JP2000031753A

JP2000031753A - 電力増幅器及びその調整方法

Info

Publication number: JP2000031753A
Application number: JP10212003A
Authority: JP
Inventors: Yohei Ichikawa; 洋平市川; Isao Nasuno; 功那須野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-07-13
Filing date: 1998-07-13
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の増幅用トランジスタを用いた場合や、
電源線が周辺回路と接続されている場合のゲート電圧の
調整を可能とする。【解決手段】電力増幅器は、プリント基板上に実装さ
れた増幅用電界効果トランジスタ１、２のゲート電圧を
供給するバイアス回路６、９内の可変抵抗部７、10と、
プリント基板上に外部の電源からゲート電圧を供給する
ための接続部14、16とを備えている。調整前には、ゲー
ト電圧は、増幅用電界効果トランジスタ１、２がピンチ
オフされるように、接続部14、16を通して、外部の電源
から供給される。調整時には、ゲート電圧は、増幅用電
界効果トランジスタ１、２のドレイン電極に流れる電流
値を規定値内になるように、可変抵抗部７、10の抵抗値
を調整して設定する。調整前には、ドレイン電流が流れ
ない状態にあるので、増幅用電界効果トランジスタ１、
２を順番に調整していけば、調整前後のドレイン電流の
差より、それぞれの増幅用電界効果トランジスタ１、２
の電流の測定ができ、ゲート電圧の調整が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電力増幅器とその
調整方法に関し、特に、無線通信機器に搭載される送信
電力増幅器及びその調整方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば携帯電話の送信電力増幅器
は、ガリウム砒素電界効果トランジスタ（ＧaＡsＦＥ
Ｔ）を用いて構成されている。近年になって、送信電力
増幅器用のＧaＡsＦＥＴにおいて、単一電源動作が可能
なデバイスが用いられるようになってきた。この単一電
源動作により、無線通信機器等においては、負バイアス
が必要でなくなり、負電源発生回路の部品を削減でき、
大幅な小型化、低コスト化が実現できる。しかしなが
ら、この単一電源動作可能なＧaＡsＦＥＴでは、ゲート
電圧を０Ｖにしてもピンチオフさせることが非常に困難
である。

【０００３】一般にＧaＡsＦＥＴにおいては、電気特性
の部品バラツキが大きく、電力増幅器として使用するた
めには、ゲートバイアスの調整が必要である。

【０００４】単一電源動作ＧaＡsＦＥＴにおいても、電
気的特性の部品バラツキが大きく、携帯電話の送信増幅
器の最終段用トランジスタについて、動作時のゲート電
圧（Ｖop）を、ドレイン・ソース電流（Ｉds）が300ｍ
Ａの時のゲート・ソース間電圧（Ｖgs）と定義すれば、
Ｖop＝0.1〜0.5Ｖ、ピンチオフ時のゲート電圧（Ｖp）
をドレイン・ソース電流（Ｉds）が１ｍＡ以下とする
と、Ｖp＝−0.4〜0.OＶとなる。

【０００５】以下、図面を参照しながら、従来の電力増
幅器及びその調整方法の一例について説明する。図６〜
図８は、従来の携帯電話の送信電力増幅器の構成を示す
図である。図６は、従来例の第１の構成を示しており、
２は増幅用トランジスタ、３は入力回路、５は負荷回路
である。９は増幅用トランジスタ２のゲート電圧を供給
するバイアス回路、10、11は増幅用トランジスタ２のゲ
ート電圧調整用の抵抗である。13は電源チョークコイル
であり、増幅用トランジスタ２のドレイン端子に接続さ
れており、Ｖddの電圧を外部から供給する。以上のよう
に構成された電力増幅器について、以下、その調整につ
いて説明する。

【０００６】電力増幅器の特性のばらつきを抑えるため
には、個々のＧaＡsＦＥＴに対し、動作時のゲート電圧
（Ｖop）を調整して、高周波の無入力時の電流（以下ア
イドル電流という）を一定にし、動作点を一定にする必
要がある。

【０００７】そのため、第１の調整方法として、事前に
ＧaＡsＦＥＴをＶopの範囲に応じてランク分けを行な
い、バイアス調整用抵抗をランクに従って定数を変え
て、アイドル電流を設定値内にする方法がある。例え
ば、図６については、10、11の抵抗の定数を、増幅用ト
ランジスタ２のランクに応じて変える。

