JP2000012452A

JP2000012452A - 露光装置

Info

Publication number: JP2000012452A
Application number: JP10188131A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kato; 正紀加藤
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-06-18
Filing date: 1998-06-18
Publication date: 2000-01-14

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】静止安定性に優れた基準マークを備えた露光
装置を提供する。【解決手段】所定のパターンを感光性基板２０２上に
投影する投影光学系ＰＬと、該基板を上面に載置して投
影光学系の光軸ＡＸ（Ｚ）方向、及び光軸に直交するＸ
Ｙ２次元方向に移動可能な基板ステージ２０１と、感光
性基板のＸＹ方向の位置合わせ用アラインメント光学系
１３１〜１３４と、該光学系のＸＹ方向の位置較正用の
基準マーク１４１、１４２とを備え、該基準マークは基
板ステージ上面から所定距離ｔ₂隔てた基板ステージ内
部の所定位置に固設され、基板ステージの光軸ＡＸ方向
への移動範囲Ｔは、感光性基板の厚さｔ₁と所定の距離
ｔ₂との和以上であるように露光装置は構成されてい
る。基板ステージ上に基板を載せた際、基準マークが基
板に接触せず、また基板ステージを光軸ＡＸ方向に移動
させることにより基準マークを合焦できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶パネル等の製造に用いられる露光装置に関し、特に
大型の基板を扱うのに適した露光装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスや液晶パネル等の製造に
用いられる従来の露光装置では、基板の位置を計測する
アライメント系の位置と原版の位置の較正には、基準マ
ークが用いられる。この基準マークは、通常、基板ステ
ージに載置される感光性基板と干渉しないように、基板
ステージの基板載置領域外に設けられている。しかし特
に大きな、しかも角形の基板に関しては、基準マークを
基板ステージの基板載置領域外に設けると基板ステージ
が大型化し、また基板ステージの移動範囲が大きくなっ
てしまう。そこで、コストを抑えつつ又精度を維持しつ
つステージの大型化を避けるため、基板ステージの基板
を載置する領域内に、上下動する基準マークを設け、そ
の基準マークを必要に応じて上下に動かしてプレートと
の干渉を避けつつ、プレートアライメント系の位置を検
出し、露光装置のいわゆるベースラインを計測し、ある
いは原版の位置を計測している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】以上のような露光装置
によれば、基準マークを機械的に上下させる機構は、駆
動機構の機械的な精度を高く維持するのが必ずしも容易
ではなく、また基板ステージの限られた空間の中に配置
しなければならず、さらに基準マークを上方に移動し
て、プレートアライメント系や特に複数のレチクル（原
版）上のレチクルマーク等の位置を検出する場合に、各
レチクルの位置とプレートアライメント系の位置とを計
測するに要する時間がかなり大きくなり、基準マーク自
体が上下動する機構であるために、基板ステージの移動
等により力が加わったり、基板ステージの移動等による
熱的な要因を受け、基準マーク自体がドリフトを生じ、
計測値が時間が経てば経つほど変化してしまうと言った
問題があった。

【０００４】そこで、本発明は静止安定性に優れた基準
マークを備える露光装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明による露光装置は、図１に示す
ように、所定のパターンを感光性基板２０２に投影する
投影光学系ＰＬと；感光性基板２０２を上面に載置し
て、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）及び光
軸ＡＸ方向に直交する２次元方向（ＸＹ方向）に移動可
能な基板ステージ２０１と；感光性基板２０２の２次元
方向の位置合わせに用いるアライメント光学系１３１〜
１３４と；アライメント光学系１３１〜１３４の２次元
方向ＸＹの位置の較正を行う基準マーク１４１、１４２
とを備え；基準マーク１４１、１４２は基板ステージ２
０１の上面から所定の距離ｔ₂だけ隔てた基板ステージ
２０１の内部の所定位置に固設され；基板ステージ２０
１の光軸ＡＸ方向への移動範囲Ｔは（図２（ａ））、感
光性基板２０２の厚さｔ₁と所定の距離ｔ₂との和以上
であるように構成されている。

【０００６】このように構成すると、基準マークは基板
ステージの上面から所定の距離だけ隔てた基板ステージ
の内部の所定位置に固設されているので、基準マークは
基板ステージの上面から沈ませて設けられていることに
なり、基板ステージ上に基板を載せたときに、基準マー
クが基板に接触しない。したがって基準マークと基板が
お互いに傷つけ合うことがない。また典型的には、基準
マークは基板ステージの感光性基板を載置する領域内に
設けられるが、その場合は大型基板を載せる基板ステー
ジを比較的小さく形成することができる。

【０００７】また、基板ステージの光軸方向への移動範
囲Ｔは、感光性基板の厚ｔ₁さと所定の距離ｔ₂との和
以上であるように構成されているので、基板ステージ上
に基板が載置されていないときに、基板ステージを光軸
方向に移動させることにより、基板が載置されたとした
ときの基板表面位置に、即ち露光面の高さに基準マーク
を一致させることができる。したがって、プレートアラ
イメント系のベースラインや原版の位置を計測しようと
するときに、基板ステージに沈ませて設けられた基準マ
ークを合焦された状態に置くことができる。

【０００８】上記露光装置では、請求項２に記載のよう
に、基準マーク１４１は、少なくとも露光光に対して透
過可能な位相型パターン（図９）で形成されているもの
としてもよい。

【０００９】このときは、基準マークは露光光に対して
透過可能な位相型パターンで形成されているので、アラ
イメント光に対する反射光を発生する一方、露光光に対
する反射光を低くすることができる。

【００１０】以上の露光装置では、請求項３に記載のよ
うに、情報保存手段２０７を備えるようにしてもよく、
このときは、情報手段保存手段２０７に保存された感光
性基板の厚さｔ₁と所定の距離ｔ₂との和に関する情報
を利用して、基板ステージをＺ方向に移動して基準マー
クを投影光学系の合焦位置に合わせることができる。

