JP2000040689A - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用電極板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路を製造する際のウェハのエッ
チング時にウェハ面に落下し付着する炭素粒子等の異物
の数の少ないガラス状炭素製のプラズマエッチング用電
極板を提供する。 【解決手段】 ガラス状炭素製基板の中央部に複数の貫
通小孔を有するプラズマエッチング用電極板において、
エッチング時にプラズマにより消耗する面の少なくとも
５ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲａの最
大値を０．００８〜０．０９μｍの範囲とする。
チング時にウェハ面に落下し付着する炭素粒子等の異物
の数の少ないガラス状炭素製のプラズマエッチング用電
極板を提供する。 【解決手段】 ガラス状炭素製基板の中央部に複数の貫
通小孔を有するプラズマエッチング用電極板において、
エッチング時にプラズマにより消耗する面の少なくとも
５ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲａの最
大値を０．００８〜０．０９μｍの範囲とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス状炭素から
なる、半導体デバイス製造工程のドライエッチング装置
等に好適に使用されるプラズマエッチング用電極板に関
する。
なる、半導体デバイス製造工程のドライエッチング装置
等に好適に使用されるプラズマエッチング用電極板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ガラス状炭素は一般の炭素材料が有する
軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性などの性質を備えて
いるほか、ガス不透過性で硬度が高い、発塵性が少ない
などの特徴を有することから、エレクトロニクス産業、
原子力産業、航空産業等各種の分野で広範な用途に使用
されつつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性
質を利用して、半導体集積回路を製造する際のウェハの
プラズマエッチング用電極板として使用されるようにな
ってきた。
軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性などの性質を備えて
いるほか、ガス不透過性で硬度が高い、発塵性が少ない
などの特徴を有することから、エレクトロニクス産業、
原子力産業、航空産業等各種の分野で広範な用途に使用
されつつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性
質を利用して、半導体集積回路を製造する際のウェハの
プラズマエッチング用電極板として使用されるようにな
ってきた。
【０００３】しかしながら、近年の半導体集積回路は高
性能化が進み、プラズマエッチング用電極板に関する要
求性能は一層高度になっており、特にエッチング時にウ
ェハ面に落下し付着する炭素粒子等の異物の数の少ない
ものが要求されている。
性能化が進み、プラズマエッチング用電極板に関する要
求性能は一層高度になっており、特にエッチング時にウ
ェハ面に落下し付着する炭素粒子等の異物の数の少ない
ものが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は半導体集積回
路を製造する際のウェハのエッチング時にウェハ面に落
下し付着する炭素粒子等の異物の数の少ないガラス状炭
素製のプラズマエッチング用電極板を提供することを目
的とする。
路を製造する際のウェハのエッチング時にウェハ面に落
下し付着する炭素粒子等の異物の数の少ないガラス状炭
素製のプラズマエッチング用電極板を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス状炭素
製基板の中央部に複数の貫通小孔を有するプラズマエッ
チング用電極板において、エッチング時にプラズマによ
り消耗する面の少なくとも５ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ
０６０１準拠のＲａの最大値が０．００８〜０．０９
μｍの範囲にあることを特徴とするプラズマエッチング
用電極板に関する。
製基板の中央部に複数の貫通小孔を有するプラズマエッ
チング用電極板において、エッチング時にプラズマによ
り消耗する面の少なくとも５ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ
０６０１準拠のＲａの最大値が０．００８〜０．０９
μｍの範囲にあることを特徴とするプラズマエッチング
用電極板に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】プラズマ処理装置は、図１に示さ
れるように、真空容器１内に上部電極２及び下部電極３
が間隔を置いて設けられており、下部電極３の上に被処
理材としてシリコンウエハ４を載置している。上部電極
２はバックプレート５と電極板６とを有しており、それ
ぞれにエッチングガスを吹き出すための貫通小孔７が設
けられている。電極板６は図２に示されるように好まし
くは円板状の基板の中央部の好ましくは円形の範囲１２
に複数の貫通小孔を有している。１３は電極板を上部電
極２に固定するためのねじ取付け穴である。
れるように、真空容器１内に上部電極２及び下部電極３
