JP2000058158A - Connector, its manufacture and circuit device inspecting adaptor device - Google Patents
Connector, its manufacture and circuit device inspecting adaptor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、コネクターおよび
その製造方法並びにこのコネクターを具えた回路装置検
査用アダプター装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connector, a method of manufacturing the connector, and an adapter device for inspecting a circuit device provided with the connector.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路においては、その
高機能化、高容量化に伴って電極数が増加し、電極の配
列ピッチすなわち隣接する電極の中心間距離が小さくな
って高密度化する傾向にある。また、このような半導体
集積回路を搭載するためのプリント回路基板において
は、図１７に示すように、プリント回路基板９０の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域９
１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリー
ド電極領域９３が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電
極領域９３のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor integrated circuit, the number of electrodes has been increased with the enhancement of functions and capacity, and the arrangement pitch of electrodes, that is, the center-to-center distance between adjacent electrodes has been reduced and the density has been increased. There is a tendency. In a printed circuit board on which such a semiconductor integrated circuit is mounted, as shown in FIG. 17, a functional element region 91 in which functional elements are formed with a high degree of integration is provided at the center of the printed circuit board 90. The functional element region 9 is provided on the periphery thereof.
A lead electrode region 93 in which a large number of lead electrodes 92 for one are arranged is formed. At present, with the increase in the degree of integration of the functional element region 91, the number of lead electrodes in the lead electrode region 93 tends to increase and the density tends to increase.
【０００３】このような半導体集積回路やプリント回路
基板などの回路装置の電気的検査においては、検査対象
である回路装置の被検査電極と電気的検査装置との電気
的接続を行うために、絶縁性基板の一面に例えば格子点
位置に配置された端子電極を有し、他面に回路装置の被
検査電極に対応する接続用電極を有するアダプターが用
いられており、更に、当該アダプターと回路装置との間
に異方導電性エラストマーシートを介在させることが行
われている。この異方導電性エラストマーシートは、厚
さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたと
きに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電
部を有するものであり、種々の構造のものが例えば特公
昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−９３３９３号
公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５４−
１４６８７３号公報などにより、知られている。In an electrical inspection of a circuit device such as a semiconductor integrated circuit or a printed circuit board, an electrical connection is made between an electrode to be inspected of the circuit device to be inspected and the electrical inspection device. An adapter having terminal electrodes arranged at, for example, lattice points on one surface of a functional substrate and having connection electrodes corresponding to the electrodes to be inspected of the circuit device is used on the other surface. And an anisotropic conductive elastomer sheet interposed therebetween. This anisotropic conductive elastomer sheet has conductivity only in the thickness direction, or has a large number of pressurized conductive conductive portions that show conductivity only in the thickness direction when pressed, Various structures are disclosed, for example, in JP-B-56-48951, JP-A-51-93393, JP-A-53-147772, and JP-A-54-147772.
This is known from 146873 and the like.
【０００４】然るに、上記の異方導電性エラストマーシ
ートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単
独で取り扱われるものであって、電気的接続作業におい
ては回路装置に対して特定の位置関係をもって保持固定
することが必要である。しかしながら、独立した異方導
電性エラストマーシートを利用して回路装置の電気的接
続を達成する手段においては、検査対象である回路装置
における被検査電極の配列ピッチ（以下「電極ピッチ」
という。) 、すなわち互いに隣接する被検査電極の中心
間距離が小さくなるに従って異方導電性エラストマーシ
ートの位置合わせおよび保持固定が困難となる、という
問題点がある。However, the above-mentioned anisotropic conductive elastomer sheet is manufactured as a single product itself and is handled independently, and has a specific positional relationship with respect to a circuit device in an electrical connection operation. It is necessary to hold and fix with. However, in the means for achieving the electrical connection of the circuit device using the independent anisotropic conductive elastomer sheet, the arrangement pitch of the electrodes to be inspected in the circuit device to be inspected (hereinafter referred to as “electrode pitch”)
That. That is, there is a problem that the positioning and holding and fixing of the anisotropic conductive elastomer sheet become more difficult as the distance between the centers of the electrodes to be inspected adjacent to each other becomes smaller.
【０００５】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検査対象である回路装置を構成する材料と
異方導電性エラストマーシートを構成する材料との間で
異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態
が維持されない、という問題点がある。[0005] Even if the desired alignment and holding and fixing have been realized, the degree of stress due to thermal expansion and thermal shrinkage is an object of inspection when a thermal history due to a temperature change is received. Since there is a difference between the material forming the circuit device and the material forming the anisotropic conductive elastomer sheet, there is a problem that the electrical connection state changes and a stable connection state is not maintained.
【０００６】更に、検査対象である回路装置に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路装置に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。Furthermore, even if a stable connection state can be maintained with respect to a circuit device to be inspected, a circuit having a complicated and fine pattern of electrodes to be inspected, such as a printed circuit board having a high mounting density, is used. Since it is difficult to reliably achieve electrical connection with each of the electrodes to be inspected, there is a problem in that the required inspection cannot be performed sufficiently.
【０００７】そして、従来、以上のような問題を解決す
るために、下面に規格化された標準格子点上に配置され
た端子電極を有し、上面に検査対象回路装置の被検査電
極に対応するパターンに従って配置された接続用電極を
有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面上
に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層とより
なる回路基板検査用アダプター装置が提案されている。Conventionally, in order to solve the above-mentioned problems, terminal electrodes are arranged on standardized standard lattice points on the lower surface, and correspond to electrodes to be inspected of the circuit device to be inspected on the upper surface. There has been proposed an adapter device for inspecting a circuit board, comprising an adapter body having connection electrodes arranged in accordance with a pattern to be formed, and an anisotropic conductive elastomer layer integrally provided on an upper surface of the adapter body.
【０００８】このような回路基板検査用アダプター装置
によれば、検査対象である回路装置におけるリード電極
などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微
細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当
該回路装置について所要の電気的接続を確実に達成する
ことができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変
化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、
従って高い接続信頼性が得られる。According to such an adapter device for inspecting a circuit board, the electrodes to be inspected such as the lead electrodes in the circuit device to be inspected are those having a fine electrode pitch, a fine and high-density complicated pattern. In this case, the required electrical connection can be reliably achieved for the circuit device, and a favorable electrical connection state can be stably maintained against environmental changes such as heat history due to temperature changes. ,
Therefore, high connection reliability can be obtained.
【０００９】而して、このような回路基板検査用アダプ
ター装置においては、検査対象である回路装置の被検査
電極に対応したパターンすなわち電極ピッチが微小で複
雑なパターンの接続用電極と、例えば電極ピッチが２．
５４ｍｍまたは１．８ｍｍの標準格子点上に配置された
端子電極とを電気的に接続することが必要であるため、
アダプター本体として、微細で複雑なパターンの配線部
を有するコネクターが用いられている。Thus, in such an adapter device for inspecting a circuit board, a connection electrode having a pattern corresponding to the electrode to be inspected of the circuit device to be inspected, that is, a connection pattern having a fine electrode pitch and a complicated pattern, for example, The pitch is 2.
Since it is necessary to electrically connect a terminal electrode arranged on a standard grid point of 54 mm or 1.8 mm,
As the adapter body, a connector having a wiring part of a fine and complicated pattern is used.
【００１０】このようなコネクターの配線部を形成する
方法としては、従来、絶縁性基板の両面に銅薄層が形成
されてなる材料（以下、「銅張積層板」という。）を用
意し、この銅張積層板の銅薄層に対してフォトリソグラ
フィーおよびエッチング処理を施して配線部を形成する
サブトラクティブ法が知られている。かかるサブトラク
ティブ法において、微細なパターンの配線部を形成する
ためには、絶縁性基板に形成された銅薄層が厚みの小さ
いものであることが肝要である。然るに、市販の銅張積
層板は、十分に厚みの小さい銅薄層を有するものではな
い。そのため、最近においては、絶縁性基板に厚みの小
さい銅薄層を直接形成し、この銅薄層を利用して配線部
を形成する方法が提案され、一部で実用化されている。As a method of forming the wiring portion of such a connector, conventionally, a material in which a thin copper layer is formed on both surfaces of an insulating substrate (hereinafter, referred to as a “copper-clad laminate”) is prepared. A subtractive method is known in which a thin copper layer of the copper clad laminate is subjected to photolithography and etching to form a wiring portion. In such a subtractive method, in order to form a wiring portion having a fine pattern, it is important that the thin copper layer formed on the insulating substrate has a small thickness. However, commercially available copper-clad laminates do not have sufficiently thin copper layers. Therefore, recently, a method has been proposed in which a thin copper layer having a small thickness is directly formed on an insulating substrate, and a wiring portion is formed using the thin copper layer, and some methods have been put to practical use.
【００１１】絶縁性基板に厚みの小さい銅薄層を形成す
る方法としては、（１）予め用意された厚みの小さい銅
箔を絶縁性基板に一体的に積層して銅薄層を形成する方
法、（２）例えば市販の銅張積層板を用意し、この銅張
積層板の銅薄層を、機械的に研磨することによって或い
は化学的にエッチングすることによって薄膜化する方
法、（３）メッキ触媒を含有してなる絶縁性基板を用
い、この絶縁性基板に対して無電解銅メッキを施して銅
薄層を形成する方法などが知られている。しかしなが
ら、上記の方法においては、以下のような問題がある。
（１）の方法においては、銅箔は厚みの小さいものほど
ハンドリング性が悪いため、絶縁性基板に十分に厚みの
小さい銅薄層を形成することは困難である。（２）の方
法においては、均一な厚みを有する銅薄層を形成するこ
とが困難である。（３）の方法においては、メッキ触媒
が絶縁性基板内に残存するため、良好な電気的特性を得
ることが困難である。As a method of forming a thin copper layer on an insulating substrate, (1) a method of forming a thin copper layer by integrally laminating a thin copper foil prepared in advance on an insulating substrate. (2) A method of preparing a commercially available copper-clad laminate, for example, and thinning a thin copper layer of the copper-clad laminate by mechanical polishing or chemical etching, (3) plating There is known a method of using an insulating substrate containing a catalyst and subjecting the insulating substrate to electroless copper plating to form a thin copper layer. However, the above method has the following problems.
In the method (1), the smaller the thickness of the copper foil, the poorer the handleability. Therefore, it is difficult to form a sufficiently thin copper layer on an insulating substrate. In the method (2), it is difficult to form a thin copper layer having a uniform thickness. In the method (3), it is difficult to obtain good electric characteristics because the plating catalyst remains in the insulating substrate.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その第１の目
的は、微細で複雑なパターンの配線部を有し、しかも、
所要の電気的特性が達成されるコネクターを提供するこ
とにある。本発明の第２の目的は、微細で複雑なパター
ンの配線部を形成することができ、しかも、所要の電気
的特性を有するコネクターを確実に製造することができ
る方法を提供することにある。本発明の第３の目的は、
検査対象回路装置におけるリード電極などの被検査電極
が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑
なパターンのものである場合にも、当該回路装置につい
て所要の電気的接続を確実に達成することができ、また
温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好
な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性
の高い回路装置検査用アダプター装置を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made under the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a wiring section having a fine and complicated pattern,
It is to provide a connector that achieves the required electrical properties. A second object of the present invention is to provide a method capable of forming a wiring portion having a fine and complicated pattern and reliably manufacturing a connector having required electric characteristics. A third object of the present invention is to
Even if the electrodes to be inspected such as lead electrodes in the circuit device to be inspected have a fine electrode pitch and a complicated pattern with a fine and high density, the required electrical connection for the circuit device can be ensured. The present invention provides an adapter device for circuit device inspection, which can stably maintain a good electrical connection state with respect to environmental changes such as heat history due to temperature changes, and thus has high connection reliability. is there.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明のコネクターは、
絶縁性基板と、この絶縁性基板の少なくとも一面に形成
された配線部とを有してなり、前記配線部は、転写され
たメッキ触媒層に無電解メッキ処理を行うことによって
形成された金属薄層が、エッチングされることにより形
成されたものであることを特徴とする。The connector of the present invention comprises:
An insulating substrate; and a wiring portion formed on at least one surface of the insulating substrate, wherein the wiring portion is formed of a metal thin film formed by performing electroless plating on the transferred plating catalyst layer. The layer is formed by being etched.
