JP2000021304A - ガス放電表示デバイスの製造方法 - Google Patents
ガス放電表示デバイスの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率の小さい均質な誘電体層を有したガス
放電表示デバイスの製造を可能にすることを目的とす
る。 【解決手段】基板１１上に配列された電極Ｘ，Ｙを覆っ
て表示領域の全域に拡がる誘電体層１７を有したガス放
電表示デバイス１の製造において、電極Ｘ，Ｙの配列を
終えた段階以降の基板構体の表面に、誘電体層１７とし
てプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に
覆う層を形成する。
放電表示デバイスの製造を可能にすることを目的とす
る。 【解決手段】基板１１上に配列された電極Ｘ，Ｙを覆っ
て表示領域の全域に拡がる誘電体層１７を有したガス放
電表示デバイス１の製造において、電極Ｘ，Ｙの配列を
終えた段階以降の基板構体の表面に、誘電体層１７とし
てプラズマ気相成長法によって成膜の下地面を等方的に
覆う層を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ、ＰＡＬＣ
などの放電のための電極群及びそれを覆う誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法に関する。
などの放電のための電極群及びそれを覆う誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは、カラー表示の実用化を機に大画
面のテレビジョン映像やコンピュータ出力の表示デバイ
スとして普及しつつある。市場ではより大画面でより高
品位のデバイスが求められている。
面のテレビジョン映像やコンピュータ出力の表示デバイ
スとして普及しつつある。市場ではより大画面でより高
品位のデバイスが求められている。
【０００３】
【従来の技術】カラー表示デバイスとして３電極面放電
構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マト
リクス表示の行（ライン）毎に点灯維持のための一対の
主電極（第１及び第２の電極）が配置され、列毎にアド
レス電極（第３の電極）が配置されたものである。ＡＣ
型であるので、表示に際しては主電極を覆う誘電体層の
メモリ機能が利用される。すなわち、線走査形式で表示
内容に応じた帯電状態を形成するアドレッシングを行
い、その後に全ての主電極対に対して一斉に交番極性の
点灯維持電圧Ｖｓを印加する。これにより、壁電荷の存
在するセルのみにおいて実効電圧（セル電圧ともいう）
Ｖｅｆｆが放電開始電圧Ｖｆを越えて基板面に沿った面
放電が生じる。点灯維持電圧Ｖｓの印加周期を短くすれ
ば、見かけの上で連続した点灯状態が得られる。
構造のＡＣ型ＰＤＰが商品化されている。これは、マト
リクス表示の行（ライン）毎に点灯維持のための一対の
主電極（第１及び第２の電極）が配置され、列毎にアド
レス電極（第３の電極）が配置されたものである。ＡＣ
型であるので、表示に際しては主電極を覆う誘電体層の
メモリ機能が利用される。すなわち、線走査形式で表示
内容に応じた帯電状態を形成するアドレッシングを行
い、その後に全ての主電極対に対して一斉に交番極性の
点灯維持電圧Ｖｓを印加する。これにより、壁電荷の存
在するセルのみにおいて実効電圧（セル電圧ともいう）
Ｖｅｆｆが放電開始電圧Ｖｆを越えて基板面に沿った面
放電が生じる。点灯維持電圧Ｖｓの印加周期を短くすれ
ば、見かけの上で連続した点灯状態が得られる。
【０００４】面放電形式のＰＤＰでは、カラー表示のた
めの蛍光体層を主電極対を配置した基板と対向する他方
の基板上に設けることによって、放電時のイオン衝撃に
よる蛍光体層の劣化を軽減し、長寿命化を図ることがで
きる。蛍光体層を背面側の基板上に配置したものは“反
射型”と呼称され、逆に前面側の基板上に配置したもの
は“透過型”と呼称されている。発光効率に優れるの
は、蛍光体層における前面側表面が発光する反射型であ
る。
めの蛍光体層を主電極対を配置した基板と対向する他方
の基板上に設けることによって、放電時のイオン衝撃に
よる蛍光体層の劣化を軽減し、長寿命化を図ることがで
きる。蛍光体層を背面側の基板上に配置したものは“反
射型”と呼称され、逆に前面側の基板上に配置したもの
は“透過型”と呼称されている。発光効率に優れるの
は、蛍光体層における前面側表面が発光する反射型であ
る。
【０００５】従来において、ＡＣ駆動のための誘電体層
は、低融点ガラスペーストをベタ膜状に印刷して焼成す
る厚膜手法によって形成されていた。なお、主電極間の
静電容量を低減するため、低融点ガラスよりも比誘電率
の小さい材料からなる誘電体層の形成が検討されてお
り、その例として特開平９−３５６４１号公報にポリイ
ミドをスクリーン印刷し、又はスピナーで塗布する旨の
記載がある。
は、低融点ガラスペーストをベタ膜状に印刷して焼成す
る厚膜手法によって形成されていた。なお、主電極間の
静電容量を低減するため、低融点ガラスよりも比誘電率
の小さい材料からなる誘電体層の形成が検討されてお
り、その例として特開平９−３５６４１号公報にポリイ
ミドをスクリーン印刷し、又はスピナーで塗布する旨の
記載がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の厚膜手法による
誘電体層では、焼成時に気泡が発生し、画面の全体にわ
たって膜質を均一にするのが難しいという問題があっ
た。気泡は主電極とアドレス電極との間の耐圧を低下さ
せる。加えて、気泡によって透明性が低下するので、誘
