JP2000019718A - Correcting method and correcting device for pattern - Google Patents
Correcting method and correcting device for patternInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光装
置等のビームエネルギーにより露光形成されるフォトマ
スクやウエハ等の露光パターンの欠陥を修正するパター
ンの修正方法及び修正装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for correcting a defect of an exposure pattern such as a photomask or a wafer formed by exposure to beam energy using an electron beam exposure apparatus or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化が著しく、
より微細で再現性の高いデバイスパターンの形成が求め
られている。このようなウエハやフォトマスク（ステッ
パ又はフォトリピータに用いられるフォトマスク）に形
成されるパターンの微細化において、不可欠な技術とし
てパターン露光技術が知られているが、パターンの微細
化に伴って、露光パターンに存在するパターン欠陥がデ
バイスの特性に与える影響が大きくなるため、パターン
欠陥の修正技術が重要になっている。2. Description of the Related Art In recent years, high integration of semiconductor devices has been remarkable.
There is a demand for the formation of finer and highly reproducible device patterns. In miniaturization of a pattern formed on such a wafer or a photomask (a photomask used for a stepper or a photo repeater), a pattern exposure technique is known as an indispensable technique. Since the effect of a pattern defect existing in an exposure pattern on the characteristics of a device increases, a technique for correcting the pattern defect has become important.
【０００３】従来、半導体製造技術におけるウエハやフ
ォトマスク（以下、レチクルと記す）のパターン修正処
理は、図６に示すように、大別してパターン検査、欠陥
座標抽出、修正処理の各工程により構成される。 （パターン検査工程）レチクルに形成されたパターン
は、表面検査装置により欠陥の有無が検査される（Ｓ１
１）。Conventionally, a pattern correction process of a wafer or a photomask (hereinafter, referred to as a reticle) in a semiconductor manufacturing technique is roughly divided into pattern inspection, defect coordinate extraction, and correction processes as shown in FIG. You. (Pattern Inspection Step) The pattern formed on the reticle is inspected for defects by a surface inspection device (S1).
1).
【０００４】ここで、パターン検査工程に適用される検
査方法としては、形成されたパターンのうち、同一形状
を有する複数のブロックパターン相互を比較する比較検
査法、あるいは、露光処理に用いられた露光（パター
ン）データと形成されたパターンとの忠実度、すなわち
どの程度正確に露光データがパターン化されているかを
検査するデータ照合検査法がある。Here, as an inspection method applied to the pattern inspection process, a comparison inspection method of comparing a plurality of block patterns having the same shape among formed patterns, or an exposure method used in an exposure process There is a data collation inspection method for inspecting the fidelity between (pattern) data and a formed pattern, that is, how accurately the exposure data is patterned.
【０００５】現在、パターン検査工程における欠陥の検
出感度は、デバイスルールの最小化により、”比較検
査”の場合、０．５μｍ、”データ照合検査”の場合、
１．０μｍ程度である。 （欠陥座標抽出工程）次いで、パターン検査により検出
されたパターン欠陥の位置を座標化して座標データとし
て抽出する（Ｓ１２）。At present, the defect detection sensitivity in the pattern inspection process is 0.5 μm in the case of “comparison inspection” and 0.5 μm in the case of “data collation inspection” by minimizing the device rule.
It is about 1.0 μm. (Defect Coordinate Extraction Step) Next, the position of the pattern defect detected by the pattern inspection is converted into coordinates and extracted as coordinate data (S12).
【０００６】（修正処理工程）抽出された座標データ
は、周知のパターン修正装置、例えば集束イオンビーム
修正装置（Focused Ion Beam repair：以下、ＦＩＢリ
ペアという）、あるいはレーザビーム修正装置（laser
beam repaire:以下、レーザーリペアという）等に転
送、入力される（Ｓ１３）。(Correction processing step) The extracted coordinate data is stored in a known pattern correction device, for example, a focused ion beam repair device (hereinafter referred to as FIB repair) or a laser beam correction device (laser).
beam repaire: hereinafter, referred to as laser repair) and input (S13).
【０００７】修正装置は、入力された座標データに基づ
いて、ステージ上にセットされたレチクル（あるいはウ
エハ）上に存在するパターン欠陥の位置を割り出す（Ｓ
１４）。そして、ＦＩＢリペアを用いた修正処理におい
ては、電子に比べて質量の重いカーボン又は金属（Ｇａ
等）イオンを加速、集束し、反応性ガスとしてレチクル
に吹きつけ、カーボン又は金属を析出させて白欠陥を修
正、あるいはクロム等をスパッタ除去して黒欠陥を修正
する。The correcting device determines the position of the pattern defect existing on the reticle (or wafer) set on the stage based on the input coordinate data (S
14). In the repair process using the FIB repair, carbon or metal (Ga
Etc.) The ions are accelerated and focused, and are sprayed as a reactive gas onto a reticle to deposit carbon or metal to correct white defects, or to correct black defects by removing chromium or the like by sputtering.
【０００８】一方、レーザリペアを用いた修正処理にお
いては、結像光学系を用いてパイロット光により修正位
置を確認し、アパーチャ像をレチクル上に結像させて、
例えばスポット状のＹａｇレーザ光を照射して黒欠陥を
修正する。また、レーザＣＶＤ機能を利用してタングス
テン（Ｗ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属を析出させ
て白欠陥を修正することもできる（Ｓ１５）。On the other hand, in a correction process using laser repair, a correction position is confirmed by a pilot light using an imaging optical system, and an aperture image is formed on a reticle.
For example, a spot-shaped Yag laser beam is irradiated to correct a black defect. In addition, a white defect can be corrected by depositing a metal such as tungsten (W) or aluminum (Al) using a laser CVD function (S15).
【０００９】なお、パターン欠陥は、上述のように黒欠
陥と白欠陥に分類できる。周知のように、黒欠陥とは、
基板等のガラス部（透明：白）に、例えばクロム等の異
物（不透明：黒）が存在する欠陥であり、白欠陥とは、
クロム等により形成されたパターン（不透明：黒）の一
部が欠落してガラス状（透明：白）の箇所が存在する欠
陥である。Note that pattern defects can be classified into black defects and white defects as described above. As is well known, a black defect is
A defect in which a foreign substance (opaque: black) such as chromium exists in a glass portion (transparent: white) of a substrate or the like.
This is a defect in which a part of a pattern (opaque: black) formed by chrome or the like is missing and a glass-like (transparent: white) portion is present.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところが、デバイスル
ールの最小化、パターンの高密度化に伴って、パターン
欠陥がデバイス特性に与える影響が相対的に大きくなっ
てきている。そのため、修正対象となるパターン欠陥の
サイズは、さらに微細化し、修正装置に求められる修正
精度（仕様）が実現困難なものとなってきている。However, with the minimization of device rules and the densification of patterns, the influence of pattern defects on device characteristics has become relatively large. For this reason, the size of the pattern defect to be repaired is further miniaturized, and it is becoming difficult to achieve the repair accuracy (specification) required for the repair device.
