JP2000058424A - Charged particle beam exposure system and mask for direct plotting and plotting method - Google Patents
Charged particle beam exposure system and mask for direct plotting and plotting methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、所望の露光パター
ンを一括して転写する荷電粒子線露光装置、直描用マス
クおよび描画方法に関し、特に同一パターンの反転や回
転パターンが用いられる荷電粒子線露光装置、直描用マ
スクおよび描画方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam exposure apparatus for transferring a desired exposure pattern at a time, a mask for direct drawing, and a drawing method. The present invention relates to an exposure apparatus, a mask for direct drawing, and a drawing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置の製造には高いスルー
プットが要求されており、微細パターンをウェーハ上に
形成するリソグラフィー技術においても同様である。こ
のため、紫外光を用いる光リソグラフィーやＸ線を用い
るＸ線リソグラフィーに加えて波長の短い荷電粒子線を
用いる電子線リソグラフィーが導入されている。この電
子線リソグラフィーにおいても従来の第１のマスクと直
描用マスクの長方形の開口部の組み合わせによって任意
の大きさの長方形のパターンを生成し、その組み合わせ
で所望の描画を行う可変成形型の描画方法に加えて、予
め所望のパターンの開口が形成された荷電粒子線用の一
括描画用のマスクを直描用マスクとして用いた部分一括
直描方式が、特に繰り返しパターンの多く用いられるメ
モリ領域などの用途に対して適用されてスル−プットを
向上させている。2. Description of the Related Art In recent years, high throughput has been required for the manufacture of semiconductor devices, and the same applies to lithography technology for forming a fine pattern on a wafer. For this reason, electron beam lithography using a charged particle beam with a short wavelength has been introduced in addition to photolithography using ultraviolet light and X-ray lithography using X-rays. In this electron beam lithography, a rectangular pattern of an arbitrary size is generated by a combination of a rectangular opening of a conventional first mask and a mask for direct drawing, and a variable shaping type drawing for performing a desired drawing with the combination is performed. In addition to the method, a partial batch direct drawing method using a mask for batch drawing for a charged particle beam in which openings of a desired pattern are formed in advance as a mask for direct drawing, especially in a memory area where a repeated pattern is often used To improve the throughput.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】部分一括直描方式を用
いて、高いスループットで実デバイスを描画するには、
周辺回路も含めて部分一括化する必要がある。しかし荷
電粒子線の光軸中心から離れたところでは、ビームの偏
向ひずみなどが大きくなるため、直描用マスク上に搭載
できるパターンの数は、荷電粒子線露光装置が安定して
ビーム偏向可能な領域サイズで制限されてしまう。In order to draw a real device with high throughput using the partial batch direct drawing method,
It is necessary to partially integrate the peripheral circuits. However, since the deflection distortion of the beam increases at the distance from the center of the optical axis of the charged particle beam, the number of patterns that can be mounted on the mask for direct writing is such that the charged particle beam exposure apparatus can stably deflect the beam. It is limited by the area size.
【０００４】一方で、デバイスを設計する際には、ある
セルをもとに、それを回転あるいは反転してデバイス回
路が設計されることが多い。これに対応して描画に使用
する直描用マスク上には基本パターンのほかに反転や回
転されたパターンを別のパターンとして搭載しなければ
ならない。そのために、直描用マスクの領域の制限もあ
って、同じ直描用マスクにデバイスの露光に必要なすべ
てのパターンの搭載が困難になる場合があり、この対策
が求められている。図９は従来例の荷電粒子線露光装置
１の描画方法を説明するための荷電粒子線直描用マスク
の構造を示す模式図であり、（ａ）は直描用マスクの模
式的平面図、（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ
−ｂの模式的断面図、（ｃ）は基本セルＡのパターン、
（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。デバイスパター
ンでは基本セルＡ９１、基本セルＢ９２の他にセルＡ反
転パターン、セルＢ回転パターンが用いられているとす
ると、基本セル搭載開口９３の他に、セルＡ反転パター
ン開口９４、セルＢ回転パターン開口９５が必要とな
り、図示のような通常用いられている６開口を有する直
描用マスクでは、中央の開口が可変成形用の開口として
用いられるので一般パターン用としては一般パターン搭
載開口９７の１個しか使用できない。On the other hand, when designing a device, a device circuit is often designed by rotating or inverting a certain cell based on the cell. Correspondingly, on the mask for direct drawing used for drawing, in addition to the basic pattern, an inverted or rotated pattern must be mounted as another pattern. For this reason, there is a case where it is difficult to mount all the patterns required for device exposure on the same direct-write mask due to the limitation of the area of the direct-write mask. FIGS. 9A and 9B are schematic views showing the structure of a charged particle beam direct writing mask for describing a drawing method of the conventional charged particle beam exposure apparatus 1, and FIG. 9A is a schematic plan view of the direct writing mask. (B) is the cutting line a of (a) of the mask for direct drawing
-B is a schematic cross-sectional view, (c) is a pattern of the basic cell A,
(D) shows the pattern of the basic cell B. Assuming that the device pattern uses the cell A inversion pattern and the cell B rotation pattern in addition to the basic cell A 91 and the basic cell B 92, the cell A inversion pattern opening 94 and the cell B rotation pattern in addition to the basic cell mounting opening 93. In the case of a direct drawing mask having six openings as shown in the drawing, the center opening is used as an opening for variable shaping. Only one can be used.
【０００５】また、直描用マスクはＳＯＩ（Ｓｉｒｉｃ
ｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｒａｔｏｒ）の２層の貼り合わせ
基板が用いられ、リブ形成部をエッチング処理すること
によってパターン形成層９８の片面の周囲にリブ９９が
形成され、マスクパターンは電子の透過を阻止するに十
分な厚さを持つ貼り合せ基板のパターン形成層９８に形
成された構造を有している。リブ９９は片面にのみ形成
されているので、熱等の影響により薄いパターン形成層
９８に応力による影響を生じ易いという問題点がある。The mask for direct drawing is SOI (Siric).
A two-layer bonded substrate of “on on insulator” is used, and a rib 99 is formed around one surface of the pattern forming layer 98 by etching a rib forming portion, and the mask pattern is sufficient to prevent transmission of electrons. It has a structure formed on a pattern forming layer 98 of a bonded substrate having a suitable thickness. Since the ribs 99 are formed only on one surface, there is a problem that the thin pattern forming layer 98 is easily affected by stress due to heat or the like.