電体層が放電空間の前面側に位置する反射型のＰＤＰで
は、誘電体層によって輝度が損なわれていた。
誘電体層では、焼成時に気泡が発生し、画面の全体にわ
たって膜質を均一にするのが難しいという問題があっ
た。気泡は主電極とアドレス電極との間の耐圧を低下さ
せる。加えて、気泡によって透明性が低下するので、誘
電体層が放電空間の前面側に位置する反射型のＰＤＰで
は、誘電体層によって輝度が損なわれていた。
【０００７】また、低融点ガラスの比誘電率が大きいこ
とから電極間の静電容量の充電に多くの電力を費やすと
いう問題、及び焼成時に基板に熱歪みが生じるという問
題もあった。電極間の静電容量については誘電体層を薄
くすることが考えられるが、薄くすると塗布むらが生じ
易くなり、放電特性のばらつきが顕著になるとともに電
極群の一部が露出するおそれが高まる。
とから電極間の静電容量の充電に多くの電力を費やすと
いう問題、及び焼成時に基板に熱歪みが生じるという問
題もあった。電極間の静電容量については誘電体層を薄
くすることが考えられるが、薄くすると塗布むらが生じ
易くなり、放電特性のばらつきが顕著になるとともに電
極群の一部が露出するおそれが高まる。
【０００８】さらに、従来のＰＤＰの要部断面構造を模
式的に示す図８のように、スクリーン印刷やスピンコー
トによる誘電体層１７ｐの上面は、下地面の起伏に係わ
らずほぼ平坦になる。このため、対をなす主電極Ｘｐ，
Ｙｐのそれぞれが透明導電膜４１ｐとその一部に重なる
金属膜４２ｐとからなる反射型においては、誘電体層１
７ｐのうちの金属膜４２ｐを覆う部分が透明導電膜４１
ｐを覆う部分より薄くなるので、放電ギャップから遠い
にも係わらず金属膜４２ｐの上方で強い放電が起こる。
この放電は、それによる発光が金属膜４２ｐで遮光され
るので、表示に寄与しない無駄な電力消費となる。
式的に示す図８のように、スクリーン印刷やスピンコー
トによる誘電体層１７ｐの上面は、下地面の起伏に係わ
らずほぼ平坦になる。このため、対をなす主電極Ｘｐ，
Ｙｐのそれぞれが透明導電膜４１ｐとその一部に重なる
金属膜４２ｐとからなる反射型においては、誘電体層１
７ｐのうちの金属膜４２ｐを覆う部分が透明導電膜４１
ｐを覆う部分より薄くなるので、放電ギャップから遠い
にも係わらず金属膜４２ｐの上方で強い放電が起こる。
この放電は、それによる発光が金属膜４２ｐで遮光され
るので、表示に寄与しない無駄な電力消費となる。
【０００９】これらの問題を解決するため、薄膜手法に
よって誘電体層を形成する試みがなされたが、蒸着法及
び常圧ＣＶＤ法ではクラックを生じさせずに十分な厚さ
の成膜を行うことができなかった。
よって誘電体層を形成する試みがなされたが、蒸着法及
び常圧ＣＶＤ法ではクラックを生じさせずに十分な厚さ
の成膜を行うことができなかった。
【００１０】本発明は、比誘電率の小さい均質な誘電体
層を有したガス放電表示デバイスの製造を可能にするこ
とを目的としている。
層を有したガス放電表示デバイスの製造を可能にするこ
とを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明においては、誘電
体層の形成にプラズマ気相成長法（プラズマＣＶＤ法）
を用いる。成膜条件を適切に選定して膜の応力を制御す
ることにより、クラック耐性の高い所定厚さの層を得る
ことができる。焼成によらないので誘電体層を低融点ガ
ラス以外の物質からなる層とすることもでき、例えば二
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒
化珪素（ＳｉＮ）などの珪素化合物、又は有機酸化珪素
（ＲＳｉＯ：Ｒはアルキル基、アリル基を示す）の層と
すれば、低融点ガラス層の場合よりも比誘電率は大幅に
小さくなる。
体層の形成にプラズマ気相成長法（プラズマＣＶＤ法）
を用いる。成膜条件を適切に選定して膜の応力を制御す
ることにより、クラック耐性の高い所定厚さの層を得る
ことができる。焼成によらないので誘電体層を低融点ガ
ラス以外の物質からなる層とすることもでき、例えば二
酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒
化珪素（ＳｉＮ）などの珪素化合物、又は有機酸化珪素
（ＲＳｉＯ：Ｒはアルキル基、アリル基を示す）の層と
すれば、低融点ガラス層の場合よりも比誘電率は大幅に
小さくなる。
【００１２】また、プラズマＣＶＤ法によれば、下地面
に対して等方的に堆積が進行するので、電極の上面に段
差があっても電極の覆う誘電体層の厚さは均等になる。
したがって、電極が透明導電膜と金属膜との積層構造で
ある場合に、金属膜の上方での無用の放電を抑えること
ができる。
に対して等方的に堆積が進行するので、電極の上面に段
差があっても電極の覆う誘電体層の厚さは均等になる。
したがって、電極が透明導電膜と金属膜との積層構造で
ある場合に、金属膜の上方での無用の放電を抑えること
ができる。
【００１３】請求項１の発明の方法は、基板上に配列さ
れた電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法であって、前記電
極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、前記誘
電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面
を等方的に覆う層を形成するものである。
れた電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有
したガス放電表示デバイスの製造方法であって、前記電
極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、前記誘