【０００８】第２の調整方法として、図６のゲート電圧
を供給するバイアス回路９の中の抵抗を可変抵抗とし
て、増幅用トランジスタ２のドレイン電流を参照しなが
ら可変抵抗の抵抗値を調整し、アイドル電流を設定値内
にするという方法がある。

【０００９】第３の調整方法として、図７に示す構成の
送信電力増幅器に対して、図８に示すように、ゲート電
圧を供給するバイアス回路を制御する制御回路22と、ゲ
ート電圧の設定値を記憶する記憶部23を備え、増幅用ト
ランジスタ２のドレイン電流を参照しながらゲート電圧
を調整し、アイドル電流を設定値内にし、記憶部に記憶
させるという方法がある。

【００１０】しかしながら、従来の調整の第１の方法で
は、ランク分けを非常に細かくしてアイドル電流のばら
つきを小さくしなければ、特性のばらつきを抑制するこ
とができない。ランク分けを細かくすると生産性に欠け
る。

【００１１】第２、第３の方法では、電源電圧線が、プ
リント基板上で複数の増幅用トランジスタのドレイン電
極に接続されている場合や、周辺回路に接続されている
場合に、個々の増幅用トランジスタの電流を直接測定す
ることが困難である。そのため、例えば、個々の増幅用
トランジスタのドレイン電源にスイッチを入れれば、そ
れぞれのドレイン電流の測定は可能であるが、小型化の
妨げとなる。

【００１２】上記の課題を解決するための手段として、
特願平9-127225号記載のように、プリント基板上に実装
された増幅用電界効果トランジスタが、調整前にはピン
チオフされるように、ゲート電圧のバイアス回路が設定
されており、調整時には、増幅用電界効果トランジスタ
のドレイン電流値を規定値になるように、バイアス回路
を調整するという方法があり、電源電圧線が、プリント
基板上で複数の増幅用トランジスタのドレイン電極に接
続されている場合や、周辺回路に接続されている場合で
も調整できることがある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、増幅用
電界効果トランジスタとして、単一電源動作ＧaＡsＦＥ
Ｔを用いる場合には、負電源発生回路を削減することが
目的で用いるので、プリント基板上には負電源がなく、
ＦＥＴをピンチオフさせることができない。そのため、
アイドル電流を正確に測定することができず、ゲートバ
イアス調整を精度良くすることができないという問題が
あった。

【００１４】本発明は、上記問題点に鑑み、プリント基
板上の電源を用いてピンチオフさせることのできない増
幅用電界効果トランジスタを用いた電力増幅器におい
て、電源電圧線が、プリント基板上で複数の増幅用トラ
ンジスタのドレイン電極に接続されている場合や、周辺
回路に接続されている場合のゲート電圧の調整方法及び
そうして調整できる電力増幅器を提供することを目的と
する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では、電力増幅器を、プリント基板上に実
装された増幅用電界効果トランジスタのゲート電圧を供
給するバイアス回路内の可変抵抗部と、調整前に増幅用
電界効果トランジスタをピンチオフするゲート電圧を接
続部を通して外部の電源から供給する手段と、調整時に
可変抵抗部の抵抗値を調整してゲート電圧を増幅用電界
効果トランジスタのドレイン電極に流れる電流値が規定
値内になるように設定する手段とを備えた構成とした。

【００１６】また、電力増幅器を、プリント基板上に実
装された増幅用電界効果トランジスタのゲート電圧を供
給するバイアス回路を制御する制御回路と、ゲート電圧
の設定値を記憶する記憶部と、調整前に増幅用電界効果
トランジスタがピンチオフするゲート電圧を接続部を通
して外部の電源から供給する手段と、調整時に増幅用電
界効果トランジスタのドレイン電極に流れる電流値を参
照しつつゲート電圧を増加させて電流値が規定値内にな
ったときに記憶部にゲート電圧を記憶させる手段とを備
えた構成とした。