【００１１】上記目的を達成するために、請求項４に係
る発明による露光装置は、図１に示すように、所定のパ
ターンを感光性基板２０２に投影する投影光学系ＰＬ
と；感光性基板２０２を上面に載置して、投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に直交する２次元方向ＸＹ
に移動可能な基板ステージ２０１と；感光性基板２０２
の２次元方向（ＸＹ方向）の位置合わせに用いるアライ
メント光学系１３１〜１３４と；アライメント光学系１
３１〜１３４の２次元方向の位置の較正を行う基準マー
ク１４１、１４２とを備え；基準マーク１４１、１４２
は基板ステージ２０１の上面から所定の距離ｔ₂、ｔ₃
（図２（ａ）、図１１）だけ隔てた基板ステージ２０１
の内部の所定位置に固設され；基準マーク１４１、１４
２の露光光に対する表面反射率が２０％以下であること
を特徴とする。

【００１２】このように構成すると、基準マークの露光
光に対する表面反射率が２０％以下であるので、基板を
透過した露光光が基準マークで反射しても基板の感光層
に悪影響を与えることがない。

【００１３】上記目的を達成するために、請求項５に係
る発明による露光装置は、図１に示すように、所定のパ
ターンを感光性基板２０２に投影する投影光学系ＰＬ
と；感光性基板２０２を上面に載置して、投影光学系Ｐ
Ｌの光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に直交する２次元方向（Ｘ
Ｙ方向）に移動可能な基板ステージ２０１と；感光性基
板２０２の２次元方向の位置合わせに用いるアライメン
ト光学系１３１〜１３４と；アライメント光学系１３１
〜１３４の２次元方向の位置の較正を行う基準マーク１
４１、１４２とを備え；基準マーク１４１、１４２は基
板ステージ２０１の感光性基板２０２を載置する領域内
に、かつ基板ステージ２０１の上面から所定の距離
ｔ₂、ｔ₃（図２（ａ）、図１１）だけ基板ステージ２
０１の内部側に沈ませて、基板ステージ２０１に固設さ
れ；基準マーク１４１、１４２は透明な基準板１４１
ａ、１４２ａの表面に形成されており、アライメト系１
３１〜１３４により位置合わせを行うのに使用するアラ
イメント光に対する、基準マーク１４１、１４２の表面
反射率が８％以上である。

【００１４】基準マークは透明な基準板の表面に形成さ
れているので、アライメント光は基準板の表面を透過し
て裏面で反射して戻ってくるが、基準マークの表面反射
率が８％以上であるので、基準板の表面の反射光と裏面
の反射光とを合わせた光の強度よりも基準マークの反射
光の方が大きくなり、基準マークの識別が容易にでき
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。

【００１６】図１は、本発明による実施の形態である露
光装置の構成概略を示す斜視図であり、図２は、図１の
露光装置を一部断面した側面図である。図１において、
照明光学系１００が、パターンの形成された原版である
レチクル１２１を垂直上方から照明するように配置され
ている。レチクル１２１はレチクルテーブル２０６上に
載置される（図２）。レチクルテーブル２０６の下方に
は投影光学系である投影レンズ系ＰＬが配置されてお
り、その下方には、感光性基板であるプレート２０２が
その表面が投影レンズ系ＰＬに関してレチクルと共役な
位置に置かれるように、それを載置する基板ステージ２
０１が配置されている。

【００１７】レチクルテーブル２０６の上方には、レチ
クルの位置を定めるためのレチクルアライメント系１１
３が、投影レンズ系ＰＬ乃至は露光装置に対して固定的
に設けられている。

【００１８】ここで、投影レンズ系ＰＬの光軸ＡＸの方
向にＺ軸、それに直交する平面内にＸＹ直角座標系をと
るものとする。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向（適宜それぞれＸ方
向、Ｙ方向とも呼ぶ）が本発明の二次元方向である。

【００１９】また、基板ステージ２０１のＺ軸方向（適
宜Ｚ方向とも呼ぶ）上方には１以上の例えば４個の基板
（プレート）アライメント系１３１〜１３４（図１では
１３４は投影レンズ系ＰＬの陰に隠れて図示されていな
い）が、投影レンズ系ＰＬに対して固定的に配置されて
いる。プレートアライメント系４個は、この装置で露光
されるべき例えば４角形のプレートの４隅近傍に位置す
るように配置される。

【００２０】さらに、図２（ａ）の拡大図に示すよう
に、基板ステージ２０１の上面からＺ方向に所定の距離
である僅かな距離ｔ₂だけ沈ませた、基板ステージ２０
１の内部の位置には、１以上例えば２個の基準マーク１
４１、１４２が固設されている。また、図２に示される
基板駆動装置２０５による基板ステージ２０１のＺ軸方
向への移動可能範囲Ｔは、プレート２０２の厚さｔ
₁と、前記のような基板ステージ２０１の上面から僅か
に沈ませた距離ｔ₂との和以上であるように構成されて
いる。

【００２１】照明光学系１００は、光源である超高圧水
銀ランプ１０１、反射鏡１０２、コリメートレンズ１０
３、オプチカルインテグレータ１０４、ハーフミラー１
０７、リレーレンズ１０８、レチクルブラインド１０
９、レチクルブラインド結像光学系１１０、及び反射鏡
１１１、コンデンサレンズ１１２（図２）をこの順に配
列して含み構成されている。このようにして、コンデン
サレンズ１１２を介した照明光により、レチクルテーブ
ル２０６上に載置されるレチクル１２１が一様に照明さ
れるようになっている。

【００２２】また、投影レンズ系ＰＬと基板ステージ２
０１との間には、基板ステージ２０１を投影レンズ系Ｐ
Ｌの合焦位置に合わせるための、斜め入射型のオートフ
ォーカス系２０４が設けられている。

【００２３】また、基板ステージ２０１には、図２に示
されるように、Ｚ方向駆動系２０５が取り付けられてお
り、Ｚ方向駆動系２０５に電気的に接続された制御装置
２０８により適切なＺ方向位置に駆動され設定されるよ
うになっている。さらに、制御装置２０８には、情報保
存手段２０７（図１）が電気的に接続されている。情報
保存手段２０７には、この露光装置で露光されるべきプ
レートの厚さｔ₁と基準マーク１４１の基板ステージ上
面からの沈み込み距離ｔ₂との和が記憶保存されてい
る。

【００２４】制御装置２０８は、随時情報保存手段２０
７から情報を呼び出し、その値だけ基板ステージ２０１
をＺ方向駆動系２０５により上下に駆動して、プレート
２０２が基板ステージ２０１上に載置され露光しようと
いうときには、プレート２０２の露光面に投影レンズ系
ＰＬを合焦し、プレート２０２が基板ステージ２０１上
に載置されておらず、基準マーク１４１により、プレー
トアライメント系のベースラインを計測したり、レチク
ルの位置を計測しようとするときは、基準マーク１４１
に投影レンズ系ＰＬを合焦することができる。