電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の下地面
を等方的に覆う層を形成するものである。
【００１４】請求項２の発明の方法は、基板上に透明導
電膜に金属膜を重ねた複層構造の主電極が面放電を生じ
させるための電極対を構成するように配列され、前記主
電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有した
ガス放電表示デバイスの製造に適用される。
電膜に金属膜を重ねた複層構造の主電極が面放電を生じ
させるための電極対を構成するように配列され、前記主
電極を覆って表示領域の全域に拡がる誘電体層を有した
ガス放電表示デバイスの製造に適用される。
【００１５】本明細書において、基板構体とは、表示領
域以上の大きさの板状の支持体と他の少なくとも１種の
デバイス構成要素とからなる構造体を意味する。すなわ
ち、支持体としての基板に複数種のデバイス構成要素を
順に形成していく製造過程において、最初のデバイス構
成要素の形成を終えた後の各段階の基板を主体とする仕
掛品は基板構体である。
域以上の大きさの板状の支持体と他の少なくとも１種の
デバイス構成要素とからなる構造体を意味する。すなわ
ち、支持体としての基板に複数種のデバイス構成要素を
順に形成していく製造過程において、最初のデバイス構
成要素の形成を終えた後の各段階の基板を主体とする仕
掛品は基板構体である。
【００１６】請求項３の発明の製造方法においては、前
記誘電体層の形成以前に、前記電極のそれぞれを部分的
に覆う絶縁体層を形成する。請求項４の発明の製造方法
においては、前記誘電体層の形成以前に、前記表示領域
のうちの放電間隙を除いた電極間部分に遮光層を設け
る。
記誘電体層の形成以前に、前記電極のそれぞれを部分的
に覆う絶縁体層を形成する。請求項４の発明の製造方法
においては、前記誘電体層の形成以前に、前記表示領域
のうちの放電間隙を除いた電極間部分に遮光層を設け
る。
【００１７】請求項５の発明の製造方法においては、前
記誘電体層として珪素化合物からなる層を形成する。請
求項６の発明の製造方法においては、前記誘電体層とし
て圧縮応力を有した層を形成する。
記誘電体層として珪素化合物からなる層を形成する。請
求項６の発明の製造方法においては、前記誘電体層とし
て圧縮応力を有した層を形成する。
【００１８】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は本発明に
係るＰＤＰ１の電極配列を示す平面図である。
係るＰＤＰ１の電極配列を示す平面図である。
【００１９】例示のＰＤＰ１は、対をなす第１及び第２
の主電極Ｘ，Ｙが平行配置され、各セルＣにおいて主電
極Ｘ，Ｙと第３の電極としてのアドレス電極Ａとが交差
する３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰである。主電極
Ｘ，Ｙはともに画面の行方向（水平方向）に延び、一方
の主電極Ｙはアドレッシングに際して行単位にセルＣを
選択するためのスキャン電極として用いられる。アドレ
ス電極Ａは列方向（垂直方向）に延びており、列単位に
セルＣを選択するためのデータ電極として用いられる。
基板面のうちの主電極群とアドレス電極群とが交差する
範囲が表示領域（画面）ＥＳとなる。
の主電極Ｘ，Ｙが平行配置され、各セルＣにおいて主電
極Ｘ，Ｙと第３の電極としてのアドレス電極Ａとが交差
する３電極面放電構造のＡＣ型ＰＤＰである。主電極
Ｘ，Ｙはともに画面の行方向（水平方向）に延び、一方
の主電極Ｙはアドレッシングに際して行単位にセルＣを
選択するためのスキャン電極として用いられる。アドレ
ス電極Ａは列方向（垂直方向）に延びており、列単位に
セルＣを選択するためのデータ電極として用いられる。
基板面のうちの主電極群とアドレス電極群とが交差する
範囲が表示領域（画面）ＥＳとなる。
【００２０】図２は本発明に係るＰＤＰの内部の基本構
造を示す分解斜視図である。ＰＤＰ１は反射型であっ
て、一対の基板構体１０，２０からなる。ＰＤＰ１にお
いて、主電極Ｘ，Ｙは前面側の基板構体１０の基材であ
るガラス基板１１の内面に、行毎に一対ずつ配列されて
いる。行は水平方向のセル列である。主電極Ｘ，Ｙは、
それぞれが透明導電膜４１と金属膜（バス導体）４２と
からなり、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１７で被覆され
ている。誘電体層１７の表面にはマグネシア（ＭｇＯ）
からなる厚さ数千オングストロームの保護膜１８が設け
られている。アドレス電極Ａは、背面側の基板構体２０
の基材であるガラス基板２１の内面に配列されており、
誘電体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の
上には、高さ１５０μｍの平面視直線帯状の隔壁２９が
各アドレス電極Ａの間に１つずつ設けられている。これ
らの隔壁２９によって放電空間３０が行方向にサブピク
セル（単位発光領域）毎に区画され、且つ放電空間３０
の間隙寸法が規定されている。そして、アドレス電極Ａ
の上方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被覆
するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの３色の蛍
光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。放電
空間３０には主成分のネオンにキセノンを混合した放電