【００１１】例えば、０．１８μｍのデザイン（設計）
ルールが適用される１Ｇ−ＤＲＡＭのメモリセルの場
合、レチクル上で０．１５μｍ以上の欠陥が存在する
と、デバイス特性に大きな影響を与えるため、修正の対
象となるが、上述した修正装置により実現が可能な修正
精度は、ＦＩＢリペアの場合０．１５μｍ、レーザリペ
アの場合０．２μｍ程度であって、０．１５μｍの欠陥
に対して修正可能な許容値限界を越えているため、良好
な修正処理を行うことができないという問題を有してい
る。For example, a design (design) of 0.18 μm
In the case of a 1G-DRAM memory cell to which the rule is applied, if a defect of 0.15 μm or more exists on the reticle, it greatly affects the device characteristics, and is subject to correction. Possible repair accuracy is about 0.15 μm for FIB repair and about 0.2 μm for laser repair, which exceeds the allowable limit of repair for 0.15 μm defect. Cannot be performed.
【００１２】また、修正装置におけるレチクルの配置処
理、すなわちパターンの位置決め処理は、もっぱら目視
による合わせ込みにより行われているため、配置精度
が、上述した修正装置の修正精度以下しか実現すること
ができない。そのため、特に非矩形形状のパターンでの
欠陥の修正処理において、パターン形状が悪化してしま
うという問題を有している。Further, since the reticle arrangement processing in the correction apparatus, that is, the pattern positioning processing, is performed exclusively by visual alignment, the arrangement accuracy can be realized only below the correction accuracy of the above-described correction apparatus. . Therefore, there is a problem that the pattern shape is deteriorated particularly in the process of correcting a defect in a non-rectangular pattern.
【００１３】さらに、高密度パターン領域に対して欠陥
の修正を行うと、ＦＩＢリペアの場合には、パターン欠
陥の近傍にＧａステインが残留して、新たな黒欠陥を生
じたり、レーザリペアの場合には、レーザ照射のエネル
ギー不足により、レーザ焼けが生じるという二次的なパ
ターン欠陥が発生する問題を有している。本発明は、上
記問題点を解決し、半導体製造工程で使用されるレチク
ルやウエハ等のパターン修正処理において、パターン欠
陥を高精度に修正することができるとともに、特に非矩
形形状のパターン形状の劣化を抑制することができるパ
ターンの修正方法及び修正装置を提供することを目的と
する。Further, when the defect is corrected in the high-density pattern region, Ga stain remains near the pattern defect in the case of the FIB repair, and a new black defect is generated. However, there is a problem that secondary pattern defects such as laser burn occur due to insufficient energy of laser irradiation. The present invention solves the above problems, and in a pattern correction process of a reticle or a wafer used in a semiconductor manufacturing process, it is possible to correct a pattern defect with high accuracy, and particularly to deteriorate a non-rectangular pattern shape. It is an object of the present invention to provide a pattern correction method and a correction device that can suppress the occurrence of a pattern.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、請求項１記載の発明は、パターンデータに
基づいてビームエネルギーを照射し、所定のパターンを
形成するビーム照射装置により形成されたパターンの修
正方法において、前記パターンに存在する欠陥を検出
し、該欠陥の位置を座標データとして記憶する工程と、
前記ビーム照射装置により前記パターンの形成に使用さ
れた前記パターンデータを用いて、前記欠陥位置のパタ
ーンに対して重ね合わせ照射を行い、前記欠陥を修正す
る工程と、を含むことを特徴としている。According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 irradiates a beam energy based on pattern data to form a predetermined pattern by a beam irradiation apparatus. In the method for correcting the pattern, a step of detecting a defect present in the pattern, and storing the position of the defect as coordinate data,
Using the pattern data used for forming the pattern by the beam irradiation device, performing a superposition irradiation on the pattern at the defect position to correct the defect.
【００１５】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のパターン修正方法において、前記ビーム照射装置に
よる重ね合わせ照射工程は、前記欠陥位置の座標データ
に基づいて、前記欠陥が存在するフィールドを抽出し、
フィールド単位で重ね合わせ照射を行うことを特徴とし
ている。また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２
記載のパターンの修正方法において、前記ビーム照射装
置による重ね合わせ照射工程は、前記欠陥の種類に応じ
て、前記パターンデータを加工し、前記欠陥位置のパタ
ーンに対して重ね合わせ照射を行うことを特徴としてい
る。According to a second aspect of the present invention, in the pattern correction method according to the first aspect, the overlapping irradiation step by the beam irradiation device is performed based on coordinate data of the defect position. Extract
It is characterized in that superposition irradiation is performed in field units. Further, the invention described in claim 3 is the invention according to claim 1 or 2
In the method for correcting a pattern according to the aspect, in the superposition irradiation step by the beam irradiation apparatus, the pattern data is processed according to a type of the defect, and superposition irradiation is performed on the pattern at the defect position. And
【００１６】さらに、請求項４記載の発明は、所定のパ
ターンデータを重ね合わせてビームエネルギーをフィー
ルド単位で照射し、所定のパターンを形成するビーム照
射手段と、前記パターンに存在する欠陥を検出し、該欠
陥の位置を座標データとして記憶する欠陥検出手段と、
前記欠陥位置のパターンに対して、前記パターンデータ
の重ね合わせ照射を指示する制御手段と、前記欠陥の種
類に応じて、前記パターンデータを反転加工するパター
ンデータ反転手段と、を有することを特徴としている。Further, according to a fourth aspect of the present invention, a beam irradiation means for forming a predetermined pattern by irradiating a beam energy on a field basis by superimposing predetermined pattern data, and detecting a defect existing in the pattern. Defect detection means for storing the position of the defect as coordinate data;
Control means for instructing the pattern data at the defect position to irradiate the pattern data, and pattern data reversing means for reversing the pattern data according to the type of the defect, I have.