【００２５】ここで、情報保存手段２０７は制御装置２
０８に一体的に組み込まれていてもよい。

【００２６】さらに、図２に示されるように、基準マー
ク１４１の下方、基板ステージ２０１の内部には、基板
ステージ２０１の上面にほぼ４５度の角度をもって反射
鏡１７２が、反射鏡１７２により基板ステージ２０１の
上面に平行に偏向された光路中にはリレーレンズ１７１
が、さらにその先の光路中にはライトガイドファイバ３
０３の端面が配置されている。即ち、基準マーク１４１
よりも下方には、アライメント光学系１３１〜１３４、
又はレチクル１２１の位置の較正の少なくとも一方を行
うための、受光光学系又はその一部が基板ステージ２０
１に埋設されている。

【００２７】一方、照明光学系１００内の反射鏡１０２
とコリメートレンズ１０３との間には、光源１０１から
の光をコリメートレンズ１０３の方へ、即ちメイン照明
光路へと導くか、ライトガイドファイバ３０３の方に導
くか切り替えることができる、シャッター３０１が設け
られている。

【００２８】ライトガイドファイバ３０３の、リレーレ
ンズ１７１側とは反対側の端面は、集光レンズ３０２を
介してシャッター３０１に対向している。

【００２９】基準マーク１４２についても同様な光学系
が基板ステージ２０１中に埋設されている。

【００３０】また、基板ステージ２０１の端部には、基
板ステージ２０１のＸＹ方向の位置を計測する干渉計２
０３のための移動鏡２０３ａが固設されている。図２に
は、Ｘ方向の位置計測の干渉計しか図示されていない
が、Ｙ方向用の干渉計も備えられている。

【００３１】さらに、図２に示されるように、基板ステ
ージ２０１には側面に、プレートステージ２０１のＺ方
向の変位を計測する変位計測系、例えばエンコーダーや
ポテンショ等の計測系を組み込んだＺ方向駆動系２０５
が備えられている。Ｚ方向駆動系２０５により、プレー
トステージ２０１を、予め計測されたＺ軸方向の変位の
位置に移動させることができるようになっている。

【００３２】基板ステージ２０１のＺ方向への移動は、
図２の例では、基板ステージ２０１の上半分と下半分と
が、Ｙ軸に平行な軸を含む、Ｚ方向軸に対して傾斜した
斜面で分離されており、その分離面にニードルベアリン
グ２０１ｂが挟まった構造により行われる。ニードルベ
アリング２０１ｂの代わりに、前記斜面に加圧された空
気を吹き込み、ミクロンオーダーの隙間をもって、両斜
面が相対的に面に平行に滑動する気体ベアリングを用い
てもよい。ここで、基板ステージ２０１の下半分がＸ方
向に駆動されると、上半分が上下に移動する。

【００３３】このような構成において、レチクル１２１
上のパターンをプレート２０２上に露光する場合には、
超高圧水銀ランプ等の光源１０１の光を露光用の波長
（例えばｇ線、ｈ線、ｉ線）に不図示の干渉フィルタ等
により選択し、照明光学系１００を介して、レチクル１
２１を照明し、レチクル１２１上のパターンは、投影レ
ンズ系ＰＬにより、プレート２０２上（図１では点線で
図示）に転写される。

【００３４】この露光動作を複数の例えば４枚のレチク
ル１２１〜１２４を用いて、継ぎ露光を行うことによ
り、大型の液晶パネルが形成される。

【００３５】ここで、ベースラインについて説明する。
一般に、露光装置の基準位置は、ステージ２０１上に配
置した基準マーク１４１により定められ、その基準マー
ク１４１により、投影レンズ系ＰＬを通してレチクル１
２１のアライメントマークＲＭ１１等（図３）と照合さ
れ、ステージ座標系における投影レンズ系ＰＬを介した
レチクル１２１の位置を求める。更に、プレート２０２
に露光する際に、２層目以上には、１層目に露光された
プレートの位置を検出するためプレートアライメント系
１３１〜１３４を用いるが、基準マーク１４１を用い
て、そのプレートアライメント系１３１〜１３４の位置
を、ステージ座標系における座標値で求める。このよう
にして求めた、座標値がいわゆる露光装置のベースライ
ンである。一般には露光前に上記工程を経て、露光装置
のステージ２０１上に搬入されたプレートに対して位置
合わせを行い、上記ベースラインの値を用いて位置合わ
せし、２層目以降の露光を開始する。

【００３６】図１、図２に示される本発明の実施の形態
である露光装置の、ベースラインを計測する際の操作方
法を説明する。まず、プレート２０２がプレートステー
ジ２０１上に載置されていない状態で、プレートステー
ジ２０１を予め計測されたＺ軸方向の変位の位置に、Ｚ
方向駆動系２０５により移動させる。

【００３７】このＺ軸方向の変位の位置は、装置の組立
ての時に常数的に扱われ、基準マーク１４１、１４２の
面が、ほぼ投影レンズ系ＰＬの焦点面になるように設定
された量で、プレートステージ２０１を駆動させる。但
し、投影レンズ系ＰＬの照射によるピント位置の変化や
大気圧変動によるピント位置の変化、更には、投影レン
ズ系ＰＬ内にある倍率可変機構を動作したときのピント
位置の変化等は、その常数に加えられる形で補正されて
いる。

【００３８】ここで、図１に示されるように基準マーク
を１４１、１４２と２つ設けて、両者の間隔を４個のプ
レートアライメント系のいずれか２個、例えば図示のよ
うに１３２と１３３、１３１と１３４の間隔とほぼ同一
になるように配置すれば、ベースラインを計測する際
に、基板ステージをＸ、Ｙ方向に動かすストロークを小
さくすることができ、ひいてはステージ２０１の大型化
を避けることができる。

【００３９】次に、基準マーク１４１、１４２のうち、
例えば先ず１４１が正確に投影レンズ系ＰＬの焦点面に
くるようにオートフォーカス系２０４により基準マーク
１４１を計測し、正確に投影レンズ系ＰＬの焦点面にプ
レートステージ２０１を設定する。

