JP2000028933A - アレイ型光変調素子、アレイ型露光素子、及び平面型ディスプレイ、並びにアレイ型光変調素子の駆動方法 - Google Patents
アレイ型光変調素子、アレイ型露光素子、及び平面型ディスプレイ、並びにアレイ型光変調素子の駆動方法Info
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- JP2000028933A JP2000028933A JP10310946A JP31094698A JP2000028933A JP 2000028933 A JP2000028933 A JP 2000028933A JP 10310946 A JP10310946 A JP 10310946A JP 31094698 A JP31094698 A JP 31094698A JP 2000028933 A JP2000028933 A JP 2000028933A
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Abstract
なく高速化を可能に、且つ光変調部の設計自由度を向上
させると共に、各光変調部が2値モードであっても一画
素単位での多階調制御を可能にする。 【解決手段】 可撓薄膜27を有する光変調部33を一
次元又は二次元に配列し、可撓薄膜27を静電気応力に
よって変形させ、可撓薄膜27を透過する光の透過率を
変化させるアレイ型光変調素子35において、一画素S
を複数に分割したそれぞれの領域mに、光変調部33を
設けた。
Description
光の透過率を変化させるアレイ型光変調素子と、紫外線
感光材料、可視光感光材料、赤外光感光材料などの露光
に用いて好適なアレイ型露光素子と、アレイ型光変調素
子によって蛍光体を発光表示させる平面型ディスプレ
イ、及びアレイ型光変調素子の駆動方法に関するもので
ある。
ル露光方法としては、レーザ光を用いるものや、UV光
源とLCDシャッターとを用いるもの、或いは、UV光
源と電気光学結晶シャッターを用いるものなどがある。
ーザビームとを相対的に移動させる例えばラスタ走査に
より連続的な露光を行う。この方法は、微細な像の作像
を、それ自体の像発生機能を用いて行うことができる。
のは、LCDシャッターの有する、電界による分子の配
列変化に伴う光学的性質の変化を利用して、紫外線を選
択的に遮断することで露光を制御する。
いるものは、屈折率変化が印加電界の1乗に比例する電
気光学結晶の一次電気光学効果を利用する。この電気光
学結晶シャッターとしては、例えばポッケルスセルがあ
る。ポッケルスセルは、電気光学結晶の平行平面板を光
学軸に垂直に切り出し、光学軸方向に電界を印加すると
ともに、この方向に紫外線を透過した時に生じる複屈折
を利用して露光を制御する。
種々のものが提案されており、代表的なものに、例えば
液晶表示装置、プラズマ表示装置、フィールドエミッシ
ョンディスプレイ(FED)等がある。
一対の基板間に、配向した液晶を入れて封止し、これを
直交した偏光板で挟んだ構造を有する。液晶表示装置に
よる表示は、導電性透明膜に電圧を印加することで、液
晶分子を基板に対して垂直に配向し、バックライトから
の光の透過率を変化させることで行う。フルカラー表示
や、動画像対応性を持たせるためには、TFT(薄膜ト
ランジスタ)を用いたアクティブマトリクス液晶パネル
が使用される。
封入した二枚のガラス板の間に、陽極と陰極に相当する
規則的に配列した直交方向の電極を多数配置し、それぞ
れの対向電極の交点部を単位画素とした構造を有する。
プラズマ表示装置による表示は、画像情報に基づき、そ
れぞれの交点部を特定する対向電極に、選択的に電圧を
印加することにより、この交点部を放電発光させ、発生
した紫外線により蛍光体を励起させて行う。
を対向配置し、これらパネルの周囲を封止する平板状の
表示管としての構造を有する。表示面側のパネルの内面
には、蛍光膜を設け、背面パネル上には個々の単位発光
領域ごとに電界放出陰極を配列する。電界放出陰極は、
微小サイズのエミッタティプと称される錐形突起状の電
界放出型マイクロカソードを有している。FEDによる
表示は、エミッタティプを用いて電子を取出し、これを
蛍光体に加速照射することで、蛍光体を励起させて行
う。
光変調素子、露光素子、平面型ディスプレイには、以下
に述べる種々の問題があった。即ち、レーザ光を用いる
ものでは、装置が大型化するとともに、装置コストが増
大する不利がある。また、レーザビームを走査すること
により露光を行うため、像形成体に対して全面露光を行
うことができず、マルチチャンネル化が難しく、高速露
光が困難であった。UV光源とLCDシャッターとを用
いるものでは、LCDシャッターを構成する複数の透過
要素を透過させるため、光利用効率が低下するととも
に、LCDシャッターの紫外線に対する耐久性が低い問
題もあった。UV光源と電気光学結晶シャッターとを用
いるものは、駆動電圧が高いとともに、ADP(NH4
H2PO4)、KDP(KH2PO4)などの結晶を切り出
して電気光学結晶シャッターを作成するため、二次元ア
レイ化が困難である問題があった。
述べる種々の問題があった。即ち、液晶表示装置では、
バックライトからの光を、偏光板、透明電極、カラーフ
ィルターの多数層に透過させるため、光利用効率が低下
する問題があった。また、高品位型にはTFTが必要と
され、且つ二枚の基板間に液晶を注入し、配向させなけ
ればならないことも相まって、大面積化が困難である欠
点があった。更に、配向した液晶分子に光を透過させる
ため、視野角度が狭くなる欠点があった。プラズマ表示
装置では、画素毎にプラズマを発生させるための隔壁形
成と、高度な真空封止とが要求され、製造コストが高く
なるとともに、大重量となる欠点があった。また、単位
画素ごとに、陽極と陰極に相当する多数の電極を規則的
に配列しなければならないため、電極数が多くなるとと
もに、高精細、高輝度の画像が得にくい欠点があった。
更に、駆動電圧が高く、駆動ICが高価な欠点もあっ
た。FEDでは、放電を高効率且つ安定化させるため
に、パネル内を高真空にする必要があり、プラズマ表示
装置と同様に製造コストが高くなる欠点があった。ま
た、電界放出した電子を加速して蛍光体へ照射するた
め、高電圧が必要となる不利もあった。
に、基板1上に支柱3を設け、支柱3の上端に基板1と