【００１７】したがって、本発明に係るパターンの露光
方法及び露光装置によれば、レチクルやウェハ等のパタ
ーン露光を行う電子ビーム露光装置等のビーム照射装置
を用い、かつ、パターン露光に使用したパターンデータ
を用いて、重ね合わせ露光を行うことにより、パターン
露光処理時と修正処理時におけるパターンの配置精度及
び形状精度を同等とすることができるため、既存の露光
処理工程をそのまま利用してパターン欠陥を高精度に修
正することができるとともに、パターン形状の劣化を良
好に抑制することができる。Therefore, according to the pattern exposure method and the exposure apparatus of the present invention, a pattern irradiating apparatus such as an electron beam exposing apparatus for performing pattern exposure of a reticle or a wafer is used, and pattern data used for pattern exposure is used. By performing the overlay exposure using, the pattern placement accuracy and the pattern accuracy at the time of pattern exposure processing and the correction processing can be made equal. The correction can be performed with high accuracy, and the deterioration of the pattern shape can be suppressed well.
【００１８】また、修正処理のためのビーム照射をフィ
ールド単位とすることにより、パターン欠陥が存在する
フィールドのみを抽出して、照射、修正処理を施すこと
ができるため、処理時間の短縮を図ることができる。さ
らに、パターン欠陥の種類、すなわち黒欠陥及び白欠陥
に応じて、修正処理時に使用するパターンデータを非反
転、あるいは反転加工することにより、パターン露光時
のデータを利用することができ、修正処理に際して特別
なデータの作成作業を必要とすることなく、良好にパタ
ーンの修正を行うことができる。Further, since the beam irradiation for the correction processing is performed on a field basis, only the field having the pattern defect can be extracted, and the irradiation and the correction processing can be performed, so that the processing time can be shortened. Can be. Further, according to the type of pattern defect, that is, black defect and white defect, by performing non-inversion or inversion processing of the pattern data used at the time of the correction process, the data at the time of pattern exposure can be used. The pattern can be satisfactorily corrected without requiring any special data creation operation.
【００１９】以下に、本発明に係るパターンの露光方法
及び露光装置の基本原理について、図１のフローチャー
トを参照して説明する。まず、電子ビーム露光装置等の
ビーム照射装置により、デバイスパターンの設計データ
に基づいて生成された露光（パターン）データにしたが
って、ウエハやレチクル等のパターン形成用基板に露光
処理を行い、所望の露光パターンを形成する（Ｓ１）。The basic principle of the pattern exposure method and exposure apparatus according to the present invention will be described below with reference to the flowchart of FIG. First, an exposure process is performed on a pattern forming substrate such as a wafer or a reticle by a beam irradiation device such as an electron beam exposure device in accordance with exposure (pattern) data generated based on design data of a device pattern. A pattern is formed (S1).
【００２０】次いで、従来技術において説明したような
周知の表面検査装置によりパターン欠陥の有無が検査さ
れ（Ｓ２）、検出されたパターン欠陥の位置が座標デー
タとして抽出、記憶される（Ｓ３）。次いで、レチクル
等が上述したビーム照射装置のステージ上に再び設置さ
れるとともに、後述のステージ移動補正量にしたがっ
て、露光処理時のレチクル位置と今回の位置とを一致さ
せる。また、座標データがビーム照射装置に転送入力さ
れる（Ｓ４）。Next, the presence or absence of a pattern defect is inspected by a well-known surface inspection apparatus as described in the prior art (S2), and the position of the detected pattern defect is extracted and stored as coordinate data (S3). Next, the reticle and the like are installed again on the stage of the above-described beam irradiation apparatus, and the reticle position at the time of the exposure processing is made to coincide with the current position according to the stage movement correction amount described later. Also, the coordinate data is transferred and input to the beam irradiation device (S4).
【００２１】次いで、パターン欠陥の座標データと露光
処理時の露光データとに基づいて、重ね合わせ露光によ
る修正処理が必要なフィールドを決定する（Ｓ５）。修
正処理の対象となっているフィールドを順次露光処理す
ることにより、欠陥個所の修正を行う（Ｓ６）。ここ
で、重ね合わせ露光における補正量の算出処理につい
て、図２を参照して説明する。Next, based on the coordinate data of the pattern defect and the exposure data at the time of the exposure processing, a field that requires correction processing by superposition exposure is determined (S5). Defects are corrected by sequentially exposing the fields to be corrected (S6). Here, the process of calculating the correction amount in the overlay exposure will be described with reference to FIG.
【００２２】重ね合わせ露光方法においては、例えばレ
チクルの四隅に設けられたアライメントマークに基づい
て、重ね合わせ露光における補正量が算出される。具体
的には、図２（ａ）に示すように、レチクル１０の各コ
ーナー部の近傍にアライメントマーク（”＃”形状）１
１ａ〜１１ｄが設けられ、これらのマークのうち、３つ
のマーク１１ａ〜１１ｃを用いてレチクル１０の配置補
正量、すなわち水平方向の補正量であるゲイン（Gai
n）、回転方向の補正量であるローテーション（Rotatio
n）、及び、原点となるアライメントマーク１１ａの補
正量であるオフセット（OFFSET）が、各々次式を用いて
算出される。In the overlay exposure method, a correction amount in the overlay exposure is calculated based on, for example, alignment marks provided at four corners of the reticle. More specifically, as shown in FIG. 2A, an alignment mark (“#” shape) 1 is provided near each corner of the reticle 10.
1a to 11d are provided. Of these marks, three marks 11a to 11c are used to dispose the reticle 10 in an arrangement correction amount, that is, a gain (Gai) which is a horizontal correction amount.
n), rotation (Rotatio)
n) and an offset (OFFSET), which is a correction amount of the alignment mark 11a serving as the origin, are calculated using the following equations.
【００２３】[0023]
【数１】 (Equation 1)
【００２４】[0024]
【数２】 (Equation 2)
【００２５】[0025]
【数３】 (Equation 3)
【００２６】ここで、（ｘ0，ｙ0）、（ｘ2，ｙ2）、
（ｘ1，ｙ1）は、各々アライメントマーク１１ａ、１１
ｂ、１１ｃの理想座標値であり、（ｘ0´，ｙ0´）、
（ｘ2´，ｙ2´）、（ｘ1´，ｙ1´）は、各々アライメ
ントマーク１１ａ、１１ｂ、１１ｃの実測座標値であ
る。すなわち、先の露光処理時のレチクルの位置座標
（理想座標値）と、修正処理時のレチクルの位置座標
（実測座標値）に基づいて、上記（１）〜（３）式によ
り補正量が算出される。Here, (x0, y0), (x2, y2),
(X1, y1) are the alignment marks 11a, 11
b, 11c are the ideal coordinate values, (x0 ', y0'),
(X2 ', y2') and (x1 ', y1') are measured coordinate values of the alignment marks 11a, 11b, and 11c, respectively. That is, based on the position coordinates (ideal coordinate values) of the reticle during the previous exposure processing and the position coordinates (actually measured coordinate values) of the reticle during the correction processing, the correction amount is calculated by the above equations (1) to (3). Is done.