【００４０】ここで、プレートステージ２０１の変位計
測系とオートフォーカス系２０４の２つの変位計測系を
用いているのは、例えば、通常の露光が終了し、次の層
の露光準備の時に、まず露光を完了したプレート２０２
をアンロードし、更に、次に露光を開始するためのレチ
クル１２２をレチクルチェンジャーにセットするために
要する時間の間に、並行してプレートステージ２０１を
基準マーク１４１の合焦位置に設定するためである。

【００４１】次に、基準マーク１４１によるベースライ
ン計測に関して、図２、図３、図４を参照して説明す
る。まず、レチクルテーブル２０６上にレチクル１２１
を載置し、レチクル１２１の所定の位置２個所に十字の
スリットマークＲＡ１、ＲＡ２（図３）よりなるレチク
ルアライメントマークをレチクルアライメント系１１３
によって検出し、レチクルアライメント系１１３の不図
示の基準スリットに対してレチクルテーブル２０６を移
動させてレチクルアライメントマークＲＡ１１、ＲＡ１
２を合わせ込む。

【００４２】続いて、基準マーク１４１を用いて、レチ
クルテーブル２０６にセットされたレチクル１２１のほ
ぼ４隅に配置された位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１
４（図３）の位置を計測する。

【００４３】次に基準マーク１４２にオートフォーカス
系２０４によりオートフォーカスをかけて、基準マーク
１４２を投影レンズ系ＰＬの合焦面に一致するようにプ
レートステージ２０１をＺ軸方向に移動させ、基準マー
ク１４１を用いて計測したレチクル１２１のマークＲＭ
１１〜ＲＭ１４の位置を計測する。

【００４４】この計測は、メイン照明系１００の光路内
に配置されたシャッター３０１にて反射した光をライト
ガイドファイバー３０３に導き、更に基板ステージ２０
１内部に埋設された基準マーク照明系１７１、１７２を
介して、基準マーク１４２を照明する。照明光は、不図
示の干渉フィルタ等により、露光波長に選択されてい
る。

【００４５】照明された基準マーク１４２の像は、投影
レンズ系ＰＬを介して、レチクル１２１上の位置合わせ
マークＲＭ１１〜ＲＭ１４上に結像する。更に、レチク
ル１２１の位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４を透過
した光は、照明光学系１００の一部を介して、照明光学
系１００内のハーフミラー１０７により反射され、フォ
トマル等の光電変換素子１０５にて受光される。

【００４６】ここで、基準マーク１４２のパターンとレ
チクル１２１の位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４
は、例えば、図４（ａ）（ｂ）に示されているようなス
リットマークであり、ステージ２０１を走査することに
より受光素子１０５で検出される信号は、図４（ｃ）の
ようにピークを有する左右対称のカーブを描き、例えば
ある信号レベル値で走査方向に切ったスライスレベルに
よる中点検出等を行うことにより、プレートステージ２
０１の干渉計２０３にて各レチクル１２１〜１２４の位
置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４等に対応した基板ス
テージ２０１の座標を計測することができる。

【００４７】こうして基準マーク１４１、及び基準マー
ク１４２で計測されたレチクル１２１の位置合わせマー
クＲＭ１１〜ＲＭ１４を用いて、基準マーク１４１と基
準マーク１４２の相対的な位置を計測したことになる。

【００４８】次にプレートアライメント系１３１、１３
２の位置を基準マーク１４１を用いて計測し、更に、基
準マーク１４２を用いてプレートアライメント系１３
３、１３４の位置を計測する。この計測は、通常プレー
ト２０２のアライメントを行うマークと同様なマークを
基準マーク１４１、１４２に配置しておけば、例えば、
画像処理、レーザ光による回折光検出等の通常の信号処
理を行うことにより、プレートアライメント系１３１〜
１３４の位置を計測することができる。

【００４９】この時、基準マーク１４１でプレートアラ
イメント系１３１〜１３４の位置を計測するためには、
プレートアライメントを実行するアライメント波長を用
いる。このとき、基準マーク１４１のパターン部とそう
でない部分とで、２倍程度の信号強度差が得られれば、
計測精度にあまり影響しないため、パターン無しの部分
の反射光は、ガラス面とすれば約４％の反射光がノイズ
として計測され、これに対して、パターン部は２倍以上
の８％以上の反射率を有することとするのが望ましい。
８％以上または８％を越える反射率とすれば、ガラス面
を透過してガラス内部で反射して戻って来る光を考慮し
ても計測精度は維持できる。１０％以上とすればさらに
好ましい。

【００５０】または、基準板の表面反射率の２倍以上
の、あるいは２倍を越える反射率とするものとしてもよ
い。

【００５１】以上より、レチクル１２１とプレートアラ
イメント系１３１〜１３４の相対位置、いわゆるベース
ラインを計測したことになる。ここで、レチクル１２１
の位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４を４点計測して
いるのは、計測点を増すことにより基準マーク１４１と
基準マーク１４２の相対位置を正確に求めるためで、原
理的には少なくとも１点あれば良い。

【００５２】次に、レチクル１２１をレチクル１２２
（図７）と交換し、まず、レチクル１２１と同じ位置に
なるようにレチクルアライメント系１１３でレチクルア
ライメントマークＲＡ２１、ＲＡ２２を用いて、レチク
ル１２２の位置合わせを行う。

【００５３】続いて、レチクル１２２のレチクル位置合
わせマークＲＭ２１〜ＲＭ２４を基準マーク１４１を用
いて計測する。これにより、レチクル１２１に対するレ
チクル１２２の相対位置を求めることができる。

【００５４】例えば、レチクル１２２が基準マーク１４
１を用いて計測した結果、レチクル１２１に対して、Ｘ
方向にδシフトした位置が最適であると求められれば、
先に挙げたレチクルアライメント系１１３とレチクル１
２２のレチクルアライメントマークＲＭ２１〜ＲＭ２４
を用いて、δだけずらしてレチクル１２２をセットすれ
ば良いことがわかる。

【００５５】同様にして、レチクル１２３、レチクル１
２４について計測すれば、各レチクルのレチクル１２１
に対する位置ずれを求めることができる。こうしてレチ
クル１２１〜１２４までを用いて４つのレチクルで継ぎ
目が最小になるようにする各レチクルの位置が求まるこ
とになる。