【０００６】本発明の目的は、基本パターンのみで反転
・回転されたパターンの描画も可能でマスク応力の緩和
できる荷電粒子線露光装置、直描用マスクおよび描画方
法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a charged particle beam exposure apparatus, a mask for direct writing, and a writing method capable of writing an inverted / rotated pattern using only a basic pattern and reducing a mask stress.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子線露光
装置は、直描用マスクを用いてウェーハ上のフォトレジ
ストの露光を行う荷電粒子線露光装置であって、荷電粒
子線をウェーハに所望の形状で照射する直描電子照射手
段と、ＣＡＤ等を含む情報の入出力手段と、入力された
情報に基づいて直描電子照射系を制御する制御手段と、
ウェーハを搭載してそのウェーハの所望の位置を荷電粒
子線の照射位置に移動させるウェーハ移動手段と、ウェ
ーハを外部とウエーハ移動手段との間で移送するウェー
ハ移送手段とを備え、直描電子照射手段は、複数の所望
の形状の露光パターンを形成した直描用マスクを回転並
びに反転可能に保持するマスクホルダを有する。A charged particle beam exposure apparatus according to the present invention is a charged particle beam exposure apparatus for exposing a photoresist on a wafer by using a mask for direct drawing, wherein the charged particle beam is exposed to a wafer. Direct drawing electron irradiation means for irradiating in a desired shape, input / output means for information including CAD and the like, control means for controlling a direct drawing electron irradiation system based on the input information,
A wafer moving means for mounting a wafer and moving a desired position of the wafer to a charged particle beam irradiation position, and a wafer transferring means for transferring a wafer between the outside and the wafer moving means, the direct drawing electron irradiation The means has a mask holder that holds a direct-write mask on which a plurality of exposure patterns of a desired shape are formed in a rotatable and reversible manner.
【０００８】さらに、荷電粒子線露光装置の描画動作の
制御プログラムを記録した記録媒体を備えていてもよ
い。[0008] Further, a recording medium storing a control program for a drawing operation of the charged particle beam exposure apparatus may be provided.
【０００９】また、直描電子照射手段が、荷電粒子線を
照射する荷電粒子ソースと、荷電粒子線を成形するため
の開口を有する第１マスクと、所望の露光パターンが形
成された直描用マスクを回転および反転可能に保持する
マスクホルダと、第１マスクを通過した荷電粒子線を直
描用マスク上で所望の形状に成形するための成形偏向器
と、荷電粒子線を直描用マスクの所望の露光パターン上
に照射させるための選択偏向器と、荷電粒子線をウェー
ハ上に収束させるための対物レンズと、荷電粒子線の収
束位置を決める位置決め偏向器とを備えていてもよい。In addition, the direct writing electron irradiating means includes a charged particle source for irradiating the charged particle beam, a first mask having an opening for forming the charged particle beam, and a direct writing device on which a desired exposure pattern is formed. A mask holder for rotatably and reversibly holding the mask, a shaping deflector for shaping the charged particle beam passing through the first mask into a desired shape on the direct drawing mask, and a mask for direct drawing the charged particle beam May be provided with a selective deflector for irradiating the desired exposure pattern, an objective lens for converging the charged particle beam on the wafer, and a positioning deflector for determining a convergence position of the charged particle beam.
【００１０】さらに、マスクホルダは、直描電子照射手
段の直描用マスクステージに取り付けられた複数の回転
支持ローラにより荷電粒子線光軸にほぼ直交する平面で
回転可能に支持され、回転駆動ローラを介して回転駆動
モータにより任意の角度に回転できる回転ステージと、
その回転ステージの窓部内に反転軸で反転可能に軸支さ
れ、反転駆動モータで１８０度反転する反転ステージと
を備え、その反転ステージの窓部内には直描用マスクの
厚さの中心が反転軸の回転中心線と一致し、反転ステー
ジの正転・反転時には直描用マスクのパターン面が荷電
粒子線光軸に直交するように直描用マスクを保持するた
めの保持手段が設けられていてもよい。Further, the mask holder is rotatably supported on a plane substantially orthogonal to the optical axis of the charged particle beam by a plurality of rotary support rollers attached to a direct writing mask stage of the direct writing electron irradiation means. A rotary stage that can be rotated at any angle by a rotary drive motor via
A reversing stage rotatably supported by a reversing axis in a window of the rotating stage and reversing by 180 degrees by a reversing drive motor, wherein the center of the thickness of the mask for direct drawing is reversed in the window of the reversing stage. A holding means is provided for holding the direct-writing mask so that it coincides with the rotation center line of the shaft and the pattern surface of the direct-writing mask is orthogonal to the charged particle beam optical axis when the reversing stage is rotated forward / reversed. You may.
【００１１】本発明の直描用マスクは、荷電粒子線露光
装置の露光パターンを形成した直描用マスクあって、露
光パターン形成面の周囲に表裏対称なリブ構造を有す
る。The mask for direct writing of the present invention is a mask for direct writing in which an exposure pattern of a charged particle beam exposure apparatus is formed, and has a symmetrical rib structure around a surface on which an exposure pattern is formed.
【００１２】また、貼り合せ基板により構成され、その
基板の表面および裏面の両方からエッチング加工を行う
ことによりリブが形成され、露光パターンは電子の透過
を阻止するに十分な厚さを持つ貼り合せ基板の中間層に
形成されていてもよい。Further, a rib is formed by performing an etching process from both the front surface and the back surface of the bonded substrate, and the exposed pattern has a thickness sufficient to prevent transmission of electrons. It may be formed in an intermediate layer of the substrate.
