JP2000031442A - Method for forming microlens - Google Patents
Method for forming microlensInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロレンズの
形成方法、特にマイクロレンズとなるレンズ材膜の上に
レジスト膜を形成し、該レジスト膜を各マイクロレンズ
形成領域毎に分離独立させる形状にパターニングし、そ
の後、加熱溶融により各マイクロレンズ形成領域のレジ
スト膜を凸レンズ形状に整形し、その後、酸素と堆積性
を有するガスとの混合ガスによる全面的ドライエッチン
グにより上記レジスト膜及びレンズ材膜をエッチバック
して上記凸レンズ形状を該レンズ材膜に転写するマイク
ロレンズの形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a microlens, and more particularly, to a method of forming a resist film on a lens material film to be a microlens and separating the resist film for each microlens formation region. After patterning, the resist film in each microlens formation region is shaped into a convex lens shape by heating and melting, and then the resist film and the lens material film are entirely dry-etched with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property. The present invention relates to a method for forming a microlens for transferring the shape of the convex lens to the lens material film by etching back.
【０００２】[0002]
【従来の技術】固体撮像素子として、各画素毎にマイク
ロレンズを設け、各画素領域に入った光を有効にその画
素の受光素子に集光するようにして感度を高めたものが
ある。図２（Ａ）〜（Ｃ）はそのようなマイクロレンズ
の形成方法の従来例の一つを工程順に示す断面図であ
る。2. Description of the Related Art As a solid-state image pickup device, there is a device in which a microlens is provided for each pixel so that light entering each pixel region is effectively condensed on a light receiving element of the pixel to increase sensitivity. 2A to 2C are cross-sectional views showing one example of a conventional method of forming such a microlens in the order of steps.
【０００３】（Ａ）先ず、固体撮像素子のパシベーショ
ン膜１の上に形成された平坦化膜２上にレンズ材膜３を
形成し、その後、該レンズ材膜３上にレジスト膜４を全
面的に形成し、しかる後、該レジスト膜４を露光、現像
することにより、各画素毎に分離独立するようにパター
ニングする。具体的には、各レジスト膜４、４、・・・
が各受光素子５、５、・・・上に位置するようにパター
ニングする。図２（Ａ）はそのパターニング後の状態を
示す。(A) First, a lens material film 3 is formed on a flattening film 2 formed on a passivation film 1 of a solid-state imaging device, and then a resist film 4 is entirely formed on the lens material film 3. Then, the resist film 4 is exposed and developed to be patterned so as to be separated and independent for each pixel. Specifically, each of the resist films 4, 4,.
Are patterned on each of the light receiving elements 5, 5,.... FIG. 2A shows a state after the patterning.
【０００４】（Ｂ）次に、加熱溶融処理（リフロー）に
より図２（Ｂ）に示すように、上記レジスト膜４、４、
・・・を凸曲面形状（凸レンズ形状）に整形する。(B) Next, as shown in FIG. 2 (B), the resist films 4, 4,
Is shaped into a convex curved surface shape (convex lens shape).
【０００５】（Ｃ）その後、酸素と堆積性を有するガス
との混合ガスにより上記レジスト膜４、４、・・・及び
レンズ材膜３を全面的ドライエッチングすることにより
上記凸曲面形状をレンズ材膜３に転写する。７、７、・
・・・はその転写により形成されたマイクロレンズであ
る。尚、９は半導体基板、１０、１０、・・・は多結晶
シリコンコンからなる垂直転送電極、１１は例えばアル
ミニウムからなる遮光膜、１２、１２、・・・開口であ
る。(C) Thereafter, the resist films 4, 4,... And the lens material film 3 are entirely dry-etched with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to thereby form the convex curved surface into a lens material. Transfer to film 3. 7, 7, ...