【００２７】これらの補正量は、修正処理（重ね合わせ
露光処理）におけるステージの移動補正量に置換され、
極めて高い精度でレチクルの位置決めを行うことができ
る。また、露光処理をフィールド単位で行う場合のフィ
ールドの補正量（Gain、Rotation、OFFSET、台形）は、
アライメントマークを基準とした相対座標により決定す
る周知の方法により算出される。These correction amounts are replaced with the stage movement correction amounts in the correction processing (overlay exposure processing).
The reticle can be positioned with extremely high accuracy. In addition, the field correction amount (Gain, Rotation, OFFSET, trapezoid) when performing the exposure processing in units of fields is
It is calculated by a well-known method determined by relative coordinates based on the alignment mark.
【００２８】ところで、上述したパターンの修正方法に
おいて、修正処理に伴うパターン形状の劣化を防止する
ためには、スリットを操作してビーム形状を調整する方
法が良好に適用される。例えば０．１μｍφのビーム径
を有するスポットビームとなるように、光学系に設けら
れたスリットの寸法を調整、あるいは、２×０．２μｍ
のビーム（スリット）となるように、可変矩形スリット
を用いることにより、０．１８μｍデザインルールのＤ
ＲＡＭにおいても、パターン欠陥のみを良好に照射する
ことができるとともに、パターン形状の劣化を抑制する
ことができる。By the way, in the above-described pattern correction method, in order to prevent the pattern shape from being degraded due to the correction processing, a method of adjusting the beam shape by operating the slit is preferably applied. For example, the size of the slit provided in the optical system is adjusted so as to obtain a spot beam having a beam diameter of 0.1 μmφ, or 2 × 0.2 μm
By using a variable rectangular slit so as to obtain a beam (slit) of 0.18 μm design rule
Also in the RAM, it is possible to irradiate only the pattern defect satisfactorily and to suppress the deterioration of the pattern shape.
【００２９】次に、パターン欠陥の種類と本発明のパタ
ーン修正方法について説明する。本発明においては、ポ
ジ型のレチクルの場合、パターン（透明：白）に存在す
るクロム等の黒欠陥に対しては、露光処理において使用
された露光データをそのまま用いて重ね合わせ露光を行
い、欠陥箇所へのビーム照射を阻止することにより、露
光データに対応する領域のみを透明にして正常なパター
ンに修正することができる。Next, the types of pattern defects and the pattern correction method of the present invention will be described. In the present invention, in the case of a positive type reticle, for a black defect such as chromium present in a pattern (transparent: white), overlay exposure is performed using the exposure data used in the exposure processing as it is, By preventing the beam irradiation to the location, only the area corresponding to the exposure data can be made transparent and corrected to a normal pattern.
【００３０】一方、ポジ型レチクル内に存在する白欠陥
に対しては、上述した黒欠陥の場合のように、露光デー
タをそのまま利用することができないため、後述するビ
ットマップ機能を用いて、パターンイメージを判断し、
露光データを反転して、ネガ型のデータに加工し、修正
用の露光データとして用いることにより、白欠陥箇所に
クロム等を付着させて、パターンを修正することができ
る。On the other hand, as for the white defect existing in the positive type reticle, the exposure data cannot be used as it is as in the case of the above-mentioned black defect. Judge the image,
By inverting the exposure data, processing the data into negative type data, and using the processed data as correction exposure data, the pattern can be corrected by attaching chromium or the like to a white defect portion.
【００３１】ここで、ビットマップ機能について説明す
る。通常、電子ビーム露光装置で使用される露光データ
は、パターン始点、パターンサイズ、マトリックス個
数、マトリックスピッチの各パラメータにより表現さ
れ、これらのデータ構成に基づいて、パターン露光の有
無、すなわち露光対象となるパターンがある場合にはビ
ーム照射ＯＮ状態”１”、露光対象となるパターンがな
い場合にはビーム照射ＯＦＦ状態”０”と認識、指示さ
れる。Here, the bitmap function will be described. Normally, exposure data used in an electron beam exposure apparatus is represented by parameters of a pattern starting point, a pattern size, the number of matrices, and a matrix pitch, and based on these data configurations, the presence or absence of pattern exposure, that is, an exposure target. When there is a pattern, the beam irradiation ON state “1” is recognized and instructed, and when there is no pattern to be exposed, the beam irradiation OFF state is “0”.
【００３２】そのため、ビットマップ機能を用いること
により、露光パターンのイメージ判断が可能となるた
め、例えば電子ビーム露光装置内にパターンデータの反
転手段を備えることにより、白欠陥を修正する場合、パ
ターンのイメージを反転して、既存の露光データを用い
て修正処理を行うことができる。次に、上述した本発明
に係るパターンの修正方法を適用することができる修正
装置について、図３を参照して説明する。Therefore, the use of the bit map function makes it possible to determine the image of the exposure pattern. For example, when a white defect is corrected by providing a pattern data reversing means in an electron beam exposure apparatus, the The image can be inverted and a correction process can be performed using existing exposure data. Next, a correction device to which the above-described pattern correction method according to the present invention can be applied will be described with reference to FIG.
【００３３】図３に示すように、本発明のパターン修正
装置１は、ビーム照射手段を構成する露光処理部２と、
欠陥検出手段を構成する欠陥検査部３と、制御手段及び
パターンデータ反転手段を構成する制御部４とを有して
いる。ここで、露光処理部２及び制御部４はビーム照射
装置により実現され、欠陥検査部３は表面検査装置によ
り実現される。As shown in FIG. 3, a pattern correcting apparatus 1 according to the present invention includes an exposure processing section 2 constituting beam irradiation means,
It has a defect inspection unit 3 constituting a defect detection unit, and a control unit 4 constituting a control unit and a pattern data inversion unit. Here, the exposure processing unit 2 and the control unit 4 are realized by a beam irradiation device, and the defect inspection unit 3 is realized by a surface inspection device.
【００３４】露光処理部２は、周知のビーム照射装置の
構成と同様に、図示を省略したビーム源、光学系、基板
搭載台（ステージ）等を有し、露光データＤ１にしたが
ってビームを基板５上に照射及び走査する。欠陥検査部
３は、従来技術に示したものと同様に、露光処理部２に
より露光、形成された基板５上のパターン欠陥を検出
し、その位置を座標データとして抽出する。The exposure processing section 2 has a beam source, an optical system, a substrate mounting stage (stage) and the like, which are not shown, similarly to the configuration of a known beam irradiation apparatus. Illuminate and scan up. The defect inspection unit 3 detects a pattern defect on the substrate 5 that has been exposed and formed by the exposure processing unit 2 and extracts the position as coordinate data, as in the case of the related art.
