JP2000049358A - Surface micromachine and its manufacture - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は構造体の変位状態を
検出する表面マイクロマシンに関するものであり、特
に、構造体と対向して設けられた検出電極により構造体
の変位の容量変化として検出する、若しくは、電圧を印
加して構造体の変位を調整する、電極を備えた表面マイ
クロマシンセンサおよびその製造方法に係る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface micromachine for detecting a displacement state of a structure, and more particularly, to detecting a displacement of the structure as a change in capacitance by a detection electrode provided opposite to the structure. Alternatively, the present invention relates to a surface micromachine sensor provided with electrodes for adjusting a displacement of a structure by applying a voltage, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、表面マイクロマシンにおいて薄膜
の微細加工によって作られた角速度センサが、米国特許
５，３４９，８５５号に示されており、この公報に示さ
れるセンサは図５の（ａ）に示される構造を成す。この
センサは、基板上に所定の空隙をもって２つのアンカー
部により両もちで振動体（構造体）が支持されている。
この支持された振動体に対しアンカー部が設けられてい
ない側に２つの櫛歯状をした駆動電極が配設され、それ
ぞれの駆動電極に１８０度位相がずれた電圧を交互に印
加することにより静電力を発生させる。このように、２
つの駆動電極に対し交互に電圧を印加することにより周
期的な静電力が振動体に作用し、振動体は一方向（ｘ方
向）に振動を行うものとなる。2. Description of the Related Art Conventionally, an angular velocity sensor manufactured by fine processing of a thin film in a surface micromachine is disclosed in US Pat. No. 5,349,855, and the sensor disclosed in this publication is shown in FIG. Makes the structure shown. In this sensor, a vibrating body (structure) is supported at both ends by two anchor portions with a predetermined gap on a substrate.
Two comb-shaped drive electrodes are provided on the side of the supported vibrator where the anchor portion is not provided, and by alternately applying voltages 180 degrees out of phase to the respective drive electrodes. Generate electrostatic force. Thus, 2
By alternately applying a voltage to one of the drive electrodes, a periodic electrostatic force acts on the vibrating body, and the vibrating body vibrates in one direction (x direction).
【０００３】この場合、ｘ方向に垂直なｚ軸を中心とし
た角速度が作用した場合、コリオリ力を受けて振動体は
基板面とは垂直のz方向に変位し、この振動体の変位を
検出するため振動体に対向して対の検出電極が設けら
れ、検出電極に発生する電荷の差動をとって角速度の検
出が行えるようになっている。In this case, when an angular velocity about the z axis perpendicular to the x direction acts, the vibrating body is displaced in the z direction perpendicular to the substrate surface by Coriolis force, and the displacement of the vibrating body is detected. For this purpose, a pair of detection electrodes are provided facing the vibrating body, and the detection of the angular velocity can be performed by taking the difference between the charges generated in the detection electrodes.
【０００４】このように、図５の（ａ）に示される構造
のものでは、振動体に対して検出電極が対向して設けら
れる（図５の（ｂ）参照）が、振動体の変位を検出する
対の検出電極（図５の（ａ）に示す２組みの上下電極）
の大きさが互いに同じでないと、差動で振動体の変位信
号を検出した場合には、精度が良くないものとなってし
まう。As described above, in the structure shown in FIG. 5A, the detection electrode is provided so as to face the vibrating body (see FIG. 5B). A pair of detection electrodes to be detected (two pairs of upper and lower electrodes shown in FIG. 5A)
If the magnitudes of the vibration signals are not the same, when the displacement signal of the vibrating body is differentially detected, the accuracy is not good.
【０００５】そこで、（ｃ）に示されるように、検出精
度を良くする方法がとられている。この構造は３層の膜
より形成され、振動体との静電容量を上下に設けた検出
電極により、検出電極に発生する電位を差動検出するこ
とで振動体のｚ方向の変位を検出するものである。Therefore, as shown in FIG. 1C, a method for improving detection accuracy has been adopted. This structure is formed of a three-layer film, and detects the displacement of the vibrating body in the z-direction by differentially detecting the potential generated at the detecting electrode by the detection electrodes provided with the capacitance above and below the vibrating body. Things.
【０００６】[0006]
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、振動
体と電極の構造を（ｃ）のような構造にした場合には、
真ん中に配設される振動体の変位を上下の電極により検
出し、上下電極に発生した信号の差動で振動体の変位を
検出したり、上下の電極に所定のバイアス電圧を印加し
て静電力により振動体の変位を中立位置に復帰させるよ
うにして調整したりすることはできるが、この場合、振
動体と電極との間隔を均一にすることが難しくなる。ま
た、振動体が電極間に挟まれる構造のために、振動体が
上下どちらかの電極にくっついているかを外観視するこ
とが難しく、基板の厚み方向の膜厚が大きくなる。更
に、振動体の変位を検出する上層の電極は、振動体と電
極とが平行でないと性能が悪くなるため、支え（支持
部）を頑丈にする必要があり、ましてや、１軸の検出し
か行えないといった問題点が発生する。However, when the structure of the vibrating body and the electrode is made as shown in FIG.
The displacement of the vibrating body disposed in the middle is detected by the upper and lower electrodes, and the displacement of the vibrating body is detected by the differential of the signals generated at the upper and lower electrodes, or a predetermined bias voltage is applied to the upper and lower electrodes for static The displacement of the vibrating body can be adjusted to return to the neutral position by the electric power, but in this case, it is difficult to make the interval between the vibrating body and the electrode uniform. Further, since the vibrating body is sandwiched between the electrodes, it is difficult to visually check whether the vibrating body is attached to one of the upper and lower electrodes, and the thickness of the substrate in the thickness direction increases. Furthermore, since the performance of the upper electrode for detecting the displacement of the vibrating body deteriorates unless the vibrating body and the electrode are parallel to each other, it is necessary to make the support (supporting portion) rugged. The problem that there is not occurs.
