JP2000056320A - アクティブマトリックス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス型液晶表示装置Info
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Abstract
止することができ、かつ押圧ドメインの発生を抑制する
ことができるアクティブマトリックス型液晶表示装置を
得る。 【解決手段】 画素電極6と共通電極5間に、アレイ基
板の主面と略平行に電界を発生させたとき、画素電極6
と共通電極5とで形成される画素領域が液晶分子9の配
列の変化する方向が異なる領域を有するように、画素電
極6と共通電極5を互いに略平行のくの字状とし、画素
電極6と共通電極5の屈曲部分に突起状の電極10,1
1を形成したことを特徴とするものである。また、画素
電極6と共通電極5の屈曲部分の凸側に突起状の電極1
0,11を形成する。
Description
ディスプレイとして用いることのできる液晶表示素子の
アクティブマトリックス型液晶表示装置に関するもので
ある。
カメラのビューファインダーやポケットTVさらには高
精細投写型TV、パソコン,ワープロなどの情報表示端
末など種々の分野で応用されてきており、開発,商品化
が活発に行われている。特に、スイッチング素子として
薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリ
ックス型方式の液晶表示装置は、大容量の表示を行って
も高いコントラストが保たれるという大きな特徴をも
ち、近年市場要望の極めて高いラップトップパソコンや
ノートパソコン、さらにはエンジニアリングワークステ
ーション用の大型・大容量フルカラーディスプレイの本
命として開発,商品化が盛んである。
液晶表示装置に用いられている液晶表示モードに、IP
S(In-plane Switching)方式があり、例えば、特公昭
63ー21907号公報や特開平6ー160878号公
報により提案されている。IPS方式は、液晶に電界を
印加する方向が基板の主面に対して略平行な方向とする
方式である。液晶層を狭持する2枚の基板の一方に咬合
した櫛形状の電極を形成し、その櫛形電極間に電界を印
加して液晶分子の配列方向を制御するものであり、この
分子の配列状態により、パネルを透過してくる光の偏光
状態が変わり、光の透過率が変調される。このIPS方
式の液晶表示装置は優れた視野角特性を持ち、輝度逆転
現象すなわち視点を斜めに傾けるとある電圧の時の表示
輝度が、それより低い電圧時の輝度より明るくなる現象
が発生せず、そのため大型モニターへの展開が期待され
ている。
の視野角特性は優れているものの、図2に示す様に櫛形
電極18に対して斜め方向、45゜,135゜の方向に
傾けて画面を見ると、各々青色,黄色に色付く欠点があ
り、画像品質上の課題となっている。この視角による色
付きの課題を解決するために特願平7−312010号
公報に提案されているように、櫛形電極18をくの字に
形成して液晶分子9の配列の変化する方向が異なる領域
を有する構成とし、図3に示すように黄色の変色方向と
青色の変色方向が重なり、視角に対する色変化を互いに
補償し合い、色変わりの無い画像を得ることができる。
晶表示装置のアレイ基板の画素部の平面構成を図4に示
す。図4において、複数の走査配線11および信号配線
12が直交するように形成され、走査配線11と信号配
線12の各交差点に対応してスイッチング素子であるT
FT13が設けられる。隣接する2つの走査配線11の
間に、走査配線11と平行に共通配線14が形成され、
共通配線14に電気的に接続された櫛形の共通電極15
が形成されている。そして、TFT13に接続した櫛形
の画素電極16が共通電極15と咬合するように形成さ
れ、また画素電極16と接続して走査配線11上に蓄積
容量部17が形成されている。19は液晶分子である。
そして、共通電極15と画素電極16が互いに略平行に