【００３５】制御部４は、露光処理時には、露光データ
に基づいて露光処理部２にビーム照射の指示を出力する
とともに、修正処理時には、欠陥の種類に応じて露光処
理で使用した露光データＤ１を反転、あるいは非反転処
理して、そのデータに基づいて露光処理部２にビーム照
射の指示を出力する。また、ビーム照射をフィールド単
位で行う場合には、パターン欠陥の座標データに基づい
て、修正処理の対象となるフィールドを決定する。The control unit 4 outputs a beam irradiation instruction to the exposure processing unit 2 based on the exposure data at the time of the exposure processing, and uses the exposure data D1 used in the exposure processing according to the type of the defect at the time of the correction processing. Inversion or non-inversion processing is performed, and a beam irradiation instruction is output to the exposure processing unit 2 based on the data. When beam irradiation is performed in units of fields, a field to be corrected is determined based on coordinate data of a pattern defect.
【００３６】このようなパターン修正装置に良好に適用
される露光処理部２及び制御部４としては、電子ビーム
露光装置がある。すなわち、現在パターン露光に適用さ
れている周知の電子ビーム露光装置の露光（照射）精度
は、パターンが縮小投影されるウェハに比較してデザイ
ンルールが大きく設定されるレチクルにあっても、デバ
イスルールの最小化により、ｎｍ単位（オーダー）が要
求され、上述したようなＤＲＡＭに適用されるμｍオー
ダーのデザインルールよりも精度が数桁高く設定されて
いるため、パターン内に存在する欠陥個所のみを良好に
露光することができる。As the exposure processing section 2 and the control section 4 which are preferably applied to such a pattern correction apparatus, there is an electron beam exposure apparatus. In other words, the exposure (irradiation) accuracy of a known electron beam exposure apparatus currently applied to pattern exposure is such that even if a reticle has a larger design rule than a wafer on which a pattern is reduced and projected, the device rule Is required in units of nm (order), and the accuracy is set several orders of magnitude higher than the μm-order design rule applied to the DRAM as described above. Exposure can be performed well.
【００３７】また、電子ビーム露光装置においては、ウ
エハへの露光パターン照射時のパターン解像度を向上さ
せるために、周知のステッパーの変形照明技術あるいは
位相シフトマスク（Phase Shift Mask：以下、ＰＳＭと
いう）技術が採用されている。特に、ＰＳＭは、ウエハ
上のパターン解像度を向上させるため、従来のレチクル
の露光処理にはない、重ね合わせ露光あるいは二次露光
技術が採用されており、その重ね合わせ露光の精度は、
０．０５〜０．１μｍ程度が実現されているため、０．
１５μｍ程度のパターン欠陥を良好に重ね合わせ露光に
より修正することができる。In an electron beam exposure apparatus, a well-known stepper modified illumination technique or a phase shift mask (PSM) technique is used to improve the pattern resolution when irradiating an exposure pattern onto a wafer. Has been adopted. In particular, PSM employs overlay exposure or secondary exposure technology, which is not used in conventional reticle exposure processing, to improve the pattern resolution on a wafer.
Since about 0.05 to 0.1 μm has been realized, it is preferable to set the value of 0.1 to 0.1 μm.
A pattern defect of about 15 μm can be satisfactorily corrected by overlay exposure.
【００３８】なお、上述した変形照明技術は、ビーム照
射装置において、光学系の光軸上にない絞りを入れるこ
とにより、レチクルに集束ビームを斜めに入射させる照
明法をいう。また、位相シフトマスク技術は、パターン
を形成した基板上でシフタを用いて選択的にビームの位
相をシフトさせることにより、レチクル（あるいはウエ
ハ）上にパターンを転写させ、コントラストを改善する
照射法である。The modified illumination technique described above refers to an illumination method in which a focused beam is obliquely incident on a reticle by inserting a stop not on the optical axis of an optical system in a beam irradiation apparatus. The phase shift mask technology is an irradiation method that selectively shifts the phase of a beam using a shifter on a substrate on which a pattern is formed, thereby transferring the pattern onto a reticle (or wafer) and improving contrast. is there.
【００３９】[0039]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るパターンの修
正方法及び修正装置を用いた修正処理について、実施例
を示して説明する。なお、以下の実施例においては、ビ
ーム照射装置の一例として、必要箇所にのみビームを二
次的に走査してパターンを形成することができるベクタ
・スキャン型電子ビーム露光装置（以下、単に電子ビー
ム露光装置という）に本発明を適用した場合について説
明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a correction method using a pattern correction method and a correction device according to the present invention will be described with reference to embodiments. In the following embodiment, as an example of a beam irradiation apparatus, a vector scan type electron beam exposure apparatus (hereinafter simply referred to as an electron beam The case where the present invention is applied to an exposure apparatus) will be described.
【００４０】（第１の実施例）露光処理により形成され
たパターンに黒欠陥が存在する場合の修正処理につい
て、図２を参照して説明する。図２（ａ）において、１
０は石英乾板等の基板からなるレチクルであって、例え
ば１５０ｍｍ×１５０ｍｍ（６インチ角）の正方形状を
有している。そして、このレチクル１０には、例えばア
ルファベットの”Ｆ”字状の露光パターン１２がポジ型
で形成されている。また、レチクル１０の四隅には、例
えば横１２２ｍｍ×縦９８ｍｍの位置に、”＃”形状の
アライメントマーク１１ａ〜１１ｄが設けられている。(First Embodiment) A correction process in the case where a black defect exists in a pattern formed by the exposure process will be described with reference to FIG. In FIG. 2A, 1
Reference numeral 0 denotes a reticle formed of a substrate such as a quartz dry plate, and has a square shape of, for example, 150 mm × 150 mm (6 inch square). The reticle 10 is formed with an exposure pattern 12 in the form of, for example, an alphabetical letter "F" in a positive type. At the four corners of the reticle 10, for example, alignment marks 11a to 11d having a “#” shape are provided at a position of 122 mm wide × 98 mm long.
【００４１】このような露光パターン１２は、例えば次
のような周知の工程により形成される。まず、レチクル
基板上にレジスト材を塗布した後、設計データに基づい
て生成された露光データにしたがって、電子ビームが照
射され、所望のパターン部分のレジスト材のみを露光す
る。The exposure pattern 12 is formed by, for example, the following well-known process. First, after a resist material is applied on a reticle substrate, an electron beam is irradiated according to exposure data generated based on design data, and only the resist material in a desired pattern portion is exposed.
