JP2000020665A

JP2000020665A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2000020665A
Application number: JP10199535A
Authority: JP
Inventors: Shigeyoshi Watanabe; 辺重佳渡; Masami Nagaoka; 岡正見長; Atsushi Kameyama; 山敦亀; Kunio Yoshihara; 原邦夫吉
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】変形自在で任意の形状の商品に取り付けが可
能で、単価が安く使用後の回収を不要とし、さらに回路
の誤動作の防止が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】可撓性フィルム１１上に、薄膜シリコン
に形成されたＬＳＩチップ１２と、金属膜が蒸着されて
形成されＬＳＩチップ１２に接続されたアンテナ１３と
が形成されている。アンテナ１３に電磁波が受信される
と電磁誘導により起電力が発生し、ＬＳＩチップ１２が
この電力を供給されて動作し、内部に保持していたデー
タをアンテナ１３を介して送信する。ＬＳＩチップ１２
が、送信回路のみならず受信回路及び信号処理回路を有
する場合は、アンテナ１３を介して信号を受信して処理
を行い、その結果に応じて信号を送信することができ
る。このように、可撓性フィルム１１に薄膜シリコンか
ら成るＬＳＩチップ１２と蒸着された金属膜から成るア
ンテナ１３が形成されていることで、変形が自由で多様
な形状の商品に貼り付けることができ、コスト及び電力
の低減にも寄与する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置であっ
て、例えば物流システムにおける商品管理用のタグとし
て用いるのに好適な装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、通信技術の進歩及び物流関連ビジ
ネスの進展に伴い、無線で情報を送信する通信機能を備
えたいわゆる無線タグを商品に取り付けて、商品の販売
管理や在庫管理を行うことが以下の文献１により提案さ
れている。

【０００３】文献１：月刊セミコンダクタワールド、
１９９８年３月号、第２２〜３３頁「電子商取引へＦｅ
ＲＡＭが９９年に出陣、ファッション衣料品が携帯端末
を持つ」図１６に、従来の無線タグの外観を示す。樹脂性ケース
１４１に、通信機能を有する回路が集積されたＬＳＩ
（Large Scale Integrated circuit）チップ１４２と、
ＬＳＩチップ１４２に接続されたアンテナ１４５と、Ｌ
ＳＩチップ１４２が処理した内容を表示するＬＣＤ（Li
quid Crystal Display）表示装置１４３と、ＬＳＩチッ
プ１４２に電源を供給する太陽電池１４４とが搭載され
ている。

【０００４】例えば、小売店におけるレジスタから、当
該無線タグが取り付けらている商品の分類、名称、売値
等に関する属性データを問い合わせる信号が発信され、
アンテナ１４５を介してＬＳＩチップ１４２に受信され
る。ＬＳＩチップ１４２はバルクシリコン基板上に回路
が形成されており、内蔵するメモリに記憶されている商
品の属性データをＬＣＤ表示装置１４３に表示させ、さ
らにアンテナ１４５を介して属性データを示す信号をレ
ジスタへ向けて送信する。

【０００５】図１７に、ＬＳＩチップ１４２に内蔵され
た回路の概略構成を示す。この回路は、ＲＦ（Radio Fr
equency ）信号変復調部１６１と、信号／データ処理部
１５２とを備えている。ＲＦ信号変復調部１６１はアン
テナ１４５を介して信号を送受信するために必要な変復
調等の処理を行うもので、変調回路１６２、復調回路１
６３、アンテナドライバ１６４、Ｒ／Ｆアンプ１６５を
有している。信号／データ処理部１５２は受信した信号
に基づいて内蔵するデータを画像表示及び送信するため
に必要な処理を行い、中央処理装置（ＭＰＵ）１５５、
ＲＯＭ／ＲＡＭ部１５４、インタフェース（Ｉ／Ｆ）部
１５３、入出力（Ｉ／Ｏ）部１５６を有している。

【０００６】このように、従来の無線タグはバルクシリ
コン基板に形成されたＬＳＩチップ１４２と、ＬＳＩ１
４２を駆動するための太陽電池１４４と、無線タグの処
理の状況を作業者が目視確認するためのＬＣＤ表示装置
１４３とを備えていた。

