JP2000058619A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置内搬送期間に基板が自然酸化膜等により
汚染されてしまうことを防止する。 【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェーハ成膜部１０と、
ウェーハ搬送部３０とを有する。ウェーハ搬送部３０
は、カセット載置台３１（１），３１（２），３１
（３），３１（４）と、ウェーハ搬送室３２と、蓋開閉
機構３３（１），３３（２），３３（３），３３（４）
と、ウェーハ搬送ロボット３４とを有する。カセット載
置台３１（１），３１（２），３１（３），３１（４）
に載置されたカセット５２とウェーハ成膜部１０との間
のウェーハ５１の搬送は、ウェーハ搬送室３２により提
供される密閉空間を介して行われる。この密閉空間は、
真空排気ライン３５と、不活性ガス供給ライン３６と、
酸素濃度検出計３７と、制御部３８とにより不活性ガス
で浄化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体デバイスの基
板に所定の処理を施す基板処理装置及び基板処理方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの品質は、自然
酸化膜やごみによるウェーハの汚染量に依存する。すな
わち、自然酸化膜等によるウェーハの汚染量が多くなる
と、品質が低下し、少なくとなると、向上する。したが
って、ウェーハに所定の処理（成膜処理やエッチング処
理等）を施すウェーハ処理装置においては、自然酸化膜
等によるウェーハの汚染量を低減する技術が望まれる。

【０００３】この要望に応えるために、従来のウェーハ
処理装置では、ウェーハ収容用のカセットを収容するロ
ードロック室（以下「カセット室」という。）を設け、
このカセット室を介してウェーハの出し入れを行うよう
になっていた。

【０００４】このような構成では、カセット室は、カセ
ットが収容されると、真空排気、または、不活性ガスで
浄化される。これにより、ウェーハは、カセット室に搬
入されてから所定の処理を受けるまでの間（以下「処理
待機期間」という。）と、処理が終了してからカセット
室から搬出されるまでの間（以下「搬出待機期間」とい
う。）、真空中または不活性ガスからなる雰囲気中に置
かれる。その結果、自然酸化膜等によるウェーハの汚染
が低減される。

【０００５】しかしながら、このような構成では、ウェ
ーハは、各ウェーハ処理装置間で搬送される期間（以下
「装置間搬送期間」という。）、大気にさらされる。こ
れは、従来のウェーハ処理装置では、カセットとして、
オープン式（開放式）のカセットが用いられているから
である。ここで、オープン式のカセットとは、内部がウ
ェーハ出し入れ口を介して常時外部に開放されているカ
セットをいう。

【０００６】これにより、このような構成では、装置間
搬送期間、ウェーハが自然酸化膜等により汚染されてし
まう。その結果、このような構成では、近年の半導体デ
バイスの高集積度化に対応することができないという問
題があった。

【０００７】この問題に対処するため、近年、１２イン
チのウェーハを処理するウェーハ処理装置では、クロー
ズド式（密閉式）のカセットの使用が検討されている。
ここで、クローズド式のカセットとは、内部がウェーハ
の出し入れ時のみ外部に開放されるカセットをいう。

【０００８】カセットとして、クローズド式のカセット
を用いる構成によれば、装置間搬送期間、ウェーハは大
気にさらされない。これにより、この構成によれば、装
置間搬送期間、自然酸化膜等によるウェーハの汚染が防
止される。その結果、半導体デバイスの高集積度化に対
処することができる。

【０００９】クローズド式のカセットは、通常、ポッド
式のカセットと呼ばれている。このポッド式のカセット
は、ウェーハ出し入れ口を有する本体と、この本体のウ
ェーハ出し入れ口を塞ぐ蓋とを有する。

【００１０】このポッド式のカセットとしては、従来、
特開平８−２７９５４６号公報に記載されているカセッ
トが知られている。このカセットでは、本体の前部にウ
ェーハ出し入れ口が設けられている。ここで、本体の前
部とは、カセットを装置に投入する場合の投入方向側の
部分である。このため、このカセットは、通常、ＦＯＵ
Ｐ（Front Opening Unified Pod）と呼ばれている。

【００１１】カセットとしてポッド式のカセットを用い
る構成では、カセットの蓋を開閉する蓋開閉機構が必要
になる。上記文献では、この蓋開閉機構を装置本体（ウ
ェーハ処理部）の外側に設け、大気からなる雰囲気中で
蓋を開閉するようになっていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成では、ウェーハは、装置に対する投入位置とこ
のウェーハ投入位置とは異なる位置に設けられた装置本
体との間で搬送される期間（以下「装置内搬送期間」と
いう。）、大気にさらされる。これにより、このような
構成では、ウェーハは、装置内搬送期間、自然酸化膜等
により汚染されてしまう。

【００１３】この汚染量は、カセットとして、オープン
方式のカセットを用いる場合の汚染量に比べれば、はる
かに少ない。しかしながら、半導体デバイスの集積度化
は、今後、さらに高められる。したがって、このような
わずかな汚染量であっても、半導体デバイスの高集積度
化のためには、無視することができない。

【００１４】そこで、本発明は、装置内搬送期間、基板
が自然酸化膜等により汚染されてしまうことを防止する
ことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する
ことを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の基板処理装置は、前部に基板出し入れ
口を有する基板収容部と、基板出し入れ口を塞ぐ蓋とを
有する密閉構造の基板収容体に収容された状態で投入さ
れる基板に所定の処理を施す基板処理装置において、基
板処理部と、基板搬送部とを備え、基板搬送部が、基板
収容体保持手段と、搬送部側基板搬送空間提供手段と、
浄化手段と、蓋開閉手段と、搬送部側基板搬送手段とを
有することを特徴とする。

【００１６】ここで、基板処理部は、基板が投入される
基板投入位置とは異なる位置に設けられ、基板に所定の
処理を施す部分である。また、基板搬送部は、基板投入
位置と基板処理部との間で基板を搬送する部分である。

【００１７】基板搬送部において、基板収容体保持手段
は、基板投入位置で基板収容体を保持する手段である。
また、搬送部側基板搬送空間提供手段は、基板収容体保
持手段に保持されている基板収容体と基板処理部との間
で基板を搬送するための密閉された搬送部側基板搬送空
間を提供する手段である。また、浄化手段は、基板収容
体保持手段に保持されている基板収容体と基板処理部と
の間で搬送部側基板搬送空間を介して基板を搬送する場
合に、この搬送部側基板搬送空間を不活性ガスで浄化す
る手段である。

【００１８】また、蓋開閉手段は、搬送部側基板搬送空
間が浄化手段によって浄化された状態で、基板収容体保
持手段に保持されている基板収容体の蓋を開閉する手段
である。この蓋開閉手段は、搬送部側基板搬送空間に配
設されている。また、搬送部側基板搬送手段は、蓋開閉
手段によって蓋が開かれた基板収容体と基板処理部との
間で基板を搬送する手段である。この搬送部側基板搬送
手段は、搬送部側基板搬送空間に配設されている。

【００１９】上記構成では、基板収容体が基板収容体保
持手段によって保持されると、搬送部側基板搬送空間が
浄化手段によって浄化される。この浄化状態が所定の状
態まで達すると、基板収容体の蓋が蓋開閉機構によって
開かれる。この処理が終了すると、基板収容体に収容さ
れている基板が搬送部側基板搬送手段によって基板処理
部に搬送され、所定の処理を受ける。この処理が終了す
ると、この処理を受けた基板が搬送部側基板搬送手段に
よって基板収容体に搬送される。

【００２０】上記構成によれば、基板投入位置と基板処
理部との間で、基板を搬送する場合、基板は、不活性ガ
スにより浄化された密閉空間を介して搬送される。これ
により、装置内搬送期間に基板が自然酸化膜等により汚
染されてしまうことを防止することができる。また、既
存の基板処理装置をほとんどそのまま利用することがで
きる。

【００２１】請求項２記載の基板処理装置は、請求項１
記載の装置において、基板処理部が、基板処理空間提供
手段と、基板待機空間提供手段と、処理部側基板搬送空
間提供手段と、処理部側基板搬送手段と、基板保持手段
とを有することを特徴とする。

【００２２】ここで、基板処理空間提供手段は、基板に
所定の処理を施すための密閉された基板処理空間を提供
する手段である。また、基板待機空間提供手段は、基板
を一時的に待機させるための密閉された基板待機空間を
提供する手段である。また、処理部側基板搬送空間提供
手段は、基板待機空間と基板処理空間との間で基板を搬
送するための密閉された処理部側基板搬送空間を提供す
る手段である。

【００２３】また、処理部側基板搬送手段は、基板待機
空間と基板処理空間との間で基板を搬送する手段であ
る。この処理部側基板搬送手段は、処理部側基板搬送空
間に配設されている。また、基板保持手段は、基板待機
空間に搬入される基板を保持する手段である。この基板
保持手段は、基板待機空間に配設されている。

【００２４】上記構成では、基板収容体に収容されてい
る基板は、搬送部側基板搬送手段により基板待機空間に
搬送される。この搬送基板は、処理部側基板搬送手段に
より基板処理空間に搬送され、所定の処理を受ける。こ
の処理基板は、処理部側基板搬送手段により基板待機空
間に搬送される。この搬送基板は、搬送部側基板搬送手
段により基板収容体に搬送される。

【００２５】上記構成によれば、基板保持手段が搬送部
側基板搬送処理と処理部側基板搬送処理との緩衝機構を
なす。ここで、搬送部側基板搬送処理とは、基板収容体
と基板待機空間との間の基板搬送処理である。また、処
理部側基板搬送処理とは、基板待機空間と基板処理空間
との間の基板搬送処理である。これにより、搬送部側基
板搬送処理と処理部側基板搬送処理との独立性を実現す
ることができる。その結果、基板処理装置のスループッ
トを向上させることができる。

【００２６】請求項３記載の基板処理装置は、請求項２
記載の装置において、基板保持手段が複数の基板を保持
可能なように構成されていることを特徴とする。

【００２７】上記構成によれば、搬送部側基板搬送手段
と処理部側基板搬送手段により基板待機空間に搬入され
た基板を同時に保持することができる。すなわち、一方
の基板搬送手段により搬入された基板を保持している状
態において、他方の基板搬送手段により搬入された基板
も保持することができる。

【００２８】これにより、基板収容体から基板待機空間
への基板搬送処理と基板待機空間から基板処理空間への
基板搬送処理を独立に行うことができる。また、基板処
理空間から基板待機空間への基板搬送処理と基板待機空
間から基板収容体への基板搬送処理も独立に行うことが
できる。その結果、搬送部側基板搬送処理と処理部側基
板搬送処理との独立性を高めることができる。

