JP2000005589A - Treating fluid feeding device - Google Patents

Treating fluid feeding device

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JP2000005589A
JP2000005589A JP10194961A JP19496198A JP2000005589A JP 2000005589 A JP2000005589 A JP 2000005589A JP 10194961 A JP10194961 A JP 10194961A JP 19496198 A JP19496198 A JP 19496198A JP 2000005589 A JP2000005589 A JP 2000005589A
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temperature
processing
storage means
fluid
fluid supply
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Withdrawn
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JP10194961A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Matsuyama
雄二 松山
Takayuki Toshima
孝之 戸島
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treating fluid feeding device by which treating fluid can be fed to a substrate at prescribed temperature with its deterioration due to the effect of disturbance being prevented. SOLUTION: In this treating fluid feeding device 30 in which vapor of HMDS stored in a tank 31 is fed to a hydrophobic treatment device (AD) 18, liquid resist stored in a tank 32 is fed to a resist applying device (COD) 16, and developer stored in a tank 33 is fed to a developing treatment device (DEV) 17, the tanks 31, 32, 33 are housed in a chemical box 34 that a wall body 40 is formed into a hollow body. Temperature adjusting air 41 is circulated through the chemical box 34 to adjusts the temperature of atmosphere inside it to 23 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は，例えば半導体ウ
ェハやＬＣＤ用ガラス板等の基板に対して処理液や処理
ガス等の処理流体を供給する処理流体供給装置に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing fluid supply apparatus for supplying a processing fluid such as a processing liquid or a processing gas to a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD glass plate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造におけるフォトレ
ジスト処理においては，以下のような処理工程が行われ
ている。例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」とい
う。）に対してＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の
蒸気をウェハの表面に吹き付けて疎水化処理（アドヒー
ジョン処理）を行い，その後にレジスト液をウェハの表
面に塗布してレジスト膜の形成する。そして，所定の回
路パターンを露光し，このウェハに対して現像液を供給
して現像処理を行う。2. Description of the Related Art In a photoresist process in the manufacture of a semiconductor device, the following process steps are performed. For example, a HMDS (hexamethyldisilazane) vapor is sprayed on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a “wafer”) to perform a hydrophobic treatment (adhesion treatment) on the wafer surface, and then a resist solution is applied to the wafer surface. Apply to form a resist film. Then, a predetermined circuit pattern is exposed, and a developing solution is supplied to the wafer to perform a developing process.

