JP2000031544A - Semiconductor light emitting element - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、側面を発光させる
ように構成した半導体発光素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light emitting device configured to emit light on a side surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体発光素子は、一般的には発光面を
実装基板に対して垂直方向に設定して実装されている。
しかしながら、サイドビュ−形の表示装置等において
は、半導体発光素子の発光面を実装基板に対して水平方
向に設定することが必要になる場合がある。このような
場合には、側面発光型の半導体発光素子が使用される。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor light emitting device is mounted with a light emitting surface set in a direction perpendicular to a mounting substrate.
However, in a side view type display device or the like, it may be necessary to set the light emitting surface of the semiconductor light emitting element in a horizontal direction with respect to the mounting substrate. In such a case, a side emission type semiconductor light emitting device is used.
【０００３】図６は、上記のような側面発光型の半導体
発光素子の一例を示す断面図である。図６において、基
板２の表面に一対のリ−ド電極パタ−ン３、４を形成
し、一方のリ−ド電極パタ−ン４の上面に半導体発光チ
ップ５をマウントする。半導体発光チップ５は、他方の
リ−ド電極パタ−ン４と金属線６にてワイヤ−ボンデン
グされる。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the above-mentioned side emission type semiconductor light emitting device. In FIG. 6, a pair of lead electrode patterns 3 and 4 are formed on the surface of a substrate 2, and a semiconductor light emitting chip 5 is mounted on the upper surface of one of the lead electrode patterns 4. The semiconductor light emitting chip 5 is wire-bonded with the other lead electrode pattern 4 and the metal wire 6.
【０００４】一対のリ−ド電極パタ−ン３、４、半導体
発光チップ５、金属線６を不透光性の合成樹脂で形成さ
れるカバ−８により覆う。このカバ−８には、一方の側
面に開口部が設けられており、開口部内に透光性の合成
樹脂７を充填する。半導体発光チップ５、金属線６は透
光性の合成樹脂７により封止される。A pair of lead electrode patterns 3, 4, a semiconductor light emitting chip 5, and a metal wire 6 are covered with a cover 8 made of a light-impermeable synthetic resin. The cover 8 has an opening on one side surface, and the opening is filled with a translucent synthetic resin 7. The semiconductor light emitting chip 5 and the metal wire 6 are sealed with a transparent synthetic resin 7.
【０００５】図示しない接続端子から一対のリ−ド電極
パタ−ン３、４に通電すると、半導体発光チップ５から
出力光を発光する。この際の出力光は、透光性の合成樹
脂７の端面、すなわち、半導体発光素子１の側面から実
装基板と平行な矢視Ａ方向に発射される。When a current is applied to a pair of lead electrode patterns 3 and 4 from a connection terminal (not shown), the semiconductor light emitting chip 5 emits output light. The output light at this time is emitted from the end surface of the translucent synthetic resin 7, that is, the side surface of the semiconductor light emitting element 1, in the direction of arrow A parallel to the mounting substrate.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の側
面発光型の半導体発光素子は、実装基板と平行な方向に
出力光を発射する構成としているので、実装基板の表面
に近い位置に配置されている照射タ−ゲットを発光させ
ることができる。しかしながら、同じ半導体発光素子を
用いて、実装基板の表面から離れた位置に配置されてい
る照射タ−ゲットを発光させることはできないので、半
導体発光素子の用途が制限されるという問題があった。As described above, since the conventional side-emitting type semiconductor light emitting device is configured to emit output light in a direction parallel to the mounting substrate, it is arranged at a position close to the surface of the mounting substrate. The emitted irradiation target can emit light. However, there is a problem that the application of the semiconductor light emitting element is limited because the irradiation target disposed at a position distant from the surface of the mounting substrate cannot emit light using the same semiconductor light emitting element.
【０００７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、実装基板の表面からの設定位置が異なる照
射タ−ゲットに対しても発光させることを可能として、
用途を拡大した半導体発光素子の提供を目的とする。The present invention has been made in view of such a problem, and it is possible to emit light to an irradiation target having a different set position from the surface of a mounting board.
It is intended to provide a semiconductor light emitting device with expanded applications.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体発光素子を、一対の電極と、電極に接続された半導
体発光チップと、前記半導体発光チップを封止する合成
樹脂の封止体とを備え、前記封止体の少なくとも一方側
面を透光性の合成樹脂で形成する半導体発光素子であっ
て、透光性の合成樹脂の端面に曲面を形成し、半導体発
光チップの出力光を集光して水平方向に対して傾斜した
方向に発射する構成とすることにより達成される。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor light emitting device comprising a pair of electrodes, a semiconductor light emitting chip connected to the electrodes, and a synthetic resin sealing body for sealing the semiconductor light emitting chip. A semiconductor light-emitting element having at least one side surface of the sealing body formed of a light-transmitting synthetic resin, wherein a curved surface is formed on an end surface of the light-transmitting synthetic resin, and output light of the semiconductor light-emitting chip is formed. This is achieved by a configuration in which light is collected and emitted in a direction inclined with respect to the horizontal direction.