【０００７】しかし、この無線タグは上述したような多
くの機能を搭載するため、その大きさは８．５ｃｍ×
５．７５ｃｍというようにかなり大きかった。

【０００８】また、バルクシリコンに形成されたＬＳＩ
チップ１４２等を搭載するためケースとして堅い樹脂性
ケース１４１が用いられていた。このため、表面が平坦
でかつ比較的な大きい商品にしか無線タグを取り付ける
ことができなかった。

【０００９】さらに、１個当たりの価格は約１０００円
とかなり高く、これを取り付ける商品は約１万円以上の
ものに限られていた。さらに、高価格ゆえ販売後にはこ
の無線タグを回収しなければならないという問題もあっ
た。

【００１０】上述の無線タグにおける大きく形が固定さ
れ価格が高いという問題のうち、大きさ及び価格の問題
を若干解消したものが、以下の文献２により提案され図
１８に示された従来の他の無線タグである。

【００１１】文献２：ＴＲＩＧＧＥＲ、１９９７年７
月号、第３２〜３３頁「１枚１００円以下を実現した小
型非接触ラベル」この無線タグは、機能を無線に絞り込むことで、表示部
と電源とを内蔵しないものとなっている。さらにコスト
を低減するため、このタグはバルクシリコン基板上に形
成した約３ｍｍ角のベアチップ１７２とアンテナ１７３
とが透明樹脂１７１上に直接搭載されており、さらにア
ンテナ１７３を小さくするため２ＧＨｚ帯の周波数で送
受信が行われる。

【００１２】この無線タグによれば、６ｃｍ×１ｃｍ×
０．１ｍｍの大きさまで小型化が可能で、かつ価格を１
個当たり１００円程度まで低減することができる。

【００１３】しかし、この無線タグも形が固定されてお
り、表面が平坦でかつ比較的な大きい商品にしか取り付
けることができなかった。また、依然としてタグとして
は価格が高いため、回収が必要であった。さらに、内蔵
電池を備えていないため、文献１に示された無線タグと
比較すると、回路としての機能が大幅に限定されてい
た。

【００１４】また、文献２に開示された無線タグでは、
コスト低減のためバルクシリコン基板上にディジタル信
号を処理する信号／データ処理部と、アナログ信号を処
理するＲＦ変復調部とを混載しなければならない。この
結果、信号／データ処理部が発生するノイズがＲＦ変復
調部に影響し、誤動作を招くおそれがあった。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
無線タグにはタグ自身の形状が固定されており、柔軟性
がないため取り付け可能な商品が限定され、コストが高
く回収を必要とし、さらにーチップに混載されたディジ
タル回路が発生するノイズでアナログ回路が誤動作する
という問題があった。

【００１６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、変形自在で任意の形状の商品に取り付けが可能で、
単価が十分に低減され使用後に回収する必要がなく、回
路の誤動作を防止することが可能な半導体装置を提供す
ることを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
可撓性フィルムと、前記可撓性フィルム上に形成され、
電磁波を受信するアンテナと、前記可撓性フィルム上に
搭載された薄膜シリコンに形成され、前記アンテナに前
記電磁波が受信され電磁誘導により発生した電力を供給
されて動作し、内部に保持しているデータを前記アンテ
ナを介して送信する回路とを備えることを特徴としてい
る。

【００１８】ここで前記回路は、前記アンテナにより受
信された前記電磁波を信号として与えられて所定の処理
を行い、この処理の結果に基づいて内部に保持している
前記データを前記アンテナを介して送信するものであっ
てもよい。

【００１９】また前記回路は、前記データを記憶する書
き換え可能なメモリをさらに備えてもよい。

【００２０】前記回路は、前記薄膜シリコンにおいてボ
ディが相互に電気的に分離されるように形成された複数
のトランジスタを有し、各々のトランジスタにおけるボ
ディ電位はゲート電位と同一になるように、他のトラン
ジスタのボディ電位とは独立して制御されるものであっ
てもよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のー実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。

【００２２】本発明の第１の実施の形態による半導体装
置の外観を図１に示す。可撓性フィルム１１の表面上
に、ＬＳＩチップ１２とアンテナ１３とが搭載されてい
る。

【００２３】可撓性フィルム１１は、柔軟性のある樹脂
やゴム、紙等の材料から成り、平坦なシート形状を有す
るものである。例えば、フィルム１１としてバーコード
用のシールを用いてもよい。