【０００３】このような一連の処理を行うにあたって
は，ＨＭＤＳ，レジスト液，現像液といった処理液を各
々のタンクに予め貯留し，対応する各処理の際に，使用
する処理流体を各処理装置に供給する処理流体供給装置
が用いられていた。処理流体供給装置において，ＨＭＤ
Ｓが貯留されているタンクでは，キャリアガスとして窒
素ガスが吹き込まれバブリングが行われており，疎水化
処理を行う段階になれば，このタンクからＨＭＤＳの蒸
気がウェハに供給されていた。同様に，レジスト液が貯
留されているタンクでは，塗布処理を行う段階になれ
ば，このタンクからレジスト液がウェハに供給されてい
た。同様に，現像液が貯留されているタンクでは，現像
処理を行う段階になれば，このタンクから現像液がウェ
ハに供給されていた。In performing such a series of processing, processing liquids such as HMDS, a resist solution, and a developing solution are stored in each tank in advance, and a processing fluid to be used in each corresponding processing is stored in each processing apparatus. A processing fluid supply device for supplying has been used. In the processing fluid supply device, the HMD
In the tank where S is stored, nitrogen gas is blown as a carrier gas to perform bubbling, and when the hydrophobization process is performed, HMDS vapor is supplied to the wafer from this tank. Similarly, in the tank where the resist solution is stored, the resist solution is supplied to the wafer from this tank at the stage of performing the coating process. Similarly, in a tank in which a developing solution is stored, the developing solution is supplied to the wafer from the tank at the stage of performing the developing process.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで，従来の処理
流体供給装置では，前記タンクをそのままの状態で工場
内の雰囲気内に置いていた。しかしながら，薬液成分を
主体としたこれら処理液は温度変化に敏感なため，工場
内の雰囲気の温度が外乱（天候の変動等）によって変化
すれば，それに伴い，処理液の特性に影響を与え変質さ
せるおそれがある。例えば，工場内の雰囲気の温度が許
容範囲以上に上昇すれば，ＨＭＤＳ，レジスト液，現像
液のいずれかが変質してしまう。このような処理液を用
いて各種の処理を行えば，所期の処理を実現することが
困難になる。一方，工場内の雰囲気の温度が許容範囲以
下にまで低下しても種々の問題が発生する。例えば，Ｈ
ＭＤＳでは，所定の保存温度から４℃下がると，タンク
内においてＨＭＤＳの蒸気が結露してしまう。これによ
り，疎水化処理に必要なＨＭＤＳの蒸気中のＨＭＤＳ濃
度等が達成できず，同様に所期の処理を実現することが
困難になる。Incidentally, in the conventional processing fluid supply device, the tank is placed in the atmosphere of the factory without any change. However, since these processing liquids, which are mainly composed of chemical components, are sensitive to temperature changes, if the temperature of the atmosphere in the factory changes due to disturbances (such as fluctuations in weather), the properties of the processing liquid will be affected and the deterioration will occur. May be caused. For example, if the temperature of the atmosphere in the factory rises above an allowable range, any one of HMDS, resist solution, and developer will deteriorate. If various types of processing are performed using such a processing liquid, it becomes difficult to achieve the desired processing. On the other hand, various problems occur even if the temperature of the atmosphere in the factory falls below the allowable range. For example, H
In the case of MDS, if the temperature drops by 4 ° C. from a predetermined storage temperature, HMDS vapor condenses in the tank. As a result, the HMDS concentration in the HMDS vapor required for the hydrophobic treatment cannot be achieved, and similarly, it becomes difficult to realize the desired treatment.

【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされてもので
あり，その目的は，外乱の影響による変質を防止して，
所定の温度で処理流体を基板に供給できる処理流体供給
装置を提供することにある。[0005] The present invention has been made in view of such a point, its purpose is to prevent deterioration due to the influence of disturbance,
An object of the present invention is to provide a processing fluid supply device capable of supplying a processing fluid to a substrate at a predetermined temperature.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１の発明は，タンクに貯留された処理流体
を，処理装置に収納された基板に処理流体供給系を介し
て供給するように構成された処理流体供給装置におい
て，前記タンクを収納する収納手段を設け，前記収納手
段は，内部雰囲気の温度を自在に調整できる構成である
ことを特徴とする，処理流体供給装置を提供する。ここ
で，処理流体とは，処理液又は処理ガスを意味するもの
とする。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a processing fluid stored in a tank is supplied to a substrate housed in a processing apparatus via a processing fluid supply system. In the processing fluid supply device configured as described above, a storage means for storing the tank is provided, and the storage means is configured to be capable of freely adjusting the temperature of the internal atmosphere. I do. Here, the processing fluid means a processing liquid or a processing gas.