【００１４】本発明のコネクターの製造方法は、一面に
メッキ触媒層が形成された触媒層用転写板を、当該メッ
キ触媒層が対接するよう、熱硬化性樹脂シートよりなる
絶縁性基板形成材の少なくとも一面に配置し、この状態
で熱圧着処理することにより、絶縁性基板上にメッキ触
媒層および触媒層用転写板がこの順で積層されてなる積
層体を製造する工程（イ）と、この積層体から触媒層用
転写板を除去することにより、メッキ触媒層を露出し、
その後、当該メッキ触媒層に対して無電解メッキ処理を
施すことにより、絶縁性基板の少なくとも一面に金属薄
層を形成する工程（ロ）と、絶縁性基板に形成された金
属薄層をエッチングすることにより、配線部を形成する
工程（ハ）とを有することを特徴とする。In the method for manufacturing a connector according to the present invention, a transfer plate for a catalyst layer having a plating catalyst layer formed on one surface thereof is formed by a method of forming an insulating substrate forming material made of a thermosetting resin sheet so that the plating catalyst layer is in contact with the transfer plate. By arranging at least one surface and performing thermocompression treatment in this state, a step (a) of manufacturing a laminate in which a plating catalyst layer and a transfer plate for a catalyst layer are laminated in this order on an insulating substrate; By removing the catalyst layer transfer plate from the laminate, the plating catalyst layer is exposed,
Then, a step (b) of forming a thin metal layer on at least one surface of the insulating substrate by subjecting the plating catalyst layer to electroless plating, and etching the thin metal layer formed on the insulating substrate. Thereby, a step (c) of forming a wiring portion is provided.
【００１５】本発明の回路装置検査用アダプター装置
は、検査対象回路装置と電気的検査装置との間に介在さ
れて当該回路装置の電極の電気的接続を行う回路装置検
査用アダプター装置であって、一面に検査対象回路装置
の被検査電極に対応して配置された接続用電極を有し、
他面に格子点上に配置された端子電極を有するアダプタ
ー本体と、このアダプター本体の一面に一体的に設けら
れた異方導電性エラストマー層とよりなり、前記アダプ
ター本体は、請求項１に記載のコネクターを具えてなる
ことを特徴とする。The adapter device for inspecting a circuit device of the present invention is an adapter device for inspecting a circuit device which is interposed between a circuit device to be inspected and an electrical inspection device and electrically connects electrodes of the circuit device. Has a connection electrode arranged on one side corresponding to the electrode to be inspected of the circuit device to be inspected,
An adapter body having terminal electrodes disposed on lattice points on the other surface, and an anisotropic conductive elastomer layer integrally provided on one surface of the adapter body, wherein the adapter body is according to claim 1. The connector is characterized by comprising:
【００１６】[0016]
【作用】（１）絶縁性基板に転写されたメッキ触媒層に
無電解メッキ処理を行うことにより、当該絶縁性基板に
厚みが小さくて厚みの均一性の高い金属薄層が形成され
る。このような金属薄層をエッチングすることにより、
絶縁性基板に微細で複雑なパターンの配線部が確実に形
成される。 （２）メッキ触媒層は、絶縁性基板に転写されることに
よって形成されるため、メッキ触媒は、絶縁性基板の表
面のみに存在し、当該絶縁性基板中に含浸することが回
避される。従って、無電解メッキ処理後において、絶縁
性基板中にメッキ触媒が残存することがなく、その結
果、所要の電気的特性が確実に得られる。(1) By performing electroless plating on the plating catalyst layer transferred to the insulating substrate, a thin metal layer having a small thickness and a high uniformity is formed on the insulating substrate. By etching such a thin metal layer,
Wiring portions having a fine and complicated pattern are reliably formed on the insulating substrate. (2) Since the plating catalyst layer is formed by being transferred to the insulating substrate, the plating catalyst exists only on the surface of the insulating substrate, and is prevented from impregnating the insulating substrate. Therefore, after the electroless plating process, the plating catalyst does not remain in the insulating substrate, and as a result, required electric characteristics can be reliably obtained.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。 〈コネクター〉図１は、本発明のコネクターの一例にお
ける構成を示す説明用断面図である。このコネクターに
おいては、絶縁性基板１０の上面に、適宜のパターンに
従って配線部１１が形成され、この配線部１１上には、
検査対象である回路装置の被検査電極（図示省略）に対
応して、当該配線部１１から突出する複数の接続用電極
１２が形成されている。絶縁性基板１０の下面には、検
査用テスターに適宜の手段によって電気的に接続される
複数の端子電極１３が格子点上に形成されている。この
端子電極１３に係る格子点間の距離、すなわち端子電極
１３の電極ピッチは、特に限定されるものではなく、検
査の条件に応じて適宜の大きさとすることができるが、
例えば１．８ｍｍまたは１．２７ｍｍである。また、絶
縁性基板１０には、その厚み方向に貫通して伸びる複数
の短絡部１４が形成されており、この短絡部１４によっ
て、端子電極１３が配線部１１に電気的に接続されてい
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail. <Connector> FIG. 1 is an explanatory sectional view showing the structure of an example of the connector of the present invention. In this connector, a wiring portion 11 is formed on an upper surface of an insulating substrate 10 in accordance with an appropriate pattern.
A plurality of connection electrodes 12 protruding from the wiring portion 11 are formed corresponding to electrodes to be inspected (not shown) of the circuit device to be inspected. On the lower surface of the insulating substrate 10, a plurality of terminal electrodes 13 that are electrically connected to a tester for testing by appropriate means are formed on lattice points. The distance between the lattice points of the terminal electrode 13, that is, the electrode pitch of the terminal electrode 13 is not particularly limited, and may be an appropriate size according to the inspection conditions.
For example, it is 1.8 mm or 1.27 mm. The insulating substrate 10 has a plurality of short-circuit portions 14 extending through the thickness direction thereof, and the short-circuit portions 14 electrically connect the terminal electrodes 13 to the wiring portion 11.
【００１８】絶縁性基板１０の材質は寸法安定性の高い
耐熱性材料であることが好ましく、各種の樹脂を使用す
ることができるが、特にガラス繊維補強型エポキシ樹脂
が最適である。The material of the insulating substrate 10 is preferably a heat-resistant material having high dimensional stability, and various resins can be used. In particular, a glass fiber reinforced epoxy resin is most suitable.
【００１９】配線部１１は、転写されたメッキ触媒層に
無電解メッキ処理を行うことによって形成された金属薄
層が、エッチングされることにより形成されたものであ
る。具体的には、メッキ触媒層が形成された触媒層用転
写板を、熱圧着によって絶縁性基板１０に接着し、その
後、触媒層用転写板を除去することにより、絶縁性基板
１０の一面にメッキ触媒層が形成される。次いで、この
メッキ触媒層に対して無電解メッキ処理を施すことによ
り、絶縁性基板１０の一面に金属薄層が形成される。そ
して、得られた金属薄層に対してフォトリソグラフーお
よびエッチング処理を施してその一部を除去することに
より、所要のパターンの配線部１１が形成される。The wiring portion 11 is formed by etching a thin metal layer formed by performing electroless plating on the transferred plating catalyst layer. Specifically, the catalyst layer transfer plate on which the plating catalyst layer is formed is adhered to the insulating substrate 10 by thermocompression bonding, and then the catalyst layer transfer plate is removed, so that one surface of the insulating substrate 10 is removed. A plating catalyst layer is formed. Next, an electroless plating process is performed on the plating catalyst layer to form a thin metal layer on one surface of the insulating substrate 10. Then, photolithography and etching are performed on the obtained thin metal layer to remove a part of the thin metal layer, whereby the wiring portion 11 having a required pattern is formed.
【００２０】なお、配線部１１は、図１において、紙面
と交わる方向に伸びる状態に形成され得ることは勿論で
あって、図２にはそのような状態が示されている。実際
の構成において、接続用電極１２と端子電極１３との電
気的な接続は回路装置の検査目的に応じた態様で達成さ
れればよい。従って、すべての接続用電極１２と端子電
極１３とが必ず１対１の対応関係で接続される必要はな
く、端子電極１３、配線部１１および接続用電極１２に
ついて種々の要請される接続状態を実現することができ
る。例えば、配線部１１を利用して接続用電極１２同士
を接続すること、複数の接続用電極１２を１つの配線部
１１に共通に接続すること、１つの接続用電極１２を複
数の配線部１１に同時に接続すること、その他が可能で
ある。また、面方向に伸びる配線部１１を介することな
しに、直接に連続する短絡部１４を介して、接続用電極
１２と端子電極１３とを電気的に接続することも可能で
ある。It should be noted that the wiring portion 11 can be formed to extend in a direction intersecting the plane of FIG. 1 in FIG. 1, and FIG. 2 shows such a state. In an actual configuration, the electrical connection between the connection electrode 12 and the terminal electrode 13 may be achieved in a manner according to the inspection purpose of the circuit device. Therefore, it is not necessary that all the connection electrodes 12 and the terminal electrodes 13 be connected in a one-to-one correspondence, and various required connection states of the terminal electrode 13, the wiring portion 11, and the connection electrode 12 are changed. Can be realized. For example, connecting the connection electrodes 12 using the wiring portions 11, connecting the plurality of connection electrodes 12 to one wiring portion 11 in common, and connecting one connection electrode 12 to the plurality of wiring portions 11. Can be connected at the same time, and so on. Further, it is also possible to electrically connect the connection electrode 12 and the terminal electrode 13 via the directly continuous short-circuit portion 14 without passing through the wiring portion 11 extending in the surface direction.
【００２１】このようなコネクターによれば、転写され
たメッキ触媒層に無電解メッキ処理されることにより形
成された金属薄層は、厚みが小さくて厚みの均一性が高
いものであるため、このような金属薄層がエッチングさ
れることにより、微細で複雑なパターンを有する配線部
１１が確実に得られる。しかも、メッキ触媒層は、絶縁
性基板１０に転写されることによって形成されるため、
メッキ触媒は絶縁性基板１０の表面のみに存在し、当該
絶縁性基板１０中にメッキ触媒が含浸することが回避さ
れる。従って、無電解メッキ処理後において、メッキ触
媒が絶縁性基板１０中に残存することがないため、所要
の電気的特性が確実に得られる。According to such a connector, the thin metal layer formed by electroless plating the transferred plating catalyst layer is small in thickness and highly uniform in thickness. By etching such a thin metal layer, the wiring portion 11 having a fine and complicated pattern can be reliably obtained. Moreover, since the plating catalyst layer is formed by being transferred to the insulating substrate 10,
The plating catalyst is present only on the surface of the insulating substrate 10, and it is possible to prevent the insulating substrate 10 from being impregnated with the plating catalyst. Therefore, after the electroless plating process, the plating catalyst does not remain in the insulating substrate 10, so that the required electric characteristics can be reliably obtained.
【００２２】〈コネクターの製造方法〉本発明のコネク
ターの製造方法は、一面にメッキ触媒層が形成された触
媒層用転写板を、当該メッキ触媒層が対接するよう、熱
硬化性樹脂シートよりなる絶縁性基板形成材の少なくと
も一面に配置し、この状態で熱圧着処理することによ
り、絶縁性基板上にメッキ触媒層および触媒層用転写板
がこの順で積層されてなる積層体を製造する工程（イ）
と、この積層体から触媒層用転写板を除去することによ
り、メッキ触媒層を露出し、その後、当該メッキ触媒層
に対して無電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性基
板の少なくとも一面に金属薄層を形成する工程（ロ）
と、絶縁性基板に形成された金属薄層をエッチングする
ことにより、配線部を形成する工程（ハ）とを有する。
以下、図１に示す構成のコネクターを製造する場合にお
ける工程（イ）〜工程（ハ）を詳細に説明する。<Method of Manufacturing Connector> In the method of manufacturing the connector of the present invention, a transfer plate for a catalyst layer having a plating catalyst layer formed on one surface thereof is formed of a thermosetting resin sheet so that the plating catalyst layer is in contact with the transfer sheet. A step of manufacturing a laminated body in which a plating catalyst layer and a catalyst layer transfer plate are laminated in this order on an insulating substrate by arranging on at least one surface of an insulating substrate forming material and performing thermocompression treatment in this state. (I)
By removing the catalyst layer transfer plate from the laminate, the plating catalyst layer is exposed, and then the plating catalyst layer is subjected to an electroless plating treatment, so that at least one surface of the insulating substrate is coated with metal. Step of forming a thin layer (b)
And forming a wiring portion by etching the thin metal layer formed on the insulating substrate (c).
Hereinafter, steps (a) to (c) in the case of manufacturing the connector having the configuration shown in FIG. 1 will be described in detail.
【００２３】〔工程（イ）〕この工程（イ）は、図３〜
図５に示すように、一面にメッキ触媒層２１，３１が形
成された上面側触媒層用転写板２０および下面側触媒層
用転写板３０の各々を、当該メッキ触媒層２１，３１が
対接するよう、熱硬化性樹脂シートよりなる絶縁性基板
形成材１０Ａの上面および下面に配置し、この状態で熱
圧着処理することにより、絶縁性基板１０の上面にメッ
キ触媒層２１および上面側触媒層用転写板２０がこの順
で積層され、当該絶縁性基板１０の下面にメッキ触媒層
３１および下面側触媒層用転写板３０がこの順で積層さ
れてなる圧着積層体１Ａを製造する工程である。[Step (a)] This step (a) is shown in FIGS.
As shown in FIG. 5, each of the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 having the plating catalyst layers 21 and 31 formed on one surface thereof is in contact with the plating catalyst layers 21 and 31. Thus, by disposing them on the upper and lower surfaces of the insulating substrate forming material 10A made of a thermosetting resin sheet and performing thermocompression bonding in this state, the plating catalyst layer 21 and the upper surface catalyst layer are formed on the upper surface of the insulating substrate 10. In this step, the transfer plate 20 is laminated in this order, and the press-bonded laminate 1A in which the plating catalyst layer 31 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 are laminated in this order on the lower surface of the insulating substrate 10 is manufactured.
【００２４】具体的に説明すると、図３に示すように、
上面側触媒層用転写板２０および下面側触媒層用転写板
３０を用意し、上面側触媒層用転写板２０の下面および
下面側触媒層用転写板３０の上面の各々に、メッキ触媒
層２１，３１を形成する。次いで、図４に示すように、
メッキ触媒層２１が形成された上面側触媒層用転写板２
０を、熱硬化性樹脂シートよりなる絶縁性基板形成材１
０Ａの上面に、当該メッキ触媒層２１が対接するよう配
置すると共に、メッキ触媒層３１が形成された下面側触
媒層用転写板３０を、絶縁性基板形成材１０Ａの下面
に、当該メッキ触媒層３１が対接するよう配置する。そ
して、この状態で熱圧着処理することにより、図５に示
すように、絶縁性基板形成材１０Ａが硬化して絶縁性基
板１０が得られると共に、この絶縁性基板１０の上面に
は、メッキ触媒層２１および上面側触媒層用転写板２０
がこの順で一体的に積層され、一方、絶縁性基板１０の
下面には、メッキ触媒層３１および下面側触媒層用転写
板３０がこの順で一体的に積層され、以て、圧着積層体
１Ａが製造される。More specifically, as shown in FIG.
An upper-side catalyst layer transfer plate 20 and a lower-side catalyst layer transfer plate 30 are prepared, and a plating catalyst layer 21 is provided on each of the lower surface of the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the upper surface of the lower-side catalyst layer transfer plate 30. , 31 are formed. Then, as shown in FIG.
Upper-side catalyst layer transfer plate 2 on which plating catalyst layer 21 is formed
0 is an insulating substrate forming material 1 made of a thermosetting resin sheet
0A, the lower surface side catalyst layer transfer plate 30 on which the plating catalyst layer 31 is formed is placed on the lower surface of the insulating substrate forming material 10A. 31 are arranged so as to face each other. Then, by performing thermocompression treatment in this state, as shown in FIG. 5, the insulating substrate forming material 10A is cured to obtain the insulating substrate 10, and the upper surface of the insulating substrate 10 is provided with a plating catalyst. Layer 21 and Transfer Plate 20 for Upper Side Catalyst Layer
Are laminated integrally in this order, while the plating catalyst layer 31 and the transfer plate 30 for the lower surface side catalyst layer are integrally laminated on the lower surface of the insulating substrate 10 in this order. 1A is manufactured.
【００２５】以上において、上面側触媒層用転写板２０
および下面側触媒層用転写板３０の厚みは、例えば３〜
１８μｍである。上面側触媒層用転写板２０および下面
側触媒層用転写板３０を構成する材料としては、エッチ
ング可能なものであれば種々のものを用いることがで
き、その具体例としては、銅、真鍮、燐青銅、ニッケ
ル、ステンレス（ＳＵＳ）などが挙げられる。In the above, the transfer plate 20 for the upper-side catalyst layer
The thickness of the transfer plate 30 for the lower catalyst layer is, for example, 3 to
18 μm. Various materials can be used for the upper side catalyst layer transfer plate 20 and the lower side catalyst layer transfer plate 30 as long as they can be etched, and specific examples thereof include copper, brass, and the like. Examples thereof include phosphor bronze, nickel, and stainless steel (SUS).
【００２６】また、上面側触媒層用転写板２０および下
面側触媒層用転写板３０におけるメッキ触媒層２１，３
１が形成される面は、粗面化処理されていることが好ま
しく、これにより、上面側触媒層用転写板２０および下
面側触媒層用転写板３０に対するメッキ触媒層２１，３
１の付着性を向上することができる。上面側触媒層用転
写板２０および下面側触媒層用転写板３０の粗面化処理
の具体的な手段としては、サンドブラスト処理、マイク
ロエッチング処理、黒化処理などを利用することができ
る。The plating catalyst layers 21 and 3 of the transfer plate 20 for the upper-side catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower-side catalyst layer.
1 is preferably roughened, so that the plating catalyst layers 21, 3 on the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 are formed.
1 can be improved. As a specific means of the surface roughening treatment of the transfer plate 20 for the upper catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower catalyst layer, sand blast treatment, micro etching treatment, blackening treatment and the like can be used.
【００２７】メッキ触媒層２１，３１を構成するメッキ
触媒としては、パラジウム系のものを用いることができ
る。上面側触媒層用転写板２０および下面側触媒層用転
写板３０にメッキ触媒層２１，３１を形成する方法とし
ては、例えば浸漬法を利用することができる。具体的に
は、塩化パラジウムを主成分とする処理液に、上面側触
媒層用転写板２０および下面側触媒層用転写板３０を浸
漬した後、乾燥処理すればよい。As the plating catalyst constituting the plating catalyst layers 21 and 31, a palladium-based one can be used. As a method of forming the plating catalyst layers 21 and 31 on the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30, for example, an immersion method can be used. Specifically, the transfer plate 20 for the upper-side catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower-side catalyst layer may be immersed in a processing liquid containing palladium chloride as a main component, and then dried.
【００２８】絶縁性基板形成材１０Ａとして用いられる
熱硬化性樹脂シートは、硬化されて寸法安定性の高い耐
熱性樹脂となるものであることが好ましく、各種の樹脂
シートを使用することができるが、ガラス繊維補強型エ
ポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミドプリプレグ樹
脂シート、エポキシプリプレグ樹脂シートが好ましい。
また、熱硬化性樹脂シートとしては、得られる絶縁性基
板１０の厚みが例えば１００〜１５００μｍとなる厚み
のものが好ましく用いられる。The thermosetting resin sheet used as the insulating substrate forming material 10A is preferably one that is cured to become a heat-resistant resin having high dimensional stability, and various resin sheets can be used. Preferred are a glass fiber reinforced epoxy prepreg resin sheet, a polyimide prepreg resin sheet, and an epoxy prepreg resin sheet.
Further, as the thermosetting resin sheet, a sheet having a thickness in which the obtained insulating substrate 10 has a thickness of, for example, 100 to 1500 μm is preferably used.
【００２９】熱圧着処理を行うための温度は、絶縁性基
板形成材１０の材質にもよるが、当該絶縁性基板形成材
１０Ａを構成する熱硬化性樹脂シートが軟化して接着性
を帯びる温度以上であることが必要であり、通常、８０
〜２５０℃、好ましくは１４０〜２００℃程度とするこ
とができる。熱圧着処理を行うためのプレス圧力は、例
えば最高５〜５０ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、好ましくは
２０〜４０ｋｇ／ｃｍ2 程度である。この熱圧着処理
は、常圧雰囲気下で行うことも可能であるが、実際上、
例えば５〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａ程度
の減圧雰囲気下によるいわゆる真空プレス法によること
が好ましく、この場合には、当該絶縁性基板形成材１０
Ａと、上面側触媒層用転写板２０および下面側触媒層用
転写板３０との間に気泡が閉じ込められることが有効に
防止される。The temperature for performing the thermocompression bonding process depends on the material of the insulating substrate forming material 10, but the temperature at which the thermosetting resin sheet constituting the insulating substrate forming material 10A softens and becomes adhesive. Must be at least
To 250 ° C, preferably about 140 to 200 ° C. The press pressure for performing thermocompression bonding is, for example, about 5 to 50 kg / cm 2 at the maximum, and preferably about 20 to 40 kg / cm 2 . This thermocompression bonding can be performed under normal pressure atmosphere, but in practice,
For example, it is preferable to use a so-called vacuum pressing method under a reduced pressure atmosphere of 5 to 100 Pa, preferably about 10 to 50 Pa. In this case, the insulating substrate forming material 10 is used.
Air bubbles are effectively prevented from being trapped between A and the transfer plate 20 for the upper catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower catalyst layer.
【００３０】〔工程（ロ）〕この工程（ロ）は、図６〜
図８に示すように、スルーホール用穴１４Ｈが形成され
た圧着積層体１Ａから上面側触媒層用転写板２０および
下面側触媒層用転写板３０を除去することにより、メッ
キ触媒層２１，３１を露出し、その後、当該メッキ触媒
層２１，３１に対して無電解メッキ処理を施すことによ
り、絶縁性基板１０の上面および下面に金属薄層１１
Ａ，１３Ａを形成すると共に、絶縁性基板１０をその厚
み方向に貫通して伸びる短絡部１４を形成する工程であ
る。[Step (b)] This step (b) is performed in accordance with FIGS.
As shown in FIG. 8, by removing the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 from the press-bonded laminate 1A in which the through-holes 14H are formed, the plating catalyst layers 21 and 31 are removed. Then, by subjecting the plating catalyst layers 21 and 31 to electroless plating, the thin metal layers 11 are formed on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 10.
A and 13A are formed, and a short-circuit portion 14 extending through the insulating substrate 10 in the thickness direction thereof is formed.
【００３１】具体的に説明すると、図６に示すように、
圧着積層体１Ａに対し、例えば数値制御型ドリリング装
置により、当該圧着積層体１Ａをその厚み方向に貫通す
るスルーホール用穴１４Ｈを形成する。その後、この圧
着積層体１Ａにおける上面側触媒層用転写板２０および
下面側触媒層用転写板３０に対してエッチング処理を施
して除去することにより、図７に示すように、絶縁性基
板１０の上面および下面に形成されたメッキ触媒層２
１，３１を露出する。次いで、メッキ触媒層２１，３１
に対して無電解メッキ処理を施すことにより、図８に示
すように、絶縁性基板１０の上面および下面に銅が堆積
して金属薄層１１Ａ，１３Ａが形成され、一方、スルー
ホール用穴１４Ｈの内面に銅が堆積してスルーホールが
形成され、これにより、絶縁性基板１０をその厚み方向
に貫通して伸びる短絡部１４が形成される。More specifically, as shown in FIG.
A through-hole 14H penetrating through the pressure-bonded laminated body 1A in the thickness direction is formed in the pressure-bonded laminated body 1A by, for example, a numerically controlled drilling device. Thereafter, the transfer plate 20 for the upper catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower catalyst layer in the press-bonded laminate 1A are removed by performing an etching process, as shown in FIG. Plating catalyst layer 2 formed on upper and lower surfaces
Expose 1,31. Next, the plating catalyst layers 21 and 31
8, copper is deposited on the upper and lower surfaces of the insulating substrate 10 to form the thin metal layers 11A and 13A, as shown in FIG. 8, while the through-holes 14H are formed. Copper is deposited on the inner surface of the substrate to form a through hole, thereby forming a short-circuit portion 14 extending through the insulating substrate 10 in its thickness direction.
【００３２】以上において、スルーホール用穴１４Ｈの
内径は、所要の電気的接続が達成されるものであれば特
に制限はないが、例えば０．０５〜３．０ｍｍ、好まし
くは０．０８〜１．０ｍｍである。上面側触媒層用転写
板２０および下面側触媒層用転写板３０をエッチング処
理するためのエッチング液としては、上面側触媒層用転
写板２０および下面側触媒層用転写板３０の材質に応じ
て選択される。例えば上面側触媒層用転写板２０および
下面側触媒層用転写板３０を銅により構成する場合に
は、エッチング液として、過硫酸アンモニウムを主成分
とするものを用いることができる。絶縁性基板１０に形
成される金属薄層１１Ａ，１３Ａの厚みは、１０〜４０
ｍｍ、特に１５〜２５ｍｍであることが好ましく、これ
により、後述する工程（ハ）において、微細なパターン
の配線部を確実に形成することができる。絶縁性基板１
０に対する金属薄層１１Ａ，１３Ａのピール強度は、５
００ｇ／ｃｍ以上であることが好ましく、これにより、
微細なパターンであっても、絶縁性基板１０に対する密
着性が良好な配線部１１を形成することができる。メッ
キ触媒層２１，３１を絶縁性基板１０に直接形成する場
合には、当該絶縁性基板１０に対して所要のピール強度
を有する金属薄層１１Ａ，１３Ａを形成することが困難
である。In the above, the inner diameter of the through-hole 14H is not particularly limited as long as required electrical connection is achieved, but is, for example, 0.05 to 3.0 mm, preferably 0.08 to 1 mm. 0.0 mm. The etching solution for etching the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 depends on the material of the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30. Selected. For example, when the transfer plate 20 for the upper catalyst layer and the transfer plate 30 for the lower catalyst layer are made of copper, an etchant containing ammonium persulfate as a main component can be used. The thickness of the thin metal layers 11A and 13A formed on the insulating substrate 10 is 10 to 40.
mm, particularly preferably 15 to 25 mm, whereby a wiring portion having a fine pattern can be reliably formed in the step (c) described later. Insulating substrate 1
The peel strength of the thin metal layers 11A and 13A with respect to
It is preferably at least 00 g / cm, whereby
Even in the case of a fine pattern, it is possible to form the wiring portion 11 having good adhesion to the insulating substrate 10. When the plating catalyst layers 21 and 31 are formed directly on the insulating substrate 10, it is difficult to form the thin metal layers 11A and 13A having the required peel strength on the insulating substrate 10.
【００３３】〔工程（ハ）〕この工程（ハ）は、図９お
よび図１０に示すように、絶縁性基板１０の上面に配線
部１１を形成すると共に、絶縁性基板１０の下面に端子
電極１３を形成する工程である。具体的に説明すると、
絶縁性基板１０の上面に形成された金属薄層１１Ａに対
してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施し
てその一部を除去することにより、図９に示すように、
絶縁性基板１０の上面に、所要のパターンの配線部１１
が形成される。一方、絶縁性基板１０の下面に形成され
た金属薄層１３Ａに対してフォトリソグラフィーおよび
エッチング処理を施してその一部を除去することによ
り、図１０に示すように、絶縁性基板１０の下面に、例
えばピッチが１．８ｍｍまたは１．２７ｍｍの格子点上
に配置された端子電極１３が形成される。この端子電極
１３は、短絡部１４を介して配線部１１に電気的に接続
された状態である。そして、配線部１１の上面に、フォ
トリソグラフィーおよび電解銅メッキ処理を施すことに
より、検査対象である回路装置の被検査電極に対応する
パターンの接続用電極１４が形成され、以て図１に示す
コネクターが製造される。[Step (c)] In this step (c), as shown in FIGS. 9 and 10, the wiring portion 11 is formed on the upper surface of the insulating substrate 10, and the terminal electrodes are formed on the lower surface of the insulating substrate 10. 13. Specifically,
By subjecting the thin metal layer 11A formed on the upper surface of the insulating substrate 10 to photolithography and etching to remove a part thereof, as shown in FIG.
On the upper surface of the insulating substrate 10, a wiring portion 11 having a required pattern
Is formed. On the other hand, by performing photolithography and etching on the thin metal layer 13A formed on the lower surface of the insulating substrate 10 to remove a part thereof, as shown in FIG. For example, the terminal electrodes 13 arranged on lattice points having a pitch of 1.8 mm or 1.27 mm are formed. The terminal electrode 13 is in a state of being electrically connected to the wiring section 11 via the short-circuit section 14. Then, by performing photolithography and electrolytic copper plating on the upper surface of the wiring section 11, the connection electrodes 14 having a pattern corresponding to the electrodes to be inspected of the circuit device to be inspected are formed, as shown in FIG. Connectors are manufactured.
【００３４】以上において、配線部１１、接続用電極４
０または端子電極１３を形成する金属層の厚みを大きく
する場合には、必要な厚みに対応する膜厚のフォトレジ
スト膜を形成してパターニングを行うことにより、当該
金属層を形成する部分に孔を形成し、この孔内に金属を
メッキ法などによって充填し、然る後にフォトレジスト
膜を除去すればよい。このような方法により、表面から
突出した状態の接続用電極１２を容易に形成することが
できる。In the above, the wiring portion 11 and the connection electrode 4
In the case where the thickness of the metal layer forming the 0 or the terminal electrode 13 is increased, a photoresist film having a thickness corresponding to a required thickness is formed and patterned to form a hole in a portion where the metal layer is formed. Is formed, a metal is filled in the holes by plating or the like, and then the photoresist film is removed. By such a method, the connection electrode 12 protruding from the surface can be easily formed.
【００３５】このような方法によれば、上面側触媒層用
転写板２０に形成されたメッキ触媒層２１を絶縁性基板
１０の上面に転写し、当該転写されたメッキ触媒層２１
に無電解メッキ処理を行うため、絶縁性基板１０の上面
に、厚みが小さくて厚みの均一性の高い金属薄層１１Ａ
を形成することができ、このような金属薄層をエッチン
グすることにより、微細で複雑なパターンを有する配線
部１１を確実に形成することができる。しかも、メッキ
触媒層２１，３１は、上面側触媒層用転写板２０および
下面側触媒層用転写板３０から絶縁性基板１０に転写さ
れることによって形成されるため、メッキ触媒が絶縁性
基板１０の表面のみに存在することとなり、その結果、
当該絶縁性基板１０中にメッキ触媒が含浸することを回
避することができる。従って、メッキ触媒層２１，３１
の無電解メッキ処理後において、メッキ触媒が絶縁性基
板１０中に残存することがなく、その結果、所要の電気
的特性を有するコネクターを確実に製造することができ
る。According to such a method, the plating catalyst layer 21 formed on the upper catalyst layer transfer plate 20 is transferred to the upper surface of the insulating substrate 10 and the transferred plating catalyst layer 21 is transferred.
The thin metal layer 11A having a small thickness and high uniformity is formed on the upper surface of the insulating substrate 10 in order to perform the electroless plating.
By etching such a thin metal layer, the wiring portion 11 having a fine and complicated pattern can be surely formed. In addition, since the plating catalyst layers 21 and 31 are formed by being transferred from the upper-side catalyst layer transfer plate 20 and the lower-side catalyst layer transfer plate 30 to the insulating substrate 10, the plating catalyst is transferred to the insulating substrate 10. Only on the surface of
Impregnation of the insulating substrate 10 with the plating catalyst can be avoided. Therefore, the plating catalyst layers 21 and 31
After the electroless plating treatment, the plating catalyst does not remain in the insulating substrate 10, and as a result, a connector having required electric characteristics can be reliably manufactured.
【００３６】〈回路装置検査用アダプター装置〉図１１
は、本発明の回路装置検査用アダプター装置の一例にお
ける構成を示す説明用断面図である。この回路装置検査
用アダプター装置は、アダプター本体１と、このアダプ
ター本体１の上面上に設けられた異方導電性エラストー
層（以下、単に「エラストマー層」ともいう。）４０と
により構成されている。<Adapter device for circuit device inspection> FIG.
1 is an explanatory cross-sectional view showing a configuration of an example of a circuit device inspection adapter device of the present invention. The adapter device for inspecting a circuit device includes an adapter body 1 and an anisotropic conductive elastomer layer (hereinafter, also simply referred to as “elastomer layer”) 40 provided on the upper surface of the adapter body 1. .
【００３７】具体的に説明すると、アダフター本体１
は、図１に示す構成のコネクターよりなり、このアダプ
ター本体１の上面には、エラストマー層４０が一体的に
接着乃至密着した状態で形成されている。このエラスト
マー層４０は、図１２に示すように、絶縁性の弾性高分
子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる多数の
導電部４１がアダプター本体１の接続用電極１２上に位
置された状態で、かつ、隣接する導電部４１が相互に絶
縁部４２によって絶縁された状態とされている。各導電
部４１においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に並ぶよう
配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成されて
いる。この導電部４１は、厚さ方向に加圧されて圧縮さ
れたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加圧
導電部であってもよい。これに対して、絶縁部４２は、
加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されないも
のである。More specifically, the adapter body 1
Comprises a connector having the configuration shown in FIG. 1, and an elastomer layer 40 is integrally formed on the upper surface of the adapter body 1 in a state of being adhered or adhered thereto. As shown in FIG. 12, the elastomer layer 40 has a large number of conductive portions 41 formed by densely filling conductive particles P in an insulating elastic polymer substance E on the connection electrodes 12 of the adapter body 1. In the positioned state, adjacent conductive portions 41 are insulated from each other by an insulating portion 42. In each conductive portion 41, the conductive particles P are oriented so as to be arranged in the thickness direction, and a conductive path extending in the thickness direction is formed. The conductive portion 41 may be a pressurized conductive portion in which a conductive path is formed by reducing the resistance value when compressed in the thickness direction and compressed. In contrast, the insulating portion 42
A conductive path is not formed in the thickness direction even when pressed.
【００３８】上記エラストマー層４０の導電部４１にお
いては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体積％以上、特に
１５体積％以上であることが好ましい。導電部を加圧導
電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いと
きには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接
続を達成することができる点では好ましい。しかし、接
続用電極１２の電極ピッチが小さくなると、隣接する導
電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあ
り、このため、導電部４１における導電性粒子Ｐの充填
率は４０体積％以下であることが好ましい。In the conductive portion 41 of the elastomer layer 40, the filling rate of the conductive particles P is preferably 10% by volume or more, particularly preferably 15% by volume or more. In the case where the conductive portion is a pressurized conductive portion, when the filling rate of the conductive particles is high, it is preferable in that the intended electrical connection can be reliably achieved even when the pressing force is small. However, if the electrode pitch of the connection electrode 12 is reduced, sufficient insulation between adjacent conductive portions may not be ensured. Therefore, the filling rate of the conductive particles P in the conductive portion 41 is 40% by volume or less. It is preferred that
【００３９】このような構成の回路基板検査用アダプタ
ー装置においては、微細で複雑なパターンの配線部１１
を有するコネクターよりなるアダプター本体１を具え、
当該アダプター本体１の上面にエラストマー層４０が一
体的に形成されており、しかもアダプター本体１の接続
用電極１２上にエラストマー層４０の導電部４１が配置
されているため、電気的接続作業時にエラストマー層４
０の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要で
あり、従って検査対象である回路装置の被検査電極の電
極ピッチが微小である場合にも、所要の電気的接続を確
実に達成することができる。In the circuit board inspection adapter device having such a configuration, the wiring portion 11 having a fine and complicated pattern is formed.
An adapter body 1 comprising a connector having
Since the elastomer layer 40 is integrally formed on the upper surface of the adapter main body 1 and the conductive portion 41 of the elastomer layer 40 is arranged on the connection electrode 12 of the adapter main body 1, the elastomer layer 40 is used during the electrical connection operation. Layer 4
It is completely unnecessary to perform the alignment and the holding and fixing of 0, and therefore, even when the electrode pitch of the electrode to be inspected of the circuit device to be inspected is minute, it is possible to reliably achieve the required electrical connection. it can.
【００４０】また、エラストマー層４０はアダプター本
体１と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維
持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができ
る。Further, since the elastomer layer 40 is integrated with the adapter body 1, a good electrical connection state is stably maintained even when the environment such as a heat history due to a temperature change is stably maintained. Sex can be obtained.
【００４１】図示の例においては、エラストマー層４０
の外面において、導電部４１が絶縁部４２の表面から突
出する突出部を形成している。このような例によれば、
加圧による圧縮の程度が絶縁部４２より導電部４１にお
いて大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導
電部４１に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変
動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その
結果、エラストマー層４０に作用される加圧力が不均一
であっても、各導電部４１間における導電性のバラツキ
の発生を防止することができる。In the illustrated example, the elastomer layer 40
, The conductive portion 41 forms a protruding portion that protrudes from the surface of the insulating portion 42. According to such an example,
Since the degree of compression by pressurization is larger in the conductive portion 41 than in the insulating portion 42, a conductive path having a sufficiently low resistance value is reliably formed in the conductive portion 41. Can be reduced, and as a result, even if the pressing force applied to the elastomer layer 40 is not uniform, it is possible to prevent the occurrence of variations in conductivity between the conductive portions 41.
【００４２】このように導電部４１が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さｈは、エラストマー層
４０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部４２の厚さであ
る。）の８％以上であることが好ましい。また、エラス
トマー層４０の全厚ｔは、接続用電極１２の中心間距離
として定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわ
ちｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充
足されることにより、エラストマー層４０に作用される
加圧力が変化した場合にも、それによる導電部４１の導
電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。When the conductive portion 41 forms a protrusion as described above, the protrusion height h of the protrusion is the total thickness t of the elastomer layer 40 (t = h + d, where d is the thickness of the insulating portion 42). Is preferably 8% or more. The total thickness t of the elastomer layer 40 is preferably 300% or less of the electrode pitch p defined as the distance between the centers of the connection electrodes 12, that is, t ≦ 3p. When such a condition is satisfied, even when the pressure applied to the elastomer layer 40 changes, the change in the conductivity of the conductive portion 41 due to the change is sufficiently small.
【００４３】導電部４１が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部４１間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部４１の幅Ｒの１０％以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部４１同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部４１の平面形状は接続用電極１２と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。When the conductive portion 41 forms a projecting portion, it is not always necessary that the entire surface of the projecting portion has conductivity. For example, the periphery of the projecting portion has a conductive area of 20% or less of the electrode pitch. A road non-forming portion may be present. Further, it is preferable that the minimum value of the separation distance r between the adjacent conductive portions 41 is 10% or more of the width R of the conductive portion 41. By satisfying such conditions, it is possible to sufficiently avoid the possibility that the adjacent conductive portions 41 electrically contact each other due to lateral displacement when the protrusion is deformed by being pressed. Can be. In the above example, the planar shape of the conductive portion 41 can be a rectangular shape having the same width as the connection electrode 12, but can be a circular shape having a necessary area or any other appropriate shape.
【００４４】導電部４１の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。The conductive particles of the conductive portion 41 include, for example, particles of a metal exhibiting magnetism such as nickel, iron, and cobalt, or particles of an alloy thereof, or gold,
Those plated with silver, palladium, rhodium, etc.
Inorganic particles such as non-magnetic metal particles or glass beads or polymer particles plated with a conductive magnetic material such as nickel or cobalt can be used.
【００４５】後述する方法においては、ニッケル、鉄、
またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用
いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。In the method described below, nickel, iron,
Alternatively, conductive magnetic particles made of an alloy thereof or the like are used, and gold-plated particles can be preferably used in terms of electrical characteristics such as low contact resistance. Further, particles composed of a conductive superparamagnetic material can be preferably used because they do not show magnetic hysteresis.
【００４６】導電性粒子の粒径は、導電部４１の加圧変
形を容易にし、かつ導電部４１において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍで
あることが好ましく、特に１０〜１００μｍであること
が好ましい。The particle size of the conductive particles is preferably 3 to 200 μm so that the conductive portion 41 can be easily deformed under pressure and sufficient electrical contact can be obtained between the conductive particles in the conductive portion 41. Preferably, it is particularly preferably 10 to 100 μm.
【００４７】導電部４１を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。As the insulating and elastic polymer constituting the conductive portion 41, a polymer having a crosslinked structure is preferable. Examples of curable polymer materials that can be used to obtain a cross-linked polymer include silicone rubber, polybutadiene, natural rubber, polyisoprene, styrene-butadiene copolymer rubber, and acrylonitrile-butadiene copolymer rubber. , Ethylene-propylene copolymer rubber, urethane rubber, polyester rubber, chloroprene rubber, epichlorohydrin rubber, and soft liquid epoxy resin.
【００４８】具体的には、硬化処理前には液状であっ
て、硬化処理後にアダプター本体１のと密着状態または
接着状態を保持して一体となる高分子物質用材料が好ま
しい。このような観点から、本発明に好適な高分子物質
用材料としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴ
ム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。
高分子物質用材料には、アダプター本体１に対する接着
性を向上させるために、シランカップリング剤、チタン
カップリング剤などの添加剤を添加することができる。Specifically, a material for a polymer substance which is in a liquid state before the hardening treatment and is integrated with the adapter body 1 while maintaining a close contact state or an adhesive state after the hardening treatment is preferable. From such a viewpoint, examples of the material for a polymer substance suitable for the present invention include liquid silicone rubber, liquid urethane rubber, and soft liquid epoxy resin.
Additives such as a silane coupling agent and a titanium coupling agent can be added to the polymer material in order to improve the adhesion to the adapter body 1.
【００４９】絶縁部４２を構成する材料としては、導電
部４１を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体１と密着状態または接着状態を保持してアダ
プター本体１と一体となるものが用いられる。As the material for forming the insulating portion 42, the same or different polymer material as for the conductive portion 41 can be used. And the one that is integrated with the adapter body 1 is used.
【００５０】このような絶縁部を形成することにより、
エラストマー層それ自体の一体性並びにそのアダプター
本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター
装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧
縮に対して優れた耐久性を得ることができる。By forming such an insulating portion,
Since the integrality of the elastomer layer itself and its integrality with the adapter main body are reliably increased, the strength of the entire adapter device is increased, and therefore, excellent durability against repeated compression can be obtained.
【００５１】以上のような構成のアダプター装置は、そ
の上面に検査対象である回路装置が配置されてエラスト
マー層４０の導電部４１に回路装置の被検査電極が対接
されると共に、下面の端子電極１３が適宜の接続手段を
介してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮
するよう加圧された状態とされる。この状態において
は、アダプター装置のエラストマー層４０の導電部４１
が導電状態となり、これにより、被検査電極とテスター
との所要の電気的な接続が達成される。In the adapter device configured as described above, the circuit device to be inspected is disposed on the upper surface, the electrode to be inspected of the circuit device is brought into contact with the conductive portion 41 of the elastomer layer 40, and the terminal on the lower surface is provided. The electrode 13 is connected to the tester via an appropriate connection means, and is further pressurized so as to be compressed in the thickness direction. In this state, the conductive portion 41 of the elastomer layer 40 of the adapter device is used.
Is brought into a conductive state, whereby required electrical connection between the electrode under test and the tester is achieved.
【００５２】上記の回路装置検査用アダプター装置は、
例えば次のようにしてアダプター本体１の上面にエラス
トマー層４０が設けられて製造される。先ず、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるエラストマー用材料が調製され、図１３に示すよ
うに、このエラストマー用材料がアダプター本体１の上
面に塗布されることによりエラストマー用材料層４５が
形成され、これが金型５０のキャビティ内に配置され
る。The above-described adapter device for inspecting a circuit device includes:
For example, it is manufactured by providing the elastomer layer 40 on the upper surface of the adapter body 1 as follows. First, an elastomer material made of a fluid mixture is prepared by dispersing conductive magnetic particles in a polymer material material that becomes an insulating elastic polymer material by curing treatment, and as shown in FIG. The elastomer material is applied to the upper surface of the adapter body 1 to form the elastomer material layer 45, which is arranged in the cavity of the mold 50.
【００５３】この金型５０は、各々電磁石を構成する上
型５１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電
極１２に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付し
て示す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、
下面が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該
磁極板５３の平坦な下面がエラストマー用材料層４５の
表面から離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。
なお、図１３および図１４においては、接続用電極１２
を除き、アダプター本体１の詳細は省略されている。The mold 50 includes an upper mold 51 and a lower mold 52 each constituting an electromagnet. The upper mold 51 has a ferromagnetic material portion (a hatched portion) in a pattern corresponding to the connection electrode 12. Shown) M, and the other non-magnetic portion N
A magnetic pole plate 53 having a flat lower surface is provided, and the flat lower surface of the magnetic pole plate 53 is separated from the surface of the elastomeric material layer 45 to form a gap G.
13 and 14, the connection electrode 12
Except for the details, the details of the adapter body 1 are omitted.
【００５４】この状態で上型５１と下型５２の電磁石を
動作させ、これにより、アダプター本体１の厚さ方向の
平行磁場を作用させる。その結果、エラストマー用材料
層４５においては接続用電極１２上に位置する部分にお
いて、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作
用されることとなり、この分布を有する平行磁場によ
り、図１４に示すように、エラストマー用材料層４５内
の導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力によ
り接続用電極１２上に位置する部分に集合して更に厚さ
方向に配向する。In this state, the electromagnets of the upper die 51 and the lower die 52 are operated, whereby a parallel magnetic field in the thickness direction of the adapter body 1 is applied. As a result, in the portion of the elastomer material layer 45 located on the connection electrode 12, a stronger parallel magnetic field is applied in the thickness direction than in the other portions. As shown in (2), the conductive magnetic material particles in the elastomer material layer 45 are gathered in a portion located on the connection electrode 12 by the magnetic force of the ferromagnetic material portion M and further oriented in the thickness direction.
【００５５】然るに、このとき、エラストマー用材料層
４５の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体
粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動
する結果、接続用電極１２上に位置する部分の高分子物
質用材料表面が***し、突出した導電部４１が形成され
る。従って、形成される絶縁部４２の厚さｔ1 は、初期
のエラストマー用材料層４５の厚さｔ0 より小さいもの
となる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは
平行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出
部を形成する導電部４１と絶縁部４２とよりなるエラス
トマー層４０をアダプター本体１上に一体的に設けるこ
とができ、以てアダプター装置が製造される。However, at this time, since the gap G is present on the surface side of the elastomer material layer 45, the polymer material is also moved by the moving and gathering of the conductive magnetic particles. The upper surface of the material for a polymer substance in the upper portion is raised, and a protruding conductive portion 41 is formed. Accordingly, the thickness t1 of the insulating portion 42 to be formed becomes smaller than the thickness t 0 of the initial elastomeric material layer 45. After the parallel magnetic field is applied or after the parallel magnetic field is removed, the elastomer layer 40 including the conductive portion 41 and the insulating portion 42 forming the protrusion is integrally formed on the adapter body 1 by performing a curing process. The adapter device is manufactured.
【００５６】磁極板５３としては、図１５に示すよう
に、上型５１が接続用電極１２に対応するパターンの強
磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、当
該上型５１の下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部
分Ｎより下方に突出した状態の磁極板５５を使用するこ
ともできる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であ
って、接続用電極１２に対応するパターンの部分が、そ
れ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いる
こともできる。これらの場合にも、エラストマー用材料
層４５に対しては接続用電極１２の領域において、より
強い平行磁場が作用されることとなる。As shown in FIG. 15, as the magnetic pole plate 53, the upper die 51 is composed of a ferromagnetic portion M having a pattern corresponding to the connection electrode 12 and a non-magnetic portion N other than the ferromagnetic portion M. The magnetic pole plate 55 in a state where the ferromagnetic portion M protrudes below the non-magnetic portion N on the lower surface of the magnetic head may be used. Further, it is also possible to use a magnetic pole plate which is entirely made of a ferromagnetic material and in which a portion of a pattern corresponding to the connection electrode 12 protrudes below other portions. In these cases as well, a stronger parallel magnetic field is applied to the elastomer material layer 45 in the region of the connection electrode 12.
【００５７】また、平行磁場を作用させたままで上型５
１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、始めは上型５
１をエラストマー用材料層４５の直上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型５１と下型５２の間隔を徐々に
広げ、これによってエラストマー用材料層４５の***を
生じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。Further, the upper mold 5 is kept under the parallel magnetic field.
A mold having a variable distance between the lower mold 1 and the lower mold 52 is used.
1 is disposed immediately above the elastomer material layer 45, and while a parallel magnetic field is applied, the distance between the upper mold 51 and the lower mold 52 is gradually increased, thereby causing the elastomer material layer 45 to protrude. Can also be performed.
【００５８】本発明においては、エラストマー層４０の
導電部４１が絶縁部４２より突出していることは必須の
ことではなく、平坦な表面を有するものとすることもで
きる。このような場合には、例えば図１３に示した構成
の金型５０を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよ
い。In the present invention, it is not essential that the conductive portion 41 of the elastomer layer 40 protrudes from the insulating portion 42, and it may have a flat surface. In such a case, the processing may be performed without forming the gap G by using, for example, the mold 50 having the configuration shown in FIG.
【００５９】エラストマー用材料層４５の厚さは例えば
０．１〜３ｍｍとされる。このエラストマー用材料層４
５のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移
動が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度
が１０1 ｓｅｃ-1の歪速度の条件下において１０4 〜１
０7 センチポアズ程度であることが好ましい。エラスト
マー用材料層４５の硬化処理は、平行磁場を作用させた
ままの状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を
停止させた後に行うこともできる。The thickness of the elastomer material layer 45 is, for example, 0.1 to 3 mm. This material layer for elastomer 4
The polymer material for No. 5 has a viscosity at 25 ° C. of 10 4 to 1 at a strain rate of 10 1 sec -1 so that the conductive magnetic particles can be easily moved.
Is preferably about 0 7 centipoise. The curing treatment of the elastomeric material layer 45 is preferably performed while the parallel magnetic field is applied, but may be performed after the application of the parallel magnetic field is stopped.
【００６０】また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎ
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。エラス
トマー用材料層４５に作用される平行磁場の強度は、金
型のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスと
なる大きさが好ましい。The ferromagnetic portion M of the pole plate 53 is made of iron,
A ferromagnetic material such as nickel, and a non-magnetic material portion N
Can be formed of a nonmagnetic metal such as copper, a heat-resistant resin such as polyimide, or an air layer. The intensity of the parallel magnetic field applied to the elastomer material layer 45 is preferably such that the average of the cavity of the mold is 200 to 20,000 gauss.
【００６１】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、エラストマー用材料層４
５の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動
に要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、
高分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場
合に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時
間程度、８０℃で３０分間程度で行われる。The curing treatment is appropriately selected depending on the material used, but is usually performed by heat treatment. The specific heating temperature and heating time depend on the material layer 4 for the elastomer.
5 is appropriately selected in consideration of the type of the material for a polymer substance, the time required for the movement of the conductive magnetic particles, and the like. For example,
When the polymer material is a room temperature-curable silicone rubber, the curing treatment is performed at room temperature for about 24 hours, at 40 ° C. for about 2 hours, and at 80 ° C. for about 30 minutes.
【００６２】〈その他の実施の形態〉本発明は、上記の
実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可
能である。 （１）メッキ触媒層が絶縁性基板の両面に形成されるこ
とは必須のことではなく、配線部が形成される少なくと
も一面に形成されればよい。 （２）絶縁性基板の上面または下面に、１層以上の絶縁
層が設けられていてもよい。<Other Embodiments> The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. (1) It is not essential that the plating catalyst layer is formed on both surfaces of the insulating substrate, and it is sufficient that the plating catalyst layer is formed on at least one surface on which the wiring portion is formed. (2) One or more insulating layers may be provided on the upper or lower surface of the insulating substrate.
【００６３】（３）本発明の製造方法の工程（イ）にお
いては、図１６に示すように、例えばガラス繊維補強型
エポキシ樹脂などの耐熱性樹脂よりなる絶縁性基板用基
体１５と、熱硬化性樹脂シートよりなる一方の絶縁性基
板形成材１０Ｂおよび他方の絶縁性基板形成材１０Ｃと
を用意し、絶縁性基板用基体１５の上面および下面に、
一方の絶縁性基板形成材１０Ｂおよび他方の絶縁性基板
形成材１０Ｃを配置し、更に、一方の絶縁性基板形成材
１０Ｂの上面に、メッキ触媒層２１が形成された上面側
触媒用転写板２０を、当該メッキ触媒層２１が一方の絶
縁性基板形成材１０Ｂに対接するよう配置すると共に、
他方の絶縁性基板形成材１０Ｃの下面に、メッキ触媒層
３１が形成された下面側触媒用転写板３０を、当該メッ
キ触媒層３１が他方の絶縁性基板形成材１０Ｃに対接す
るよう配置し、この状態で熱圧着処理することにより、
圧着積層体を製造してもよい。この場合には、一方の絶
縁性基板形成材１０Ｂおよび他方の絶縁性基板形成材１
０Ｃが絶縁性基板用基体１５に一体的に接着した状態で
硬化されることにより、絶縁性基板１０が形成される。(3) In the step (a) of the manufacturing method of the present invention, as shown in FIG. 16, a substrate 15 for an insulating substrate made of a heat-resistant resin such as a glass fiber reinforced epoxy resin, and a thermosetting resin. One insulating substrate forming material 10B and the other insulating substrate forming material 10C made of a conductive resin sheet are prepared, and on the upper and lower surfaces of the insulating substrate base 15,
One of the insulating substrate forming materials 10B and the other insulating substrate forming material 10C are arranged, and further, on the upper surface of the one insulating substrate forming material 10B, the upper-side catalyst transfer plate 20 on which the plating catalyst layer 21 is formed. Are arranged such that the plating catalyst layer 21 is in contact with one of the insulating substrate forming materials 10B,
On the lower surface of the other insulative substrate forming material 10C, a lower surface side catalyst transfer plate 30 on which the plating catalyst layer 31 is formed is arranged such that the plating catalyst layer 31 is in contact with the other insulative substrate forming material 10C, By performing thermocompression bonding in this state,
A pressure-bonded laminate may be manufactured. In this case, one insulating substrate forming material 10B and the other insulating substrate forming material 1B
The insulating substrate 10 is formed by hardening the OC in a state of being integrally bonded to the insulating substrate base 15.
【００６４】[0064]
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。The present invention will be described in detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.
【００６５】（１）コネクターの製造： 〔工程（イ）〕各々の厚みが７０μｍの銅箔（古河サー
キットフォイル（株）製の電解銅箔）よりなる上面側触
媒層用転写板（２０）および下面側触媒層用転写板（３
０）を用意し、それぞれを６０℃のコンディショナー液
（日本ＬＰＷ社製）に５分間、次いで２５℃のプリディ
ップ液（日立化成社製）に１分間、更に２５℃のキャタ
リスト液（日立化成社製，塩化パラジウムを主成分とす
るもの）に１５分間浸漬した後、水洗して乾燥すること
により、上面側触媒層用転写板（２０）および下面側触
媒層用転写板（３０）の表面に、メッキ触媒層（２１，
３１）を形成した（図３参照）。(1) Manufacture of connector: [Step (a)] A transfer plate (20) for a catalyst layer on the upper surface side made of copper foil (electrolytic copper foil manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.) having a thickness of 70 μm and Transfer plate for lower catalyst layer (3
0) were prepared, and each was added to a conditioner solution (manufactured by LPW Japan) at 60 ° C. for 5 minutes, then to a pre-dip solution (manufactured by Hitachi Chemical) at 25 ° C. for 1 minute, and further to a catalyst solution (Hitachi Chemical Co., Ltd.) at 25 ° C. Immersion for 15 minutes, washed with water and dried to obtain the surface of the transfer plate (20) for the upper catalyst layer and the transfer plate (30) for the lower catalyst layer. The plating catalyst layer (21,
31) was formed (see FIG. 3).
【００６６】次いで、厚さ０．３ｍｍのガラス繊維補強
型エポキシ樹脂よりなる絶縁性基板用基体（１５）の上
面に、厚さ０．１ｍｍの熱硬化性樹脂シート（ガラス繊
維補強プリプレグ，「ナショナルマルチＲ１６６１（松
下電工社製）」）よりなる一方の絶縁性基板形成材（１
０Ｂ）および上面側触媒層用転写板（２０）をこの順で
配置すると共に、当該絶縁性基板用基体（１５）の下面
に、厚さ０．１ｍｍの熱硬化性樹脂シート（ガラス繊維
補強プリプレグ，「ナショナルマルチＲ１６６１（松下
電工社製）」）よりなる他方の絶縁性基板形成材（１０
Ｃ）および下面側触媒層用転写板（３０）をこの順で配
置し（図１６参照）、真空プレス機（ＭＨＰＣＶ−２０
０−７５０「名機製作所社製」）により、最高温度１７
０℃、最高圧力３０ｋｇ／ｃｍ2 で１０ｔｏｒｒの減圧
下で２時間熱圧着処理することにより、圧着積層体（１
Ａ）を製造した（図５参照）。Next, a thermosetting resin sheet (glass fiber reinforced prepreg, "National Glass") having a thickness of 0.1 mm was formed on the upper surface of an insulating substrate substrate (15) made of a glass fiber reinforced epoxy resin having a thickness of 0.3 mm. Multi R1661 (manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd.))).
0B) and the transfer plate (20) for the upper surface side catalyst layer in this order, and a 0.1 mm thick thermosetting resin sheet (glass fiber reinforced prepreg) is provided on the lower surface of the insulating substrate (15). , “National Multi R1661 (manufactured by Matsushita Electric Works, Ltd.)”).
C) and a transfer plate (30) for a lower catalyst layer are arranged in this order (see FIG. 16), and a vacuum press machine (MHPCV-20) is used.
0-750 "manufactured by Meiki Seisakusho"), the maximum temperature is 17
By performing thermocompression bonding at 0 ° C. and a maximum pressure of 30 kg / cm 2 under a reduced pressure of 10 torr for 2 hours, the pressure-bonded laminate (1
A) was produced (see FIG. 5).
【００６７】〔工程（ロ）〕得られた圧着積層体（１
Ａ）に対し、ＮＣドリリング装置「ＮＤ−１Ｗー２１
２」（日立精工社製）を用いてピッチが１．８ｍｍの格
子点上に配置された状態となるよう、各々の内径が０．
１５ｍｍのスルーホール用穴（１４Ｈ）を形成した（図
６参照）。[Step (b)] The resulting pressure-bonded laminate (1
A), the NC drilling device “ND-1W-21”
2 "(manufactured by Hitachi Seiko Co., Ltd.) so that the inner diameter of each of them is 0.1 mm so that they are arranged on lattice points having a pitch of 1.8 mm.
A through-hole (14H) of 15 mm was formed (see FIG. 6).
【００６８】次いで、圧着積層体（１Ａ）における上面
側触媒層用転写板（２０）および下面側触媒層用転写板
（３０）に対して、塩化第二鉄を主成分とするエッチン
グ液により約２０μの厚さになるまでエッチング処理を
施した後、過硫酸アンモニウムを主成分とするエッチン
グ液によりエッチング処理を施すことにより、上面側触
媒層用転写板（２０）および下面側触媒層用転写板（３
０）を除去してメッキ触媒層（２１，３１）を露出した
（図７参照）。そして、絶縁性基板（１０）に対して無
電解銅メッキ処理を施すことにより、絶縁性基板（１
０）の両面に銅を堆積させて金属薄層（１１Ａ、１３
Ａ）を形成すると共に、スルーホール用穴（１４Ｈ）の
内面に銅を堆積させて短絡部（１４）を形成した（図８
参照）。Next, the transfer plate (20) for the upper catalyst layer and the transfer plate (30) for the lower catalyst layer in the pressure-bonded laminated body (1A) are treated with an etching solution containing ferric chloride as a main component. After performing an etching process to a thickness of 20 μm, an etching process is performed using an etching solution containing ammonium persulfate as a main component, whereby an upper-side catalyst layer transfer plate (20) and a lower-side catalyst layer transfer plate ( 3
0) was removed to expose the plating catalyst layers (21, 31) (see FIG. 7). Then, the insulative substrate (1) is subjected to electroless copper plating to the insulative substrate (1).
0) by depositing copper on both sides to form a thin metal layer (11A, 13).
A) and copper was deposited on the inner surface of the through-hole (14H) to form a short-circuit portion (14) (FIG. 8).
reference).
【００６９】〔工程（ハ）〕絶縁性基板（１０）の上面
に形成された金属薄層（１１Ａ）に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去
することにより、絶縁性基板（１０）の上面に配線部
（１１）を形成した（図９参照）。一方、絶縁性基板
（１０）の下面に形成された金属薄層（１３Ａ）に対し
てフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施して
その一部を除去することにより、絶縁性基板（１０）の
下面にピッチが１．８ｍｍの格子点上に配置された端子
電極（１３）を形成した（図１０参照）。更に、絶縁性
基板（１０）の上面に、厚みが５０μｍのフォトレジス
ト膜（ＨＫ３５０「日立化成工業社製」）を設け、これ
をフォトリソグラフィ法により処理して検査対象回路装
置の被検査電極に対応するパターンに従って除去し、斯
くして形成された穴部に銅メッキ法により金属銅を充填
し、その後フォトレジスト膜を剥離することにより、突
出高さが５０μｍの接続用電極（１２）を形成し、更に
各接続用電極（１２）に厚みが２μｍの金メッキを施
し、以てコネクターを製造した（図１参照）。[Step (c)] The thin metal layer (11A) formed on the upper surface of the insulating substrate (10) is subjected to photolithography and etching to remove a part of the thin metal layer (11A). A wiring portion (11) was formed on the upper surface of (10) (see FIG. 9). On the other hand, the thin metal layer (13A) formed on the lower surface of the insulating substrate (10) is subjected to photolithography and etching to remove a part of the thin metal layer (13A). Formed a terminal electrode (13) arranged on a lattice point of 1.8 mm (see FIG. 10). Further, a 50 μm-thick photoresist film (HK350 “manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.”) is provided on the upper surface of the insulating substrate (10), and this is processed by a photolithography method to be used as an electrode to be inspected of a circuit device to be inspected. The connection electrode (12) having a protrusion height of 50 μm is formed by removing the holes according to the corresponding pattern, filling the holes thus formed with copper metal by a copper plating method, and then removing the photoresist film. Then, each connection electrode (12) was subjected to gold plating with a thickness of 2 μm to manufacture a connector (see FIG. 1).
【００７０】ここに得られたコネクターの接続用電極
は、各電極の寸法が幅０．０８、縦０．２５ｍｍの矩形
で、電極ピッチが０．１４ｍｍの電極群と、各電極の寸
法が幅０．１２ｍｍ、長さ０．２５ｍｍの矩形で、電極
ピッチが０．２ｍｍの電極群とを有するものであった。The connection electrodes of the connector obtained here were rectangular in which each electrode had a width of 0.08 and a length of 0.25 mm, an electrode group having an electrode pitch of 0.14 mm, and each electrode had a width of 0.14 mm. The electrode group had a rectangular shape of 0.12 mm and a length of 0.25 mm and an electrode pitch of 0.2 mm.
【００７１】（２）回路装置検査用アダプター装置の製
造：上記のコネクターをアダプター本体として用い、以
下のようにして回路装置検査用アダプター装置を製造し
た。室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２６μｍのニッ
ケルよりなる導電性磁性体粒子を１５体積％となる割合
で混合してなるエラストマー用材料を調製し、これをア
ダプター本体の表面に塗布したものを、基本的に図１５
に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわ
ち、下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部分Ｎより
０．１ｍｍ突出する磁極板５５を用い、強磁性体部分Ｍ
の下面とエラストマー用材料層との間に０．０３ｍｍの
間隙を形成して平行磁場を作用させてエラストマー用材
料層を***させ、この状態で室温で２４時間放置して硬
化させ、これにより、導電部の厚さｔが０．３ｍｍ、絶
縁部の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の突出割合（ｔ−
ｄ）／ｔが１０％のエラストマー層を形成し、もって回
路装置検査用アダプター装置を製造した。(2) Production of an adapter device for inspecting a circuit device: An adapter device for inspecting a circuit device was produced as follows using the above connector as an adapter body. A material for elastomer prepared by mixing room-temperature-curable urethane rubber with conductive magnetic particles of nickel having an average particle size of 26 μm at a ratio of 15% by volume was prepared, and this was applied to the surface of the adapter body. Basically, FIG.
The method was performed according to the method using the mold shown in FIG. That is, a magnetic pole plate 55 in which the ferromagnetic portion M protrudes 0.1 mm from the non-magnetic portion N on the lower surface is used.
A gap of 0.03 mm is formed between the lower surface of the elastomer material layer and the material layer for elastomer, and a parallel magnetic field is applied to cause the material layer for elastomer to protrude. The thickness t of the conductive portion is 0.3 mm, the thickness d of the insulating portion is 0.27 mm, and the protrusion ratio of the conductive portion (t−
d) An elastomer layer having a / t of 10% was formed, whereby an adapter device for circuit device inspection was manufactured.
【００７２】〔実験例１〕以上のアダプター装置につい
て、抵抗測定器「ミリオームハイテスター」（日置電機
社製）を用い、絶縁性基板の下面側に共通の導電板を配
置してすべての端子電極を短絡状態とし、この導電板と
各接続用電極との間の電気抵抗値をプローブピンを利用
して測定した。その結果、すべての接続用電極につい
て、電気抵抗値は３０ｍΩ以下と非常に小さく、接続さ
れるべき端子電極と接続用電極との間の電気的な接続が
十分に達成されていることが確認された。[Experimental Example 1] For the above adapter device, a common conductive plate was arranged on the lower surface side of the insulating substrate using a resistance measuring device “Milliohm Hi Tester” (manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.), and all terminal electrodes were arranged. Was placed in a short-circuit state, and the electrical resistance between the conductive plate and each connection electrode was measured using a probe pin. As a result, it was confirmed that the electric resistance value of all the connection electrodes was as extremely small as 30 mΩ or less, and that the electric connection between the terminal electrode to be connected and the connection electrode was sufficiently achieved. Was.
【００７３】〔実験例２〕更に当該アダプター装置につ
いて、上記と同様の抵抗測定器を用い、互いに絶縁状態
とされるべき隣接する接続用電極の間の電気抵抗値をプ
ローブピンを利用して測定したところ、電気抵抗値はい
ずれも２ＭΩ以上と非常に大きく、十分な絶縁状態が達
成されていることが確認された。[Experimental example 2] Further, the electric resistance between adjacent connecting electrodes to be insulated from each other was measured using a probe pin for the adapter device, using the same resistance measuring device as described above. As a result, each of the electric resistance values was as very large as 2 MΩ or more, and it was confirmed that a sufficient insulating state was achieved.
【００７４】[0074]
【発明の効果】本発明のコネクターによれば、転写され
たメッキ触媒層に無電解メッキ処理されることにより形
成された金属薄層は、厚みが小さくて厚みの均一性が高
いものであるため、このような金属薄層がエッチングさ
れることにより、微細で複雑なパターンを有する配線部
１１が確実に得られる。しかも、メッキ触媒が絶縁性基
板１０中に残存することがないため、所要の電気的特性
が確実に得られる。According to the connector of the present invention, the thin metal layer formed by electroless plating the transferred plating catalyst layer has a small thickness and a high uniformity. By etching such a thin metal layer, the wiring portion 11 having a fine and complicated pattern can be reliably obtained. Moreover, since the plating catalyst does not remain in the insulating substrate 10, required electric characteristics can be reliably obtained.
【００７５】本発明のコネクターの製造方法によれば、
触媒層用転写板に形成されたメッキ触媒層を絶縁性基板
の一面に転写し、当該転写されたメッキ触媒層に無電解
メッキ処理を行うため、絶縁性基板の一面に、厚みが小
さくて厚みの均一性の高い金属薄層を形成することがで
き、このような金属薄層をエッチングすることにより、
微細で複雑なパターンを有する配線部を確実に形成する
ことができる。しかも、メッキ触媒層は、触媒層用転写
板から絶縁性基板に転写されることによって形成される
ため、メッキ触媒が絶縁性基板の表面のみに存在するこ
ととなり、その結果、当該絶縁性基板中にメッキ触媒が
含浸することを回避することができる。従って、メッキ
触媒層の無電解メッキ処理後において、メッキ触媒が絶
縁性基板中に残存することがなく、その結果、所要の電
気的特性を有するコネクターを確実に製造することがで
きる。According to the method for manufacturing a connector of the present invention,
The plating catalyst layer formed on the catalyst layer transfer plate is transferred to one surface of the insulating substrate, and the transferred plating catalyst layer is subjected to electroless plating. It is possible to form a highly uniform thin metal layer, and by etching such a thin metal layer,
A wiring portion having a fine and complicated pattern can be reliably formed. Moreover, since the plating catalyst layer is formed by being transferred from the catalyst layer transfer plate to the insulating substrate, the plating catalyst is present only on the surface of the insulating substrate, and as a result, Can be prevented from being impregnated with the plating catalyst. Therefore, after the electroless plating of the plating catalyst layer, the plating catalyst does not remain in the insulating substrate, and as a result, a connector having required electric characteristics can be reliably manufactured.
【００７６】本発明の回路装置検査用アダプター装置に
よれば、アダプター本体が微細で複雑なパターンの配線
部を有するコネクターにより構成されており、しかも、
アダプター本体には、異方導電性エラストマー層が一体
的に設けられているため、検査対象である回路装置の被
検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密
度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路装
置についての所要の電気的接続を確実に達成することが
でき、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って
高い接続信頼性を得ることができる。According to the adapter device for inspecting a circuit device of the present invention, the adapter body is constituted by a connector having a wiring portion of a fine and complicated pattern.
Since the anisotropic conductive elastomer layer is integrally provided on the adapter body, the electrodes to be inspected of the circuit device to be inspected have a fine electrode pitch and a fine, high-density complex pattern. In this case, the required electrical connection of the circuit device can be surely achieved, and a favorable electrical connection state can be stably maintained even with environmental changes such as heat history due to temperature changes. Thus, high connection reliability can be obtained.
