JP2000012526A

JP2000012526A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Info

Publication number: JP2000012526A
Application number: JP10178659A
Authority: JP
Inventors: Hirotoshi Ise; 博利伊勢; Yoshiaki Terasaki; 芳明寺崎
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-06-25
Filing date: 1998-06-25
Publication date: 2000-01-14
Also published as: TW406522B

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマの酸化力を向上させ、かつ、プラズ
マ密度の均一化を図ることが可能なプラズマ処理装置お
よびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器１と固定
台１４と配管４とマイクロ波照射手段８、９、１０と紫
外線照射手段３４ａ、３４ｅ、１６ａ、１６ｂとを備え
る。固定台１４は、処理容器１の内部で、処理される基
板１３を保持する。配管４は、処理容器１の内部に灰化
処理用ガスを導入する。マイクロ波照射手段８、９、１
０は、処理容器１の内部において配管４から導入された
灰化処理用ガスにマイクロ波を照射する。紫外線照射手
段３４ａ、３４ｅ、１６ａ、１６ｂは、処理容器１の内
部において、基板１３に対して異なる方向から紫外線１
７ａ、１７ｅを灰化処理用ガスに照射することが可能な
複数の紫外線照射部３４ａ、３４ｅを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
およびプラズマ処理方法に関するものであり、より特定
的には、マイクロ波を用いてプラズマを発生させるプラ
ズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
エッチングなどに用いたレジストパターンやポリマーな
どを除去するアッシング（灰化処理）工程が行なわれて
いる。そして、このアッシング工程においては、マイク
ロ波によりプラズマを発生させ、このプラズマによりこ
のレジストパターンなどを除去する技術が広く用いられ
ている。

【０００３】図１０は、従来アッシング工程において用
いられているプラズマ処理装置を示す断面模式図であ
る。図１０を参照して、プラズマ処理装置を説明する。

【０００４】図１０を参照して、従来のプラズマ処理装
置は、反応処理室１０１と、被処理基板１１３を固定す
る試料台１１４と、灰化処理用ガスである酸素または水
蒸気を反応処理室１０１に導入するための導入管１０４
と、反応処理室１０１の内部の圧力を調節するための圧
力制御器１０６と、プラズマ１１８を発生させるための
マイクロ波発生器１０８と、マイクロ波発生器１０８に
おいて発生させたマイクロ波を反応処理室１０１に導く
ための導波管１１０とを備える。

【０００５】反応処理室１０１の内部には、試料台１１
４が設置されている。反応処理室１０１の下には、圧力
制御器１０６が設置されている。この圧力制御器１０６
により反応処理室１０１の内部から排出された気体は、
排気口１０５から外部へと放出される。また、反応処理
室１０１の内部の圧力は、圧力表示器１０７に表示され
る。導入管１０４は、流量制御器１０３ａ、１０３ｂと
配管１０２ａ、１０２ｂとを介して、酸素および水蒸気
の供給源に接続されている。マイクロ波発生器１０８と
反応処理室１０１とは、導波管１１０を介して接続され
ている。導波管１１０と反応処理室１０１との接続部に
は、石英窓１１１が設置されている。導波管１１０に
は、マイクロ波の反射波を熱として外部に拡散させるア
イソレータ１０９が設置されている。石英窓１１１の下
に位置する領域には、スリット板１１２が設置されてい
る。

【０００６】図１０に示したプラズマ処理装置におい
て、被処理基板１１３の表面に形成されたレジストパタ
ーンなどの被覆膜をアッシング処理する際には、まず、
試料台１１４に被処理基板１１３を固定する。反応処理
室１０１の内部の圧力を、圧力制御器１０６を用いて２
Ｔｏｒｒ程度に制御する。この際、導入管１０４を介し
て酸素または水蒸気を反応処理室１０１の内部に導入す
る。そして、マイクロ波発生器１０８にて発生させたマ
イクロ波を、導波管１１０および石英窓１１１を介して
反応処理室１０１の内部に導入する。このマイクロ波に
より、反応処理室１０１の内部において、酸素や水など
の灰化処理用ガスの分子を電離させることにより、酸素
ラジカルや酸素イオンなどを含むプラズマ１１８を形成
する。この際、スリット板１１２はイオン成分をトラッ
プする。そして、このスリット板１１２にトラップされ
なかった酸素ラジカルなどが、被処理基板１１３の表面
に形成されたレジストなどと反応することにより、この
被覆膜を被処理基板１１３から除去していた。

【０００７】また、被処理基板１１３には、このアッシ
ング工程の前に行なわれるエッチング工程に起因する塩
素が残留している。この塩素は、被処理基板の腐食（コ
ロージョン）の原因となる。そのため、試料台１１４を
高温に保つことにより、被処理基板１１３に残留してい
る塩素を拡散させ、被処理基板１１３から塩素を除去し
ていた。

【０００８】このようにアッシング処理を行なった後、
有機物の剥離性および無機物の除去性が強い剥離液によ
る被処理基板１１３の洗浄工程と、水溶液による被処理
基板１１３の水洗工程とを含む湿式処理を実施する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１０に示した従来の
プラズマ処理装置では、マイクロ波発生器１０８におい
て発生させたマイクロ波のみを用いてプラズマ１１８を
形成している。このため、プラズマ１１８の密度を十分
に高くすることができず、その結果、このプラズマ１１
８の酸化力を十分大きくすることができなかった。その
ため、被処理基板１１３から被覆膜を十分に除去するた
めにはアッシング処理の時間を長くする必要があった。

【００１０】ここで、図１１は、従来のアッシング処理
を行なった後の被処理基板の表面を示す断面模式図であ
る。図１１を参照して、被処理基板の表面には酸化膜１
１９が形成されている。酸化膜１１９上にはＴｉ−Ｔｉ
Ｎ合金膜１２０が所定の間隔を隔てて形成されている。
Ｔｉ−ＴｉＮ合金膜１２０上には配線として作用するＡ
ｌ−Ｃｕ合金膜１２１が形成されている。Ａｌ−Ｃｕ合
金膜１２１上にはＴｉＮからなる反射防止膜１２２が形
成されている。これらの反射防止膜１２２とＡｌ−Ｃｕ
合金膜１２１とＴｉ−ＴｉＮ合金膜１２０とは、アッシ
ング処理の前に行なわれるエッチング工程においてパタ
ーニングされ、図１１に示すような形状となっている。
また、反射防止膜１２２とＡｌ−Ｃｕ合金膜１２１とＴ
ｉ−ＴｉＮ合金膜１２０との側面には、エッチング処理
工程に起因して形成された有機・無機系のポリマー膜１
２４ａ〜１２４ｈが残存している。この有機・無機系の
ポリマー膜１２４ａ〜１２４ｈは、ＣＨＣｌ、ＣＣｌ、
ＡｌＣｌなどを含む。これらの有機・無機系のポリマー
膜１２４ａ〜１２４ｈは、アッシング処理による酸化で
は除去できず、湿式処理により除去する。しかし、アッ
シング処理時間が長くなることに起因してアッシング処
理中の熱などによりポリマー膜１２４ａ〜１２４ｈが硬
化・変質し、この結果、上記の湿式処理によって除去さ
れにくくなる。

