JP2000058470A - 光照射式加熱装置のガードリング - Google Patents
光照射式加熱装置のガードリングInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】温度制御が容易であって基板の温度変化に対す
る追従性が良くて基板の温度分布を均一にすることがで
き、加工も容易な光照射式加熱装置のガードリングを提
供する。 【解決手段】基板Ｗを取り囲むように保持するととも
に、自らも光照射によって高温となり基板の外周縁Ｗａ
を補助的に放射加熱するガードリング１０を、基板の厚
さと同等の高さを有する円周状の基板周縁対面部１２
と、基板とほぼ同じ厚さであって単位面積当りの熱容量
が基板とほぼ等しい円環状の本体部１１と、基板周縁対
面部の下端から中心方向に向けて伸びる表面１３ａがテ
ーパー状をなし、基板が載置される円環状の基板支承部
１３で構成する。
る追従性が良くて基板の温度分布を均一にすることがで
き、加工も容易な光照射式加熱装置のガードリングを提
供する。 【解決手段】基板Ｗを取り囲むように保持するととも
に、自らも光照射によって高温となり基板の外周縁Ｗａ
を補助的に放射加熱するガードリング１０を、基板の厚
さと同等の高さを有する円周状の基板周縁対面部１２
と、基板とほぼ同じ厚さであって単位面積当りの熱容量
が基板とほぼ等しい円環状の本体部１１と、基板周縁対
面部の下端から中心方向に向けて伸びる表面１３ａがテ
ーパー状をなし、基板が載置される円環状の基板支承部
１３で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
の円盤状の基板を光照射式加熱装置によって急速加熱し
て処理する際に、基板を水平姿勢に保持するとともに、
基板の外周縁を補助的に放射加熱するガードリングに関
するものである。
の円盤状の基板を光照射式加熱装置によって急速加熱し
て処理する際に、基板を水平姿勢に保持するとともに、
基板の外周縁を補助的に放射加熱するガードリングに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】円盤状の基板、例えば半導体ウエハは、
成膜や拡散、あるいはアニールなどのために急速加熱・
高温保持・急速冷却の熱処理を行うが、光照射式の加熱
装置を使用すると、数秒間で１０００℃以上に昇温する
ことができ、光照射を停止すれば急速に冷却することが
できる。ところで、半導体ウエハの面上を均一に光照射
しても、半導体ウエハの外周縁からの熱放射などのため
に、中央部よりも周辺部の方が温度が低くなる。例え
ば、半導体ウエハの中央部の温度が１１００℃の場合、
周辺部の温度はこれより３０℃程度低くなる。このよう
に、半導体ウエハの中央部と周辺部に温度差ができて温
度分布が不均一になると、スリップと呼ばれる結晶移転
の欠陥が発生し、不良品となることがある。
成膜や拡散、あるいはアニールなどのために急速加熱・
高温保持・急速冷却の熱処理を行うが、光照射式の加熱
装置を使用すると、数秒間で１０００℃以上に昇温する
ことができ、光照射を停止すれば急速に冷却することが
できる。ところで、半導体ウエハの面上を均一に光照射
しても、半導体ウエハの外周縁からの熱放射などのため
に、中央部よりも周辺部の方が温度が低くなる。例え
ば、半導体ウエハの中央部の温度が１１００℃の場合、
周辺部の温度はこれより３０℃程度低くなる。このよう
に、半導体ウエハの中央部と周辺部に温度差ができて温
度分布が不均一になると、スリップと呼ばれる結晶移転
の欠陥が発生し、不良品となることがある。
【０００３】半導体ウエハにスリップが発生しないよう
に、半導体ウエハを急速加熱・高温保持・急速冷却の熱
処理を行う際に半導体ウエハの中央部と周辺部の間での
温度差の発生を防止する方策として、ガードリングが使
用される。ガードリングは、モリブデンやタングステ
ン、タンタルのような高融点金属材料やシリコンカーバ
イドなどのセラミック材料からなる薄板の環状体であ
り、その円形開口部の内周部に半導体ウエハ支承部が形
成されている。そして、このガードリングは半導体ウエ
ハを取り囲むように配置され、つまり、円環状のガード
リングの円形開口部に半導体ウエハを填め込むように配
置され、支承部で半導体ウエハを支承するが、自らも光
照射によって高温となり対面する半導体ウエハの外周縁
を補助的に放射加熱し、半導体ウエハの外周縁からの熱
放射を補償する。これによって、半導体ウエハの中央部
と周辺部の間で温度差が少なくなり、温度分布がほぼ均
一になってスリップの発生が防止される。かかるガード
リングは、例えば、特開平９−２２８７９号公報に開示
されている。
に、半導体ウエハを急速加熱・高温保持・急速冷却の熱
処理を行う際に半導体ウエハの中央部と周辺部の間での
温度差の発生を防止する方策として、ガードリングが使
用される。ガードリングは、モリブデンやタングステ
ン、タンタルのような高融点金属材料やシリコンカーバ
イドなどのセラミック材料からなる薄板の環状体であ
り、その円形開口部の内周部に半導体ウエハ支承部が形
成されている。そして、このガードリングは半導体ウエ
ハを取り囲むように配置され、つまり、円環状のガード
リングの円形開口部に半導体ウエハを填め込むように配
置され、支承部で半導体ウエハを支承するが、自らも光
照射によって高温となり対面する半導体ウエハの外周縁
を補助的に放射加熱し、半導体ウエハの外周縁からの熱
放射を補償する。これによって、半導体ウエハの中央部
と周辺部の間で温度差が少なくなり、温度分布がほぼ均
一になってスリップの発生が防止される。かかるガード
リングは、例えば、特開平９−２２８７９号公報に開示
されている。
【０００４】このように、円環状のガードリングは、そ
の円形開口部に半導体ウエハを填め込むように配置さ
れ、自らも光照射を受けて高温となり、これによって半
導体ウエハの外周縁からの熱放射を補償するので、過不
足なく補償して半導体ウエハの中央部と周辺部の間で温
度差を無くするには、ガードリングは、擬似半導体ウエ
ハであって、半導体ウエハの外延部と見做すことができ
る状態が望ましい。つまり、ガードリングの円形開口部
の内周縁の高さが、対面する半導体ウエハの外周縁の高
さと同等であり、厚さも半導体ウエハの厚さと同等であ
って、単位面積当りの熱容量も半導体ウエハの単位面積