【図１】本発明のコネクターの一例における構成を示す
示す説明用断面図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a configuration of an example of a connector of the present invention.
【図２】本発明のコネクターにおける各部の配置の状態
を示す説明用平面図である。FIG. 2 is an explanatory plan view showing an arrangement state of each part in the connector of the present invention.
【図３】上面側触媒層用転写板および下面側触媒層用転
写板にメッキ触媒層が形成された状態を示す説明用断面
図である。FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a plating catalyst layer is formed on an upper-side catalyst layer transfer plate and a lower-side catalyst layer transfer plate.
【図４】メッキ触媒層が形成された上面側触媒層用転写
板および下面側触媒層用転写板が、絶縁性基板形成材の
上面および下面に配置された状態を示す説明用断面図で
ある。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a transfer plate for an upper-side catalyst layer and a transfer plate for a lower-side catalyst layer on which a plating catalyst layer is formed are arranged on the upper and lower surfaces of an insulating substrate forming material. .
【図５】工程（イ）よって製造された圧着積層体を示す
説明用断面図である。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing the pressure-bonded laminate manufactured in step (a).
【図６】圧着積層体にスルーホール用穴が形成された状
態を示す説明用断面図である。FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a through-hole is formed in the pressure-bonded laminate.
【図７】圧着積層体から上面側触媒層用転写板および下
面側触媒層用転写板が除去されてメッキ触媒層が露出し
た状態を示す説明用断面図である。FIG. 7 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a transfer plate for an upper-side catalyst layer and a transfer plate for a lower-side catalyst layer have been removed from the pressure-bonded laminate to expose a plating catalyst layer.
【図８】絶縁性基板の両面に金属薄層が形成されると共
に、当該絶縁性基板に短絡部が形成された状態を示す説
明用断面図である。FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view showing a state where thin metal layers are formed on both surfaces of an insulating substrate and a short-circuit portion is formed on the insulating substrate.
【図９】絶縁性基板の上面に配線部か形成された状態を
示す説明用断面図である。FIG. 9 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a wiring portion is formed on an upper surface of an insulating substrate.
【図１０】絶縁性基板の下面に端子電極が形成された状
態を示す説明用断面図である。FIG. 10 is an explanatory cross-sectional view showing a state where a terminal electrode is formed on a lower surface of an insulating substrate.
【図１１】本発明の回路装置健作用アダプター装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。FIG. 11 is an explanatory cross-sectional view illustrating a configuration of an example of the circuit device healthy action adapter device of the present invention.
【図１２】図１１における回路装置検査用アダプター装
置のエラストマー層を拡大して示す説明用断面図であ
る。FIG. 12 is an explanatory sectional view showing an elastomer layer of the adapter device for circuit device inspection in FIG. 11 in an enlarged manner.
【図１３】エラストマー用材料層が形成されたアダプタ
ー本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図で
ある。FIG. 13 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which the adapter main body on which the elastomer material layer is formed is set in a mold.
【図１４】図１３において、平行磁場が作用された状態
を示す説明用断面図である。FIG. 14 is an explanatory cross-sectional view showing a state in which a parallel magnetic field is applied in FIG.
【図１５】エラストマー層を形成するために用いられる
金型の他の例を示す説明用断面図である。FIG. 15 is an explanatory cross-sectional view showing another example of a mold used to form an elastomer layer.
【図１６】メッキ触媒層が形成された上面側触媒層用転
写板および下面側触媒層用転写板が、絶縁性基板用基体
の上面および下面に、一方の絶縁性基板形成材および他
方の絶縁性基板形成材を介して配置された状態を示す説
明用断面図である。FIG. 16 shows a transfer plate for an upper surface-side catalyst layer and a transfer plate for a lower surface-side catalyst layer on which a plating catalyst layer is formed, on one surface of an insulating substrate substrate, one insulating substrate forming material and the other insulating substrate. FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view showing a state where the conductive substrate forming material is interposed.
【図１７】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing an arrangement of an example of a printed circuit board.
１ アダプター本体 １Ａ 圧着積層体 １０ 絶縁性基板 １０Ａ 絶縁性基板
形成材 １０Ｂ 一方の絶縁性基板形成材 １０Ｃ 他方の絶縁
性基板形成材 １１ 配線部 １１Ａ 金属薄層 １２ 接続用電極 １３ 端子電極 １３Ａ 金属薄層 １４ 短絡部 １４Ｈ スルーホール用穴 １５ 絶縁性基板用
基体 ２０ 上面側触媒層用転写板 ２１ メッキ触媒層 ３０ 下面側触媒層用転写板 ３１ メッキ触媒層 ４０ 異方導電性エラストマー層 ４１ 導電部 ４２ 絶縁部 Ｅ 弾性高分子物
質 Ｐ 導電性粒子 ４５ エラストマー用
材料層 ５０ 金型 ５１ 上型 ５２ 下型 Ｍ 強磁性体部分 Ｎ 非磁性体部分 ５３ 磁極板 Ｇ 間隙 ５４ 磁極板 ９０ プリント回路基板 ９１ 機能素子領域 ９２ リード電極 ９３ リード電極領
域DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Adapter main body 1A Compression laminated body 10 Insulating substrate 10A Insulating substrate forming material 10B One insulating substrate forming material 10C The other insulating substrate forming material 11 Wiring part 11A Metal thin layer 12 Connection electrode 13 Terminal electrode 13A Metal thin Layer 14 Short-circuit portion 14H Hole for through hole 15 Base for insulating substrate 20 Transfer plate for upper surface side catalyst layer 21 Plating catalyst layer 30 Transfer plate for lower side catalyst layer 31 Plating catalyst layer 40 Anisotropic conductive elastomer layer 41 Conductive portion 42 Insulating part E Elastic polymer substance P Conductive particles 45 Elastomer material layer 50 Mold 51 Upper mold 52 Lower mold M Ferromagnetic part N Nonmagnetic part 53 Magnetic pole plate G Gap 54 Magnetic pole plate 90 Printed circuit board 91 Functional element Area 92 Lead electrode 93 Lead electrode area
Claims (3)
とも一面に形成された配線部とを有してなり、 前記配線部は、転写されたメッキ触媒層に無電解メッキ
処理を行うことによって形成された金属薄層が、エッチ
ングされることにより形成されたものであることを特徴
とするコネクター。1. An insulating substrate and a wiring portion formed on at least one surface of the insulating substrate, wherein the wiring portion is obtained by performing electroless plating on a transferred plating catalyst layer. A connector characterized in that the formed thin metal layer is formed by etching.
方法であって、 一面にメッキ触媒層が形成された触媒層用転写板を、当
該メッキ触媒層が対接するよう、熱硬化性樹脂シートよ
りなる絶縁性基板形成材の少なくとも一面に配置し、こ
の状態で熱圧着処理することにより、絶縁性基板上にメ
ッキ触媒層および触媒層用転写板がこの順で積層されて
なる積層体を製造する工程（イ）と、 この積層体から触媒層用転写板を除去することにより、
メッキ触媒層を露出し、その後、当該メッキ触媒層に対
して無電解メッキ処理を施すことにより、絶縁性基板の
少なくとも一面に金属薄層を形成する工程（ロ）と、 絶縁性基板に形成された金属薄層をエッチングすること
により、配線部を形成する工程（ハ）とを有することを
特徴とするコネクターの製造方法。2. The method for manufacturing a connector according to claim 1, wherein a transfer sheet for a catalyst layer having a plating catalyst layer formed on one surface thereof is placed on a thermosetting resin sheet so that the plating catalyst layer is in contact with the transfer sheet. By arranging it on at least one surface of an insulating substrate forming material made of, and performing a thermocompression bonding process in this state, a laminated body in which a plating catalyst layer and a catalyst layer transfer plate are laminated in this order on the insulating substrate is manufactured. (A) and removing the catalyst layer transfer plate from the laminate,
Exposing the plating catalyst layer, and then subjecting the plating catalyst layer to electroless plating to form a thin metal layer on at least one surface of the insulating substrate (b); (C) forming a wiring portion by etching the thin metal layer.
間に介在されて当該回路装置の電極の電気的接続を行う
回路装置検査用アダプター装置であって、 一面に検査対象回路装置の被検査電極に対応して配置さ
れた接続用電極を有し、他面に格子点上に配置された端
子電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体
の一面に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層
とよりなり、 前記アダプター本体は、請求項１に記載のコネクターを
具えてなることを特徴とする回路装置検査用アダプター
装置。3. An adapter device for inspecting a circuit device interposed between a circuit device to be inspected and an electrical inspection device for electrically connecting electrodes of the circuit device. An adapter body having a connection electrode arranged corresponding to the test electrode and having a terminal electrode arranged on a lattice point on the other surface, and an anisotropic conductive member integrally provided on one surface of the adapter body An adapter device for inspecting a circuit device, comprising an elastomer layer, wherein the adapter body comprises the connector according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221628A JP2000058158A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Connector, its manufacture and circuit device inspecting adaptor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221628A JP2000058158A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Connector, its manufacture and circuit device inspecting adaptor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058158A true JP2000058158A (en) | 2000-02-25 |
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ID=16769754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10221628A Pending JP2000058158A (en) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | Connector, its manufacture and circuit device inspecting adaptor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058158A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036188A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-21 | Jsr Corporation | Circuit board inspection device |
| US7244127B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-07-17 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| US7285727B2 (en) | 2000-08-10 | 2007-10-23 | Sony Corporation | Flexible wiring boards for double-side connection |
| US7465491B2 (en) | 2002-03-20 | 2008-12-16 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| DE102007048663A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-23 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Electrical connecting device e.g. clutch, has contact elements electrically connectable with conductor of cables e.g. ribbon cables, and sealing arrangement sealing housing parts against each other and entrance position of cables in device |
| CN102421704A (en) * | 2009-04-30 | 2012-04-18 | 应用纳米结构方案公司 | Method and system for close proximity catalysis for carbon nanotube synthesis |
| US9005755B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-04-14 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor |
| US9574300B2 (en) | 2007-01-03 | 2017-02-21 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused carbon fiber materials and process therefor |
| US9573812B2 (en) | 2007-01-03 | 2017-02-21 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused metal fiber materials and process therefor |
| US10138128B2 (en) | 2009-03-03 | 2018-11-27 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP10221628A patent/JP2000058158A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7285727B2 (en) | 2000-08-10 | 2007-10-23 | Sony Corporation | Flexible wiring boards for double-side connection |
| US7244127B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-07-17 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| US7465491B2 (en) | 2002-03-20 | 2008-12-16 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Anisotropic conductive sheet and its manufacturing method |
| WO2005036188A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-21 | Jsr Corporation | Circuit board inspection device |
| KR101044851B1 (en) | 2003-10-14 | 2011-06-28 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Circuit board inspection device |
| US9005755B2 (en) | 2007-01-03 | 2015-04-14 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor |
| US9574300B2 (en) | 2007-01-03 | 2017-02-21 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused carbon fiber materials and process therefor |
| US9573812B2 (en) | 2007-01-03 | 2017-02-21 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | CNT-infused metal fiber materials and process therefor |
| DE102007048663A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-23 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Electrical connecting device e.g. clutch, has contact elements electrically connectable with conductor of cables e.g. ribbon cables, and sealing arrangement sealing housing parts against each other and entrance position of cables in device |
| US10138128B2 (en) | 2009-03-03 | 2018-11-27 | Applied Nanostructured Solutions, Llc | System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth |
| CN102421704A (en) * | 2009-04-30 | 2012-04-18 | 应用纳米结构方案公司 | Method and system for close proximity catalysis for carbon nanotube synthesis |
| JP2012525318A (en) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | アプライド ナノストラクチャード ソリューションズ リミテッド ライアビリティー カンパニー | Proximity catalytic method and system for carbon nanotube synthesis |
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