【００１３】本発明の荷電粒子線露光装置の描画方法
は、ウェーハ上の照射位置を選択し、選択した照射位置
の露光パターンデータのセル情報を入手し、そのセル情
報が基本パターンか、一般図形か、可変成形かを判断
し、基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パタ
ーンの種類を選択し、露光パターンの露光形態が基本型
か、回転型か、反転型かを判断し、露光パターンの露光
形態が基本型であればそのまま、回転型であれば回転角
度を入手して直描用マスクの回転を実行し、反転型であ
れば、直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行
し、一般図形であれば、直描用マスク上の指定の一般図
形を選択し、可変成形であれば直描用マスク上の照射位
置を入手して、照射工程に移行し、照射工程ではウェー
ハを移動させて照射位置を所定の位置に設定し、荷電粒
子線を直描用マスク上の照射位置に設定し、荷電粒子線
を照射してウェーハ上のフォトレジストの露光を実行す
る。According to the drawing method of the charged particle beam exposure apparatus of the present invention, an irradiation position on a wafer is selected, cell information of exposure pattern data at the selected irradiation position is obtained, and the cell information is a basic pattern or a general figure. Or, determine whether it is variable shaping, if it is a basic pattern, select the type of basic pattern on the mask for direct drawing, determine whether the exposure pattern of the exposure pattern is basic type, rotation type, reversal type, If the exposure pattern of the exposure pattern is the basic type, the rotation type is used to obtain the rotation angle, and if the rotation type is used, the rotation of the direct drawing mask is performed. Then, go to the irradiation step, if it is a general figure, select the specified general figure on the mask for direct drawing, and if it is variable shaping, obtain the irradiation position on the mask for direct drawing and go to the irradiation step In the irradiation process, the wafer is moved to Was set at a predetermined position, the charged particle beam is set to the irradiation position on the straight 描用 mask, by irradiating the charged particle beam to perform an exposure of the photoresist on the wafer.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
の荷電粒子線露光装置と直描用マスクとその描画方法に
ついて図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の
実施の形態の荷電粒子線露光装置の構成を示すブロック
構成図であり、図２は本発明の第１の実施の形態の荷電
粒子線露光装置の直描電子照射系の構成を示す模式的斜
視図であり、図３は本発明の第１の実施の形態のマスク
ホルダの模式的斜視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a charged particle beam exposure apparatus, a direct drawing mask and a drawing method thereof according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a charged particle beam exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the direct drawing electron beam of the charged particle beam exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic perspective view showing a configuration of an irradiation system, and FIG. 3 is a schematic perspective view of a mask holder according to the first embodiment of the present invention.
【００１５】図１に示すように荷電粒子線露光装置１は
ＣＡＤ等を含む入出力部２と、入力された情報に基づい
て直描電子照射系５を制御する制御部３と、電源部４
と、荷電粒子線をウェーハに照射してウェーハ上のフォ
トレジストを露光させる直描電子照射系５と、ウェーハ
を搭載してウェーハの所望の位置を荷電粒子線の照射位
置に移動させるウェーハ移動ステージ７と、ウェーハを
外部とウエーハ移動ステージ７の間で移送するウェーハ
ローダ８とを備えている。As shown in FIG. 1, a charged particle beam exposure apparatus 1 includes an input / output unit 2 including a CAD, a control unit 3 for controlling a direct drawing electron irradiation system 5 based on input information, and a power supply unit 4
A direct-drawing electron irradiation system 5 for irradiating the wafer with a charged particle beam to expose a photoresist on the wafer, and a wafer moving stage for mounting the wafer and moving a desired position of the wafer to the charged particle beam irradiation position 7 and a wafer loader 8 for transferring a wafer between the outside and the wafer moving stage 7.
【００１６】図２に示すように、直描電子照射系５は、
荷電粒子線を放射する荷電粒子ソース５１と、荷電粒子
線を成形するための長方形の開口を有する第１マスク５
２と、第１マスクを通過した荷電粒子線を直描用マスク
５５上で所望の形状に成形するための成形偏向器５３
と、荷電粒子線を直描用マスク５５の所望のパターン上
に照射させるための選択偏向器５４と、マスクホルダ６
０で回転および反転可能に保持され、部分一括開口５６
や可変成形開口５７を有する直描用マスク５５と、荷電
粒子線をウェーハ上に収束させるための対物レンズ５８
と、荷電粒子線の収束位置を決める位置決め偏向器５９
と不図示の移動用ステージに保持されたウェーハ７０と
から構成される。As shown in FIG. 2, the direct-drawing electron irradiation system 5 includes:
A charged particle source 51 for emitting a charged particle beam, and a first mask 5 having a rectangular opening for shaping the charged particle beam
2 and a shaping deflector 53 for shaping the charged particle beam passing through the first mask into a desired shape on the direct drawing mask 55
A selective deflector 54 for irradiating a charged particle beam onto a desired pattern of a mask 55 for direct drawing, and a mask holder 6
0 to be rotatable and reversible, and the partial batch opening 56
Mask 55 having an aperture 57 and a variable shaped aperture 57, and an objective lens 58 for converging the charged particle beam on the wafer
And the positioning deflector 59 for determining the convergence position of the charged particle beam
And a wafer 70 held on a moving stage (not shown).
【００１７】図３に示すようにマスクホルダ６０は、直
描電子照射系５の不図示の直描用マスクステージに取り
付けられた複数の回転支持ローラ６２により荷電粒子線
光軸にほぼ直交する平面で回転可能に支持され、回転駆
動ローラ６３を介して回転駆動モータにより任意の角度
に回転できる回転ステージ６１と、回転ステージ６１の
窓部内に反転軸６６で反転可能に軸支され、反転駆動モ
ータ６７で１８０度反転する反転ステージ６５とを備
え、反転ステージ６５の窓部内には直描用マスク５５の
厚さの中心が反転軸６６の回転中心線と一致し、反転ス
テージ６５の正転および反転時には直描用マスク５５の
パターン面が荷電粒子線光軸に直交するように直描用マ
スク５５が保持される。この構造は一例であり、直描用
マスク５５が回転かつ反転可能に保持される構造であれ
ばよい。As shown in FIG. 3, the mask holder 60 has a plane substantially perpendicular to the optical axis of the charged particle beam by a plurality of rotary support rollers 62 attached to a mask stage (not shown) of the direct writing electron irradiation system 5. A rotating stage 61 rotatably supported by a rotating drive roller 63 and rotatable at an arbitrary angle by a rotating drive motor; and a reversing drive motor rotatably supported by a reversing shaft 66 in a window of the rotating stage 61. A reversing stage 65 for reversing 180 degrees at 67. In the window of the reversing stage 65, the center of the thickness of the mask for direct drawing 55 coincides with the rotation center line of the reversing shaft 66, At the time of inversion, the mask 55 for direct writing is held so that the pattern surface of the mask 55 for direct writing is orthogonal to the optical axis of the charged particle beam. This structure is an example, and any structure may be used as long as the direct drawing mask 55 is rotatably and reversibly held.