当りの熱容量と同等ににするのが好ましい。かかるガー
ドリングを使用すると、光照射時に、ガードリングの温
度変化を半導体ウエハの温度変化に正確に追従させるこ
とができる。従って、半導体ウエハの外周縁からの熱放
射を過不足なく補償することができ、均一な温度分布を
得ることができる。
の円形開口部に半導体ウエハを填め込むように配置さ
れ、自らも光照射を受けて高温となり、これによって半
導体ウエハの外周縁からの熱放射を補償するので、過不
足なく補償して半導体ウエハの中央部と周辺部の間で温
度差を無くするには、ガードリングは、擬似半導体ウエ
ハであって、半導体ウエハの外延部と見做すことができ
る状態が望ましい。つまり、ガードリングの円形開口部
の内周縁の高さが、対面する半導体ウエハの外周縁の高
さと同等であり、厚さも半導体ウエハの厚さと同等であ
って、単位面積当りの熱容量も半導体ウエハの単位面積
当りの熱容量と同等ににするのが好ましい。かかるガー
ドリングを使用すると、光照射時に、ガードリングの温
度変化を半導体ウエハの温度変化に正確に追従させるこ
とができる。従って、半導体ウエハの外周縁からの熱放
射を過不足なく補償することができ、均一な温度分布を
得ることができる。
【０００５】もし、ガードリングの単位面積当りの熱容
量が大きいと、ガードリングの温度上昇が遅れ、温度上
昇時における半導体ウエハの外周縁からの熱放射に対す
る補償量が少なくなって、半導体ウエハの温度分布を均
一にすることができない。また、光照射を中止した降温
時においては、ガードリングの温度降下が遅れ、半導体
ウエハの外周縁からの熱放射に対して過大に補償し、こ
の場合も半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
きない。ガードリングの単位面積当りの熱容量が小さい
と、これと逆の現象が起り、同様に半導体ウエハの温度
分布を均一にすることができない。
量が大きいと、ガードリングの温度上昇が遅れ、温度上
昇時における半導体ウエハの外周縁からの熱放射に対す
る補償量が少なくなって、半導体ウエハの温度分布を均
一にすることができない。また、光照射を中止した降温
時においては、ガードリングの温度降下が遅れ、半導体
ウエハの外周縁からの熱放射に対して過大に補償し、こ
の場合も半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
きない。ガードリングの単位面積当りの熱容量が小さい
と、これと逆の現象が起り、同様に半導体ウエハの温度
分布を均一にすることができない。
【０００６】ガードリングの円形開口部に半導体ウエハ
を填め込むので、填め込む際の作業性や半導体ウエハの
外径寸法のバラツキ、更には、ガードリングと半導体ウ
エハの熱膨張の差などから、ガードリングの円形開口部
の内周縁と半導体ウエハの外周縁の間に１ｍｍ程度のク
リアランスが必要になる。従って、半導体ウエハの下面
側から非接触式の放射温度計で半導体ウエハの温度を検
出する場合は、この隙間から光が入り込むと温度測定に
誤差が生じ、半導体ウエハの温度制御が困難になる。こ
のため、ガードリングの円形開口部の内周縁と半導体ウ
エハの外周縁の間の隙間から光が入り込まないようにす
る必要がある。
を填め込むので、填め込む際の作業性や半導体ウエハの
外径寸法のバラツキ、更には、ガードリングと半導体ウ
エハの熱膨張の差などから、ガードリングの円形開口部
の内周縁と半導体ウエハの外周縁の間に１ｍｍ程度のク
リアランスが必要になる。従って、半導体ウエハの下面
側から非接触式の放射温度計で半導体ウエハの温度を検
出する場合は、この隙間から光が入り込むと温度測定に
誤差が生じ、半導体ウエハの温度制御が困難になる。こ
のため、ガードリングの円形開口部の内周縁と半導体ウ
エハの外周縁の間の隙間から光が入り込まないようにす
る必要がある。
【０００７】ガードリングで半導体ウエハを支承すると
き、その接触面積をできるだけ小さくして、両者間の熱
伝導を少なくする必要がある。ガードリングの温度変化
が半導体ウエハの温度変化に正確に追従すると、接触面
積が大きくても熱伝導はあまり起らないが、実際には正
確に追従させることが難しく、接触面積が大きいと、ガ
ードリングと半導体ウエハの間で熱伝導による熱の移動
が起る。そして、熱伝導が起きると、半導体ウエハの温
度がガードリングの温度の影響を受け、半導体ウエハの
温度分布を予測する計算が非常に複雑になり、従って、
半導体ウエハの温度を均一にするための制御も複雑にな
る。熱伝導を防止できれば、熱の輻射のみを考慮するだ
けでよく、温度分布の予測および制御が容易になる。
き、その接触面積をできるだけ小さくして、両者間の熱
伝導を少なくする必要がある。ガードリングの温度変化
が半導体ウエハの温度変化に正確に追従すると、接触面
積が大きくても熱伝導はあまり起らないが、実際には正
確に追従させることが難しく、接触面積が大きいと、ガ
ードリングと半導体ウエハの間で熱伝導による熱の移動
が起る。そして、熱伝導が起きると、半導体ウエハの温
度がガードリングの温度の影響を受け、半導体ウエハの
温度分布を予測する計算が非常に複雑になり、従って、
半導体ウエハの温度を均一にするための制御も複雑にな
る。熱伝導を防止できれば、熱の輻射のみを考慮するだ
けでよく、温度分布の予測および制御が容易になる。
【０００８】ガードリングの材質は、耐熱性や耐酸化性
に優れ、熱伝導性が良いなどの特性が要求され、これら
の特性に合致するものとしてシリコンカーバイド（Ｓｉ
Ｃ）などのセラミックが考えられる。しかし、これらの
セラミックは精度の良い加工が難しく、複雑であった
り、薄い形状のものは製作が困難である。従って、加工
し易い形状であることが必要である。
に優れ、熱伝導性が良いなどの特性が要求され、これら
の特性に合致するものとしてシリコンカーバイド（Ｓｉ
Ｃ）などのセラミックが考えられる。しかし、これらの
セラミックは精度の良い加工が難しく、複雑であった
り、薄い形状のものは製作が困難である。従って、加工
し易い形状であることが必要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図７〜図９は、従来例
のガードリングであって、前記の特開平９−２２８７９
号公報に開示されたガードリングの断面図を示す。図７