【００２９】請求項４記載の基板処理装置は、請求項２
記載の装置において、基板保持手段が、基板の出し入れ
が行われる基板出し入れ口を有する基板載置棚であるこ
とを特徴とする。

【００３０】上記構成によれば、基板保持手段を簡単に
構成することができる。

【００３１】請求項５記載の基板処理装置は、請求項４
記載の装置において、基板載置棚が、基板出し入れ口と
して、搬送部側基板出し入れ口と、処理部側基板出し入
れ口とを有することを特徴とする。

【００３２】ここで、搬送部側基板出し入れ口とは、搬
送部側基板搬送手段によって基板が出し入れされる基板
出し入れ口である。処理部側基板出し入れ口とは、処理
部側基板搬送手段によって基板が出し入れされる基板出
し入れ口である。

【００３３】上記構成によれば、搬送部側基板搬送手段
と処理部側基板搬送手段による基板載置棚のアクセスが
同時に発生した場合でも、この競合を調整する必要がな
い。これにより、基板処理装置のスループットを高める
ことができる。

【００３４】請求項６記載の基板処理装置は、請求項５
記載の装置において、搬送部側基板搬送手段と処理部側
基板搬送手段による基板載置棚のアクセス方向が異なる
方向に設定されていることを特徴とする。また、この装
置は、基板載置棚が、搬送部側基板出し入れ口と処理部
側基板出し入れ口の位置を適宜設定することによりアク
セス方向の違いを吸収するように構成されていることを
特徴とする。

【００３５】同様に、請求項７記載の基板処理装置は、
基板載置棚が、搬送部側基板出し入れ口と処理部側基板
出し入れ口の向きを適宜設定することによりアクセス方
向の違いを吸収するように構成されていることを特徴と
する。

【００３６】また、請求項８記載の基板処理装置は、基
板載置棚が、搬送部側基板出し入れ口と処理部側基板出
し入れ口の幅を適宜設定することによりアクセス方向の
違いを吸収するように構成されていることを特徴とす
る。

【００３７】このような構成によれば、簡単な構成によ
り、２つの基板搬送手段による基板載置棚のアクセス方
向の違いを吸収することができる。

【００３８】請求項９記載の基板処理装置では、請求項
６記載の装置において、基板載置棚が、基板の周縁部が
挿入される溝を有する複数の支柱によって基板を保持す
るように構成されていることを特徴とする。また、この
装置は、基板載置棚の搬送部側基板出し入れ口と処理部
側基板出し入れ口がそれぞれ複数の支柱のうちの隣接す
る２つの支柱の間に設定されていることを特徴とする。
さらに、この装置は、搬送部側基板出し入れ口と処理部
側基板出し入れ口の位置が、溝の深さを適宜設定するこ
とにより適宜設定されていることを特徴とする。

【００３９】同様に、請求項１０記載の基板処理装置
は、請求項７記載の装置において、搬送部側基板出し入
れ口と処理部側基板出し入れ口の向きが、複数の支柱の
配設位置を適宜設定することにより適宜設定されている
ことを特徴とする。

【００４０】また、請求項１１記載の基板処理装置は、
請求項８記載の装置において、搬送部側基板出し入れ口
と処理部側基板出し入れ口の幅が、複数の支柱の配設位
置を適宜設定することにより適宜設定されていることを
特徴とする。

【００４１】このような構成によれば、簡単な構成によ
り、搬送部側基板出し入れ口と処理部側基板出し入れ口
の位置、向き、幅を適宜設定することができる。

【００４２】請求項１２記載の基板処理装置は、請求項
５記載の装置において、搬送部側基板搬送手段と処理部
側基板搬送手段による基板保持手段のアクセス方向が異
なる方向に設定されていることを特徴とする。また、こ
の装置は、基板載置棚を回転駆動する回転駆動手段をさ
らに有することを特徴とする。

【００４３】ここで、回転駆動手段は、基板載置棚が搬
送部側基板搬送手段によってアクセスされる場合は、搬
送部側基板出し入れ口が搬送部側基板搬送手段による基
板載置棚のアクセス方向を向くように、基板載置棚を回
転駆動する。これに対し、基板載置棚が処理部側基板搬
送手段によってアクセスされる場合は、処理部側基板出
し入れ口が処理部側基板搬送手段による基板載置棚のア
クセス方向を向くように基板載置棚を回転駆動する。

【００４４】このような構成によれば、基板載置棚とし
て、搬送部側基板搬送手段と処理部側基板搬送手段によ
る基板載置棚のアクセス方向が同じ場合に用いられる基
板載置棚を用いることができる。これにより、基板載置
棚を容易に製作することができる。

【００４５】また、このような構成によれば、基板載置
棚として、２枚の板状の支柱を有する基板載置棚を用い
ることができる。これにより、基板を安定に保持するこ
とができる。

【００４６】また、このような構成によれば、結果的
に、搬送部側基板搬送手段と処理部側基板搬送手段によ
る基板載置棚のアクセス方向を合わせることができる。
これにより、基板処理空間における基板の結晶方向を所
望の方向に設定することができる。その結果、この結晶
方向が所望の方向からずれることによる基板処理特性の
低下を防止することができる。

【００４７】請求項１３記載の基板処理装置は、請求項
１記載の基板処理装置において、浄化手段が、真空排気
手段と、不活性ガス供給手段と、酸素濃度検出手段と、
制御手段とを有することを特徴とする。

【００４８】ここで、真空排気手段は、搬送部側基板搬
送空間の雰囲気を排出する手段である。また、不活性ガ
ス供給手段は、搬送部側基板搬送空間に不活性ガスを供
給する手段である。また、酸素濃度検出手段は、搬送部
側基板搬送空間の酸素濃度を検出する手段である。ま
た、制御手段は、酸素濃度検出手段によって検出された
酸素濃度が規定値以上の場合は、不活性ガスの供給処理
が実行され、規定値未満の場合は、この供給処理が停止
されるように、不活性ガス供給手段の動作を制御する手
段である。

【００４９】このような構成においては、搬送部側基板
搬送空間を浄化する場合、この空間の雰囲気が真空排気
手段により真空排気される。また、不活性ガス供給手段
により、この空間に不活性ガスが供給される。さらに、
酸素濃度検出手段により、この空間の酸素濃度が検出さ
れる。そして、この検出結果に基づいて、制御手段によ
り、不活性ガス供給手段の動作が制御される。これによ
り、搬送部側基板搬送空間の酸素濃度が規定値以上の場
合は、不活性ガスの供給処理が実行され、規定値未満の
場合は、この供給処理が停止される。

【００５０】このような構成によれば、搬送部側基板搬
送空間の酸素濃度が規定値未満の場合だけ、この空間に
不活性ガスが供給される。これにより、常時、不活性ガ
スを供給する構成に比べ、不可性ガスの消費量を少なく
することができる。

【００５１】請求項１４記載の基板処理方法は、前部に
基板出し入れ口を有する基板収容部と、この基板出し入
れ口を塞ぐ蓋とを有する密閉構造の基板収容体に収容さ
れた状態で投入される基板に所定の処理を施す基板処理
方法において、基板が投入される基板投入位置と、この
基板投入位置とは異なる位置に設けられ基板に所定の処
理を施す基板処理部との間で基板を搬送する場合、不活
性ガスで浄化された密閉空間を介して搬送するようにし
たことを特徴とする。

【００５２】このような構成によれば、請求項１記載の
基板処理装置と同様に、装置内搬送期間に基板が自然酸
化等により汚染されてしまうことを防止することができ
る。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を詳細に説明する。

【００５４】［１］第１の実施の形態 ［１−１］基板処理装置の構成 図１は、本発明に係る基板処理装置の第１の実施の形態
の構成を示す平面図であり、図２は、同じく、側面図で
ある。なお、図には、本発明を、枚葉クラスタ式のＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition）装置に適用した場合
を代表として示す。また、図では、一部を透視して示
す。

【００５５】図示のＣＶＤ装置は、例えば、ウェーハ成
膜部１０と、ウェーハ搬送部３０とを有する。ここで、
ウェーハ成膜部１０は、化学反応を使ってウェーハ５１
に所定の薄膜を形成する部分である。このウェーハ成膜
部１０は、装置に対するウェーハ５１の投入位置とは異
なる位置に設けられている。また、ウェーハ搬送部３０
は、ウェーハ投入位置とウェーハ成膜部１０との間でウ
ェーハ５１を搬送する部分である。

【００５６】上記ウェーハ成膜部１０は、例えば、２つ
の反応室１１（１），１１（２）と、２つのウェーハ待
機室１２（１），１２（２）と、２つのウェーハ載置棚
１３（１），１３（２）と、１つのウェーハ搬送室１４
と、１つのウェーハ搬送ロボット１５を有する。

【００５７】ここで、反応室１１（１），１１（２）
は、ウェーハ５１の表面に化学反応を使って所定の薄膜
を形成するための密閉された反応空間を提供する部屋で
ある。また、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）
は、ウェーハ５１を一時的に待機させるための密閉され
たウェーハ待機空間を提供するロードロック室である。
また、ウェーハ載置棚１３（１），１３（２）は、ウェ
ーハ待機室１２（１），１２（２）に搬入されたウェー
ハ５１が載置される棚である。

【００５８】また、ウェーハ搬送室１４は、反応室１１
（１），１１（２）とウェーハ待機室１２（１），１２
（２）との間でウェーハを搬送するための密閉されたウ
ェーハ搬送空間を提供するロードロック室である。ま
た、ウェーハ搬送ロボット１５は、反応室１１（１），
１１（２）と待機室１２（１），１２（２）との間でウ
ェーハ５１を搬送するためのロボットである。

【００５９】上記反応室１１（１），１１（２）は、そ
れぞれゲートバルブ１６（１），１６（２）を介して搬
送室１４に連接されている。同様に、上記ウェーハ待機
室１２（１），１２（２）は、それぞれゲートバルブ１
７（１），１７（２）を介して搬送室１４に連接されて
いる。

【００６０】上記ウェーハ載置棚１３（１），１３
（２）は、それぞれ、上記ウェーハ待機室１２（１），
１２（２）の内部（ウェーハ待機空間）に配設されてい
る。このウェーハ載置棚１３（１），１３（２）の構成
については、あとで、詳細に説明する。上記ウェーハ搬
送ロボット１５は、ウェーハ搬送室１４の内部（ウェー
ハ搬送空間）に配設されている。

【００６１】このウェーハ搬送ロボット１５は、図２に
示すように、ロボットアーム１５１と、アーム駆動部１
５２を有する。ここで、ロボットアーム１５１は、例え
ば、３つのリンクを連結した３節のアームとして構成さ
れている。アーム駆動部１５２は、ロボットアーム１５
１の伸縮駆動及び回転駆動並びに昇降駆動を行うように
なっている。