平行な可撓薄膜5を設けてなるものがある。可撓薄膜5
上には遮光膜7を形成してある。基板1上と、遮光膜7
上には、透明電極9a、9bを対向させて形成してあ
る。
bに電圧を印加することにより、図21に示すように、
静電気応力によって可撓薄膜5を変位(電気機械動作)
させ、UV平面光源からの光を変調可能としている。
に、一変調部を対応させて構成していた。従って、画素
サイズが大きくなると、相対的に、変調部を大きくする
必要があった。例えば、角度10インチのディスプレイ
で、VGA解像度(640×480画素)の画素サイズ
では、約300μm×300μmとなる。従って、上述
の光変調素子11の構造では、支柱の高さが300μm
以上必要となり、薄膜プロセスによる製造が困難となっ
た。また、可撓薄膜を撓ませるための印加電圧が高くな
り、駆動回路の負担が大きくなる問題が生じた。更に、
必要とする変位が大きいため、応答時間が長くなり、十
分な高速化が図れず、且つストレス増大に伴い材料の寿
命が短くなる問題があった。これに加え、このような2
値の変調モードでは、多階調が困難であった。
させたり弾性復帰させる場合、印加電圧Vgsと可撓薄膜
の変位の関係はヒステリシス特性を示す。従って、印加
電圧Vgsと光透過率Tとの関係も図12に示すようにヒ
ステリシス特性を示すことになる。このヒステリシス特
性によれば、光変調要素がOFF(光遮蔽)状態の状態
では、VgsがVth(L)以下ではOFF状態を維持し、Vg
sがVth(H)以上になるとON状態を維持する。そして、
光変調要素は、VgsがVth(H)以上ではON状態を維持
したままとなり、Vs(L)以下となるとOFF状態に飽和
する。尚、Vgsの極性が負の場合は、正極性の縦軸対称
の特性となる。
は、書き込みを行う前の可撓薄膜の状態に次の動作が影
響を受けるため、再現良く正確に書き込み動作をさせる
ためには、書き込み動作の前にリセット動作、即ち、一
旦平衡状態(OFF状態)にして、その後に所望の透過
率となるように書き込み動作を行うことが望ましい。し
かし、単純に書き込み動作の前にリセット動作を行う
と、1行当たりの走査時間が長くなり、マトリクスの行
数を多くすることができず、また、時分割により階調を
得る駆動方法においては、階調数を多くすることができ
ないといった問題を生じることになる。
めることで高速応答性を得ることが考えられるが、その
反面、駆動電圧が増大するために駆動回路の負担が大き
くなり、低コスト・小型化を妨げる要因となり得る。
で、その第一の目的とするところは、装置コストの増大
するレーザ光を用いず、高速化が可能で、しかも、光変
調部の設計自由度が高いアレイ型光変調素子、アレイ型
露光素子、及び平面型ディスプレイを提供することにあ
る。
調部が2値のモードであっても、一画素単位での多階調
制御が可能となるアレイ型光変調素子の駆動方法を提供
することにある。
調素子自体がヒステリシス特性を有するものであって
も、安定した動作が得られるアレイ型光変調素子の駆動
方法を提供することにある。
の本発明に係る請求項1のアレイ型光変調素子は、可撓
薄膜を有する光変調部を一次元又は二次元に配列し、前
記可撓薄膜を静電気応力によって変形させ、光の透過率
を変化させるアレイ型光変調素子において、一画素を複
数に分割したそれぞれの領域に、前記光変調部を設けた
ことを特徴とする。
数に分割したそれぞれの領域に光変調部が設けられるた
め、個々の光変調部を小さく形成することができる。光
変調部のサイズが小さくなることにより、薄膜プロセス
が容易となり、特に可撓薄膜を撓ませて光変調を行う機
構の場合には、この小サイズ化により印加電圧を低くす
ることができる。また、可撓薄膜の必要変位量が小さく
なることから、応答時間が短くなり、高速化が可能にな
る。
素のそれぞれの領域に設けられた複数の前記光変調部が
共通の電極で接続され、一画素内での各光変調部の動作
が等しいことを特徴とする。
の各光変調部が共通に動作し、小さな光変調部の集合体
で、一つの画素の動作が可能となる。
素のそれぞれの領域に設けられた複数の前記光変調部が
異なる電極で接続され、一画素内での各光変調部の動作
が異なることを特徴とする。
の各光変調部の動作がそれぞれ異なるため、各光変調部
の動作を組み合わせることにより、一画素内で複数階調
で動作、即ち多階調動作が可能になる。
画素を異なる面積の領域に分割したことを特徴とする。
割したそれぞれの領域を異なる面積とすることで、同一
面積で分割した場合と比較して、同一分割数であって
も、より多くの階調を得ることができる。
を、単純マトリクス構造で配列したことを特徴とする。
クス構造での光変調部の小サイズ化、高速化が可能にな
る。
画素を、能動素子の付加されたアクティブマトリクス構
造で配列したことを特徴とする。
マトリクス構造での光変調部の小サイズ化、高速化が可
能となる。
項1〜請求項6のいずれか1項記載の前記アレイ型光変
調素子と、該アレイ型光変調素子に対向配置した平面光
源とを具備し、該平面光源から出射される光を前記アレ
イ型光変調素子によって光変調することを特徴とする。
出射される光がアレイ型光変調素子によって光変調され
る。そして、アレイ型光変調素子は、上述したように、
一画素を複数に分割したそれぞれの領域に光変調部が設
けられる。これにより、個々の光変調部を小さくしたア
レイ型露光素子の形成が可能となる。また、露光制御の
ための印加電圧が低くなり、更に、露光制御のための応
答時間が短くなり、高速化な露光が可能になる。
項1〜請求項6のいずれか1項記載の前記アレイ型光変
調素子と、該アレイ型光変調素子に対向配置した平面光
源と、前記アレイ型光変調素子を挟み該平面光源の反対
側に設けた蛍光体とを具備し、前記アレイ型光変調素子
から出射される光を前記蛍光体によって可視光又は赤外
光に波長変換することを特徴とする。
出射される光が、アレイ型光変調素子によって光変調さ
れ、更にその光が蛍光体によって可視光又は赤外光に波
長変換される。従って、可視光又は赤外光のアレイ型露
光素子において、上述同様に光変調部の小サイズ化、露
光制御電圧の低減、露光の高速化が可能になる。
平面光源が、紫外線出射光源であることを特徴とする。
料の露光、或いは、蛍光体を励起することによる可視光
感光材料、赤外光感光材料などの露光、更には、蛍光体
を励起することによる発光表示が可能になる。