【００２４】ＬＳＩチップ１２は、バルクシリコン基板
ではなく薄膜シリコンにＬＳＩが形成され、大きさは例
えば約２ｍｍ角である。

【００２５】アンテナ１３は、可撓性フィルム１１の表
面上に金属膜が蒸着されて形成され、ＬＳＩチップ１２
に電気的に接続されている。また、本装置では送受信の
ための信号としてＧＨｚ帯の周波数を有するものを扱う
ことで、アンテナ１３の長さが例えば全長約７ｃｍとい
うように極力短くなっている。また、アンテナ１３が変
形しにくいように、矩形状の可撓性フィルム１１の短辺
方向に沿って配置されている。

【００２６】また、本装置は電池等の電源やＬＣＤ等の
画像表示装置を有していない。ＬＳＩチップ１２は、ア
ンテナ１３に電磁波が受信されて電磁誘導によって発生
した電力を供給されて動作する。

【００２７】このように、本実施の形態による半導体装
置は可撓性フィルム１１に２ｍｍ角程度のＬＳＩチップ
１２とアンテナ１３とが形成されているので、装置全体
に柔軟性があり、自在に変形可能である。また、可撓性
フィルム１１の裏面側に接着剤を塗布したり接着シート
を貼り付けることで、この半導体装置を多種多様なもの
に自在に貼り付けることができる。例えば、図３（ａ）
に示された林檎４１やバナナ４３のような様々な形状の
商品に、本実施の形態による半導体装置を無線タグ４
２、４４として貼り付けることができる。

【００２８】図２に、ＬＳＩチップ１２が搭載する回路
のブロック構成を示す。この回路は、ＲＦ信号変復調部
３１と、信号／データ処理部２１とを備えている。ＲＦ
信号変復調部３１は、アンテナ１３を介して信号を送受
信するために必要な変復調等の処理を行うもので、変調
回路３２、復調回路３３、アンテナドライバ３４、Ｒ／
Ｆアンプ３５を有している。信号／データ処理部２１は
受信した信号に基づいて内蔵するデータをアンテナ１３
を介して送信するために必要な処理を行うもので、ＭＰ
Ｕ２４、ＲＯＭ／ＲＡＭ部２３、Ｉ／Ｆ部２２、Ｉ／Ｏ
部２５を有している。

【００２９】このように、本実施の形態ではアンテナ１
３を介してＲＦ信号変復調部３１により信号を受信し、
受信した信号に基づいて信号／データ処理部２１におい
てＲＯＭ／ＲＡＭ部２３に格納された属性データ等のデ
ータを、ＲＦ信号変復調部３１からアンテナ１３を介し
て送信する。

【００３０】しかし、このような回路構成を必ずしも備
えている必要はない。例えば、受信機能や内蔵メモリ、
ＭＰＵを備えていなくともよい。この場合には、アンテ
ナ１３に電磁波が受信されて電磁誘導により起電力が発
生して回路が動作を開始し、これにより所定のデータを
自動的に送信する。この場合のデータは、内蔵メモリの
替わりにファームウェア化された状態で保持されたもの
を用いることができる。

【００３１】次に、本実施の形態による半導体装置を製
造する方法について図４〜図９を用いて説明する。図４
に示されたように、ＬＳＩチップを形成するための薄膜
シリコンとして、シリコン基板５１の表面上に埋め込み
酸化膜５２が形成されたＳＯＩ（Silicon On Insulato
r）基板を用いる。これは、コスト及び消費電力の低減
化が可能であり、しかも後の工程で埋め込み酸化膜５２
上に薄膜シリコン５３を形成することが容易だからであ
る。ここで、例えばシリコン基板５１の厚さは約５００
μｍ、埋め込み酸化膜５２は０．１〜０．４μｍ、薄膜
シリコン５３は０．１〜１．０μｍとしてもよい。

【００３２】このような基板を用いて、図５〜図９に示
されるような工程を経てＬＳＩ素子とアンテナ１３とを
形成する。図５に示されたように、薄膜シリコン５３の
周辺部に、例えばＬＯＣＯＳ法を用いて分離層５４を形
成し、さらに薄膜シリコン５３の内部にＬＳＩ素子とし
て例えばＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのＮ+ 型拡散
層５５及び５６を不純物の注入及び拡散により形成す
る。Ｎ+ 型拡散層５５及び５６が形成された薄膜シリコ
ン５３の表面上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５
８を形成する。また、ゲート電極５８が形成されていな
い領域には、絶縁膜５７を形成する。さらに、Ｎ+ 型拡
散層５６とコンタクトをとった状態で、絶縁膜５７上に
アルミニウム等の金属をスパッタリングにより蒸着させ
て、アンテナ接続用金属配線５９を形成する。