【０００７】よって、本発明は上記の問題点に鑑みてな
されたものであり、従来の問題点を解決することを技術
的課題とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and has as its technical object to solve the conventional problems.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに講じた技術的手段は、基板上に一定の空隙をもって
設けられた構造体と、構造体に対向して設けられ構造体
の変位を検出するかまたは電圧を印加して構造体の変位
を調整する電極とを備えた表面マイクロマシンにおい
て、電極は構造体の両側に第１電極と第２電極をもち、
第１および第２電極と構造体は基板に対して垂直方向に
階段状としたことである。The technical measures taken to solve the above-mentioned problems include a structure provided with a certain gap on the substrate and a displacement of the structure provided opposite to the structure. A surface micromachine provided with an electrode for detecting displacement or applying a voltage to adjust the displacement of the structure, wherein the electrode has a first electrode and a second electrode on both sides of the structure,
The first and second electrodes and the structure are stepped in a direction perpendicular to the substrate.
【０００９】上記の構成により、電極は構造体の両側に
第１電極と第２電極をもち、第１および第２電極と構造
体は基板に対して垂直方向（ｚ方向）に階段状とするこ
とで、構造体は基板に対して垂直方向に電極間ずれた状
態で配設されるので、構造体の状態を外観視することが
可能となる。また、構造体と電極とをｚ方向において重
ならないようにすることが可能となるので、従来に比べ
膜厚が小さくなる。このため、従来のように膜厚の大き
な重い電極を支えなくても良く、支持部を頑丈にする対
策が必要がなくなる。更に、構造体は電極に対してｚ方
向において階段状にずれた状態で配設されるので、２次
元（ｙ，ｚ方向）での検出、つまり、２軸の変位検出、
または、構造体に電圧を印加して変位を２次元で調整す
ることが可能となる。With the above structure, the electrode has the first electrode and the second electrode on both sides of the structure, and the first and second electrodes and the structure are stepwise in a direction perpendicular to the substrate (z direction). Thus, since the structure is disposed in a state where the electrodes are shifted from each other in the vertical direction with respect to the substrate, the state of the structure can be viewed from the outside. In addition, since the structure and the electrode can be prevented from overlapping in the z direction, the film thickness becomes smaller than that in the related art. For this reason, it is not necessary to support a heavy electrode having a large film thickness as in the related art, and it is not necessary to take measures to make the supporting portion sturdy. Further, since the structure is disposed in a state of being displaced stepwise with respect to the electrode in the z direction, detection in two dimensions (y, z directions), that is, displacement detection in two axes,
Alternatively, a voltage can be applied to the structure to adjust the displacement two-dimensionally.
【００１０】また、上記の課題を解決するために講じた
技術的手段は、基板上に一定の空隙をもって設けられた
構造体と、構造体に対向して設けられ構造体の変位を検
出するかまたは電圧を印加して構造体の変位を調整する
電極とを備えた表面マイクロマシンの製造方法におい
て、基板上に犠牲層を設ける工程、犠牲層を段階的にエ
ッチングして階段状の犠牲層にする工程、犠牲層の上に
ポリＳｉを成膜する工程、ポリＳｉを電極と構造体に分
離する工程、階段状の犠牲層をリリースする工程から成
るようにしたことである。[0010] Further, the technical means taken to solve the above-mentioned problems include a structure provided with a certain gap on a substrate and a method for detecting displacement of the structure provided opposed to the structure. Alternatively, in a method of manufacturing a surface micromachine including an electrode for adjusting a displacement of a structure by applying a voltage, a step of providing a sacrificial layer on a substrate, and etching the sacrificial layer stepwise into a step-like sacrificial layer. A step of forming a poly-Si film on the sacrificial layer, a step of separating the poly-Si into an electrode and a structure, and a step of releasing a step-shaped sacrificial layer.
【００１１】上記の構成により、犠牲層を段階的にエッ
チングして階段状の犠牲層を形成し、ポリＳｉを電極と
構造体となる位置に同時に設け、階段状の犠牲層をリリ
ースするという簡単な工程によって、従来の問題点を解
決することが可能となる。According to the above structure, a stepwise sacrificial layer is formed by etching the sacrificial layer stepwise, and poly-Si is provided at the position where the electrode and the structure are simultaneously formed, and the stepwise sacrificial layer is released. With the simple steps, the conventional problems can be solved.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】本発明の表面マイクロマシンは、シリコン
ウエハの基板１上にポリＳｉから成る第１電極４、第２
電極６、および構造体５が基板１に対して垂直方向（ｚ
方向）において階段状となっている。尚、ここに示す構
造体５は、励振により一方向（例えば、ｘ方向）に振動
している場合には振動体となるが、基本的に両者の意味
は同じである。この場合、構造体５と電極４，６は基板
１と同じ方向に対して所定間隔ｄだけ離れており、構造
体５が変位した時に両側の電極４，６の側壁に構造体５
が当たらないような間隔ｄだけ離れて設けられる。この
電極４，６は、構造体５の変位状態を検出する検出電
極、或いは、電極４，６に対してバイアス電圧を印加し
て、構造体５が静止時または駆動振動時にいずれかの方
向に変位している場合に中立位置（復帰位置）に変位を
助勢して戻すように調整する助勢電極となる。The surface micromachine of the present invention comprises a first electrode 4 made of poly-Si, a second electrode
The electrode 6 and the structure 5 are perpendicular to the substrate 1 (z
Direction). The structure 5 shown here becomes a vibrating body when vibrating in one direction (for example, x direction) by excitation, but the meaning of both is basically the same. In this case, the structure 5 and the electrodes 4 and 6 are separated from each other by a predetermined distance d in the same direction as the substrate 1, and when the structure 5 is displaced, the structure 5 is attached to the side walls of the electrodes 4 and 6 on both sides.
Are provided at a distance d so as not to be hit. The electrodes 4 and 6 apply a bias voltage to the detection electrodes for detecting the displaced state of the structure 5 or the electrodes 4 and 6 so that the structure 5 moves in either direction when the structure 5 is stationary or when driving vibration occurs. When it is displaced, it serves as an assisting electrode that adjusts so as to assist and return the displacement to a neutral position (return position).