が間隔を置いて設けられており、下部電極３の上に被処
理材としてシリコンウエハ４を載置している。上部電極
２はバックプレート５と電極板６とを有しており、それ
ぞれにエッチングガスを吹き出すための貫通小孔７が設
けられている。電極板６は図２に示されるように好まし
くは円板状の基板の中央部の好ましくは円形の範囲１２
に複数の貫通小孔を有している。１３は電極板を上部電
極２に固定するためのねじ取付け穴である。
【０００７】エッチングガスを貫通小孔７を通してシリ
コンウエハ４に向かって流しながら、高周波電源８によ
り、上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を印加す
るとプラズマ１１が形成され、このプラズマによってシ
リコンウエハ４をエッチングし、所定のパターンの素子
を形成する。シールドリング９は、アルミナあるいは石
英のような絶縁物からなり、電極板６の取付用ビス１０
をプラズマから保護するため、電極板６の外周部を覆う
ように設置されている。
コンウエハ４に向かって流しながら、高周波電源８によ
り、上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を印加す
るとプラズマ１１が形成され、このプラズマによってシ
リコンウエハ４をエッチングし、所定のパターンの素子
を形成する。シールドリング９は、アルミナあるいは石
英のような絶縁物からなり、電極板６の取付用ビス１０
をプラズマから保護するため、電極板６の外周部を覆う
ように設置されている。
【０００８】本発明の電極板の大きさ及び形状として
は、特に制限されないが、好ましくは円形で、外径１５
０〜４００ｍｍ、厚さが３〜１０ｍｍのものが好まし
い。中央部の好ましくは円形の範囲に設けられている貫
通小孔の大きさはエッチング条件等により異なるが孔径
で０．３〜２．０ｍｍが好ましく、孔数は１００〜３０
００個が好ましい。孔の加工は、機械加工、放電加工、
超音波加工等で行うことができる。
は、特に制限されないが、好ましくは円形で、外径１５
０〜４００ｍｍ、厚さが３〜１０ｍｍのものが好まし
い。中央部の好ましくは円形の範囲に設けられている貫
通小孔の大きさはエッチング条件等により異なるが孔径
で０．３〜２．０ｍｍが好ましく、孔数は１００〜３０
００個が好ましい。孔の加工は、機械加工、放電加工、
超音波加工等で行うことができる。
【０００９】本発明のプラズマエッチング用電極板はエ
ッチング時にプラズマにより消耗する面の少なくとも５
ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲａの最大
値が０．００８〜０．０９μｍの範囲にあることを特徴
とする。ここで電極板のプラズマにより消耗する面と
は、ウェハと対向する面及びその反対側の面をいい、そ
の範囲は、前記貫通小孔を設けてある範囲の最も外側の
小孔に外接する円の直径より１０ｍｍ大きい直径を有す
る円の範囲とする。一般にプラズマエッチング用電極板
の表面はほぼ均一であるので、前述のように少なくとも
５ケ所のＲａを測定し、その最大値が前記範囲となれば
よいが、好ましくは、測定した箇所全てが前記範囲内と
なることが好ましい。更に本発明では、穿設された貫通
小孔の内面のＲａも前記範囲内であることが異物数を減
らす上で好ましい。
ッチング時にプラズマにより消耗する面の少なくとも５
ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲａの最大
値が０．００８〜０．０９μｍの範囲にあることを特徴
とする。ここで電極板のプラズマにより消耗する面と
は、ウェハと対向する面及びその反対側の面をいい、そ
の範囲は、前記貫通小孔を設けてある範囲の最も外側の
小孔に外接する円の直径より１０ｍｍ大きい直径を有す
る円の範囲とする。一般にプラズマエッチング用電極板
の表面はほぼ均一であるので、前述のように少なくとも
５ケ所のＲａを測定し、その最大値が前記範囲となれば
よいが、好ましくは、測定した箇所全てが前記範囲内と
なることが好ましい。更に本発明では、穿設された貫通
小孔の内面のＲａも前記範囲内であることが異物数を減
らす上で好ましい。
【００１０】ここで、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で定義する
Ｒａ（中心線平均粗さ）は表面平滑度を表す値である。
本発明においては、少なくとも５ケ所でＲａを測定し、
その最大値が０．００８〜０．０９μｍの範囲にあるこ
とが必要である。ここでＲａのカットオフ値は２．５μ
ｍ、測定長さは２．５ｍｍである。測定場所は特に制限
されないが、ウエハと対向する面及びその反対面におい
て、中心点と周辺４点を測定することができる。Ｒａの
最大値が０．０９μｍを超えると、プラズマ化により発
生したイオンの衝撃などによりその部位が消耗するとき
に、粗い表面の凸部が均一に消耗されないため、ウェハ
面に付着する粉末粒子の数が多くなり好ましくない。ま
た、Ｒａの最大値が０．００８μｍより小さいと、エッ
チング時に電極板に付着した沈着物がはがれやすいた
め、ウェハ面に付着する粉末粒子の数が多くなり好まし
くない。Ｒａの最大値は０．０１〜０．０８μｍの範囲
にあることが好ましい。また、このほか、ＪＩＳ Ｂ
０６０１準拠のＲｍａｘの少なくとも５ケ所で測定した
最大値が０．１〜１．０μｍ、より好ましくは０．１３
〜０．９６μｍ、同様にＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲ
ｚの少なくとも５ケ所で測定した最大値が０．１〜１．