【００１８】図４は本発明の荷電粒子線露光装置１の描
画方法を説明するための荷電粒子線直描用マスクの構造
を示す模式図であり、（ａ）は直描用マスクの模式的平
面図、（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの
模式的断面図、（ｃ）は基本セルＡのパターン、（ｄ）
は基本セルＢのパターンを示す。図５は直描用マスクを
用いた描画方法を説明するための模式的斜視図であり、
（ａ）は直描用マスクを反転させる動作、（ｂ）は直描
用マスクを回転させる動作を示す。図６はデバイスパタ
ーンの一例を示す模式的平面図であり、（ａ）は基本図
形、（ｂ）はウェーハ上のパターンの配列を示す。FIG. 4 is a schematic diagram showing the structure of a charged particle beam direct writing mask for explaining the drawing method of the charged particle beam exposure apparatus 1 of the present invention. FIG. 4A is a schematic diagram of the direct drawing mask. FIG. 2B is a plan view, FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along line ab of FIG. 1A of the mask for direct drawing, FIG.
Indicates a pattern of the basic cell B. FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a drawing method using a mask for direct drawing.
(A) shows the operation of inverting the direct-write mask, and (b) shows the operation of rotating the direct-write mask. 6A and 6B are schematic plan views showing an example of a device pattern. FIG. 6A shows a basic figure, and FIG. 6B shows an arrangement of patterns on a wafer.
【００１９】図４の直描用マスク５５上の基本セル搭載
開口７３には、一括描画パターンとして図６に示すデバ
イスパターンから抽出された基本図形である基本セルＡ
７１・基本セルＢ７２が形成されている。このパターン
はＳＯＩの中間ＳｉＯ2 層７７である酸化膜に形成され
ており、酸化膜の厚さは１０μｍ以上である。また、表
面および裏面のＳｉ層には表面リブ７６および裏面リブ
７８が形成されており、反転した際にも焦点深度が変化
しないようにマスクホルダ６０により保持されている。In the basic cell mounting opening 73 on the direct drawing mask 55 shown in FIG. 4, a basic cell A which is a basic figure extracted from the device pattern shown in FIG.
71, a basic cell B72 is formed. This pattern is formed on an oxide film that is an intermediate SiO 2 layer 77 of SOI, and the thickness of the oxide film is 10 μm or more. A front rib 76 and a rear rib 78 are formed on the front and rear Si layers, and are held by the mask holder 60 so that the depth of focus does not change even when inverted.
【００２０】図２、図３に示すように、このマスクはマ
スクホルダ６０に載せて直描用マスク５５として荷電粒
子線露光装置１の直描電子照射系５に搭載される。描画
時には、描画データの露光パターンの配置情報に基づい
て、直描用マスク５５を搭載したマスクホルダー６０を
そのまま、回転あるいは反転させて、選択偏向器５４で
集光した荷電粒子線を所望の露光パターン上に照射して
ウェーハ７０上に描画を行う。As shown in FIGS. 2 and 3, this mask is mounted on a mask holder 60 and mounted as a direct drawing mask 55 on the direct drawing electron irradiation system 5 of the charged particle beam exposure apparatus 1. At the time of drawing, the mask holder 60 on which the direct drawing mask 55 is mounted is rotated or inverted as it is based on the arrangement information of the exposure pattern of the drawing data, and the charged particle beam collected by the selective deflector 54 is exposed to desired exposure light. Irradiation is performed on the pattern to draw on the wafer 70.
【００２１】図６に示すデバイスパターン８３は、セル
Ａ基準パターン８５と、基本セルＡ８１をミラー反転し
たセルＡ反転パターン８６、および基本セルＢ８２を９
０度回転したセルＢ回転パターン８４から構成されてい
る。このパターンデータから部分一括用のマスクデータ
として基本セルＡ８１と基本セルＢ８２とを抽出して、
図４に示す直描用マスク５５にパターンを作成する。こ
の直描用マスク５５には中心部に可変矩形描画用の可変
成形用開口７５および３種類の一般図形搭載用開口７４
を含めて、合計6種のパターンを搭載することができ
る。図９に示されるように同じデバイスパターンに対応
した従来例の直描用マスクでは一般図形搭載用開口は１
種類より搭載できなかった。The device pattern 83 shown in FIG. 6 has a cell A reference pattern 85, a cell A inverted pattern 86 obtained by mirror-inverting the basic cell A81, and nine basic cells B82.
It comprises a cell B rotation pattern 84 rotated by 0 degrees. A basic cell A81 and a basic cell B82 are extracted from the pattern data as mask data for partial batch,
A pattern is created on the direct drawing mask 55 shown in FIG. The mask 55 for direct drawing has a variable forming opening 75 for drawing a variable rectangle and an opening 74 for mounting three types of general figures in the center.
, Including a total of six patterns. As shown in FIG. 9, in the conventional direct drawing mask corresponding to the same device pattern, the opening for mounting a general figure is one.
Could not be mounted than the type.
【００２２】図４に示すように直描用マスク５５の表面
および裏面のＳｉ膜にはマスク強度の維持および熱・電
気の排出を目的として表面リブ７６および裏面リブ７８
が形成され、中間ＳｉＯ2 層７７である酸化膜にはマス
クパターンが形成されている。この中間ＳｉＯ2 層７７
はマスクの表面および裏面の両方から等しい距離にある
ので、マスクの反転によって焦点深度が変化しない。As shown in FIG. 4, the front surface rib 76 and the rear surface rib 78 are formed on the Si film on the front and back surfaces of the direct drawing mask 55 for the purpose of maintaining the mask strength and discharging heat and electricity.
Is formed, and a mask pattern is formed on the oxide film serving as the intermediate SiO 2 layer 77. This intermediate SiO 2 layer 77
Since is at an equal distance from both the front and back surfaces of the mask, the inversion of the mask does not change the depth of focus.
【００２３】この直描用マスク５５をマスクホルダ６０
に取り付け荷電粒子線露光装置１の直描電子照射系５の
直描用マスクステージ上に搭載し、描画に用いる。図６
に示すデバイスパターン８３を描画する際には、制御部
３の記憶部に記憶された露光パターンデータのセル参照
情報に基づいて、直描用マスク５５をそのままあるいは
回転および反転させながら描画する。図５に示すよう
に、例えば基本セルであるセルＡおよびセルＢが配列さ
れているデータ領域を描画する際には、直描用マスクは
通常位置で開口Ａおよび開口Ｂを用いて描画が行われる
（回転角度＝０）。つぎにミラー反転したセルＡ反転パ
ターン８６を描画する際には、反転軸６６の中心線ｒを
中心にマスクホルダ６０を回転し、開口Ａの反転開口を
用いて描画を行う。更にセルＢを90度回転したセルＢ回
転パターン８４を描画する際には、マスクステージを回
転軸６８の中心線ｚを中心に90度回転し、開口Ｂの回転
開口を用いて描画を行う。このように各パターンにおけ
る基本セルの参照状況に応じて直描用マスクを回転ある
いは反転して描画を行うことで、種々のパターンを描画
することができる。The mask 55 for direct drawing is attached to a mask holder 60.