ガスが充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８
Ｂは放電時にキセノンが放つ紫外線によって局部的に励
起されて発光する。表示の１ピクセル（画素）は行方向
に並ぶ３個のサブピクセルで構成される。各サブピクセ
ル内の構造体がセル（表示素子）Ｃである。隔壁２９の
配置パターンがストライプパターンであることから、放
電空間３０のうちの各列に対応した部分は全ての行Ｌに
跨がって列方向に連続している。
造を示す分解斜視図である。ＰＤＰ１は反射型であっ
て、一対の基板構体１０，２０からなる。ＰＤＰ１にお
いて、主電極Ｘ，Ｙは前面側の基板構体１０の基材であ
るガラス基板１１の内面に、行毎に一対ずつ配列されて
いる。行は水平方向のセル列である。主電極Ｘ，Ｙは、
それぞれが透明導電膜４１と金属膜（バス導体）４２と
からなり、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１７で被覆され
ている。誘電体層１７の表面にはマグネシア（ＭｇＯ）
からなる厚さ数千オングストロームの保護膜１８が設け
られている。アドレス電極Ａは、背面側の基板構体２０
の基材であるガラス基板２１の内面に配列されており、
誘電体層２４によって被覆されている。誘電体層２４の
上には、高さ１５０μｍの平面視直線帯状の隔壁２９が
各アドレス電極Ａの間に１つずつ設けられている。これ
らの隔壁２９によって放電空間３０が行方向にサブピク
セル（単位発光領域）毎に区画され、且つ放電空間３０
の間隙寸法が規定されている。そして、アドレス電極Ａ
の上方及び隔壁２９の側面を含めて背面側の内面を被覆
するように、カラー表示のためのＲ，Ｇ，Ｂの３色の蛍
光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが設けられている。放電
空間３０には主成分のネオンにキセノンを混合した放電
ガスが充填されており、蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８
Ｂは放電時にキセノンが放つ紫外線によって局部的に励
起されて発光する。表示の１ピクセル（画素）は行方向
に並ぶ３個のサブピクセルで構成される。各サブピクセ
ル内の構造体がセル（表示素子）Ｃである。隔壁２９の
配置パターンがストライプパターンであることから、放
電空間３０のうちの各列に対応した部分は全ての行Ｌに
跨がって列方向に連続している。
【００２１】図３は第１実施形態に係るＰＤＰの要部断
面構造の模式図である。同図では誘電体層１７の形状の
理解を容易にするため、ＰＤＰ１の前面側を図の下側と
してある。また、保護膜の図示を省略してある。後述す
る他の実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造についても
図示の要領は同様である。
面構造の模式図である。同図では誘電体層１７の形状の
理解を容易にするため、ＰＤＰ１の前面側を図の下側と
してある。また、保護膜の図示を省略してある。後述す
る他の実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造についても
図示の要領は同様である。
【００２２】図３のように、金属膜４２は、透明導電膜
４１における面放電ギャップと反対の側の端部に寄せて
配置されている。誘電体層１７は、このような主電極
Ｘ，Ｙを等方的に覆うように形成されており、圧縮応力
Ｆを有している。誘電体層１７の厚さが均等であるの
で、面放電ギャップから遠い金属膜４２の上方での不要
の放電は起こりにくい。したがって、駆動電圧の選定に
よって放電範囲を適正化するのが容易である。また、圧
縮応力Ｆによりクラックの発生が抑制されている。
４１における面放電ギャップと反対の側の端部に寄せて
配置されている。誘電体層１７は、このような主電極
Ｘ，Ｙを等方的に覆うように形成されており、圧縮応力
Ｆを有している。誘電体層１７の厚さが均等であるの
で、面放電ギャップから遠い金属膜４２の上方での不要
の放電は起こりにくい。したがって、駆動電圧の選定に
よって放電範囲を適正化するのが容易である。また、圧
縮応力Ｆによりクラックの発生が抑制されている。
【００２３】以上の構成のＰＤＰ１は、各ガラス基板１
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体１０，２０を作製し、両基板構体
１０，２０を重ね合わせて対向間隙の周縁を封止し、内
部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程によって
製造される。その際、基板構体１０の構成要素である誘
電体層１７は薄膜形成法の一種であるプラズマＣＶＤ法
によって形成される。
１，２１について別個に所定の構成要素を設けて前面側
及び背面側の基板構体１０，２０を作製し、両基板構体
１０，２０を重ね合わせて対向間隙の周縁を封止し、内
部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程によって
製造される。その際、基板構体１０の構成要素である誘
電体層１７は薄膜形成法の一種であるプラズマＣＶＤ法
によって形成される。
【００２４】図４は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の
概略図である。プラズマＣＶＤ装置１００は平行平板型
である。真空チャンバ内に主電極Ｘ，Ｙの配列を終えた
段階の基板構体１０’を配置し、プラズマを発生させて
下地面ｓに所定の物質を堆積させる。下地面ｓは主電極
Ｘ，Ｙ及びガラス基板１１の露出面である。例えば、ソ
ースガスとしてテトラエトキシシラン〔ＴＥＯＳ：Ｓｉ