０μｍ、より好ましくは０．１１〜０．８５μｍの範囲
にあることが好ましい。Ｒａと同様、全ての測定が前記
範囲にあることがより好ましい。なお、Ｒｍａｘ及びＲ
ｚにおける基準長さは２．５ｍｍである。このような表
面平滑度は、基材のガラス状炭素の表面をダイヤモンド
ラップ法、バフ研磨法等により研磨して得られる。表面
平滑度は、研磨に用いるアルミナと粒の粒度を変えるこ
となどによって変化させることができる。例えば粒度＃
２０００のアルミナと粒で研磨することで前記範囲とす
ることができる。
Ｒａ（中心線平均粗さ）は表面平滑度を表す値である。
本発明においては、少なくとも５ケ所でＲａを測定し、
その最大値が０．００８〜０．０９μｍの範囲にあるこ
とが必要である。ここでＲａのカットオフ値は２．５μ
ｍ、測定長さは２．５ｍｍである。測定場所は特に制限
されないが、ウエハと対向する面及びその反対面におい
て、中心点と周辺４点を測定することができる。Ｒａの
最大値が０．０９μｍを超えると、プラズマ化により発
生したイオンの衝撃などによりその部位が消耗するとき
に、粗い表面の凸部が均一に消耗されないため、ウェハ
面に付着する粉末粒子の数が多くなり好ましくない。ま
た、Ｒａの最大値が０．００８μｍより小さいと、エッ
チング時に電極板に付着した沈着物がはがれやすいた
め、ウェハ面に付着する粉末粒子の数が多くなり好まし
くない。Ｒａの最大値は０．０１〜０．０８μｍの範囲
にあることが好ましい。また、このほか、ＪＩＳ Ｂ
０６０１準拠のＲｍａｘの少なくとも５ケ所で測定した
最大値が０．１〜１．０μｍ、より好ましくは０．１３
〜０．９６μｍ、同様にＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲ
ｚの少なくとも５ケ所で測定した最大値が０．１〜１．
０μｍ、より好ましくは０．１１〜０．８５μｍの範囲
にあることが好ましい。Ｒａと同様、全ての測定が前記
範囲にあることがより好ましい。なお、Ｒｍａｘ及びＲ
ｚにおける基準長さは２．５ｍｍである。このような表
面平滑度は、基材のガラス状炭素の表面をダイヤモンド
ラップ法、バフ研磨法等により研磨して得られる。表面
平滑度は、研磨に用いるアルミナと粒の粒度を変えるこ
となどによって変化させることができる。例えば粒度＃
２０００のアルミナと粒で研磨することで前記範囲とす
ることができる。
【００１１】ガラス状炭素製プラズマエッチング用電極
板は、例えば液状の熱硬化性樹脂を成形、硬化後、不活
性雰囲気中で炭化、及び高温処理することにより得られ
る。
板は、例えば液状の熱硬化性樹脂を成形、硬化後、不活
性雰囲気中で炭化、及び高温処理することにより得られ
る。
【００１２】熱硬化性樹脂を所定の温度で成形した後、
１３０〜２００℃の温度で硬化処理する。熱硬化性樹脂
としては特に制限はないが、フラン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン
樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等を挙げることが
できる。また、上記の樹脂の混合物を用いても良い。好
ましくはフェノール樹脂及び／又はフラン樹脂である。
熱硬化性樹脂は、目的とする形状に応じて成形されるが
その成形方法に特に制限はない。
１３０〜２００℃の温度で硬化処理する。熱硬化性樹脂
としては特に制限はないが、フラン樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン
樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等を挙げることが
できる。また、上記の樹脂の混合物を用いても良い。好
ましくはフェノール樹脂及び／又はフラン樹脂である。
熱硬化性樹脂は、目的とする形状に応じて成形されるが
その成形方法に特に制限はない。
【００１３】次いで、プラズマエッチング用電極板の形
状にするため所定の加工を行った後、高純度の治具、及
び炉を用いて不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アルゴ
ン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等非酸化
性ガスの少なくとも１種類の気体からなる酸素を含まな
い雰囲気、減圧又は真空下）において、好ましくは８０
０〜１２００℃、例えば約１０００℃の温度で焼成し、
炭化する。次いで、好ましくは１７００℃以上の温度で
高温処理し、ガラス状炭素からなるプラズマエッチング
用電極板が得られる。
状にするため所定の加工を行った後、高純度の治具、及
び炉を用いて不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アルゴ
ン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等非酸化
性ガスの少なくとも１種類の気体からなる酸素を含まな
い雰囲気、減圧又は真空下）において、好ましくは８０
０〜１２００℃、例えば約１０００℃の温度で焼成し、
炭化する。次いで、好ましくは１７００℃以上の温度で
高温処理し、ガラス状炭素からなるプラズマエッチング
用電極板が得られる。
【００１４】プラズマエッチング用電極板を得る方法
は、前記の方法以外にガラス状炭素原板を得た後、放電
加工あるいは超音波加工で所定のプラズマエッチング用
電極板に加工しても良い。面仕上げは両面研磨機で所定
の厚さまで行うことができ、最終的に前述の研磨法で所
定の表面平滑度とすることができる。
は、前記の方法以外にガラス状炭素原板を得た後、放電