【００１１】このように、ポリマー膜１２４ａ〜１２４
ｈが硬化・変質した場合には、図１２に示すように、ア
ッシング処理後の湿式処理において、Ａｌ−Ｃｕ合金膜
１２１やＴｉ−ＴｉＮ合金膜１２０が部分的に損傷を受
けることとなる。図１２は、図１１に示した被処理基板
に対して湿式処理を行なった後の状態を示す断面模式図
である。

【００１２】ここで、図１１に示した被処理基板に湿式
処理を行なう際、図１１に示すように、配線構造の間な
ど幅の狭い溝の内部に形成されたポリマー膜１２４ｃ〜
１２４ｈと、隣接した位置に配線などの構造が位置して
いない領域に形成されたポリマー膜１２４ａ、１２４ｂ
との膜厚には差があるため、湿式処理を行なう際、この
ようなポリマー膜１２４ａ、１２４ｂを十分に除去しよ
うとすると、膜厚の薄いポリマー膜１２４ｃ〜１２４ｈ
が形成された領域においては、図１２に示すように、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金膜１２１およびＴｉ−ＴｉＮ合金膜１２０
などがこの湿式処理において用いられる剥離液などによ
って損傷を受ける。このようにして、サイドエッチ部１
５０ａ〜１５０ｆおよびアンダーカット部１５１ａ〜１
５１ｄが形成される。このようなサイドエッチ部１５０
ａ〜１５０ｆおよびアンダーカット部１５１ａ〜１５１
ｄが形成されると、配線として作用するＡｌ−Ｃｕ合金
膜１２１の断面積が変化することにより配線抵抗が変動
するなど、半導体装置の電気的特性が劣化するという問
題が発生していた。

【００１３】また、従来、被処理基板のエッチング工程
に起因して、被処理基板には塩素が残留していた。この
残留する塩素は、被処理基板上に形成された被覆膜など
の腐食（コロージョン）の原因となっていた。そのた
め、従来から、被処理基板の温度を上昇させ、塩素を拡
散させることにより、被処理基板からこれらの塩素を除
去していた。しかし、このような熱による拡散を利用し
た塩素の除去は完全ではなく、この塩素に起因する被処
理基板での腐食の発生を完全に防止することは困難であ
った。

【００１４】また、図１０を参照して、従来は、プラズ
マ１１８を発生させるためにマイクロ波を利用している
が、このマイクロ波の照射条件などにより、被処理基板
１１３に対して、プラズマ濃度が部分的に不均一になる
場合があった。このような場合には、被処理基板１１３
でのアッシング速度が局所的に変化することになり、被
処理基板１１３におけるレジスト残りなどが発生すると
いった問題が発生していた。

【００１５】上記した課題のうち、プラズマの酸化力が
不足しているという課題については、紫外線とオゾンと
を利用してプラズマの酸化力を増大させ、被処理基板か
ら有機物などの除去を行なうドライ処理装置が特開平６
−８４８４３号公報において提案されている。しかし、
上記公報において提案されたドライ処理装置において
も、被処理基板からの塩素の除去については、被処理基
板の温度を上昇させるという従来と同じ手法を用いてい
る。また、プラズマの密度の均一化という点については
何ら開示されていない。このように、上記した課題をす
べて満足するものではなかった。

【００１６】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、本発明の１つの目的は、半導体
装置の製造工程において、プラズマの酸化力を向上さ
せ、かつ、プラズマ密度の均一化を図ることが可能なプ
ラズマ処理装置を得ることである。

【００１７】本発明のもう１つの目的は、プラズマの酸
化力を向上させることにより、レジストなどのアッシン
グ時間を短縮すると同時に、半導体装置に付着している
塩素を有効に除去することにより、半導体装置の腐食を
防止することが可能なプラズマ処理装置を提供すること
である。

【００１８】本発明のもう１つの目的は、プラズマの酸
化力を向上させ、かつ、プラズマ密度の均一化を図るこ
とが可能なプラズマ処理方法を提供することである。

【００１９】本発明のもう１つの目的は、プラズマの酸
化力を向上させることにより、レジストなどのアッシン
グ時間を短縮すると同時に、被処理基板に付着している
塩素を除去することにより、被処理基板の腐食を防止す
ることが可能なプラズマ処理方法を提供することであ
る。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の１の局面におけ
るプラズマ処理装置は、処理容器と固定台と配管とマイ
クロ波照射手段と紫外線照射手段とを備える。固定台
は、処理容器の内部で、処理される基板を保持する。配
管は、処理容器の内部に灰化処理用ガスを導入する。マ
イクロ波照射手段は、処理容器の内部において配管から
導入された灰化処理用ガスにマイクロ波を照射する。紫
外線照射手段は、処理容器の内部において、基板に対し
て異なる方向から紫外線を灰化処理用ガスに照射するこ
とが可能な複数の紫外線照射部を含む（請求項１）。

【００２１】このため、基板に対して異なる方向から紫
外線を灰化処理用ガスに照射することができるので、基
板に対して任意の位置において、プラズマの生成反応を
局所的に促進することができ、その結果、この紫外線の
照射する場所を制御することにより、プラズマの密度分
布を制御することができる。この結果、プラズマの密度
分布が不均一になったような場合にも、プラズマの密度
分布を均一化させるように制御することが可能となる。
これにより、基板でのアッシング処理を均一に行なうこ
とができる。

【００２２】また、灰化処理用ガスにマイクロ波のみな
らず紫外線をも照射することができるので、灰化処理用
ガスの単位量から、イオンやラジカルを含むプラズマを
より多く生成させ、プラズマ密度を高くすることができ
る。これにより、基板上に形成された被覆膜をこのプラ
ズマにより酸化して除去する場合にも、単位時間あたり
のプラズマによる被覆膜の酸化反応数を多くすることが
できる。この結果、プラズマによる被覆膜の酸化速度を
増大させ、この被覆膜を除去するアッシング反応の速度
を大きくすることができる。

