部に配置される場合には、イン
ゴット１の長手方向１ａへの横移動量を−２５（μｍ）
に設定して切断を行う。その際の曲線を曲線Ａ＋曲線Ｂ
として表す。That is, when the wires 2 are arranged at the lower end and the upper end of the semiconductor wafer as shown in FIG. 7A, the lateral movement amount of the ingot 1 in the longitudinal direction 1a is 0.
(Mm), and when it is arranged in the central portion, the lateral movement amount of the ingot 1 in the longitudinal direction 1a is -25 (μm).
Set to and disconnect. The curve at that time is curve A + curve B
Express as.

【００８６】３回めの予備切断終了後、インゴット１を
洗浄し、その切断面１ｂの反り量を計測する。After the completion of the third preliminary cutting, the ingot 1 is washed and the amount of warp of the cut surface 1b is measured.

【００８７】その結果、図７（ｂ）に示すように、中央
部が−３μｍ反った状態となった。As a result, as shown in FIG. 7B, the central portion was warped by -3 μm.

【００８８】すなわち、インゴット１の３回め（横移動
量−２５μｍ）の予備切断では、中央部で−３μｍの反
り量が発生した。That is, in the third pre-cutting of the ingot 1 (horizontal movement amount-25 μm), a warp amount of −3 μm was generated in the central portion.

【００８９】その結果、反り量−３μｍが許容範囲内で
ある場合、この条件と同じ条件によって半導体ウェハを
取得するための本来の切断を行う。As a result, when the warp amount of -3 μm is within the allowable range, the original cutting for obtaining the semiconductor wafer is performed under the same condition as this condition.

【００９０】ここで、制御部８によって切断時の図７
（ａ）に示すインゴット１の横移動量を制御を行った際
のワイヤ２の軌道を図８および図９に示す。Here, as shown in FIG.
8 and 9 show the trajectory of the wire 2 when the lateral movement amount of the ingot 1 shown in (a) is controlled.

【００９１】すなわち、図８に示すように、インゴット
１の下端部から切断し始めたワイヤ２は、その中央部に
差し掛かると、僅かずつ、ワイヤ軌道ずれ２１を生じ始
める。That is, as shown in FIG. 8, the wire 2 which has begun to be cut from the lower end of the ingot 1 begins to cause a wire trajectory deviation 21 little by little when approaching the center of the wire 2.

【００９２】しかし、制御部８によってインゴット１を
その長手方向１ａと平行の所定向きの反り制御方向２３
（図９参照）に移動制御しながら切断を行うため、図９
に示すように、切断面１ｂの中央部において僅かな変位
を生じさせただけで、ワイヤ軌道補正２２が行われ、切
断面１ｂに大きな反りを形成することなくその切断を行
うことができる。However, the controller 8 controls the warp control direction 23 of the ingot 1 in a predetermined direction parallel to the longitudinal direction 1a.
(See Fig. 9)
As shown in FIG. 5, the wire trajectory correction 22 is performed only by causing a slight displacement in the central portion of the cutting surface 1b, and the cutting can be performed without forming a large warp in the cutting surface 1b.

【００９３】これにより、反り量が許容範囲に収まる切
断条件を見い出すことができ、さらに、この切断条件に
よって複数枚の半導体ウェハを形成することができる。As a result, it is possible to find a cutting condition in which the amount of warpage falls within the allowable range, and it is possible to form a plurality of semiconductor wafers under this cutting condition.

【００９４】なお、半導体ウェハの場合、切断面１ｂの
反り量は０であることが望ましいが、必ずしも０で無く
ても、許容範囲に収まっていればよい。In the case of a semiconductor wafer, the amount of warp of the cut surface 1b is preferably 0, but it is not necessarily 0 and may be within the allowable range.

【００９５】さらに、本実施の形態では、予備切断を３
回行う場合を説明したが、前記予備切断の回数は、少な
くとも１回であれば、２回でも、また、４回以上であっ
てもよい。Further, in this embodiment, the pre-cutting is 3 times.
Although the case where the preliminary cutting is performed is described above, the number of times of the preliminary cutting may be two times or four times or more as long as it is at least one.