【００４２】ここで、一般に露光データは、フィールド
単位で構成されているため、図２に示したレチクル１０
上のパターンは、例えば２ｍｍ×２ｍｍの複数のフィー
ルド１３の集合として取り扱われる。そのため、電子ビ
ーム露光装置は、これらのフィールド１３を露光順序別
に並べて（ソーティングして）、各フィールドに露光対
象となるパターンが存在するか否かを確認して、露光処
理を指示する。Here, since the exposure data is generally constituted in units of fields, the reticle 10 shown in FIG.
The upper pattern is treated as a set of a plurality of fields 13 of, for example, 2 mm × 2 mm. Therefore, the electron beam exposure apparatus arranges (sorts) these fields 13 in the order of exposure, confirms whether or not a pattern to be exposed exists in each field, and instructs exposure processing.
【００４３】次いで、露光処理された部分のレジスト材
のみを残して、クロム等の金属イオンをレチクル基板上
に付着させ、その後レジスト材を除去することによっ
て、”Ｆ”字状のパターンと”＃”形状のアライメント
マークがガラス面（白部）としてレチクル基板上に形成
される。このようにして形成されたレチクル１０は、パ
ターン検査工程において欠陥の有無が検出される。Next, metal ions such as chromium are adhered onto the reticle substrate while leaving only the exposed portion of the resist material, and then the resist material is removed, whereby the “F” -shaped pattern and “#” are removed. A “shape” alignment mark is formed on the reticle substrate as a glass surface (white portion). The presence or absence of a defect in the reticle 10 thus formed is detected in a pattern inspection process.
【００４４】パターン検査により、図２（ａ）、（ｂ）
に示すように、”Ｆ”字状の露光パターン（白部）１２
内に、例えばクロム系の異物（黒部）、すなわち欠陥１
４ａが存在する場合、その座標の算出は、欠陥１４ａが
存在するフィールドのデータアドレスを調査することに
より行われる。このような算出方法によれば、固定され
たパターンからの相対距離（座標）により欠陥座標を算
出する従来手法に比較して、修正処理時に指定する領域
を広く設定することができるとともに、座標データを削
減することができるという利点を有している。FIGS. 2A and 2B show the results of the pattern inspection.
As shown in FIG. 12, an “F” -shaped exposure pattern (white portion) 12
Inside, for example, a chromium-based foreign matter (black portion), that is, defect 1
If 4a exists, the calculation of its coordinates is performed by checking the data address of the field where the defect 14a exists. According to such a calculation method, the area designated at the time of the correction processing can be set wider than the conventional method of calculating the defect coordinates based on the relative distance (coordinate) from the fixed pattern, and the coordinate data can be set. Has the advantage that it can be reduced.
【００４５】次に、パターンの修正処理においては、該
当するレチクル１０を電子ビーム露光装置のステージに
セットし、ＰＳＭによる重ね合わせ技術を用いて、図２
（ａ）に示したレチクル１０に設けられたアライメント
マーク１１ａ〜１１ｄによりレチクル１０の重ね合わせ
を調整する。この場合、レチクル１０の重ね合わせ精
度、すなわち修正処理時の配置精度は、上述した（１）
〜（３）式を用いて算出された各補正量をステージの移
動補正量として利用することにより、０．０５〜０．１
μｍオーダーを実現することができる。Next, in the pattern correction processing, the corresponding reticle 10 is set on the stage of the electron beam exposure apparatus, and the superposition technique by PSM is used as shown in FIG.
The alignment of the reticle 10 is adjusted by the alignment marks 11a to 11d provided on the reticle 10 shown in FIG. In this case, the superposition accuracy of the reticle 10, that is, the arrangement accuracy at the time of the correction processing is described in (1) above.
By using each correction amount calculated by using equations (3) to (3) as a stage movement correction amount, 0.05 to 0.1
μm order can be realized.
【００４６】したがって、修正処理時には、露光処理時
に使用した露光データを用いて重ね合わせ露光を行うこ
とにより、正常なパターンに損傷を与えることなく、ガ
ラス面上の黒欠陥を除去して、パターンの修正を行うこ
とができる。ここで、修正処理において、欠陥箇所から
離れた正常なパターンについては、重ね合わせ露光を行
う必要がないため、図２（ｂ）に示すように、欠陥１４
ａが存在するフィールド１３ａのデータアドレスに基づ
いて、該当するフィールド１３ａのみを重ね合わせ露光
することにより、修正処理に要する時間の浪費を削減し
て、パターンの修正を効率的に行うことができる。Therefore, at the time of the correction process, by performing the overlay exposure using the exposure data used at the time of the exposure process, the black defect on the glass surface is removed without damaging the normal pattern, and Corrections can be made. Here, in the correction process, since it is not necessary to perform the overlay exposure for the normal pattern separated from the defective portion, as shown in FIG.
By superposing and exposing only the pertinent field 13a based on the data address of the field 13a in which a is present, the time required for the correction processing can be reduced, and the pattern can be corrected efficiently.
【００４７】また、欠陥が複数のフィールドにまたがっ
て存在する場合であっても同様である。この際、複数の
フィールド相互のつなぎの精度は、一般に３０〜５０ｎ
ｍ程度であって、修正処理における精度と比較しても十
分小さいため、パターン形状等に影響を与えることはな
い。なお、本実施例のように重ね合わせ露光を行う場
合、電子ビームをガラス面（レチクル基板）に照射する
と、チャージアップ現象が発生し、配置精度が著しく悪
化するという問題があるが、修正処理に先立って、レチ
クル１０表面に導電膜を塗布することによりチャージア
ップを抑制することができる。この場合、修正処理され
たレチクルは、導電膜剥離、洗浄処理を施されて処理を
終了する。The same applies to a case where a defect exists over a plurality of fields. At this time, the accuracy of connection between a plurality of fields is generally 30 to 50 n.
m, which is sufficiently small compared to the accuracy in the correction processing, and thus does not affect the pattern shape or the like. In the case of performing the overlay exposure as in the present embodiment, when the electron beam is irradiated on the glass surface (reticle substrate), a charge-up phenomenon occurs, and there is a problem that the arrangement accuracy is remarkably deteriorated. By applying a conductive film on the surface of the reticle 10 in advance, charge-up can be suppressed. In this case, the reticle subjected to the correction processing is subjected to the conductive film peeling and cleaning processing, and the processing ends.
【００４８】また、修正処理におけるスリット（ビー
ム）サイズは、パターン形状が劣化しないように、露光
処理時と同等にすることが望ましい。 （第２の実施例）次に、露光処理により形成されたパタ
ーンに白欠陥が存在する場合の修正処理について、図４
を参照して説明する。Further, it is desirable that the slit (beam) size in the correction process is equal to that in the exposure process so that the pattern shape does not deteriorate. (Second Embodiment) Next, a correction process in the case where a white defect exists in a pattern formed by the exposure process will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG.