【００１７】このように構成したことによって、調整前
には増幅用トランジスタがピンチオフしてドレイン電流
が流れない状態にあるので、増幅用トランジスタを順番
に調整していけば、調整前後のドレイン電流の差から、
それぞれの増幅用トランジスタの電流の測定ができ、そ
れに基づいてゲート電圧を調整できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
プリント基板と、前記プリント基板上に実装された増幅
用電界効果トランジスタと、前記増幅用電界効果トラン
ジスタのゲート電圧を供給するバイアス回路内の可変抵
抗部と、前記プリント基板上に外部の電源から前記ゲー
ト電圧を供給するための接続部と、調整前に前記増幅用
電界効果トランジスタをピンチオフするゲート電圧を前
記接続部を通して外部の電源から供給する手段と、調整
時に前記可変抵抗部の抵抗値を調整して前記ゲート電圧
を前記増幅用電界効果トランジスタのドレイン電極に流
れる電流値が規定値内になるように設定する手段とを備
えた電力増幅器であり、調整前後のドレイン電流の差か
ら増幅用トランジスタの電流を測定することを可能にす
るという作用を有する。

【００１９】本発明の請求項２記載の発明は、プリント
基板と、前記プリント基板上に実装された増幅用電界効
果トランジスタと、前記増幅用電界効果トランジスタの
ゲート電圧を供給するバイアス回路を制御する制御回路
と、前記ゲート電圧の設定値を記憶する記憶部と、前記
プリント基板上に外部の電源から前記ゲート電圧を供給
するための接続部と、調整前に前記増幅用電界効果トラ
ンジスタがピンチオフするゲート電圧を前記接続部を通
して外部の電源から供給する手段と、調整時に前記増幅
用電界効果トランジスタのドレイン電極に流れる電流値
を参照しつつゲート電圧を増加させて前記電流値が規定
値内になったときに前記記憶部に前記ゲート電圧を記憶
させる手段とを備えた電力増幅器であり、調整前後のド
レイン電流の差から増幅用トランジスタの電流を測定
し、ゲート電圧を記憶するという作用を有する。

【００２０】本発明の請求項３記載の発明は、プリント
基板と、前記プリント基板上に実装された増幅用電界効
果トランジスタと、前記増幅用電界効果トランジスタの
ゲート電圧を供給するバイアス回路内の可変抵抗部と、
前記プリント基板上に外部の電源から前記ゲート電圧を
供給するための接続部とを備えた電力増幅器の調整方法
において、調整前には、前記増幅用電界効果トランジス
タをピンチオフするゲート電圧を前記接続部を通して外
部の電源から供給し、調整時には、前記増幅用電界効果
トランジスタのドレイン電極に流れる電流値が規定値内
になるように前記可変抵抗部の抵抗値を調整して前記ゲ
ート電圧を設定する電力増幅器の調整方法であり、調整
前後のドレイン電流の差から増幅用トランジスタの電流
を測定することを可能とするという作用を有する。

【００２１】本発明の請求項４記載の発明は、プリント
基板と、前記プリント基板上に実装された増幅用電界効
果トランジスタと、前記増幅用電界効果トランジスタの
ゲート電圧を供給するバイアス回路を制御する制御回路
と、前記ゲート電圧の設定値を記憶する記憶部と、前記
プリント基板上に外部の電源から前記ゲート電圧を供給
するための接続部とを備えた電力増幅器の調整方法にお
いて、調整前には、前記増幅用電界効果トランジスタを
ピンチオフするゲート電圧を前記接続部を通して外部の
電源から供給し、調整時には、前記増幅用電界効果トラ
ンジスタのドレイン電極に流れる電流値を参照しつつゲ
ート電圧を増加させて前記電流値が規定値内になったと
きに前記記憶部に前記ゲート電圧を記憶させる電力増幅
器の調整方法であり、調整前後のドレイン電流の差から
増幅用トランジスタの電流を測定し、ゲート電圧を記憶
するという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項５記載の発明は、請求項
１、２記載の電力増幅器において、前記増幅用電界効果
トランジスタは、ゲート電圧が０Ｖでピンチオフしない
ものであり、０ＶでピンチオフしないＦＥＴでも実装状
態での調整を可能とするという作用を有する。