【００９６】その結果、インゴット１を切断して薄板、
すなわち半導体ウェハを製造できる。As a result, the ingot 1 was cut into a thin plate,
That is, a semiconductor wafer can be manufactured.

【００９７】その後、半導体ウェハに、半導体集積回路
装置を備えた半導体チップ１４を形成する。After that, the semiconductor chip 14 having the semiconductor integrated circuit device is formed on the semiconductor wafer.

【００９８】続いて、半導体製造プロセスにおける後工
程を行う。Subsequently, a post process in the semiconductor manufacturing process is performed.

【００９９】まず、半導体ウェハをダイシングして個々
の半導体チップ１４に分離する。First, the semiconductor wafer is diced into individual semiconductor chips 14.

【０１００】さらに、半導体チップ１４とタブ１５（チ
ップ支持部材）とを接合するダイボンディングを行う。Further, die bonding for joining the semiconductor chip 14 and the tab 15 (chip supporting member) is performed.

【０１０１】ここでは、銀ペーストなどの接合材２０を
用いてタブ１５に半導体チップ１を搭載する。Here, the semiconductor chip 1 is mounted on the tab 15 using a bonding material 20 such as silver paste.

【０１０２】その後、ボンディング用ワイヤ１７を用い
たワイヤボンディングによって半導体チップ１４のパッ
ド１４ａ（表面電極）と、これに対応しかつ外部端子で
あるアウタリード１８と繋がるインナリード１６とを電
気的に接続する。Thereafter, the pad 14a (surface electrode) of the semiconductor chip 14 is electrically connected to the inner lead 16 corresponding to the outer lead 18 corresponding to the pad 14a (surface electrode) by wire bonding using the bonding wire 17. .

【０１０３】続いて、樹脂封止によって半導体チップ１
４やボンディング用ワイヤ１７の封止を行って封止部１
９を形成し、その後、アウタリード１８の切断・成形を
行う。Subsequently, the semiconductor chip 1 is sealed with resin.
4 and the bonding wire 17 are sealed to form the sealing portion 1.
9 is formed, and then the outer lead 18 is cut and formed.

【０１０４】ここでは、アウタリード１８を図１０に示
すように、ガルウィング状に曲げ形成する。Here, the outer lead 18 is bent and formed in a gull wing shape as shown in FIG.

【０１０５】これにより、図１０に示すＱＦＰ１３の組
み立てを終了し、ＱＦＰ１３を完成させる。This completes the assembly of the QFP 13 shown in FIG. 10 and completes the QFP 13.

【０１０６】本実施の形態の切断方法および装置ならび
に半導体装置の製造方法によれば、以下のような作用効
果が得られる。According to the cutting method and device and the manufacturing method of the semiconductor device of the present embodiment, the following operational effects can be obtained.

【０１０７】すなわち、予備切断により形成された切断
面１ｂの反り量に基づいてインゴット１をインゴット１
の長手方向１ａに移動させながらインゴット１を切断す
ることにより、インゴット１の切断面１ｂの反り量を制
御してインゴット１を切断することができる。That is, the ingot 1 is moved to the ingot 1 based on the warp amount of the cut surface 1b formed by the preliminary cutting.
By cutting the ingot 1 while moving it in the longitudinal direction 1a, the amount of warp of the cut surface 1b of the ingot 1 can be controlled to cut the ingot 1.

【０１０８】つまり、インゴット１の切断時に、ワイヤ
２の撓みに伴うワイヤ２の軌道に同期させてインゴット
１を切断することができるようになり、その結果、イン
ゴット１の切断面１ｂの反り量を任意の値に制御でき
る。That is, when the ingot 1 is cut, the ingot 1 can be cut in synchronism with the trajectory of the wire 2 due to the bending of the wire 2, and as a result, the warp amount of the cut surface 1b of the ingot 1 can be reduced. It can be controlled to any value.