【００６２】上記ウェーハ搬送室１４は、例えば、５角
形の箱状に形成されている。また、このウェーハ搬送室
１４は、直線Ｌ１に対して線対称に形成されている。以
下、この直線Ｌ１をウェーハ搬送室１４の中心線とい
う。

【００６３】上記反応室１１（１），１１（２）は、こ
の中心線Ｌ１に対して線対称に配置されている。同様
に、上記ウェーハ待機室１２（１），１２（２）も、こ
の中心線Ｌ１に対して線対称に配置されている。この場
合、反応室１１（１），１１（２）は、それぞれ中心線
Ｌ１に対して斜めに交わる２つの辺ａ１，ａ２の位置に
配設されている。これに対し、上記待機室１２（１），
１２（２）は、中心線Ｌ１に対して直交する１つの辺ａ
３の位置配設されている。

【００６４】また、反応室１１（１）とウェーハ待機室
１２（１）は、中心線Ｌ１に対して反対側に位置するよ
うに配設されている。同様に、反応室１１（２）とウェ
ーハ待機室１２（２）は、中心線Ｌ１に対して反対側に
位置するように配設されている。

【００６５】なお、上述した反応室１１（１），１１
（２）やウェーハ待機室１２（１），１２（２）等は、
筐体１８に収容されている。

【００６６】上記ウェーハ搬送部３０は、例えば、４つ
のカセット載置台３１（１），３１（２），３１
（３），３１（４）と、１つのウェーハ搬送室３２と、
４つの蓋開閉機構３３（１），３３（２），３３
（３），３３（４）と、１つのウェーハ搬送ロボット３
４と、真空排気ライン３５と、不活性ガス供給ライン３
６と、酸素濃度検出計３７と、制御部３８とを有する。

【００６７】ここで、カセット載置台３１（１），３１
（２），３１（３），３１（４）は、カセット３２が載
置される台である。また、ウェーハ搬送室３２は、カセ
ット５２とウェーハ待機室１２（１），１２（２）との
間でウェーハ５１を搬送するための密閉された搬送空間
を提供するロードロック室である。このウェーハ搬送室
３２は、４つの開閉機構収容部３２１（１），３２１
（２），３２１（３），３２１（４）と、１つのロボッ
ト収容部３２２とを有する。

【００６８】また、蓋開閉機構３３（１），３３
（２），３３（３），３３（４）は、カセット５２の蓋
５２２を開閉する機構である。また、ウェーハ搬送ロボ
ット３４は、カセット５２とウェーハ待機室１２
（１），１２（２）との間でウェーハ５１を搬送するた
めのロボットである。

【００６９】また、上記真空排気ライン３５は、ウェー
ハ搬送室３２の内部（ウェーハ搬送空間）を真空排気す
るラインである。この真空排気ライン３５は、ウェーハ
搬送室３２の排気部３２３に接続されている。なお、こ
の真空排気ライン３５は、例えば、真空ポンプ、排気配
管、エアバルブ等により構成されている。

【００７０】また、上記不活性ガス供給ライン３６は、
ウェーハ搬送室３２の内部に不活性ガスを供給するライ
ンである。この不活性ガス供給ライン３６は、ウェーハ
搬送室３２のガス供給部３２４に接続されている。な
お、このガス供給ライン３６は、例えば、ガス供給配
管、エアバルブ、マスフローコントローラ等により構成
されている。また、不活性ガスとしては、例えば、Ｎ2
ガス等が用いられる。

【００７１】また、上記酸素濃度検出計３７は、ウェー
ハ搬送室３２の酸素濃度を検出する。また、上記制御部
３８は、酸素濃度検出計３７の検出結果に基づいて、ガ
ス供給ライン３６のガス供給動作を制御する。この場
合、ガス供給動作は、酸素濃度が規定値以上になると実
行され、規定値未満になると、停止される。

【００７２】上記カセット載置台３１（１），３１
（２），３１（３），３１（４）は、ウェーハ搬送室３
２の前面側に配設されている。このウェーハ搬送室３２
は、ゲートバルブ３９（１），３９（２）を介してウェ
ーハ待機室１２（１），１２（２）に連接されている。

【００７３】上記蓋開閉機構３３（１），３３（２），
３３（３），３３（４）は、それぞれ開閉機構収容部３
２１（１），３２１（２），３２１（３），３２１
（４）に収容されている。上記ウェーハ搬送ロボット３
４は、ロボット収容部３２２に収容されている。

【００７４】各蓋開閉機構３３（ｎ）（ｎ＝１，２，
３，４）は、図２に示すように、蓋保持部３３１（ｎ）
と、駆動部３３２（ｎ）とを有する。蓋保持部３３１
（ｎ）は、カセット５２の蓋５２２を保持する。駆動部
３３２（ｎ）は、蓋保持部３３１（ｎ）の昇降駆動及び
前後方向への回転駆動を行うようになっている。

【００７５】上記ウェーハ搬送ロボット３４は、ウェー
ハ搬送ロボット１５と同様に、ロボットアーム３４１
と、駆動部３４２とを有する。このウェーハ搬送ロボッ
ト３４は、移動台４０に保持されている。この移動台４
０は、レール４１（１），４１（２）上を摺動可能とな
っている。このレール４１（１），４１（２）は、カセ
ット載置台３１（１），３１（２），３１（３），３１
（４）の配列方向に延在されている。

【００７６】図３は、ウェーハ搬送部３０を前方から見
た斜視図である。開閉機構収容部３２１（１），３２１
（２），３２１（３），３２１（４）の前面には、４つ
のウェーハ出し入れ口（図示せず）が設けられている。
各ウェーハ出し入れ口は、扉３２５（１），３２５
（２），３２５（３），３２５（４）により閉じられて
いる。

【００７７】図４は、ウェーハ搬送ロボット１５，３４
によるウェーハ待機室１２（１），１２（２）等のアク
セス方向やウェーハ５１の移動軌跡等を示す図である。

【００７８】図４おいて、Ｘ１−Ｘ２，Ｘ３−Ｘ４は、
それぞれウェーハ搬送ロボット１５による反応室１１
（１），１１（２）のアクセス方向を示す。このアクセ
ス方向は、反応室１１（１），１１（２）のウェーハ出
し入れ口に対して垂直である。

【００７９】同様に、Ｘ５−Ｘ６，Ｘ７−Ｘ８は、それ
ぞれウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ待機室１
２（１），１２（２）のアクセス方向を示す。このアク
セス方向は、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）の
処理部側ウェーハ出し入れ口に対して垂直ではなく、ウ
ェーハ搬送室１４の中心線Ｌ１側に傾いている。ここ
で、処理部側ウェーハ出し入れ口とは、ウェーハ搬送室
１４に面するウェーハ出し入れ口である。

【００８０】Ｘ９−Ｘ１０は、ウェーハ搬送ロボット３
４によるウェーハ待機室１２（１），１２（２）とカセ
ット５２のアクセス方向である。このアクセス方向は、
ウェーハ待機室１２（１），１２（２）の搬送部側ウェ
ーハ出し入れ口とカセット５２のウェーハ出し入れ口に
対して垂直である。ここで、搬送部側ウェーハ出し入れ
口とは、ウェーハ搬送部３０のウェーハ搬送室３２に面
するウェーハ出し入れ口である。また、Ｘ１１−Ｘ１２
は、移動体４０によるウェーハ搬送ロボット３４の摺動
方向を示す。

【００８１】Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４は、それぞれ反応
室１１（１），１１（２）とウェーハ待機室１２
（１），１２（２）に収容されたウェーハ５１の中心を
示す。また、Ｏ５は、ウェーハ搬送ロボット１５のロボ
ットアーム１５１の回転中心を示す。

【００８２】また、Ｏ６，Ｏ７，Ｏ８，Ｏ９は、それぞ
れカセット載置３１（１），３１（２），３１（１），
３１（２）上のカセット５２に収容されたウェーハ５１
の中心を示す。また、Ｏ１０，Ｏ１１，Ｏ１２，Ｏ１３
は、それぞれウェーハ載置台３１（１），３１（２），
３１（３），３１（４）上のカセット５２の正面に位置
決めされたウェーハ搬送ロボット３４のロボットアーム
３４１の回転中心を示す。

【００８３】また、Ｏ１４，Ｏ１５は、それぞれウェー
ハ待機室１２（１），１２（２）の正面に位置決めされ
たウェーハ搬送ロボット３４のロボットアーム３４１の
回転中心を示す。

【００８４】Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４は、それぞれウェ
ーハ搬送ロボット１５によって反応室１１（１），１１
（２）とウェーハ待機室１２（１），１２（２）をアク
セスする場合のウェーハ５１の中心の移動軌跡を示す。
同様に、Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８，Ｔ９，Ｔ１０は、そ
れぞれウェーハ搬送ロボット３４によってウェーハ待機
室１２（１），１２（２）とカセット５２をアクセスす
る場合のウェーハ５１の中心の移動軌跡を示す。また、
Ｔ１１は、移動体４０によりロボットアーム３４を移動
させる場合のウェーハ搬送ロボット３４のロボットアー
ム３４１の回転中心を示す。

【００８５】［１−２］基板処理装置の動作 上記構成において、図５を参照しながら、本実施の形態
の基板処理装置の動作の一例を説明する。図５は、この
動作のシーケンスを示す図である。

【００８６】ウェーハ５１の成膜処理を行う場合、ま
ず、開閉機構収容部３２１（１），３２１（２），３２
１（３），３２１（４）の扉３２５（１），３２５
（２），３２５（３），３２５（４）が開かれる。次
に、図５（ａ）に示すように、成膜すべきウェーハ５１
が収容されたカセット５２がカセット載置台３１
（１），３１（２），３１（３），３１（４）に載置さ
れる。このとき、開閉機構収容部３２１（１），３２１
（２），３２１（３），３２１（４）のウェーハ出し入
れ口は、カセット５２の前部により塞がれる。これによ
り、ウェーハ搬送室３２の密閉性が保持される。

【００８７】このあと、ウェーハ搬送室３２の内部が真
空排気ライン３５により真空排気される。また、ウェー
ハ搬送室３２の内部に不活性ガス供給ライン３６により
不活性ガスが供給される。これと並行して、ウェーハ搬
送室３２の酸素濃度が酸素濃度計３７により検出され
る。この検出結果は、制御部３８に供給される。制御部
３８は、この検出結果に基づいて、不活性ガス供給ライ
ン２６のガス供給動作を制御する。これにより、検出さ
れた酸素濃度が規定値以上のときは、不活性ガスの供給
動作が実行され、規定値未満のときは、停止させられ
る。