It is mounted on a direct-writing mask stage of the direct-writing electron irradiation system 5 of the charged particle beam exposure apparatus 1 and used for drawing. FIG.
When the device pattern 83 is drawn, the direct drawing mask 55 is drawn as it is or while rotating and inverting it based on the cell reference information of the exposure pattern data stored in the storage unit of the control unit 3. As shown in FIG. 5, for example, when drawing a data region in which cells A and B, which are basic cells, are arranged, the direct drawing mask is drawn using the openings A and B at normal positions. (Rotation angle = 0). Next, when writing the mirror-inverted cell A inversion pattern 86, the mask holder 60 is rotated around the center line r of the inversion axis 66, and writing is performed using the inversion opening of the opening A. Further, when writing the cell B rotation pattern 84 obtained by rotating the cell B by 90 degrees, the mask stage is rotated by 90 degrees about the center line z of the rotation axis 68, and writing is performed using the rotation opening of the opening B. In this manner, various patterns can be drawn by rotating or inverting the direct drawing mask in accordance with the reference situation of the basic cell in each pattern and drawing.
【００２４】図７は本発明の荷電粒子線露光装置の直描
電子照射系を用いた描画方法のフローチャートである。
図７を参照して本発明の荷電粒子線露光装置の直描電子
照射系を用いた描画方法を詳細に説明する。FIG. 7 is a flowchart of a drawing method using the direct writing electron irradiation system of the charged particle beam exposure apparatus of the present invention.
Referring to FIG. 7, a drawing method using the direct writing electron irradiation system of the charged particle beam exposure apparatus of the present invention will be described in detail.
【００２５】処理を開始すると（ステップＳ１０１）、
ウェーハ上の照射位置を選択し（Ｓ１０２）、選択した
照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手する
（Ｓ１０３）。セル情報が基本パターンであれば（Ｓ１
０４Ｙ）、直描用マスク上の基本パターンの種類を選択
し（Ｓ１０５）、パターンの露光形態が基本型であれば
（Ｓ１０６Ｙ）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定
に移行する。When the process starts (step S101),
The irradiation position on the wafer is selected (S102), and the cell information of the exposure pattern data at the selected irradiation position is obtained (S103). If the cell information is a basic pattern (S1
04Y), the type of the basic pattern on the direct-write mask is selected (S105), and if the pattern exposure mode is the basic type (S106Y), the process proceeds to wafer position setting in step S116.
【００２６】パターンの露光形態が基本型でなく（Ｓ１
０６Ｎ）、回転型であれば（Ｓ１０７Ｙ）、回転角度を
入手し（Ｓ１０８）、直描用マスクの回転を実行して
（Ｓ１０９）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に
移行する。パターンの露光形態が回転型でなく（Ｓ１０
７Ｎ）、反転型であれば（Ｓ１１０Ｙ）、直描用マスク
の反転を実行して（Ｓ１１１）、ステップＳ１１６のウ
ェーハ位置設定に移行する。パターンの露光形態が反転
型でもなければ（Ｓ１１０Ｎ）、過程に誤りのおそれが
あるのでアラームを発信して（Ｓ１２０）、処理を終了
する（Ｓ１２２）。The pattern exposure mode is not the basic type (S1
06N), if it is a rotation type (S107Y), the rotation angle is obtained (S108), the rotation of the direct-writing mask is executed (S109), and the process shifts to wafer position setting in step S116. The exposure mode of the pattern is not a rotation type
7N), if it is an inversion type (S110Y), inversion of the direct writing mask is performed (S111), and the process shifts to wafer position setting in step S116. If the pattern exposure mode is not the reverse type (S110N), an alarm is issued (S120) because there is a possibility of an error in the process, and the process ends (S122).
【００２７】ステップＳ１０４で、セル情報が基本パタ
ーンでなく（Ｓ１０４Ｎ）、一般図形であれば（Ｓ１１
２Ｙ）、直描用マスク上の一般図形を選択して（Ｓ１１
３）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に移行す
る。一般図形でなく（Ｓ１１２Ｎ）、可変成形であれば
（Ｓ１１４Ｙ）、直描用マスク上の照射位置を入手して
（Ｓ１１５）、ステップＳ１１６のウェーハ位置設定に
移行する。パターンが可変成形でもなければ（Ｓ１１４
Ｎ）、過程に誤りのおそれがあるのでアラームを発信し
て（Ｓ１２１）、処理を終了する（Ｓ１２２）。In step S104, if the cell information is not a basic pattern (S104N) but is a general figure (S11)
2Y), select a general figure on the mask for direct drawing (S11)
3), the process proceeds to wafer position setting in step S116. If it is not a general figure (S112N) and it is variable shaping (S114Y), the irradiation position on the direct drawing mask is obtained (S115), and the process proceeds to wafer position setting in step S116. If the pattern is not variable molding (S114
N), an alarm is transmitted because there is a possibility of an error in the process (S121), and the process ends (S122).
【００２８】ステップ１１６ではウェーハを移動させて
照射位置を所定の位置に設定し（Ｓ１１６）、荷電粒子
線を直描用マスク上の照射位置に設定し（Ｓ１１７）、
荷電粒子線を照射してウェーハ上のフォトレジストの露
光を実行する（Ｓ１１８）。照射の処理プロセスが未了
であれば（Ｓ１１９Ｎ）、ステップＳ１０２へ戻ってパ
ターンの選択と照射を繰り返す。照射の処理プロセスが
終了すれば（Ｓ１１９Ｙ）、処理を終了する（Ｓ１２
２）。In step 116, the irradiation position is set to a predetermined position by moving the wafer (S116), and the charged particle beam is set to the irradiation position on the direct drawing mask (S117).
The photoresist on the wafer is exposed by irradiating the charged particle beam (S118). If the irradiation process has not been completed (N in S119), the process returns to step S102 to repeat the pattern selection and irradiation. When the irradiation process ends (S119Y), the process ends (S12).
2).
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態の荷電粒
子線露光装置について図面を参照して説明する。図８は
本発明の第２の実施の形態の荷電粒子線露光装置の構成
を示すブロック構成図である。Next, a charged particle beam exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the charged particle beam exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【００３０】第２の実施の形態では、荷電粒子線露光装
置１０１は、本発明の直描電子照射系１０５を用いた描
画方法の処理プログラムを記録したＦＤ，ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、半導体メモリ等の記録媒体１０９を有する。荷電粒
子線露光装置の構成や直描電子照射系を用いた描画方法
は第１の実施の形態と同じなので説明を省略する。In the second embodiment, the charged particle beam exposure apparatus 101 includes an FD, CD-RO storing a processing program of a writing method using the direct writing electron irradiation system 105 of the present invention.