【０１０９】これにより、インゴット１の切断面１ｂの
反り量を低減することができる。This makes it possible to reduce the amount of warp of the cut surface 1b of the ingot 1.

【０１１０】なお、インゴット１を切断して半導体ウェ
ハを形成する際に、インゴット１の切断面１ｂすなわち
半導体ウェハの回路形成面の反り量を低減でき、これに
より、前記半導体ウェハの前記回路形成面を平坦に形成
できる。When the ingot 1 is cut to form a semiconductor wafer, the amount of warpage of the cut surface 1b of the ingot 1, that is, the circuit forming surface of the semiconductor wafer can be reduced, whereby the circuit forming surface of the semiconductor wafer can be reduced. Can be formed flat.

【０１１１】その結果、半導体ウェハ製造時の前記回路
形成面の反りに起因する不良品の発生を低減できる。As a result, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to the warp of the circuit formation surface during the manufacture of semiconductor wafers.

【０１１２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the embodiments of the present invention, and does not depart from the gist of the invention. It goes without saying that various changes can be made with.

【０１１３】例えば、前記実施の形態においては、予備
切断により形成された被加工物（インゴット）の切断面
の反り量に基づいて被加工物をその長手方向に移動させ
る場合を説明したが、長手方向に移動させるのは、ワイ
ヤを移動させてもよい。For example, in the above-described embodiment, the case where the workpiece is moved in the longitudinal direction based on the amount of warp of the cut surface of the workpiece (ingot) formed by preliminary cutting has been described. Moving in the direction may move the wire.

【０１１４】また、前記実施の形態では、切断条件を見
出す際に、反り量の状態を経験的に見出す場合を説明し
たが、前記切断条件は、種々の要因（例えば、ワイヤガ
イドの使用頻度、切断速度、ワイヤ走行速度、ワイヤの
直径・材質、砥粒の粒径・材質およびスラリーの粘度な
ど）からワイヤの軌跡（反り形成状態）を算出し、これ
により、切断時のインゴットの反り量を制御するもので
あってもよい。Further, in the above-described embodiment, the case where the state of the warp amount is empirically found when finding the cutting conditions has been described. However, the cutting conditions are various factors (for example, the frequency of use of the wire guide, The trajectory of the wire (warpage formation state) is calculated from the cutting speed, wire running speed, wire diameter / material, abrasive grain size / material, slurry viscosity, etc., and the amount of warping of the ingot during cutting is calculated. It may be controlled.

【０１１５】さらに、前記実施の形態においては、被加
工物として、半導体シリコンからなるインゴット１の場
合を説明したが、前記被加工物は、ガリヒソなどの化合
物半導体などであってもよく、また、棒状のものであれ
ば、ガラス材や他の金属被加工物などの半導体以外の材
料のものであってもよい。ただし、その際、前記被加工
物は、高脆性のものが望ましい。Further, in the above-described embodiment, the case where the ingot 1 made of semiconductor silicon is used as the object to be processed, but the object to be processed may be a compound semiconductor such as garihiso, or the like. As long as it is rod-shaped, it may be made of a material other than a semiconductor such as a glass material or another metal workpiece. However, in that case, it is desirable that the workpiece be highly brittle.

【０１１６】なお、前記実施の形態においては、半導体
装置の一例として、ＱＦＰ１３を取り上げて説明した
が、前記半導体装置は、半導体チップ１４を備えたもの
であれば、ＱＦＰ１３以外の他の何れのタイプの半導体
装置であってもよい。In the above embodiments, the QFP 13 is taken up as an example of the semiconductor device, but the semiconductor device is not limited to the QFP 13 as long as it has the semiconductor chip 14. It may be a semiconductor device.

【０１１７】また、前記実施の形態においては、被加工
物の切断面の反り量を小さくする場合を説明したが、前
記実施の形態の切断方法によれば、前記切断面の反り量
を所望の反り量に制御することも可能である。Further, in the above-described embodiment, the case where the warp amount of the cut surface of the workpiece is reduced has been described, but according to the cutting method of the above embodiment, the warp amount of the cut surface is desired. It is also possible to control the amount of warpage.