【００８８】ウェーハ搬送室３２の酸素濃度が規定値未
満になると、図５（ｂ）に示すように、カセット５２の
蓋５２２が蓋開閉機構３３（１），３３（２），３３
（３），３３（４）により開かれる。次に、図５（ｃ）
に示すように、カセット５２のウェーハ収容部５２１に
収容されているウェーハ５１がウェーハ搬送ロボット３
４によりウェーハ待機室１２（１），１２（２）に搬送
される。この搬送処理は、例えば、次にようにして行わ
れる。

【００８９】すなわち、この搬送処理においては、ま
ず、移動台４０がカセット載置台３１（１）側（図４に
示すＸ１１方向側）に移動する。これにより、ウェーハ
搬送ロボット３４がウェーハ載置台３１（１）上のカセ
ット５２の正面に位置決めされる。次に、ロボットアー
ム３４１がカセット５２の内部側（図４に示すＸ９方向
側）に伸張駆動される。これにより、ロボットアーム３
４１の先端部が、例えば、カセット５２に収容されてい
る複数のウェーハ５１のうちの一番上のウェーハ５１の
直下に位置決めされる。

【００９０】次に、ロボットアーム３４１が上昇駆動さ
れる。これにより、その先端部に、ウェーハ５１が保持
される。次に、ロボットアーム３４１がカセット５２の
外部側（図４に示すＸ１０方向側）に縮小駆動される。
これにより、ウェーハ５１がカセット５２から取り出さ
れる。次に、ロボットアーム３４１が約１８０度回転駆
動された後、移動体４０がウェーハ待機室１２（１），
１２（２）側に移動する。これにより、ウェーハ搬送ロ
ボット３４がウェーハ待機室１２（１）の正面に位置決
めされる。

【００９１】次に、ゲートバルブ３９（１）が開かれた
後、ロボットアーム３４１がウェーハ待機室１２（１）
の内部側（図４に示すＸ１０方向側）に伸張駆動され
る。これにより、ウェーハ５１がウェーハ待機室１２
（１）の内部に挿入される。次に、ロボットアームが下
降駆動される。これにより、ウェーハ５１がウェーハ載
置棚１３（１）に載置される。次に、ロボットアームが
ウェーハ待機室１２（１）の外部側（図４に示すＸ９方
向側）に縮小駆動されたのち、約１８０度回転駆動され
る。

【００９２】以上により、一番上のウェーハ５１の搬送
処理が終了する。以下、同様に、上から２番目、３番
目、…のウェーハ５１について、上述した搬送処理が実
行される。そして、ウェーハ載置台３３（１）上のカセ
ット５２に収容されているすべてのウェーハ５１の搬送
処理が終了すると、次のウェーハ載置台３３（２）上の
カセット５２に収容されているウェーハ５１の搬送処理
が実行される。

【００９３】以下、同様に、最後のウェーハ載置台３３
（４）上のカセット５２に収容されているウェーハ５１
の搬送処理が終了するまで、上述した処理が繰り返され
る。この場合、ウェーハ載置棚１３（１）が満杯になる
と、ゲートバルブ３９（１）が閉じられ、ゲートバルブ
３９（２）が開かれる。これにより、今度は、ウェーハ
待機室１２（２）へのウェーハ搬送処理が行われる。

【００９４】このウェーハ搬送処理が終了すると、ウェ
ーハ待機室１２（１），１２（２）から反応室１１
（１），１１（２）へのウェーハ搬送処理が実行され
る。この搬送処理も、カセット５２からウェーハ待機室
１２（１），１２（２）へのウェーハ搬送処理とほぼ同
じようにして行われる。

【００９５】すなわち、この搬送処理においては、ま
ず、ゲートバルブ１７（１）が開かれる。次に、ウェー
ハ搬送ロボット１５のロボットアーム１５１がウェーハ
待機室１２（１）の内部側（図４に示すＸ５方向側）に
伸張駆動される。これにより、ロボットアーム１５１の
先端部が、例えば、ウェーハ載置棚１３（１）に載置さ
れている複数のウェーハ５１のうちの一番上のウェーハ
５１の真下に位置決めされる。

【００９６】次に、ロボットアーム１５１が上昇駆動さ
れる。これにより、ロボットアーム１５１の先端部にウ
ェーハ５１が保持される。次に、ロボットアーム１５１
がウェーハ待機室１２（１）の外部側（図４に示すＸ６
方向側）に縮小駆動される。これにより、一番上のウェ
ーハ５２がウェーハ待機室１２（１）から取り出され
る。

【００９７】次に、ロボットアーム１５１が回転駆動さ
れたのち、反応室１１（１）の内部側（図４に示すＸ１
方向側）に伸張駆動される。これにより、ロボットアー
ム１５１の先端部に保持されているウェーハ５１が反応
室１１（１）に搬入される。次に、ロボットアーム１５
１が下降駆動される。これにより、ウェーハ５１が反応
室１１（１）の載置部に載置される。

【００９８】次に、ロボットアーム１５１が反応室１１
（１）の外部側（図４に示すＸ４方向側）に縮小駆動さ
れたのち、ゲートバルブ１６（１）が閉じられる。これ
により、ウェーハ待機室１２（１）から反応室１１
（１）への一番上のウェーハ５１の搬送処理が終了す
る。

【００９９】この搬送処理が終了すると、ウェーハ待機
室１２（２）から反応室１１（２）への一番上のウェー
ハ５１の搬送処理が実行される。この搬送処理も、ウェ
ーハ待機室１２（１）から反応室１１（１）へのウェー
ハ５１の搬送処理と同じようにして行われる。

【０１００】ウェーハ待機室１２（１），１２（２）か
ら反応室１１（１），１１（２）へのウェーハ５１の搬
送処理が終了すると、このウェーハ５１の成膜処理が実
行される。この成膜処理が終了すると、成膜処理の済ん
だウェーハ５１がウェーハ待機室１２（１），１２
（２）に搬送される。この搬送処理は、反応室１１
（１），１１（２）へのウェーハ搬送処理とは逆の手順
で行われる。

【０１０１】この搬送処理が終了すると、ウェーハ待機
室１２（１），１２（２）に収容されている複数のウェ
ーハ５１のうち、上から２番目のウェーハ５１に対し
て、上述した処理が実行される。以下、同様に、上か
ら、３番目、４番目、…のウェーハ５１に対して上述し
た処理が実行される。

【０１０２】すべてのウェーハ５１の搬送処理が終了す
ると、成膜処理の済んだウェーハ５１をウェーハ待機室
１２（１），１２（２）からカセット５２へ搬送する処
理が実行される。この搬送処理は、カセット５２からウ
ェーハ待機室１２（１），１２（２）へのウェーハ搬送
処理とは逆の手順で行われる。

【０１０３】成膜処理の済んだすべてのウェーハ５２が
カセット５２に戻されると、カセット５２のウェーハ出
し入れ口５２１が蓋５２２により塞がれる。このあと、
カセット５２が図示しないカセット搬送装置により次の
ウェーハ処理装置に搬送される。また、開閉機構収容部
３２１（１），３２１（２），３２１（３），３２１
（４）のウェーハ出し入れ口が扉３２５（１），３２５
（２），３２５（３），３２５（４）により閉塞され
る。この後、次の４つのカセット５２に収容されたウェ
ーハ５１に対して、再び、上述した処理が実行される。

【０１０４】以上が、本実施の形態の基板処理装置の動
作の一例である。なお、以上の説明では、カセット５２
からウェーハ待機室１２（１），１２（２）へのウェー
ハ搬送処理と、成膜処理と、ウェーハ待機室１２
（１），１２（２）からカセット５２へのウェーハ搬送
処理とを順次実行する場合を説明した。

【０１０５】しかしながら、本実施の形態では、これら
を並列に行うようにしてもよい。これは、本実施の形態
では、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）にウェー
ハ５１を保持するウェーハ載置棚１３（１），１３
（２）が設けられているからである。また、このウェー
ハ載置棚１３（１），１３（２）が複数のウェーハ５１
を保持することができるからである。

【０１０６】すなわち、このような構成によれば、ウェ
ーハ載置棚１３（１），１３（２）は、搬送部側ウェー
ハ搬送処理と処理部側ウェーハ搬送処理との間の緩衝機
構をなす。ここで、搬送部側ウェーハ搬送処理は、カセ
ット５２とウェーハ待機室１２（１），１２（２）との
間のウェーハ搬送処理である。また、処理部側ウェーハ
搬送処理は、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）と
反応室１１（１），１１（２）との間のウェーハ搬送処
理である。

【０１０７】これにより、カセット５２からウェーハ待
機室１２（１），１２（２）へのウェーハ搬送処理と、
ウェーハ待機室１２（１），１２（２）から反応室１１
（１），１１（２）へのウェーハ搬送処理とを独立して
行うことができる。また、反応室１１（１），１１
（２）からウェーハ待機室１２（１），１２（２）への
ウェーハ搬送処理と、ウェーハ待機室１２（１），１２
（２）からカセット５２へのウェーハ搬送処理とを独立
して行うことができる。

【０１０８】その結果、カセット５２からウェーハ待機
室１２（１），１２（２）へのウェーハ搬送処理と、成
膜処理と、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）から
カセット５２へのウェーハ搬送処理とを並列に行うこと
ができる。

【０１０９】［１−３］ウェーハ待機棚１３（１），１
３（２）の構成次に、ウェーハ載置棚１３（１），１３
（２）の構成を説明する。これらは、ほぼ同じ構成を有
する。したがって、以下の説明では、ウェーハ載置棚１
３（１）の構成を代表として説明する。図６は、このウ
ェーハ載置棚１３（１）の構成を示す図である。

【０１１０】図６（ａ）は、ウェーハ載置棚１３（１）
を上方から見た平面図であり、同図（ｂ）は、側方から
見た側面図である。図示のごとく、ウェーハ載置棚１３
（１）は、底板１３１と、天板１３２と、４本の支柱１
３３（１），１３３（２），１３３（３），１３３
（４）とを有する。

【０１１１】底板１３１と天板１３２は、例えば、円盤
状に形成されている。支柱１３３（１），１３３
（２），１３３（３），１３３（４）は、例えば、細長
い板状に形成されている。また、この支柱１３３
（１），１３３（２），１３３（３），１３３（４）の
断面は、例えば、細長い楕円状に形成されている。さら
に、この支柱１３３（１），１３３（２），１３３
（３），１３３（４）の長さは、同じ長さに設定されて
いる。

