JP2000058455A - Substrate heating method and equipment thereof - Google Patents
Substrate heating method and equipment thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おいて真空処理室に基板を移載する前に基板を加熱する
基板加熱方法及び装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate heating method and apparatus for heating a substrate before transferring the substrate to a vacuum processing chamber in a semiconductor manufacturing apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガリウムヒ素基板など、シリコン基板よ
りも熱衝撃に弱い材料の基板をプラズマＣＶＤなどの処
理を行う場合には、処理室のサセプタは３００〜４００
℃となっており、室温の基板をサセプタ上に移載する
と、基板は温度変化により割れたり、欠けたりするた
め、連続処理ができないという問題がある。2. Description of the Related Art When a substrate such as a gallium arsenide substrate, which is more resistant to thermal shock than a silicon substrate, is processed by plasma CVD or the like, the susceptor in the processing chamber is 300 to 400 susceptors.
When the substrate at room temperature is transferred to a susceptor, the substrate is broken or chipped due to a change in temperature, so that there is a problem that continuous processing cannot be performed.
【０００３】そこで、従来からこの種の半導体製造装置
においては、真空処理室に基板を移載する前に基板を加
熱するようにしており、その従来の基板加熱方法を図５
〜図７を参照して説明する。Therefore, conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus of this kind, a substrate is heated before the substrate is transferred to a vacuum processing chamber.
This will be described with reference to FIGS.
【０００４】図５において、２１は真空処理室、２２は
ロードロック室、２３は加熱室である。ロードロック室
２２には基板を移載する基板搬送ロボット２４が内蔵さ
れ、かつ大気側との間のゲートバルブ２５と、加熱室２
３との間のゲートバルブ２６と、処理室２１との間のゲ
ートバルブ２７とが設けられている。In FIG. 5, reference numeral 21 denotes a vacuum processing chamber, 22 denotes a load lock chamber, and 23 denotes a heating chamber. The load lock chamber 22 has a built-in substrate transfer robot 24 for transferring substrates, and has a gate valve 25 between the substrate lock robot 22 and the heating chamber 2.
3 and a gate valve 27 between the processing chamber 21.
【０００５】加熱室２３は、図６に示すように、上部に
透明石英ガラスなどから成る窓２８が設けられ、基板置
き台２９の基板３０を上部に配設されたランプヒータ３
１で加熱するように構成されている。また、ランプヒー
タ３１に代えて、図７に示すように、基板３０を加熱す
るヒータプレート３２を配置したものもある。As shown in FIG. 6, a window 28 made of transparent quartz glass or the like is provided in the upper part of the heating chamber 23, and a substrate 30 of a substrate holder 29 is provided on the upper part of the lamp heater 3.
1 to heat. In addition, as shown in FIG. 7, a heater plate 32 for heating the substrate 30 may be provided instead of the lamp heater 31.
【０００６】以上の構成において、図５（ａ）に示すよ
うに、基板３０はカセット３３から基板搬送ロボット２
４によりゲートバルブ２５を通ってロードロック室２２
に入り、さらにゲートバルブ２６を通って加熱室２３に
入って加熱される。次に、加熱された基板３０は、図５
（ｂ）に示すように、基板搬送ロボッ２４ により再び
ロードロック室２２に入り、ゲートバルブ２７を通って
処理室２１に移載される。[0006] In the above configuration, as shown in FIG.
4 through the gate valve 25 to load lock chamber 22
And then into the heating chamber 23 through the gate valve 26 to be heated. Next, the heated substrate 30 is
As shown in (b), the substrate is transferred into the load lock chamber 22 again by the substrate transfer robot 24, and transferred to the processing chamber 21 through the gate valve 27.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成では、加熱室２３で加熱された基板３０が、基板搬送
ロボット２４で一旦ロードロック室２２を通って処理室
２１に移載される間に、ロボットハンドとの接触からの
放熱及び時間経過の放熱により基板３０の温度が低下し
てしまい、処理室２１へ移載するときには目的の温度に
保てないという問題があった。However, in the above-described conventional configuration, while the substrate 30 heated in the heating chamber 23 is once transferred to the processing chamber 21 by the substrate transfer robot 24 through the load lock chamber 22. Further, there has been a problem that the temperature of the substrate 30 is lowered due to the heat radiation from the contact with the robot hand and the heat radiation over time, and the target temperature cannot be maintained when the substrate 30 is transferred to the processing chamber 21.