【００１４】このような構造の信号検出における電気的
接続に関しては、一例として（ｂ）に示されるように、
構造体５を接地状態とした状態で電極４，６をそれぞれ
プリアンプ１１，１２に接続する。プリアンプ１１，１
２からの信号を差動アンプ１３に入力し、差動アンプ１
３の出力により出力（センサ出力）がなされるようにす
る。また、構造体５に電圧を印加する場合には電極４，
６に構造体５の変位状態に応じた直流電圧を印加するこ
とも可能である。Regarding the electrical connection in signal detection having such a structure, as shown in FIG.
The electrodes 4 and 6 are connected to the preamplifiers 11 and 12, respectively, with the structure 5 in the ground state. Preamplifier 11, 1
2 is input to the differential amplifier 13 and the differential amplifier 1
An output (sensor output) is made by the output of (3). When a voltage is applied to the structure 5, the electrodes 4,
It is also possible to apply a DC voltage according to the displacement state of the structure 5 to 6.
【００１５】図１の（ｂ）は構造体５がｚ軸まわりの角
速度等の外力を受け、基板１から離れる方向に変位した
状態を示し、（ｃ）は構造体５が基板１に接近した状態
を示しているものであって、このように構造体５は、角
速度等の外力を受けると基板１に対して接近したり離隔
し、構造体５の変位信号が検出できる。FIG. 1B shows a state in which the structure 5 is displaced in a direction away from the substrate 1 by receiving an external force such as an angular velocity about the z-axis, and FIG. 1C shows the structure 5 approaching the substrate 1. In this manner, when the structure 5 receives an external force such as an angular velocity, the structure 5 approaches or separates from the substrate 1 and a displacement signal of the structure 5 can be detected.
【００１６】この場合、図１において紙面に垂直方向の
構造体の長さをｃ，電極６の下面からの構造体５の重な
りをａ，また、電極４の上面からの構造体５の重なりを
ｂ、電極４，６に印加する電圧Ｖ，真空透磁率をε０と
した場合、差動アンプにより差動をとると変位電荷ΔＱ
は、ΔＱ＝ε０ｃ（ａ−ｂ）Ｖ／ｄとなった変化が出力
される。In this case, in FIG. 1, the length of the structure in the direction perpendicular to the plane of paper is c, the overlap of the structure 5 from the lower surface of the electrode 6 is a, and the overlap of the structure 5 from the upper surface of the electrode 4 is a. b, the voltage V applied to the electrodes 4 and 6, and the vacuum magnetic permeability is ε 0.
Outputs a change that is ΔQ = ε 0 c (ab) V / d.
【００１７】次に、この製造方法について説明する。Next, this manufacturing method will be described.
【００１８】状態１（Ｓ１）では、ベース部材として基
板１が用いられ、以下、この基板上に膜を積層してゆく
方法をとる。状態２（Ｓ２）では、厚さ５００μｍ程の
シリコンウエハの基板１上に、１５μｍ程の厚さの犠牲
層２がＰＳＧ（リン シリケート ガラス）により設け
られる。この場合、犠牲層２にリンを含ませることによ
り、エッチング速度が速くなる。In the state 1 (S1), the substrate 1 is used as a base member. Hereinafter, a method of laminating films on the substrate will be described. In state 2 (S2), a sacrificial layer 2 having a thickness of about 15 μm is provided on a silicon wafer substrate 1 having a thickness of about 500 μm by PSG (phosphorus silicate glass). In this case, by including phosphorus in the sacrificial layer 2, the etching rate is increased.
【００１９】犠牲層２はＣＨＦ３ガス等でドライエッチ
ングが成され、段階エッチングが行われる。この段階エ
ッチングは、レジストによりエッチングされない部分
を、広い領域から順に、所定時間だけエッチングを行っ
た後、レジストの面積を徐々に小さくしてゆき、所定時
間毎のエッチングを段階的に繰り返す方法をとる。つま
り、Ａ＋Ｂ＋Ｃ領域にレジスト → 所定時間エッチン
グ → Ｂ＋Ｃ領域にレジスト → 所定時間エッチン
グ → Ｃ領域にレジストを行い、徐々にＳ２に示す犠
牲層を削ってゆくことにより、犠牲層２の２ａ，２ｂ，
２ｃにおいて、膜厚がｄづつ均一に変化する階段状の犠
牲層２が形成される。The sacrificial layer 2 is subjected to dry etching with CHF 3 gas or the like, and stepwise etching is performed. In this step etching, a portion which is not etched by the resist is etched in order from a wide area for a predetermined time, and then the area of the resist is gradually reduced, and the etching is repeated stepwise at predetermined time intervals. . That is, the resist in the A + B + C region → etching for a predetermined time → the resist in the B + C region → etching for a predetermined time → resist in the C region, and gradually removing the sacrificial layer shown in S2, the 2a, 2b,
In step 2c, a step-shaped sacrificial layer 2 whose film thickness changes uniformly by d is formed.
【００２０】その後、状態４（Ｓ４）では、基板１およ
び階段状の犠牲層２の上に１０μｍ程のポリＳｉの膜を
フォト・リソグラフにより一面に成膜する。この場合、
３ａ，３ｂ，３ｃは２ａ，２ｂ，２ｃが基板１に平行で
あることからその上に設けられるＳｉ膜も基板１に水平
になるが、階段状の犠牲層２において段差となった部分
は，それぞれテーパ面３ｄとなる。Thereafter, in state 4 (S4), a poly-Si film of about 10 μm is formed on the entire surface of the substrate 1 and the stepped sacrificial layer 2 by photolithography. in this case,
3a, 3b, and 3c, since 2a, 2b, and 2c are parallel to the substrate 1, the Si film provided thereon is also horizontal to the substrate 1, but the stepped portion in the step-shaped sacrificial layer 2 is Each becomes a tapered surface 3d.