（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 〕を導入するとともに反応ガスとして
と酸素（Ｏ2 ）とを導入し、ＳｉＯ2 からなる誘電体層
１７を形成する。 〔実施例１〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
概略図である。プラズマＣＶＤ装置１００は平行平板型
である。真空チャンバ内に主電極Ｘ，Ｙの配列を終えた
段階の基板構体１０’を配置し、プラズマを発生させて
下地面ｓに所定の物質を堆積させる。下地面ｓは主電極
Ｘ，Ｙ及びガラス基板１１の露出面である。例えば、ソ
ースガスとしてテトラエトキシシラン〔ＴＥＯＳ：Ｓｉ
（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ）4 〕を導入するとともに反応ガスとして
と酸素（Ｏ2 ）とを導入し、ＳｉＯ2 からなる誘電体層
１７を形成する。 〔実施例１〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
【００２５】 導入ガスと流量 ：ＴＥＯＳ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｏ2 ／２０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．５ｋＷ 基板温度 ：３５０℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では−０．７×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では−
１．９×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力を有してお
り、比誘電率は４．１であった。
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では−
１．９×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の圧縮応力を有してお
り、比誘電率は４．１であった。
【００２６】同一の条件で表１の材質のガラス基板及び
主電極からなる基板構体に厚さ１０μｍのＳｉＯ2 膜を
成膜した。
主電極からなる基板構体に厚さ１０μｍのＳｉＯ2 膜を
成膜した。
【００２７】
【表１】
【００２８】成膜により基板構体は成膜面を上側に向け
た状態で凸状に約５ｍｍ反った。ＳｉＯ2 膜の上に厚さ
０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し、それに
より得られた基板構体と別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
た状態で凸状に約５ｍｍ反った。ＳｉＯ2 膜の上に厚さ
０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し、それに
より得られた基板構体と別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
【００２９】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．０ｋＷ 基板温度 ：３４０℃ 真空度 ：１．２Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋１．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−０．２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有しており、比誘電率は４．１であった。
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−０．２×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有しており、比誘電率は４．１であった。
【００３０】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成膜
面を上側に向けた状態で凸状に約１ｍｍ反った。ＳｉＯ
2 膜の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜して得られた基板構体と、別途に作製した背面側の
基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効
率の測定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例３〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、試料基板に次の条件で有機酸化珪素膜（ＣＨ3 Ｓ
ｉＯ）を成膜した。
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成膜
面を上側に向けた状態で凸状に約１ｍｍ反った。ＳｉＯ
2 膜の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって
成膜して得られた基板構体と、別途に作製した背面側の
基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効
率の測定結果は１．５ｌｍ／Ｗであった。 〔実施例３〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、試料基板に次の条件で有機酸化珪素膜（ＣＨ3 Ｓ