.. Are microlenses formed by the transfer. .. Denotes vertical transfer electrodes made of polycrystalline silicon, 11 denotes a light-shielding film made of, for example, aluminum, 12, 12,.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のマイクロレンズの形成方法には、酸素と堆積性を有
するガスとの混合ガスによる全面的ドライエッチングに
よりマイクロレンズ７、７、・・・表面に疎水性の堆積
膜８[ 図２（Ｃ）参照] が生じ、その結果、後のウェハ
ダイシング工程でその疎水性の堆積膜８が水を弾くこと
からシリコン等の切り粉が流れ落ちず、組み立て後にお
ける画像欠陥の原因となるという問題のあることが解っ
た。By the way, in the above-mentioned conventional method for forming a microlens, the entire surface of the microlenses 7, 7,... By dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property. A hydrophobic deposited film 8 (see FIG. 2 (C)) is generated on the surface, and as a result, chips such as silicon do not flow down because the hydrophobic deposited film 8 repels water in a later wafer dicing step, so that assembly is not performed. It turns out that there is a problem that causes image defects later.
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、マイクロレンズとなるレンズ材膜の
上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を各マイクロレ
ンズ形成領域毎に分離独立させる形状にパターニング
し、その後、加熱溶融により各マイクロレンズ形成領域
のレジスト膜を凸レンズ形状に整形し、その後、酸素と
堆積性を有するガスとの混合ガスによる全面的ドライエ
ッチングにより上記レジスト膜及びレンズ材膜をエッチ
バックして上記凸レンズ形状を該レンズ材膜に転写する
マイクロレンズの形成方法において、酸素と堆積性を有
するガスとの混合ガスによる全面的ドライエッチングに
よりマイクロレンズ表面に疎水性の堆積膜が生じ、後の
ウェハダイシング工程でその疎水性の堆積膜が水を弾
き、シリコン等の切り粉が流れ落ちず、組み立て後にお
ける画素欠陥の原因となるというおそれをなくすことを
目的とする。The present invention has been made to solve such a problem. A resist film is formed on a lens material film serving as a microlens, and the resist film is separated for each microlens formation region. The resist film in each microlens formation region is shaped into a convex lens shape by heating and melting, and thereafter, the resist film and the resist film are formed by full dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property. In the method of forming a microlens in which the convex lens shape is transferred to the lens material film by etching back the lens material film, the surface of the microlens is made hydrophobic by a full dry etching using a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property. A deposited film is formed, and in a later wafer dicing process, the hydrophobic deposited film repels water and cuts silicon or the like. Aims to eliminate the risk that is not run down, causing the pixel defect after assembly.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１のマイクロレン
ズの形成方法は、転写後、全面的ドライエッチング時に
各マイクロレンズ表面に生じた疎水性の堆積膜を除去し
て親水性を得る工程を有することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of forming a microlens, comprising the steps of removing a hydrophobic deposition film formed on the surface of each microlens during the entire dry etching after transfer to obtain hydrophilicity. It is characterized by having.
【０００９】請求項１のマイクロレンズの形成方法によ
れば、各マイクロレンズ表面の疎水性の堆積膜を除去し
て親水性を得る工程を有するので、ウェハダイシング時
にマイクロレンズ表面が水を弾くことがなくなり、シリ
コン等の切り粉が水により流れ落ち、画素欠陥が発生す
るおそれがなくなる。According to the method of forming a microlens according to the first aspect, the method includes a step of removing a hydrophobic deposition film on the surface of each microlens to obtain hydrophilicity. Is eliminated, and there is no possibility that chips such as silicon flow down due to water and pixel defects occur.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明は、基本的には、マイクロ
レンズとなるレンズ材膜の上にレジスト膜を形成し、該
レジスト膜を各マイクロレンズ形成領域毎に分離独立さ
せる形状にパターニングし、その後、加熱溶融により各
マイクロレンズ形成領域のレジスト膜を凸レンズ形状に
整形し、その後、酸素と堆積性を有するガスとの混合ガ
スによる全面的ドライエッチングにより上記レジスト膜
及びレンズ材膜をエッチバックして上記凸レンズ形状を
該レンズ材膜に転写するマイクロレンズの形成方法にお
いて、上記転写後、上記全面的ドライエッチング時に各
マイクロレンズ表面に生じた疎水性の堆積膜を除去して
親水性を得る工程を有することを特徴とする。そして、
疎水性の堆積膜の除去は酸素プラズマ処理により行うと
良いことが確認されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, basically, a resist film is formed on a lens material film to be a microlens, and the resist film is patterned into a shape that is separated and independent for each microlens formation region. Then, the resist film in each microlens formation region is shaped into a convex lens shape by heating and melting, and thereafter, the resist film and the lens material film are etched back by full dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property. In the method of forming a microlens for transferring the shape of the convex lens to the lens material film, the hydrophobic deposition film generated on the surface of each microlens during the entire dry etching is removed after the transfer to obtain hydrophilicity. It is characterized by having a process. And
It has been confirmed that removal of the hydrophobic deposited film is preferably performed by oxygen plasma treatment.