【０００７】かかる構成によれば，処理流体を貯留した
タンクは，収納手段に収納されており，しかも収納手段
の内部雰囲気の温度は自在に調整される。これにより，
外部雰囲気の温度が急激に変化しても，その影響による
処理流体の変質を防止し，所定の温度で処理流体を基板
に供給することができる。従って，各種の処理の際に
は，所期の処理を実現することが可能となる。この収納
手段の内部雰囲気の最高温度については，複数のタンク
を収納手段に収納する場合，例えば所定の温度から温度
上昇すると最初に変質する処理流体の変質の温度を上限
とする。そして，この上限温度を越えないように収納手
段の内部雰囲気の温度上昇を抑える。これにより，温度
上昇に起因する処理流体群の変質が，一律に防止でき
る。一方，収納手段の内部雰囲気の最低温度について
は，所定の温度から温度低下すると最初に変質する処理
流体の変質の温度を下限とする。そして，この下限温度
にまで下がらないように内部雰囲気の温度低下を抑え
る。これにより，温度低下に起因する処理流体群の変質
が，一律に防止できる。According to this configuration, the tank storing the processing fluid is stored in the storage means, and the temperature of the atmosphere inside the storage means can be adjusted freely. This gives
Even if the temperature of the external atmosphere changes suddenly, deterioration of the processing fluid due to the effect can be prevented, and the processing fluid can be supplied to the substrate at a predetermined temperature. Therefore, when performing various types of processing, desired processing can be realized. When the plurality of tanks are stored in the storage means, for example, the maximum temperature of the internal atmosphere of the storage means is, for example, the temperature of the deterioration of the processing fluid which changes first when the temperature rises from a predetermined temperature. Then, the temperature rise of the atmosphere inside the storage means is suppressed so as not to exceed the upper limit temperature. Thereby, the deterioration of the processing fluid group due to the temperature rise can be uniformly prevented. On the other hand, regarding the minimum temperature of the internal atmosphere of the storage means, the lower limit is the temperature of the deterioration of the processing fluid which first changes when the temperature is lowered from a predetermined temperature. Then, the temperature drop of the internal atmosphere is suppressed so as not to drop to the lower limit temperature. Thereby, the deterioration of the processing fluid group due to the temperature drop can be uniformly prevented.

【０００８】請求項１の処理流体供給装置において，請
求項２に記載したように，内部雰囲気の温度を調整する
ための温度調整用流体を供給する流体供給路と，前記温
度調整用流体を排出する流体排出路とが前記収納手段に
設けられ，前記流体供給路と前記流体排出路とを結ぶ通
路が，前記収納手段の内部に又は前記収納手段に接して
形成されていることが好ましい。According to the first aspect of the present invention, there is provided a processing fluid supply device for supplying a temperature adjusting fluid for adjusting the temperature of an internal atmosphere, and discharging the temperature adjusting fluid. Preferably, a fluid discharge path is provided in the storage means, and a passage connecting the fluid supply path and the fluid discharge path is formed inside the storage means or in contact with the storage means.

【０００９】かかる構成によれば，通路に，流体供給路
によって供給された流体供給路が流れる。そして，通路
を介して，温度調整用流体と収納手段の内部雰囲気との
間で熱交換される。従って，例えば，収納手段の端から
端までに管状の通路を設けた場合，温度調整用流体が収
納手段全体に流通するようになるので，収納手段の内部
雰囲気をより良好かつ均一に温度調整することが可能と
なる。そして，これにより複数のタンクを収納手段に収
納した場合でも，これらタンク群を全て所定の温度で保
存することができる。以後，予め温度調整された温度調
整用流体が，収納手段に供給される一方で，通路を流通
した温度調整用流体は，流体排出路を通じて収納手段内
から排出される。これにより，処理回数を重ねても，収
納手段の内部雰囲気を所定の温度に好適に維持すること
ができる。なお，収納手段内に流通させる温度調整用流
体は，液体又は気体のどちらでもよい。According to this configuration, the fluid supply passage supplied by the fluid supply passage flows through the passage. Then, heat is exchanged between the temperature adjusting fluid and the atmosphere inside the storage means via the passage. Therefore, for example, in the case where a tubular passage is provided from one end to the other end of the storage means, the temperature adjusting fluid flows through the entire storage means, so that the internal atmosphere of the storage means is more preferably and uniformly temperature-controlled. It becomes possible. Thus, even when a plurality of tanks are stored in the storage means, all of these tank groups can be stored at a predetermined temperature. Thereafter, the temperature adjusting fluid whose temperature has been adjusted in advance is supplied to the storage means, while the temperature adjustment fluid flowing through the passage is discharged from the storage means through the fluid discharge path. Thereby, even if the number of times of processing is repeated, the internal atmosphere of the storage means can be suitably maintained at a predetermined temperature. The temperature adjusting fluid flowing through the storage means may be either a liquid or a gas.