【００２１】その後、工程５（Ｓ５）では、構造体５と
電極４，６が分離される部分（テーパ面３ｄ）を除いて
レジストでマスクする。レジストがマスクされていない
部分はドライエッチングによりポリＳｉが除去され、電
極４，６および構造体５となる部分が犠牲層２の上で分
離される。Thereafter, in step 5 (S5), the resist is masked with the exception of the portion where the structure 5 and the electrodes 4 and 6 are separated (tapered surface 3d). The portion where the resist is not masked is subjected to dry etching to remove the poly-Si, and the portions to be the electrodes 4, 6 and the structure 5 are separated on the sacrificial layer 2.
【００２２】工程６（Ｓ６）では、レジストをアッシン
グにより剥離後、階段状の犠牲層２をフッ酸系の薬品
（バッファードフッ酸）により除去する。このように階
段状の犠牲層２が除去されることから、構造体５の両側
に電極４，６が所定間隔離れた状態で、基板に対して垂
直方向に配設されるものとなる。In step 6 (S6), after removing the resist by ashing, the stepped sacrificial layer 2 is removed with a hydrofluoric acid-based chemical (buffered hydrofluoric acid). Since the step-like sacrificial layer 2 is removed in this manner, the electrodes 4 and 6 are disposed on both sides of the structure 5 in a state perpendicular to the substrate with a predetermined space therebetween.
【００２３】このような製法で作られた表面マイクロマ
シンは、図３に示すような構造をとり、図３に、具体的
な表面マイクロマシンセンサ（角速度センサ）を示す。The surface micromachine manufactured by such a method has a structure as shown in FIG. 3, and FIG. 3 shows a specific surface micromachine sensor (angular velocity sensor).
【００２４】この実施形態においては、絶縁層を形成し
たシリコン基板１００には、導電性ポリシリコンの、浮
動体アンカーａ１〜ａ４，駆動電極５ａ，５ｂ／６ａ，
６ｂのアンカー，駆動検出電極１５ａ，１５ｂ／１６
ａ，１６ｂのアンカー，角速度検出電極１２，１３／２
２，２３および助勢電極６２，６３／７２，７３のアン
カーが接合しており、これらのアンカーは、シリコン基
板１００上の絶縁層の上に形成された配線により、図示
しない接続電極に接続されている。In this embodiment, the floating substrate anchors a1 to a4, the driving electrodes 5a, 5b / 6a,
6b anchor, drive detection electrodes 15a, 15b / 16
a, 16b anchor, angular velocity detection electrode 12, 13/2
2, 23 and the anchors of the assisting electrodes 62, 63/72, 73 are joined, and these anchors are connected to connection electrodes (not shown) by wiring formed on an insulating layer on the silicon substrate 100. I have.
【００２５】リソグラフによる半導体プロセスを用い
て、シリコン基板１００から浮き、しかも浮動体アンカ
ーａ１〜ａ４に連続した導電性ポリシリコンのｘ，ｙ方
向に撓み性が高いばね梁ｂ１〜ｂ４、ならびにこれらに
連続した帯板状の連結梁ｃ１，ｃ２が形成されている。
これらの連結梁ｃ１，ｃ２は、中心Ｏを通るｘ軸および
ｙ軸に関して対称であり、浮動体アンカーａ１〜ａ４お
よびばね梁ｂ１〜ｂ４は、ｘ軸およびｙ軸に関して対称
に分布する。Using the lithographic semiconductor process, spring beams b1 to b4, which have high flexibility in the x and y directions of conductive polysilicon floating from the silicon substrate 100 and continuous with the floating body anchors a1 to a4, and The continuous strip-shaped connecting beams c1 and c2 are formed.
These connecting beams c1 and c2 are symmetric about the x-axis and the y-axis passing through the center O, and the floating body anchors a1 to a4 and the spring beams b1 to b4 are symmetrically distributed about the x-axis and the y-axis.
【００２６】連結梁ｃ１，ｃ２には、それらに連続する
各４本のｘ方向に撓み性が高いばね梁３１〜３４／３５
〜３８で、それらに連続する第１駆動枠７，第２駆動枠
１７が支持されている。第１，第２駆動枠７，１７は矩
形枠であり、それらと一体にかつ内側に、第１振動体１
１および第２振動体２１が連続している。これらの要素
も、シリコン基板１００から浮いており、導電性ポリシ
リコンである。The connecting beams c1 and c2 are provided with four spring beams 31 to 34/35 each having high flexibility in the x-direction.
The first drive frame 7 and the second drive frame 17 which are continuous with them are supported by. The first and second drive frames 7 and 17 are rectangular frames, and are integrally and internally provided with the first vibrating body 1.
The first and second vibrators 21 are continuous. These elements also float from the silicon substrate 100 and are conductive polysilicon.
【００２７】第１，第２の駆動枠７と１７、第１，第２
の振動体１１と２１、はセンサ中心Ｏを通るｘ軸および
ｙ軸に関して対称な形状であって対称な位置にあり、ば
ね梁３１〜３４／３５〜３８も、ｘ軸およびｙ軸に関し
て対称である。The first and second drive frames 7 and 17, the first and second drive frames
Are symmetrical with respect to the x-axis and the y-axis passing through the sensor center O and are at symmetrical positions. The spring beams 31 to 34/35 to 38 are also symmetrical with respect to the x-axis and the y-axis. is there.
【００２８】第１，第２の駆動枠７，１７それぞれのｙ
平行２辺には、ｙ方向に等ピッチで分布しｘ方向に突出
する櫛歯状の可動電極があり、駆動電極アンカーに連続
した導電性ポリシリコンの駆動電極５ａ，５ｂ／６ａ，
６ｂ、および、駆動検出電極アンカーに連続した、導電
性ポリシリコンの駆動検出電極１５ａ，１５ｂ／１６
ａ，１６ｂに、可動電極のｙ方向分布の空間に突出する
櫛歯状の固定電極がありｙ方向に分布している。The y of each of the first and second drive frames 7 and 17
On the two parallel sides, there are comb-shaped movable electrodes distributed at equal pitches in the y-direction and projecting in the x-direction.