【００１１】また、酸素と堆積性を有するガスとの混合
ガスによる全面的ドライエッチングにより上記レジスト
膜及びレンズ材膜をエッチバックして上記凸レンズ形状
を該レンズ材膜に転写する工程と、その後の上記全面的
ドライエッチング時に各マイクロレンズ表面に生じた疎
水性の堆積膜を除去して親水性を得る酸素プラズマ処理
を施すという工程とは同じ装置内にて行うのがよい。と
いうのは、その工程間でウェハを異なる装置間で移し換
える面倒さがなくなり、工数低減、製造時間の短縮にな
るからである。尚、マイクロレンズは一般には固体撮像
素子に形成されるが、その固体撮像素子はＣＣＤ固体撮
像素子であってもＭＯＳ型固体撮像素子であっても増幅
型固体撮像素子であっても良く、本発明はこれらの総て
に適用でき得る。また、マイクロレンズを有するもので
あれば、固体撮像素子以外のもの、例えば液晶表示素子
にも本発明を適用することができる。A step of etching back the resist film and the lens material film by a total dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to transfer the convex lens shape to the lens material film; The step of performing the oxygen plasma treatment for obtaining hydrophilicity by removing the hydrophobic deposited film generated on the surface of each microlens during the entire dry etching is preferably performed in the same apparatus. This is because there is no need to transfer wafers between different apparatuses during the process, which reduces the number of steps and the manufacturing time. The microlens is generally formed on a solid-state imaging device. The solid-state imaging device may be a CCD solid-state imaging device, a MOS solid-state imaging device, or an amplification-type solid-state imaging device. The invention may be applicable to all of these. In addition, the present invention can be applied to a device other than the solid-state imaging device, for example, a liquid crystal display device as long as the device has a microlens.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説
明する。図１（Ａ）〜（Ｄ）は本発明マイクロレンズの
形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the illustrated embodiments. 1A to 1D are cross-sectional views showing one embodiment of a method for forming a microlens of the present invention in the order of steps.
【００１３】（Ａ）先ず、固体撮像素子のパシベーショ
ン膜１の上に形成された平坦化膜２上にレンズ材膜３を
形成し、その後、該レンズ材膜３上にレジスト膜４を全
面的に形成し、しかる後、該レジスト膜４を露光、現像
することにより、各画素毎に分離独立するようにパター
ニングする。具体的には、各レジスト膜４、４、・・・
が各受光素子５、５、・・・上に位置するようにパター
ニングする。図１（Ａ）はそのパターニング後の状態を
示す。(A) First, a lens material film 3 is formed on a flattening film 2 formed on a passivation film 1 of a solid-state image sensor, and then a resist film 4 is entirely formed on the lens material film 3. Then, the resist film 4 is exposed and developed to be patterned so as to be separated and independent for each pixel. Specifically, each of the resist films 4, 4,.