【００２３】また、アッシング速度を大きくすることが
できるので、所定の膜厚の被覆膜を除去するためのアッ
シング時間を従来よりも短くすることができる。

【００２４】また、通常、このようなプラズマ処理装置
において処理される基板は、その前工程としてエッチン
グ処理を受けているが、このエッチング処理に起因し
て、基板の表面にはＣＨＣｌなどを含むポリマー膜が形
成されている。そして、このポリマー膜が、アッシング
処理中の熱やプラズマ放電などにより、硬化・変質す
る。しかし、本発明では、上記のようにプラズマによる
被覆膜の酸化速度が向上し、アッシング時間を短くでき
るので、このようなポリマー膜の変質を抑制することが
できる。また、プラズマの酸化力が向上することによ
り、ポリマー膜の酸化が促進され、アッシング処理中に
ポリマー膜を一様に酸化することができる（湿式処理時
にポリマー膜を除去する際、ポリマー膜がまばらに除去
されることによるＡｌ配線基板の荒れが防止できる）。

【００２５】また、このアッシング処理の後、通常、基
板に残存するポリマー膜などの有機物および無機物など
を基板から除去するために、水溶液などを用いた洗浄工
程および水洗工程を含む湿式処理を行なう。しかし、本
発明ではアッシング処理におけるプラズマによる被覆膜
の酸化速度が向上することにより、基板に残存する有機
物などの量が低減するため、この湿式処理の時間を従来
よりも短縮することができる。

【００２６】また、プラズマの密度を高くでき、このプ
ラズマによる基板表面での酸化反応を促進することがで
きるので、アッシング処理の際に、被覆膜が除去された
基板の表面において堅固な酸化膜を形成することができ
る。この酸化膜は、その後の湿式処理などにおいて基板
表面の構造を保護する保護膜として作用する。このよう
な酸化膜が形成されることにより、アッシング処理の後
に行なわれる湿式処理において、基板上に形成された配
線などの微細な構造が損傷を受けることを有効に防止で
きる。

【００２７】また、紫外線を照射することにより、プラ
ズマの生成反応を助長するので、従来よりも処理容器の
内部を低圧とし、灰化処理用ガスの処理容器内への流量
を少なくした場合にも、十分な量のプラズマを生成させ
ることができる。このため、従来よりも処理容器の内部
の圧力を低くした状態で、安定したプラズマを得ること
ができる。

【００２８】上記１の局面におけるプラズマ処理装置で
は、灰化処理用ガスがフッ素を含んでいてもよい（請求
項２）。

【００２９】このため、処理される基板に、前工程のエ
ッチング工程に起因して塩素が残留しているような場合
にも、この灰化処理用ガスに含まれるフッ素と基板に残
留する塩素とが置換反応を起こすことにより、基板から
塩素を有効に除去することができる。基板に残留する塩
素は、基板における腐食（コロージョン）の原因となる
ため、このように基板から塩素を除去することにより、
基板において腐食が発生することを有効に防止できる。

【００３０】この発明の他の局面におけるプラズマ処理
装置は、処理容器と固体台と配管とマイクロ波照射手段
と紫外線照射手段とを備える。固定台は、処理容器の内
部で、処理される基板を保持する。配管は、処理容器の
内部にフッ素を含む灰化処理用ガスを導入する。マイク
ロ波照射手段は、処理容器の内部において、配管から導
入された灰化処理用ガスにマイクロ波を照射する。紫外
線照射手段は、処理容器の内部において、配管から導入
された灰化処理用ガスに紫外線を照射する紫外線照射部
を含む（請求項３）。

【００３１】このため、基板にアッシング処理前のエッ
チング工程などに起因して塩素が残留しているような場
合にも、この灰化処理用ガスに含まれるフッ素と基板に
残留する塩素とが置換反応を起こすことにより、基板か
らこれらの塩素を除去することができる。基板に付着し
た塩素は、基板における腐食の発生の原因となるため、
このように基板から塩素を除去することにより、基板で
の腐食の発生を有効に防止できる。

【００３２】また、灰化処理用ガスにマイクロ波のみな
らず紫外線をも照射することで、灰化処理用ガスからイ
オンやオゾンを含むプラズマを生成する反応を促進させ
ることができる。これにより、プラズマの密度を向上さ
せ、このプラズマの酸化力を向上させることができる。
これにより、基板の表面に形成された被覆膜をプラズマ
により酸化することによって除去するアッシング処理を
行なう場合にも、単位時間あたりに発生する、プラズマ
による被覆膜の酸化反応数を多くすることができ、アッ
シング処理を促進させることができる。この結果、一定
量の被覆膜を除去するためのアッシング時間を短くする
ことができる。

【００３３】また、通常、このようなアッシング処理を
行なう前には、基板はエッチング処理を受けているが、
このエッチング処理の際に、基板上にはＣＨＣｌなどを
含むポリマー膜が形成されている。そして、このポリマ
ー膜はアッシング処理の際の熱やプラズマ放電などに起
因して、硬化・変質する。しかし、本発明では、上記の
ようにアッシング時間を短くすることができるので、こ
のようなポリマー膜の変質を抑制することができる。

【００３４】また、プラズマの酸化力が向上することに
より、基板上のこのようなポリマー膜をアッシング処理
時にほぼ除去することができ、アッシング処理終了後に
基板上にこのようなポリマー膜が残存することを防止で
きる。

【００３５】また、このようなアッシング処理の後、通
常、基板上に残存するポリマー膜などの有機物もしくは
無機物などを基板から除去するため、水溶液などを用い
た洗浄工程もしくは水洗工程などの湿式処理を行なう。
しかし、本発明では、上記のようにポリマー膜の変質も
なく、また、ポリマー膜をアッシング処理時にほぼ除去
することができるので、このような湿式処理の時間を従
来よりも短くすることができる。

【００３６】また、プラズマの酸化力が向上することに
より、アッシング処理の際に、被覆膜を除去した後、基
板上の構造の表面に堅固な酸化膜を形成することができ
る。このような酸化膜は、アッシング処理の後の湿式処
理において、基板上の構造の保護膜として作用し、湿式
処理において基板上に形成された構造が損傷を受けるこ
とを防止できる。

【００３７】また、紫外線を照射することによりプラズ
マの生成反応を促進することができるので、処理容器の
内部の圧力を従来よりも低くし、灰化処理用ガスの処理
容器の内部への流量を従来よりも小さくした場合でも、
十分な量のプラズマを発生させることができる。このた
め、処理容器の内部の圧力を従来よりも低くしても、安
定したプラズマを発生させることができる。

【００３８】上記１の局面または上記他の局面における
プラズマ処理装置では、灰化処理用ガスが、フルオロホ
ルムもしくはテトラフルオロメタンを含んでいてもよい
（請求項４）。