6b and drive detection electrodes 15a, 15b / 16 made of conductive polysilicon connected to the drive detection electrode anchors.
At a and 16b, there are comb-shaped fixed electrodes protruding into the space of the y-direction distribution of the movable electrodes, which are distributed in the y-direction.
【００２９】駆動電極５ａと５ｂに、また６ａと６ｂに
交互に、駆動枠７，１７の電位（略機器ア−スレベル）
より高い電圧を印加することにより、駆動枠７，１７が
ｘ方向に振動する。駆動枠７，１７を共振音叉振動とす
るために、駆動枠７，１７のｘ振動は相対的に逆相にす
る。The potentials of the drive frames 7 and 17 (approximately the equipment ground level) are alternately applied to the drive electrodes 5a and 5b and alternately to 6a and 6b.
By applying a higher voltage, the drive frames 7, 17 vibrate in the x direction. In order to make the drive frames 7 and 17 have resonance tuning fork vibration, the x vibrations of the drive frames 7 and 17 are made to have relatively opposite phases.
【００３０】駆動枠７および振動体１１でなる第１振動
系と、駆動枠１７および振動体２１でなる第２振動系と
を、共振音叉振動させることにより、エネルギ消費効率
が高いｘ励振となる。なお、第１および第２駆動枠７，
１７のｘ振動の共振周波数は同一に設計され、角速度検
出感度を高くするために、それらのｙ振動の共振周波数
はｘ振動の共振周波数より数１００Ｈｚ程度高い値、ま
たは、低い値に設計されている。By causing the first vibration system composed of the drive frame 7 and the vibration body 11 and the second vibration system composed of the drive frame 17 and the vibration body 21 to vibrate in a resonant tuning fork, x-excitation with high energy consumption efficiency is achieved. . The first and second drive frames 7,
The resonance frequency of the x vibration of 17 is designed to be the same, and the resonance frequency of the y vibration is designed to be a value several hundred Hz higher or lower than the resonance frequency of the x vibration in order to increase the angular velocity detection sensitivity. I have.
【００３１】駆動枠７，１７がｘ方向に共振音叉振動す
ることにより、駆動枠７と駆動検出電極１５ａ，１６ｂ
との間の静電容量が逆相で振動し、かつその容量振動と
逆相で、駆動枠１７と駆動検出電極１５ｂ，１６ｂとの
間の静電容量が振動する。When the drive frames 7 and 17 vibrate in a resonance tuning fork manner in the x direction, the drive frame 7 and the drive detection electrodes 15a and 16b
And the capacitance between the drive frame 17 and the drive detection electrodes 15b and 16b oscillates in a phase opposite to that of the capacitance oscillation.
【００３２】駆動枠７，１７と一体の振動体１１，２１
も大略で枠形状であるが、ｘ方向に延びる複数の渡し梁
がｙ方向に等ピッチで存在し、ｙ方向で隣り合う渡し梁
の間の空間に、各１対の導電体ポリシリコンの固定検出
電極１２，１３／２２，２３があり、また固定検出電極
と同一構造の助勢用電極６２，６３／７２，７３があ
り、基板１００上の検出電極用の各アンカーで支持され
それと電気的に連続である。Vibrators 11 and 21 integrated with drive frames 7 and 17
Are generally frame-shaped, but a plurality of bridges extending in the x direction are present at equal pitches in the y direction, and a pair of conductive polysilicons is fixed in a space between bridges adjacent in the y direction. There are detection electrodes 12, 13/22, and 23, and there are assisting electrodes 62, 63/72, and 73 having the same structure as the fixed detection electrode, and are supported by the detection electrode anchors on the substrate 100 and electrically connected thereto. It is continuous.
【００３３】対の検出電極１２，１３（２２，２３）間
は絶縁されているが、振動体１１（２１）のｙ振動（ｙ
変位）を検出するための各対電極１２，１３（２２，２
３）の、各対間で対応位置にある検出電極は、電気リ−
ドに共通接続され、チャ−ジアンプ４６，４７（５６，
５７）に接続されている。Although the pair of detection electrodes 12, 13 (22, 23) are insulated, the y-vibration (y
Each of the counter electrodes 12, 13 (22, 2) for detecting
In 3), the detection electrodes at the corresponding positions between each pair are electric relays.
And the charge amplifiers 46 and 47 (56,
57).
【００３４】同様に、対の助勢電極６２，６３（７２，
７３）間は絶縁されているが、振動体１１（２１）のｙ
振動（ｙ変位）を助勢するための各対電極６２，６３
（７２，７３）の、各対間で対応位置にあるものは、電
気リ−ドに共通接続され、助勢電圧回路６４，７４に接
続されている。助勢電圧回路６４，７４はそれぞれ、電
圧制御周波数可変発振器（ＶＣＯ），振幅変調器および
直，交流電圧出力回路を含み、計測コントロ−ラＴＣＲ
が指示するレベルの、指示する周波数の交流電圧又は直
流電圧を助勢電極６２，６３（７２，７３）に出力す
る。Similarly, a pair of assisting electrodes 62, 63 (72,
73) is insulated, but y of the vibrating body 11 (21) is
Each counter electrode 62, 63 for supporting vibration (y displacement)
(72, 73) which are at corresponding positions between each pair are commonly connected to electric leads and connected to supporting voltage circuits 64, 74. The assisting voltage circuits 64 and 74 each include a voltage controlled frequency variable oscillator (VCO), an amplitude modulator, and a direct current and AC voltage output circuit.
Output the AC voltage or the DC voltage of the designated frequency at the designated frequency to the assisting electrodes 62, 63 (72, 73).