【００２３】本発明の請求項６記載の発明は、請求項
３、４記載の電力増幅器の調整方法において、前記増幅
用電界効果トランジスタは、ゲート電圧が０Ｖでピンチ
オフしないものであり、０ＶでピンチオフしないＦＥＴ
でも実装状態での調整を可能とするという作用を有す
る。

【００２４】本発明の請求項７記載の発明は、請求項
３、４記載の電力増幅器の調整方法において、ドレイン
電極に流れる電流値の規定値が小さい増幅用電界効果ト
ランジスタから先に調整するものであり、増幅用トラン
ジスタでの発熱量を抑え、温度変化を小さくして、正確
な調整を可能にするという作用を有する。

【００２５】以下、本発明の実施の形態について、図１
〜図５を参照しながら詳細に説明する。

【００２６】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態は、調整前に、増幅用電界効果トランジスタをピ
ンチオフするゲート電圧を接続部を通して外部の電源か
ら供給し、調整時に、可変抵抗部の抵抗値を調整して、
増幅用電界効果トランジスタのドレイン電極に流れる電
流値が規定値内になるようにゲート電圧を設定して調整
する電力増幅器である。

【００２７】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る送信増幅器の構成図である。図１において、１は前段
増幅用トランジスタ、２は後段増幅用トランジスタで、
３は入力回路、４は段間回路、５は負荷回路である。６
は前段増幅用トランジスタ１のゲート電圧を供給するバ
イアス回路、７は前段増幅用トランジスタ１のゲート電
圧調整用の可変抵抗部、８は抵抗器、９は後段増幅用ト
ランジスタ２のゲート電圧を供給するバイアス回路、10
は後段増幅用トランジスタ２のゲート電圧調整用の可変
抵抗部、11は抵抗器、14は前段増幅用トランジスタ１の
調整前にゲート電圧を供給する外部の電源供給接続部、
16は後段増幅用トランジスタ２の調整前にゲート電圧を
供給する外部の電源供給接続部である。

【００２８】例えば、前段および後段増幅用トランジス
タのドレイン電源電圧をＶdd＝3.5Ｖ、動作時のゲート
電源電圧をＶgg1＝Ｖgg2＝2.5Ｖ、前段増幅用トランジ
スタ１のアイドル電流の設定値を50±5ｍＡ、後段増幅
用トランジスタ２のアイドル電流の設定値を300±10ｍ
Ａとする。前段増幅用トランジスタ、後段増幅用トラン
ジスタのゲート電圧の設定値（Ｖop）は、Ｖop＝0.1〜
0.5Ｖのばらつきがある。このとき前段増幅用トランジ
スタ、後段増幅用トランジスタのピンチオフ電圧（Ｖ
p）は、Ｖp＝一0.4〜0.OＶのばらつきがある。

【００２９】ここで、ゲート電圧電源Ｖgg1、Ｖgg2の電
流をそれぞれ１ｍＡ以下とするため、抵抗器８、抵抗器
11の抵抗値を例えば、３ｋΩとすれば、調整終了時にゲ
ート電圧を0.1〜0.5Ｖにするためには、可変抵抗部７、
可変抵抗部10の抵抗値は、125〜75OΩに設定されなけれ
ばならない。

【００３０】また、調整前の可変抵抗部７、可変抵抗部
10の抵抗値を例えば100Ω程度とする。増幅用トランジ
スタ１、２をピンチオフさせるための外部電源供給部1
4、16内の抵抗部15、17の抵抗値を高周波的にハイイン
ピーダンスになるように、例えば１ｋΩとすれば、トラ
ンジスタのゲート電圧を−0.4Ｖ以下にするためには、
外部供給電源電圧Ｖext1、Ｖext2は、−4.4Ｖ以下の電
圧が必要である。

【００３１】以上のように構成された送信増幅器につい
て、その調整方法を説明する。

【００３２】調整フロー図を図２に示す。先ず、Ｖext1
＝Ｖext2＝−５Ｖ、Ｖgg1、Ｖgg2をoff状態、Ｖdd＝3.5
Ｖにし、Ｖddに流れる初期電流（Ｉ_O）を測定する。こ
のとき、前段増幅用トランジスタ１と後段増幅用トラン
ジスタ２はそれぞれゲート電圧が−0.45Ｖ程度かかって
おり、ピンチオフしているため、Ｉ_Oは、前段増幅用ト
ランジスタ１、後段増幅用トランジスタ２のドレイン電
流以外の周辺回路の電流値を測定することになる。