【００５６】次に各計測されたレチクル１２１〜１２４
を用いて露光動作に入る。まず、ベースライン計測が完
了と同時に、予め設定されている量だけ、ステージ２０
１のＺ方向変位を計測するポテンショ等によりプレート
ステージ２０１を下げる。このとき、保存手段２０７に
保存されている（このとき露光しようとする）感光性プ
レートの厚さｔ₁と基準マーク１４１の沈み量ｔ₂との
和を、情報保存手段２０７から制御装置２０８に呼び出
し、その分だけ基板ステージ２０１をＺ方向に下げれば
よい。基板ステージ２０１のＺ方向移動可能量Ｔは、プ
レートの厚さｔ ₁と基準マーク１４１の沈み量ｔ₂との
和以上に構成されているので、このような移動制御が可
能である。

【００５７】プレートの厚さｔ₁と基準マーク１４１の
沈み量ｔ₂との和のデータは、種々のプレートの厚さに
対応する値として、情報保存手段２０７に保存してお
き、露光しようとする該当のプレートに対応するデータ
を呼び出して用いればよい。

【００５８】更に、露光を行うためのプレート２０２を
ステージ２０１上に搬入するための位置にプレートステ
ージ２０１を移動させ、プレート２０２を載置する。

【００５９】プレート２０２を載置した状態でオートフ
ォーカス系２０４を用いてオートフォーカスをかけ、プ
レート２０２の表面を投影レンズ系ＰＬの焦点位置に設
定する。ここで、プレートステージ２０１を所望の変位
になるようにステージ２０１を下げるのは、プレート２
０２のローディング位置にステージ２０１が移動してい
る間や、プレート２０２をステージ２０１上に載置して
いる間、更にはオートフォーカスをかけるまでの間に終
了するように並列処理を行えば、スループットの悪化を
防ぐことができる。

【００６０】第１層目はここで所望のＸＹ座標位置にプ
レートステージ２０１を移動させて露光することにな
る。重ね合わせ露光を行う場合には、まず、プレート２
０２に露光されている、前の工程のアライメントマーク
をプレートアライメント系１３１〜１３４にて検出する
ことによりプレート２０２のＸＹ座標位置を計測し、重
ね合わせ精度が最適になるように統計処理を行い、その
量を補正して重ね合わせ露光を開始することになる。

【００６１】露光する場合に、液晶表示素子を製造する
にの用いられる基板としては、ほとんどがガラスプレー
トであり、パターニングする層も各種金属層や、ＩＴＯ
等の透明電極膜等で、その膜の厚さも数十から数百オン
グストローム程度であり、この厚さで考えるなら当然準
透明膜のものが存在する。即ち、露光の時には、基準マ
ーク１４１、１４２の上にプレート２０２を載置するこ
とになるため、露光光がプレート２０２を透過して基準
マーク１４１、１４２表面に到達し、更に基準マーク１
４１、１４２で反射された光がプレート２０２の感光層
に悪影響を与えてしまう可能性があるため、露光に対す
る基準マーク１４１、１４２の表面反射率は可能な限り
小さくする必要がある。

【００６２】しかしながら、実際の露光の際には露光光
はプレートの表面に塗布されたレジストにおいてほとん
どが吸収され、更に、プレート２０２を載置するステー
ジ２０１の表面の反射率も十数％程度あることを考慮す
れば、最低限露光光に対して２０％以下の反射率を確保
すれば良い。１０％以下とすればさらに好ましい。

【００６３】但し、露光を行う条件によっては、露光量
を適正露光量よりもかなり高くする場合が想定されるた
め、プレート２０２を載置する基板ステージ２０１の表
面の反射率程度以下にすることが望ましい。

【００６４】また、基準マーク１４１、１４２の反射率
を押さえることにより、基準マーク１４１、１４２と基
板ステージ２０１との間に露光中に遮光するような機械
的シャッターを入れる必要がないため、基準マーク１４
１、１４２は、プレート２０２を載置するプレートステ
ージ２０１の表面（上面）から数十μｍから２００μｍ
程度のクリアランスを設ければ十分であり、プレート２
０２の厚さを例えば０．７ｍｍとすれば、０．７〜０．
９ｍｍ程度のステージ２０１のＺ軸方向の移動範囲があ
れば良いことになる。即ち、反射率を上記のように抑え
ることにより、基板ステージの上面と基準マークとの間
に、シャッターを設ける必要がなくなるために、十分現
実性のある駆動範囲にすることが可能となる。

【００６５】露光する予定のプレート２０２の厚さが
１．２ｍｍであれば、基板ステージ２０１の移動範囲Ｔ
を１．２〜１．４ｍｍに構成すればよい。すなわち、基
板ステージ２０１の移動範囲Ｔは、露光が予定されるプ
レートのうち最大厚さのプレートの厚さと基準マークの
沈み量とをプラスした値以上に設定すればよい。

【００６６】ここで、プレートステージ２０１を上下に
移動させる場合に発生するシフト等の誤差は、プレート
ステージ２０１のＸ，Ｙの位置を計測するためのレーザ
ー干渉計２０３と移動鏡２０３ａで、移動鏡２０３ａご
と光軸方向即ちＺ軸方向に動くため、必ず投影レンズ系
ＰＬの焦点面の座標を測ることになり、誤差は発生しな
い。

【００６７】例えば、移動鏡２０３ａ自体が投影レンズ
系ＰＬの光軸ＡＸ方向即ちＺ軸方向に傾斜していたとし
ても、ステージ２０１の各変位で、レチクル１２１とプ
レートアライメント系１３１〜１３４の相対位置に変化
が生じないので問題とはならない。

【００６８】なお、本実施の形態で挙げたベースライン
計測の動作の順序は順不同であり、例えば、プレートア
ライメント系１３１〜１３４のベースラインを計測する
前にレチクル１２１〜１２４の位置を計測してもよい。

【００６９】図５、図６を参照して、本発明の第２の実
施の形態を説明する。図５に示されるように、本実施の
形態では、レチクルマークＲＭ１１〜ＲＭ１４（図３）
と基準マーク１４１、１４２を検出する系の構成とし
て、メイン照明系１００の照明光を用いていることが特
徴である。