【００３５】振動体１１，２１がｘ方向に音叉振動して
いるとき、中心Ｏを通るｚ軸廻りの角速度が加わると、
振動体１１，２１が、ｙ成分も有する相対的に逆相の楕
円振動となり、これによって電極１２，１３／２２，２
３にｙ振動対応の静電容量振動を生ずる。電極１２，１
３の静電容量振動は相対的に逆相、同様に電極２２，２
３の静電容量振動も相対的に逆相である。そして、振動
体１１，２１のｙ振動が逆相であるので、電極１２，２
２の静電容量振動は相対的に逆相、同様に電極１３，２
３の静電容量振動は相対的に逆相である。When the vibrating bodies 11 and 21 vibrate in the tuning fork direction in the x direction, when an angular velocity about the z-axis passing through the center O is applied,
The vibrating bodies 11 and 21 become relatively opposite-phase elliptical vibrations also having a y component, whereby the electrodes 12, 13/22, 2
3 produces a capacitance vibration corresponding to the y vibration. Electrodes 12, 1
The capacitance oscillations of the electrodes 22 and 2 are relatively opposite in phase.
The capacitance oscillation of No. 3 is also relatively opposite in phase. Since the y vibrations of the vibrators 11 and 21 are in opposite phases, the electrodes 12 and 2
The capacitance oscillations of the electrodes 13 and 2 are relatively opposite in phase.
The capacitance oscillation of No. 3 is in a relatively opposite phase.
【００３６】角速度計測時には、計測コントロ−ラＴＣ
Ｒが、駆動枠７，１７をｘ方向に共振周波数で駆動する
駆動信号Ａ，Ｂを発生して、それらを駆動回路４１およ
び５１に与えると共に、同期検波用の同期信号を同期検
波回路４５ａ，４５ｂ，５０ａ，５０ｂに与える。At the time of measuring the angular velocity, the measurement controller TC
R generates drive signals A and B for driving the drive frames 7 and 17 at the resonance frequency in the x-direction and supplies them to the drive circuits 41 and 51, and also outputs a synchronous signal for synchronous detection to the synchronous detection circuits 45a and 45a. 45b, 50a, 50b.
【００３７】駆動信号Ａ，Ｂに同期して、駆動回路４１
／５１が駆動電極５ａ，６ａ／５ｂ，６ｂに駆動電圧
（パルス）を印加する。これにより、第１／第２駆動枠
７／１７を介して、駆動枠７と共に振動体１１ならびに
駆動枠１７と共に振動体２１が、ｘ方向に逆相で振動す
る。この振動によって、駆動検出電極１５ａ，１６ａ／
１５ｂ，１６ｂの静電容量が逆相で振動する。この静電
容量の振動をチャ−ジアンプ４２ａ，４３ａ／４２ｂ，
４３ｂが電圧振動（静電容量信号）に変換し、出力調整
（可調整ゲインアンプ）が電圧振動のピ−クレベルを実
質上同一に調整して、差動増幅器４４ａ／４４ｂに与え
る。The driving circuit 41 synchronizes with the driving signals A and B.
/ 51 applies a drive voltage (pulse) to the drive electrodes 5a, 6a / 5b, 6b. Accordingly, the vibrating body 11 and the vibrating body 21 together with the drive frame 17 vibrate in the x-direction in opposite phases via the first and second drive frames 7/17. Due to this vibration, the drive detection electrodes 15a, 16a /
The capacitances of 15b and 16b vibrate in opposite phases. The vibration of the capacitance is transmitted to the charge amplifiers 42a, 43a / 42b,
43b converts it into a voltage oscillation (capacitance signal), and the output adjustment (adjustable gain amplifier) adjusts the peak level of the voltage oscillation to be substantially the same, and gives it to the differential amplifiers 44a / 44b.
【００３８】差動増幅器４４ａ／４４ｂは、与えられた
静電容量信号（逆相）を差動増幅し、一方の静電容量信
号の振幅を略２倍とし、ノイズを相殺した差動信号を発
生し、出力調整（可調整ゲインアンプによる増幅）をし
た後、計測コントロ−ラＴＣＲおよび差動増幅器６１に
与える。差動増幅器６１は、差動増幅して同期検波回路
４５ａ，４５ｂに与える。同期検波回路４５ａは、駆動
信号と同相の同期信号に同期して、差動増幅器６１が与
える差動信号すなわちｘ振動を表わすｘ振動検出電圧を
検波し、駆動パルス信号に対するｘ振動の位相ずれを表
わす位相信号を発生して計測コントロ−ラＴＣＲに与え
る。同期検波回路４５ｂは、駆動信号と同相の同期信号
に同期して、差動増幅器６１が与える差動信号すなわち
ｘ振動を表わすｘ振動検出電圧を検波し、ｘ振動の振幅
を表わす振幅信号を発生して計測コントロ−ラＴＣＲに
与える。The differential amplifiers 44a / 44b differentially amplify a given capacitance signal (reverse phase), make the amplitude of one of the capacitance signals approximately twice, and convert the differential signal with noise canceled out. After being generated and subjected to output adjustment (amplification by an adjustable gain amplifier), it is given to a measurement controller TCR and a differential amplifier 61. The differential amplifier 61 amplifies the difference and provides the same to the synchronous detection circuits 45a and 45b. The synchronous detection circuit 45a detects a differential signal provided by the differential amplifier 61, that is, an x-vibration detection voltage representing x-vibration, in synchronization with a synchronous signal having the same phase as the drive signal, and detects a phase shift of the x-vibration with respect to the drive pulse signal. A representative phase signal is generated and applied to the measurement controller TCR. Synchronous detection circuit 45b detects a differential signal provided by differential amplifier 61, that is, an x-vibration detection voltage representing x-vibration, and generates an amplitude signal representing the amplitude of x-vibration, in synchronization with a synchronous signal in phase with the drive signal. To the measurement controller TCR.