【０００８】また、加熱室２３が図７のような構成の場
合、ヒータープレート３２の温度に依存しており、基板
３０を目的の温度にする場合熱伝導に時間がかかり、ま
た基板３０の温度を計測できないという問題があった。When the heating chamber 23 has the structure shown in FIG. 7, it depends on the temperature of the heater plate 32. When the substrate 30 is heated to a target temperature, it takes time to conduct heat. There was a problem that could not be measured.
【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、加熱
した基板を処理室に移載するまでの温度低下を防止でき
るとともに、正確な加熱温度で基板を処理室に移載でき
る基板加熱方法及び装置を提供することを目的としてい
る。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned conventional problems, the present invention can prevent a decrease in temperature until a heated substrate is transferred to a processing chamber, and can transfer a substrate to a processing chamber at an accurate heating temperature. And a device.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の基板加熱方法
は、半導体製造装置における基板加熱方法であって、大
気側と真空側の処理室との間に介装されたロードロック
室に基板を搬入する工程と、ロードロック室の外側の上
部からロードロック室に搬入された基板を加熱する工程
とを有するものであり、ロードロック室内で基板が加熱
されるため、加熱された基板を直ぐに温度低下の少ない
状態で目的の温度を保持して処理室に投入することがで
きる。A substrate heating method according to the present invention is a method for heating a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, wherein a substrate is placed in a load lock chamber interposed between an atmosphere side and a vacuum side processing chamber. And a step of heating the substrate carried into the load lock chamber from the upper outside of the load lock chamber. Since the substrate is heated in the load lock chamber, the heated substrate is immediately heated. The target temperature can be held in the processing chamber while keeping the temperature at a low level.
【００１１】また、基板の温度を検出してその加熱温度
を制御すると、所望温度に正確に加熱した基板を処理室
に投入することができる。When the temperature of the substrate is detected and the heating temperature is controlled, the substrate accurately heated to a desired temperature can be introduced into the processing chamber.
【００１２】また、上下２つのアームを有するロボット
アームを用い、大気側の未処理の基板を上アームでロー
ドロック室に移載する工程と、その後上アームが処理室
方向に向いて待機する間に基板を加熱する工程と、処理
室で処理された基板を下アームで回収した後、すぐに上
アームの未処理基板を処理室に移載する工程と、下アー
ムの処理済み基板を大気側に移載する工程とを有する
と、処理室に投入する直前の待機状態で基板を加熱でき
るとともに、その加熱した基板を処理室の基板を回収し
て直ぐに処理室に投入することができる。Further, a step of transferring an unprocessed substrate on the atmosphere side to a load lock chamber by an upper arm by using a robot arm having two upper and lower arms, and thereafter, while waiting for the upper arm to face the processing chamber. Heating the substrate in the processing chamber, collecting the substrate processed in the processing chamber with the lower arm, and immediately transferring the unprocessed substrate in the upper arm to the processing chamber, and transferring the processed substrate in the lower arm to the atmosphere. The substrate can be heated in a standby state immediately before being loaded into the processing chamber, and the heated substrate can be collected into the processing chamber and immediately loaded into the processing chamber.
【００１３】また、本発明の基板加熱装置は、ロードロ
ック室に、先端に基板を保持するハンドが取付けられて
基板を移載するロボットアームを配設し、ロードロック
室内にハンドに載せられた基板が搬入された時にロード
ロック室の外側の上部から基板を加熱する手段を設けた
ものであり、ロードロック室内で基板を加熱してその基
板を直ぐに温度低下の少ない状態で処理室に投入するこ
とができる。Further, in the substrate heating apparatus of the present invention, a hand for holding the substrate is attached to the tip of the load lock chamber, and a robot arm for transferring the substrate is disposed. The robot arm is placed on the hand in the load lock chamber. Means for heating the substrate from the upper portion outside the load lock chamber when the substrate is carried in is provided, and the substrate is heated in the load lock chamber and the substrate is immediately put into the processing chamber with a small temperature drop. be able to.