M, and a recording medium 109 such as a semiconductor memory. The configuration of the charged particle beam exposure apparatus and the drawing method using the direct-drawing electron irradiation system are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【００３１】制御プログラムは記録媒体１０９から制御
部１０３のデータ処理装置１３１に読み込まれてデータ
処理装置１３１の動作を制御する。制御部１０３は制御
プログラムの制御により以下の処理を実行する。The control program is read from the recording medium 109 into the data processing device 131 of the control section 103 to control the operation of the data processing device 131. The control unit 103 executes the following processing under the control of the control program.
【００３２】即ち、ウェーハ上の照射位置を選択し、選
択した照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手
する処理と、セル情報が基本パターンか、一括図形か、
可変成形かを判断する処理と、基本パターンであれば、
直描用マスク上の基本パターンの種類を選択し、パター
ンが基本型か、回転型か、反転型かを判断し、パターン
が基本型であればそのまま、回転型であれば回転角度を
入手して直描用マスクの回転を実行し、反転型であれ
ば、直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行す
る処理と、一般図形であれば、直描用マスク上の一般図
形を選択し、可変成形であれば直描用マスク上の照射位
置を入手して、照射工程に移行する処理と、照射工程で
はウェーハを移動させて照射位置を所定の位置に設定
し、荷電粒子線を直描用マスク上の照射位置に設定し、
荷電粒子線を照射してウェーハ上のフォトレジストの露
光を実行する処理と、を実行する。That is, a process of selecting the irradiation position on the wafer and obtaining the cell information of the exposure pattern data at the selected irradiation position, determining whether the cell information is a basic pattern or a collective figure,
If it is a process to determine whether it is variable molding and a basic pattern,
Select the type of basic pattern on the mask for direct drawing, determine whether the pattern is basic type, rotation type, or inversion type. The rotation of the mask for direct drawing is performed, and if it is the reverse type, the process of inverting the mask for direct drawing is performed to shift to the irradiation process. In the case of variable molding, the irradiation position on the mask for direct drawing is obtained if it is variable molding, and in the irradiation step, the wafer is moved in the irradiation step and the irradiation position is set to a predetermined position, and charged particles are set. Set the line at the irradiation position on the mask for direct drawing,
Irradiating the charged particle beam to expose the photoresist on the wafer.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように本発明の荷電粒子線
露光装置と描画方法では、次のような効果がある。As described above, the charged particle beam exposure apparatus and the drawing method of the present invention have the following effects.
【００３４】第１の効果は、直描用マスク上に搭載する
露光パターンの種類を増加できることである。これは直
描用マスクを回転および反転描画できる装置構成になっ
ているため、デバイスパターン上で回転あるいは反転し
た図形として参照される図形は、基本となる基本図形を
直描用マスクに搭載するのみで描画可能であり、それぞ
れをマスクパターンとして搭載する必要がないからであ
る。The first effect is that the number of types of exposure patterns mounted on the mask for direct drawing can be increased. Since this is a device configuration that can rotate and reverse drawing of the direct drawing mask, figures that are referred to as rotated or inverted figures on the device pattern only have the basic basic figure mounted on the direct drawing mask. This is because it is not necessary to mount each of them as a mask pattern.
【００３５】第２の効果は、開口間のマスク作成精度の
描画への影響を低減できることである。これは同一の開
口を回転あるいは反転して描画するため、マスクの寸法
バラツキ等がないからである。A second effect is that the influence of mask formation accuracy between openings on drawing can be reduced. This is because the same opening is drawn by rotating or inverting it, and there is no dimensional variation of the mask.
【００３６】第３の効果は、マスクのチャージアップ抑
制、熱による歪みの低減、マスク応力の緩和を実現でき
ることである。これはマスクの両面リブ形状により電気
・熱伝導性が向上し、また表裏対称な構造であることか
ら作成時の応力の不均衡がないからである。The third effect is that the charge-up of the mask can be suppressed, the distortion due to heat can be reduced, and the stress on the mask can be reduced. This is because electric and thermal conductivity is improved by the double-sided rib shape of the mask, and since the structure is symmetrical, there is no imbalance in stress at the time of fabrication.
【図１】本発明の第１の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の構成を示すブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の直描電子照射系の構成を示す模式的斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing a configuration of a direct-writing electron irradiation system of the charged particle beam exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施の形態のマスクホルダの模
式的斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view of the mask holder according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の荷電粒子線露光装置１の描画方法を説
明するための荷電粒子線直描用マスクの構造を示す模式
図である。（ａ）は直描用マスクの模式的平面図を示
す。（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの模
式的断面図を示す。（ｃ）は基本セルＡのパターンを示
す。（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。FIG. 4 is a schematic view showing a structure of a charged particle beam direct writing mask for describing a drawing method of the charged particle beam exposure apparatus 1 of the present invention. (A) is a schematic plan view of a mask for direct drawing. (B) is a schematic cross-sectional view taken along a cutting line ab of (a) of the mask for direct writing. (C) shows the pattern of the basic cell A. (D) shows the pattern of the basic cell B.
【図５】直描用マスクを用いた描画方法を説明するため
の模式的斜視図である。（ａ）は直描用マスクを反転さ
せる動作を示す。（ｂ）は直描用マスクを回転させる動
作を示す。FIG. 5 is a schematic perspective view for explaining a drawing method using a direct drawing mask. (A) shows the operation of inverting the direct writing mask. (B) shows the operation of rotating the mask for direct drawing.
【図６】デバイスパターンの一例を示す模式的平面図で
ある。（ａ）は基本図形を示す。（ｂ）はウェーハ上の
パターンの配列を示す。FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of a device pattern. (A) shows a basic figure. (B) shows the pattern arrangement on the wafer.
【図７】本発明の荷電粒子線露光装置の直描電子照射系
を用いた描画方法のフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart of a writing method using a direct writing electron irradiation system of the charged particle beam exposure apparatus of the present invention.