ｉＯ）を成膜した。
【００３１】 導入ガスと流量 ：Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ／８００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／４０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：２．０ｋＷ 基板温度 ：４００℃ 真空度 ：１．０Ｔｏｒｒ 得られた有機酸化珪素膜の比誘電率は２．６であった。
【００３２】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＣＨ3 ＳｉＯ膜を成膜した。このＣＨ3 ＳｉＯ膜の
上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し
て得られた基板構体と、別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．７ｌｍ／Ｗであった。 〔比較例１〕常圧ＣＶＤ装置１００を用い、シリコン基
板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でＳ
ｉＯ2 膜（熱ＣＶＤ膜）を成膜した。
ガラス基板及び主電極からなる基板構体に、厚さ１０μ
ｍのＣＨ3 ＳｉＯ膜を成膜した。このＣＨ3 ＳｉＯ膜の
上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を蒸着法によって成膜し
て得られた基板構体と、別途に作製した背面側の基板構
体とを張り合わせてＰＤＰを完成させた。発光効率の測
定結果は１．７ｌｍ／Ｗであった。 〔比較例１〕常圧ＣＶＤ装置１００を用い、シリコン基
板とソーダライムガラス基板とにそれぞれ次の条件でＳ
ｉＯ2 膜（熱ＣＶＤ膜）を成膜した。
【００３３】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｈ2 Ｏ／６０００ＳＣＣＭ 基板温度 ：４５０℃ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では＋４．０×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では＋
２．３×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有してい
た。
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 、ソーダライムガラス基板では＋
２．３×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有してい
た。
【００３４】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。膜面に多数のクラックが
発生し、ＰＤＰを組み立てることができなかった。 〔比較例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。膜面に多数のクラックが
発生し、ＰＤＰを組み立てることができなかった。 〔比較例２〕平行平板型のプラズマＣＶＤ装置１００を
用い、シリコン基板とソーダライムガラス基板とにそれ
ぞれ次の条件でＳｉＯ2 膜を成膜した。
【００３５】 導入ガスと流量 ：ＳｉＨ4 ／９００ＳＣＣＭ 導入ガスと流量 ：Ｎ2 Ｏ／５０００ＳＣＣＭ 高周波出力 ：１．８ｋＷ 基板温度 ：３８０℃ 真空度 ：０．７Ｔｏｒｒ 得られたＳｉＯ2 膜は、シリコン基板では−３．３×１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−４．６×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有していた。
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の引張応力を有し、ソーダライムガ
ラス基板では−４．６×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2の圧縮応
力を有していた。
【００３６】同一の条件で実施例１と同じ表１の材質の
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成
膜面を上側に向けた状態で凸状に約１２ｍｍ反った。反
りが過大であるため、背面側の基板構体と張り合わせる
ことができなかった。 〔比較例３〕従来の厚膜手法により誘電体層を形成し
た。すなわち、実施例１と同じ表１の材質のガラス基板
及び主電極とからなる基板構体に、ＰｂＯ−ＢＯ−Ｓｉ
Ｏ系フリットガラスをロールコータで３０μｍの厚さに
印刷し、コンベア炉を用いて大気雰囲気で焼成した（５
８０℃，６０ｍｉｎ）。得られた低融点ガラス層は無数
の泡を含んでおり、比誘電率の測定値は１２．０であっ
た。低融点ガラス層の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を
蒸着法によって成膜し、得られた基板構体と別途に作製
した背面側の基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成さ
せた。発光効率の測定結果は０．８ｌｍ／Ｗであった。 〔第２実施形態〕図５は第２実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。
ガラス基板及び主電極とからなる基板構体に、厚さ１０
μｍのＳｉＯ2 膜を成膜した。成膜により基板構体は成