求項1〜請求項6のいずれか1項記載の前記アレイ型光
変調素子と、該アレイ型光変調素子に対向配置した平面
光源と、前記アレイ型光変調素子を挟み該平面光源の反
対側に設けた蛍光体とを具備し、前記アレイ型光変調素
子から出射される光によって前記蛍光体を発光表示させ
ることを特徴とする。
ら出射される光がアレイ型光変調素子によって光変調さ
れ、更にその光が蛍光体を発光表示させる。従って、平
面型ディスプレイにおいて、光変調部の小サイズ化、表
示制御電圧の低減、表示の高速化が可能になる。
前記平面光源が、紫外線出射光源であることを特徴とす
る。
材料の露光、或いは、蛍光体を励起することによる可視
光感光材料、赤外光感光材料などの露光、更には、蛍光
体を励起することによる発光表示が可能になる。
動方法は、請求項1〜請求項11のいずれか1項記載の
アレイ型光変調素子の駆動方法において、一画素を複数
に分割したそれぞれの領域に、前記光変調部を設け、複
数の該光変調部を異なる電極で接続し、各光変調部を異
なるように動作させ、一画素単位の透過光量を変えて階
調制御を行うことを特徴とする。
一画素を分割したそれぞれの領域に設けられた光変調部
が異なるように動作される。これにより、一画素単位の
透過光量が可変となり、一画素で多階調動作が可能にな
る。
動方法は、前記一画素を異なる面積の領域に分割して駆
動することを特徴とする。
同一面積で分割した複数の領域に設けた同一の光変調部
を組み合わせて駆動する場合と比較して、同一分割数で
あっても、より多くの階調が得られる駆動法となる。
動方法は、前記光変調部が、単純マトリクス駆動される
ことを特徴とする。
光変調部を小サイズ化した単純マトリクス構造により駆
動されることで、一画素の多階調化が可能になる。
法は、前記光変調部が、アクティブマトリクス駆動され
ることを特徴とする。
光変調部を小サイズ化したアクティブマトリクス構造に
より駆動されることで、一画素の多階調化が可能にな
る。
法は、請求項1〜請求項15のいずれか1項記載のアレ
イ型光変調素子の駆動方法であって、前記光変調素子
は、静電気力による可撓薄膜の変位動作と、該可撓薄膜
の弾性復帰動作とによって光変調を行い、前記光変調素
子の弾性復帰動作を行うリセット走査の後に、変位動作
又は状態維持を選択する書き込み走査を行うことを特徴
とする。
光変調素子のリセット走査の後に、該素子の変位動作又
は状態維持を選択する書き込み走査を行うことで、素子
のヒステリシス特性によって書き込み走査前の状態が次
の動作に影響を及ぼすことが防止され、安定した書き込
み走査を行うことができる。また、素子のヒステリシス
特性により、単純マトリクス構成の二次元光変調アレイ
を矛盾無く、即ち、非選択走査ライン上の画素が、書き
込み走査時に設定されたON/OFF状態を確実に維持
されるように駆動することが可能となる。
動方法は、請求項6又は請求項15記載のアレイ型光変
調素子の駆動方法であって、前記光変調素子は、静電気
力による可撓薄膜の変位動作と、該可撓薄膜の弾性復帰
動作とによって光変調を行い、前記光変調素子に所望の
電圧を印加する書き込み走査を行うことを特徴とする。
光変調素子に所望の電圧を印加する書き込み走査を行う
ことで、ヒステリシス特性を有することなく印加電圧に
対してリニアに動作する素子において、リセット動作に
よらずにアクティブマトリクス構造の各光変調素子を安
定して駆動することができる。
動方法は、請求項6又は請求項15記載のアレイ型光変
調素子の駆動方法であって、前記光変調素子は、静電気
力による可撓薄膜の変位動作と、該可撓薄膜の弾性復帰
動作とによって光変調を行い、前記光変調素子の復帰動
作を行うリセット信号を印加した後に所望の電圧を印加
する書き込み走査を行うことを特徴とする。
リセット信号を印加した後に光変調素子に所望の電圧を
印加する書き込み走査を行うことで、素子のヒステリシ
ス特性によって書き込み走査前の状態が次の動作に影響
を及ぼすことが防止され、安定した書き込み走査を行う
ことができる。また、素子のヒステリシス特性により、
アクティブマトリクス構成の二次元光変調アレイを矛盾
無く、即ち、非選択走査ライン上の画素が、書き込み走
査時に設定されたON/OFF状態を確実に維持される
ように駆動することが可能になる。
調素子、アレイ型露光素子、及び平面型ディスプレイ並
びにアレイ型光変調素子の駆動方法の好適な実施の形態
を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明に係る
アレイ型光変調素子の第一実施形態の断面図、図2は図
1に示したアレイ型光変調素子の動作状態を説明する断
面図である。
外線に対して透明な複数の基板側透明電極23を設けて
ある。基板21上には、それぞれの基板側透明電極23
に対応させて、その近傍に、絶縁性の支柱25を設けて
ある。支柱25の上端には、基板21に平行な可撓薄膜
27の一端を固定してある。可撓薄膜27は、一端を支
柱25に固定することで、片持ち梁状となっている。
9を被着してある。更に、可撓薄膜27には、紫外線に
対して透明な膜側透明電極31を形成してある。この膜
側透明電極31は、基板側透明電極23に対向状態とな
っている。
するものであってもよい。この場合、遮光膜29は、導
電性で紫外線を吸収、又は反射する材料により形成す
る。具体的には、紫外線を反射するアルミ、クロムなど
の金属薄膜、紫外線を吸収するポリシリコンなどの半導
体による単体構成や、シリコン酸化物、シリコン窒化物
などの絶縁膜、ポリシリコンなどの半導体薄膜に金属を
蒸着した構成、又は誘電体多層膜などのフィルターを蒸
着した複合構成とすることができる。
27、遮光膜29、膜側透明電極31は、一つの光変調
部33を構成している。この光変調部33は、基板21
上に、一次元又は二次元に配列される。光変調部33
は、一画素の領域Sを複数に分割したそれぞれの領域m
ごとに設けてある。即ち、一画素は、複数の光変調部3
3によって構成されている。
調部33は、一画素ごとに、基板側透明電極23同士、
及び膜側透明電極31同士が、共通に接続されている。
即ち、一画素内における光変調部33は、同等に動作す
るようになっている。
るアレイ型光変調素子35を、不図示の平面光源上に配
置する。基板側透明電極23と膜側透明電極31との間
に電圧を印加しないときは、可撓薄膜27が基板21と
平行に対向する。従って、図1に示すように、基板側透