【００３３】そして、図６に示されたように、絶縁膜５
７やアンテナ接続用金属配線５９が形成された基板５１
の表面上に接着剤６０を塗布する。これは、薄膜シリコ
ン５３及び埋め込み酸化膜５２と、その下のシリコン基
板５１とを切り離すための準備として行う。

【００３４】次に、図７に示されたように、接着剤６０
を介在させた状態でシリコン基板５１の表面上にフィル
ム６１を載せる。図８に示されたように、フィルム６１
が下部にくるように上下を反転させ、シリコン基板５２
を研磨していくことで切り離す。

【００３５】このようにして得られたＬＳＩチップ１２
を、図９に示されたように上述の可撓性フィルム１１の
表面上に接着剤等を用いて固定する。さらに、ＬＳＩチ
ップ１２の側面に露出したアンテナ接続用金属配線５９
と電気的に接続されるように、アルミニウム等の金属を
スパッタリングにより可撓性フィルム１１上に蒸着させ
て、アンテナ１３を形成する。

【００３６】ここで、本実施の形態における薄膜シリコ
ンを用いたＬＳＩチップ１２と、従来の無線タグにおけ
るバルクシリコン基板を用いたＬＳＩチップ１４２とに
おける、それぞれのトランジスタの構造及びその製造工
程について比較する。

【００３７】従来のバルクシリコン基板を用いたＬＳＩ
チップ１４２では、図１０にその縦断面構造が示された
ＭＯＳ型トランジスタと、図１２に示された縦型バイポ
ーラトランジスタとが、いわゆるバルクＢｉＣＭＯＳ技
術が用いられて形成されている。ＭＯＳ型トランジスタ
は、バルクシリコン基板８１の表面部分に、ソース、ド
レインとしての不純物拡散層８２、８３と、ゲート電極
８４とを備えている。バイポーラトランジスタは、バル
クシリコン基板８１の表面部分において、シャロートレ
ンチ０４とディープトレンチ１０２及び１０３とによっ
て素子分離された状態で、ベース１０５、エミッタ１０
６、コレクタ１０７が形成されている。

【００３８】本実施の形態における薄膜シリコンに形成
されるＭＯＳトランジスタは図１１に示されるような構
造を有し、横型バイポーラトランジスタは図１３に示さ
れるような構造を有している。ＭＯＳトランジスタは、
埋め込み酸化膜５２の下面側に薄膜シリコン５３が位置
し、この薄膜シリコン５３にソース、ドレインとしての
Ｎ+ 型拡散層５５、５６が形成され、ゲート酸化膜を介
してゲート電極５８が形成されている。

【００３９】横型バイポーラトランジスタは、埋め込み
酸化膜５２の下面側の薄膜トランジスタ５３に、コレク
タとしてのＮ+ 型拡散層１１２、ベースとしてのＰ型拡
散層１１３、エミッタとしてのＮ+ 型拡散層１１４が形
成され、それぞれの拡散層１１２〜１１４上には電極１
１５〜１１７が形成されている。

【００４０】本実施の形態ではバルクシリコンを用いず
に薄型シリコンにトランジスタを形成するため、寄生容
量が小さく高速化及び低消費電力化に寄与することがで
きる。

【００４１】さらに、図１２より明らかなように、従来
の無線タグにおけるバルクシリコンに形成される縦型バ
イポーラトランジスタは、その構造が極めて複雑で多く
の工程を必要とし、製造コストが高いという問題があ
る。

【００４２】これに対し、本実施の形態において用いら
れる横型バイポーラトランジスタは、図１３に示される
ように構造が簡易であり、製造工程の数も縦型バイポー
ラトランジスタより少ない。例えば、ＬＳＩのデザイン
ルールを０．２５〜０．３５μｍとした場合、横型バイ
ポーラトランジスタは約５２０で縦型バイポーラトラン
ジスタは約３７０である。従って、本実施の形態によれ
ば工程数を約２／３まで削減することができる。工程数
が減少すると歩留まりも向上するため、ＬＳＩチップの
総合コストで考えると従来よりも約１／２〜１／４に低
減することが可能である。