膜面を上側に向けた状態で凸状に約１２ｍｍ反った。反
りが過大であるため、背面側の基板構体と張り合わせる
ことができなかった。 〔比較例３〕従来の厚膜手法により誘電体層を形成し
た。すなわち、実施例１と同じ表１の材質のガラス基板
及び主電極とからなる基板構体に、ＰｂＯ−ＢＯ−Ｓｉ
Ｏ系フリットガラスをロールコータで３０μｍの厚さに
印刷し、コンベア炉を用いて大気雰囲気で焼成した（５
８０℃，６０ｍｉｎ）。得られた低融点ガラス層は無数
の泡を含んでおり、比誘電率の測定値は１２．０であっ
た。低融点ガラス層の上に厚さ０．５μｍのＭｇＯ膜を
蒸着法によって成膜し、得られた基板構体と別途に作製
した背面側の基板構体とを張り合わせてＰＤＰを完成さ
せた。発光効率の測定結果は０．８ｌｍ／Ｗであった。 〔第２実施形態〕図５は第２実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。
【００３７】ＰＤＰ２では、前面側のガラス基板１１ｂ
の上に透明導電膜４１ｂと金属膜４２ｂとを順に設けて
主電極Ｘｂ，Ｙｂを形成した後、薄膜手法で誘電体層１
７ｂを成膜する以前に、金属膜４２ｂの上に絶縁体層５
０が設けられている。これにより、主電極Ｘｂ，Ｙｂの
うちの金属膜４２ｂの重なる部分を被覆する層が他の部
分より厚くなるので、金属膜４２ｂの上方での不要の放
電が抑えられて発光効率が高まる。 〔第３実施形態〕図６は第３実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。図７は第３実施形態に係る
ＰＤＰの表示領域の平面図である。
の上に透明導電膜４１ｂと金属膜４２ｂとを順に設けて
主電極Ｘｂ，Ｙｂを形成した後、薄膜手法で誘電体層１
７ｂを成膜する以前に、金属膜４２ｂの上に絶縁体層５
０が設けられている。これにより、主電極Ｘｂ，Ｙｂの
うちの金属膜４２ｂの重なる部分を被覆する層が他の部
分より厚くなるので、金属膜４２ｂの上方での不要の放
電が抑えられて発光効率が高まる。 〔第３実施形態〕図６は第３実施形態に係るＰＤＰの要
部断面構造の模式図である。図７は第３実施形態に係る
ＰＤＰの表示領域の平面図である。
【００３８】ＰＤＰ３においては、前面側のガラス基板
１１ｃの上に透明導電膜４１ｃと金属膜４２ｃとを順に
設けて主電極Ｘｃ，Ｙｃを形成した後、薄膜手法で誘電
体層１７ｃを成膜する以前に、金属膜４２ｃと逆スリッ
トＳ１とを覆うように暗色の絶縁体層５５が設けられて
いる。逆スリットＳ１は隣接する行どうしの電極配列間
隙であり、面放電ギャップである行内の電極配列間隙
（スリット）Ｓ１より幅広である。絶縁体層５５によ
り、図７のように表示領域ＥＳｃの全体ではストライプ
状の遮光パターンが形成され、行間において蛍光体層が
隠れて表示のコントラストが高まる。加えて、主電極Ｘ
ｃ，Ｙｃのうちの金属膜４２ｃの重なる部分を被覆する
層が他の部分より厚くなるので、金属膜４２ｃの上方で
の不要の放電が抑えられて発光効率が高まる。
１１ｃの上に透明導電膜４１ｃと金属膜４２ｃとを順に
設けて主電極Ｘｃ，Ｙｃを形成した後、薄膜手法で誘電
体層１７ｃを成膜する以前に、金属膜４２ｃと逆スリッ
トＳ１とを覆うように暗色の絶縁体層５５が設けられて
いる。逆スリットＳ１は隣接する行どうしの電極配列間
隙であり、面放電ギャップである行内の電極配列間隙
（スリット）Ｓ１より幅広である。絶縁体層５５によ
り、図７のように表示領域ＥＳｃの全体ではストライプ
状の遮光パターンが形成され、行間において蛍光体層が
隠れて表示のコントラストが高まる。加えて、主電極Ｘ
ｃ，Ｙｃのうちの金属膜４２ｃの重なる部分を被覆する
層が他の部分より厚くなるので、金属膜４２ｃの上方で
の不要の放電が抑えられて発光効率が高まる。
【００３９】以上の実施形態によれば、焼成に比べて低
い温度で誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃを設けることが
でき、基板の熱歪みを低減することができる。また、誘
電体層１７，１７ｂ，１７ｃの比誘電率が従来の低融点
ガラス層より低いので電極間容量が低減されて消費電力
が少なくなる。さらに、誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃ
が鉛、亜鉛などの金属を含まないので、製造の作業安全
性が高まり、リサイクル性に優れたＰＤＰ１，２，３が
得られる。
い温度で誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃを設けることが
でき、基板の熱歪みを低減することができる。また、誘
電体層１７，１７ｂ，１７ｃの比誘電率が従来の低融点
ガラス層より低いので電極間容量が低減されて消費電力
が少なくなる。さらに、誘電体層１７，１７ｂ，１７ｃ
が鉛、亜鉛などの金属を含まないので、製造の作業安全
性が高まり、リサイクル性に優れたＰＤＰ１，２，３が
得られる。
【００４０】
【発明の効果】請求項１乃至請求項６の発明によれば、
比誘電率の小さい均質な誘電体層を有したガス放電表示
デバイスの製造が可能になる。
比誘電率の小さい均質な誘電体層を有したガス放電表示
デバイスの製造が可能になる。
【００４１】請求項３の発明によれば、不要の放電をよ
り確実に抑制することができる。請求項４の発明によれ
ば、不要の放電をより確実に抑制することができるとと
もに、表示のコントラストを高めることができる。
り確実に抑制することができる。請求項４の発明によれ
ば、不要の放電をより確実に抑制することができるとと