【０００９】このように本発明の半導体発光素子は、透
光性の合成樹脂の端面に曲面を形成し、半導体発光チッ
プの出力光を集光して水平方向に対して傾斜した方向に
発射する構成としている。このため、実装基板の表面か
らの設定位置が異なる照射タ−ゲットに対して、半導体
発光素子の実装基板上の実装位置を変えることにより、
いずれの照射タ−ゲットに対しても確実に発光させるこ
とができるので、半導体発光素子の用途が拡大される。As described above, in the semiconductor light emitting device of the present invention, the curved surface is formed on the end face of the transparent synthetic resin, and the output light of the semiconductor light emitting chip is condensed and emitted in a direction inclined with respect to the horizontal direction. It has a configuration. Therefore, by changing the mounting position of the semiconductor light emitting element on the mounting substrate for the irradiation target having a different setting position from the surface of the mounting substrate,
Since light can be reliably emitted from any of the irradiation targets, the applications of the semiconductor light emitting device are expanded.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して説明する。図２は本発明の実施の形態に
係る半導体発光素子の断面図である。図６の半導体発光
素子と同じ部分または対応する部分については同一の符
号を付しており、詳細な説明は省略する。図２におい
て、透光性の合成樹脂７の端面、すなわち、半導体発光
素子１の発光面となる側面に、球状の曲面７ａを形成す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention. The same or corresponding parts as those of the semiconductor light emitting device of FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be omitted. In FIG. 2, a spherical curved surface 7 a is formed on an end surface of the light-transmitting synthetic resin 7, that is, on a side surface serving as a light emitting surface of the semiconductor light emitting element 1.
【００１１】この球状の曲面７ａは半導体発光チップ５
の出力光を集光して、基板２に対して斜め上方の方向に
出力光を発射する。すなわち、半導体発光チップ５の出
力光は、実装基板と平行な方向に対して上向きに傾斜し
た矢視Ｂ方向の照射タ−ゲットに発光焦点を設定して発
射される。The spherical curved surface 7a is used for the semiconductor light emitting chip 5
And emits the output light obliquely upward with respect to the substrate 2. That is, the output light of the semiconductor light emitting chip 5 is emitted with its emission focal point set on the irradiation target in the direction of arrow B inclined upward with respect to the direction parallel to the mounting substrate.
【００１２】透光性の合成樹脂７の端面のどの位置にこ
のような球状の曲面７ａを形成するか、またその径をど
の程度の大きさに設定するかは、半導体発光チップ５の
出力光の集光効率等を考慮して選定される。そして、端
面に球状の曲面７ａを有する透光性の合成樹脂７は、適
宜の金型を用いてカバ−８の開口部にモ−ルド成型によ
り一体に充填される。The position of the end surface of the translucent synthetic resin 7 at which such a spherical curved surface 7a is formed and the size of the curved surface 7a are determined by the output light of the semiconductor light emitting chip 5. Is selected in consideration of the light collection efficiency and the like. The light-transmitting synthetic resin 7 having a spherical curved surface 7a at the end face is integrally filled into the opening of the cover 8 by molding using an appropriate mold.
【００１３】図１は、半導体発光素子１を実装基板に実
装した状態を示す断面図である。図１において、実装基
板９に垂直な軸線Ｚ上のＸの位置に照射タ−ゲットがあ
る場合には、半導体発光素子１を実装基板９の（Ｐ）の
位置に実装することにより、Ｘの位置に発光焦点が設定
される。FIG. 1 is a sectional view showing a state where the semiconductor light emitting device 1 is mounted on a mounting substrate. In FIG. 1, when the irradiation target is located at the position of X on the axis Z perpendicular to the mounting substrate 9, the semiconductor light emitting device 1 is mounted at the position (P) of the mounting substrate 9 so that X The light emission focus is set at the position.