明電極23を透過した紫外線は、遮光膜29によって吸
収又は反射される。
31との間に電圧を印加すると、図2に示すように、両
者間に働く静電気応力により、可撓薄膜27が基板21
側に移動し、折り畳まれた状態となる。即ち、遮光膜2
9による光の遮断がなくなる。一画素内の光変調部33
は、基板側透明電極23同士、及び膜側透明電極31同
士が共通に接続されていることから、一画素内で各光変
調部が等しく動作する。これにより基板21、基板側透
明電極23を透過した紫外線は、更に前方に進み、光変
調部33から出射されることとなる。そして、再度電圧
をゼロにすると、可撓薄膜27は弾性力により図1に示
す元の位置に復帰する。
一画素の領域Sを複数の領域mに分割し、それぞれの領
域mに光変調部33を設けている。そして、一画素内に
おけるそれぞれの光変調部33の基板側透明電極23同
士、及び膜側透明電極31同士を共通に接続している。
これにより、個々の光変調部33を小さく形成すること
ができる。
μm×300μmの場合、一画素を縦10分割、横10
分割として100個の光変調部33に分割すると、各光
変調部33のサイズは相対的に10分の1以下に小さく
することが可能となる。
可能になると、以下の種々の効果を得ることができる。
即ち、一画素を複数の領域に分割し、光変調部33をこ
れに応じて小さくしたので、光変調部の設計自由度を高
くできる。上述の例の場合、支柱25の高さを30μm
程度にすることができ、薄膜プロセスが容易となる。支
柱25を形成する場合、成膜後に通常のRIEエッチン
グが十分に可能となる。成膜する厚みが薄くなるので、
スループットが向上し、コストの低減が可能になる。可
撓薄膜27を撓ませるための印加電圧が低くなる。これ
により、駆動回路のコスト低減が可能となる。可撓薄膜
27の必要変位量を小さくできるので、応答時間を短く
でき、しかも、疲労を少なくして寿命を長くすることが
できる。
露光素子の要部に用いることができる。このアレイ型露
光素子は、アレイ型光変調素子35に、不図示の平面光
源を対向配置して構成する。平面光源としては、例えば
紫外線を出射するものを用いる。これにより、平面光源
から出射される紫外線をアレイ型光変調素子35によっ
て光変調し、紫外線感光材料を露光することができる。
感光材料、赤外光感光材料を露光するアレイ型露光素子
の要部に用いることができる。このアレイ型露光素子
は、アレイ型光変調素子35に、不図示の平面光源を対
向配置し、更にアレイ型光変調素子35を挟み平面光源
の反対側に不図示の蛍光体を設ける。このように構成し
たアレイ型露光素子では、アレイ型光変調素子35から
出射される光を蛍光体によって可視光又は赤外光に波長
変換して、可視光感光材料、赤外光感光材料を露光する
ことができる。
面型ディスプレイの要部に用いることができる。この平
面型ディスプレイは、アレイ型光変調素子35に、不図
示の平面光源を対向配置し、更にアレイ型光変調素子3
5を挟み平面光源の反対側に不図示の蛍光体を設ける。
このように構成した平面型ディスプレイでは、アレイ型
光変調素子35から出射される光によって蛍光体を発光
表示させることができる。従って、各画素ごとの光変調
部33に、画像情報に基づく電圧を印加することで、所
望の画像形成が可能となる。
図3は第二実施形態を示す平面図、図4は図3のA−A
断面図、図5は図3に示した光変調部の動作状態を説明
する平面図、図6は図5の断面図、図7は図3に示した
光変調部を一画素の領域に複数形成したアレイ型光変調
素子の平面図である。
対の平行な支柱39を突設してある。一対の支柱39の
間には、支柱39間の距離の略半分の長さの二対の対向
電極41、41を左右の支柱39方向に並べて配設して
ある。一方の対向電極41の間には、基板37を覆う遮
光膜43を形成してある。即ち、基板37は、遮光膜4
3を形成した部分が非開口部45となり、遮光膜43を
形成していない部分が開口部47となる。従って、基板
37を透過する光は、開口部47のみから出射すること
となる。
は、支柱39間の距離の略半分の長さの電極遮光板49
を設けてある。電極遮光板49は、両側を可撓部材(例
えば折れ線バネ)51を介して、左右の支柱39に支持
してある。電極遮光板49は、折れ線バネ51を弾性変
形させることで、平行移動して左右いずれかの対向電極
41、41側に片寄せられるようになっている。
極41、41、電極遮光板49、折れ線バネ51は、光
変調部53を構成している。この光変調部53は、図7
に示すように、基板37上に、例えば二次元に配列され
る。光変調部53は、一画素の領域Sを複数に分割した
それぞれの領域mごとに設けてある。即ち、一画素は、
複数の光変調部53によって構成されている。
調部53は、一画素ごとに、対向電極41、41同士、
及び電極遮光板49同士が、共通に接続されている。即
ち、一画素内における各光変調部53は、同等に動作す
るようになっている。
るアレイ型光変調素子55を、不図示の平面光源上に配
置する。そして、電極遮光板49に電圧ゼロを印加し、
開口部47側の対向電極41のみに電圧を印加すると、
静電気応力によって電極遮光板49は、図5(a)、図
6(a)に示すように、開口部47側へ移動する。これ
により、開口部47を通過しようとする光は、電極遮光
板49によって遮光されることとなる。
し、開口部47側の対向電極41のみに電圧を印加する
と、静電気応力によって電極遮光板49は、図5
(b)、図6(b)に示すように、遮光膜43側へ移動
する。これにより、開口部47を通過した光は、光変調
部53から出射することとなる。一画素内の光変調部5
3は、対向電極41、41同士、及び電極遮光板49同
士が共通に接続されていることから、一画素内で各光変
調部53が等しく動作する。そして、再度電圧をゼロに
すると、電極遮光板49は、折れ線バネ51の弾性力及
び静電気応力により元の位置に復帰する。
一画素の領域Sを複数の領域mに分割し、それぞれの領
域mに光変調部53を設けている。そして、一画素内に
おけるそれぞれの光変調部53の対向電極41、41同
士、及び電極遮光板49同士を共通に接続している。こ
れにより、個々の光変調部53を小さく形成することが
できる。
と同様な以下の効果を得ることができる。即ち、 (1)薄膜プロセスが容易となる。 (2)通常のRIEエッチングが可能となる。 (3)成膜する厚みが薄くなり、コストの低減が可能にな