もに、表示のコントラストを高めることができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの電極配列を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係るＰＤＰの内部の基本構造を示す分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。
式図である。
【図４】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の概略図であ
る。
る。
【図５】第２実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。
式図である。
【図６】第３実施形態に係るＰＤＰの要部断面構造の模
式図である。
式図である。
【図７】第３実施形態に係るＰＤＰの表示領域の平面図
である。
である。
【図８】従来のＰＤＰの要部断面構造の模式図である。
１，２，３ ＰＤＰ（ガス放電表示デバイス） １１，１１ｂ，１１ｃ ガラス基板（基板） Ｘ，Ｙ，Ｘｂ，Ｙｂ，Ｘｃ，Ｙｃ 主電極（電極） ＥＳ，ＥＳｃ 表示領域 １７，１７ｂ，１７ｃ 誘電体層 ｓ 下地面 Ｆ 圧縮応力 ５０ 絶縁体層 ５５ 絶縁体層（遮光層） Ｓ１ スリット（放電間隙） Ｓ２ 逆スリット（電極間部分）
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に配列された電極を覆って表示領域
の全域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイス
の製造方法であって、 前記電極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、
前記誘電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の
下地面を等方的に覆う層を形成することを特徴とするガ
ス放電表示デバイスの製造方法。 - 【請求項２】基板上に透明導電膜に金属膜を重ねた複層
構造の主電極が面放電を生じさせるための電極対を構成
するように配列され、前記主電極を覆って表示領域の全
域に拡がる誘電体層を有したガス放電表示デバイスの製
造方法であって、 前記電極の配列を終えた段階以降の基板構体の表面に、
前記誘電体層としてプラズマ気相成長法によって成膜の
下地面を等方的に覆う層を形成することを特徴とするガ
ス放電表示デバイスの製造方法。 - 【請求項３】前記誘電体層の形成以前に、前記電極のそ
れぞれを部分的に覆う絶縁体層を形成する請求項２記載
のガス放電表示デバイスの製造方法。 - 【請求項４】前記誘電体層の形成以前に、前記表示領域
のうちの放電間隙を除いた電極間部分に遮光層を設ける
請求項２記載のガス放電表示デバイスの製造方法。 - 【請求項５】前記誘電体層として珪素化合物からなる層
を形成する請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のガ
ス放電表示デバイスの製造方法。 - 【請求項６】前記誘電体層として圧縮応力を有した層を
形成する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のガス
放電表示デバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127398A JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
| US09/289,579 US6450849B1 (en) | 1998-07-07 | 1999-04-12 | Method of manufacturing gas discharge display devices using plasma enhanced vapor deposition |
| KR1019990016363A KR100321089B1 (ko) | 1998-07-07 | 1999-05-07 | 가스 방전 표시 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19127398A JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003320074A Division JP3835555B2 (ja) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | ガス放電表示デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021304A true JP2000021304A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3481142B2 JP3481142B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=16271815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19127398A Expired - Fee Related JP3481142B2 (ja) | 1998-07-07 | 1998-07-07 | ガス放電表示デバイス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6450849B1 (ja) |
| JP (1) | JP3481142B2 (ja) |
| KR (1) | KR100321089B1 (ja) |
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