【００３９】上記１の局面もしくは上記他の局面におけ
るプラズマ処理装置では、紫外線照射部が、処理容器に
形成された窓部と、紫外線発生部と、紫外線発生部から
窓部にまで紫外線発生部において発生した紫外線を案内
するファイバーとを含んでいてもよい（請求項５）。

【００４０】上記１の局面もしくは上記他の局面におけ
るプラズマ処理装置は、基板を加熱する加熱部材をさら
に備えていてもよい（請求項６）。

【００４１】このため、アッシング処理の前に行なわれ
たエッチング処理などに起因する塩素が基板に残留して
いるような場合にも、基板を加熱することによりこれら
の残留塩素を拡散させ、基板から除去することができ
る。これにより、これらの塩素に起因する基板での腐食
の発生を抑制することができる。

【００４２】上記１の局面もしくは上記他の局面におけ
るプラズマ処理装置では、灰化処理用ガスが、酸素と水
蒸気とオゾンとをさらに含んでいてもよい（請求項
７）。

【００４３】この発明の別の局面におけるプラズマ処理
方法では、被覆膜が形成された基板を処理容器の内部に
設置する。処理容器の内部に灰化処理用ガスを導入す
る。マイクロ波を灰化処理用ガスに照射する。複数の異
なる方向から、紫外線を灰化処理用ガスに照射する。灰
化処理用ガスからプラズマを発生させる。プラズマによ
り、被覆膜を基板から除去する（請求項８）。

【００４４】このため、基板に対して異なる方向から灰
化処理用ガスに紫外線を照射するので、この紫外線が照
射された領域について、プラズマの生成反応を促進する
ことができる。このため、プラズマ密度が局所的に低下
するなど、プラズマ密度が不均一となる場合にも、局所
的に紫外線を照射することにより、プラズマ密度を局所
的に向上させることにより、プラズマ密度の均一化を図
ることができる。

【００４５】また、マイクロ波のみならず紫外線をも利
用して、灰化処理用ガスからイオンやラジカルなどを含
むプラズマを生成させる反応を活性化することができる
ので、従来よりも、プラズマの密度を高くすることがで
きる。このため、プラズマを用いて被覆膜を基板から除
去する際、単位時間あたりのプラズマによる被覆膜の酸
化反応数を増加させることができ、この結果、プラズマ
の酸化力を向上させることができる。これにより、一定
の膜厚の被覆膜を基板から除去するアッシング処理の時
間を短縮することができる。

【００４６】また、このようなアッシング処理を受ける
基板は、通常、このアッシング処理の前にエッチング処
理を受けているが、このエッチング処理に起因して、基
板の表面にＣＨＣｌなどを含むポリマー膜が形成されて
いる。このポリマー膜はアッシング処理時の熱やプラズ
マ放電などに起因して、硬化・変質する。しかし、この
ようにアッシング処理の時間を短縮することができるの
で、ポリマー膜の変質を抑制することができる。

【００４７】また、プラズマの酸化力が向上しているの
で、アッシング処理の際に、基板上のポリマー膜を有効
に除去することができ、アッシング処理終了後にこのポ
リマー膜が基板に残存することを防止できる。

【００４８】また、このようなアッシング処理の後、基
板に残存するポリマー膜などの有機物および無機物など
を基板から除去するため、有機物の剥離性および無機物
の除去性が比較的強い剥離液を用いた洗浄工程や水溶液
による水洗工程などの湿式処理を行なうが、上記のよう
にプラズマの酸化力が向上し、ポリマー膜がほとんど残
存していないため、この湿式処理の時間を従来よりも短
縮することができる。

【００４９】また、プラズマの密度を高くでき、このプ
ラズマによる基板表面での酸化反応を促進することがで
きるので、アッシング処理の際に、被覆膜が除去された
基板の表面において堅固な酸化膜を形成することができ
る。この酸化膜は、その後の湿式処理などにおいて基板
表面の構造を保護する保護膜として作用する。このよう
な酸化膜が形成されることにより、アッシング処理の後
に行なわれる湿式処理において、基板上に形成された配
線などの微細な構造が損傷を受けることを有効に防止で
きる。

【００５０】また、紫外線によりプラズマの生成反応を
促進するので、従来よりも灰化処理用ガスの処理容器内
部への流入量を低減し、処理容器の内部を低圧にした場
合にも、安定したプラズマを得ることができる。

【００５１】上記別の局面におけるプラズマ処理方法で
は、灰化処理用ガスはフッ素を含んでもよい（請求項
９）。

【００５２】このため、このようなアッシング処理の前
に基板がエッチング処理され、このエッチング処理に起
因して基板に塩素が残留しているような場合にも、灰化
処理用ガス中のフッ素と基板に残留する塩素とが置換反
応を起こすことにより、基板から塩素を有効に除去する
ことができる。基板に残留する塩素は、基板の腐食など
の原因となるが、このように基板から塩素を有効に除去
することにより、基板の腐食を抑制することができる。

【００５３】この発明のもう１つの局面におけるプラズ
マ処理方法では、被覆膜が形成された基板を処理容器の
内部に設置する。処理容器の内部にフッ素を含む灰化処
理用ガスを導入する。マイクロ波を灰化処理用ガスに照
射する。紫外線を灰化処理用ガスに照射する。灰化処理
用ガスからプラズマを発生させる。プラズマにより、被
覆膜を基板から除去する（請求項１０）。

【００５４】このため、このアッシング処理の前には、
通常、基板はエッチング処理を受けるが、このエッチン
グ処理に起因して、基板に塩素が残留する場合がある。
このように基板に塩素が残留する場合には、この塩素に
起因して基板に腐食が発生する。しかし、灰化処理用ガ
スがフッ素を含むので、このフッ素と基板に残留する塩
素とが置換反応を起こすことにより、基板から塩素を有
効に除去することができる。この結果、基板に残留する
塩素に起因して基板に腐食が発生することを防止でき
る。

【００５５】また、プラズマを発生させるのにマイクロ
波のみならず紫外線をも利用するので、オゾンやラジカ
ルを含むプラズマの生成反応を促進することができる。
これにより、プラズマの密度を向上させることができ
る。これにより、単位時間あたり、プラズマが被覆膜を
酸化することにより除去する反応数を増加させることが
でき、プラズマの酸化力を向上させることができる。こ
の結果、一定の膜厚の被覆膜を除去するためのプラズマ
による被覆膜の酸化反応（アッシング処理）の時間を従
来よりも短縮することができる。

【００５６】また、通常、このようなアッシング処理を
受ける前に、基板はエッチング処理されるが、このエッ
チング処理の際に、基板の表面にはＣＨＣｌなどを含む
ポリマー膜が形成されている。そして、このポリマー膜
は、アッシング処理の際の熱やプラズマ放電などに起因
して、硬化・変質する。このように変質したポリマー膜
は、アッシング処理などで除去することが困難となり、
アッシング処理後も残存する可能性が高い。しかし、上
記したようにアッシング処理の時間を短縮することがで
きるので、このようにポリマー膜が変質することを抑制
することができる。

【００５７】また、アッシング処理の後、基板上に付着
したポリマー膜などの有機物および無機物などを基板か
ら除去するため、有機物の剥離性および無機物の除去性
が比較的強い剥離液を用いた洗浄工程や水溶液による水
洗工程などの湿式処理を行なうが、プラズマの酸化力が
向上し、アッシング処理後にポリマー膜や有機物などが
ほとんど残存しないため、この湿式処理の時間を短縮す
ることができる。

【００５８】また、プラズマの密度を高くでき、このプ
ラズマによる基板表面での酸化反応を促進することがで
きるので、アッシング処理の際に、被覆膜が除去された
基板の表面において堅固な酸化膜を形成することができ
る。この酸化膜は、その後の湿式処理などにおいて基板
表面の構造を保護する保護膜として作用する。このよう
な酸化膜が形成されることにより、アッシング処理の後
に行なわれる湿式処理において、基板上に形成された配
線などの微細な構造が損傷を受けることを有効に防止で
きる。

【００５９】また、紫外線を照射することにより、プラ
ズマの生成反応を促進するので、処理容器の内部に導入
する灰化処理用ガスの流量を低減し、処理容器の内部を
従来より低圧にした場合でも、十分なプラズマ密度を得
ることができる。

【００６０】上記別の局面もしくは上記もう１つの局面
におけるプラズマ処理方法では、灰化処理用ガスが、フ
ルオロホルムもしくはテトラフルオロメタンを含んでい
てもよい（請求項１１）。

【００６１】上記別の局面もしくは上記もう１つの局面
におけるプラズマ処理方法では、基板を加熱してもよい
（請求項１２）。

【００６２】このように、基板を加熱することにより、
基板に残留していた塩素を熱拡散により基板から有効に
除去することができる。

【００６３】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。

【００６４】（実施の形態１）図１は、本発明によるプ
ラズマ処理装置の実施の形態１を示す断面模式図であ
る。図１を参照して、プラズマ処理装置を説明する。

【００６５】図１を参照して、プラズマ処理装置は、反
応処理室１と、灰化処理用ガスを反応処理室１の内部に
導く導入管４と、被処理基板１３を設置する試料台１４
と、石英窓１５と、紫外線発生器１６と、マイクロ波発
生器８と、導波管１０と、石英窓１１と、圧力制御器６
と、圧力表示器７とを備える。導入管４は、流量制御器
３ａ〜３ｃおよび配管２ａ〜２ｃを介して、灰化処理用
ガスの供給源に接続されている。灰化処理用ガスとして
は、酸素、水蒸気およびオゾンなどの酸素原子または水
素原子を含むガスを用いる。また、この灰化処理用ガス
に窒素あるいはアルゴンを含むガスを加えてもよい。ま
た、フルオロホルム（ＣＨＦ₃）、テトラフルオロメタ
ン（ＣＦ₄）を灰化処理用ガスに混入してもよい。

【００６６】反応処理室１の内部には、被処理基板１３
を載せる試料台１４が設置されている。反応処理室１の
下には、圧力制御器６が設置され、この圧力制御器６に
より排気されたガスは排気口５を介して外部に放出され
る。圧力表示器７は反応処理室１の内部の圧力を表示す
る。また、反応処理室１の側面には、石英窓１５が設置
され、紫外線発生器１６は、石英窓１５を介して紫外線
１７を反応処理室１の内部に照射できるように設置され
ている。また、反応処理室１の上部には石英窓１１が設
置されている。マイクロ波発生器８と反応処理室１と
は、導波管１０を介して接続されている。マイクロ波発
生器８において発生したマイクロ波は、導波管１０と石
英窓１１とを介して反応処理室１の内部に照射される。
また、導波管１０には、マイクロ波の反射波を熱として
外部に拡散させるアイソレータ９が設置されている。石
英窓１１下に位置する領域には、イオン成分をトラップ
するためのスリット板１２が設置されている。試料台１
４は、被処理基板１３を加熱することが可能なヒータを
備える。

【００６７】図１に示したプラズマ処理装置において
は、たとえば、マイクロ波発生器８において周波数が
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、このマイクロ
波を導波管１０と石英窓１１とを介して反応処理室１の
内部に照射する。同時に、紫外線発生器１６において発
生させた紫外線を、石英窓１５を介して反応処理室１の
内部に照射する。そして、このマイクロ波と紫外線１７
とにより、導入管４を介して反応処理室１の内部に導か
れた灰化処理用ガスから、酸素ラジカルやＯＨ^-イオン
などを含むプラズマ１８を生成する。

【００６８】このように、プラズマ１８を生成するため
に、マイクロ波のみではなく紫外線１７をも利用するの
で、灰化処理用ガスからオゾンやイオンを含むプラズマ
１８の生成反応を従来より活性化することができる。こ
れにより、プラズマ１８の密度を従来よりも高くするこ
とができる。その結果、プラズマ１８の酸化力を向上さ
せることができ、このプラズマ１８により、被処理基板
１３の表面に形成されたレジストなどを酸化して除去す
るアッシング反応を促進することができる。この結果、
一定の膜厚を有する被処理基板１３上のレジストなどを
除去するためのアッシング処理時間を従来よりも短くす
ることができる。

【００６９】また、プラズマ１８の生成反応に、マイク
ロ波のみならず紫外線１７をも利用するので、灰化処理
用ガスの反応処理室１内部への流量を従来よりも小さく
し、反応処理室１内部の圧力を低下させた場合にも、十
分な密度のプラズマ１８を得ることができる。このた
め、反応処理室１の内部を従来よりも低圧にして処理を
行なう場合にも、十分な密度のプラズマ１８を得ること
ができ、アッシング処理を行なうことができる。

【００７０】また、このようなプラズマ処理装置により
アッシング処理を行なう前、通常、被処理基板１３はエ
ッチング処理を受けるが、このエッチング処理の際、被
処理基板１３には塩素が残留している。この塩素は、被
処理基板１３での腐食の原因となるが、灰化処理用ガス
がフッ素を含む場合には、このフッ素と被処理基板１３
に残留する塩素とが置換反応を起こすことにより、被処
理基板１３から塩素を有効に除去することができる。こ
れにより、被処理基板１３での腐食の発生を抑制するこ
とができる。