【００３３】次に、Ｖext1をoff状態、Ｖgg1＝2.5Ｖと
して、電流測定（Ｉ₁）を行ないながら前段増幅用トラ
ンジスタ１の可変抵抗部７を調整していく。電流
（Ｉ₁）は、前段増幅用トランジスタ１、後段増幅用ト
ランジスタ２以外の電流値と前段増幅用トランジスタ１
のドレイン電流の和になる。前段増幅用トランジスタ１
のドレイン電流（Ｉ₁−Ｉ_O）が設定値（5O±5ｍＡ）に
なれば可変抵抗部７の調整を終了する。

【００３４】さらに、Ｖext2をoff状態、Ｖgg2＝2.5Ｖ
として電流測定（Ｉ₂）を行ないながら、後段増幅用ト
ランジスタ２の可変抵抗部10を調整していく。電流（Ｉ
₂）は、前段増幅用トランジスタ１、後段増幅用トラン
ジスタ２以外の電流値Ｉ_Oと前段増幅用トランジスタ１
の設定済のアイドル電流（Ｉ₁−Ｉ_O＝5O±5ｍＡ）と後
段増幅用トランジスタ２のドレイン電流の和である。後
段増幅用トランジスタ２のドレイン電流（Ｉ₂−Ｉ₁）が
設定値（300±10ｍＡ）になれば可変抵抗部10の調整を
終了する。

【００３５】以上のように、本発明の第１の実施の形態
によれば、調整前には、増幅用トランジスタがピンチオ
フしており、ドレイン電流が流れない状態にあるため、
増幅用トランジスタを順番に調整していくことにより調
整前後のドレイン電流の差から、それぞれの増幅用トラ
ンジスタの電流の測定ができる。また、ドレイン電極に
流れる電流値の規定値の少ない増幅用トランジスタから
調整することにより、増幅用トランジスタでの発熱量を
抑え、温度変化を小さくして、正確に調整することがで
きる。

【００３６】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態は、調整前に、増幅用電界効果トランジスタがピ
ンチオフするゲート電圧を接続部を通して外部の電源か
ら供給し、調整時に、増幅用電界効果トランジスタのド
レイン電極に流れる電流値を参照しつつ増加させて、電
流値が規定値内になったときに記憶部にゲート電圧を記
憶させる電力増幅器である。

【００３７】図３は、本発明の第２の実施の形態の送信
増幅器の構成図である。図４は、調整方法を説明するブ
ロック図である。図４において、制御回路22は記憶装置
23に接続され、制御回路22の出力がデジタルアナログ変
換器25、26に接続され、それぞれ、Ｖgg1、Ｖgg2を生成
し、図３の前段増幅用トランジスタ１、後段増幅用トラ
ンジスタ２のゲート電圧を与える構成になっている。14
は前段増幅用トランジスタ１の調整前にゲート電圧を供
給する外部の電源供給接続部、16は後段増幅用トランジ
スタ２の調整前にゲート電圧を供給する外部の電源供給
接続部である。ここで制御回路22、記憶装置23は、無線
通信機器に備えられているものを用いることができる。

【００３８】以上のように構成された送信増幅器につい
て、その調整方法を説明する。調整フローを図５に示
す。外部供給電源電圧は、Ｖext1＝Ｖext2＝−１Ｖと
し、Ｖgg1とＶgg2をoff状態にし、Ｖdd＝3.5Ｖとして、
Ｖddに流れる初期電流（Ｉ_O）を測定する。このとき、
前段増幅用トランジスタ１と後段増幅用トランジスタ２
はピンチオフしているため、Ｉ_Oは、前段増幅用トラン
ジスタ１、後段増幅用トランジスタ２のドレイン電流以
外の周辺回路の電流値を測定することになる。

【００３９】次に、Ｖext1をoff状態として電流測定
（Ｉ₁）を行ないながら、前段増幅用トランジスタ１の
Ｖgg1を調整していく。電流（Ｉ₁）は、前段増幅用トラ
ンジスタ１、後段増幅用トランジスタ２以外の電流値と
前段増幅用トランジスタ１のドレイン電流の和になる。
前段増幅用トランジスタ１のドレイン電流（Ｉ₁−Ｉ_O）
が設定値（5O±5ｍA）になればＶgg1の調整を終了し、
デジタルアナログ変換器25の出力電圧設定値を記憶装置
23に記憶させる。