【００１４】次に、同じ軸線Ｚ上の実装基板９の表面か
らの位置がＸの位置よりも離れたＹの位置に照射タ−ゲ
ットがある場合には、半導体発光素子１を実装基板９の
（Ｑ）の位置に実装することにより、Ｙの位置に発光焦
点が設定される。このように、照射タ−ゲットが実装基
板９の表面に近い位置にある場合にも、また、実装基板
９の表面から離れた位置にある場合にも、実装基板９へ
の実装位置を変えることにより、同一の半導体発光素子
１により異なる照射タ−ゲットへの発光焦点を設定する
ことができる。Next, when the irradiation target is located at the position Y on the same axis Z that is farther from the surface of the mounting substrate 9 than the position X, the semiconductor light emitting device 1 is mounted on the mounting substrate 9. By mounting at the position of (Q), the light emission focus is set at the position of Y. As described above, even when the irradiation target is at a position close to the surface of the mounting substrate 9 or at a position distant from the surface of the mounting substrate 9, the mounting position on the mounting substrate 9 can be changed. Thereby, the same semiconductor light emitting element 1 can set the light emission focus to different irradiation targets.
【００１５】図３は、本発明の別の実施の形態に係る半
導体発光素子の断面図である。図２の半導体発光素子と
同じ構成については同一の符号を付しており、詳細な説
明は省略する。図３の例では透光性の合成樹脂７の端面
に、球状の曲面７ａを形成することに代えて外方に向け
て突出している曲面７ｂを形成する。曲面７ｂは、図４
の斜視図に示すように透光性の合成樹脂７の端面の幅方
向全長に亘り形成される（但し図４は封止体を透視して
内部構成を示している）。FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention. The same components as those of the semiconductor light emitting device of FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be omitted. In the example of FIG. 3, instead of forming the spherical curved surface 7a on the end surface of the translucent synthetic resin 7, a curved surface 7b protruding outward is formed. The curved surface 7b is shown in FIG.
As shown in the perspective view of FIG. 4, the light-transmitting synthetic resin 7 is formed over the entire length in the width direction of the end face (however, FIG. 4 shows the internal structure through the sealing body).
【００１６】この曲面７ｂの曲率の大きさや、曲面７ｂ
の形成位置と半導体発光チップ５との距離等について
は、半導体発光チップ５の出力光を効果的に集光するこ
とを考慮して選定される。この例においても、半導体発
光素子１は基板２に対して斜め上方の方向に出力光を発
射する。すなわち、実装基板と平行な方向に対して上向
きに傾斜した矢視Ｃ方向の照射タ−ゲットに発光焦点を
設定して出力光を発射する。The curvature of the curved surface 7b, the curved surface 7b
The distance between the semiconductor light emitting chip 5 and the formation position of the semiconductor light emitting chip 5 is selected in consideration of effectively condensing the output light of the semiconductor light emitting chip 5. Also in this example, the semiconductor light emitting element 1 emits output light in a direction obliquely upward with respect to the substrate 2. That is, an emission focus is set on an irradiation target in the direction of arrow C inclined upward with respect to a direction parallel to the mounting substrate, and output light is emitted.
【００１７】透光性の合成樹脂７の端面に、図２に示し
たような球状の曲面７ａを形成する場合には、照射タ−
ゲットにスポット状の発光焦点が設定される。これに対
して図３に示したように、外方に向けて突出している曲
面７ｂを透光性の合成樹脂７の端面の幅方向全長に亘り
形成する場合には、照射タ−ゲットにビ−ム状の幅のあ
る発光焦点が設定される。When a spherical curved surface 7a as shown in FIG. 2 is formed on the end face of the transparent synthetic resin 7, an irradiation
A spot-shaped emission focus is set on the get. On the other hand, as shown in FIG. 3, when the curved surface 7b protruding outward is formed over the entire length in the width direction of the end face of the light-transmitting synthetic resin 7, the irradiation target is formed. An emission focus with a worm-like width is set.
【００１８】このように、図２の構成と図３の構成で
は、照射タ−ゲットにスポット状またはビ−ム状の異な
る形状の発光焦点が設定される。このため、照射タ−ゲ
ットの発光面の形状やその用途に応じて図２または図３
のいずれかの構成を選択することができる。As described above, in the configuration shown in FIG. 2 and the configuration shown in FIG. 3, different emission spots or beam spots are set on the irradiation target. 2 or 3 according to the shape of the light emitting surface of the irradiation target and its use.
Can be selected.