加工あるいは超音波加工で所定のプラズマエッチング用
電極板に加工しても良い。面仕上げは両面研磨機で所定
の厚さまで行うことができ、最終的に前述の研磨法で所
定の表面平滑度とすることができる。
【００１５】本発明に用いるガラス状炭素製プラズマエ
ッチング用電極板は、フッ硝酸などの半導体ウエハの洗
浄液への汚染を少なくするために、プラズマエッチング
用電極板の不純物量は５０ｐｐｍ以下が好ましい。更に
望ましくは２０ｐｐｍ以下が良い。不純物はＪＩＳの黒
鉛灰分測定法で測定することができる。
ッチング用電極板は、フッ硝酸などの半導体ウエハの洗
浄液への汚染を少なくするために、プラズマエッチング
用電極板の不純物量は５０ｐｐｍ以下が好ましい。更に
望ましくは２０ｐｐｍ以下が良い。不純物はＪＩＳの黒
鉛灰分測定法で測定することができる。
【００１６】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１７】実施例 フラン樹脂（日立化成工業（株）製ＶＦ−３０３）１０
０重量部にパラトルエンスルホン酸０．３重量部添加し
十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７
０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後、１６０℃ま
でを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化
処理を行い厚さ５ｍｍで１辺が２８５ｍｍの円板状樹脂
成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１
０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度の雰囲気炉を
用い不活性雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行
いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭素に直径０．８ｍ
ｍの貫通小孔を３ｍｍピッチで５００個穿孔し、ダイヤ
モンドラップマシンで厚さ４．０ｍｍまで研磨し、プラ
ズマエッチング用電極板を得た。次にこの焼成炭化品の
表面と裏面の全面を表１に示すような種々の表面平滑度
にアルミナと粒（実施例１〜３では＃２０００、比較例
１では＃２５００、比較例２では＃１０００）を用いて
バフ研磨法による研磨機で研磨した。
０重量部にパラトルエンスルホン酸０．３重量部添加し
十分混合した後、該樹脂を型に注入し５０℃で３日、７
０℃で３日、９０℃で３日乾燥硬化した後、１６０℃ま
でを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３日間保持し硬化
処理を行い厚さ５ｍｍで１辺が２８５ｍｍの円板状樹脂
成形体を得た。該成形体を環状炉に入れ窒素気流中で１
０００℃の温度で焼成炭化した後、高純度の雰囲気炉を
用い不活性雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行
いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭素に直径０．８ｍ
ｍの貫通小孔を３ｍｍピッチで５００個穿孔し、ダイヤ
モンドラップマシンで厚さ４．０ｍｍまで研磨し、プラ
ズマエッチング用電極板を得た。次にこの焼成炭化品の
表面と裏面の全面を表１に示すような種々の表面平滑度
にアルミナと粒（実施例１〜３では＃２０００、比較例
１では＃２５００、比較例２では＃１０００）を用いて
バフ研磨法による研磨機で研磨した。
【００１８】次にこの電極板をプラズマエッチング装置
にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨＦ3）
キャリアガス：アルゴン（Ａｒ）反応チャンバー内のガ
ス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周波数：１３．５ＭＨｚの条件
で直径８インチのシリコンウェハの酸化膜エッチングを
行った。このときシリコンウェハの表面に付着した０．
３μｍ以上の粉末粒子（異物数）の個数を数えた。この
結果を表１に示す。
にセットし、反応ガス：トリフロロメタン（ＣＨＦ3）
キャリアガス：アルゴン（Ａｒ）反応チャンバー内のガ
ス圧：１Ｔｏｒｒ、電源周波数：１３．５ＭＨｚの条件
で直径８インチのシリコンウェハの酸化膜エッチングを
行った。このときシリコンウェハの表面に付着した０．
３μｍ以上の粉末粒子（異物数）の個数を数えた。この
結果を表１に示す。
【００１９】表１から表面平滑度がＲａ０．００８〜
０．０９μｍの実施例の電極板を使用した場合は、粒子
数が４〜５個と少量であるのに対し、表面平滑度がＲａ
０．００８μｍより小さい、又はＲａ０．０９μｍより
大きい比較例の電極板を使用した場合は、粒子数が１０
〜２０個と大きくなり、本発明によれば性能が大幅に改
善されることが示される。
０．０９μｍの実施例の電極板を使用した場合は、粒子
数が４〜５個と少量であるのに対し、表面平滑度がＲａ
０．００８μｍより小さい、又はＲａ０．０９μｍより
大きい比較例の電極板を使用した場合は、粒子数が１０
〜２０個と大きくなり、本発明によれば性能が大幅に改
善されることが示される。
【００２０】また、実施例１〜３の各電極板を貫通小孔
に添って切断し、切断面に表れた貫通小孔のうち５ケの
側壁のＲａについて測定したところ、全て０．０１〜
０．０８μｍの範囲であった。
に添って切断し、切断面に表れた貫通小孔のうち５ケの