【００４０】さらに、Ｖext2をoff状態として電流測定
（Ｉ₂）を行ないながら、後段増幅用トランジスタ２の
Ｖgg2を調整していく。電流（Ｉ₂）は、前段増幅用トラ
ンジスタ１、後段増幅用トランジスタ２以外の電流値Ｉ
_Oと前段増幅用トランジスタ１の設定済のアイドル電流
（Ｉ₁−Ｉ_O＝5O±5ｍＡ）と後段増幅用トランジスタ２
のドレイン電流の和である。後段増幅用トランジスタ２
のドレイン電流（Ｉ₂−Ｉ₁）が設定値（300±10ｍＡ）
になればＶgg2の調整を終了し、デジタルアナログ変換
器25の出力電圧設定値を記憶装置23に記憶させる。動作
時には、制御回路22が記憶装置23から出力電圧設定値を
呼び出し、その設定値が、デジタルアナログ変換器25に
送られ、Ｖgg1、Ｖgg2を生成する。

【００４１】以上のように、本発明の第２の実施の形態
においても、調整前には、増幅用トランジスタがピンチ
オフしており、ドレイン電流が流れない状態にあるた
め、増幅用トランジスタを順番に調整していくことによ
り、調整前後のドレイン電流の差から、それぞれの増幅
用トランジスタの電流の測定ができる。

【００４２】また、ドレイン電極に流れる電流値の規定
値の少ない増幅用トランジスタから調整することによ
り、増幅用トランジスタでの発熱量を抑え、温度変化を
小さくして、正確に調整することができる。また、無線
通信機器に備えられている制御回路、記憶装置を用いて
増幅用トランジスタの電流調整を行なうものであり、可
変抵抗器の調整などの設備が不要となる。

【００４３】なお、各実施の形態において、送信電力増
幅器を２段構成としたが、１段または３段以上の送信電
力増幅器でも、同様にして調整することができる。ま
た、各実施の形態においては、増幅用トランジスタを単
一電源動作ＧaＡsＦＥＴとしたが、ピンチオフさせるた
めのゲート電圧がプリント基板上になく、外部電源を必
要とする増幅用トランジスタであれば、同様にして調整
することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明では、電力増幅器
を、調整前に増幅用電界効果トランジスタをピンチオフ
するゲート電圧を接続部を通して外部の電源から供給す
る手段と、調整時に可変抵抗部の抵抗値を調整してゲー
ト電圧を増幅用電界効果トランジスタのドレイン電極に
流れる電流値が規定値内になるように設定する手段とを
備えた構成としたので、電源線が、プリント基板上で複
数の増幅用トランジスタのドレイン電極に接続されてい
たり、周辺回路にも接続されている場合でも、増幅用ト
ランジスタのゲート電圧を順番に調整していけば、調整
前後のドレイン電流の差から、それぞれの増幅用トラン
ジスタの電流の測定ができ、実装状態での調整が可能と
なるという効果が得られる。

【００４５】さらに、増幅用トランジスタのランクによ
る抵抗値の変更は不要になり、各増幅用トランジスタご
とにドレイン電源のスイッチを設ける必要もなく、単一
電源動作ＧaＡsＦＥＴを用いて負電源発生回路を削除す
ることも容易となるので、小型でばらつきの少ない電力
増幅器を実現できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における電力増幅器
の構成図、