に示すガードリング（基板擬似補形板）２６は、半導体
ウエハＷと同等の板厚の薄板本体部２８の内周縁から中
心方向に向けた３個の薄板状小突起３０が突設されたも
のであり、薄板本体部２８と薄板状小突起３０の下面は
面一になっている。そして、薄板状小突起３０によって
半導体ウエハＷを支承するが、薄板本体部２８と薄板状
小突起３０の下面が面一であるために、半導体ウエハＷ
の外周縁に対面する薄板本体部２８の内周面の高さが低
くなり、半導体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十分
に補償することができない。また、半導体ウエハＷは薄
板状小突起３０と面接触するために、半導体ウエハＷと
ガードリング２６の間で熱伝導が生じる不具合がある。
のガードリングであって、前記の特開平９−２２８７９
号公報に開示されたガードリングの断面図を示す。図７
に示すガードリング（基板擬似補形板）２６は、半導体
ウエハＷと同等の板厚の薄板本体部２８の内周縁から中
心方向に向けた３個の薄板状小突起３０が突設されたも
のであり、薄板本体部２８と薄板状小突起３０の下面は
面一になっている。そして、薄板状小突起３０によって
半導体ウエハＷを支承するが、薄板本体部２８と薄板状
小突起３０の下面が面一であるために、半導体ウエハＷ
の外周縁に対面する薄板本体部２８の内周面の高さが低
くなり、半導体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十分
に補償することができない。また、半導体ウエハＷは薄
板状小突起３０と面接触するために、半導体ウエハＷと
ガードリング２６の間で熱伝導が生じる不具合がある。
【００１０】図８に示すガードリング３６は、図７のガ
ードリング２６と同じく、半導体ウエハＷと同等の板厚
の薄板本体部３８の内周縁から中心方向に向けた３個の
薄板状小突起４０が突設されたものであるが、薄板状小
突起４０は薄板本体部３８の下面から延設されており、
薄板本体部３８の下面と薄板状小突起４０の上面が同一
レベルになっている。従って、半導体ウエハＷの外周縁
と、これに対面する薄板本体部２８の内周面の高さが同
一になり、半導体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十
分に補償することができる。しかし、半導体ウエハＷは
薄板状小突起４０と面接触するために、半導体ウエハＷ
とガードリング３６の間で熱伝導が生じる。また、この
熱伝導で移動する熱量を小さくするためには、薄板状小
突起４０を薄くして熱容量を小さくする必要があるが、
薄い薄板状小突起４０を形成するのは非常に困難であ
る。
ードリング２６と同じく、半導体ウエハＷと同等の板厚
の薄板本体部３８の内周縁から中心方向に向けた３個の
薄板状小突起４０が突設されたものであるが、薄板状小
突起４０は薄板本体部３８の下面から延設されており、
薄板本体部３８の下面と薄板状小突起４０の上面が同一
レベルになっている。従って、半導体ウエハＷの外周縁
と、これに対面する薄板本体部２８の内周面の高さが同
一になり、半導体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十
分に補償することができる。しかし、半導体ウエハＷは
薄板状小突起４０と面接触するために、半導体ウエハＷ
とガードリング３６の間で熱伝導が生じる。また、この
熱伝導で移動する熱量を小さくするためには、薄板状小
突起４０を薄くして熱容量を小さくする必要があるが、
薄い薄板状小突起４０を形成するのは非常に困難であ
る。
【００１１】図９に示すガードリング４６は、半導体ウ
エハＷと同等の板厚の薄板本体部４８の内周縁から中心
方向に向けた３個の薄板状小突起５０が突設されたもの
であるが、薄板状小突起５０の上面に微小凸部５２を形
成し、微小凸部５２によって点接触で半導体ウエハＷを
支承し、熱伝導で移動する熱量を小さくしている。しか
し、この場合も、薄板本体部４８と薄板状小突起５０の
下面が面一であるために、半導体ウエハＷの外周縁に対
面する薄板本体部４８の内周面の高さが低くなり、半導
体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十分に補償するこ
とができない。また、薄い薄板状小突起５０の上面に微
小凸部５２を形成するのは加工が非常に困難である。
エハＷと同等の板厚の薄板本体部４８の内周縁から中心
方向に向けた３個の薄板状小突起５０が突設されたもの
であるが、薄板状小突起５０の上面に微小凸部５２を形
成し、微小凸部５２によって点接触で半導体ウエハＷを
支承し、熱伝導で移動する熱量を小さくしている。しか
し、この場合も、薄板本体部４８と薄板状小突起５０の
下面が面一であるために、半導体ウエハＷの外周縁に対
面する薄板本体部４８の内周面の高さが低くなり、半導
体ウエハＷの外周縁から放射する熱を十分に補償するこ
とができない。また、薄い薄板状小突起５０の上面に微
小凸部５２を形成するのは加工が非常に困難である。
【００１２】このように、図７〜図９に示すガードリン
グは、それぞれ問題点を有するが、いずれのガードリン
グも、例えば３個の薄板状小突起で半導体ウエハＷで支
承するために、半導体ウエハＷの外周縁と薄板本体部の
内周面の隙間から光が下側に入り込む。従って、半導体
ウエハの下面側から非接触式の放射温度計で半導体ウエ
ハの温度を検出する場合は、この隙間から入り込む光に
よって温度測定に誤差が生じ、半導体ウエハの温度制御
が困難になる不具合がある。
グは、それぞれ問題点を有するが、いずれのガードリン
グも、例えば３個の薄板状小突起で半導体ウエハＷで支
承するために、半導体ウエハＷの外周縁と薄板本体部の
内周面の隙間から光が下側に入り込む。従って、半導体
ウエハの下面側から非接触式の放射温度計で半導体ウエ
ハの温度を検出する場合は、この隙間から入り込む光に
よって温度測定に誤差が生じ、半導体ウエハの温度制御
が困難になる不具合がある。
【００１３】また、これらのガードリングはシリコンカ
ーバイドなどのセラミック材料で成形しているが、「焼
き物」であるセラミック成形材からなる薄板本体部の内
周縁から小さな薄板状小突起を一体に突設するのは、加
工が非常に困難である。
ーバイドなどのセラミック材料で成形しているが、「焼