【００１４】また、ハンドには、基板からハンドへの熱
伝達を小さくするように小さい接触面積で基板の外周部
を支持する支持部を設けると、基板の温度低下を防ぐと
ともにハンドやアームが過熱しないようにでき、連続処
理時にハンド上に未処理の基板を載せたときに熱衝撃を
受けるのを防止できる。When the hand is provided with a supporting portion for supporting the outer peripheral portion of the substrate with a small contact area so as to reduce the heat transfer from the substrate to the hand, the temperature of the substrate is prevented from lowering and the hand and the arm are overheated. It is possible to prevent thermal shock when an unprocessed substrate is placed on the hand during continuous processing.
【００１５】また、ロボットアームは上下の２つのアー
ムを備え、大気側の未処理の基板を上アームのハンドに
載せてロードロック室に搬入し、加熱手段で加熱するよ
うに構成し、処理済みの基板を下アームで回収するよう
に構成すると、処理室に投入する直前に基板を加熱し、
処理室の基板を回収して加熱した基板を直ぐに処理室に
投入することができる。The robot arm has upper and lower two arms. The unprocessed substrate on the atmospheric side is placed on the hand of the upper arm, loaded into the load lock chamber, and heated by the heating means. If the substrate is configured to be collected by the lower arm, the substrate is heated immediately before being put into the processing chamber,
The substrate in the processing chamber is recovered, and the heated substrate can be immediately put into the processing chamber.
【００１６】また、ロードロック室の外側の上部の加熱
手段が、ランプヒータから成ると、基板を放射熱で外部
から短時間で加熱できるとともに、加熱の必要のない場
合に瞬時に止めることができる。Further, if the upper heating means outside the load lock chamber comprises a lamp heater, the substrate can be externally heated with radiant heat in a short time, and can be stopped instantaneously when heating is unnecessary. .
【００１７】また、加熱される基板の加熱温度を制御す
る加熱温度制御手段を設けると、基板の温度を正確に制
御することができる。If a heating temperature control means for controlling the heating temperature of the substrate to be heated is provided, the temperature of the substrate can be accurately controlled.
【００１８】また、加熱温度制御手段が、基板の裏面の
温度を測定する非接触温度計を備えていると、さらに応
答性及び精度の良い状態で温度制御を行うことができ
る。Further, if the heating temperature control means includes a non-contact thermometer for measuring the temperature of the back surface of the substrate, the temperature can be controlled with higher responsiveness and accuracy.
【００１９】また、ランプヒータのランプ光が基板の上
面のみを照射する照射領域規制手段を設けると、基板の
みを加熱でき、アームやハンドなどの過熱すると不都合
な部分の過熱を防止できる。If the irradiation area regulating means for irradiating only the upper surface of the substrate with the lamp light of the lamp heater is provided, only the substrate can be heated, and overheating of the arm or hand, which is inconvenient when overheated, can be prevented.
【００２０】また、照射領域規制手段が、ハンドの上部
に配置された絞り板から成ると、簡単な構成で確実に基
板のみを加熱し、アームやハンドなどの過熱を防止する
ことができる。Further, when the irradiation area regulating means comprises a diaphragm plate arranged on the upper part of the hand, it is possible to reliably heat only the substrate with a simple configuration and prevent overheating of the arm and the hand.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の基板加熱装置を適
用した基板処理装置の一実施形態について、図１〜図４
を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a substrate processing apparatus to which a substrate heating apparatus of the present invention is applied will be described below with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【００２２】図１は本実施形態の基板処理装置における
ロードロック室１を示す。図１において、ロードロック
室１は、ヒータユニット２と基板搬送ロボット３を備え
ている。ヒータユニット２は、ロードロック室１内の基
板１１を加熱する作用を行うもので、ランプヒータ４と
放射光を効率良く基板方向に当てるための反射板５と余
分な熱を外部に放熱させるためのファン６にて構成され
ている。FIG. 1 shows a load lock chamber 1 in the substrate processing apparatus of the present embodiment. In FIG. 1, a load lock chamber 1 includes a heater unit 2 and a substrate transfer robot 3. The heater unit 2 serves to heat the substrate 11 in the load lock chamber 1, and the lamp heater 4, the reflection plate 5 for efficiently applying the radiated light toward the substrate, and the extra heat to be radiated to the outside. Of the fan 6.