【図２】本発明の第１の実施の形態における電力増幅器
の調整フロー図、

【図３】本発明の第２の実施の形態における電力増幅器
の構成図、

【図４】本発明の第２の実施の形態における電力増幅器
の調整方法を説明するブロック図、

【図５】本発明の第２の実施の形態における電力増幅器
の調整フロー図、

【図６】従来の電力増幅器の構成図、

【図７】従来の電力増幅器の他の構成図、

【図８】従来の電力増幅器の調整方法を説明するブロッ
ク図である。

【符号の説明】

１前段増幅用トランジスタ２後段増幅用トランジスタ３入力回路４段間回路５負荷回路６前段増幅用トランジスタのゲートバイアス回路７可変抵抗部８抵抗器９後段増幅用トランジスタのゲートバイアス回路 10 可変抵抗部 11 抵抗器 12 前段増幅用トランジスタの電源チョークコイル 13 後段増幅用トランジスタの電源チョークコイル 14 外部電源供給接続部 16 外部電源供給接続部 22 制御回路 23 記憶装置 25、26 デジタルアナログ変換器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5J092 AA01 AA41 CA97 CA98 FA10 HA09 HA24 HA26 HA33 KA34 KA47 KA66 MA08 MA21 SA14 TA01 VL08 5K060 HH06 JJ02 JJ03 LL00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プリント基板と、前記プリント基板上に
実装された増幅用電界効果トランジスタと、前記増幅用
電界効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス
回路内の可変抵抗部と、前記プリント基板上に外部の電
源から前記ゲート電圧を供給するための接続部と、調整
前に前記増幅用電界効果トランジスタをピンチオフする
ゲート電圧を前記接続部を通して外部の電源から供給す
る手段と、調整時に前記可変抵抗部の抵抗値を調整して
前記ゲート電圧を前記増幅用電界効果トランジスタのド
レイン電極に流れる電流値が規定値内になるように設定
する手段とを備えたことを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】プリント基板と、前記プリント基板上に
実装された増幅用電界効果トランジスタと、前記増幅用
電界効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス
回路を制御する制御回路と、前記ゲート電圧の設定値を
記憶する記憶部と、前記プリント基板上に外部の電源か
ら前記ゲート電圧を供給するための接続部と、調整前に
前記増幅用電界効果トランジスタがピンチオフするゲー
ト電圧を前記接続部を通して外部の電源から供給する手
段と、調整時に前記増幅用電界効果トランジスタのドレ
イン電極に流れる電流値を参照しつつゲート電圧を増加
させて前記電流値が規定値内になったときに前記記憶部
に前記ゲート電圧を記憶させる手段とを備えたことを特
徴とする電力増幅器。
【請求項３】プリント基板と、前記プリント基板上に
実装された増幅用電界効果トランジスタと、前記増幅用
電界効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス
回路内の可変抵抗部と、前記プリント基板上に外部の電
源から前記ゲート電圧を供給するための接続部とを備え
た電力増幅器の調整方法において、調整前には、前記増
幅用電界効果トランジスタをピンチオフするゲート電圧
を前記接続部を通して外部の電源から供給し、調整時に
は、前記増幅用電界効果トランジスタのドレイン電極に
流れる電流値が規定値内になるように前記可変抵抗部の
抵抗値を調整して前記ゲート電圧を設定することを特徴
とする電力増幅器の調整方法。
【請求項４】プリント基板と、前記プリント基板上に
実装された増幅用電界効果トランジスタと、前記増幅用
電界効果トランジスタのゲート電圧を供給するバイアス
回路を制御する制御回路と、前記ゲート電圧の設定値を
記憶する記憶部と、前記プリント基板上に外部の電源か
ら前記ゲート電圧を供給するための接続部とを備えた電
力増幅器の調整方法において、調整前には、前記増幅用
電界効果トランジスタをピンチオフするゲート電圧を前
記接続部を通して外部の電源から供給し、調整時には、
前記増幅用電界効果トランジスタのドレイン電極に流れ
る電流値を参照しつつゲート電圧を増加させて前記電流
値が規定値内になったときに前記記憶部に前記ゲート電
圧を記憶させることを特徴とする電力増幅器の調整方
法。
【請求項５】前記増幅用電界効果トランジスタは、ゲ
ート電圧が０Ｖでピンチオフしないものであることを特
徴とする請求項１、２記載の電力増幅器。
【請求項６】前記増幅用電界効果トランジスタは、ゲ
ート電圧が０Ｖでピンチオフしないものであることを特
徴とする請求項３、４記載の電力増幅器の調整方法。
【請求項７】ドレイン電極に流れる電流値の規定値が
小さい増幅用電界効果トランジスタから先に調整するこ
とを特徴とする請求項３、４記載の電力増幅器の調整方
法。