【０１１８】これにより、被加工物が半導体シリコンか
らなるインゴットである場合には、半導体ウェハの回路
形成面を任意の反り形状（凹状もしくは凸状など）に形
成することができる。Accordingly, when the object to be processed is an ingot made of semiconductor silicon, the circuit forming surface of the semiconductor wafer can be formed in an arbitrary warp shape (concave shape or convex shape).

【０１１９】[0119]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【０１２０】（１）．予備切断により形成された切断面
の反り量に基づいて被加工物またはワイヤを被加工物の
長手方向に移動させながら被加工物を切断することによ
り、被加工物の切断面の反り量を任意の値に制御して被
加工物を切断することができる。これにより、被加工物
の切断面の反り量を低減することができる。(1). The amount of warp of the cut surface of the work piece can be set by cutting the work piece while moving the work piece or wire in the longitudinal direction of the work piece based on the amount of warp of the cut surface formed by preliminary cutting. The workpiece can be cut by controlling the value of. Thereby, the amount of warp of the cut surface of the workpiece can be reduced.

【０１２１】（２）．被加工物が半導体シリコンのイン
ゴットであり、このインゴットを切断して半導体ウェハ
を形成する際に、インゴットの切断面すなわち半導体ウ
ェハの回路形成面の反り量を低減でき、これにより、半
導体ウェハの回路形成面を平坦に形成できる。その結
果、半導体ウェハ製造時の回路形成面の反りに起因する
不良品の発生を低減できる。(2). The work piece is an ingot of semiconductor silicon, and when the semiconductor wafer is formed by cutting the ingot, it is possible to reduce the amount of warpage on the cut surface of the ingot, that is, the circuit formation surface of the semiconductor wafer. The formation surface can be formed flat. As a result, it is possible to reduce the occurrence of defective products due to the warp of the circuit formation surface during the manufacture of semiconductor wafers.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明による切断装置（ワイヤソー）の構造の
実施の形態の一例を示す構成概念図である。FIG. 1 is a structural conceptual diagram showing an example of an embodiment of a structure of a cutting device (wire saw) according to the present invention.

【図２】図１に示すワイヤソーのワイヤガイドとノズル
の構造の一例を示す拡大部分斜視図である。FIG. 2 is an enlarged partial perspective view showing an example of a structure of a wire guide and a nozzle of the wire saw shown in FIG.

【図３】図１に示すワイヤソーの要部の構造の一例を示
す正面図である。FIG. 3 is a front view showing an example of a structure of a main part of the wire saw shown in FIG.

【図４】図１に示すワイヤソーの要部の構造の一例を示
す側面図である。4 is a side view showing an example of a structure of a main part of the wire saw shown in FIG.

【図５】（ａ),（ｂ）は本発明の切断方法においてイン
ゴットの縦切断位置に対するインゴットの横移動量およ
び切断面の反り量の関係の一例を示す図であり、（ａ）
はインゴットの横移動量を示す図、（ｂ）は（ａ）の条
件で切断した際の切断面の反り量を示す図である。5 (a) and 5 (b) are diagrams showing an example of the relationship between the lateral movement amount of the ingot and the warp amount of the cut surface with respect to the vertical cutting position of the ingot in the cutting method of the present invention.
FIG. 4A is a diagram showing a lateral movement amount of an ingot, and FIG. 6B is a diagram showing a warp amount of a cut surface when cut under the condition of FIG.

【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の切断方法においてイン
ゴットの縦切断位置に対するインゴットの横移動量およ
び切断面の反り量の関係の一例を示す図であり、（ａ）
はインゴットの横移動量を示す図、（ｂ）は（ａ）の条
件で切断した際の切断面の反り量を示す図である。6 (a) and 6 (b) are views showing an example of the relationship between the lateral movement amount of the ingot and the warp amount of the cut surface with respect to the vertical cutting position of the ingot in the cutting method of the present invention,
FIG. 4A is a diagram showing a lateral movement amount of an ingot, and FIG. 6B is a diagram showing a warp amount of a cut surface when cut under the condition of FIG.