【０１１２】このような構成において、支柱１３３
（１），１３３（２），１３３（３），１３３（４）
は、底板１３１に垂直に立てられている。天板１３２
は、支柱１３３（１），１３３（２），１３３（３），
１３３（４）の上端部に支持されている。

【０１１３】この場合、支柱１３３（１），１３３
（２），１３３（３），１３３（４）は、天板１３２の
中心を中心とする円Ｃ１状に載置されている。なお、天
板１３２の中心は、ウェーハ載置棚１３（１）に載置さ
れたウェーハ５１の中心Ｏ３に一致する。したがって、
以下の説明では、天板１３２の中心をＯ３と記す。

【０１１４】また、支柱１３３（１），１３３（２）
は、天板１３２の中心線Ｌ２に対し、線対称に配設され
ている。ここで、中心線Ｌ２は、天板１３２の中心Ｏ３
を通り、図４に示すＸ９−Ｘ１０方向に延在する中心線
である。同様に、支柱１３３（３），１３３（４）も、
中心線Ｌ２に対し、線対称に配設されている。また、支
柱１３３（１），１３３（３）は、中心線Ｌ２に垂直な
中心線Ｌ３に対し、線対称に配設されている。同様に、
支柱１３３（２），Ｄ３（４）も、中心線Ｌ３に対し、
線対称に配設されている。

【０１１５】これにより、支柱１３３（１），１３３
（４）は、天板１３２の中心Ｏ３に対し、点対称に配設
されている。同様に、支柱１３３（２），１３３（３）
も、この中心Ｏ３に対し、点対称に配設されている。

【０１１６】また、支柱１３３（１），１３３（２），
１３３（３），１３３（４）は、長軸の延長線（以下
「長軸線」という。）Ｌ４（１），Ｌ４（２），Ｌ４
（３），Ｌ４（４）が天板１３２の中心Ｏ３を通るよう
に設定されている。この場合、支柱１３３（１），１３
３（４）が中心Ｏ３に対し、点対称に配設されているの
で、長軸線Ｌ４（１），Ｌ４（４）は一致する。同様
に、長軸線Ｌ４（２），Ｌ４（３）も一致する。

【０１１７】各支柱１３３（ｎ）には、ウェーハ３１の
周縁部が挿入される複数の溝１１３４（ｎ）が形成され
ている。この複数の溝１３４（ｎ）は、それぞれ水平に
形成されている。すなわち、深さ方向が水平方向を向く
ように形成されている。また、この複数の溝１３４
（ｎ）は、鉛直方向に配列されている。

【０１１８】図７は、支柱１３３（１），１３３
（２），１３３（３），１３３（４）を水平に切断した
場合の断面図である。

【０１１９】図示のごとく、溝１３４（１），１３４
（２），１３４（３），１３４（４）は、天板１３２の
中心Ｏ３側から外側に向かうように形成されている。こ
の場合、溝１３４（２）を除く溝１３４（１），１３４
（３），１３４（４）の底面１３５（１），１３５
（３），１３５（４）は、天板１３２の中心Ｏ３を中心
とする円Ｃ２上に位置するように設定されている。これ
に対し、溝１３４（２）の底面１３５（２）は、天板１
３２の中心Ｏ３を中心とする円Ｃ３上に位置するように
設定されている。

【０１２０】ここで、円Ｃ３の径は、円Ｃ２の径より大
きくなるように設定されている。これにより、溝１３４
（２）は、溝１３４（１），１３４（３），１３４
（４）より深くなるように設定されている。

【０１２１】上記構成においては、支柱１３３（３），
１３３（４）の間が、ウェーハ搬送ロボット３４により
アクセスされるウェーハ出し入れ口（以下「搬送部側ウ
ェーハ出し入れ口」という。）として用いられる。ま
た、支柱１３３（１），１３３（２）の間が、ウェーハ
搬送ロボット１５によりアクセスされるウェーハ出し入
れ口（以下「処理部側ウェーハ出し入れ口」という。）
１３７として用いられる。

【０１２２】この場合、支柱１３３（３），１３３
（４）は、直線Ｌ２に対し、線対称に配設されている。
これにより、搬送部側ウェーハ出し入れ口１３６は、ウ
ェーハ搬送ロボット３４によるウェーハ載置棚１３
（１）のアクセス方向を向く。その結果、ウェーハ搬送
ロボット３４によるウェーハ載置棚１２（１）のアクセ
スが可能となる。

【０１２３】これに対し、支柱１３３（１），１３３
（２）は、直線Ｌ２に対し、線対称に配設されている。
これにより、処理部側ウェーハ出し入れ口１３７は、ウ
ェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ載置棚１３
（１）のアクセス方向とは異なる方向を向く。その結
果、ウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ待機室１
３（１）のアクセスは不可能となる。

【０１２４】しかしながら、本実施の形態では、溝１３
４（２）の深さが溝１３４（１），１３４（３），１３
４（４）の深さより深くなるように設定されている。こ
れにより、処理部側ウェーハ出し入れ口１３７の位置が
中心線Ｌ２より支柱１３３（２）側に偏移させられる。
その結果、処理部側ウェーハ出し入れ口１３７がウェー
ハ搬送ロボット１５によるウェーハ載置棚１３（１）の
アクセス方向とは異なる方向を向いているにもかかわら
ず、ウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ待機室１
３（１）のアクセスが可能となる。

【０１２５】これを、図８を用いて説明する。図８
（ａ）は、溝１３４（２）の深さを溝１３４（１），１
３４（３），１３４（４）の深さと同じにした場合を示
し、同図（ｂ）は、溝１３４（２）の深さを溝１３４
（１），１３４（３），１３４（４）の深さより深くし
た場合を示す。

【０１２６】図８において、Ｔ５は、上記のごとく、ウ
ェーハ搬送ロボット３４でウェーハ載置棚１３（１）を
アクセスする場合のウェーハ５１の中心の移動軌跡を示
す。Ｔ２１，Ｔ２２は、同じくウェーハ５１の周縁部の
移動軌跡を示す。これに対し、Ｔ４は、上記のごとく、
ウェーハ搬送ロボット１５でウェーハ載置棚１３（１）
をアクセスする場合のウェーハ５１の中心の移動軌跡を
示す。Ｔ２３，Ｔ２４は、同じく、ウェーハ５１の周縁
部の移動軌跡を示す。

【０１２７】図８（ａ）の場合においては、ウェーハ５
１の移動軌跡Ｔ４Ｒが支柱１３３（２）と重なる。これ
により、この場合は、ウェーハ５１の周縁部が支柱１３
３（２）に衝突する。その結果、この場合は、ウェーハ
搬送ロボット１５によるウェーハ載置棚１３（１）のア
クセスが不可能となる。

【０１２８】これに対し、図８（ｂ）の場合は、ウェー
ハ５１の周縁部の移動軌跡Ｔ４Ｒが支柱１３３（２）と
重なることはない。これにより、この場合は、ウェーハ
搬送ロボット１５によるウェーハ載置棚１３（１）のア
クセスが可能となる。

【０１２９】なお、詳細な説明は省略するが、ウェーハ
載置棚１３（２）も、ウェーハ載置棚１３（１）とほぼ
同じように構成されている。但し、この場合は、支柱１
３３（１）の溝１３４（１）の深さが他の支柱１３３
（２），１３３（３），１３３（４）の溝１３４
（２），１３４（３），１３４（４）の深さより深くな
るように設定されている。

【０１３０】［１−４］効果 以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を
得ることができる。

【０１３１】（１）まず、本実施の形態によれば、カセ
ット載置台３１（１），３１（２），３１（３），３１
（４）上のカセット５２とウェーハ成膜部１０との間で
ウェーハ５１を搬送する場合、ウェーハ５１は、不活性
ガスで浄化された密閉空間を介して搬送される。これに
より、装置内搬送期間にウェーハ５１が自然酸化膜等に
より汚染されることを防止することができる。その結
果、今後の半導体ウェーハの高集積度化に対処すること
ができる。

【０１３２】（２）また、本実施の形態によれば、カセ
ット載置台３１（１），３１（２），３１（３），３１
（４）とウェーハ成膜部１０との間に不活性ガスで浄化
された密閉空間を設けることにより、上記汚染を防止す
るようになっている。これにより、既存のＣＶＤ装置を
ほとんどそのまま利用することができる。

【０１３３】（３）また、本実施の形態によれば、ウェ
ーハ待機室１２（１），１２（２）にウェーハ保持手段
（ウェーハ載置棚１３（１）、１３（２））が設けられ
る。これにより、搬送部側ウェーハ搬送処理と処理部側
ウェーハ搬送処理とを緩衝機構で結合することができ
る。その結果、この２つの搬送処理の独立性を実現する
ことができる。これにより、ＣＶＤ装置のスループット
を向上させることができる。

【０１３４】（４）また、本実施の形態よれば、基板保
持手段として、ウェーハ載置棚１３（１），１３（２）
が用いられる。これにより、基板保持手段を簡単に構成
することができる。

【０１３５】（５）また、本実施の形態によれば、ウェ
ーハ載置棚として、複数のウェーハ５１を保持可能なウ
ェーハ載置棚１３（１），１３（２）が用いられる。こ
れにより、ウェーハ搬送ロボット１５，３４により搬入
されたウェーハ５１を同時に保持することができる。す
なわち、一方のウェーハ搬送ロボット１５または３４に
より搬入されたウェーハ５１を保持している状態で、他
方のウェーハ搬送ロボット３４または１５により搬入さ
れたウェーハ５１を保持することができる。その結果、
１つのウェーハ５１を保持可能な場合に比べ、搬送部側
ウェーハ搬送処理と処理部側ウェーハ搬送処理との独立
性を高めることができる。

【０１３６】（６）また、本実施の形態によれば、ウェ
ーハ載置棚として、搬送部側ウェーハ出し入れ口１３６
と処理部側ウェーハ出し入れ口１３７を有するウェーハ
載置棚１３（１），１３（２）が用いられる。これによ
り、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によるウェーハ載
置棚１３（１），１３（２）のアクセスが同時に発生し
ても、この競合を調整する必要がない。その結果、ＣＶ
Ｄ装置のスループットを向上させることができる。

【０１３７】（７）また、本実施の形態によれば、ウェ
ーハ載置棚１３（１），１３（２）の処理部側ウェーハ
出し入れ口１３７の位置がウェーハ搬送ロボット１５に
よるウェーハ５１の移動軌跡Ｔ４側に偏移させられてい
る。これにより、簡単な構成により、ウェーハ搬送ロボ
ット１５，３４によるウェーハ載置棚１３（１），１３
（２）のアクセス方向の違いを吸収することができる。