【００７０】図５中、基板ステージ２０１の上面よりも
僅かに沈ませて基板ステージ２０１に固設された基準マ
ーク１４１の下方、基板ステージ２０１の内部に反射鏡
１７２が、基板ステージの上面に対して約４５度の角度
をもって固設されている。反射鏡１７２で、基板ステー
ジの上面にほぼ平行に偏向された光路中にリレーレンズ
１７１が配置されており、その先の光路中には光電変換
素子１８１が基板ステージ２０１に固設されている。

【００７１】このような構造において、光源１０１から
のメイン照明光によって、レチクル１２１上のレチクル
位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４を照明し、レチク
ル位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４の投影レンズ系
ＰＬによる光学像を基準マーク１４１に重ねて結像し、
レチクル位置合わせマークＲＭ１１〜ＲＭ１４の像から
の光と基準マーク１４１を通過する光を光電変換素子１
８１にリレーレンズ１７１によって導く。

【００７２】光電変換素子１８１は、基板ステージ２０
１中に埋設したが、受光素子１８１自身の発熱による熱
膨張を小さくするために、熱の影響を受けない場所に光
ファイバーにて導いてもよい。受光方式としては、スリ
ット開口を利用する、いわゆるスリットスキャン方式
や、パターンのエッジを利用するナイフエッジ方式等が
考えられる。また、受光素子１８１に感度ムラがある場
合には、拡散板等を用いればよい。

【００７３】図６は、受光センサ部に基板ステージ２０
１に埋設された撮像素子を用い、基準マーク１４１の像
を拡大して撮像素子へ導く拡大光学系を設けた場合であ
る。図中、反射鏡１７２、リレーレンズ１７１までは、
図５の場合と同様な構成であるが、リレーレンズ１７１
の先の光路中にさらにリレーレンズ１７３が、さらにそ
の先にＣＣＤ等の撮像素子１８２が設けられている。こ
の実施の形態ではリレーレンズ１７１と１７２とで拡大
光学系が構成されている。この拡大光学系に関して、撮
像素子１８２の受光面と基準マーク１４１とは共役関係
にある。

【００７４】このような構造において、光源１０１から
のメイン照明光によって照明されたレチクル位置合わせ
マークの投影レンズ系ＰＬによる光学像を基準マーク１
４１に重ねて結像し、レチクル位置合わせマークの像と
基準マーク１４１の像とを拡大光学系１７１、１７３に
より光電変換素子１８２に結像する。

【００７５】この場合に適したレチクルマークは、例え
ば図７、図８に示すように、基準マーク１４１として図
８（ａ）の正方形環状マークを配置し、レチクルマーク
として図８（ｂ）の十文字マークを配置すれば、撮像素
子１８２に映し出させる合成像は、図８（ｃ）のよう
に、正方形環状マークと十文字マークとを重ねた田の字
マークとなる。

【００７６】基準マーク１４１の正方形環状マークの中
心位置とレチクルマークの十文字マークの中心位置の差
δを画像処理にて計測することにより、基準マーク１４
１とレチクルマークＲＭ２１〜ＲＭ２４の相対位置を検
出することが可能となる。

【００７７】その様子を図８（ｄ）（ｅ）に示す。即
ち、図８（ｃ）の田の字マークの中心を外れた位置を十
文字の縦横の線に平行に走査して、得られる信号レベル
を検出すると３つのピークを有する出力を得る。それら
のうち中央のピークが左右のピークの中心からどれだけ
ずれているかを求めれば、それが差δである。

【００７８】また、メイン照明光を用いる場合には、照
射による熱膨張を避ける為、レチクルブラインド１０９
により、各計測ポイントの領域、即ちレチクルマークＲ
Ｍ２１を計測しているときは、レチクルマークＲＭ２１
の周辺領域に照射エリアを絞ったり、露光光の照度を最
適にするためと併せて、照明光学系１００内に不図示の
減光手段を設け、露光時と計測時とでその減光手段を光
路中に挿脱する可動機構を特に照明光学系１００に設け
ても良い。減光手段を設ける位置は、照明光路中のどこ
であってもよいが、レチクルブラインド１０９を結像さ
せるためと、照明ムラ、照明テレセン等の影響の少ない
光源１０１とフライアイ（オプティカルインテグレー
タ）１０４との間に入れることが望ましい。

【００７９】また、図９を参照して、第２の実施の形態
において、基準マークとして位相パターンを利用する場
合を説明する。図９（ａ）は、基準マークの平面図であ
り、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。また、
（ｃ）（ｄ）（ｅ）は、位相パターンの段差での光の反
射または透過の様子を示す断面図である。

【００８０】第２の実施の形態で、ＣＣＤ１８２におい
てレチクル１２１の位置合わせマークＲＭ２１〜ＲＭ２
４と基準マーク１４１とを計測する場合に、基準マーク
１４１に図９（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばＳｉ
Ｏ₂等のほとんど透明な部材で、段差を有するような位
相パターンにすることによって、波長がλの露光光によ
る反射率を押さえることが可能になり、特に基準マーク
１４１のパターンの段差をｍλ／２（ｍは整数）にす
ればパターンの像情報が干渉により打ち消し合うため、
有効である。

【００８１】図９（ｃ）を参照してこの現象をさらに詳
細に説明する。図中、位相パターンの隣接する高段と低
段における２本の反射光の位相差がｍλだけずれたとき
は、２つの光に差が生じないことになる。即ち、段差を
ｄとしたとき、２×ｄ＝ｍλとすれば、段差がある部分
と段差パターンの存在しない表面との間の区別がつかな
いことになり、像の情報が消える。透明部材全体に一様
な反射光のみが存在する場合と同様となる。したがっ
て、プレート表面の感光層に対する、基準マークからの
反射光による悪影響を防止することができる。

【００８２】更に、基準マーク１４１は透過した光で位
置合わせを行うため、基準マーク１４１を形成した透明
部材が、例えば屈折率１．５のＳｉＯ₂であるとすれ
ば、段差は（２Ｌ＋１）λに設定できれば透過光は強め
合い像信号がピークになる（Ｌは整数）。