くの字状に形成されているアレイ基板に配向膜を塗布
し、矢印D方向にラビング処理を行い、一方向に液晶分
子19を配向させる。
16との間に電界を発生させたとき、液晶分子19の配
列の変化する方向(矢印F方向)が異なる領域を有する
ことができ、視角に対する色変化を互いに補償し合い、
色変わりの無い画像を得ることができる。ここで、液晶
分子19の配列の変化する方向が異なる領域の面積比は
ほぼ等しい。
る領域が互いに隣接しているため、この液晶表示装置の
画面を指などで押さえると、容易に液晶分子19の配列
の変化する方向が異なる領域の面積比のバランスが崩
れ、押した箇所が視角によって色付く現象(以下、押圧
ドメイン)が起こり、くの字電極構成によって色補償を
行う場合の表示上の課題となっている。
視角による色付きを防止することができ、かつ押圧ドメ
インの発生を抑制することができるアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置を提供することである。
トリックス型液晶表示装置は、複数の信号配線と走査配
線をマトリックス状に配置し、その各交差点に対応して
少なくとも一つ以上のスイッチング素子を設け、スイッ
チング素子に櫛形状の画素電極を接続し、画素電極と咬
合して櫛形状の共通電極を形成してなるアレイ基板と、
アレイ基板に対向して配置した対向基板と、アレイ基板
と対向基板に挟持された液晶層と、アレイ基板と対向基
板の各外面に配置した一対の偏光板とからなり、画素電
極と共通電極間に、アレイ基板の主面と略平行に電界を
発生させることにより液晶分子の配列を変化させるもの
であって、画素電極と共通電極間に、アレイ基板の主面
と略平行に電界を発生させたとき、画素電極と共通電極
とで形成される画素領域が液晶分子の配列の変化する方
向が異なる領域を有するように、画素電極と共通電極を
互いに略平行のくの字状とし、画素電極と共通電極の屈
曲部分に突起状の電極を形成したことを特徴とするもの
である。
側に突起状の電極を形成する。このように構成されたア
クティブマトリックス型液晶表示装置によると、画素電
極と共通電極を互いに略平行のくの字状とし、しかも画
素電極と共通電極の屈曲部分に突起状の電極を形成した
ことで、簡易な構成かつ従来と同じ作製工程によって、
色付きの発生を防止することができ、かつ押圧ドメイン
の発生を抑制することができる。
参照しながら詳細に説明する。図1は、液晶表示装置に
用いた薄膜トランジスタアレイ基板のTFT画素部の平
面構成を示している。図1において、複数の走査配線1
および信号配線2が直交するように形成され、走査配線
1と信号配線2の各交差点に対応してスイッチング素子
であるTFT3が設けられる。隣接する2つの走査配線
1の間に、走査配線1と平行に共通配線4が形成され、
共通配線4に電気的に接続された櫛形の共通電極5が形
成されている。そして、TFT3に接続した櫛形の画素
電極6が共通電極5と咬合するように形成され、また画
素電極6と接続して走査配線1上に蓄積容量部7が形成
されている。9は液晶分子である。
トリソグラフィ法によってアレイ基板上に、図のような
形状にパターン形成した。それと同時に、共通配線4,
共通電極5を形成し、共通電極5を図のようなくの字状
に形成した。なお、共通電極5の幅は4μmであり、材
料にはクロムの他、アルミニウムやアルミニウムを主成
分とする金属など導電性単層膜または多層膜を用いても
よい。
第1絶縁体層として、窒化シリコン(SiNx)をその
上に積層させ、TFT3のスイッチ機能を司る半導体層
となるアモルファスシリコン(α−Si)をプラズマC
VD法によって積層させる。その後、スパッタリング法
によってチタン/アルミニウム(Ti/Al)の二層を
堆積させ、さらにドライエッチングによって信号配線2
をパターン形成した。
6をくの字状に形成した。なお、画素電極6の幅は4μ
mであり、材料にはチタン/アルミニウム(Ti/A
l)の他、導電性金属の単層膜または多層膜を用いても
よい。この時、画素電極6を、第1絶縁膜層と半導体層