【００７１】また、試料台１４を少なくとも１５０℃以
上に保つことにより、被処理基板１３から塩素を拡散さ
せ、除去することができる。この結果、被処理基板１３
での腐食の発生をより有効に抑制することができる。

【００７２】なお、図１を参照して、配管２ａ〜２ｃの
いずれかにオゾン発生器を接続し、このオゾン発生器に
おいて発生させたオゾンを反応処理室１の内部に導入す
るようにしてもよい。また、試料台１４の加熱温度を１
５０℃以上としたが、試料台１４の温度を、たとえば−
４０℃から３５０℃程度の温度範囲で制御してもよい。

【００７３】（実施の形態２）図２は、図１に示したプ
ラズマ処理装置を用いて、プラズマによるアッシング処
理を行なう場合を示す模式図である。図２を参照して、
アッシング処理について説明する。

【００７４】図２を参照して、アッシング処理を受ける
被処理基板の表面には、酸化膜１９とＴｉ−ＴｉＮ合金
膜２０とＡｌ−Ｃｕ合金膜２１とＴｉＮなどからなる反
射防止膜２２と、レジスト２３とが形成されている。被
処理基板１３（図１参照）上には酸化膜１９が形成され
ている。酸化膜１９上には、所定の間隔を隔ててＴｉ−
ＴｉＮ合金膜２０が形成されている。Ｔｉ−ＴｉＮ合金
膜２０上には配線として作用するＡｌ−Ｃｕ合金膜２１
が形成されている。Ａｌ−Ｃｕ合金膜２１上には反射防
止膜２２が形成されている。反射防止膜２２上にはレジ
スト２３が形成されている。

【００７５】このレジスト２３の膜厚は、約５００Å以
上である。また、Ｔｉ−ＴｉＮ合金膜２０とＡｌ−Ｃｕ
合金膜２１と反射防止膜２２との側面には、ポリマー膜
２４ａ〜２４ｈが形成されている。このポリマー膜２４
ａ〜２４ｈは、このアッシング処理の前に行なわれるエ
ッチング処理において形成されるものである。

【００７６】また、紫外線のエネルギー２５およびマイ
クロ波のエネルギー２６により、酸素イオン２７、酸素
ラジカル２８、ＨＯ^-イオン３２などを含むプラズマを
生成する。この際、このプラズマの生成にマイクロ波だ
けでなく紫外線も使用することにより、酸素イオン２７
や酸素ラジカル２８などを含むプラズマの濃度が上昇
し、この結果、プラズマの酸化力を向上させることがで
きる。

【００７７】また、このとき、試料台１４（図１参照）
の温度を２００℃に制御することにより、被処理基板１
３（図１参照）の酸化膜１９やＡｌ−Ｃｕ合金膜２１も
しくはポリマー膜２４ａ〜２４ｈ中に残留する塩素を熱
拡散により被処理基板１３から除去することができる。
また、プラズマの酸化力が向上することにより、塩素を
酸化することでＣｌＯ３１として被処理基板１３から除
去することもできる。

【００７８】また、プラズマの生成に紫外線も利用する
ことにより、プラズマの生成反応を促進できるので、灰
化処理用ガスの流量を少なくし、反応処理室１（図１参
照）の内部の圧力を低くした場合でも、安定して酸素イ
オン２７、酸素ラジカル２８およびＨＯ^-イオン３２な
どを含むプラズマを形成することができる。

【００７９】また、プラズマの酸化力が向上するため、
レジスト２３を除去するためのアッシング処理の時間を
従来より短くすることができる。そのため、ポリマー膜
２４が、このアッシング処理時の熱やプラズマ放電など
に起因して硬化・変質することを防止できる。

【００８０】また、プラズマの酸化力が向上するので、
このアッシング処理において、ポリマー膜２４ａ〜２４
ｈをもほぼ除去することができる。

【００８１】また、このアッシング処理の際、酸化膜１
９とＴｉ−ＴｉＮ合金膜２０とＡｌ−Ｃｕ合金膜２１と
反射防止膜２２との上には、全面を覆うように酸化膜３
３（図３参照）が形成される。通常、このアッシング処
理の後、被処理基板１３の表面に残存する有機物および
無機物などを除去するため、有機物の剥離性および無機
物の除去性が比較的強い剥離液を用いた洗浄工程と水溶
液による水洗工程とを含む湿式処理を行なう。この湿式
処理を行なった後の被処理基板１３の表面を、図３に示
す。図３は、湿式処理を行なった後の被処理基板を示す
断面模式図である。

【００８２】図３を参照して、図２に示したアッシング
処理に続き、湿式処理を行なった後の被処理基板は、基
本的には図３に示した被処理基板と同様の構造を備え
る。しかし、被処理基板の表面からはレジスト２３（図
２参照）とポリマー膜２４ａ〜２４ｈ（図２参照）とが
完全に除去され、全体を覆うように、酸化膜３３が形成
されている。このレジスト２３とポリマー膜２４ａ〜２
４ｈとは、図２に示したアッシング処理においてほぼす
べて除去され、その後、酸化膜３３がアッシング処理に
おけるプラズマの酸化によって形成されている。このよ
うに、アッシング処理において、処理基板の表面に保護
膜として作用する酸化膜３３が形成されるので、従来の
ように湿式処理において被処理基板のＡｌ−Ｃｕ合金膜
２１やＴｉ−ＴｉＮ合金膜２０などが損傷を受けること
を防止できる。このため、半導体装置を微細化した場合
にも、アッシング処理の前に行なわれるエッチング工程
において形成された微細な加工形状が、湿式処理などに
起因して損傷を受けることを防止でき、微細な形状の構
造を有する半導体装置を得ることができる。

【００８３】また、アッシング処理において、プラズマ
の酸化力が向上しているので、アッシング処理後に被処
理基板に残留する有機物などを少なくでき、その結果、
湿式処理の時間を短くすることができる。

【００８４】また、アッシング処理におけるプラズマの
酸化力が向上しているので、アッシング処理および湿式
処理後にポリマー膜２４ａ〜２４ｈ（図２参照）が被処
理基板１３上に残存していることもない。

【００８５】なお、上記した湿式処理において、有機物
の剥離性および無機物の除去性が比較的強い剥離液によ
る洗浄工程および水溶液による水洗工程を使用したが、
他の工程を用いてもよい。

【００８６】また、被処理基板としては、図２および３
に示したもの以外にも、アルミニウムなどの他の配線構
造を備える基板や他の半導体製品となる基板に対してこ
の発明を適用しても、同様の効果を得ることができる。

【００８７】（実施の形態３）図４は、本発明によるプ
ラズマ処理方法の実施の形態３におけるＣＯ発光強度と
紫外線の照射強度との関係を示すグラフである。以下、
図４を参照してグラフについて説明する。

【００８８】図４を参照して、プラズマ処理方法は、図
１に示した本発明の実施の形態１によるプラズマ処理装
置を用いて行なった。アッシング処理の条件としては、
酸素と水蒸気との流量比を１０対１とし、マイクロ波の
周波数を２．４５ＧＨｚ、試料台の加熱温度を２００℃
とした。そして、紫外線の照射強度を変化させた場合
の、ＣＯ発光強度を測定した。ここで、ＣＯ発光強度と
は、反応処理室１（図１参照）の内部に存在するＣＯの
存在量を示すデータであり、ＣＯ発光強度が高いほど、
反応処理室１の内部にＣＯが多く存在することを示す。
そして、ＣＯは、プラズマ中の酸素ラジカルなどとレジ
スト２３（図２参照）中の炭素とが反応して形成される
ため、結果として、ＣＯの存在量は、レジスト２３が酸
化され除去された程度を示す。

【００８９】図４に示すように、紫外線の照射強度を大
きくするほど、ＣＯ発光強度が大きくなっていることが
わかる。

【００９０】図５は、本発明のプラズマ処理方法の実施
の形態３における紫外線の照射強度とフォトレジストア
ッシング速度との関係を示すグラフである。図５に示し
たグラフのデータを測定した際のアッシング処理条件
は、図４に示した紫外線の照射強度とＣＯ発光強度との
関係を示すグラフに示したデータを測定した際のアッシ
ング処理条件と同様である。

【００９１】図５に示すように、紫外線の照射強度を上
げるほど、フォトレジストアッシング速度が向上してい
ることがわかる。

【００９２】なお、ここでは試料台の加熱温度を２００
℃としたが、少なくとも１５０℃から３００℃の加熱温
度の範囲内で同様の効果を得ることができる。

【００９３】また、マイクロ波の周波数として２．４５
ＧＨｚという値を用いているが、他の比較的高い周波数
を有する高周波であれば同様の効果を得ることができ
る。

【００９４】また、この実施の形態３においては、図２
および３に示したような構造を有する被処理基板を用い
ているが、他の構造を有する被処理基板に対しても同様
の効果を得ることができる。

【００９５】図６は、本発明のプラズマ処理方法の実施
の形態３の変形例における、紫外線の照射強度とフォト
レジストアッシング速度との関係を示すグラフである。
図６を参照して、この変形例におけるアッシング処理条
件は、基本的には図５に示したグラフのデータを測定し
た際のアッシング処理条件と同様である。しかし、図６
に示す変形例での灰化処理用ガスは、酸素と水蒸気とオ
ゾンとの混合ガスであり、その流量比は酸素：水蒸気：
オゾン＝１０：１：１である。なお、オゾンの濃度は５
％である。

【００９６】図６に示すように、この変形例において
も、紫外線の照射強度を大きくすればフォトレジストア
ッシング速度を大きくすることができる。

【００９７】（実施の形態４）図７は、本発明によるプ
ラズマ処理装置の実施の形態４を示す断面模式図であ
る。図７を参照して、プラズマ処理装置を説明する。

【００９８】図７を参照して、プラズマ処理装置は、基
本的には図１に示した本発明の実施の形態１によるプラ
ズマ処理装置と同様の構造を備える。ただし、この図７
に示したプラズマ処理装置では、反応処理室１上に紫外
線発生器１６を設置し、石英窓１１を介して紫外線１７
を反応処理室１の内部に照射している。

【００９９】このため、このプラズマ処理装置では、図
１に示した本発明の実施の形態１におけるプラズマ処理
装置によって得られる効果と同様の効果を得ることがで
きる。

【０１００】また、アッシング処理の際、酸化されたレ
ジストなどの成分が異物となって石英窓１１に付着する
場合があるが、このような場合にも、紫外線１７を石英
窓１１を介して反応処理室１に照射しているので、紫外
線１７に起因して石英窓１１の近傍において発生するオ
ゾンによる異物の酸化反応や紫外線が直接異物に作用す
ることにより、石英窓１１に付着した異物を有効に除去
することができる。このため、石英窓１１に異物が付着
し、マイクロ波が反応処理室１の内部に照射される際の
効率が落ちることを防止できる。

【０１０１】（実施の形態５）図８は、本発明によるプ
ラズマ処理装置の実施の形態５を示す断面模式図であ
る。図８を参照して、プラズマ処理装置を説明する。

【０１０２】図８を参照して、プラズマ処理装置は、基
本的には図１に示した本発明の実施の形態１によるプラ
ズマ処理装置と同様の構造を備える。ただし、この図８
に示したプラズマ処理装置は、反応処理室１に、被処理
基板１３に対して異なる複数の方向から紫外線１７ａ、
１７ｂを照射することができるようになっている。ここ
で、線分１００−１００における平面模式図を図９に示
す。

【０１０３】図９は、図８における線分１００−１００
における平面模式図である。図９を参照して、反応処理
室１の側壁には複数の石英窓１５ａ〜１５ｈが設置され
ている。また、石英窓１５ａ〜１５ｈには、紫外線発生
器１６ａ，１６ｂ（図８参照）で発生させた紫外線を反
応処理室１の内部に照射するためのファイバー３４ａ〜
３４ｈが設置されている。また、紫外線１７ａ〜１７ｈ
の照射のＯＮ／ＯＦＦを任意に切換えることができるよ
うになっている。

【０１０４】このため、被処理基板１３に対して、プラ
ズマ１８（図８参照）の密度が局所的に変動した場合に
も、プラズマ１８に対して任意の方向から紫外線１７ａ
〜１７ｈを照射することができるので、プラズマ密度を
局所的に制御することができる。この結果、プラズマ１
８の密度分布を均一になるように制御することが可能と
なる。この結果、被処理基板１３でのアッシング処理の
速度を、被処理基板１３の全面において制御し、均一化
することが可能となる。

【０１０５】なお、この図８および９に示した本発明の
実施の形態５によるプラズマ処理装置では、紫外線の照
射方向を８方向としたが、少なくとも異なる２方向以上
から紫外線を照射するようにすれば、同様の効果を得る
ことができる。

【０１０６】また、図８を参照して、紫外線１７ａ、１
７ｅを照射する石英窓１５ａ、１５ｅの位置を、被処理
基板１３のなるべく近い位置になるようにすれば、被処
理基板１３に近い領域において、紫外線１７ａ、１７ｅ
によりプラズマの生成反応を起こすことができ、よりプ
ラズマの酸化力を向上させる効果を大きくすることがで
きる。また、同時に、アッシング処理の速度を制御する
際の制御性もより向上させることができる。

【０１０７】また、被処理基板１３に紫外線１７ａ、１
７ｅを直接照射できるようにすれば、被処理基板１３表
面に付着する異物をこの紫外線との反応により除去する
効果を得ることもできる。

【０１０８】また、灰化処理用ガスとして、本発明の実
施の形態１と同様のガスを用いてもよく、この場合に
も、本発明の実施の形態１と同様の効果を得ることがで
きる。

【０１０９】なお、今回開示された実施の形態は全ての
点で例示であって、制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。

【０１１０】

【発明の効果】以上のように、請求項１〜１２に記載の
発明によれば、プラズマの酸化力を向上させ、かつ、プ
ラズマ密度の均一化を図ることが可能であり、また、プ
ラズマの酸化力を向上させることにより、レジストなど
のアッシング時間を短縮すると同時に、被処理基板に付
着している塩素を除去することにより、被処理基板の腐
食を防止することが可能なプラズマ処理装置およびプラ
ズマ処理方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマ処理装置の実施の形態
１を示す断面模式図である。

【図２】図１に示したプラズマ処理装置を用いて、プ
ラズマによるアッシング処理を行なう場合を説明するた
めの模式図である。

【図３】湿式処理を行なった後の被処理基板の表面を
説明するための断面模式図である。

【図４】本発明によるプラズマ処理方法の実施の形態
３における紫外線の照射強度とＣＯ発光強度との関係を
示すグラフである。

【図５】本発明によるプラズマ処理方法の実施の形態
３における紫外線の照射強度とフォトレジストアッシン
グ速度との関係を示すグラフである。

【図６】本発明によるプラズマ処理方法の実施の形態
３の変形例における紫外線の照射強度とフォトレジスト
アッシング速度との関係を示すグラフである。

【図７】本発明によるプラズマ処理装置の実施の形態
４を示す断面模式図である。

【図８】本発明によるプラズマ処理装置の実施の形態
５を示す断面模式図である。

【図９】図８における線分１００−１００での平面模
式図である。

【図１０】従来のプラズマ処理装置を示す断面模式図
である。

【図１１】従来のアッシング処理を行なった後の被処
理基板の表面を示す断面模式図である。

【図１２】従来の湿式処理を行なった後の被処理基板
の表面を示す断面模式図である。

【符号の説明】

１反応処理室、２ａ〜２ｃ配管、３ａ〜３ｃ流量
制御器、４導入管、５排気口、６圧力制御器、７
圧力表示器、８マイクロ波発生器、９アイソレー
タ、１０導波管、１１，１５，１５ａ〜１５ｈ石英
窓、１２スリット板、１３被処理基板、１４試料
台、１６，１６ａ，１６ｂ紫外線発生器、１７紫外
線、１８プラズマ、１９，３３酸化膜、２０Ｔｉ
−ＴｉＮ合金膜、２１Ａｌ−Ｃｕ合金膜、２２反射
防止膜、２３レジスト、２４ａ〜２４ｈポリマー
膜、２５紫外線のエネルギー、２６マイクロ波のエ
ネルギー、２７酸素イオン、２８酸素ラジカル、３
０ＣＯ、３１ＣｌＯ、３２ＨＯ^-イオン、３４ａ
〜３４ｈファイバー。

フロントページの続きＦターム(参考） 5F004 AA09 BA20 BB02 BB14 BB26 BC08 BD01 CA02 CA04 CB02 DA00 DA01 DA16 DA26 DA27 DB00 DB26 5F046 MA12 MA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理容器と、前記処理容器の内部で、処理される基板を保持する固定
台と、前記処理容器の内部に灰化処理用ガスを導入する配管
と、前記処理容器の内部において、前記配管から導入された
前記灰化処理用ガスにマイクロ波を照射するマイクロ波
照射手段と、前記処理容器の内部において、前記基板に対して異なる
方向から紫外線を前記灰化処理用ガスに照射することが
可能な複数の紫外線照射部を含む紫外線照射手段とを備
える、プラズマ処理装置。
【請求項２】前記灰化処理用ガスはフッ素を含む、請
求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】処理容器と、前記処理容器の内部で、処理される基板を保持する固定
台と、前記処理容器の内部にフッ素を含む灰化処理用ガスを導
入する配管と、前記処理容器の内部において、前記配管から導入された
前記灰化処理用ガスにマイクロ波を照射するマイクロ波
照射手段と、前記処理容器の内部において、前記配管から導入された
前記灰化処理用ガスに紫外線を照射する紫外線照射部を
含む紫外線照射手段とを備える、プラズマ処理装置。
【請求項４】前記灰化処理用ガスは、フルオロホルム
もしくはテトラフルオロメタンを含む、請求項１〜３の
いずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記紫外線照射部は、前記処理容器に形成された窓部と、紫外線発生部と、前記紫外線発生部から前記窓部にまで前記紫外線発生部
において発生した紫外線を案内するファイバーとを含
む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理
装置。
【請求項６】前記基板を加熱する加熱部材をさらに備
える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処
理装置。
【請求項７】前記灰化処理用ガスが、酸素と水蒸気と
オゾンとを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の
プラズマ処理装置。
【請求項８】被覆膜が形成された基板を処理容器の内
部に設置する工程と、前記処理容器の内部に灰化処理用ガスを導入する工程
と、マイクロ波を前記灰化処理用ガスに照射する工程と、前記基板に対して複数の異なる方向から、紫外線を前記
灰化処理用ガスに照射する工程と、前記灰化処理用ガスからプラズマを発生させる工程と、前記プラズマにより、前記被覆膜を前記基板から除去す
る工程とを備える、プラズマ処理方法。
【請求項９】前記灰化処理用ガスはフッ素を含む、請
求項８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】被覆膜が形成された基板を処理容器の
内部に設置する工程と、前記処理容器の内部にフッ素を含む灰化処理用ガスを導
入する工程と、マイクロ波を前記灰化処理用ガスに照射する工程と、紫外線を前記灰化処理用ガスに照射する工程と、前記灰化処理用ガスからプラズマを発生させる工程と、前記プラズマにより、前記被覆膜を前記基板から除去す
る工程とを備える、プラズマ処理方法。
【請求項１１】前記灰化処理用ガスは、フルオロホル
ムもしくはテトラフルオロメタンを含む、請求項８〜１
０のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】前記基板を加熱する工程をさらに備え
る、請求項８〜１１のいずれか１項に記載のプラズマ処
理方法。