る。 (4)印加する電圧が低くなり、駆動回路のコスト低減が
可能となる。 (5)応答時間を短くでき、しかも、寿命を長くすること
ができる。
述のアレイ型光変調素子35の場合と同様にして、アレ
イ型露光素子、平面型ディスプレイを構成することがで
きるものである。
図8は第三実施形態を示す平面図、図9は図8のB−B
断面図、図10は図8のC−C断面図、図11は図8に
示した露光素子の動作状態を説明する断面図である。
電体多層膜ミラー59を設けてある。基板57上には、
誘電体多層膜ミラー59を挟んで両側に一方の電極61
を一対設けてある。基板57上には、電極61の左右側
(図8の左右側)に支柱63を設けてある。支柱63の
上端面には、可撓薄膜であるダイヤフラム65を設けて
ある。ダイヤフラム65の下面には、誘電体多層膜ミラ
ー67を設けてある。誘電体多層膜ミラー59と誘電体
多層膜ミラー67との間には、空隙69が形成されてい
る。ダイヤフラム65の表面には、電極61と対向する
ように、他方の電極71を一対設けてある。なお、図1
0中の、73はスペーサである。
参照)の上方に設けられる。平面光源75の側面には例
えば不図示のブラックライト用紫外線ランプ(低圧水銀
ランプ)を配設してある。平面光源75は、ブラックラ
イト用低圧水銀ランプからの紫外線を側面から取り入れ
て、表面(図11の上面)から出射する。
7、支柱63、ダイヤフラム65、電極61、71は、
光変調部79を構成している。
るアレイ型光変調素子81において、電圧OFFのとき
の空隙69の間隔をtoffとする(図11の左側の状
態)。また電圧を印加したとき静電気力により空隙69
の間隔が短くなるがこれをtonとする(図11の右側の
状態)。
する。 ton=1/2×λ0=180nm (λ0:紫外線の中心
波長) toff=3/4×λ0=270nm
60nm付近に中心波長λ0を持つ分光特性を有してい
る。
光強度反射率をR=0.85とする。更に、空隙69は
空気又は希ガスとし、その屈折率はn=1とする。紫外
線は、コリメートされているので光変調部79に入射す
る入射角i(面の垂線と入射光線とのなす角)は、略ゼ
ロである。光変調部79の光強度透過率は、toff時に
270nm近傍でピークとなり、ton時に360nm近
傍でピークとなる。一方、平面光源75からの紫外線
は、360nm付近に中心波長λ0を持つ。従って、図
11(a)に示すように、電圧を印加しないときはtof
f=270nmとなり、紫外線はほとんど透過しない。
また、図11(b)に示すように、電圧を印加してton
=180nmとなると、紫外線は透過する。
型光変調素子81は、ダイヤフラム65を撓ませること
により、多層膜干渉効果を発生させて、紫外線の光変調
を行うことができる。以上がアレイ型光変調素子81の
光変調部79による基本動作である。以上の第一〜第三
実施形態に示す光変調部以外の構成、原理であっても、
趣旨が同一であって、可撓薄膜を静電気力により変形さ
せ、光の透過率を変化させるアレイ型光変調素子であれ
ば、同様にして適用可能である。
方法を説明する。駆動方法の説明に先立ち、先ずダイヤ
フラム65の印加電圧と光透過率との特性を説明する。
図12は印加電圧と光透過率との特性を示したヒステリ
ス線図である。可撓薄膜であるダイヤフラム65を静電
気応力によって変形及び弾性復帰させる場合、印加電圧
Vgsと、ダイヤフラム65の変位との関係は、ヒステリ
ス特性を示す。従って、印加電圧Vgsと、光透過率Tと
の関係も、図12に示すようなヒステリス特性を示す。
遮蔽)状態の光変調部79は、VgsがVth(L) 以下では
OFF状態を維持する。一方、VgsがVs (H) 以上にな
ると、光変調部79は、ON(光透過)状態に飽和す
る。その後、光変調部79は、VgsがVth(H) 以上であ
るときはON状態を維持したままとなる。そして、Vgs
がVs (L) 以下になると、光変調部79は、OFF状態
に飽和する。即ち、光変調部79は、VgsがVth(H) と
Vth(L) との範囲であれば、Vgsの履歴によって、T
(0N)、T(OFF)の二つの状態を得ることができ
る。なお、Vgsの極性が負の場合には、上述と縦軸対象
の特性になる。
たアレイ型光変調素子の平面図である。この実施形態で
は、例えば2行2列のマトリクスの各交点Tr(1,1)、T
r(1,2)、Tr(2,1)、Tr(2,2)に光変調部79を配置し、
アレイ型光変調素子81を構成してある。各光変調部7
9は、一画素の領域に対応させてある。
れの電極71は、共通に接続して走査電極としてある。
この走査電極には電位Vg が印加される。また、同じ列
に配列された光変調部79のそれぞれの電極61は、共
通に接続して信号電極としてある。この信号電極には電
位Vb が印加される。従って、各光変調部79に印加さ
れる電極61、71間の電圧Vgsは(Vb −Vg )とな
る。
走査信号に従って、行順次に電極71を走査し、これと
同期させ、走査された電極71に対応するデータ信号を
電極61に印加する。
択信号、非選択信号の三種類の信号(電圧)が与えられ
る。リセット信号は、光変調部79の以前の状態に拘わ
らず、その行の光変調部79をOFF(光遮蔽)にす
る。この時の走査電極の電圧をVg(r)とする。
めの信号である。この信号と同時に、信号電極に印加さ
れた電圧に従い、光変調部79の状態がON(光透過)
又はOFF(光遮蔽)に決定される。この時の走査電極
の電圧をVg(s)とする。
号である。この時、信号電極の電圧に拘わることなく光
変調部79の状態は変わらず、前の状態が維持される。
この時の走査電極の電圧をVg(ns) とする。
号の二種類の信号(電圧)が与えられる。ON信号は、
選択された行の光変調部79に対し、光変調部79の状
態をON(光透過)にする。この時の信号電極の電圧を
Vb(on) とする。
9に対し、光変調部79の状態をOFF(光遮蔽)にす
る。但し、実際には、直前で光変調部79がリセットさ
れることを想定しているので、光変調部79の状態をO
FF(光遮蔽)にする場合は、前の状態(OFF状態)
を維持する信号でよい。この時の信号電極の電圧をVb
(off)とする。
合わせにより、光変調部79の電極間電圧Vgsは、以下
の6種類の電圧に分けられる。また、電極間電圧Vgsと
透過率の特性により、特定の条件が与えられることにな