【００４３】また、ＬＳＩチップを搭載する基板のコス
トを考えた場合、従来の装置で用いていた透明樹脂より
も本実施の形態における可撓性フィルムの方が約１／２
まで低減することができる。図１８に示された従来の無
線タグを約１００円とすると、本実施の形態は約３０円
程度であり、約１／３まで低減することができる。よっ
て、例えば単価が１００円程度の安い商品にも本実施の
形態による装置を無線タグとして用いることが可能であ
り、しかも回収が不要であるので、適用可能な市場が大
幅に拡がる。

【００４４】さらに、本実施の形態によれば従来の無線
タグよりも消費電力を低減する効果が得られる。図１４
に示されたように、薄膜シリコン５３に形成された各々
のトランジスタにおけるボディ１２２、１２３の間を、
埋め込み酸化膜５２に接続された絶縁膜１２４で電気的
に分離するように構成することで、各々のボディ１２
２、１２３の電位を独立して制御することができる。こ
れにより、各々のトランジスタ毎に、ゲート５８ａとボ
ディ１２２とを電気的に接続し、同様にゲート５８ｂと
ボディ１２３とを接続して動作させることができる。

【００４５】例えば電源電圧として０．５Ｖを用いた場
合、図１５に示されたように、トランジスタのボディ電
圧はゲート電圧と同じ０．５Ｖであり、閾値電圧がほぼ
０Ｖになる。よって、０．５Ｖの低電源電圧によっても
高速に動作させることができる。また、トランジスタが
オフ状態にある場合、ボディ電位とゲート電位は共に０
Ｖとなり、閾値電圧が約０．２Ｖに上昇してオフ時のリ
ーク電流を低減することができる。従来の無線タグは電
源電圧として１．５〜３．０Ｖを選択しているが、本実
施の形態によれば上述したような理由により消費電力を
１〜２桁低減することが可能である。

【００４６】ところで、本実施の形態ではコスト低減の
ため太陽電池等の電源を内蔵していない。このため、図
２にＲＯＭ／ＲＡＭ部として示されたような内部メモリ
を用いてデータを送信するように構成する場合には、不
揮発性記憶装置を用いる必要がある。例えば、より低電
源電圧で動作可能なＦerro ＲＡＭを用いてもよい。こ
こでＦerro ＲＡＭは、強誘電体を用いてデータの保持
を行うが、強誘電体部はトランジスタの形成後、トラン
ジスタの上部に形成される。よって、本実施の形態のよ
うにシリコン基板が最終的に削除される場合にも形成す
ることが可能である。

【００４７】内部メモリの容量は、ＬＳＩチップ１２の
面積を縮小するため６４〜１Ｋビットというように最小
限に抑えることが望ましい。

【００４８】また、内部メモリとして随時書き換え可能
なメモリを用いることで、第三者のデータ読み出しを防
ぐ暗号システムを導入した場合のセキュリティを向上さ
せることができる。この場合のメモリとしては、上述し
たＦerro ＲＡＭの他に、Ｅ²ＰＲＯＭを用いることも
できる。

【００４９】暗号システムとして、従来の無線タグでは
標準的なＤＥＳ（Data EncryptionStandard）を用いる
場合が多かった。本実施の形態では、このようなシステ
ムを用いてもよいが、セキュリティ性をより高めるため
に、書き換え可能なメモリを用いることで定期的にＲＦ
Ｕ部の暗号を再構成してもよい。

【００５０】従来の無線タグでは、上述したようにバル
クシリコン基板にアナログ回路とディジタル回路とを混
載していたため、ディジタル回路が発生するノイズによ
りアナログ回路が誤動作する場合があった。これに対
し、本実施の形態ではバルクシリコン基板を用いずに薄
膜シリコンを用いて回路を形成しているため、ノイズに
よる誤動作を防止することができる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、可
撓性フィルムにアンテナ及び回路を形成しているため、
変形自在であらゆる形状の商品への貼り付けが可能であ
り、またコストが低減されるため使用後の回収が不要で
あると共に適用可能な市場が拡大され、さらにアンテナ
に受信した電磁波により回路を駆動することで消費電力
の低減が可能である。また、回路が薄膜シリコンに形成
されているため、バルクシリコン基板を用いた場合と異
なり、回路が内部で発生したノイズにより誤動作するこ
とが防止される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
外観を示した斜視図。