【００３９】計測コントロ−ラＴＣＲは、位相信号が表
わす位相を設定値に合わすための移相信号ならびに振幅
信号が表わすｘ振動の振幅を設定値に合わすための電圧
指示信号を、駆動回路４１，５１に与え、それを受けた
駆動回路４１，５１は、移相信号に対応して、駆動信号
に対する出力駆動電圧の位相をシフトし、電圧指示信号
に対応して出力電圧レベルをシフトする。同期検波回路
４５ａ，４５ｂの位相信号，振幅信号が実質上設定値に
なった状態で、駆動枠７，１７のｘ振動すなわち共振音
叉振動は安定したものとなる。The measuring controller TCR outputs a phase shift signal for adjusting the phase represented by the phase signal to the set value and a voltage instruction signal for adjusting the amplitude of the x vibration indicated by the amplitude signal to the set value. The drive circuits 41 and 51 receiving the shift shift the phase of the output drive voltage with respect to the drive signal in response to the phase shift signal and shift the output voltage level in response to the voltage instruction signal. With the phase signals and the amplitude signals of the synchronous detection circuits 45a and 45b substantially at the set values, the x vibration of the drive frames 7 and 17, that is, the resonance tuning fork vibration becomes stable.
【００４０】安定した共振音叉振動の間に、中心Ｏを通
るｚ軸廻りの角速度が加わると、コリオリ力が駆動枠
７，１７に加わり、これらに、ｘ振動に加えてｙ振動を
含む楕円運動を起こさせる。ところで駆動枠７，１７
は、ｘ方向には撓み性が高いがｙ方向には剛性が高いば
ね梁３１〜３４，３５〜３８で支持されているので、連
結梁ｃ１，ｃ２が駆動枠７，１７と共にｙ方向に振動す
る。駆動枠７，１７のｙ振動は相対的に逆相であるの
で、連結梁ｃ１，ｃ２は、中心Ｏを通るｚ軸を中心にね
じり（旋回）振動する。When an angular velocity about the z-axis passing through the center O is applied during the stable resonance tuning fork vibration, Coriolis force is applied to the drive frames 7 and 17, and an elliptical motion including y vibration in addition to x vibration is applied thereto. Wake up. By the way, the drive frames 7, 17
Are supported by spring beams 31 to 34 and 35 to 38, which have high flexibility in the x direction but high rigidity in the y direction, so that the connecting beams c1 and c2 vibrate in the y direction together with the drive frames 7 and 17. I do. Since the y-vibrations of the drive frames 7 and 17 are relatively opposite in phase, the connecting beams c1 and c2 vibrate in a torsional (turning) manner around the z-axis passing through the center O.
【００４１】[0041]
【効果】本発明によれば、基板上に一定の空隙をもって
設けられた構造体と、構造体に対向して設けられ構造体
の変位を検出するかまたは電圧を印加して構造体の変位
を調整する電極とを備えた表面マイクロマシンにおい
て、電極は構造体の両側に第１電極と第２電極をもち、
第１および第２電極と構造体は基板に対して垂直方向に
階段状としたことにより、構造体は基板に対して垂直方
向に電極間ずれた状態で配設されるので、構造体の状態
を外観視することができる。また、構造体と電極とをｚ
方向において重ならないようにすることが可能となるの
で、従来に比べ膜厚が小さくなる。このため、従来のよ
うに膜厚の大きな重い電極を支えなくても良く、支持部
を頑丈にする対策が必要がなくなる。更に、構造体は電
極に対してｚ方向において階段状にずれた状態で配設さ
れるので、２次元（ｙ，ｚ方向）での検出、つまり、２
軸の変位検出、または、構造体に電圧を印加して変位を
２次元で調整することができる。According to the present invention, a structure provided with a certain gap on a substrate and a displacement of the structure provided opposite to the structure are detected or a voltage is applied to detect the displacement of the structure. In a surface micromachine with an electrode to be adjusted, the electrode has a first electrode and a second electrode on both sides of the structure,
Since the first and second electrodes and the structure are stepped in the direction perpendicular to the substrate, the structure is disposed with the electrodes being displaced in the direction perpendicular to the substrate. Can be viewed from the outside. Also, the structure and the electrode are z
Since it is possible to avoid overlapping in the direction, the film thickness is smaller than in the conventional case. For this reason, it is not necessary to support a heavy electrode having a large film thickness as in the related art, and it is not necessary to take measures to make the supporting portion sturdy. Further, since the structure is disposed in a state of being shifted stepwise in the z direction with respect to the electrode, detection in two dimensions (y, z directions), that is, 2
The displacement can be adjusted in two dimensions by detecting the displacement of the shaft or applying a voltage to the structure.
【００４２】また、基板上に一定の空隙をもって設けら
れた構造体と、構造体に対向して設けられ構造体の変位
を検出するかまたは電圧を印加して構造体の変位を調整
する電極とを備えた表面マイクロマシンの製造方法にお
いて、基板上に犠牲層を設ける工程、犠牲層を段階的に
エッチングして階段状の犠牲層にする工程、犠牲層の上
にポリＳｉを成膜する工程、ポリＳｉを電極と構造体に
分離する工程、階段状の犠牲層をリリースする工程から
成るようにしたことにより、犠牲層を段階的にエッチン
グして階段状の犠牲層を形成し、ポリＳｉを電極と構造
体となる位置に同時に設け、階段状の犠牲層をリリース
するという簡単な工程によって、従来の問題点を解決す
ることができる。Further, a structure provided with a certain gap on the substrate, and an electrode provided opposite to the structure for detecting the displacement of the structure or applying a voltage to adjust the displacement of the structure. A step of providing a sacrificial layer on a substrate, a step of etching the sacrificial layer stepwise into a step-like sacrificial layer, a step of forming poly-Si on the sacrificial layer, The step of separating the poly-Si into the electrode and the structure, and the step of releasing the step-shaped sacrificial layer are performed, so that the sacrificial layer is etched stepwise to form a step-shaped sacrificial layer. The conventional problem can be solved by a simple process of providing the electrode and the structure at the same time and releasing the stepwise sacrificial layer.
【図１】 本発明の一実施形態における表面マイクロマ
シンの構造およびその信号を検出するための接続を示す
図であり、（ａ）はその構造を示し、（ｂ）は構造体が
基板から離れる方向に変位した状態を示し、（ｃ）は構
造体が基板に接近する方向に変位した状態を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a structure of a surface micromachine and a connection for detecting a signal of the surface micromachine in one embodiment of the present invention, wherein (a) shows the structure, and (b) shows a direction in which the structure moves away from a substrate. (C) is a diagram showing a state in which the structure is displaced in a direction approaching the substrate.