【００１９】図２、図３の例では、基板２の表面に一対
のリ−ド電極パタ−ン３、４を形成し、一方のリ−ド電
極パタ−ン４の上面に半導体発光チップ５をマウントし
ている。本発明は、一対のリ−ド電極パタ−ンを、リ−
ドフレ−ムに接続する構成の半導体発光素子にも適用で
きる。図５はこのような構成の半導体発光素子の断面図
である。図５に示すように、一対のリ−ド電極パタ−ン
は、リ−ドフレ−ム３ａ、４ａに接続されている。この
例では、不透光性の合成樹脂よりなるカバ−８は、半導
体発光チップ５の下側も覆う構成としている。In the example of FIGS. 2 and 3, a pair of lead electrode patterns 3 and 4 are formed on the surface of the substrate 2, and the semiconductor light emitting chip 5 is formed on the upper surface of one of the lead electrode patterns 4. Is mounted. According to the present invention, a pair of lead electrode patterns
The present invention can also be applied to a semiconductor light emitting device having a configuration connected to a frame. FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor light emitting device having such a configuration. As shown in FIG. 5, a pair of lead electrode patterns are connected to the lead frames 3a, 4a. In this example, the cover 8 made of an opaque synthetic resin also covers the lower side of the semiconductor light emitting chip 5.
【００２０】上記の説明では、不透光性の合成樹脂より
なるカバ−の開口部に透光性の合成樹脂を充填して半導
体発光チップを封止し、側面より発光する形式の半導体
発光素子を構成している。本発明においては、封止体全
体を透光性の合成樹脂で形成し、当該透光性の合成樹脂
の一方の側面を残して他の表面に反射膜を塗布する等に
より遮光して、一方の側面のみから発光させる構成とす
ることも可能である。In the above description, the semiconductor light emitting chip is sealed by filling the opening of the cover made of the light impermeable synthetic resin with the light transmissive synthetic resin, and emitting light from the side. Is composed. In the present invention, the entire sealing body is formed of a light-transmitting synthetic resin, and light is shielded by coating a reflective film on the other surface while leaving one side of the light-transmitting synthetic resin. It is also possible to adopt a configuration in which light is emitted only from the side surface.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
素子は、透光性の合成樹脂の端面に曲面を形成し、半導
体発光チップの出力光を集光して水平方向に対して傾斜
した方向に発射する構成としている。このため、実装基
板の表面からの設定位置が異なる照射タ−ゲットに対し
て、半導体発光素子の実装基板上の実装位置を変えるこ
とにより、いずれの照射タ−ゲットに対しても確実に発
光させることができ、半導体発光素子の用途が拡大され
る。As described above, in the semiconductor light emitting device of the present invention, a curved surface is formed on the end face of the light transmitting synthetic resin, and the output light of the semiconductor light emitting chip is focused and inclined with respect to the horizontal direction. It is configured to fire in the direction. For this reason, by changing the mounting position of the semiconductor light emitting element on the mounting substrate for the irradiation target having a different setting position from the surface of the mounting substrate, it is possible to surely emit light for any of the irradiation targets. The use of the semiconductor light emitting device can be expanded.
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を実
装基板上に載置した状態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state where a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention is mounted on a mounting substrate.
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施の形態に係る半導体発光素子
の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図４】図３の例の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the example of FIG. 3;
【図５】本発明の他の実施の形態に係る半導体発光素子
の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
【図６】従来例の半導体発光素子の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor light emitting device.
１ 半導体発光素子 ２ 基板 ３、４ 一対の電極パタ−ン ５ 半導体発光チップ ６ 金属線 ７ 透光性の合成樹脂 ７ａ 球状の曲面 ７ｂ 外方に突出した曲面 ８ カバ− ９ 実装基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light emitting element 2 Substrate 3, 4 A pair of electrode pattern 5 Semiconductor light emitting chip 6 Metal wire 7 Translucent synthetic resin 7a Spherical curved surface 7b Curved surface protruding outward 8 Cover 9 Mounting substrate
Claims (1)
発光チップと、前記半導体発光チップを封止する合成樹
脂の封止体とを備え、前記封止体の少なくとも一方側面
を透光性の合成樹脂で形成する半導体発光素子であっ
て、透光性の合成樹脂の端面に曲面を形成し、半導体発
光チップの出力光を集光して水平方向に対して傾斜した
方向に発射してなる半導体発光素子。1. A semiconductor device comprising: a pair of electrodes; a semiconductor light emitting chip connected to the electrodes; and a synthetic resin sealing body for sealing the semiconductor light emitting chip, wherein at least one side surface of the sealing body is transparent. A semiconductor light-emitting element formed of a synthetic resin, a curved surface is formed on an end surface of a light-transmitting synthetic resin, and the output light of the semiconductor light-emitting chip is collected and emitted in a direction inclined with respect to the horizontal direction. Semiconductor light emitting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10197081A JP2000031544A (en) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10197081A JP2000031544A (en) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Semiconductor light emitting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031544A true JP2000031544A (en) | 2000-01-28 |
Family
ID=16368412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10197081A Pending JP2000031544A (en) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Semiconductor light emitting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031544A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261332A (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode |
| WO2017126214A1 (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | Light reception module, and method for producing optical module |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP10197081A patent/JP2000031544A/en active Pending
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