き物」であるセラミック成形材からなる薄板本体部の内
周縁から小さな薄板状小突起を一体に突設するのは、加
工が非常に困難である。
【００１４】そこで本発明は、基板、例えば半導体ウエ
ハの温度変化に対する追従性が良くて熱伝導による半導
体ウエハとガードリングの間の熱の移動がほとんどな
く、半導体ウエハの外周縁からの熱放射を過不足なく補
償して半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
き、また、光が半導体ウエハの下側に入り込むことがな
くて温度制御が容易であり、更には加工も容易な光照射
式加熱装置のガードリングを提供することを目的とす
る。
ハの温度変化に対する追従性が良くて熱伝導による半導
体ウエハとガードリングの間の熱の移動がほとんどな
く、半導体ウエハの外周縁からの熱放射を過不足なく補
償して半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
き、また、光が半導体ウエハの下側に入り込むことがな
くて温度制御が容易であり、更には加工も容易な光照射
式加熱装置のガードリングを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、光照射によって加熱処理される円盤状
の基板を取り囲むように保持するとともに、自らも光照
射によって高温となり基板の外周縁を補助的に放射加熱
するガードリングを、基板の厚さと同等の高さを有する
円周状の基板周縁対面部と、この基板周縁対面部の外側
に連設され、基板とほぼ同じ厚さであって単位面積当り
の熱容量が基板とほぼ等しい円環状の本体部と、基板周
縁対面部の下端から中心方向に向けて伸びる表面がテー
パー状をなし、基板が載置される円環状の基板支承部で
構成する。
めに、本発明は、光照射によって加熱処理される円盤状
の基板を取り囲むように保持するとともに、自らも光照
射によって高温となり基板の外周縁を補助的に放射加熱
するガードリングを、基板の厚さと同等の高さを有する
円周状の基板周縁対面部と、この基板周縁対面部の外側
に連設され、基板とほぼ同じ厚さであって単位面積当り
の熱容量が基板とほぼ等しい円環状の本体部と、基板周
縁対面部の下端から中心方向に向けて伸びる表面がテー
パー状をなし、基板が載置される円環状の基板支承部で
構成する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、図面に基づいて本発明の
実施の形態を具体的に説明する。図１は、光照射式の加
熱装置の概略構成の一例を示すものであり、炉体１００
の内部空間の上面には、複数の環状ハロゲンランプ１０
１を同心円状に配置した円形光源が設けられている。そ
して、ランプ１０１の背面には、断面が凹状の樋状ミラ
ー１０２が配置されており、ランプ１０１から放射する
光は効率良く下方に照射される。炉体１００の内部空間
の下面には、支持台１０３が設置され、ガードリング１
０が支持台１０３で支持されている。そして、例えば外
径が３００ｍｍφで厚さが０．８ｍｍの円盤状をした半
導体ウエハＷがガードリング１０によって水平姿勢で保
持されている。従って、ランプ１０１から放射する光は
半導体ウエハＷおよびガードリング１０を照射する。半
導体ウエハＷが均一に加熱されるように支持台１０３は
図示しない回転機構により回転する。また、半導体ウエ
ハＷ近傍とランプ１０１近傍との雰囲気を異なるように
するために、必要に応じて、ランプ１０１と半導体ウエ
ハＷとの間に石英窓を設けても良い。なお、図１におい
ては、半導体ウエハＷを炉体１００に搬入・搬出するた
めの搬入・搬出口は省略されている。
実施の形態を具体的に説明する。図１は、光照射式の加
熱装置の概略構成の一例を示すものであり、炉体１００
の内部空間の上面には、複数の環状ハロゲンランプ１０
１を同心円状に配置した円形光源が設けられている。そ
して、ランプ１０１の背面には、断面が凹状の樋状ミラ
ー１０２が配置されており、ランプ１０１から放射する
光は効率良く下方に照射される。炉体１００の内部空間
の下面には、支持台１０３が設置され、ガードリング１
０が支持台１０３で支持されている。そして、例えば外
径が３００ｍｍφで厚さが０．８ｍｍの円盤状をした半
導体ウエハＷがガードリング１０によって水平姿勢で保
持されている。従って、ランプ１０１から放射する光は
半導体ウエハＷおよびガードリング１０を照射する。半
導体ウエハＷが均一に加熱されるように支持台１０３は
図示しない回転機構により回転する。また、半導体ウエ
ハＷ近傍とランプ１０１近傍との雰囲気を異なるように
するために、必要に応じて、ランプ１０１と半導体ウエ
ハＷとの間に石英窓を設けても良い。なお、図１におい
ては、半導体ウエハＷを炉体１００に搬入・搬出するた
めの搬入・搬出口は省略されている。
【００１７】半導体ウエハＷの下側には、非接触式の放
射温度計１０４が設置されており、半導体ウエハＷの温
度を検出する。そして、半導体ウエハＷが所定の昇温速
度・保持温度・保持時間・降温速度で熱処理されるよう
に、温度制御部１０５が放射温度計１０４の検出温度に
基いてランプ点灯電源１０６の出力を制御する。
射温度計１０４が設置されており、半導体ウエハＷの温
度を検出する。そして、半導体ウエハＷが所定の昇温速
度・保持温度・保持時間・降温速度で熱処理されるよう
に、温度制御部１０５が放射温度計１０４の検出温度に
基いてランプ点灯電源１０６の出力を制御する。
【００１８】ガードリング１０は、図２に示すように、
例えば外径が３６０ｍｍφ、内径が２９６ｍｍφの円環
状体であり、半導体ウエハＷは、ガードリング１０の抜
き孔である円形開口部に填め込むようにして保持されて
いる。ガードリング１０はシリコンカーバイドで成形さ
れており、熱膨張率や比熱などの熱的特性は、シリコン
からなる半導体ウエハＷの熱的特性ときわめて類似して
いる。
例えば外径が３６０ｍｍφ、内径が２９６ｍｍφの円環
状体であり、半導体ウエハＷは、ガードリング１０の抜
き孔である円形開口部に填め込むようにして保持されて
いる。ガードリング１０はシリコンカーバイドで成形さ
れており、熱膨張率や比熱などの熱的特性は、シリコン
からなる半導体ウエハＷの熱的特性ときわめて類似して
いる。
【００１９】図３は、図２のＡ−Ａ矢視縦断面図を示す
が、ガードリング１０は円環状の本体部１１を有し、本