を挟んで走査配線1とオーバーラップして形成すること
で蓄積容量部7が形成される。この蓄積容量部7は、画
素に供給された電圧を保持するために設けられたもので
ある。また、液晶分子9の配向方向が画素電極6と共通
電極5の長手方向に対して成す角度θは、10°≦θ≦
45°、望ましくは15°≦θ≦45°とする。さら
に、くの字状に形成された共通電極5および画素電極6
の各々の屈曲部分の凸側に突起状の電極10,11が設
けられている。なお、共通電極5と画素電極6との間隔
は12μmとした。
アレイ基板と対向基板に配向膜を塗布し、矢印A方向に
ラビング処理を行った。その後、3μmのギャップを形
成して貼り合わせ、その間に誘電率異方性が正の液晶を
注入し、アレイ基板と対向基板の各外面に各々の偏光軸
を直交(矢印B方向)させて偏光板を配置し、液晶表示
装置を作製した。
液晶分子9の配向方向に対してくの字状に曲がって形成
されているので、共通電極5と画素電極6との間に電圧
を印加した時、液晶分子9が回転する方向(矢印C方
向)が異なることになり、視角による色付きの問題は解
決された。また、くの字状に形成された共通電極5およ
び画素電極6の各々の屈曲部分の凸側に突起状の電極1
0,11を設けたので、押圧などによって液晶分子9の
配向方向が乱れ難くなり、その液晶分子9の配列の変化
する方向が異なる領域の面積比のバランスが崩れず、押
圧ドメインの発生を抑制することができる。これは、突
起状のものを設けることで物理的にドメインの成長が引
っ掛かるため、突起状の電極10,11を設けることで
ドメインの成長がし難い方向に電界を発生させること等
による。
と共通電極5の長手方向に対して成す角度θを10°≦
θ≦45°、望ましくは15°≦θ≦45°としたこと
で、押圧ドメインの発生をより一層抑制することができ
る。なお、共通電極5および画素電極6の各々の屈曲部
分の凹側に突起状の電極を設けてもよい。
良好な多階調表示を実現できるIPS方式のアクティブ
マトリックス型液晶表示装置において、画素電極と共通
電極を互いに略平行のくの字状とし、しかも画素電極と
共通電極の屈曲部分に突起状の電極を形成したことで、
簡易な構成かつ従来と同じ作製工程によって、色付きの
発生を防止することができ、かつ押圧ドメインの発生を
抑制することができる。
イ基板の構成を示す平面図である。
示素子の平面図である。
する原理を示す液晶表示素子の平面図である。
平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の信号配線と走査配線をマトリック
ス状に配置し、その各交差点に対応して少なくとも一つ
以上のスイッチング素子を設け、前記スイッチング素子
に櫛形状の画素電極を接続し、前記画素電極と咬合して
櫛形状の共通電極を形成してなるアレイ基板と、前記ア
レイ基板に対向して配置した対向基板と、前記アレイ基
板と前記対向基板に挟持された液晶層と、前記アレイ基
板と前記対向基板の各外面に配置した一対の偏光板とか
らなり、前記画素電極と前記共通電極間に、前記アレイ
基板の主面と略平行に電界を発生させることにより液晶
分子の配列を変化させるアクティブマトリックス型液晶
表示装置であって、 前記画素電極と前記共通電極間に、前記アレイ基板の主
面と略平行に電界を発生させたとき、前記画素電極と前
記共通電極とで形成される画素領域が液晶分子の配列の
変化する方向が異なる領域を有するように、前記画素電
極と前記共通電極を互いに略平行のくの字状とし、前記
画素電極と前記共通電極の屈曲部分に突起状の電極を形
成したことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶
表示装置。 - 【請求項2】 画素電極と共通電極の屈曲部分の凸側に
突起状の電極を形成したことを特徴とする請求項1記載
のアクティブマトリックス型液晶表示装置。
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