側壁のＲａについて測定したところ、全て０．０１〜
０．０８μｍの範囲であった。
【００２１】
【表１】 ＊ 表面粗さ測定装置（触針先端寸法：半径５μｍの
球、触針送り速度０．３ｍｍ／秒）を用いて、電極板の
表面及び裏面の中心点及び周辺４点の合計１０点につい
て測定し、その最大値で表した。なお、実施例１〜３に
おいて測定した全てのＲａは０．０１〜０．０８μｍ、
Ｒｍａｘは０．１〜０．９６μｍ、Ｒｚは０．１〜０．
８５μｍの範囲内であった。
球、触針送り速度０．３ｍｍ／秒）を用いて、電極板の
表面及び裏面の中心点及び周辺４点の合計１０点につい
て測定し、その最大値で表した。なお、実施例１〜３に
おいて測定した全てのＲａは０．０１〜０．０８μｍ、
Ｒｍａｘは０．１〜０．９６μｍ、Ｒｚは０．１〜０．
８５μｍの範囲内であった。
【００２２】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング用電極板に
よればエッチング時に発生する有害な炭素微粒子などの
異物の数を大幅に少なくすることができ、歩留りが良
く、高精度なプラズマエッチングが可能である。
よればエッチング時に発生する有害な炭素微粒子などの
異物の数を大幅に少なくすることができ、歩留りが良
く、高精度なプラズマエッチングが可能である。
【図１】本発明の電極板を用いたプラズマエッチング装
置の一例の断面図。
置の一例の断面図。
【図２】本発明のプラズマエッチング用電極板の一例の
平面図。
平面図。
１ 真空容器 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ シリコンウエハ ５ バックプレート ６ 電極板 ７ 貫通小孔 ８ 高周波電源 ９ シールドリング １０ 取付用ビス １１ プラズマ １２ 貫通小孔が存在する円形の範囲 １３ ねじ取付け穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝幸 茨城県日立市鮎川町三丁目３番１号 日立 化成工業株式会社山崎工場内 Ｆターム(参考） 5F004 BA06 DA16 DA23 DB03
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス状炭素製基板の中央部に複数の貫
通小孔を有するプラズマエッチング用電極板において、
エッチング時にプラズマにより消耗する面の少なくとも
５ケ所で測定したＪＩＳ Ｂ ０６０１準拠のＲａの最
大値が０．００８〜０．０９μｍの範囲にあることを特
徴とするプラズマエッチング用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20807898A JP2000040689A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマエッチング用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20807898A JP2000040689A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマエッチング用電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040689A true JP2000040689A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16550286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20807898A Pending JP2000040689A (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | プラズマエッチング用電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000040689A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8399795B2 (en) | 2007-05-11 | 2013-03-19 | Force Technology | Enhancing plasma surface modification using high intensity and high power ultrasonic acoustic waves |
| US9089829B2 (en) | 2004-08-13 | 2015-07-28 | Force Technology | Method and device for enhancing a process involving a solid object and a gas |
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1998
- 1998-07-23 JP JP20807898A patent/JP2000040689A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9089829B2 (en) | 2004-08-13 | 2015-07-28 | Force Technology | Method and device for enhancing a process involving a solid object and a gas |
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