【図２】同半導体装置に含まれるＬＳＩチップの内部構
成を示したレイアウト図。

【図３】同半導体装置を商品に貼り付けた状態を示した
説明図。

【図４】同半導体装置におけるＬＳＩチップを形成する
薄膜シリコンの断面を示した縦断面図。

【図５】同薄膜シリコンを用いて素子を形成する場合の
ー工程を示した縦断面図。

【図６】同薄膜シリコンを用いて素子を形成する場合の
図５に続くー工程を示した縦断面図。

【図７】同薄膜シリコンを用いて素子を形成する場合の
図６に続くー工程を示した縦断面図。

【図８】同薄膜シリコンを用いて素子を形成する場合の
図７に続くー工程を示した縦断面図。

【図９】図８に示されたＬＳＩチップをフィルム上に搭
載しアンテナを形成したときの断面を示した縦断面図。

【図１０】従来の無線タグにおいて用いられていたバル
クシリコン基板に形成されたＭＯＳトランジスタの断面
を示した縦断面図。

【図１１】本発明のー実施の形態において用いられる薄
膜シリコンに形成されたＭＯＳトランジスタの断面を示
した縦断面図。

【図１２】従来の無線タグにおいて用いられていたバル
クシリコン基板に形成されたバイポーラトランジスタの
断面を示した縦断面図。

【図１３】本発明のー実施の形態において用いられる薄
膜シリコンに形成されたバイポーラトランジスタの断面
を示した縦断面図。

【図１４】同実施の形態において用いられる薄膜シリコ
ンに形成され相互に分離された複数のＭＯＳトランジス
タの断面を示した縦断面図。

【図１５】図１４に示されたＭＯＳトランジスタの閾値
電圧とボディ電圧との関係を示したグラフ。

【図１６】従来の無線タグの外観を示した斜視図。

【図１７】同無線タグに含まれるＬＳＩチップの内部構
成を示したレイアウト図。

【図１８】従来の他の無線タグの外観を示した斜視図。

【符号の説明】

１１可撓性フィルム１２ＬＳＩチップ１３アンテナ２１信号／データ処理部２２Ｉ／Ｆ部２３ＲＯＭ／ＲＡＭ部２４ＭＰＵ２５Ｉ／Ｏ部３１ＲＦ変復調部３２変調回路３３復調回路３４アンテナドライバ３５ＲＦアンプ４１林檎４３バナナ４２、４４無線タグ５１シリコン基板５２埋め込み酸化膜５３薄膜シリコン５４分離層５５、５６、１１２Ｎ+ 拡散層５７、１２４絶縁膜５８、５８ａ、５８ｂゲート電極５９アンテナ接続用金属配線６０接着剤６１フィルム１１５〜１１７電極１２２、１２３ボディ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者亀山敦神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者吉原邦夫神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 5B035 AA00 AA05 AA11 BA03 BB09 BC00 CA01 CA23 5C084 AA03 AA08 BB04 BB21 BB31 CC34 DD07 DD87 GG01 GG52 GG74 5K012 AA05 AB05 AB18 AC08 AC10 AE13 BA03 BA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可撓性フィルムと、前記可撓性フィルム上に形成され、電磁波を受信するア
ンテナと、前記可撓性フィルム上に搭載された薄膜シリコンに形成
され、前記アンテナに前記電磁波が受信され電磁誘導に
より発生した電力を供給されて動作し、内部に保持して
いるデータを前記アンテナを介して送信する回路と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記回路は、前記アンテナにより受信され
た前記電磁波を信号として与えられて所定の処理を行
い、この処理の結果に基づいて内部に保持している前記
データを前記アンテナを介して送信することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】前記回路は、前記データを記憶する書き換
え可能なメモリをさらに備えることを特徴とする請求項
１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】前記回路は、前記薄膜シリコンにおいてボ
ディが相互に電気的に分離されるように形成された複数
のトランジスタを有し、各々のトランジスタにおけるボ
ディ電位はゲート電位と同一になるように、他のトラン
ジスタのボディ電位とは独立して制御されることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。