る。
おりになる。図14は走査電極電圧Vg 及び信号電極電
圧Vb の組み合わせと、光変調部の電極間電圧Vgs(V
b −Vg )との関係を示した説明図である。例えば、走
査電極電圧Vg がリセットVg(r)で、信号電極電圧Vb
がON即ちVb(on) の場合には、Vs(H)より大きい値の
信号電極電圧Vb (図中太実線83)から、Vs(H)とV
th(L) との間の値の走査電極電圧Vg (図中太実線8
5)が減算され、その値(図中太実線87)がVs(L)よ
り小さくなる。即ち、 Vgs(r-on)≦Vs(L) となる。その他同様にして、6種類の電圧が定まること
になる。
との関係を利用して、光変調部79を二次元に配置した
マトリクスにデータを書き込む方法を説明する。図15
はマトリクス状に配置した各光変調部に異なる波形の電
圧を印加してデータを書き込む方法の説明図である。
2列のマトリクスを用いてデータの書き込みを行う。マ
トリクスの各光変調部79には、以下のON、OFFデ
ータを書き込むものとする。 Tr(1,1) → ON Tr(1,2) → OFF Tr(2,1) → OFF Tr(2,2) → ON
の電圧を印加する。例えば、1行目Vg(1)には、 t1:リセット電圧 t2:選択電圧 t3:非選択電圧 t4:非選択電圧 を印加する。1列目Vb(1)には、 t1:don't care t2:ON電圧 t3:OFF電圧 t4:don't care を印加する。これにより、各光変調部79に所望のデー
タが行順次で書き込まれる。
スTr(1,1)の場合では、Vgs:Vb(1)−Vg(1)であるか
ら、 t1:リセット電圧(OFF) t2:ON t3=状態維持 t4=状態維持となる。
(メモリー)され、その結果、マトリクスTr(1,1)は光
変調部79が「ON」の状態となる。その他、同様にし
て、他のマトリクスTr(1,2)は「OFF」、Tr(2,1)は
「OFF」、Tr(2,2)は「ON」の状態となる。
後に、該素子の変位動作又は状態維持を選択する書き込
み走査を行うことで、素子のヒステリシス特性により書
き込み走査前の状態が次の動作に影響を及ぼすことが防
止され、安定した書き込み走査を行うことができる。ま
た、素子のヒステリシス特性により、単純マトリクス構
成の二次元光変調アレイを矛盾無く駆動することが可能
である。なお、ここでいう矛盾無くとは、書き込み選択
走査ライン上の画素にはONかOFFかが決定され、非
選択走査ライン上の画素は選択時に書き込まれた状態を
維持することを意味する。
説明する。図16は、第三実施形態の変形例1を示す単
純マトリクスの平面図である。この変形例では、一画素
の領域Sを、縦三つ、横三つの合計九つの領域mに分割
してある。それぞれの領域mには、光変調部79を設け
てある。一画素内の各光変調部79は、一画素に接続し
た異なる三つの走査電極Vg(1)a 、Vg(1)b 、Vg(1)c
と、異なる三つの信号電極Vb(1)a 、Vb(1)b 、Vb(1)
c のそれぞれに接続されている。
9は、これらの走査電極と信号電極とに、上述したよう
な電圧を印加することで、独立して動作するようになっ
ている。
は、各光変調部79を小さく形成できるので、薄膜プロ
セスが容易となる。可撓薄膜27を撓ませるために印加
する電圧が低くなる。可撓薄膜27の必要変位量を小さ
くできるので、応答時間を短くできる。
79を用いた場合であっても、一画素の面積を分割する
ことにより、一画素で九種類の階調を得ることができ
る。
に、他の階調方式(例えば、フィールド内時間分割階
調)を組み合わせることで、更なる多階調化を図るもの
であってもよい。また、3値以上のモードであれば、面
積と各光変調部毎の重みづけ階調などの多階調化も可能
となる。
述のアレイ型光変調素子35の場合と同様にして、アレ
イ型露光素子、平面型ディスプレイを構成することがで
きるものである。
図17は第四実施形態を示す平面図である。この実施形
態によるアレイ型光変調素子101は、一画素の領域S
を異なった面積の複数の領域m1、m2、m3に分割し
てある。領域m1、m2、m3の面積比は、1:2:4
となっている。それぞれの領域m1、m2、m3には、
その面積に対応した光変調部103a、103b、10
3cを設けてある。これらの光変調部103a、103
b、103cの走査電極部には、共通の走査電圧Vg(1)
を印加する。一方、信号電極部には、光変調部103
a、103b、103cに対応させて異なる信号電圧V
b(1)a 、Vb(1)b 、Vb(1)c を印加するようになってい
る。
よれば、各光変調部103a、103b、103cのO
N、OFF動作を組み合わせることにより、一画素の透
過光量が異なるものとなる。この結果、各光変調部が2
値に状態変化する場合であっても、その組み合わせによ
って、表1に示す8階調の透過光量を得ることができ
る。
上述のアレイ型光変調素子35の場合と同様にして、ア
レイ型露光素子、平面型ディスプレイを構成することが
できるものである。
図18は第五実施形態の画素部の等価回路図である。こ
の実施形態によるアレイ型光変調素子111は、一画素
の領域Sを複数に分割したそれぞれの領域mごとに、光
変調部113を設けてある。また、一画素に対応させて
能動素子(例えばTFT)115を設けてある。能動素
子115は、ゲート電極117、ドレイン電極119、
ソース電極121を有する。
ライン123を接続してある。ドレイン電極119に
は、列ごとの画像信号ライン125を接続してある。ソ
ース電極121には、各光変調部113の一方の対向電
極が共通に接続してある。また、各光変調部113の他
方の対向電極には、共通電極127を接続してある。
一つの能動素子115によって、一画素内の複数の光変
調部113が共通に制御可能になっている。
111では、ゲート電極117に接続された走査信号ラ
イン123に、能動素子115を導通させる電圧が印加
される。そして、ドレイン電極119に接続された画像
信号ライン125に所望の画像信号が印加されると、ド
レイン電極119とソース電極121とが導通する。従
って、画像信号が光変調部113の一方の対向電極に印
加されることになる。これにより、一方の対向電極と、
共通電極127に接続された他方の対向電極との電圧に
より、各光変調部113が一画素ごとに共通に動作す
る。
他の行の走査のために、能動素子115が非導通となっ