【００４９】本実施例の特徴は、パターン欠陥が白欠陥
の場合、第１の実施例のように露光データをそのまま利
用して修正処理を行うことができないため、上述したビ
ットマップ機能を用いて露光データを反転処理したこと
にある。ここで、露光データを反転処理するパターンデ
ータ反転手段は、電子ビーム露光装置の制御部内に設け
てもよいし、露光装置外部に設ける構成であってもよ
い。The feature of this embodiment is that when the pattern defect is a white defect, the correction process cannot be performed using the exposure data as it is as in the first embodiment. That is, the exposure data is inverted. Here, the pattern data reversing means for reversing the exposure data may be provided in the control unit of the electron beam exposure apparatus, or may be provided outside the exposure apparatus.
【００５０】具体的には、図４（ａ）に示すように、パ
ターン検査により、クロム等の金属により構成されるパ
ターン（黒部）１５内に、クロム等の欠落（白部）によ
る欠陥１４ｂが存在する場合、欠陥１４ｂが存在するフ
ィールド１３ｂのデータアドレスによって座標化され
る。次に、パターンの修正処理においては、上述した第
１の実施例と同様に、該当するレチクル１０がアライメ
ントマーク１１ａ〜１１ｄにより所定の精度で配置され
る。More specifically, as shown in FIG. 4A, a pattern inspection shows that a defect 14b due to lack of chromium or the like (white portion) is found in a pattern (black portion) 15 made of metal such as chromium. If it exists, it is coordinated by the data address of the field 13b where the defect 14b exists. Next, in the pattern correction processing, the corresponding reticle 10 is arranged with predetermined accuracy by the alignment marks 11a to 11d, as in the first embodiment described above.
【００５１】重ね合わせ露光による修正処理において、
白欠陥を修正する場合、露光処理時に使用した露光デー
タをそのまま用いることができないため、ビットマップ
機能を用いて露光データを白黒反転処理し、図４（ｂ）
に示すように、白欠陥１４ｂを黒欠陥１４ｃとして取り
扱うとともに、クロム等のパターン１５の形成に適用さ
れるリフトオフ技術を用いて、欠陥１４ｂにクロムを付
着させて、パターンの修正を行う。In the correction processing by the overlay exposure,
When correcting a white defect, since the exposure data used during the exposure processing cannot be used as it is, the exposure data is subjected to black-and-white inversion processing using a bitmap function, and FIG.
As shown in FIG. 5, the white defect 14b is treated as a black defect 14c, and the pattern is corrected by attaching chromium to the defect 14b using a lift-off technique applied to the formation of the pattern 15 such as chromium.
【００５２】ここで、本実施例におけるリフトオフ技術
を用いた白欠陥の修正処理について、図５を参照して説
明する。ここで、図５は、図４（ａ）のＡ−Ａ´におけ
る断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、レチ
クル基板２１上にはクロム等の金属により所定のパター
ン２２が形成されているものとする。また、パターン２
２の一部において、クロムが欠落してレチクル基板２１
が露出する白欠陥１４ｂが生じている。Here, the correction processing of the white defect using the lift-off technique in this embodiment will be described with reference to FIG. Here, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. First, as shown in FIG. 5A, a predetermined pattern 22 is formed on a reticle substrate 21 by a metal such as chrome. Also, pattern 2
2 is missing chrome and the reticle substrate 21
The white defect 14b exposing is generated.
【００５３】そして、本発明の修正処理によれば、ビッ
トマップ機能により露光処理時の露光データが反転処理
され、白欠陥部のみが抽出されたデータを用いて電子ビ
ームによる照射が行われる。したがって、図５（ｂ）に
示すように、レチクル基板２１の全面にレジスト材２３
を塗布した後、白欠陥１４ｂ部分にのみ電子ビーム２４
が照射され、レジスト材２３が感光する。According to the correction processing of the present invention, the exposure data at the time of the exposure processing is inverted by the bit map function, and the irradiation with the electron beam is performed using the data from which only the white defect is extracted. Therefore, as shown in FIG. 5B, the resist material 23 is formed on the entire surface of the reticle substrate 21.
Is applied, the electron beam 24 is applied only to the white defect 14b.
Is irradiated, and the resist material 23 is exposed.
【００５４】次いで、図５（ｃ）に示すように、現像液
により感光したレジスト材２３のみを除去して、白欠陥
１４ｂが露出する開口部２３ａを形成する。次いで、図
５（ｄ）に示すように、レチクル基板２１の全面にクロ
ム２５を蒸着し、図５（ｅ）に示すように、レジスト材
２３を除去することにより、白欠陥１４ｂ部分にのみク
ロム２５を残してパターン２２を修正する。Next, as shown in FIG. 5C, only the resist material 23 exposed by the developer is removed to form an opening 23a where the white defect 14b is exposed. Next, as shown in FIG. 5D, chromium 25 is deposited on the entire surface of the reticle substrate 21, and the resist material 23 is removed as shown in FIG. The pattern 22 is modified while leaving 25.
【００５５】なお、上述した実施例においては、ビーム
照射装置の一例としてベクタ・スキャン型電子ビーム露
光装置を適用した場合について説明したが、本発明は、
これに限定されるものではなく、設計データに基づいて
露光（パターン）データを生成し、ビーム照射してパタ
ーンを形成することができるビーム照射装置であればよ
いことはいうまでもない。In the above-described embodiment, the case where the vector scan type electron beam exposure apparatus is applied as an example of the beam irradiation apparatus has been described.
The present invention is not limited to this, and it goes without saying that a beam irradiation apparatus that can generate exposure (pattern) data based on design data and form a pattern by beam irradiation can be used.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るパタ
ーンの露光方法及び露光装置によれば、レチクルやウェ
ハ等のパターン露光を行う電子ビーム露光装置等のビー
ム照射装置を用い、かつ、パターン露光に使用したパタ
ーンデータを用いて、重ね合わせ露光を行うことによ
り、パターン露光処理時と修正処理時におけるパターン
の配置精度及び形状精度を同等とすることができるた
め、既存の露光処理工程をそのまま利用してパターン欠
陥を高精度に修正することができるとともに、パターン
形状の劣化を良好に抑制することができる。As described above, according to the pattern exposure method and exposure apparatus of the present invention, a beam irradiation apparatus such as an electron beam exposure apparatus for performing pattern exposure of a reticle or a wafer is used. By performing overlay exposure using the pattern data used for exposure, the pattern placement accuracy and pattern accuracy during pattern exposure processing and correction processing can be made equal, so that existing exposure processing steps can be used as is. Utilization can correct a pattern defect with high accuracy, and can favorably suppress deterioration of a pattern shape.