Are patterned on each of the light receiving elements 5, 5,.... FIG. 1A shows a state after the patterning.
【００１４】（Ｂ）次に、加熱溶融処理（リフロー）に
より図１（Ｂ）に示すように、上記レジスト膜４、４、
・・・を凸曲面形状（凸レンズ形状）に整形する。(B) Next, as shown in FIG. 1B, the resist films 4, 4 and 4 are heated and melted (reflowed).
Is shaped into a convex curved surface shape (convex lens shape).
【００１５】（Ｃ）その後、酸素と堆積性を有するガス
との混合ガスにより上記レジスト膜４、４、・・・及び
レンズ材膜３を全面的ドライエッチングすることにより
図１（Ｃ）に示すように、上記凸曲面形状をレンズ材膜
３に転写する。７、７、・・・・はその転写により形成
されたマイクロレンズである。そして、この酸素と堆積
性を有するガスとの混合ガスによる全面的ドライエッチ
ングにより、疎水性の堆積膜８がマイクロレンズ７、
７、・・・表面に生じてしまう。(C) Thereafter, the resist films 4, 4,... And the lens material film 3 are entirely dry-etched with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property, as shown in FIG. As described above, the convex curved surface shape is transferred to the lens material film 3. Reference numerals 7, 7,... Denote microlenses formed by the transfer. Then, the hydrophobic deposition film 8 becomes a microlens 7 by dry etching of the entire surface with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property.
7,... Occurs on the surface.
【００１６】（Ｄ）その後、上記全面的ドライエッチン
グをした同じチャンバー内にて酸素プラズマ処理によ
り、図１（Ｄ）に示すように、疎水性の堆積膜８を除去
する。その結果、マイクロレンズ７、７、・・・表面は
親水性を取り戻す。尚、９は半導体基板、１０、１０、
・・・は多結晶シリコンコンからなる垂直転送電極、１
１は例えばアルミニウムからなる遮光膜、１２、１２、
・・・開口である。(D) Thereafter, the hydrophobic deposition film 8 is removed by oxygen plasma treatment in the same chamber which has been subjected to the entire dry etching, as shown in FIG. 1 (D). As a result, the surfaces of the microlenses 7, 7,. 9 is a semiconductor substrate, 10, 10,
... are vertical transfer electrodes made of polycrystalline silicon, 1
1 is a light shielding film made of, for example, aluminum, 12, 12,
... An opening.
【００１７】この酸素プラズマは、例えばマグネトロン
ＲＩＥ装置を用いて行い、プロセスガスとしては酸素
（例えば１０〜５０ccｍ）を使用し、ＲＦパワーは例え
ば１．０〜７．０Ｗ／ｃｍ2 、圧力は例えば２．７〜
５．４Ｐａが好適である。尚、装置は、具体的には、平
行平板ＲＩＥ装置、高圧狭ギャップ型プラズマエッチャ
ー、ＥＣＲ型エッチャー、μ波プラズマ型エッチャー、
その他の高密度プラズマエッチャー（ＴＣＰ、ＩＣＰ、
ＨＤＰ、ヘリコン）を用いても良い。This oxygen plasma is performed using, for example, a magnetron RIE apparatus, using oxygen (for example, 10 to 50 ccm) as a process gas, an RF power of, for example, 1.0 to 7.0 W / cm 2 , and a pressure of, for example, 1.0 to 7.0 W / cm 2 . 2.7-
5.4 Pa is suitable. In addition, the apparatus is, specifically, a parallel plate RIE apparatus, a high pressure narrow gap type plasma etcher, an ECR type etcher, a μ-wave plasma type etcher,
Other high density plasma etchers (TCP, ICP,
HDP, helicon) may be used.