【００８３】図９（ｄ）を参照してこの現象をさらに詳
細に説明する。図中、位相パターンの隣接する高段と低
段を透過する２本の光の位相差が（Ｌ＋１／２）λであ
るときに、２つの透過光の情報が最大となる。ここで段
差をｄ、屈折率をｐとすれば、位相差は（ｐ−１）ｄで
あるので、（ｐ−１）ｄ＝（Ｌ＋１／２）λのときに情
報が最大となる。ここで、屈折率ｐ＝１．５を代入すれ
ば、ｄ＝（２Ｌ＋１）λのときに情報が最大となること
になる。

【００８４】また、アライメント系では基準マーク１４
１からのアライメント光の反射光を用いて較正を行える
ようにするが、この場合のアライメント光に対する反射
回折光の強度を考慮すると、アライメント光の波長をλ
₂とすれば、段差を（２ｎ＋１）・λ₂／４を満足す
るときに強め合うことになる。

【００８５】図９（ｅ）を参照してこの現象をさらに詳
細に説明する。図中、位相パターンの隣接する高段と低
段における２本の反射光の位相差が（ｎ＋１／２）λ₂
だけずれたときは、２つの光による情報が最大となる
（ｎは整数）。即ち、段差をｄとしたとき、２×ｄ＝
（ｎ＋１／２）λ₂とすれば、高段と低段との反射光の
干渉により情報が最大となる。即ち、ｄ＝（２ｎ＋１）
・λ₂／４のときに情報が最大になることになる。

【００８６】以上の３つの条件により最適な解を求めれ
ば、アライメント及び露光が最も効果的に行える条件を
設定することができる。

【００８７】図１０に、実際にプレート２０２に露光を
行う場合の模式図を示してある。図中、プレート２０２
を構成するガラスプレート２０２ａの表面にレジスト２
０２ｂが塗布されている。プレート２０２は基板ステー
ジ（基板ホルダ）２０１の上面に、レジスト２０２ｂを
上側に向けて載置されている。基板ステージ２０１の上
面から所定の距離だけ隔てた基板ステージ２０１の内
部、即ち基板ステージ２０１の上面にプレート２０２を
載置したときに、プレート２０２と接触し合わないだけ
基板ステージ２０１の上面から僅かに沈めた位置に、基
準マーク１４１が配設されている。

【００８８】図１０には、露光光Ｌ１が、基準マーク１
４１及び基準マーク１４１の形成された部材の表面から
反射する様子と、アライメント光Ｌ２が格子パターン部
分から反射する様子が示されている。

【００８９】また、基準マークのパターンがプレートに
転写するのを避けるためには、基準マークのパターンを
小間隔のパターンとすることにより、パターンによる回
折光を広げ、実質的にプレートにパターン像を形成する
ことを防ぐことも可能である。

【００９０】以上の実施の形態では、ベースライン計測
やレチクル位置計測操作と露光操作との間で、基板ステ
ージ２０１を上下に移動するとき、オートフォーカス系
２０４を用いることなく、感光性プレートの厚さｔ₁と
基準マークの沈み量ｔ₂との和だけ一気に上下させるこ
とによりスループットを上げることができる。また、例
えば、レチクルの位置を計測するときに基準マークに合
焦させるために、基板ステージ２０１を上昇させると
き、ｔ₁＋ｔ₂だけ一気に上昇させて、投影レンズ系Ｐ
Ｌの焦点深度の中に入れば、レチクル位置計測では露光
のときほど正確に合焦する必要がないので、そのままベ
ースライン計測に入ることもできる。同様に、アライメ
ントの目的であればオートフォーカスをかけなくても済
む場合もある。

【００９１】オートフォーカス系２０４によりオートフ
ォーカスをかける場合でも、感光性プレートの厚さｔ₁
と基準マークの沈み量ｔ₂との和だけ一気に上下させる
ことにより、オートフォーカスに要する時間を著しく短
縮することができる。

【００９２】このように、基準マークにて、アライメン
ト光学系又はレチクルの位置の較正の少なくとも一方を
行う場合には、プレート２０２に露光する際にプレート
２０２の投影レンズ系ＰＬの光軸方向の変位を計測する
変位計測手段により計測され、基板ステージ２０１を投
影レンズ系ＰＬの光軸方向に移動させるＺ移動手段によ
り移動させて行われる。

【００９３】また、以上の実施の形態の露光装置は、基
準マークにて、アライメント光学系１３１〜１３４、又
はレチクル１２１、の位置の較正の少なくとも一方を行
う場合には、プレート２０２に露光する際にプレート２
０２の投影レンズ系ＰＬの光軸方向の変位を計測する変
位計測手段とは独立に、基板ステージ２０１の投影レン
ズ系ＰＬの光軸方向の変位を計測する（Ｚ方向駆動系２
０５に含まれる）第２の変位計測手段により、予め計測
された駆動量例えばプレートの厚さと基準マークの沈み
量の和だけ基板ステージ２０１を投影レンズ系ＰＬの光
軸方向に移動させるＺ移動手段２０５により移動させて
行うように構成されているということができる。

【００９４】また、基準マークにて、前記アライメント
光学系、又はレチクル、の位置の較正の少なくとも一方
を行う場合には、前記第２の変位計測手段とプレート２
０２に露光する際にプレート２０２の投影レンズ系ＰＬ
の光軸方向の変位を計測する変位計測手段との共同によ
り計測される位置に、基板ステージ２０１を投影レンズ
系ＰＬの光軸方向に移動させるＺ移動手段により移動さ
せて行うようにしてもよい。

【００９５】また、基準マークにて、アライメント光学
系１３１〜１３４、又はレチクル１２１、の位置の較正
の少なくとも一方を行う場合には、基板ステージ２０１
をＸＹ平面内で２次元方向に移動させる手段と基板ステ
ージ２０１の位置を計測する位置計測手段２０３とを共
同して行うものとしてもよい。

【００９６】図１１を参照して、本発明の第３の実施の
形態を説明する。図中、基板ステージにはＺ方向に円筒
形の穴１５１が設けられており、穴１５１の中に基板ス
テージ２０１の上面から、所定の距離ｔ₃だけ隔てた、
基板ステージ２０１の内部に、基準マーク１４１が固設
されている。基準マーク１４１は透明な基準板１４１ａ
の表面に形成されている。

【００９７】また、やはり基板ステージ２０１の上面か
ら沈ませた位置で基板ステージ２０１の上面と基準マー
ク１４１との間の位置に第１のリレーレンズ１５２が配
置され、リレーレンズ１５２と基準マーク１４１との間
には第２のリレーレンズ１５３が配置されており、リレ
ーレンズ系１５２、１５３により、基準マーク１４１の
空間像を、基板ステージ２０１の上面よりも上方の位置
１５４に形成するように構成されている。ここで位置１
５４は、プレート２０２が基板ステージ２０１の上面に
載置されたときに、プレート２０２の露光面が位置する
Ｚ方向高さと一致するように構成されている。

【００９８】ここで、基準マーク１４１の露光光に対す
る表面反射率が２０％以下、好ましくは１０％以下とす
れば、先の実施の形態で説明したように、露光の際に、
基準マークからの反射光が基板のレジストに対して影響
を及ぼすのを抑えることができる。あるいは、基板ステ
ージ２０１の表面の反射率程度以下にするものとしても
よい。

【００９９】また、透明な基準板１４１ａの表面に形成
された基準マーク１４１のアライメント光に対する表面
反射率を８％以上とする。または、基準マーク１４１の
パターン部とそうでない部分とで、２倍程度の信号強度
差が得られるようにする。このようにすると、先に説明
した実施の形態と同様に、基準マークを用いた計測の精
度を維持することができる。８％以上あるいはそれより
大とすれば、ガラス面を透過してガラス内部で反射して
戻って来る光を考慮しても基準マークの検出が可能だか
らである。１０％以上とすればさらに好ましい。

【０１００】以上のように、本発明の実施の形態の露光
装置では、基準マーク単独の上下駆動機構を必要とせ
ず、プレートと干渉することのない基準マークを、基板
ステージのプレート載置領域内に配置でき、基準マーク
自身は、露光光に対して低反射な材質又は、反射防止さ
れた膜で構成されるため、透明なプレートであっても基
準マークの反射光が露光のときのパターンに影響するこ
とがない。このようにして、いわゆるベースライン計測
精度を向上し、複数枚のレチクルを使用して１枚のパネ
ルを形成するための画面継ぎ精度、各層に重ね合わせ露
光を行う時に重ね合わせ精度を向上した露光装置を安価
に提供することが可能になる。

【０１０１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基準マー
クは基板ステージの上面から所定の距離だけ隔てた基板
ステージの内部の所定位置に固設されているので、基準
マークが基板に接触せず、基準マークと基板がお互いに
傷つけ合うことがない。また、基板ステージの光軸方向
への移動範囲は、感光性基板の厚さと基準マークのステ
ージ上面からの距離との和以上であるように構成されて
いるので、基板ステージを光軸方向に移動させることに
より、露光面の高さに基準マークを一致させることがで
きる。したがって、プレートアライメント系のベースラ
インや原版の位置を計測しようとするときに、基準マー
クを合焦された状態に置くことができる。このように、
本発明によれば、静止安定性に優れた基準マークを備え
る露光装置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による露光装置の概
略構成を示す斜視図である。

【図２】図１の露光装置の一部を断面した側面図であ
る。

【図３】第１の実施の形態に用いるレチクルの平面図で
ある。

【図４】基準マークとレチクルマークのスリットの例を
示す平面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態による露光装置の概
略構成を示す一部を断面した側面図である。

【図６】図５の実施の形態による露光装置の変形例を示
す一部を断面した側面図である。

【図７】第２の実施の形態に用いるレチクルの平面図で
ある。

【図８】図７のレチクルに形成されたレチクルマークの
例とそれと組み合わせて用いられる基準マークの例を示
す平面図である。

【図９】基準マークとして用いられる位相型パターンの
例を示す平面図と側面断面図である。

【図１０】露光光とアライメント光とが基準マークで反
射される様子を示す側面図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態による露光装置に
用いる基準マーク部分の側面断面図である。

【符号の説明】

１００照明光学系１２１〜１２４レチクル１３１〜１３４プレートアライメト系１４１、１４２基準マーク２０１基板ステージ２０２基板２０７情報保存手段２０８制御装置ＰＬ投影レンズ系

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定のパターンを感光性基板に投影する
投影光学系と；前記感光性基板を上面に載置して、前記
投影光学系の光軸方向及び前記光軸方向に直交する２次
元方向に移動可能な基板ステージと；前記感光性基板の
前記２次元方向の位置合わせに用いるアライメント光学
系と；前記アライメント光学系の前記２次元方向の位置
の較正を行う基準マークとを備え；前記基準マークは前
記基板ステージの上面から所定の距離だけ隔てた前記基
板ステージの内部の所定位置に固設され；前記基板ステ
ージの前記光軸方向への移動範囲は、前記感光性基板の
厚さと前記所定の距離との和以上であるように構成され
ていることを特徴とする；露光装置。
【請求項２】前記基準マークは、少なくとも露光光に
対して透過可能な位相型パターンで形成されていること
を特徴とする、請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】前記感光性基板の厚さと前記所定の距離
との和に関する情報を保存する情報保存手段を備える、
請求項１または請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】所定のパターンを感光性基板に投影する
投影光学系と；前記感光性基板を上面に載置して、前記
投影光学系の光軸方向に直交する２次元方向に移動可能
な基板ステージと；前記感光性基板の前記２次元方向の
位置合わせに用いるアライメント光学系と；前記アライ
メント光学系の前記２次元方向の位置の較正を行う基準
マークとを備え；前記基準マークは前記基板ステージの
上面から所定の距離だけ隔てた前記基板ステージの内部
の所定位置に固設され；前記基準マークの露光光に対す
る表面反射率が２０％以下であることを特徴とする；露
光装置。
【請求項５】所定のパターンを感光性基板に投影する
投影光学系と；前記感光性基板を上面に載置して、前記
投影光学系の光軸方向に直交する２次元方向に移動可能
な基板ステージと；前記感光性基板の前記２次元方向の
位置合わせに用いるアライメント光学系と；前記アライ
メント光学系の前記２次元方向の位置の較正を行う基準
マークとを備え；前記基準マークは前記基板ステージの
前記感光性基板を載置する領域内に、かつ前記基板ステ
ージの上面から所定の距離だけ前記基板ステージの内部
側に沈ませて、前記基板ステージに固設され；前記基準
マークは透明な基準板の表面に形成されており、前記ア
ライメト系により位置合わせを行うのに使用するアライ
メント光に対する、前記基準マークの表面反射率が８％
以上であることを特徴とする、露光装置。