【００２３】また、ロードロック室１は大気側から基板
１１を出し入れするためのゲートバルブ７と処理室に基
板を出し入れするためのゲートバルブ８を有している。
ロードロック室１内の基板搬送ロボット３はアーム９の
先端に基板１１を載せるためのハンド１０を有してい
る。The load lock chamber 1 has a gate valve 7 for moving the substrate 11 in and out from the atmosphere and a gate valve 8 for moving the substrate in and out of the processing chamber.
The substrate transfer robot 3 in the load lock chamber 1 has a hand 10 for placing a substrate 11 on the tip of an arm 9.
【００２４】基板１１を載せたハンド１０は処理室側の
ゲートバルブ８の方向を向いて待機している間に、透明
石英ガラスの窓１２よりランプヒータ４からの放射光が
当てられ、基板１１が加熱される。基板１１の上方には
絞り板１３が配置され、効率良く放射光が基板１１に当
たるように、また不要部分に光が当たらないようにされ
ている。また、待機位置の基板１１の下方に非接触温度
検出器１４が配置され、加熱される基板１１の温度を正
確に測定するように構成され、その検出信号が加熱温度
制御手段２０に入力され、この加熱温度制御手段２０に
て基板１１の温度が所定温度となるようにランプヒータ
４に対する通電制御を行うように構成されている。While the hand 10 on which the substrate 11 is placed faces the gate valve 8 on the processing chamber side and stands by, radiation light from the lamp heater 4 is applied through the window 12 made of transparent quartz glass. Is heated. An aperture plate 13 is arranged above the substrate 11 so that the radiated light can efficiently hit the substrate 11 and light does not hit unnecessary portions. Further, a non-contact temperature detector 14 is arranged below the substrate 11 at the standby position, is configured to accurately measure the temperature of the substrate 11 to be heated, and the detection signal is input to the heating temperature control means 20, The heating temperature control means 20 controls the energization of the lamp heater 4 so that the temperature of the substrate 11 becomes a predetermined temperature.
【００２５】図２、図３は、ロードロック室１と処理室
１５との間での基板１１の投入取り出し状態を示す。処
理室１５はロードロック室１とゲートバルブ８により隔
てられている。図２の基板搬送ロボット３は、上下に２
つのアーム９ａ、９ｂを有するものを図示している。上
アーム９ａの先端にはハンド１０ａが、下アーム９ｂの
先端にはハンド１０ｂが設けられており、先に処理室１
５にある基板１１が下アーム９ｂのハンド１０ｂにより
回収された後、ロードロック室１内で待機中に上アーム
９ａのハンド１０ａに載せられてヒータユニット２によ
り加熱された基板１１がゲートバルブ８を通して処理室
１５内に投入され、突き上げピンの動作によりサセプタ
１６上に置かれる。これにより、加熱した基板１１を短
時間でサセプタ１６上に置くことができる。FIGS. 2 and 3 show the state of loading and unloading the substrate 11 between the load lock chamber 1 and the processing chamber 15. The processing chamber 15 is separated from the load lock chamber 1 by the gate valve 8. The substrate transfer robot 3 shown in FIG.
One having two arms 9a, 9b is shown. A hand 10a is provided at a tip of the upper arm 9a, and a hand 10b is provided at a tip of the lower arm 9b.
5 is recovered by the hand 10b of the lower arm 9b, and the substrate 11 placed on the hand 10a of the upper arm 9a and heated by the heater unit 2 while waiting in the load lock chamber 1 is removed from the gate valve 8 by the gate valve 8. Through the processing chamber 15 and is placed on the susceptor 16 by the operation of the push-up pin. Thereby, the heated substrate 11 can be placed on the susceptor 16 in a short time.
【００２６】図４（ａ）はハンド１０（１０ａ、１０
ｂ）の形状を示す。このハンド１０においては、基板１
１の外周を抱持する円弧状の保持枠１７の内周に、基板
１１からハンド１０への熱伝達を小さくするように小さ
い接触面積で基板１１の外周部を３点支持する３つの支
持突片１８が突設されている。また、図４（ｂ）に示す
ように、保持枠１７の内周に支持鍔１９を突設し、その
上面に３つの支持ピン２０を突設してもよい。FIG. 4A shows a hand 10 (10a, 10a).
The shape of b) is shown. In this hand 10, the substrate 1
Three supporting projections are provided on the inner periphery of the arc-shaped holding frame 17 holding the outer periphery of the substrate 1 at three points on the outer periphery of the substrate 11 with a small contact area so as to reduce heat transfer from the substrate 11 to the hand 10. A piece 18 protrudes. Further, as shown in FIG. 4B, a support flange 19 may be provided on the inner periphery of the holding frame 17 and three support pins 20 may be provided on the upper surface thereof.
【００２７】本実施形態によれば、ロードロック室１内
で基板１１を加熱できるため、別に加熱室を設ける必要
がなく、基板処理装置の設置面積、装置のコスト低減を
図ることができる。また、基板１１の搬送経路が従来よ
り短縮されるため、加熱時間を長くとりながらタクトタ
イムを短縮することができる。また、加熱した基板１１
を直ぐに処理室１５に入れられるため、その間の基板１
１の温度降下を最小に留めることができる。さらに、基
板１１からハンド１０への熱伝達が小さいために、基板
１１の加熱を速やかにかつ加熱温度の制御を応答性及び
精度良く行うことができるとともに、絞り板１３による
加熱領域の制限と相まって基板１１の加熱によってハン
ド１０の温度が高くならず、ハンド１０上に基板１１を
載せる際に基板１１に熱衝撃を与えることもない。According to the present embodiment, since the substrate 11 can be heated in the load lock chamber 1, there is no need to provide a separate heating chamber, and the installation area of the substrate processing apparatus and the cost of the apparatus can be reduced. In addition, since the transport path of the substrate 11 is shorter than before, the tact time can be reduced while the heating time is increased. In addition, the heated substrate 11
Can be put into the processing chamber 15 immediately,
1 can be kept to a minimum. Further, since the heat transfer from the substrate 11 to the hand 10 is small, the substrate 11 can be quickly heated and the heating temperature can be controlled with high responsiveness and accuracy, and in addition to the restriction of the heating area by the aperture plate 13. The heating of the substrate 11 does not increase the temperature of the hand 10, and does not give a thermal shock to the substrate 11 when placing the substrate 11 on the hand 10.
【００２８】また、基板１１の温度測定を非接触温度検
出器１４により検出できるため、温度制御を正確に行う
ことができ、熱衝撃に弱い基板１１を損傷なく処理する
ことができる。Further, since the temperature measurement of the substrate 11 can be detected by the non-contact temperature detector 14, the temperature can be accurately controlled, and the substrate 11 which is vulnerable to thermal shock can be processed without damage.
【００２９】なお、本発明は処理室１５から取り出され
た基板１１の加熱にも使用することができ、基板の加
熱、乾燥、アニール等の用途にも使用することができ
る。The present invention can be used for heating the substrate 11 taken out of the processing chamber 15, and can be used for applications such as heating, drying and annealing of the substrate.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本発明の基板加熱方法によれば、以上の
ように大気側と真空側の処理室との間に介装されたロー
ドロック室に基板を搬入する工程と、ロードロック室の
外側の上部からロードロック室に搬入された基板を加熱
する工程とを有するので、ロードロック室内で基板を加
熱してその基板を直ぐに温度低下の少ない状態で目的の
温度を保持して処理室に投入することができる。According to the substrate heating method of the present invention, the step of carrying the substrate into the load lock chamber interposed between the atmosphere side and the vacuum side processing chamber as described above, Heating the substrate carried into the load lock chamber from the upper outside, heating the substrate in the load lock chamber, and immediately holding the target temperature in a state of a small temperature drop to the processing chamber. Can be put in.
【００３１】また、基板の温度を検出してその加熱温度
を制御すると、所望温度に正確に加熱した基板を処理室
に投入することができる。When the temperature of the substrate is detected and the heating temperature is controlled, the substrate accurately heated to a desired temperature can be introduced into the processing chamber.
【００３２】また、上下２つのアームを有するロボット
アームを用い、大気側の未処理の基板を上アームでロー
ドロック室に移載する工程と、その後上アームが処理室
方向に向いて待機する間に基板を加熱する工程と、処理
室で処理された基板を下アームで回収した後、すぐに上
アームの未処理基板を処理室に移載する工程と、下アー
ムの処理済み基板を大気側に移載する工程とを有する
と、処理室に投入する直前の待機状態で基板を加熱でき
るとともに、その加熱した基板を処理室の基板を回収し
て直ぐに処理室に投入することができ、効率的に連続処
理ができる。In addition, a step of transferring an unprocessed substrate on the atmospheric side to the load lock chamber using the upper arm using a robot arm having two upper and lower arms, and thereafter, while the upper arm faces the processing chamber and waits. Heating the substrate in the processing chamber, collecting the substrate processed in the processing chamber with the lower arm, and immediately transferring the unprocessed substrate in the upper arm to the processing chamber, and transferring the processed substrate in the lower arm to the atmosphere. The substrate can be heated in a standby state immediately before being put into the processing chamber, and the heated substrate can be collected into the processing chamber and immediately put into the processing chamber. Continuous processing is possible.
【００３３】また、本発明の基板加熱装置によれば、ロ
ードロック室に、先端に基板を保持するハンドが取付け
られて基板を移載するロボットアームを配設し、ロード
ロック室内にハンドに載せられた基板が搬入された時に
ロードロック室の外側の上部から基板を加熱する手段を
設けたので、ロードロック室内で基板を加熱してその基
板を直ぐに温度低下の少ない状態で処理室に投入するこ
とができる。又、加熱室を設ける必要がないので、基板
処理装置の設置面積、装置のコスト低減を図ることがで
きる。Further, according to the substrate heating apparatus of the present invention, a robot arm having a hand for holding a substrate attached to the tip thereof and transferring the substrate is disposed in the load lock chamber, and the robot arm is placed on the hand in the load lock chamber. Since the means for heating the substrate from the upper portion outside the load lock chamber when the loaded substrate is carried in is provided, the substrate is heated in the load lock chamber and the substrate is immediately put into the processing chamber with a small temperature drop. be able to. Further, since there is no need to provide a heating chamber, the installation area of the substrate processing apparatus and the cost of the apparatus can be reduced.
【００３４】また、ハンドに基板からハンドへの熱伝達
を小さくするように小さい接触面積で基板の外周部を支
持する支持部を設けると、基板の温度低下を防ぐととも
にハンドやアームが過熱しないようにでき、連続処理時
にハンド上に未処理の基板を載せたときに熱衝撃を受け
るのを防止できる。If the hand is provided with a supporting portion for supporting the outer peripheral portion of the substrate with a small contact area so as to reduce the heat transfer from the substrate to the hand, the temperature of the substrate is prevented from lowering and the hand and the arm are not overheated. Therefore, it is possible to prevent a thermal shock when an unprocessed substrate is placed on the hand during the continuous processing.
【００３５】また、ロボットアームは上下の２つのアー
ムを備え、大気側の未処理の基板を上アームのハンドに
載せてロードロック室に搬入し、加熱手段で加熱するよ
うに構成し、処理済みの基板を下アームで回収するよう
に構成すると、処理室に投入する直前に基板を加熱し、
処理室の基板を回収して加熱した基板を直ぐに処理室に
投入することができる。The robot arm has two upper and lower arms. The unprocessed substrate on the atmospheric side is placed on the upper arm hand, loaded into the load lock chamber, and heated by the heating means. If the substrate is configured to be collected by the lower arm, the substrate is heated immediately before being put into the processing chamber,
The substrate in the processing chamber is recovered, and the heated substrate can be immediately put into the processing chamber.
【００３６】また、ロードロック室の外側の上部の加熱
手段が、ランプヒータから成ると、基板を放射熱で外部
から短時間で加熱できるとともに、加熱の必要のない場
合に瞬時に止めることができ、的確に温度制御すること
ができる。Further, if the upper heating means outside the load lock chamber comprises a lamp heater, the substrate can be externally heated with radiant heat in a short time and can be stopped instantaneously when heating is unnecessary. The temperature can be controlled accurately.