【００１８】このようなマイクロレンズの形成方法によ
れば、各マイクロレンズ７、７、・・・表面の疎水性の
堆積膜８を除去して親水性を得る工程を有するので、ウ
ェハダイシング時にマイクロレンズ表面が水を弾くこと
がなくなり、シリコン等の切り粉が水により流れ落ち、
画素欠陥が発生するというおそれがなくなる。According to such a method of forming a microlens, the microlens 7, 7,... Has a step of removing the hydrophobic deposition film 8 on the surface to obtain hydrophilicity. The lens surface no longer repels water, and chips such as silicon run down due to water,
There is no danger that a pixel defect will occur.
【００１９】そして、酸素と堆積性を有するガスとの混
合ガスによる全面的ドライエッチングにより上記レジス
ト膜及びレンズ材膜をエッチバックして上記凸レンズ形
状を該レンズ材膜に転写する工程と、その後の各マイク
ロレンズ表面上の疎水性の堆積膜を除去して親水性を得
る酸素プラズマ処理を施すという工程とを同じ装置内に
て行うので、その工程間でウェハを異なる装置間で移し
換える面倒さがなくなり、工数低減、製造時間の短縮に
なる。And a step of etching back the resist film and the lens material film by a full dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to transfer the convex lens shape to the lens material film. The process of removing the hydrophobic deposition film on each microlens surface and performing oxygen plasma treatment to obtain hydrophilicity is performed in the same apparatus, so that the wafer is transferred between different apparatuses during the process. Is eliminated, and the man-hour and manufacturing time are reduced.
【００２０】[0020]
【発明の効果】請求項１のマイクロレンズの形成方法に
よれば、各マイクロレンズ表面の疎水性の堆積膜を除去
して親水性を得る工程を有するので、ウェハダイシング
時にマイクロレンズ表面が水を弾くことがなくなり、シ
リコン等の切り粉が水により流れ落ち、画素欠陥が発生
するおそれがなくなる。According to the method of forming a microlens according to the first aspect, a step of removing the hydrophobic deposition film on the surface of each microlens and obtaining hydrophilicity is provided, so that the surface of the microlens is exposed to water during wafer dicing. No flipping occurs, and chips such as silicon flow down due to water, which eliminates the risk of pixel defects.
【００２１】請求項２のマイクロレンズの形成方法によ
れば、酸素プラズマ処理により疎水性の堆積膜を除去す
るので、確実に疎水性の堆積膜の除去ができ、本発明の
効果をより有効に享受することができる。According to the method of forming a microlens of the present invention, since the hydrophobic deposited film is removed by the oxygen plasma treatment, the hydrophobic deposited film can be surely removed, and the effect of the present invention can be more effectively achieved. You can enjoy.
【００２２】請求項３のマイクロレンズの形成方法によ
れば、酸素と堆積性を有するガスとの混合ガスによる全
面的ドライエッチングにより上記レジスト膜及びレンズ
材膜をエッチバックして上記凸レンズ形状を該レンズ材
膜に転写する工程と、その後の各マイクロレンズ表面上
の疎水性の堆積膜を除去して親水性を得る酸素プラズマ
処理を施す工程とを同じ装置内にて行うので、その工程
間でウェハを異なる装置間で移し換える面倒さがなくな
り、工数低減、製造時間の短縮になる。According to the third aspect of the present invention, the resist film and the lens material film are etched back by dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to form the convex lens shape. Since the step of transferring to the lens material film and the subsequent step of removing the hydrophobic deposited film on each microlens surface and performing the oxygen plasma treatment for obtaining hydrophilicity are performed in the same apparatus, the process is performed between the steps. The trouble of transferring wafers between different apparatuses is eliminated, and the number of steps and the manufacturing time are reduced.
【図１】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明マイクロレンズの形
成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。FIGS. 1A to 1D are sectional views showing one embodiment of a method for forming a microlens of the present invention in the order of steps.
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はマイクロレンズの形成方法の
従来例を工程順に示す断面図である。FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views showing a conventional example of a method for forming a microlens in the order of steps.