【図８】本発明の第２の実施の形態の荷電粒子線露光装
置の構成を示すブロック構成図である。FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図９】従来例の荷電粒子線露光装置１の描画方法を説
明するための荷電粒子線直描用マスクの構造を示す模式
図である。（ａ）は直描用マスクの模式的平面図を示
す。（ｂ）は直描用マスクの（ａ）の切断線ａ−ｂの模
式的断面図を示す。（ｃ）は基本セルＡのパターンを示
す。（ｄ）は基本セルＢのパターンを示す。FIG. 9 is a schematic view showing a structure of a charged particle beam direct writing mask for describing a drawing method of the conventional charged particle beam exposure apparatus 1. (A) is a schematic plan view of a mask for direct drawing. (B) is a schematic cross-sectional view taken along a cutting line ab of (a) of the mask for direct writing. (C) shows the pattern of the basic cell A. (D) shows the pattern of the basic cell B.
１、１００ 荷電粒子線露光装置 ２、１０２ 入出力部 ３、１０３ 制御部 ４、１０４ 電源部 ５、１０５ 直描電子照射系 ７、１０７ ウェーハ移動ステージ ８、１０８ ウェーハローダ １１ 光軸中心 ５１ 荷電粒子ソース ５２ 第１マスク ５３ 成形偏向器 ５４ 選択偏向器 ５５ 直描用マスク ５６ 部分一括開口 ５７ 可変成形開口 ５８ 対物レンズ ５９ 位置決め偏向器 ６０ マスクホルダ ６１ 回転ステージ ６２ 回転支持ローラ ６３ 回転駆動ローラ ６４ 回転駆動モータ ６５ 反転ステージ ６６ 反転軸 ６７ 反転駆動モータ ６８ 回転軸 ６９ 描画パターン ７０ ウェーハ ７１、８１、９１ 基本セルＡ ７２、８２、９２ 基本セルＢ ７３、９３ 基本セル搭載開口 ７４、９７ 一般図形搭載用開口 ７５、９６ 可変成形用開口 ７６ 表面リブ ７７ 中間ＳｉＯ2 層 ７８ 裏面リブ ７９、１００ パターン開口部 ８０ 基本図形 ８３ デバイスパターン ８４ セルＢ回転パターン ８５ セルＡ基準パターン ８６ セルＡ反転パターン ９４ セルＡ反転パターン開口 ９５ セルＢ回転パターン開口 ９８ パターン形成層 ９９ リブ １０９ 記録媒体 Ｓ１０１〜Ｓ１２２ ステップDESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 100 Charged particle beam exposure apparatus 2, 102 Input / output part 3, 103 Control part 4, 104 Power supply part 5, 105 Direct writing electron irradiation system 7, 107 Wafer movement stage 8, 108 Wafer loader 11 Optical axis center 51 Charged particle Source 52 First mask 53 Shaping deflector 54 Selection deflector 55 Direct drawing mask 56 Partial batch opening 57 Variable shaping opening 58 Objective lens 59 Positioning deflector 60 Mask holder 61 Rotary stage 62 Rotary support roller 63 Rotary drive roller 64 Rotary drive Motor 65 reversing stage 66 reversing axis 67 reversing drive motor 68 rotating axis 69 drawing pattern 70 wafer 71, 81, 91 basic cell A 72, 82, 92 basic cell B 73, 93 basic cell mounting opening 74, 97 general graphic mounting opening 75, 96 Opening for variable molding 76 Surface rib 7 Intermediate SiO 2 layer 78 back surface ribs 79,100 pattern opening 80 basic figure 83 the device pattern 84 cell B rotation pattern 85 cell A reference pattern 86 cell A reversal pattern 94 cell A reversal pattern opening 95 cell B rotating pattern opening 98 patterned layer 99 rib 109 recording medium S101 to S122 step
Claims (8)
トレジストの露光を行う荷電粒子線露光装置であって、 荷電粒子線を前記ウェーハに所望の形状で照射する直描
電子照射手段と、ＣＡＤ等を含む情報の入出力手段と、
入力された情報に基づいて前記直描電子照射系を制御す
る制御手段と、前記ウェーハを搭載して該ウェーハの所
望の位置を荷電粒子線の照射位置に移動させるウェーハ
移動手段と、前記ウェーハを外部と前記ウエーハ移動手
段との間で移送するウェーハ移送手段と、を備え、 前記直描電子照射手段は、複数の所望の形状の露光パタ
ーンを形成した直描用マスクを回転並びに反転可能に保
持するマスクホルダを有することを特徴とする荷電粒子
線露光装置。1. A charged particle beam exposure apparatus for exposing a photoresist on a wafer using a direct drawing mask, comprising: a direct drawing electron irradiation means for irradiating the wafer with a charged particle beam in a desired shape; Input / output means of information including CAD and the like;
Control means for controlling the direct-writing electron irradiation system based on the input information, wafer movement means for mounting the wafer and moving a desired position of the wafer to a charged particle beam irradiation position, and A wafer transfer means for transferring between the outside and the wafer moving means, wherein the direct writing electron irradiation means holds a direct drawing mask on which a plurality of exposure patterns of a desired shape are formed in a rotatable and reversible manner. A charged particle beam exposure apparatus, comprising:
動作の制御プログラムを記録した記録媒体を備えてい
る、請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。2. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising a recording medium storing a control program for a drawing operation of said charged particle beam exposure apparatus.
照射する荷電粒子ソースと、前記荷電粒子線を成形する
ための開口を有する第１マスクと、所望の露光パターン
が形成された直描用マスクを回転および反転可能に保持
するマスクホルダと、前記第１マスクを通過した前記荷
電粒子線を前記直描用マスク上で所望の形状に成形する
ための成形偏向器と、前記荷電粒子線を前記直描用マス
クの所望の露光パターン上に照射させるための選択偏向
器と、前記荷電粒子線を前記ウェーハ上に収束させるた
めの対物レンズと、前記荷電粒子線の収束位置を決める
位置決め偏向器とを備えた、請求項１または請求項２に
記載の荷電粒子線露光装置。3. The charged electron beam irradiating means includes a charged particle source for irradiating a charged particle beam, a first mask having an opening for forming the charged particle beam, and a direct mask on which a desired exposure pattern is formed. A mask holder for holding a drawing mask rotatable and reversible, a shaping deflector for shaping the charged particle beam passing through the first mask into a desired shape on the direct drawing mask, and the charged particles A selective deflector for irradiating a line onto a desired exposure pattern of the mask for direct drawing, an objective lens for converging the charged particle beam on the wafer, and a positioning for determining a convergence position of the charged particle beam The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising a deflector.
手段の直描用マスクステージに取り付けられた複数の回
転支持ローラにより荷電粒子線光軸にほぼ直交する平面
で回転可能に支持され、回転駆動ローラを介して回転駆
動モータにより任意の角度に回転できる回転ステージ
と、該回転ステージの窓部内に反転軸で反転可能に軸支
され、反転駆動モータで１８０度反転する反転ステージ
とを備え、該反転ステージの窓部内には前記直描用マス
クの厚さの中心が前記反転軸の回転中心線と一致し、前
記反転ステージの正転・反転時には前記直描用マスクの
パターン面が荷電粒子線光軸に直交するように前記直描
用マスクを保持するための保持手段が設けられている請
求項１または請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。4. The mask holder is rotatably supported on a plane substantially perpendicular to the optical axis of the charged particle beam by a plurality of rotation supporting rollers attached to a mask stage for direct writing of the direct writing electron irradiation means. A rotation stage that can be rotated at an arbitrary angle by a rotation drive motor via a drive roller, and a rotation stage that is rotatably supported by a rotation axis in a window portion of the rotation stage and that rotates 180 degrees with a rotation drive motor, In the window of the reversing stage, the center of the thickness of the mask for direct drawing coincides with the rotation center line of the reversing axis, and the pattern surface of the mask for direct drawing is charged particles when the reversing stage is rotated forward / reversed. 3. The charged particle beam exposure apparatus according to claim 1, further comprising a holding unit for holding the direct writing mask so as to be orthogonal to a line optical axis.
成した直描用マスクあって、 露光パターン形成面の周囲に表裏対称なリブ構造を有す
ることを特徴とする直描用マスク。5. A direct drawing mask having an exposure pattern formed by a charged particle beam exposure apparatus, wherein the mask has a symmetrical rib structure around a surface on which the exposure pattern is formed.
表面および裏面の両方からエッチング加工を行うことに
より前記リブが形成され、前記露光パターンは電子の透
過を阻止するに十分な厚さを持つ前記貼り合せ基板の中
間層に形成される請求項５に記載の直描用マスク。6. A laminated substrate, wherein the ribs are formed by performing etching from both the front and back surfaces of the substrate, and the exposure pattern has a thickness sufficient to prevent transmission of electrons. The direct drawing mask according to claim 5, wherein the mask is formed on an intermediate layer of the bonded substrate.
た照射位置の露光パターンデータのセル情報を入手し、 該セル情報が基本パターンか、一般図形か、可変成形か
を判断し、 基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パターン
の種類を選択し、露光パターンの露光形態が基本型か、
回転型か、反転型かを判断し、 露光パターンの露光形態が基本型であればそのまま、回
転型であれば回転角度を入手して前記直描用マスクの回
転を実行し、反転型であれば、前記直描用マスクの反転
を実行して、照射工程に移行し、 一般図形であれば、前記直描用マスク上の指定の一般図
形を選択し、可変成形であれば前記直描用マスク上の照
射位置を入手して、照射工程に移行し、 照射工程ではウェーハを移動させて照射位置を所定の位
置に設定し、荷電粒子線を直描用マスク上の照射位置に
設定し、荷電粒子線を照射して前記ウェーハ上のフォト
レジストの露光を実行することを特徴とする荷電粒子線
露光装置の描画方法。7. An irradiation position on a wafer is selected, cell information of exposure pattern data at the selected irradiation position is obtained, and it is determined whether the cell information is a basic pattern, a general figure, or a variable shape. If so, select the type of basic pattern on the mask for direct drawing, and whether the exposure form of the exposure pattern is the basic type,
Judge whether it is a rotation type or an inversion type. If the exposure pattern of the exposure pattern is the basic type, it is used as it is. If it is a rotation type, the rotation angle is obtained and the rotation of the direct drawing mask is executed. For example, the inversion of the mask for direct drawing is performed, and the process proceeds to the irradiation step. If the figure is a general figure, a designated general figure on the mask for direct drawing is selected. Obtain the irradiation position on the mask, move to the irradiation step, move the wafer in the irradiation step, set the irradiation position to a predetermined position, set the charged particle beam to the irradiation position on the direct drawing mask, A drawing method for a charged particle beam exposure apparatus, comprising: exposing a photoresist on the wafer by irradiating a charged particle beam.
クを用いてウェーハ上のフォトレジストの露光を行うた
めの制御プログラムを記録した記録媒体であって、 前記ウェーハ上の照射位置を選択し、選択した照射位置
の露光パターンデータのセル情報を入手する手順と、 入手した該セル情報が基本パターンか、一括図形か、可
変成形かを判断する手順と、 基本パターンであれば、直描用マスク上の基本パターン
の種類を選択し、パターンが基本型であるか、回転型で
あるか、反転型であるかを判断し、パターンが基本型で
あればそのまま、回転型であれば回転角度を入手して前
記直描用マスクの回転を実行し、反転型であれば、前記
直描用マスクの反転を実行して、照射工程に移行する手
順と、 一般図形であれば、前記直描用マスク上の一般図形を選
択し、可変成形であれば前記直描用マスク上の照射位置
を入手して、照射工程に移行する手順と、 照射工程では前記ウェーハを移動させて照射位置を所定
の位置に設定し、荷電粒子線を前記直描用マスク上の照
射位置に設定し、荷電粒子線を照射して前記ウェーハ上
のフォトレジストの露光を実行する手順と、を実行させ
るためのプログラムを記録した機械読み取り可能な記録
媒体。8. A recording medium recording a control program for performing exposure of a photoresist on a wafer using a mask for direct drawing in a charged particle beam exposure apparatus, wherein an irradiation position on the wafer is selected, A procedure for obtaining the cell information of the exposure pattern data at the selected irradiation position, a procedure for determining whether the obtained cell information is a basic pattern, a collective figure, or a variable molding; Select the type of the basic pattern above, and determine whether the pattern is basic, rotating, or inverted. If the pattern is basic, just change the rotation angle. Obtain and execute the rotation of the mask for direct drawing, and in the case of the inversion type, perform the inversion of the mask for direct writing and shift to the irradiation step. On the mask A procedure for selecting a general figure, obtaining the irradiation position on the mask for direct drawing if variable shaping, and moving to the irradiation step, and moving the wafer in the irradiation step to set the irradiation position to a predetermined position. Setting a charged particle beam at the irradiation position on the mask for direct writing, irradiating the charged particle beam to perform exposure of the photoresist on the wafer, and a machine for recording a program for executing the procedure A readable recording medium.
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| JP10228145A JP3116914B2 (en) | 1998-08-12 | 1998-08-12 | Charged particle beam exposure apparatus, mask for direct drawing, and drawing method |
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