【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の切断方法においてイン
ゴットの縦切断位置に対するインゴットの横移動量およ
び切断面の反り量の関係の一例を示す図であり、（ａ）
はインゴットの横移動量を示す図、（ｂ）は（ａ）の条
件で切断した際の切断面の反り量を示す図である。7 (a) and 7 (b) are views showing an example of the relationship between the lateral movement amount of the ingot and the warp amount of the cut surface with respect to the vertical cutting position of the ingot in the cutting method of the present invention, (a)
FIG. 4A is a diagram showing a lateral movement amount of an ingot, and FIG. 6B is a diagram showing a warp amount of a cut surface when cut under the condition of FIG.

【図８】本発明の切断装置によって切断を行った際の移
動補正前のワイヤ軌道の実施の形態の一例を示す拡大部
分断面図である。FIG. 8 is an enlarged partial cross-sectional view showing an example of an embodiment of a wire trajectory before movement correction when cutting is performed by the cutting device of the present invention.

【図９】本発明の切断装置によって切断を行った際の移
動補正時のワイヤ軌道の実施の形態の一例を示す拡大部
分断面図である。FIG. 9 is an enlarged partial sectional view showing an example of an embodiment of a wire trajectory at the time of movement correction when cutting is performed by the cutting device of the present invention.

【図１０】本発明の半導体装置の製造方法によって製造
された半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す拡大
断面図である。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing an example of an embodiment of a structure of a semiconductor device manufactured by a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ インゴット（被加工物） １ａ 長手方向 １ｂ 切断面 ２ ワイヤ ３ ワイヤガイド（ワイヤ走行手段） ４ インゴット保持手段（被加工物保持手段） ５ テーブル（移動手段） ６ 研磨材 ７ ワイヤソー本体 ８ 制御部 ９ 切断室 １０ ワイヤ室 １０ａ ワイヤリール １０ｂ 巻き取りボビン １０ｃ ロングローラ １０ｄ，１０ｅ トラバーサ １０ｆ，１０ｇ テンションコントローラ １０ｈ，１０ｉ テンションセンシングプーリ １０ｊ プーリ １１ ノズル １２ ワイヤ走行方向 １３ ＱＦＰ（半導体装置） １４ 半導体チップ １４ａ パッド（表面電極） １５ タブ（チップ支持部材） １６ インナリード（リード部） １７ ボンディング用ワイヤ １８ アウタリード（外部端子） １９ 封止部 ２０ 接合材 ２１ ワイヤ軌道ずれ ２２ ワイヤ軌道補正 ２３ 反り制御方向 ２４ 切断方向 1 Ingot (workpiece) 1a longitudinal direction 1b cut surface 2 wires 3 Wire guide (wire traveling means) 4 Ingot holding means (workpiece holding means) 5 tables (transportation means) 6 Abrasive 7 Wire saw body 8 control unit 9 cutting room 10 wire room 10a wire reel 10b winding bobbin 10c long roller 10d, 10e traverser 10f, 10g tension controller 10h, 10i Tension sensing pulley 10j pulley 11 nozzles 12 Wire traveling direction 13 QFP (semiconductor device) 14 Semiconductor chips 14a Pad (surface electrode) 15 tabs (chip support member) 16 Inner lead (lead part) 17 Bonding wire 18 Outer leads (external terminals) 19 Sealing part 20 Bonding material 21 Wire track deviation 22 Wire trajectory correction 23 Warp control direction 24 cutting direction

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 覚 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 山口 陽久 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 西本 泰明 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 3C058 AA05 AA12 AA16 AB04 AB06 BC02 CB02 DA03 DA17    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Satoshi Yamamoto             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company Hitachi Semiconductor Division (72) Inventor, Yoshihisa Yamaguchi             5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Stock             Ceremony Company Hitachi Semiconductor Division (72) Inventor Yasuaki Nishimoto             3-3 Fujibashi, Ome City, Tokyo 2 Hitachi Higashi             Inside Kyo Electronics Co., Ltd. F term (reference) 3C058 AA05 AA12 AA16 AB04 AB06                       BC02 CB02 DA03 DA17