【図２】 本発明の一実施形態における表面マイクロマ
シンの製造方法である。FIG. 2 is a method for manufacturing a surface micromachine according to an embodiment of the present invention.
【図３】 図２に示す製造方法により作られたセンサの
構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a sensor manufactured by the manufacturing method shown in FIG.
【図４】 図３に示すＡ−Ａ断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA shown in FIG. 3;
【図５】 従来例の構成を示した図であり、（ａ）は角
速度センサの構成図、（ｂ）は構造体（振動体）と検出
電極の関係を示す断面図、（ｃ）は構造体が上下の電極
間に配設された別の従来構造である。5A and 5B are diagrams showing a configuration of a conventional example, in which FIG. 5A is a configuration diagram of an angular velocity sensor, FIG. 5B is a cross-sectional view showing a relationship between a structure (vibrating body) and a detection electrode, and FIG. Figure 3 is another conventional structure in which the body is disposed between the upper and lower electrodes.
１ 基板 ４，２３ 検出電極（第１電極） ５，１１，２１ 構造体（振動体） ６，２２ 検出電極（第２電極） ６２，７２ 助勢電極（第１電極） ６３，７３ 助勢電極（第２電極） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 4,23 Detection electrode (1st electrode) 5,11,21 Structure (vibration body) 6,22 Detection electrode (2nd electrode) 62,72 Supporting electrode (1st electrode) 63,73 Supporting electrode (1st electrode) 2 electrodes)
Claims (2)
構造体と、該構造体に対向して設けられ前記構造体の変
位を検出するかまたは電圧を印加して前記構造体の変位
を調整する電極とを備えた表面マイクロマシンにおい
て、 前記電極は前記構造体の両側に第１電極と第２電極をも
ち、該第１および第２電極と前記構造体は前記基板に対
して垂直方向に階段状となっていることを特徴とする表
面マイクロマシン。1. A structure provided with a certain gap on a substrate, and a displacement of the structure is adjusted by detecting a displacement of the structure or applying a voltage provided opposite to the structure. A surface micromachine comprising: a first electrode and a second electrode on both sides of the structure, wherein the first and second electrodes and the structure are vertically stepped with respect to the substrate; A surface micromachine characterized by being in a shape.
れた構造体と、該構造体に対向して設けられ前記構造体
の変位を検出するかまたは電圧を印加して前記構造体の
変位を調整する電極とを備えた表面マイクロマシンの製
造方法において、 基板上に犠牲層を設ける工程、該犠牲層を段階的にエッ
チングして階段状の犠牲層にする工程、前記犠牲層の上
にポリＳｉを成膜する工程、該ポリＳｉを前記電極と前
記構造体に分離する工程、階段状の犠牲層をリリースす
る工程から成ることを特徴とする表面マイクロマシンの
製造方法。2. A structure provided with a certain gap on the substrate, and a displacement of the structure provided opposite to the structure is detected or a voltage is applied to detect the displacement of the structure. A step of providing a sacrificial layer on a substrate, a step of stepwise etching the sacrificial layer into a step-like sacrificial layer, and forming a poly-Si layer on the sacrificial layer. A step of forming a film, a step of separating the poly-Si into the electrode and the structure, and a step of releasing a step-shaped sacrificial layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214409A JP2000049358A (en) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | Surface micromachine and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214409A JP2000049358A (en) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | Surface micromachine and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049358A true JP2000049358A (en) | 2000-02-18 |
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ID=16655318
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1446671A2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-18 | Kionix, Inc. | Accelerometer |
| US6785117B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-31 | Denso Corporation | Capacitive device |
| JP2006084326A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Denso Corp | Semi-conductor dynamic quantity sensor and its manufacturing method |
| JP2006349478A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Denso Corp | Capacitance type dynamic quantity sensor, and its manufacturing method |
| JP2007298385A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Electrostatic capacity sensor |
| JP2010112930A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Denso Corp | Semiconductor dynamic quantity sensor and method of producing the same |
| JP2010127763A (en) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor mechanical quantity detection sensor and controller using the same |
| JP2014520277A (en) * | 2011-06-24 | 2014-08-21 | ルメダイン テクノロジーズ インコーポレイテッド | Apparatus and method for time domain measurement of vibrational perturbations |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP10214409A patent/JP2000049358A/en active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1446671A4 (en) * | 2001-10-19 | 2009-02-18 | Kionix Inc | Accelerometer |
| EP1446671A2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-18 | Kionix, Inc. | Accelerometer |
| US6785117B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-31 | Denso Corporation | Capacitive device |
| DE10311076B4 (en) * | 2002-03-15 | 2014-06-12 | Denso Corporation | Capacitive device |
| JP4591000B2 (en) * | 2004-09-16 | 2010-12-01 | 株式会社デンソー | Semiconductor dynamic quantity sensor and manufacturing method thereof |
| JP2006084326A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Denso Corp | Semi-conductor dynamic quantity sensor and its manufacturing method |
| JP2006349478A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Denso Corp | Capacitance type dynamic quantity sensor, and its manufacturing method |
| JP4639979B2 (en) * | 2005-06-15 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | Capacitance type mechanical quantity sensor and manufacturing method thereof |
| JP4600345B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-12-15 | パナソニック電工株式会社 | Capacitive sensor |
| JP2007298385A (en) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Matsushita Electric Works Ltd | Electrostatic capacity sensor |
| JP2010112930A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Denso Corp | Semiconductor dynamic quantity sensor and method of producing the same |
| JP4737276B2 (en) * | 2008-11-10 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | Semiconductor dynamic quantity sensor and manufacturing method thereof |
| JP2010127763A (en) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor mechanical quantity detection sensor and controller using the same |
| JP2014520277A (en) * | 2011-06-24 | 2014-08-21 | ルメダイン テクノロジーズ インコーポレイテッド | Apparatus and method for time domain measurement of vibrational perturbations |
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