【０１３８】（８）また、本実施の形態によれば、溝１
３４（２）の深さを他の溝１３４（１），１３４
（３），１３４（４）の深さより深くすることにより、
処理部側ウェーハ出し入れ口１３７の位置が移動軌跡Ｔ
４側に偏移させられる。これにより、簡単な構成によ
り、処理部側ウェーハ出し入れ口１３７の位置を偏移さ
せることができる。

【０１３９】（９）また、本実施の形態によれば、搬送
部側ウェーハ搬送室３２の内部を不活性ガスで浄化する
場合、酸素濃度が規定値以上の場合だけ、不活性ガスの
供給処理が実行される。これにより、不活性ガスの使用
量を少なくすることができる。

【０１４０】［２］第２の実施の形態 ［２−１］構成 図９は、本発明の第２の実施の形態の要部の構成を示す
図である。なお、図９において、先の図７とほぼ同一機
能を果たす部分には、同一符号を付す。

【０１４１】先の実施の形態では、ウェーハ出し入れ口
１３６，１３７の位置を適宜設定することにより、ウェ
ーハ搬送ロボット１５，３４によるウェーハ載置棚１３
（１），１３（２）のアクセス方向の違いを吸収する場
合を説明した。これに対し、本実施の形態では、ウェー
ハ出し入れ口１３６，１３７の向きを適宜設定すること
により、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によるウェー
ハ載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向の違い
を吸収するようにしたものである。

【０１４２】これを実現するために、本実施の形態で
は、図９に示すように、支柱１３３（２）の位置が支柱
１３３（４）側に偏移させられるようになっている。但
し、この場合、先の実施の形態と異なり、支柱１３３
（２）の溝１３４（２）の深さは、他の支柱１３３
（１），１３３（３），１３３（４）の溝１３４
（１），１３４（２），１３４（４）の深さと同じ深さ
に設定されている。

【０１４３】なお、図９は、ウェーハ載置棚１３（１）
の構成を代表として示すものである。ウェーハ載置棚１
３（２）の場合は、支柱１３３（１）が支柱１３３
（３）側に偏移させられる。

【０１４４】［２−２］効果 （１）本実施の形態によれば、処理部側ウェーハ出し入
れ口１３７がウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ
載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向に向けら
れる。これにより、先の実施の形態と同様に、簡単な構
成により、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によるウェ
ーハ載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向の違
いを吸収することができる。

【０１４５】（２）また、本実施の形態によれば、支柱
１３３（１），１３３（２），１３３（３），１３３
（４）の配設位置を適宜設定することにより、ウェーハ
出し入れ口１３６，１３７の向きが適宜設定される。こ
れにより、簡単な構成により、ウェーハ出し入れ口１３
６，１３７の向きを適宜設定することができる。

【０１４６】［３］第３の実施の形態 ［３−１］構成 図１０は、本発明の第３の実施の形態の要部の構成を示
す図である。なお、図１０において、先の図７とほぼ同
一機能を果たす部分には、同一符号を付す。

【０１４７】先の実施の形態では、ウェーハ出し入れ口
１３６，１３７の位置または向きを適宜設定することに
より、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によるウェーハ
載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向の違いを
吸収する場合を説明した。これに対し、本実施の形態で
は、ウェーハ出し入れ口１３６，１３７の幅を適宜設定
することにより、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によ
るウェーハ載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方
向の違いを吸収するようにしたものである。

【０１４８】これを実現するために、本実施の形態で
は、図１０に示すように、支柱１３３（２），支柱１３
３（４）を一体化するようになっている。なお、図１０
では、一体化した支柱に符号１３３（２）を付す。この
場合、支柱１３３（２）は、例えば、直線Ｌ３上に配設
される。

【０１４９】なお、図１０は、ウェーハ載置棚１３
（１）の構成を代表として示すものである。ウェーハ載
置棚１３（２）の場合は、支柱１３３（１）が支柱１３
３（３）と一体化される。

【０１５０】［３−２］効果 （１）本実施の形態によれば、処理部側ウェーハ出し入
れ口１３７がウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ
載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向とは異な
る方向に向けられる。しかし、この場合、処理部側ウェ
ーハ出し入れ口１３７の幅Ｗ２が拡大される。これによ
り、先の実施の形態と同様に、簡単な構成により、ウェ
ーハ搬送ロボット１５，３４によるウェーハ載置棚１３
（１），１３（２）のアクセス方向の違いを吸収するこ
とができる。これは、搬送部側ウェーハ出し入れ口１３
６についても同様である。

【０１５１】（２）また、本実施の形態によれば、支柱
１３３（１），１３３（２），１３３（３）の配設位置
を適宜設定することにより、ウェーハ出し入れ口１３
６，１３７の幅が適宜設定される。これにより、簡単な
構成により、ウェーハ出し入れ口１３６，１３７の幅を
適宜設定することができる。

【０１５２】［４］第４の実施の形態 ［４−１］構成 図１１は、本発明の第４の実施の形態の要部の構成を示
す図である。なお、図１１において、先の図２とほぼ同
一機能を果たす部分には、同一符号を付す。

【０１５３】先の第１〜第３の実施の形態では、ウェー
ハ待出し入れ口１３６，１３７の位置、向き、幅を適宜
設定することにより、ウェーハ搬送ロボット１５，３４
によるウェーハ載置棚１３（１），１３（２）のアクセ
ス方向の違いを吸収する場合を説明した。これに対し、
本実施の形態では、ウェーハ待機棚１３（１），１３
（２）を回転駆動することにより、この違いを吸収する
ようにしたものである。

【０１５４】これを実現するために、本実施の形態で
は、図１１に示すように、ウェーハ載置棚１３（１），
１３（２）を回転板６１に載置するようにしたものであ
る。この回転板６１は、回転駆動部６２により回転軸６
３の周りに回転駆動される。この回転軸６３は、鉛直方
向に延在するように設定されている。また、この回転軸
６３は、天板１３２の中心Ｏ３を通るように設定されて
いる。

【０１５５】［４−２］動作 このような構成では、ウェーハ搬送ロボット３４により
ウェーハ載置棚１３（１），１３（２）をアクセスする
場合は、このウェーハ載置棚１３（１），１３（２）
は、図１２（ａ）に示すように、搬送部側ウェーハ出し
入れ口１３６がウェーハ搬送ロボット３４によるアクセ
ス方向を向くように回転駆動される。

【０１５６】これに対し、ウェーハ搬送ロボット１５に
よりアクセスする場合は、ウェーハ載置棚１３（１），
１３（２）は、図１２（ｂ）に示すように、処理部側ウ
ェーハ出し入れ口１３７がウェーハ搬送ロボット１５に
よるアクセス方向を向くように回転駆動される。なお、
図１２には、ウェーハ載置棚１３（１）をアクセスする
場合を代表として示す。

【０１５７】［４−３］効果 （１）本実施の形態によれば、ウェーハ載置棚１３
（１），１３（２）として、ウェーハ搬送ロボット１
５，３４によるアクセス方向が同じ場合に用いられるウ
ェーハ載置棚を用いることができる。これにより、図１
３に示すように、支柱１３３（１），１３３（２），１
３３（３），１３３（４）の形状（溝１３４（１），１
３４（２），１３４（３），１３４（４）の深さ等）を
統一することができる。また、支柱１３３（１），１３
３（２），１３３（３），１３３（４）を対称に配置す
ることができる。その結果、ウェーハ載置棚１３
（１），１３（２）を簡単に製造することができる。

【０１５８】（２）また、このような構成によれば、図
１４に示すように、ウェーハ載置棚１３（１），１３
（２）として、２枚の板状の支柱１３８（１），１３８
（２）を有するウェーハ載置棚を用いることができる。
これにより、ウェーハ５１を安定に保持することができ
る。

【０１５９】なお、支柱１３８（１），１３８（２）
は、平行に、かつ、中心線Ｌ２に対し、線対称に配設さ
れている。また、この支柱１３８（１），１３８（２）
は、中心線Ｌ３上に配設されている。また、ウェーハ５
１を保持するための溝１３９（１），１３９（２）は、
中心線Ｌ２に沿って形成される。

【０１６０】（３）また、本実施の形態によれば、図１
５に示すように、結果的に、ウェーハ搬送ロボット１
５，３４によるウェーハ載置棚１３（１），１３（２）
のアクセス方向を合わせることができる。これにより、
反応室１１（１），１１（２）におけるウェーハ５１の
結晶方向を所望の方向に設定することができる。その結
果、この結晶方向が所望の方向からずれることによる成
膜特性の低下を防止することができる。

【０１６１】すなわち、ウェーハ５１には、結晶方向が
ある。この結晶方向が所望の方向からずれていると、反
応室１１（１），１１（２）の内部の高温下で成膜処理
を行う場合、ウェーハ５１に反りが生じる。これによ
り、ウェーハ５１の成膜特性が低下する。そこで、ウェ
ーハ５１に成膜処理を施す場合は、その結晶方向を所望
の方向に合わせる必要がある。

【０１６２】しかしながら、先の第１〜第３の実施の形
態では、ウェーハ搬送ロボット１５，３４によるウェー
ハ載置棚１３（１），１３（２）のアクセス方向を一致
させることができなかった。これにより、これらの実施
の形態では、反応室１１（１），１１（２）に搬送され
たウェーハ５１の結晶方向を所望の方向に設定すること
ができなかった。

【０１６３】図１６は、この様子を示す図である。な
お、図には、ウェーハ待機室と反応室として、ウェーハ
待機室１２（１）と反応室１１（１）を代表として示
す。

【０１６４】図において、５３は、ノッチまたはオリフ
ラと呼ばれる切欠きを示す。この切欠き５３は、ウェー
ハ５１の結晶方向を示すために、ウェーハ５１に形成さ
れている。Ｌ５は、切欠き５３を通るウェ０は５１の直
径を示す。また、Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８は、それぞれ、カセ
ット５２、ウェーハ待機室１２（１）、反応室１１
（１）の中心線を示す。この中心線Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８
は、カセット５２、ウェーハ待機室１２（１）、反応室
１１（１）に収容されたウェーハ５１の中心Ｏ６，Ｏ
３，Ｏ１を通り、カセット５２、ウェーハ待機室１２
（１）、反応室１１（１）を２等分する線である。

【０１６５】図１６（ａ）は、ウェーハ５１がカセット
５２に収容されている状態を示し、同図（ｂ）は、ウェ
ーハ５１がウェーハ待機室１２（１）に搬送された状態
を示し、同図（ｃ）は、ウェーハ５１が反応室１１
（１）に搬送された状態を示す。

【０１６６】今、反応室１１（１）におけるウェーハ５
１の結晶方向を、その直径Ｌ５が反応室１１（１）の中
心線Ｌ８に沿うような方向に設定するものとする。ま
た、ウェーハ５１は、カセット５２に対して、図１６
（ａ）に示すように、直径Ｌ５が中心線Ｌ６に沿うよう
に収容されているものとする。

【０１６７】ここで、ウェーハ搬送ロボット３４による
カセット５２とウェーハ待機室１２（１）のアクセス角
度は同じである。図示の例の場合、このアクセス角度は
９０度である。これにより、ウェーハ待機室１２（１）
に搬送されたウェーハ５１の直径Ｌ５は、図１６（ｂ）
に示すように、ウェーハ待機１２（１）の中心線Ｌ６に
沿うようになる。

【０１６８】しかしながら、ウェーハ搬送ロボット１
５，３４によるウェーハ待機室１２（１）のアクセス方
向は異なる。これにより、反応室１１に搬送された「ウ
ェーハ５１の直径Ｌ５は、図１６（ｃ）に示すように、
その中心線Ｌ８に対して傾く。この傾きの角度は、ウェ
ーハ待機室１２（１）の中心線Ｌ７に対するウェーハ搬
送ロボット１５のアクセス方向の傾きの角度θに等し
い。その結果、反応室１１（１）におけるウェーハ５１
の結晶方向が所望の方向からずれる。これにより、ウェ
ーハ５１に反りが発生し、成膜特性が低下する。

【０１６９】この問題を解決するためには、例えば、次
のような４つの構成が考えられる。 （Ａ）ウェーハ搬送ロボット３４によってウェーハ５１
をウェーハ待機室１２（１）に搬入する場合、斜めに偏
芯させて搬入する構成 （Ｂ）図１７（ａ）に示すように、ウェーハ搬送ロボッ
ト３４によるウェーハ待機室１２（１）のアクセス方向
をウェーハ搬送ロボット１５によるウェーハ待機室１２
（１）のアクセス方向に一致させる構成 （Ｃ）図１７（ｂ）に示すように、ウェーハ搬送ロボッ
ト１５による反応室１１（１）のアクセス角度をこのロ
ボット１５によるウェーハ待機室１２（１）のアクセス
角度（θ）に一致させる構成 （Ｄ）図１７（ｃ）に示すように、ウェーハ搬送ロボッ
ト１５によるウェーハ待機室１２（１）の搬送方向をウ
ェーハ搬送ロボット３４によるウェーハ待機室１２
（１）のアクセス方向に一致させる構成

【０１７０】（Ａ）の構成の場合、ウェーハ待機室１２
（１）におけるウェーハ５１の向きを変えることができ
る。これにより、反応室１１（１）に搬送されたウェー
ハ５１の結晶方向を所望の方向に合わせることができ
る。

【０１７１】しかしながら、この構成では、ロボットア
ーム３４１の動作が複雑となる。その結果、ロボットア
ーム３４１の制御が難しくなる。仮に、この制御が可能
となったとしても、装置の製造経費の上昇、装置の信頼
度の低下といった問題が生じる。

【０１７２】また、（Ｂ）の構成の場合、ウェーハ搬送
ロボット１５，３４によるウェーハ待機室１２（１）の
アクセス方向を一致させることができる。これにより、
反応室１１（１）に搬送されたウェーハ５１の結晶方向
を所望の方向に合わせることができる。

【０１７３】しかしながら、この構成の場合、ウェーハ
搬送ロボット３４によるカセット５２のアクセス角度と
ウェーハ待機室１２（１）のアクセス角度が異なる。こ
れにより、このロボット３４の制御が煩雑になるという
問題が生じる。

【０１７４】これに対し、（Ｃ），（Ｄ）の構成の場
合、（Ａ），（Ｂ）の構成のような問題は生じない。し
かしながら、この構成の場合、反応室１１（１）の向き
を変更しなければならない。これにより、既存のＣＶＤ
装置を利用することができないという問題が生じる。

【０１７５】これに対し、本実施の形態では、ウェーハ
載置棚１３（１）が回転駆動される。これにより、ウェ
ーハ搬送ロボット１５，３４によるウェーハ待機室１２
（１）のアクセス方向を合わせることができる。これに
より、既存のＣＶＤ装置を利用して、反応室１１（１）
に搬送されたウェーハ５１の結晶方向を所望の方向に合
わせることができる。

【０１７６】図１８は、この様子を示す図である。ここ
で、図１８（ａ）は、ウェーハ５１がカセット５２に収
容されている状態を示し、同図（ｂ）は、ウェーハ５１
がウェーハ待機室１２（１）に搬送された状態を示し、
同図（ｃ）は、ウェーハ載置棚１３（１）が回転駆動さ
れた状態を示し、同図（ｄ）は、ウェーハ５１が反応室
１１（１）に搬送された状態を示す。

【０１７７】図１８（ｃ）に示すごとく、本実施の形態
では、ウェーハ載置台１３（１）が回転駆動されること
により、ウェーハ５１の直径Ｌ５がウェーハ搬送ロボッ
ト１５によるウェーハ待機室１２（１）のアクセス方向
に向けられる。これにより、反応室１１（１）に搬送さ
れたウェーハ３１の直径Ｌ４が反応室１１（１）の中心
線Ｌ８に合わせられる。その結果、ウェーハ５１の結晶
方向が所望の方向に合わせられる。

【０１７８】［５］そのほかの実施の形態 以上、本発明の４つの実施の形態を詳細に説明したが、
本発明は、上述したような実施の形態に限定されるもの
ではない。

【０１７９】（１）例えば、先の実施の形態では、ウェ
ーハ載置棚として、複数のウェーハ５１を載置可能なウ
ェーハ載置棚１３（１），１３（２）を用いる場合を説
明した。しかしながら、本発明は、１枚のウェーハ５１
のみを載置可能なウェーハ載置棚を用いるようにしても
よい。

【０１８０】このような構成においても、カセット５２
から反応室１１（１），１１（２）に向かうウェーハ搬
送処理、または、この逆のウェーハ搬送処理のいずれか
一方において、このウェーハ搬送処理に含まれる２つの
ウェーハ搬送処理を独立に行うことができる。その結
果、ＣＶＤ装置のスループットを向上させることができ
る。

【０１８１】（２）また、先の実施の形態では、本発明
を、ウェーハ成膜部１０がウェーハ待機室１２（１），
１２（２）とウェーハ搬送室１４とを有するようなＣＶ
Ｄ装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発
明は、ウェーハ待機室１２（１），１２（２）とウェー
ハ搬送室１４とを有しないＣＶＤ装置にも適用すること
ができる。すなわち、カセット５２と反応室１１
（１），１１（２）との間で、直接ウェーハ５１を搬送
するＣＶＤ装置にも適用することができる。

【０１８２】（３）また、先の実施の形態では、本発明
を枚葉クラスタ式のＣＶＤ装置に適用する場合を説明し
た。しかしながら、本発明はこれ以外の方式のＣＶＤ装
置にも適用することができる。例えば、本発明は、バッ
チ式のＣＶＤ装置にも適用することができる。

【０１８３】（４）また、先の実施の形態では、本発明
をＣＶＤ装置に適用する場合を説明した。しかしなが
ら、本発明は、ＣＶＤ装置以外のウェーハ処理装置にも
適用することができる。例えば、本発明は、ウェーハエ
ッチング装置にも適用することができる。

【０１８４】（５）また、先の実施の形態では、本発明
を、半導体デバイスのウェーハを処理するウェーハ処理
装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明
は、半導体デバイス以外の固体デバイスの基板を処理す
る基板処理装置にも適用することができる。例えば、本
発明は、液晶表示デバイスのガラス基板を処理するガラ
ス基板処理装置にも適用することができる。

【０１８５】（６）このほかにも、本発明は、その要旨
を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論
である。

【０１８６】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１，１４記載
の基板処理装置によれば、基板の投入位置と基板処理部
との間で基板を搬送する場合、基板は不活性ガスにより
浄化された密閉空間を介して搬送される。これにより、
装置内搬送期間に基板が自然酸化膜等により汚染されて
しまうことを防止することができる。

【０１８７】請求項２記載の基板処理装置によれば、請
求項１記載の装置において、基板保持手段が搬送部側基
板搬送処理と処理部側基板搬送処理との緩衝機構をな
す。これにより、２つの搬送処理の独立性を実現するこ
とができる。その結果、基板処理装置のスループットを
向上させることができる。

【０１８８】請求項３記載の基板処理装置によれば、請
求項２記載の装置において、基板保持手段が複数の基板
を保持することができる。これにより、上記２つの搬送
処理の独立性を高めることができる。

【０１８９】請求項４記載の基板処理装置によれば、請
求項２記載の装置において、基板保持手段が基板載置棚
によって構成される。これにより、基板保持手段を簡単
に製造することができる。

【０１９０】請求項５記載の基板処理装置によれば、請
求項４記載の装置において、基板載置棚が、基板出し入
れ口として、搬送部側基板出し入れ口と、処理部側基板
出し入れ口とを有する。これにより、搬送部側基板搬送
手段と処理部側基板搬送手段による基板載置棚のアクセ
スが同時発生した場合でも、この競合を調整する必要が
ない。その結果、基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。

【０１９１】請求項６，７，８記載の基板処理装置によ
れば、請求項５記載の装置において、搬送部側基板出し
入れ口と処理部側基板出し入れ口の位置、向き、幅を適
宜設定することにより、搬送部側基板搬送手段と処理部
側基板搬送手段による基板載置棚のアクセス方向の違い
が吸収される。これにより、簡単な構成により、アクセ
ス方向の違いを吸収することができる。

【０１９２】請求項９，１０，１１記載の基板処理装置
によれば、それぞれ請求項６，７，８記載の装置におい
て、基板載置棚が、基板の周縁部が挿入される溝を有す
る複数の支柱を使って基板を保持するように構成され
る。また、搬送部側基板出し入れ口と処理部側基板出し
入れ口の位置、向き、幅が、深さが溝の深さ、支柱の配
節位置を適宜設定することにより適宜設定される。これ
により、簡単な構成により、搬送部側基板出し入れ口と
処理部側基板出し入れ口の位置、向き，幅を適宜設定す
ることができる。

【０１９３】請求項１２記載の基板処理装置によれば、
請求項５記載の装置において、基板載置棚を回転駆動す
る回転駆動手段が設けられる。これにより、基板載置棚
として、搬送部側基板搬送手段と処理部側基板搬送手段
による基板載置棚のアクセス方向が同じ場合に用いられ
る基板載置棚を用いることができる。その結果、基板載
置棚を容易に製造することができる。

【０１９４】また、基板載置棚として、２枚の板状の支
柱を有する基板載置棚を用いることができる。これによ
り、基板を安定に保持することができる。

【０１９５】また、結果的に、搬送部側基板搬送手段と
処理部側基板搬送手段による基板載置棚のアクセス方向
を合わせることができる。これにより、基板処理空間に
おける基板の結晶方向を所望の方向に設定することがで
きる。その結果、この結晶方向が所望の方向からずれる
ことによる基板処理特性の低下を防止することができ
る。

【０１９６】請求項１３記載の基板処理装置によれば、
請求項１記載の装置において、搬送部側基板搬送空間の
酸素濃度が規定値未満の場合だけ、不活性ガスの供給処
理が実行される。これにより、常時、不活性ガスを供給
する構成に比べ、不可性ガスの消費量を少なくすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す平面図
である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の構成を示す側面図
である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の構成を示す斜視図
である。

【図４】本発明の第１の実施の形態におけるウェーハの
移動軌跡等を示す図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の動作を説明するた
めのシーケンス図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態のウェーハ載置棚の
構成を示す図である。

【図７】本発明の第１の実施の形態のウェーハ載置棚の
構成を示す断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態のウェーハ載置棚の
効果を説明するための図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態の要部の構成を示す
断面図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態の要部の構成を示
す断面図である。

【図１１】本発明の第４の実施の形態の構成を示す側面
図である。

【図１２】本発明の第４の実施の形態の動作を説明する
ための図である。

【図１３】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【図１４】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【図１５】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【図１６】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【図１７】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【図１８】本発明の第４の実施の形態の効果を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１０…ウェーハ成膜部、１１（１），１１（２）…反応
室、１２（１），１２（２）…ウェーハ待機室、１３
（１），１３（２）…ウェーハ載置台、１３１…底板、
１３２…天板、１３３（１），１３３（２），１３３
（３），１３３（４）…支柱、１３４（１），１３４
（２），１３４（３），１３４（４）…溝、１３５
（１），１３５（２），１３５（３），１３５（４）…
底板、１３６…搬送部側ウェーハ出し入れ口、１３７…
処理部側ウェーハ出し入れ口、１３８（１），１３８
（２）…支柱、１３９（１），１３９（２）…溝、支柱
１４…成膜部側ウェーハ搬送室、１５…成膜部側ウェー
ハ搬送ロボット、１５１…ロボットアーム、１５２…駆
動部、１６（１），１６（２），１７（１），１７
（２）…ゲートバルブ、１８…筐体、３０…ウェーハ成
膜部、３１（１），３１（２），３１（３），３１
（４）…ウェーハ載置台、３２（１），３２（２），３
２（３），３２（４）…ウェーハ搬送室、３２１
（１），３２１（２），３２１（３），３２１（４）…
開閉機構収容部、３２２…ロボット収容部、３２３…雰
囲気排出口、３２４…不活性ガス供給口、３３（１），
３３（２），３３（３），３３（４）…蓋開閉機構、３
４…搬送部側ウェーハ搬送ロボット、３４１…ロボット
アーム、３４２…駆動部、３５…真空排気ライン、３６
…不活性ガス供給ライン、３７…酸素濃度検出計、３８
…制御部、３９（１），３９（２）…ゲートバルブ、４
０…移動台、４１（１），４１（２）…レール、５１…
ウェーハ、５２…カセット、５２１…ウェーハ収容体、
５２２…蓋、６１…回転板、６２…駆動部、６３…回転
軸。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 健 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所内 Ｆターム(参考） 5F031 BB01 BB05 CC01 CC12 CC63 GG15 HH05 KK06 KK07 LL03 LL05

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 前部に基板出し入れ口が設けられた基板
   収容部と、前記基板出し入れ口を塞ぐ蓋とを有する密閉
   構造の基板収容体に収容された状態で投入される基板に
   所定の処理を施す基板処理装置において、 前記基板が投入される基板投入位置とは異なる位置に設
   けられ、前記基板に前記所定の処理を施す基板処理部
   と、 前記基板投入位置と前記基板処理部との間で前記基板を
   搬送する基板搬送部とを備え、 前記基板搬送部が、 前記基板投入位置で、前記基板収容体を保持する基板収
   容体保持手段と、 この基板収容体保持手段に保持されている前記基板収容
   体と前記基板処理部との間で前記基板を搬送するための
   密閉された搬送部側基板搬送空間を提供する搬送部側基
   板搬送空間提供手段と、 前記基板収容体保持手段に保持されている前記基板収容
   体と前記基板処理部との間で前記基板を搬送する場合
   に、前記搬送部側基板搬送空間を不活性ガスで浄化する
   浄化手段と、 前記搬送部側基板搬送空間に配設され、この搬送部側基
   板搬送空間が前記浄化手段によって浄化された状態で、
   前記基板収容体保持手段に保持されている前記基板収容
   体の蓋を開閉する蓋開閉手段と、 前記搬送部側基板搬送空間に配設され、前記蓋開閉手段
   によって前記蓋が開かれた前記基板収容体と前記基板処
   理部との間で前記基板を搬送する搬送部側基板搬送手段
   とを有することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記基板処理部が、 前記基板に前記所定の処理を施すための密閉された基板
   処理空間を提供する基板処理空間提供手段と、 前記基板を一時的に待機させるための密閉された基板待
   機空間を提供する基板待機空間提供手段と、 前記基板待機空間と前記基板処理空間との間で前記基板
   を搬送するための密閉された処理部側基板搬送空間を提
   供する処理部側基板搬送空間提供手段と、 前記処理部側基板搬送空間に配設され、前記基板待機空
   間と前記基板処理空間との間で前記基板を搬送する処理
   部側基板搬送手段と、 前記基板待機空間に配設され、この基板待機空間に搬入
   される前記基板を保持する基板保持手段とを有すること
   を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記基板保持手段が複数の基板を保持可
   能なように構成されていることを特徴とする請求項２記
   載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記基板保持手段が、前記基板の出し入
   れが行われる基板出し入れ口を有する基板載置棚である
   ことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記基板載置棚が、前記基板出し入れ口
   として、 前記搬送部側基板搬送手段によって前記基板の出し入れ
   が行われる搬送部側基板出し入れ口と、 前記処理部側基板搬送手段によって前記基板の出し入れ
   が行われる処理部側基板出し入れ口とを有するように構
   成されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理
   装置。
6. 【請求項６】 前記搬送部側基板搬送手段と前記処理部
   側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセス方向が
   異なり、 前記基板載置棚が、前記搬送部側基板出し入れ口と前記
   処理部側基板出し入れ口の位置を適宜設定することによ
   り前記アクセス方向の違いを吸収するように構成されて
   いることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記搬送部側基板搬送手段と前記処理部
   側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセス方向が
   異なり、 前記基板載置棚が、前記搬送部側基板出し入れ口と前記
   処理部側基板出し入れ口の向きを適宜設定することによ
   り前記アクセス方向の違いを吸収するように構成されて
   いることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記搬送部側基板搬送手段と前記処理部
   側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセス方向が
   異なり、 前記基板載置棚が、前記搬送部側基板出し入れ口と前記
   処理部側基板出し入れ口の幅を適宜設定することにより
   前記アクセス方向の違いを吸収するように構成されてい
   ることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記基板載置棚が、前記基板の周縁部が
   挿入される溝を有する複数の支柱によって前記基板を保
   持するように構成され、 この基板載置棚の前記搬送部側基板出し入れ口と前記処
   理部側基板出し入れ口がそれぞれ前記複数の支柱のうち
   の隣接する２つの支柱の間に設定され、 前記搬送部側基板出し入れ口と前記処理部側基板出し入
   れ口の位置が、前記溝の深さを適宜設定することにより
   適宜設定されていることを特徴とする請求項６記載の基
   板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記基板載置棚が、前記基板の周縁部
    が挿入される溝を有する複数の支柱によって前記基板を
    保持するように構成され、 この基板載置棚の前記搬送部側基板出し入れ口と前記処
    理部側基板出し入れ口とがそれぞれ前記複数の支柱のう
    ちの隣接する２つの支柱の間に設定され、 前記搬送部側基板出し入れ口と前記処理部側基板出し入
    れ口の向きが、前記複数の支柱の配設位置を適宜設定す
    ることにより適宜設定されていることを特徴とする請求
    項７記載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記基板載置棚が、前記基板の周縁部
    が挿入される溝を有する複数の支柱によって前記基板を
    保持するように構成され、 前記搬送部側基板出し入れ口と前記処理部側基板出し入
    れ口とがそれぞれ前記複数の支柱のうちの隣接する２つ
    の支柱の間に設定され、 前記搬送部側基板出し入れ口と前記処理部側基板出し入
    れ口の幅が、前記支柱の配設位置を適宜設定することに
    より適宜設定されていることを特徴とする請求項８記載
    の基板処理装置。
12. 【請求項１２】 前記搬送部側基板搬送手段と前記処理
    部側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセス方向
    が異なる方向に設定され、 前記基板載置棚を回転駆動する回転駆動手段をさらに有
    し、 この回転駆動手段が、 前記基板載置棚が前記搬送部側基板搬送手段によってア
    クセスされる場合は、前記搬送部側基板出し入れ口が前
    記搬送部側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセ
    ス方向を向くように、前記基板載置棚を回転駆動し、 前記基板載置棚が前記処理部側基板搬送手段によってア
    クセスされる場合は、前記処理部側基板出し入れ口が前
    記処理部側基板搬送手段による前記基板載置棚のアクセ
    ス方向を向くように、前記基板載置棚を回転駆動するよ
    うに構成されていることを特徴とする請求項５記載の基
    板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記浄化手段が、 前記搬送部側基板搬送空間の雰囲気を排出する真空排気
    手段と、 前記搬送部側基板搬送空間に不活性ガスを供給する不活
    性ガス供給手段と、 前記搬送部側基板搬送空間の酸素濃度を検出する酸素濃
    度検出手段と、 この酸素濃度検出手段によって検出された酸素濃度が規
    定値以上の場合は、前記不活性ガスの供給処理が実行さ
    れ、規定値未満の場合は、この供給処理が停止されるよ
    うに、前記不活性ガス供給手段の動作を制御する制御手
    段とを有することを特徴とする請求項１記載の基板処理
    処理装置。
14. 【請求項１４】 前部に基板出し入れ口を有する基板収
    容部と、前記基板出し入れ口を塞ぐ蓋とを有する密閉構
    造の基板収容体に収容された状態で投入される基板に所
    定の処理を施す基板処理方法において、 前記基板が投入される基板投入位置と、この基板投入位
    置とは異なる位置に設けられ前記基板に前記所定の処理
    を施す基板処理部との間で前記基板を搬送する場合、不
    活性ガスで浄化された密閉空間を介して搬送するように
    したことを特徴とする基板処理方法。