体部１１の端部が支持台１０３で支持される。本体部１
１の厚さは０．８ｍｍであり、半導体ウエハＷの厚さと
同じである。従って、本体部１１の単位面積当りの熱容
量は、半導体ウエハＷの単位面積当りの熱容量とほぼ同
等になっており、擬似半導体ウエハと見做すことができ
る。
が、ガードリング１０は円環状の本体部１１を有し、本
体部１１の端部が支持台１０３で支持される。本体部１
１の厚さは０．８ｍｍであり、半導体ウエハＷの厚さと
同じである。従って、本体部１１の単位面積当りの熱容
量は、半導体ウエハＷの単位面積当りの熱容量とほぼ同
等になっており、擬似半導体ウエハと見做すことができ
る。
【００２０】本体部１１の内側には、円環状の突起部１
４が形成されており、突起部１４の内周面が、半導体ウ
エハＷを保持したときに半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと
約１ｍｍの隙間をあけて対面し、半導体ウエハＷの外周
縁Ｗａと略平行な基板周縁対面部１２である。そして、
基板周縁対面部１２の高さは、０．８ｍｍであり、半導
体ウエハＷの厚さと等しくなっている。従って、半導体
ウエハＷを保持したときに、半導体ウエハＷの外周縁Ｗ
ａと基板周縁対面部１２は、高さ方向にほぼ過不足なく
対面する。
４が形成されており、突起部１４の内周面が、半導体ウ
エハＷを保持したときに半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと
約１ｍｍの隙間をあけて対面し、半導体ウエハＷの外周
縁Ｗａと略平行な基板周縁対面部１２である。そして、
基板周縁対面部１２の高さは、０．８ｍｍであり、半導
体ウエハＷの厚さと等しくなっている。従って、半導体
ウエハＷを保持したときに、半導体ウエハＷの外周縁Ｗ
ａと基板周縁対面部１２は、高さ方向にほぼ過不足なく
対面する。
【００２１】基板周縁対面部１２の下端から、半導体ウ
エハＷが載置される基板支承部１３が中心方向に向けて
形成されている。基板支承部１３の表面１３ａは、中心
に向けて下さがりになるテーパー状であり、その傾斜角
度は例えば５゜程度である。従って、半導体ウエハＷを
基板支承部１３に載置したときに、半導体ウエハＷは基
板支承部１３の表面１３ａに線接触した状態で支承され
る。すなわち、接触面積がきわめて小さく、半導体ウエ
ハＷとガードリング１０との間の熱伝導による熱の移動
が少ない。従って、基板支承部１３を厚くしても、熱伝
導による熱の移動に影響を与えることがない。つまり、
基板支承部１３を厚くしても熱伝導による熱の移動の問
題が生じないので厚くすることが可能であり、従って、
基板支承部１３を容易に加工することができる。
エハＷが載置される基板支承部１３が中心方向に向けて
形成されている。基板支承部１３の表面１３ａは、中心
に向けて下さがりになるテーパー状であり、その傾斜角
度は例えば５゜程度である。従って、半導体ウエハＷを
基板支承部１３に載置したときに、半導体ウエハＷは基
板支承部１３の表面１３ａに線接触した状態で支承され
る。すなわち、接触面積がきわめて小さく、半導体ウエ
ハＷとガードリング１０との間の熱伝導による熱の移動
が少ない。従って、基板支承部１３を厚くしても、熱伝
導による熱の移動に影響を与えることがない。つまり、
基板支承部１３を厚くしても熱伝導による熱の移動の問
題が生じないので厚くすることが可能であり、従って、
基板支承部１３を容易に加工することができる。
【００２２】そして、基板支承部１３は、図４に示すよ
うに、巾が２ｍｍ程度の円環状であり、図７〜図９に示
す従来例のような複数個の薄板状小突起ではない。従っ
て、半導体ウエハＷを基板支承部１３に載置したとき
に、半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと基板周縁対面部１２
の間の隙間が基板支承部１３によって遮られる。このた
め、上方から照射された光が、この隙間から半導体ウエ
ハＷの下側に入り込むことがない。
うに、巾が２ｍｍ程度の円環状であり、図７〜図９に示
す従来例のような複数個の薄板状小突起ではない。従っ
て、半導体ウエハＷを基板支承部１３に載置したとき
に、半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと基板周縁対面部１２
の間の隙間が基板支承部１３によって遮られる。このた
め、上方から照射された光が、この隙間から半導体ウエ
ハＷの下側に入り込むことがない。
【００２３】図３に示すガードリング１０は、加工が容
易なように、本体部１１の下面と基板支承部１３の下面
が面一になっている。しかし、図５に示すように、本体
部１１が突起部１４の中腹から外側に延びるようにして
も良く、更には、図６に示すように、突起部がなくて、
本体部１１の内周面が基板周縁対面部１２であるように
してもよい。
易なように、本体部１１の下面と基板支承部１３の下面
が面一になっている。しかし、図５に示すように、本体
部１１が突起部１４の中腹から外側に延びるようにして
も良く、更には、図６に示すように、突起部がなくて、
本体部１１の内周面が基板周縁対面部１２であるように
してもよい。
【００２４】しかして、半導体ウエハＷをガードリング
１０の基板支承部１３に載置して支承し、光照射式加熱
装置のランプ１０１を点灯すると、半導体ウエハＷとガ
ードリング１０は急速に温度が上昇し、半導体ウエハＷ
の外周縁Ｗａからも熱が放射する。このとき、ガードリ
ング１０の本体部１１は、厚さが半導体ウエハＷの厚さ
と同等であって、単位面積当りの熱容量も半導体ウエハ
Ｗの単位面積当りの熱容量とほぼ同等であり、ガードリ
ング１０を擬似半導体ウエハと見做すことができるの
で、ガードリング１０の温度は半導体ウエハＷの温度変
化に正確に追従する。また、半導体ウエハＷの外周縁Ｗ
ａがガードリング１０の基板周縁対面部１２と、高さ方
向にほぼ過不足なく対面するので、半導体ウエハＷの外
周縁Ｗａから放射する熱はガードリング１０の基板周縁
対面部１２から放射する熱によって正確に補償される。
このため、半導体ウエハＷの温度分布が均一になり、ス
リップの発生を防止することができる。
１０の基板支承部１３に載置して支承し、光照射式加熱
装置のランプ１０１を点灯すると、半導体ウエハＷとガ
ードリング１０は急速に温度が上昇し、半導体ウエハＷ
の外周縁Ｗａからも熱が放射する。このとき、ガードリ
ング１０の本体部１１は、厚さが半導体ウエハＷの厚さ
と同等であって、単位面積当りの熱容量も半導体ウエハ
Ｗの単位面積当りの熱容量とほぼ同等であり、ガードリ
ング１０を擬似半導体ウエハと見做すことができるの
で、ガードリング１０の温度は半導体ウエハＷの温度変
化に正確に追従する。また、半導体ウエハＷの外周縁Ｗ
ａがガードリング１０の基板周縁対面部１２と、高さ方
向にほぼ過不足なく対面するので、半導体ウエハＷの外
周縁Ｗａから放射する熱はガードリング１０の基板周縁
対面部１２から放射する熱によって正確に補償される。
このため、半導体ウエハＷの温度分布が均一になり、ス
リップの発生を防止することができる。
【００２５】また、半導体ウエハＷは基板支承部１３の
表面１３ａに線接触した状態で支承され、接触面積がき
わめて小さく、半導体ウエハＷとガードリング１０との
間の熱伝導による熱の移動が少ないので、両者間の熱の
移動は輻射による移動のみを考慮するだけでよく、温度
分布の予測および半導体ウエハＷの温度を均一にするた
めの制御が容易である。更には、上方から照射された光
が、半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと基板周縁対面部１２
の間の隙間から半導体ウエハＷの下側に入り込むことが
ないので、半導体ウエハＷの下側に設置された非接触式
の放射温度計の温度測定に誤差が生じず、正確に温度を
測定することができる。
表面１３ａに線接触した状態で支承され、接触面積がき
わめて小さく、半導体ウエハＷとガードリング１０との
間の熱伝導による熱の移動が少ないので、両者間の熱の
移動は輻射による移動のみを考慮するだけでよく、温度
分布の予測および半導体ウエハＷの温度を均一にするた
めの制御が容易である。更には、上方から照射された光
が、半導体ウエハＷの外周縁Ｗａと基板周縁対面部１２
の間の隙間から半導体ウエハＷの下側に入り込むことが
ないので、半導体ウエハＷの下側に設置された非接触式
の放射温度計の温度測定に誤差が生じず、正確に温度を
測定することができる。
【００２６】ガードリング１０をシリコンカーバイドな
どのセラミック材料で成形するとき、図７〜図９に示す
従来例のような薄板状小突起は加工が非常に困難である
が、本発明のガードリング１０の基板支承部１３は完全
な円環状てあり、しかも厚くすることができるので、加
工が容易である利点を有する。
どのセラミック材料で成形するとき、図７〜図９に示す
従来例のような薄板状小突起は加工が非常に困難である
が、本発明のガードリング１０の基板支承部１３は完全
な円環状てあり、しかも厚くすることができるので、加
工が容易である利点を有する。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板、例えば半導体ウエハの温度変化に対する追従性が
良くて半導体ウエハの外周縁からの熱放射を過不足なく
補償して半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
きる。また、熱伝導による半導体ウエハとガードリング
の間の熱の移動がほとんどなく、更には、光が半導体ウ
エハの下側に入り込むことがなくて温度制御が容易であ
り、更には加工も容易な光照射式加熱装置のガードリン
グとすることができる。
基板、例えば半導体ウエハの温度変化に対する追従性が
良くて半導体ウエハの外周縁からの熱放射を過不足なく
補償して半導体ウエハの温度分布を均一にすることがで
きる。また、熱伝導による半導体ウエハとガードリング
の間の熱の移動がほとんどなく、更には、光が半導体ウ
エハの下側に入り込むことがなくて温度制御が容易であ
り、更には加工も容易な光照射式加熱装置のガードリン
グとすることができる。
【図１】光照射式加熱装置の概略構成図である。
【図２】ガードリングと半導体ウエハの位置関係を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明実施例の断面図であり、図２のＡ−Ａ矢
視縦断面図である。
視縦断面図である。
【図４】ガードリングの一部平面図である。
【図５】他の実施例の断面図である。
【図６】他の実施例の断面図である。
【図７】従来例の説明図である。
【図８】従来例の説明図である。
【図９】従来例の説明図である。
１０ ガードリング １１ 本体部 １２ 基板周縁対面部 １３ 基板支承部 １３ａ 基板支承部の表面 １４ 突起部 １００ 炉体 １０１ ランプ １０２ 反射ミラー １０４ 放射温度計 １０５ 制御部 １０６ ランプ点灯電源 Ｗ 半導体ウエハ Ｗａ 半導体ウエハの外周縁
Claims (1)
- 【請求項１】 光照射によって加熱処理される円盤状の
基板を取り囲むように保持するとともに、自らも光照射
によって高温となり基板の外周縁を補助的に放射加熱す
るガードリングにおいて、 前記基板の厚さと同等の高さを有する円周状の基板周縁
対面部と、該基板周縁対面部の外側に連設され、基板と
ほぼ同じ厚さであって単位面積当りの熱容量が基板とほ
ぼ等しい円環状の本体部と、該基板周縁対面部の下端か
ら中心方向に向けて伸びる表面がテーパー状をなし、基
板が載置される円環状の基板支承部からなることを特徴
とする光照射式加熱装置のガードリング。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10234864A JP2000058470A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 光照射式加熱装置のガードリング |
| TW088111020A TW417149B (en) | 1998-08-07 | 1999-06-29 | Protection ring of light irradiated heating apparatus |
| KR1019990031789A KR20000017024A (ko) | 1998-08-07 | 1999-08-03 | 광조사식 가열장치의 가드링 |
| EP99115593A EP0978866A2 (en) | 1998-08-07 | 1999-08-06 | Guard ring of a heating device of the light irradiation type |
| US09/370,217 US6167194A (en) | 1998-08-07 | 1999-08-09 | Guard ring of a heating device of the light irradiation type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10234864A JP2000058470A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 光照射式加熱装置のガードリング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058470A true JP2000058470A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16977549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10234864A Pending JP2000058470A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 光照射式加熱装置のガードリング |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6167194A (ja) |
| EP (1) | EP0978866A2 (ja) |
| JP (1) | JP2000058470A (ja) |
| KR (1) | KR20000017024A (ja) |
| TW (1) | TW417149B (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064069A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2002110585A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置とその設計方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2002231713A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用治具 |
| JP2003007694A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
| JP2005158860A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び透明基板用アニール装置 |
| JP2007273623A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
| JP2012069774A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| KR20140008389A (ko) * | 2011-02-23 | 2014-01-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열처리 챔버용 에지 링 |
| KR102126390B1 (ko) * | 2019-03-08 | 2020-06-25 | (주)에이스트 | 웨이퍼 위치 감지시스템 |
| KR20210032124A (ko) * | 2019-09-16 | 2021-03-24 | 에이피시스템 주식회사 | 엣지 링 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164300A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
| US7704327B2 (en) * | 2002-09-30 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | High temperature anneal with improved substrate support |
| US7062161B2 (en) * | 2002-11-28 | 2006-06-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Photoirradiation thermal processing apparatus and thermal processing susceptor employed therefor |
| TWI260077B (en) * | 2005-01-21 | 2006-08-11 | Advanced Semiconductor Eng | Chip package and producing method thereof |
| DE102006055038B4 (de) * | 2006-11-22 | 2012-12-27 | Siltronic Ag | Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe |
| US20110297088A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Thin edge carrier ring |
| KR102640928B1 (ko) | 2022-09-26 | 2024-02-28 | (주)앤피에스 | 적층체 지지 장치 및 소성 설비 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173852A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Wakomu:Kk | ウエ−ハ処理用基板ホルダ |
| JPH0922879A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
| WO1997008743A1 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Low mass susceptor |
| JPH09199437A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハ支持装置 |
| JPH1083969A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 漸次的なサーマルマスを有する半導体ウエハサポート |
| JPH10173032A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-06-26 | Applied Materials Inc | 傾斜付き基板支持具 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69126724T2 (de) * | 1990-03-19 | 1998-01-15 | Toshiba Kawasaki Kk | Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung |
| US5534072A (en) * | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
-
1998
- 1998-08-07 JP JP10234864A patent/JP2000058470A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-29 TW TW088111020A patent/TW417149B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-03 KR KR1019990031789A patent/KR20000017024A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-08-06 EP EP99115593A patent/EP0978866A2/en not_active Withdrawn
- 1999-08-09 US US09/370,217 patent/US6167194A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173852A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Wakomu:Kk | ウエ−ハ処理用基板ホルダ |
| JPH0922879A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の光照射式熱処理装置 |
| WO1997008743A1 (en) * | 1995-08-22 | 1997-03-06 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Low mass susceptor |
| JPH09199437A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハ支持装置 |
| JPH1083969A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-03-31 | Applied Materials Inc | 漸次的なサーマルマスを有する半導体ウエハサポート |
| JPH10173032A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-06-26 | Applied Materials Inc | 傾斜付き基板支持具 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064069A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2002110585A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置とその設計方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2002231713A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用治具 |
| JP2003007694A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
| JP4720029B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式の熱処理装置 |
| JP2005158860A (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び透明基板用アニール装置 |
| JP2007273623A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置 |
| JP2012069774A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Covalent Materials Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| KR20140008389A (ko) * | 2011-02-23 | 2014-01-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열처리 챔버용 에지 링 |
| KR102080768B1 (ko) * | 2011-02-23 | 2020-02-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열적 프로세싱 챔버용 에지 링 |
| KR20200020985A (ko) * | 2011-02-23 | 2020-02-26 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열적 프로세싱 챔버용 에지 링 |
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