ても光変調部113の状態を維持することができる。従
って、各光変調部113を一画素ごとに共通に動作させ
る、アクティブマトリクス駆動が可能となる。
上述のアレイ型光変調素子35の場合と同様にして、ア
レイ型露光素子、平面型ディスプレイを構成することが
できるものである。
図19は第六実施形態の画素部の等価回路図である。こ
の実施形態によるアレイ型光変調素子131は、一画素
の領域Sを複数に分割したそれぞれの領域mごとに、光
変調部133を設けてある。一画素には、各光変調部1
33に対応させて複数の能動素子115を設けてある。
は、行ごとの走査信号ライン123を共通に接続してあ
る。一方、各能動素子115のドレイン電極119に
は、異なる画像信号ライン125a、125b、125
cを接続してある。各能動素子115のソース電極12
1には、各光変調部133の一方の対向電極を接続して
ある。また、各光変調部133の他方の対向電極には、
共通電極127を接続してある。
一つの画素が、複数の能動素子115と、各能動素子1
15に接続された光変調部133とによって制御可能に
なっている。
131では、ドレイン電極119に接続された異なる画
像信号ライン125a、125b、125cに所望の画
像信号が印加される。これにより、一方の対向電極と、
共通電極127に接続された他方の対向電極との電圧に
より、各光変調部133が一画素内で異なって動作す
る。
能動素子115を用いたアクティブマトリクス駆動にお
いて、一つの画素内で分割された複数の光変調部133
をそれぞれ個別に駆動することができる。この結果、各
光変調部133を駆動する組み合わせを変えることによ
り、一画素で複数階調の透過光量を得ることができる。
上述のアレイ型光変調素子35の場合と同様にして、ア
レイ型露光素子、平面型ディスプレイを構成することが
できるものである。
り、アレイ型光変調素子131をアクティブマトリクス
駆動する方法を以下に説明する。
ステリシス特性を有しない場合にアクティブマトリクス
駆動する方法を説明する。図20は2行2列に配列した
半導体アクティブマトリクスの等価回路図、図21は半
導体アクティブマトリクスの各光変調部に異なる波形の
電圧を印加してデータを書き込む方法の説明図である。
尚、光変調素子の印加電圧Vgsと光透過率Tの特性は、
上述の図12で説明した特性と同じものとする。
に、以下の電位を書き込む具体的な駆動方法を説明す
る。 Tr(1,1)=ON Tr(1,2)=OFF Tr(2,1)=OFF Tr(2,2)=ON
はTr(2,1)、Tr(2,2)の画素電極87は、共通の走査信
号ライン91に接続してある。この走査信号ライン91
には、電位Vg が印加される。また、同じ列に配列した
Tr(1,1)、Tr(2,1)、又はTr(1,2)、Tr(2,2)の画素電
極は、共通の画像信号ライン89に接続してある。この
画像信号ラインには、電位Vb が印加される。
素子を駆動するには、走査信号に従って、行順次にTr
(1,1)、Tr(1,2)、又はTr(2,1)、Tr(2,2)の画素電極
を走査し、これと同期させ、走査された画素電極に対応
するデータ信号を列に配列したTr(1,1)、Tr(2,1)、又
はTr(1,2)、Tr(2,2)の画素電極に印加する。
の電圧を印加する。例えば、1行目Vg(1)には、 t1:走査ON(導通)電圧 t2:走査OFF(非導通)電圧 を印加する。
で電位がVs(H)となり、その結果、画素の状態がONと
なり、t2以降はON状態が保持される。Tr(1,2)の電
位Vgsは、t1で電位がVs(L)となり、その結果、画素
の状態がOFFとなり、t2以降は保持される。Tr(2,
1)の電位Vgsは、t1で電位がVs(L)となり、その結
果、画素の状態がOFFとなり、t2以降は保持され
る。Tr(2,2)の電位Vgsは、t1で電位がVs(H)とな
り、その結果、画素の状態がONとなり、t2以降はO
N状態が保持される。これにより、図20で意図した書
き込み動作が予定通り実行されたことになる。
ON(導通)にし、それと同期させてデータ信号電極か
らON(透過)又はOFF(遮光)の電位を印加する。
その後、走査ゲート電極をOFF(非導通)にしても、
光変調素子が容量性の場合、画素電極の電位は保持され
ることとなる。
レイ型光変調素子131が、図12に示すヒステリシス
特性を有する場合にアクティブマトリクス駆動する方法
を以下に説明する。
画素に対し、以下の2値のデータを書き込む場合のアク
ティブマトリクス構成の駆動について説明する。 Tr(1,1)=ON Tr(1,2)=OFF Tr(2,1)=OFF Tr(2,2)=ON 図22は図20に示すアクティブマトリクス構成の駆動
電圧Vg、Vbを示す図である。
に、 1行目Vg t1:走査ON (導通) t2:走査OFF(非導通) 2行目Vg t1:走査OFF(非導通) t2:走査ON (導通) 1列目Vb t1の前半:Tr(1,1)へリセット(遮光)電圧印加 t1の後半:Tr(1,1)へON (透過)電圧印加 t2の前半:Tr(2,1)へリセット(遮光)電圧印加 t2の後半:Tr(2,1)へOFF (遮光)電圧印加 2列目Vb t1の前半:Tr(1,2)へリセット(遮光)電圧印加 t1の後半:Tr(1,2)へOFF (遮光)電圧印加 t2の前半:Tr(2,2)へリセット(遮光)電圧印加 t2の後半:Tr(2,2)へON (透過)電圧印加 となる。
−onによりON(導通)にし、それと同期させてデー
タ信号電極からON(透過)又はOFF(遮光)の電位
を供給する。その後、走査ゲート電極をOFF(非導
通)にしても、画素電位の電位は保持される。
Tr(1,1)は「ON」、Tr(1,2)は「OFF」、Tr(2,1)は
「OFF」、Tr(2,2)は「ON」となる。これにより、
光変調素子がヒステリシス特性を有していても、図20
で意図した書き込み動作を矛盾無く予定通り実行するこ
とができる。。
各々独立で走査する駆動方法としても同様にしてアクテ
ィブマトリクス駆動を行うことができる。以上説明した
アクティブマトリクス駆動では、書き込み走査時に所定
の一定レベルの電圧を印加することで「ON」,「OF
F」の二値を制御しているが、これに限らず、印加電圧
を任意のレベルの電圧に設定して多階調制御する駆動方
法としても良い。
るアレイ型光変調素子、アレイ型露光素子、及び平面型