【００３７】また、加熱される基板の加熱温度を制御す
る加熱温度制御手段を設けると、基板の温度を正確に制
御することができる。If a heating temperature control means for controlling the heating temperature of the substrate to be heated is provided, the temperature of the substrate can be controlled accurately.
【００３８】また、加熱温度制御手段が、基板の裏面の
温度を測定する非接触温度計を備えていると、さらに応
答性及び精度の良い状態で温度制御を行うことができ
る。If the heating temperature control means includes a non-contact thermometer for measuring the temperature on the back surface of the substrate, the temperature can be controlled with better responsiveness and accuracy.
【００３９】また、ランプヒータのランプ光が基板の上
面のみを照射する照射領域規制手段を設けると、基板の
みを加熱でき、アームやハンドなどの過熱すると不都合
な部分の過熱を防止できる。Further, when the irradiation area regulating means for irradiating only the upper surface of the substrate with the lamp light of the lamp heater is provided, only the substrate can be heated, and the overheating of the arm or the hand, which is inconvenient when overheating, can be prevented.
【００４０】また、照射領域規制手段が、ハンドの上部
に配置された絞り板から成ると、簡単な構成で確実に基
板のみを加熱し、アームやハンドなどの過熱を防止する
ことができる。Further, when the irradiation area regulating means comprises a diaphragm plate arranged on the upper part of the hand, it is possible to reliably heat only the substrate with a simple configuration and prevent overheating of the arm and the hand.
【図１】本発明の基板加熱装置を備えた基板処理装置の
一実施形態におけるロードロック室の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a load lock chamber in an embodiment of a substrate processing apparatus provided with a substrate heating device of the present invention.
【図２】同実施形態におけるロードロック室と処理室の
断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a load lock chamber and a processing chamber in the embodiment.
【図３】同実施形態における基板の搬送工程の説明図で
ある。FIG. 3 is an explanatory diagram of a substrate transfer step in the embodiment.
【図４】同実施形態における基板搬送ロボットのハンド
を示し、（ａ）は一例の斜視図、（ｂ）は他の例の斜視
図である。4A and 4B show a hand of the substrate transfer robot according to the embodiment, wherein FIG. 4A is a perspective view of one example, and FIG. 4B is a perspective view of another example.
【図５】従来例の基板加熱室を設けた基板処理装置にお
ける基板搬送工程の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a substrate transfer step in a conventional substrate processing apparatus provided with a substrate heating chamber.
【図６】従来例の基板加熱室の一例の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of an example of a conventional substrate heating chamber.
【図７】従来例の基板加熱室の他の例の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of another example of the conventional substrate heating chamber.
１ ロードロック室 ２ ヒータユニット ３ 基板搬送ロボット ４ ランプヒータ ９、９ａ、９ｂ アーム １０、１０ａ、１０ｂ ハンド １１ 基板 １３ 絞り板 １４ 非接触温度検出器 １５ 処理室 １８ 支持突片 １９ 支持ピン ２０ 加熱温度制御手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Load lock room 2 Heater unit 3 Substrate transfer robot 4 Lamp heater 9, 9a, 9b Arm 10, 10a, 10b Hand 11 Substrate 13 Aperture plate 14 Non-contact temperature detector 15 Processing chamber 18 Support projection 19 Support pin 20 Heating temperature Control means
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 康司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 直樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 GA02 GA12 JA10 KA23 KA39 KA41 5F045 EB08 EB13 EK12 EK27 EN04 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Koji Arai 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Term (reference) 4K030 CA04 GA02 GA12 JA10 KA23 KA39 KA41 5F045 EB08 EB13 EK12 EK27 EN04
Claims (11)
あって、大気側と真空側の処理室との間に介装されたロ
ードロック室に基板を搬入する工程と、ロードロック室
の外側の上部からロードロック室に搬入された基板を加
熱する工程とを有することを特徴とする基板加熱方法。1. A method of heating a substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: loading a substrate into a load lock chamber interposed between an atmosphere side and a vacuum side processing chamber; Heating the substrate carried into the load lock chamber from the substrate.
御することを特徴する請求項１記載の基板加熱方法。2. The method according to claim 1, wherein the temperature of the substrate is detected and the heating temperature is controlled.