【００１０】請求項３に記載したように，内部雰囲気の
温度を調整するための温度調整用流体を供給する流体供
給路と，前記温度調整用流体を排出する流体排出路とが
前記収納手段に接続され，前記温度調整用流体が流通す
る通路が前記収納手段を構成する壁体の内部に形成され
ていることも好ましい。かかる構成によれば，温度調整
用流体が壁体の内部を流れて，収納手段全体を流通す
る。このように，収納手段の内部雰囲気中に通路を設け
ることがない分，収納手段の構成を簡素化できる。もち
ろん，請求項２と同様に，収納手段の内部雰囲気を良好
かつ均一に温度調整する等が可能となる。According to a third aspect of the present invention, a fluid supply path for supplying a temperature control fluid for controlling the temperature of the internal atmosphere and a fluid discharge path for discharging the temperature control fluid are provided in the storage means. It is also preferable that a passage connected and through which the temperature adjusting fluid circulates is formed inside a wall constituting the storage means. According to such a configuration, the temperature adjusting fluid flows inside the wall body and flows through the entire storage means. As described above, since the passage is not provided in the atmosphere inside the storage means, the configuration of the storage means can be simplified. As a matter of course, similarly to the second aspect, it is possible to adjust the temperature of the internal atmosphere of the storage means satisfactorily and uniformly.

【００１１】請求項４に記載したように，内部雰囲気の
温度を調整するための温度調整用気体を供給する気体供
給路と，前記収納手段の内部雰囲気を排出する内部雰囲
気排出路を前記収納手段に接続することも好ましい。か
かる構成によれば，気体供給路によって供給された気体
が，収納手段全体に均一に拡散する。この場合，気体
は，その熱エネルギーを直接に収納手段の内部雰囲気に
伝達するので，請求項２と同様に，収納手段の内部雰囲
気を良好かつ均一に温度調整する等が可能になる。According to a fourth aspect of the present invention, a gas supply path for supplying a temperature adjusting gas for adjusting the temperature of the internal atmosphere and an internal atmosphere discharge path for discharging the internal atmosphere of the storage means are provided in the storage means. It is also preferable to connect to. According to this configuration, the gas supplied by the gas supply path is uniformly diffused throughout the storage means. In this case, the gas transfers its thermal energy directly to the internal atmosphere of the storage means, so that the temperature of the internal atmosphere of the storage means can be satisfactorily and uniformly adjusted as in the second aspect.

【００１２】請求項５に記載したように，前記収納手段
を構成する壁体の内部が中空となるように，該壁体が外
壁と内壁とから構成されるようにしてもよい。かかる構
成によれば，請求項２〜４の処理流体供給装置におい
て，壁体の断熱性が向上するので，収納手段の内部雰囲
気を外部雰囲気から効果的に保護することができる。し
かも，請求項３に記載の通路を，好適に実現することが
できる。According to a fifth aspect of the present invention, the wall may be constituted by an outer wall and an inner wall such that the inside of the wall constituting the storage means is hollow. According to this configuration, in the processing fluid supply device of the second to fourth aspects, the heat insulating property of the wall is improved, so that the internal atmosphere of the storage means can be effectively protected from the external atmosphere. Moreover, the passage according to the third aspect can be suitably realized.

【００１３】この場合，請求項６に記載したように，前
記収納手段から排出された処理流体を再び前記収納手段
に循環流通させる循環回路を前記流体供給路に接続する
ことが好ましい。かかる構成によれば，収納手段から排
出された温度調整用流体は，循環回路において，僅かな
熱エネルギーで温度調整され，収納手段に循環供給され
る。従って，省エネルギーで温度調整用流体の再利用を
図ることができる。In this case, it is preferable that a circulation circuit for circulating the processing fluid discharged from the storage means to the storage means again is connected to the fluid supply path. According to this configuration, the temperature adjusting fluid discharged from the storage means is temperature-controlled by a small amount of thermal energy in the circulation circuit, and is circulated to the storage means. Therefore, the temperature control fluid can be reused with energy saving.