【００５７】また、修正処理のためのビーム照射をフィ
ールド単位とすることにより、パターン欠陥が存在する
フィールドのみを抽出して、照射、修正処理を施すこと
ができるため、処理時間の短縮を図ることができる。さ
らに、パターン欠陥の種類、すなわち黒欠陥及び白欠陥
に応じて、修正処理時に使用するパターンデータを非反
転、あるいは反転加工することにより、パターン露光時
のデータを利用することができ、修正処理に際して特別
なデータの作成作業を必要とすることなく、良好にパタ
ーンの修正を行うことができる。Further, by irradiating the beam for the correction process on a field basis, it is possible to extract only the field where a pattern defect is present and perform the irradiation and the correction process, thereby shortening the processing time. Can be. Further, according to the type of pattern defect, that is, black defect and white defect, by performing non-inversion or inversion processing of the pattern data used at the time of the correction process, the data at the time of pattern exposure can be used. The pattern can be satisfactorily corrected without requiring any special data creation operation.
【図１】本発明におけるパターン修正方法のフローチャ
ートである。FIG. 1 is a flowchart of a pattern correction method according to the present invention.
【図２】本発明におけるパターン修正装置の概略構成図
である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a pattern correction device according to the present invention.
【図３】第１の実施例を示す概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a first embodiment.
【図４】パターンデータの反転処理を示す概念図であ
る。FIG. 4 is a conceptual diagram showing an inversion process of pattern data.
【図５】白欠陥の修正処理を示す工程図である。FIG. 5 is a process chart showing a process of correcting a white defect.
【図６】従来技術におけるパターン修正方法のフローチ
ャートである。FIG. 6 is a flowchart of a pattern correction method according to the related art.
１ パターン修正装置 ２ 露光処理部 ３ 欠陥検査部 ４ 制御部 ５ 基板 １０ レチクル １１ａ〜１１ｄ アライメントマーク １２、１５ パターン １３、１３ａ、１３ｂ フィールド １４ａ、１４ｂ、１４ｃ 欠陥 ２１ レチクル基板 ２２、２５ クロム ２３ レジスト材 ２３ａ 開口部 ２４ 電子ビーム Reference Signs List 1 pattern correction device 2 exposure processing unit 3 defect inspection unit 4 control unit 5 substrate 10 reticle 11a to 11d alignment mark 12, 15 pattern 13, 13a, 13b field 14a, 14b, 14c defect 21 reticle substrate 22, 25 chrome 23 resist material 23a opening 24 electron beam
Claims (4)
ーを照射し、所定のパターンを形成するビーム照射装置
により形成されたパターンの修正方法において、 前記パターンに存在する欠陥を検出し、該欠陥の位置を
座標データとして記憶する工程と、 前記ビーム照射装置により前記パターンの形成に使用さ
れた前記パターンデータを用いて、前記欠陥位置のパタ
ーンに対して重ね合わせ照射を行い、前記欠陥を修正す
る工程と、を含むことを特徴とするパターンの修正方
法。1. A method for correcting a pattern formed by a beam irradiation device for irradiating a beam energy based on pattern data and forming a predetermined pattern, wherein a defect existing in the pattern is detected, and a position of the defect is determined. Storing the coordinates as coordinate data, using the pattern data used to form the pattern by the beam irradiation device, performing overlay irradiation on the pattern at the defect position, and correcting the defect, A method for correcting a pattern, comprising:
工程は、前記欠陥位置の座標データに基づいて、前記欠
陥が存在するフィールドを抽出し、フィールド単位で重
ね合わせ照射を行うことを特徴とする請求項１記載のパ
ターンの修正方法。2. A superposition irradiation step by the beam irradiation apparatus, wherein a field in which the defect exists is extracted based on coordinate data of the defect position, and superposition irradiation is performed on a field-by-field basis. Item 7. A method for correcting a pattern according to Item 1.
工程は、前記欠陥の種類に応じて、前記パターンデータ
を加工し、前記欠陥位置のパターンに対して重ね合わせ
照射を行うことを特徴とする請求項１又は２記載のパタ
ーンの修正方法。3. A superposition irradiation step by the beam irradiation apparatus, wherein the pattern data is processed in accordance with a type of the defect, and superposition irradiation is performed on a pattern at the defect position. Item 3. The method for correcting a pattern according to Item 1 or 2.
ムエネルギーをフィールド単位で照射し、所定のパター
ンを形成するビーム照射手段と、 前記パターンに存在する欠陥を検出し、該欠陥の位置を
座標データとして記憶する欠陥検出手段と、 前記欠陥位置のパターンに対して、前記パターンデータ
の重ね合わせ照射を指示する制御手段と、 前記欠陥の種類に応じて、前記パターンデータを反転加
工するパターンデータ反転手段と、を有することを特徴
とするパターンの修正装置。4. A beam irradiation means for irradiating beam energy on a field basis by superimposing predetermined pattern data to form a predetermined pattern; detecting a defect present in the pattern; Defect control means for instructing overlapping irradiation of the pattern data with respect to the pattern at the defect position; and pattern data reversing means for reversing the pattern data according to the type of the defect. And a pattern correction device, comprising:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18610698A JP2000019718A (en) | 1998-07-01 | 1998-07-01 | Correcting method and correcting device for pattern |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237575A (en) * | 2005-01-05 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Wafer repair method of direct-writing system |
| KR100819000B1 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | Photomask inspection method including separated steps of inspecting, reviewing and repairing patterns, and systems and reviewing system for using the same |
| JP2020008828A (en) * | 2018-07-02 | 2020-01-16 | 大日本印刷株式会社 | Correction method of pattern |
-
1998
- 1998-07-01 JP JP18610698A patent/JP2000019718A/en not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237575A (en) * | 2005-01-05 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Wafer repair method of direct-writing system |
| JP4560487B2 (en) * | 2005-01-05 | 2010-10-13 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | Direct writing method wafer repair method |
| NL1030823C2 (en) * | 2005-01-05 | 2011-08-30 | Taiwan Semiconductor Mfg | A NEW WAFER REPAIR METHOD USING DIRECT WRITING. |
| US8180141B2 (en) | 2005-01-05 | 2012-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer repair system |
| KR100819000B1 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | Photomask inspection method including separated steps of inspecting, reviewing and repairing patterns, and systems and reviewing system for using the same |
| US7808629B2 (en) | 2006-10-02 | 2010-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods, assemblies and systems for inspecting a photomask |
| JP2020008828A (en) * | 2018-07-02 | 2020-01-16 | 大日本印刷株式会社 | Correction method of pattern |
| JP7135797B2 (en) | 2018-07-02 | 2022-09-13 | 大日本印刷株式会社 | How to modify the pattern |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |