JP2000026989A - Production of gold-tin foil - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はＡｕ−Ｓｎ箔の製造
方法に関し、更に詳しくは、極めて薄いＡｕ−Ｓｎ箔を
大量にかつ効率的に、したがって安価に製造する方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an Au--Sn foil, and more particularly to a method for producing a very thin Au--Sn foil in a large amount, efficiently, and inexpensively.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、ＧａＡｓ素子は、携帯電話やＢ
Ｓチューナーのような高周波通信器の電子デバイスとし
て使用されているが、それら電子デバイスを製造する場
合には、所定のプリント回路基板にＧａＡｓ素子が表面
実装され、両者を回路的に接合するためにろう材が使用
される。2. Description of the Related Art For example, a GaAs device is used for a mobile phone or a B
It is used as an electronic device of a high-frequency communication device such as an S tuner. In the case of manufacturing such an electronic device, a GaAs element is surface-mounted on a predetermined printed circuit board. Brazing material is used.
【０００３】表面実装に際しては、まず、ＧａＡｓ素子
の表面に存在する複数の接合個所のそれぞれの位置にろ
う材チップを置いたのち、全体にリフロー処理を施して
前記ろう材チップをＧａＡｓ素子の接合個所に融着す
る。そして、得られたＧａＡｓ素子を所定のプリント回
路基板の上に載置したのち再びリフロー処理を施して、
ろう材チップをプリント回路基板に融着することによ
り、ＧａＡｓ素子を基板表面に実装する。At the time of surface mounting, first, a brazing filler metal chip is placed at each of a plurality of bonding locations existing on the surface of a GaAs element, and then the whole brazing material chip is subjected to a reflow treatment to bond the brazing filler metal chip to the GaAs element. We fuse in place. Then, after the obtained GaAs element is mounted on a predetermined printed circuit board, reflow processing is performed again,
The GaAs element is mounted on the surface of the substrate by fusing the brazing material chip to the printed circuit board.
【０００４】このときのろう材としては、基板との接合
強度が大きく、また導通性も良好であり、更には、リフ
ロー処理時に、ＧａＡｓ素子を熱劣化させる温度（約３
４０℃）よりも低い温度で溶融するということから、最
近では、Ｓｎ：１８〜２５重量％，Ａｕ：７５〜８２重
量％の組成を有し、融点が２８７〜３２０℃であるＡｕ
−Ｓｎ合金の箔が使用されている。At this time, the brazing material has a large bonding strength with the substrate and good conductivity, and further has a temperature (about 3 ° C.) at which the GaAs element is thermally degraded during the reflow treatment.
(40 ° C.), Au has a composition of 18-25% by weight of Sn and 75-82% by weight of Au, and has a melting point of 287-320 ° C. recently.
-A Sn alloy foil is used.
【０００５】上記したＡｕ−Ｓｎ合金箔は、一般に、次
のようにして製造されている。[0005] The above-mentioned Au-Sn alloy foil is generally manufactured as follows.
【０００６】まず、例えば真空溶解炉を用いて所望する
組成のＡｕ−Ｓｎ合金が溶製され、その溶湯を冷却して
インゴットが調製される。ついで、そのインゴットを例
えばロール圧延して所定の厚みを有する箔にする。その
後、前記合金箔に、例えば打抜き加工を行って、所望す
る平面形状のチップにする。First, an Au—Sn alloy having a desired composition is melted using, for example, a vacuum melting furnace, and the molten metal is cooled to prepare an ingot. Next, the ingot is rolled, for example, to form a foil having a predetermined thickness. Thereafter, the alloy foil is subjected to, for example, a punching process to obtain a chip having a desired planar shape.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＡｕ−Ｓｎ合金箔のろう材には次のような問題があ
る。However, the above-mentioned brazing material of the Au-Sn alloy foil has the following problems.
【０００８】まず、ろう材の厚みを、素子と基板の接合
にとって必要不可欠な程度にまで薄くすることが困難で
あるという問題である。First, it is difficult to reduce the thickness of the brazing material to a level indispensable for bonding the element and the substrate.
【０００９】一般に、リフロー処理の過程でろう材の箔
は軟化または溶融する。そのため、最初のリフロー処理
でろう材が融着されているＧａＡｓ素子を基板上に載置
して２度目のリフロー処理を行ったときに、ろう材の箔
の上に位置するＧａＡｓ素子の自重により、当該箔は、
横方向に流出し、接合後にあっては、本来の接合部の周
囲にもろう材の流出膜が形成される。Generally, the brazing foil is softened or melted during the reflow process. Therefore, when the GaAs element to which the brazing material has been fused in the first reflow processing is mounted on the substrate and the second reflow processing is performed, the GaAs element positioned on the brazing material foil has its own weight. , The foil
After flowing out in the lateral direction and after joining, an outflow film of the brazing material is also formed around the original joint.
【００１０】ろう材の箔の厚みが厚くなると、横方向へ
の流出量も多くなって、前記した流出膜の面積も大きく
なる。すなわち、接合にとって無駄な部分が広くなって
しまうのである。As the thickness of the brazing material foil increases, the amount of outflow in the lateral direction increases, and the area of the outflow film increases. That is, a useless portion for joining is widened.
【００１１】このような問題を解消するためには、箔の
厚みを薄くして無駄なろう材の流出量を減少させればよ
い。In order to solve such a problem, the thickness of the foil may be reduced to reduce the amount of waste brazing material.
【００１２】しかしながら、従来から使用されているＡ
ｕ−Ｓｎ合金の箔は、ロール圧延で製造されているの
で、その厚みを３０μｍより薄くすることが事実上不可
能である。そのため、リフロー処理の過程における上記
流出量は可成りな量になり、省資源の点でもその改善が
望まれている。However, the conventionally used A
Since the foil of the u-Sn alloy is manufactured by roll rolling, it is practically impossible to make the thickness less than 30 μm. Therefore, the outflow amount in the process of the reflow process becomes a considerable amount, and improvement in resource saving is desired.
【００１３】また、前記した打ち抜き加工時には、必
ず、そのままでは実使用できない打ち抜き残が発生す
る。したがって、ろう材製造時の歩留まりはそれ程高く
ない。この打ち抜き残は、再溶解して再び箔にすること
により再使用することができる。しかしながら、このこ
とは、再び熱エネルギーを投入することであり、結局
は、Ａｕ−Ｓｎ合金箔の製造コストを高めることにな
る。[0013] In the above-mentioned punching process, there remains a punching residue that cannot be used as it is. Therefore, the yield at the time of brazing material production is not so high. This punching residue can be reused by redissolving it into a foil again. However, this means that thermal energy is input again, which ultimately increases the production cost of the Au—Sn alloy foil.
【００１４】本発明は、従来のＡｕ−Ｓｎ合金箔のろう
材とその製造時における上記した問題を解決し、電気め
っき法で製造されるのでその厚みを自由に調整すること
ができ、その接合特性は従来のＡｕ−Ｓｎ合金箔の場合
と同等であるＡｕ−Ｓｎ箔を極めて効率的に高い歩留ま
りで製造する方法の提供を目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems in the conventional brazing material of Au-Sn alloy foil and the production thereof, and since it is produced by an electroplating method, its thickness can be freely adjusted, and its joining can be performed. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an Au-Sn foil having characteristics similar to those of a conventional Au-Sn alloy foil with extremely high yield.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、導電板の表面に所望する平
面パターンでマスク層を形成する工程；前記導電板の露
出表面に電気めっき法でＡｕ−Ｓｎめっきを行う工程；
および得られたＡｕ−Ｓｎめっき層を前記導電板から剥
離する工程；を備えていることを特徴とするＡｕ−Ｓｎ
箔の製造方法が提供される。In order to achieve the above object, the present invention provides a method of forming a mask layer on a surface of a conductive plate in a desired flat pattern; Carrying out Au-Sn plating in step;
And a step of peeling off the obtained Au-Sn plating layer from the conductive plate.
A method for manufacturing a foil is provided.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】本発明では、電気めっき法でＡｕ
−Ｓｎ箔が製造される。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, Au is used for electroplating.
-A Sn foil is produced.
【００１７】本発明方法で製造されたＡｕ−Ｓｎ箔は、
成分的にはＡｕとＳｎから成り、その金属組織は非晶質
構造が主体になっている。具体的には、ＡｕやＳｎの大
半は、それぞれ、所定の結晶構造をとらずに非晶質また
は微晶質の状態で存在し、それらの集合体が互いに混合
した状態で存在している。一部のＡｕ，Ｓｎはそれぞれ
所定の結晶構造をとって存在し、またＡｕ−Ｓｎ，Ａｕ
−Ｓｎ2，Ａｕ−Ｓｎ4などの合金が形成されていること
もあるが、これらの生成量は微量であり、そのため、箔
に例えばＸ線回折を行った場合、そのプロファイルに明
瞭な回折像は認められず、全体として非晶質構造として
認識される。The Au—Sn foil produced by the method of the present invention comprises:
It is composed of Au and Sn in composition, and its metal structure mainly has an amorphous structure. Specifically, most of Au and Sn each exist in an amorphous or microcrystalline state without taking a predetermined crystal structure, and exist in a state where their aggregates are mixed with each other. Some Au and Sn exist in a predetermined crystal structure, respectively, and Au-Sn and Au
Although alloys such as -Sn 2 and Au-Sn 4 may be formed, the amount of these formed is very small. Therefore, when the foil is subjected to, for example, X-ray diffraction, a clear diffraction image is obtained in its profile. Is not recognized and is recognized as an amorphous structure as a whole.
【００１８】このように、本発明方法で得られたＡｕ−
Ｓｎ箔は、その組織が非晶質構造を主体としているとい
うことが、従来から使用されている前記した圧延で製造
されたＡｕ−Ｓｎ合金箔と決定的に異なるところであ
る。As described above, the Au- obtained by the method of the present invention.
The fact that the structure of the Sn foil is mainly composed of an amorphous structure is crucially different from the conventionally used Au—Sn alloy foil produced by the above-mentioned rolling.
【００１９】本発明の製造方法を図面に則して説明す
る。The manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２０】図１の平面図，図１のII−II線に沿う断面
図である図２に示したように、まず、導電板１の表面に
所望する平面パターン（図では格子パターン）のマスク
層２を形成する。このマスク層２は通常樹脂レジストか
ら成り、半導体製造の分野で常用されているホトリソグ
ラフィーとエッチング技術を組み合わせて容易に形成す
ることができる。As shown in FIG. 1 which is a plan view of FIG. 1 and a sectional view taken along line II-II of FIG. 1, first, a mask of a desired plane pattern (a lattice pattern in the figure) is formed on the surface of the conductive plate 1. The layer 2 is formed. The mask layer 2 is usually made of a resin resist, and can be easily formed by combining photolithography and etching techniques commonly used in the field of semiconductor manufacturing.
【００２１】このマスク層２の平面パターンを変化させ
ることにより、導電板１の表面１ａには、平面形状が四
角形，円形，ドーナッツ形状などの任意の形状の凹み３
が形成される。また、マスク層２の厚みを変化させるこ
とにより、前記凹み３の深さが適宜に設定される。By changing the plane pattern of the mask layer 2, the surface 1 a of the conductive plate 1 has a recess 3 of an arbitrary shape such as a square, a circle, or a donut.
Is formed. In addition, by changing the thickness of the mask layer 2, the depth of the recess 3 is appropriately set.
【００２２】ここで、導電板１としては、その表面１ａ
が導電性を備えているものであれば何であってもよい
が、入手しやすく価格の点などから例えばステンレス鋼
板は好適である。このとき、導電板１としては、後述す
るＡｕ−Ｓｎめっき層の剥離工程の関係からすると、表
面１ａが鏡面研磨されており、また適当な可撓性を備え
ていることが好ましい。Here, the conductive plate 1 has a surface 1a.
Any material may be used as long as it has conductivity, but for example, a stainless steel plate is preferable in terms of availability and price. At this time, it is preferable that the surface 1a of the conductive plate 1 be mirror-polished and have appropriate flexibility in view of the Au-Sn plating layer peeling step described later.
【００２３】ついで、この導電板１における凹み３から
の露出表面にＡｕ−Ｓｎめっきが行われる。Then, Au-Sn plating is performed on the exposed surface of the conductive plate 1 from the recess 3.
【００２４】まず、めっき浴が建浴される。その場合、
ＡｕとＳｎの標準単極電位の差は可成り大きいので、実
際の電気めっき操作時におけるＡｕとＳｎの析出電位の
差も大きくなる。そのため、ＡｕとＳｎを同時に析出さ
せるためには、両者の析出電位が近接した状態となるよ
うに、Ａｕ源やＳｎ源の種類，めっき浴の組成，めっき
条件などを適切に選定することが必要になる。First, a plating bath is set up. In that case,
Since the difference between the standard monopolar potentials of Au and Sn is considerably large, the difference between the deposition potentials of Au and Sn during the actual electroplating operation also increases. Therefore, in order to deposit Au and Sn at the same time, it is necessary to appropriately select the types of the Au source and the Sn source, the composition of the plating bath, the plating conditions, and the like so that the deposition potentials of both are close to each other. become.
【００２５】このようなことを勘案して、本発明におけ
るめっき浴は、Ａｕ源として、例えばシアン金（Ｉ）カ
リウムを用い、Ｓｎ源として、例えばクエン酸すずやス
ルホン酸すずに代表される有機すず（II）が用いられ
る。In view of the above, the plating bath of the present invention uses, for example, potassium cyanogold (I) as an Au source and an organic tin represented by, for example, tin citrate or tin sulfonic acid as a Sn source. (II) is used.
【００２６】また、めっき浴には、例えば、スルファミ
ン酸ソーダ，クエン酸ソーダ，酢酸ソーダのような導電
性の有機酸を５０〜１００ｇ／Ｌ程度配合することによ
り、Ｓｎイオンの２価から４価への酸化を防止し、もっ
て、Ｓｎを効率よく析出させることができる。The plating bath is mixed with a conductive organic acid such as sodium sulfamate, sodium citrate, and sodium acetate in an amount of about 50 to 100 g / L, so that Sn ions are divalent to tetravalent. Can be prevented from being oxidized, so that Sn can be efficiently deposited.
【００２７】なお、このときの浴組成を変化させること
により、形成されたＡｕ−Ｓｎめっき層の融点を所望す
る値にすることができる。すなわち、まず目標とする融
点を設定する。そして、Cuilik. J.らが、“J. Alloys
and Compounds” 191. (1993). pp71〜78で開示してい
るＡｕ−Ｓｎ２元系状態図からその融点に相当するＡｕ
とＳｎの組成を読み取り、その組成比の電着が可能とな
るように前記したＡｕ源，Ｓｎ源を含むめっき浴を建浴
し、それを用いて電気めっきを行えばよい。目標融点と
の間で若干のばらつきは生ずるが、基本的には近似した
融点のＡｕ−Ｓｎめっき層の形成が可能である。By changing the bath composition at this time, the melting point of the formed Au—Sn plating layer can be set to a desired value. That is, first, a target melting point is set. And Cuilik. J. et al., “J. Alloys
and Compounds ”191. (1993). Au-Sn binary phase diagram disclosed in pp. 71-78 shows Au corresponding to its melting point.
Then, the composition of Sn and Sn is read, and a plating bath containing the above-mentioned Au source and Sn source is established so that electrodeposition of the composition ratio is possible, and electroplating may be performed using the plating bath. Although there is some variation from the target melting point, it is basically possible to form an Au-Sn plating layer having a similar melting point.
【００２８】電気めっきに際しては、上記しためっき浴
にＰｔ被覆Ｔｉ板のような不溶性電極と導電板を浸漬
し、不溶性電極が陽極，導電板が陰極となるように、そ
れぞれを電源に接続する。In electroplating, an insoluble electrode such as a Pt-coated Ti plate and a conductive plate are immersed in the above plating bath, and each is connected to a power source such that the insoluble electrode serves as an anode and the conductive plate serves as a cathode.
【００２９】このとき、めっき浴のｐＨは、３.０〜６.
０の範囲におさまるようにし、また、浴温は２０〜６０
℃の範囲に設定することが好ましい。ｐＨが低すぎる
と、導電板の露出表面に成膜されるＡｕ−Ｓｎめっき層
は、Ａｕの析出比率が大きい組成になり、またｐＨが高
すぎると、めっき層の表面が曇ってくる傾向が増すから
である。そして浴温が低すぎるとＡｕ−Ｓｎめっき層は
応力が大きい皮膜になってしまい、また浴温が高すぎる
と、めっき浴の劣化や分解が起こりはじめるからであ
る。At this time, the pH of the plating bath is 3.0 to 6.0.
0 and the bath temperature is 20-60
It is preferable to set the temperature in the range of ° C. If the pH is too low, the Au-Sn plating layer formed on the exposed surface of the conductive plate has a composition with a large Au deposition ratio, and if the pH is too high, the surface of the plating layer tends to become cloudy. Because it increases. If the bath temperature is too low, the Au—Sn plating layer becomes a film having a large stress, and if the bath temperature is too high, the plating bath starts to deteriorate or decompose.
【００３０】ついで、めっき浴を撹拌しながら通電して
電気めっきを行う。このとき、電流密度は０.１〜１.０
Ａ／dm2に設定することが好ましい。電流密度が小さす
ぎると、Ａｕの析出比率が大きい組成の皮膜になり、ま
た高すぎると、めっき層の表面が粉状化しはじめるから
である。Then, electroplating is performed by supplying a current while stirring the plating bath. At this time, the current density is 0.1 to 1.0.
A / dm 2 is preferably set. If the current density is too low, a film having a composition in which the Au deposition ratio is large is formed. If the current density is too high, the surface of the plating layer starts to powder.
【００３１】かくして、凹み３からの露出表面にはＡｕ
とＳｎが同時に電着し、その結果、図３で示したよう
に、凹み３を埋め込むようにしてＡｕ−Ｓｎめっき層４
が形成される。このときのＡｕ−Ｓｎめっき層４の厚み
はめっき時間を調節することにより、任意の厚みに制御
することができる。Thus, the surface exposed from the recess 3 is made of Au.
And Sn are electrodeposited simultaneously, and as a result, as shown in FIG.
Is formed. At this time, the thickness of the Au—Sn plating layer 4 can be controlled to an arbitrary thickness by adjusting the plating time.
【００３２】そして最後に、電気めっき終了後の導電板
からＡｕ−Ｓｎめっき層４が剥離される。具体的には、
マスク層２のパターンを例えばエッチング除去し、つい
で導電板１に軽くよじりをかけることにより簡単に剥離
せしめることができる。Finally, the Au—Sn plating layer 4 is peeled from the conductive plate after the electroplating. In particular,
The pattern of the mask layer 2 can be easily removed by, for example, removing the pattern by etching, and then slightly twisting the conductive plate 1.
【００３３】かくして、１度の電気めっきの実施によ
り、前記凹みと同じ平面形状を有すると同時に薄い箔が
大量に製造される。Thus, by performing the electroplating once, a large number of thin foils having the same planar shape as the dents and being manufactured at the same time are produced.
【００３４】なお、マスク層２の形成は図で示したよう
に導電板１の片面に限定されるものではなく、両面に行
ってもよい。その方がより効率的にＡｕ−Ｓｎ箔の製造
が可能となる。The formation of the mask layer 2 is not limited to one side of the conductive plate 1 as shown in the figure, but may be performed on both sides. This makes it possible to produce the Au—Sn foil more efficiently.
【００３５】[0035]
【実施例】長さ１００mm，幅１００mm，厚み０.２mmの
ＳＵＳ３０４の板を用意し、その片面を鏡面研磨したの
ち、そこにめっきレジストをパターン印刷して平面パタ
ーンが格子状をなす厚み５〜１０μｍのマスク層を形成
した。このマスク層において、マスキングされていない
ＳＵＳ板からの露出表面の形状は、縦１mm，横１mmの正
方形をなし、ＳＵＳ板の片面全体には、この正方形の部
分は７０００個存在している。EXAMPLE A SUS304 plate having a length of 100 mm, a width of 100 mm, and a thickness of 0.2 mm was prepared, and one surface thereof was mirror-polished. A 10 μm mask layer was formed. In this mask layer, the shape of the surface exposed from the unmasked SUS plate is a square with a length of 1 mm and a width of 1 mm, and 7000 square portions are present on one entire surface of the SUS plate.
【００３６】一方、次の組成のめっき浴を建浴した。On the other hand, a plating bath having the following composition was constructed.
【００３７】シアン金（Ｉ）カリウム：１０ｇ／Ｌ，ク
エン酸すず（II）：４ｇ／Ｌ，クエン酸ソーダ：１００
ｇ／Ｌ。Potassium cyanide (I) potassium: 10 g / L, tin (II) citrate: 4 g / L, sodium citrate: 100
g / L.
【００３８】ここに、前記した導電板を浸漬して陰極と
し、対極にＰｔ被覆Ｔｉ板を配置し、めっき浴を撹拌し
ながら下記の条件で電気めっきを行った。Here, the above-mentioned conductive plate was immersed to form a cathode, a Pt-coated Ti plate was placed at the counter electrode, and electroplating was performed under the following conditions while stirring the plating bath.
【００３９】電流密度：０.５Ａ／dm2，浴温：４０℃，
ｐＨ：４.２，めっき時間：３０分。Current density: 0.5 A / dm 2 , bath temperature: 40 ° C.
pH: 4.2, plating time: 30 minutes.
【００４０】めっき終了後、ＳＵＳ板を取り出して水洗
し、当該ＳＵＳ板に軽くよじりをかけた。その結果、Ｓ
ＵＳ板の表面からは、縦１mm，横１mm，厚み約１０μｍ
の微小箔が剥落した。After the plating, the SUS plate was taken out and washed with water, and the SUS plate was slightly twisted. As a result, S
From the surface of the US plate, 1mm long, 1mm wide, about 10μm thick
Peeled off.
【００４１】得られた微小箔を試料１とした。The obtained fine foil was used as Sample 1.
【００４２】また、市販のＡｕ−Ｓｎ合金箔（サイズ：
縦５mm，横５mm，厚み３０μｍ）を用意し、これを試料
２とした。A commercially available Au—Sn alloy foil (size:
A sample having a length of 5 mm, a width of 5 mm, and a thickness of 30 μm) was prepared.
【００４３】これら試料の表面を走査電顕（倍率５００
倍）で観察した。The surfaces of these samples were scanned with a scanning electron microscope (magnification: 500).
Times).
【００４４】試料１の表面には細かいめっき粒子が析出
しており、表面凹凸は非常に少なかった。一方、試料２
の表面には粒子の集合は認められず全体は平滑面になっ
ていたが、部分的にはロール圧延時に発生したと思われ
る微小な傷が圧延方向に存在していた。Fine plated particles were precipitated on the surface of Sample 1, and the surface irregularities were very small. On the other hand, sample 2
No aggregation of particles was observed on the surface of the sample, and the entire surface was smooth. However, small scratches, which were considered to have occurred during roll rolling, partially existed in the rolling direction.
【００４５】ついで、これら試料をプラズマ発光分光分
析で成分分析した。その結果、試料１の場合は、Ａｕ：
７８重量％，Ｓｎ：２２重量％であった。また、試料２
の場合は、Ａｕ：８０重量％，Ｓｎ：２０重量％であっ
た。Next, the components of the samples were analyzed by plasma emission spectroscopy. As a result, in the case of sample 1, Au:
78% by weight and Sn: 22% by weight. Sample 2
In the case of, Au was 80% by weight and Sn was 20% by weight.
【００４６】また、これらの試料について下記の条件下
で示差熱分析を行い、その融点を測定した。Further, these samples were subjected to differential thermal analysis under the following conditions, and their melting points were measured.
【００４７】基準物質：アルミナ、昇温速度：室温から
１２００℃まで１０℃／min、レンジ：±５０μＶ，チ
ャートスピード：２.５mm／sec。Reference material: alumina, heating rate: 10 ° C./min from room temperature to 1200 ° C., range: ± 50 μV, chart speed: 2.5 mm / sec.
【００４８】その結果、試料１，試料２には、いずれ
も、温度３１２℃の位置に吸熱ピークが認められた。As a result, in each of Sample 1 and Sample 2, an endothermic peak was observed at a temperature of 312 ° C.
【００４９】このことは、試料１が市販のろう材である
試料２と同じような融点３１２℃のろう材として使用で
きることを意味している。This means that Sample 1 can be used as a brazing material having a melting point of 312 ° C., similar to Sample 2 which is a commercially available brazing material.
【００５０】なお、試料１と試料２につき、Ｘ線回折法
で結晶構造を調べたところ、試料１の場合は、２θ：７
７°付近に僅かにＡｕの回折像が認められたが、全体の
回折像はハローであり、非晶質構造が主体となってい
た。一方、試料２の場合は、２θ：７７°の付近にＡｕ
−Ｓｎ合金に相当する回折像がシャープに認められ、こ
の試料は結晶質のＡｕ−Ｓｎ合金を主体とすることが確
認された。When the crystal structures of Sample 1 and Sample 2 were examined by X-ray diffraction method, in the case of Sample 1, 2θ: 7
A slight diffraction image of Au was observed at around 7 °, but the entire diffraction image was halo, and was mainly composed of an amorphous structure. On the other hand, in the case of Sample 2, Au was around 2θ: 77 °.
A diffraction image corresponding to the -Sn alloy was sharply recognized, and it was confirmed that this sample was mainly composed of a crystalline Au-Sn alloy.
【００５１】また、示差熱分析後の試料１につきＸ線回
折を行ったところ、２θ：７７°の付近にＡｕ−Ｓｎ合
金の回折像が認められた。これは、試料１の非晶質構造
は、溶融することによって試料２と同じ結晶構造の合金
に転化したことを意味する。When the sample 1 after the differential thermal analysis was subjected to X-ray diffraction, a diffraction image of the Au—Sn alloy was observed at around 2θ: 77 °. This means that the amorphous structure of Sample 1 was converted to an alloy having the same crystal structure as Sample 2 by melting.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法で製造したＡｕ−Ｓｎ箔は、従来からろう材として使
用されている合金箔と同等の熱的特性を備えているの
で、ろう材として使用することができる。As is clear from the above description, the Au-Sn foil produced by the method of the present invention has the same thermal properties as alloy foils conventionally used as brazing filler metals. It can be used as a material.
【００５３】そして、このＡｕ−Ｓｎ箔は電気めっき法
で成膜することができるので、めっき条件を選択するこ
とにより、厚みを任意に選定できると同時にその厚みを
薄くすることもでき、また、各種のＡｕ−Ｓｎ組成の箔
にしてその融点を任意に選択することもできる。Since the Au—Sn foil can be formed by an electroplating method, the thickness can be arbitrarily selected and the thickness can be reduced by selecting plating conditions. Various melting points of Au—Sn compositions can be selected for the melting point.
【００５４】とくに、厚みを薄くすることができるとい
うことは、それをろう材として用いてリフロー処理を行
ったときに、流出して無駄になることがなく、省資源の
面から有用である。In particular, the fact that the thickness can be reduced is useful from the viewpoint of resource saving because when the reflow treatment is performed using the brazing material, it does not flow out and is wasted.
【００５５】しかも、本発明方法によれば、マスク層の
平面パターンを適宜に選定することにより、任意形状の
微小箔を大量に製造することができ、箔の製造方法とし
ては極めて効率的である。Moreover, according to the method of the present invention, by appropriately selecting the plane pattern of the mask layer, it is possible to produce a large amount of microfoil of an arbitrary shape, which is extremely efficient as a method for producing foil. .
【図１】導電板にマスク層を形成した１例を示す平面図
である。FIG. 1 is a plan view showing an example in which a mask layer is formed on a conductive plate.
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line II-II in FIG.
【図３】Ａｕ−Ｓｎめっき層を形成した状態を示す断面
図である。FIG. 3 is a sectional view showing a state where an Au—Sn plating layer is formed.
１ 導電板 １ａ 導電板１の表面 ２ マスク層 ３ 凹み ４ Ａｕ−Ｓｎめっき層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Conductive plate 1a Surface of conductive plate 1 2 Mask layer 3 Depression 4 Au-Sn plating layer
Claims (1)
マスク層を形成する工程；前記導電板の露出表面に電気
めっき法でＡｕ−Ｓｎめっきを行う工程；および得られ
たＡｕ−Ｓｎめっき層を前記導電板から剥離する工程；
を備えていることを特徴とするＡｕ−Ｓｎ箔の製造方
法。1. A step of forming a mask layer in a desired plane pattern on a surface of a conductive plate; a step of performing Au-Sn plating on an exposed surface of the conductive plate by an electroplating method; and an obtained Au-Sn plating layer Peeling off from the conductive plate;
A method for producing an Au-Sn foil, comprising:
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|---|---|---|---|
| JP10196350A JP2000026989A (en) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | Production of gold-tin foil |
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| JP10196350A JP2000026989A (en) | 1998-07-10 | 1998-07-10 | Production of gold-tin foil |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006200031A (en) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Nau Chemical:Kk | Au-Sn ALLOY PLATING FILM |
| WO2010095658A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 学校法人早稲田大学 | Microcrystalline-to-amorphous gold alloy and plated film, and plating solution for those, and plated film formation method |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10196350A patent/JP2000026989A/en active Pending
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