【００１４】請求項７に記載したように，前記内部雰囲
気の温度を検出する温度センサを前記収納手段に設け，
この温度センサによって検出した前記内部雰囲気の温度
に基づいて，温度調整用流体の温度を調整する温度調整
機構を設けるようにしてもよい。かかる構成によれば，
温度調整機構は，供給されるべき温度調整用流体を，収
納手段の内部雰囲気を所定の温度にするのに最適な温度
に調整する。このような温度調整用流体が収納手段に供
給されるので，良好な温度調整が自動的に行える。As described in claim 7, a temperature sensor for detecting the temperature of the internal atmosphere is provided in the storage means,
A temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the temperature adjusting fluid based on the temperature of the internal atmosphere detected by the temperature sensor may be provided. According to such a configuration,
The temperature adjusting mechanism adjusts the temperature adjusting fluid to be supplied to a temperature optimum for adjusting the internal atmosphere of the storage means to a predetermined temperature. Since such a temperature adjusting fluid is supplied to the storage means, good temperature adjustment can be automatically performed.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にか
かる処理流体供給装置は，塗布現像処理システムの構成
要素の一部となっている。そこで，まず塗布現像処理シ
ステムについて説明する。図１は塗布現像処理システム
１の平面図であり，図２はその正面図，図３は背面図で
ある。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The processing fluid supply device according to the present embodiment is a part of the components of the coating and developing processing system. Thus, the coating and developing system will be described first. FIG. 1 is a plan view of a coating and developing system 1, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.

【００１６】図１及び図２に示すように，塗布現像処理
システム１は，例えば２５枚のウェハＷを収納可能なカ
セットＣを４個載置できるカセットステーション２を有
し，このカセットステーション２には，カセットＣや後
述する第３の処理装置群Ｇ3に対して，ウェハＷの搬入
・搬出を行うウェハ搬送体１５が設けられている。As shown in FIGS. 1 and 2, the coating and developing system 1 has a cassette station 2 on which four cassettes C capable of storing, for example, 25 wafers W can be placed. , to the third processing unit group G 3 to the cassette C and below, a wafer carrier 15 for loading and unloading of the wafer W is provided.

【００１７】また，塗布現像処理システム１には，ウェ
ハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３が配
置され，その中心部に主搬送装置２０が設けられてい
る。そして，第１及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2が塗布
現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装
置群Ｇ3がカセットステーション２の隣接して配置さ
れ，第４の処理装置群Ｇ4が後述するインタフェイス部
４に隣接して配置され，破線で示した第５の処理装置群
Ｇ5が背面側に配置されている。Further, in the coating and developing system 1, a processing station 3 for performing a predetermined processing on the wafer W is arranged, and a main transfer device 20 is provided at a central portion thereof. The first and second processing unit groups G 1 and G 2 are disposed on the front side of the coating and developing processing system 1, the third processing unit group G 3 is disposed adjacent to the cassette station 2, processing unit group G 4 is disposed adjacent to the interface section 4 to be described later, the fifth processing unit group G 5 shown by broken lines are arranged on the rear side.

【００１８】第１及び第２の処理装置群Ｇ1，Ｇ2では，
カップＣＰ内でウェハＷにレジスト塗布処理を行うレジ
スト塗布装置（ＣＯＴ）１６と，カップＣＰ内でウェハ
Ｗに現像処理を行う現像処理装置（ＤＥＶ）１７とが２
段に重ねられている。In the first and second processing unit groups G 1 and G 2 ,
A resist coating device (COT) 16 for performing a resist coating process on the wafer W in the cup CP, and a developing device (DEV) 17 for performing a developing process on the wafer W in the cup CP are two.
It is piled up on the steps.