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 細いワイヤを用いて棒状の被加工物を切
断する切断方法であって、 前記被加工物の長手方向と直角を成す方向に前記ワイヤ
を走行させる工程と、 前記被加工物と走行中の前記ワイヤとが接触して相互に
加圧するように前記被加工物と前記ワイヤのうち何れか
一方もしくは両者を移動させて前記被加工物を予備切断
する工程と、 前記予備切断後、前記予備切断により形成された前記被
加工物の切断面の反り量に基づいて前記被加工物または
前記ワイヤを前記被加工物の前記長手方向に移動させな
がら前記被加工物を切断する工程とを有し、 前記被加工物の切断時に前記被加工物の前記切断面の前
記反り量を制御し得ることを特徴とする切断方法。1. A cutting method for cutting a rod-shaped workpiece with a thin wire, comprising: a step of running the wire in a direction perpendicular to a longitudinal direction of the workpiece; and the workpiece. Preliminarily cutting the workpiece by moving one or both of the workpiece and the wire so that the wire in contact with each other and pressurize each other, and after the preliminary cutting, Cutting the workpiece while moving the workpiece or the wire in the longitudinal direction of the workpiece based on the amount of warp of the cut surface of the workpiece formed by the preliminary cutting. A cutting method, comprising: controlling the warp amount of the cut surface of the workpiece when the workpiece is cut. 【請求項２】 請求項１記載の切断方法であって、前記
予備切断により形成された前記被加工物の前記切断面の
前記反り量に基づいて前記ワイヤの軌道を推測し、この
推測結果に基づいて前記被加工物をその長手方向に移動
させながら前記被加工物を切断することを特徴とする切
断方法。2. The cutting method according to claim 1, wherein the trajectory of the wire is estimated based on the warp amount of the cut surface of the workpiece formed by the preliminary cutting, and the estimated result is obtained. A cutting method, characterized in that the workpiece is cut while moving the workpiece in the longitudinal direction thereof. 【請求項３】 請求項１または２記載の切断方法であっ
て、前記被加工物の切断時に、前記被加工物の前記切断
面の前記反り量が無くなるように前記反り量を制御して
切断することを特徴とする切断方法。3. The cutting method according to claim 1, wherein the amount of warp is controlled so as to eliminate the amount of warp of the cut surface of the workpiece when the workpiece is cut. A cutting method characterized by: 【請求項４】 請求項１，２または３記載の切断方法で
あって、前記被加工物として半導体シリコンからなるイ
ンゴットを用い、前記インゴットを切断して薄板状の半
導体ウェハを形成することを特徴とする切断方法。4. The cutting method according to claim 1, 2, or 3, wherein an ingot made of semiconductor silicon is used as the workpiece, and the ingot is cut to form a thin semiconductor wafer. And the cutting method. 【請求項５】 細いワイヤを用いて棒状の被加工物の切
断を行う切断装置であって、 前記被加工物の長手方向と直角を成す方向に前記ワイヤ
を走行させるワイヤ走行手段と、 前記被加工物を保持する被加工物保持手段と、 前記被加工物と走行中の前記ワイヤとが接触して相互に
加圧するように前記被加工物と前記ワイヤのうち何れか
一方もしくは両者を移動させる移動手段と、 前記移動手段により前記被加工物と前記ワイヤとを相互
に加圧させて前記被加工物を予備切断し、前記予備切断
により形成された前記被加工物の切断面の反り量に基づ
いて前記被加工物または前記ワイヤを前記被加工物の前
記長手方向に移動させる制御部とを有し、 前記予備切断後、前記制御部によって前記被加工物また
は前記ワイヤを移動させながら前記被加工物を切断する
ことにより、前記被加工物の前記切断面の前記反り量を
制御し得ることを特徴とする切断装置。5. A cutting device for cutting a rod-shaped workpiece using a thin wire, comprising: wire running means for running the wire in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the workpiece; One or both of the work piece and the wire are moved so that the work piece holding means that holds the work piece and the work piece and the traveling wire contact each other and pressurize each other. A moving unit and the moving unit press the work and the wire against each other to pre-cut the work, and the warp amount of the cut surface of the work formed by the pre-cutting A control unit for moving the workpiece or the wire in the longitudinal direction of the workpiece based on the above, and after the preliminary cutting, the control unit moves the workpiece or the wire while moving the workpiece. processing By cutting, cutting apparatus characterized by capable of controlling the amount of warp of the cut surface of the workpiece. 【請求項６】 請求項５記載の切断装置であって、前記