３・・・レンズ材膜、４・・・レジスト膜、５・・・受
光素子、７・・・マイクロレンズ。3 ... Lens material film, 4 ... Resist film, 5 ... Light receiving element, 7 ... Micro lens.
Claims (3)
レジスト膜を形成し、該レジスト膜を各マイクロレンズ
形成領域毎に分離独立させる形状にパターニングし、そ
の後、加熱溶融により各マイクロレンズ形成領域のレジ
スト膜を凸レンズ形状に整形し、その後、酸素と堆積性
を有するガスとの混合ガスによる全面的ドライエッチン
グにより上記レジスト膜及びレンズ材膜をエッチバック
して上記凸レンズ形状を該レンズ材膜に転写するマイク
ロレンズの形成方法において、 上記転写後、上記全面的ドライエッチング時に各マイク
ロレンズ表面に生じた疎水性の堆積膜を除去して親水性
を得る工程を有することを特徴とするマイクロレンズの
形成方法。1. A resist film is formed on a lens material film serving as a microlens, and the resist film is patterned into a shape that is separated and independent for each microlens formation region, and then heated and melted to form each microlens formation region. The resist film is shaped into a convex lens shape, and then the resist film and the lens material film are etched back by dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to form the convex lens shape into the lens material film. A method for forming a microlens to be transferred, comprising: after the transfer, removing a hydrophobic deposited film generated on the surface of each microlens during the entire dry etching to obtain hydrophilicity. Forming method.
工程が酸素プラズマ処理を施すという工程であることを
特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの形成方法。2. The method for forming a microlens according to claim 1, wherein the step of removing the hydrophobic deposited film to obtain hydrophilicity is a step of performing oxygen plasma treatment.
による全面的ドライエッチングによりレジスト膜及びレ
ンズ材膜をエッチバックして凸レンズ形状を該レンズ材
膜に転写する工程と、その後の、全面的ドライエッチン
グ時に各マイクロレンズ表面に生じた疎水性の堆積膜を
除去して親水性を得る酸素プラズマ処理を施す工程を同
じ装置内にて行うことを特徴とする請求項２記載のマイ
クロレンズの形成方法。3. A step of etching back the resist film and the lens material film by a full dry etching with a mixed gas of oxygen and a gas having a deposition property to transfer the convex lens shape to the lens material film, and thereafter, the whole surface 3. The microlens according to claim 2, wherein the step of removing the hydrophobic deposited film formed on the surface of each microlens during the selective dry etching and performing an oxygen plasma treatment for obtaining hydrophilicity is performed in the same apparatus. Forming method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193837A JP2000031442A (en) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | Method for forming microlens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10193837A JP2000031442A (en) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | Method for forming microlens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031442A true JP2000031442A (en) | 2000-01-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10193837A Pending JP2000031442A (en) | 1998-07-09 | 1998-07-09 | Method for forming microlens |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031442A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217393A (en) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Sony Corp | Method for forming microlens |
| US7166484B2 (en) * | 2003-12-11 | 2007-01-23 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Method for fabricating image sensor with inorganic microlens |
| US7879249B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-02-01 | Aptina Imaging Corporation | Methods of forming a lens master plate for wafer level lens replication |
| US7919230B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-04-05 | Aptina Imaging Corporation | Thermal embossing of resist reflowed lenses to make aspheric lens master wafer |
| JP2013003541A (en) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | Compound lens manufacturing method |
-
1998
- 1998-07-09 JP JP10193837A patent/JP2000031442A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217393A (en) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Sony Corp | Method for forming microlens |
| US7166484B2 (en) * | 2003-12-11 | 2007-01-23 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Method for fabricating image sensor with inorganic microlens |
| US7879249B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-02-01 | Aptina Imaging Corporation | Methods of forming a lens master plate for wafer level lens replication |
| US7919230B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-04-05 | Aptina Imaging Corporation | Thermal embossing of resist reflowed lenses to make aspheric lens master wafer |
| JP2013003541A (en) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | Compound lens manufacturing method |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041019 |
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