ディスプレイは、一画素を複数に分割したそれぞれの領
域に、光変調部を設けた。このため、光変調部の小サイ
ズ化が可能になり、光変調部の設計自由度を高くでき
る。例えば、支柱の高さを低くすることができ、薄膜プ
ロセスが容易となる。また、可撓薄膜の必要変位量を小
さくできるので、応答時間が短くなり、高速化が可能と
なる。
及び平面型ディスプレイのアレイ型光変調素子に対する
駆動方法は、一画素を複数に分割したそれぞれの領域
に、光変調部を設け、各光変調部を異なるように動作さ
せる。このため、各光変調部が2値のモードであって
も、一画素単位での多階調制御を可能にできる。
セット走査の後に、該素子の変位動作又は状態維持を選
択する書き込み走査を行う。このため、光変調素子がヒ
ステリシス特性を有していても、光変調素子を矛盾無く
安定して駆動することができる。
態の断面図である。
説明する断面図である。
面図である。
成したアレイ型光変調素子の平面図である。
断面図である。
リス線図である。
光変調素子の平面図である。
と、光変調部の電極間電圧との関係を示した説明図であ
る。
波形の電圧を印加してデータを書き込む方法の説明図で
ある。
スの平面図である。
価回路図である。
波形の電圧を印加してデータを書き込む方法の説明図で
ある。
る電圧の波形を示す図である。
印加される電圧の波形を示す図である。
ある。
13、133 光変調部 35、55、81、91、101、111、131 ア
レイ型光変調素子 75 平面光源 115 能動素子
Claims (18)
- 【請求項1】 可撓薄膜を有する光変調部を一次元又は
二次元に配列し、前記可撓薄膜を静電気応力によって変
形させ、光の透過率を変化させるアレイ型光変調素子に
おいて、 一画素を複数に分割したそれぞれの領域に、前記光変調
部を設けたことを特徴とするアレイ型光変調素子。 - 【請求項2】 前記一画素のそれぞれの領域に設けられ
た複数の前記光変調部が共通の電極で接続され、一画素
内での各光変調部の動作が等しいことを特徴とする請求
項1記載のアレイ型光変調素子。 - 【請求項3】 前記一画素のそれぞれの領域に設けられ
た複数の前記光変調部が異なる電極で接続され、一画素
内での各光変調部の動作が異なることを特徴とする請求
項1記載のアレイ型光変調素子。 - 【請求項4】 前記一画素を異なる面積の領域に分割し
たことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項
記載のアレイ型光変調素子。 - 【請求項5】 各画素を、単純マトリクス構造で配列し
たことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項
記載のアレイ型光変調素子。 - 【請求項6】 各画素を、能動素子の付加されたアクテ
ィブマトリクス構造で配列したことを特徴とする請求項
1〜請求項4のいずれか1項記載のアレイ型光変調素
子。 - 【請求項7】 請求項1〜請求項6のいずれか1項記載
の前記アレイ型光変調素子と、該アレイ型光変調素子に
対向配置した平面光源とを具備し、該平面光源から出射
される光を前記アレイ型光変調素子によって光変調する
ことを特徴とするアレイ型露光素子。 - 【請求項8】 請求項1〜請求項6のいずれか1項記載
の前記アレイ型光変調素子と、該アレイ型光変調素子に
対向配置した平面光源と、前記アレイ型光変調素子を挟
み該平面光源の反対側に設けた蛍光体とを具備し、前記
アレイ型光変調素子から出射される光を前記蛍光体によ
って可視光又は赤外光に波長変換することを特徴とする
アレイ型露光素子。 - 【請求項9】 前記平面光源が、紫外線出射光源である
ことを特徴とする請求項7又は請求項8記載のアレイ型
露光素子。 - 【請求項10】 請求項1〜請求項6のいずれか1項記
載の前記アレイ型光変調素子と、該アレイ型光変調素子
に対向配置した平面光源と、前記アレイ型光変調素子を
挟み該平面光源の反対側に設けた蛍光体とを具備し、前
記アレイ型光変調素子から出射される光によって前記蛍
光体を発光表示させることを特徴とする平面型ディスプ
レイ。 - 【請求項11】 前記平面光源が、紫外線出射光源であ
ることを特徴とする請求項10記載の平面型ディスプレ
イ。 - 【請求項12】 請求項1〜請求項11のいずれか1項
記載のアレイ型光変調素子の駆動方法において、 一画素を複数に分割したそれぞれの領域に、前記光変調
部を設け、複数の該光変調部を異なる電極で接続し、各
光変調部を異なるように動作させ、一画素単位の透過光
量を変えて階調制御を行うことを特徴とするアレイ型光
変調素子の駆動方法。 - 【請求項13】 前記一画素を異なる面積の領域に分割
して駆動することを特徴とする請求項12記載のアレイ
型光変調素子の駆動方法。 - 【請求項14】 前記光変調部が、単純マトリクス駆動
されることを特徴とする請求項12又は請求項13記載
のアレイ型光変調素子の駆動方法。 - 【請求項15】 前記光変調部が、アクティブマトリク
ス駆動されることを特徴とする請求項12又は請求項1
3記載のアレイ型光変調素子の駆動方法。 - 【請求項16】 請求項1〜請求項15のいずれか1項
記載のアレイ型光変調素子の駆動方法であって、 前記光変調素子は、静電気力による可撓薄膜の変位動作
と、該可撓薄膜の弾性復帰動作とによって光変調を行
い、前記光変調素子の弾性復帰動作を行うリセット走査
の後に、変位動作又は状態維持を選択する書き込み走査
を行うことを特徴とするアレイ型光変調素子の駆動方
法。 - 【請求項17】 請求項6又は請求項15記載のアレイ
型光変調素子の駆動方法であって、 前記光変調素子は、静電気力による可撓薄膜の変位動作
と、該可撓薄膜の弾性復帰動作とによって光変調を行
い、前記光変調素子に所望の電圧を印加する書き込み走
査を行うことを特徴とするアレイ型光変調素子の駆動方
法。 - 【請求項18】 請求項6又は請求項15記載のアレイ
型光変調素子の駆動方法であって、 前記光変調素子は、静電気力による可撓薄膜の変位動作
と、該可撓薄膜の弾性復帰動作とによって光変調を行
い、前記光変調素子の復帰動作を行うリセット信号を印
加した後に所望の電圧を印加する書き込み走査を行うこ
とを特徴とするアレイ型光変調素子の駆動方法。
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