予備切断により形成された前記被加工物の前記切断面の
前記反り量に基づいて前記ワイヤの軌道を推測し、この
推測結果に基づいて、前記被加工物の切断時に前記制御
部によって前記被加工物をその長手方向に移動させるこ
とを特徴とする切断装置。6. The cutting device according to claim 5, wherein the trajectory of the wire is estimated based on the warp amount of the cut surface of the workpiece formed by the preliminary cutting, and the estimated result is obtained. Based on the above, the cutting device moves the work in the longitudinal direction by the control unit when cutting the work. 【請求項７】 請求項５または６記載の切断装置であっ
て、前記被加工物として半導体シリコンからなるインゴ
ットを用い、前記インゴットを切断して薄板状の半導体
ウェハの形成を行うことを特徴とする切断装置。7. The cutting device according to claim 5, wherein an ingot made of semiconductor silicon is used as the workpiece, and the ingot is cut to form a thin semiconductor wafer. Cutting device. 【請求項８】 半導体シリコンからなる被加工物である
棒状のインゴットの長手方向と直角を成す方向に細いワ
イヤを走行させる工程と、 前記インゴットと走行中の前記ワイヤとが接触して相互
に加圧するように前記インゴットと前記ワイヤのうち何
れか一方もしくは両者を移動させて前記インゴットを予
備切断する工程と、 前記予備切断後、前記予備切断により形成された前記イ
ンゴットの切断面の反り量に基づいて前記インゴットま
たは前記ワイヤを前記インゴットの前記長手方向に移動
させながら前記インゴットを切断して半導体ウェハを形
成する工程と、 前記半導体ウェハに半導体集積回路を備えた半導体チッ
プを形成する工程と、 前記半導体ウェハを個々の前記半導体チップに分離する
工程と、 前記半導体チップとチップ支持部材とを接合する工程
と、 前記半導体チップの表面電極と外部端子に電気的に接続
されるリード部とを電気的に接続する工程とを有し、 前記インゴットの切断時に前記インゴットの前記切断面
の前記反り量を制御し得ることを特徴とする半導体装置
の製造方法。8. A step of running a thin wire in a direction perpendicular to the longitudinal direction of a rod-shaped ingot, which is a workpiece made of semiconductor silicon, and a step in which the ingot and the running wire are in contact with each other and applied. Pre-cutting the ingot by moving one or both of the ingot and the wire so as to press, and based on the warp amount of the cut surface of the ingot formed by the pre-cutting after the pre-cutting A step of forming a semiconductor wafer by cutting the ingot while moving the ingot or the wire in the longitudinal direction of the ingot, forming a semiconductor chip having a semiconductor integrated circuit on the semiconductor wafer, A step of separating a semiconductor wafer into individual semiconductor chips, the semiconductor chips and a chip supporting portion And a step of electrically connecting the surface electrode of the semiconductor chip and a lead portion electrically connected to an external terminal, of the cut surface of the ingot at the time of cutting the ingot A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the warp amount can be controlled. 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記予備切断により形成された前記インゴット
の前記切断面の前記反り量に基づいて前記ワイヤの軌道
を推測し、この推測結果に基づいて前記インゴットをそ
の長手方向に移動させながら前記インゴットを切断する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein a trajectory of the wire is estimated based on the warp amount of the cut surface of the ingot formed by the preliminary cutting, and the estimated result is obtained. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the ingot is cut while moving the ingot in the longitudinal direction based on the above.