ムを用い、大気側の未処理の基板を上アームでロードロ
ック室に移載する工程と、その後上アームが処理室方向
に向いて待機する間に基板を加熱する工程と、処理室で
処理された基板を下アームで回収した後、すぐに上アー
ムの未処理基板を処理室に移載する工程と、下アームの
処理済み基板を大気側に移載する工程とを有することを
特徴する請求項１記載の基板加熱方法。3. A process in which an unprocessed substrate on the atmosphere side is transferred to a load lock chamber by an upper arm by using a robot arm having two upper and lower arms, and thereafter, the upper arm is directed toward the processing chamber and waits. Heating the substrate in the processing chamber, collecting the substrate processed in the processing chamber with the lower arm, and immediately transferring the unprocessed substrate in the upper arm to the processing chamber, and transferring the processed substrate in the lower arm to the atmosphere. 2. The method according to claim 1, further comprising the step of:
るハンドが取付けられて基板を移載するロボットアーム
を配設し、ロードロック室内にハンドに載せられた基板
が搬入された時にロードロック室の外側の上部から基板
を加熱する手段を設けたことを特徴とする基板加熱装
置。4. A robot arm, to which a hand for holding a substrate is attached at a tip thereof, for transferring a substrate, is provided in the load lock chamber, and the load lock is performed when the substrate placed on the hand is loaded into the load lock chamber. A substrate heating apparatus, comprising: means for heating a substrate from an upper portion outside a chamber.
を小さくするように小さい接触面積で基板の外周部を支
持する支持手段を設けたことを特徴とする請求項４記載
の基板加熱装置。5. The substrate heating apparatus according to claim 4, wherein the hand is provided with support means for supporting an outer peripheral portion of the substrate with a small contact area so as to reduce heat transfer from the substrate to the hand. .
備え、大気側の未処理の基板を上アームのハンドに載せ
てロードロック室に搬入し、加熱手段で加熱するように
構成し、処理済みの基板を下アームで回収するように構
成したことを特徴とする請求項４記載の基板加熱装置。6. The robot arm is provided with two upper and lower arms, and is configured so that an unprocessed substrate on the atmosphere side is loaded on a hand of an upper arm, carried into a load lock chamber, and heated by a heating means, and processed. 5. The substrate heating apparatus according to claim 4, wherein the substrate is collected by the lower arm.
は、ランプヒータから成ることを特徴とする請求項４記
載の基板加熱装置。7. The substrate heating apparatus according to claim 4, wherein the upper heating means outside the load lock chamber comprises a lamp heater.
熱温度制御手段を設けたことを特徴とする請求項４又は
７記載の基板加熱装置。8. The substrate heating apparatus according to claim 4, further comprising heating temperature control means for controlling a heating temperature of the substrate to be heated.
を測定する非接触温度計を備えていることを特徴とする
請求項８記載の基板加熱装置。9. The substrate heating apparatus according to claim 8, wherein the heating temperature control means includes a non-contact thermometer for measuring the temperature of the back surface of the substrate.
のみを照射する照射領域規制手段を設けたことを特徴と
する請求項７記載の基板加熱装置。10. The substrate heating apparatus according to claim 7, further comprising an irradiation area regulating means for irradiating only the upper surface of the substrate with the lamp light of the lamp heater.
配置された絞り板から成ることを特徴とする請求項１０
記載の基板加熱装置。11. The illuminated area regulating means comprises an aperture plate arranged on an upper part of the hand.
The substrate heating apparatus according to any one of the preceding claims.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221770A JP2000058455A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Substrate heating method and equipment thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221770A JP2000058455A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Substrate heating method and equipment thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058455A true JP2000058455A (en) | 2000-02-25 |
Family
ID=16771938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10221770A Pending JP2000058455A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Substrate heating method and equipment thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058455A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7024266B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, method of controlling substrate, and exposure apparatus |
| JP2010519521A (en) * | 2007-02-16 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP10221770A patent/JP2000058455A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7024266B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate processing apparatus, method of controlling substrate, and exposure apparatus |
| JP2010519521A (en) * | 2007-02-16 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Substrate temperature measurement by infrared transmission |
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