【００１９】図３に示すように，第３の処理装置群Ｇ3
では，冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯＬ）と，レジ
ストとウェハＷとの定着性を高めるための疎水化処理装
置（ＡＤ）１８と，ウェハＷの位置合わせを行うアライ
メント装置（ＡＬＩＭ），ウェハＷを待機させるエクス
テンション装置（ＥＸＴ）と，加熱処理を行う２個のプ
リベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び２個のポスト
ベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）とが８段に重ねられて
いる。第４の処理装置群Ｇ4では，冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ）と，エクステンション冷却処理装置（ＥＸＴＣＯ
Ｔ）と，エクステンション装置（ＥＸＴ）と，冷却処理
装置（ＣＯＬ）と，加熱処理を行う２個のプリベーキン
グ装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び２個のポストベーキング
装置（ＰＯＢＡＫＥ）とが８段に重ねられている。な
お，個々の処理装置群における装置の配置は，現像塗布
処理の目的や用途に合わせて任意に変更することが可能
である。As shown in FIG. 3, the third processing unit group G 3
Then, a cooling processing device (COL) for performing a cooling process, a hydrophobizing processing device (AD) 18 for improving the fixability between the resist and the wafer W, an alignment device (ALIM) for positioning the wafer W, and a wafer An extension device (EXT) for waiting W, two pre-baking devices (PREBAKE) and two post-baking devices (POBAKE) for performing heat treatment are stacked in eight stages. In the fourth processing unit group G 4, the cooling processing unit (CO
L) and an extension cooling processing unit (EXTCO
T), an extension device (EXT), a cooling processing device (COL), two pre-baking devices (PREBAKE) and two post-baking devices (POBAKE) for performing a heating process are stacked in eight stages. I have. The arrangement of the apparatuses in each processing apparatus group can be arbitrarily changed according to the purpose and application of the developing and coating processing.

【００２０】上記処理ステーション３に隣接した露光装
置（図示せず）との間でウェハＷを受け渡す前述したイ
ンターフェイス部４の中央部には，ウェハ搬送体２１が
設けられている。このウェハ搬送体２１は，第４の処理
装置群Ｇ4や露光装置側のウェハ受け渡し台（図示せ
ず）にウェハＷを搬送できるように構成されている。A wafer carrier 21 is provided at the center of the above-described interface section 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) adjacent to the processing station 3. The wafer transfer body 21 is configured to transfer a wafer W to a fourth processing unit group G4 or a wafer transfer table (not shown) on the exposure apparatus side.

【００２１】以上のように構成されている塗布現像処理
システム１において，図４に示すように，疎水化処理装
置１８，レジスト塗布装置１６，現像処理装置１７に対
して，ＨＭＤＳの蒸気，レジスト液，現像液をそれぞれ
供給する処理流体供給装置３０が，塗布現像処理システ
ム１の外部に設置されている。なお，図２に示すよう
に，処理流体供給装置３０を，塗布現像処理システム１
の下部の収納ボックス２５内に設置するようにしてよ
い。As shown in FIG. 4, in the coating / developing processing system 1 configured as described above, the HMDS vapor and the resist liquid are supplied to the hydrophobizing apparatus 18, the resist coating apparatus 16 and the developing apparatus 17, respectively. , A processing fluid supply device 30 for supplying a developer and a developing solution, respectively, is provided outside the coating and developing processing system 1. As shown in FIG. 2, the processing fluid supply device 30 is connected to the coating and developing processing system 1.
May be installed in the storage box 25 below the storage box.

【００２２】処理流体供給装置３０は，ＨＭＤＳを貯留
するタンク３１と，レジスト液を貯留するタンク３２
と，現像液を貯留するタンク３３とをケミカルボックス
３４に収納している。タンク３１には，キャリアガスと
して窒素ガスを供給する管路３５が接続されてバブリン
グが行われており，タンク３１は，ＨＭＤＳの蒸気を疎
水化処理装置１８に収納されたウェハＷにＨＭＤＳ供給
系３６を介して供給するようになっている。また，タン
ク３２は，レジスト液をレジスト塗布装置１６に収納さ
れたウェハＷにレジスト液供給系３７を介して供給し，
タンク３３は，現像液を現像処理装置１７に収納された
ウェハＷに現像液供給系３８を介して供給するようにな
っている。ケミカルボックス３４の壁体４０は，その内
部が中空となるように，内壁４０ａと外壁４０ｂから構
成されており，外部雰囲気とケミカルボックス３４の内
部雰囲気との断熱効果に優れた特性を示している。従っ
て，ケミカルボックス３４は，自らの内部雰囲気を外部
雰囲気の温度変化から十分に保護できる構成になってい
る。The processing fluid supply device 30 includes a tank 31 for storing HMDS and a tank 32 for storing a resist solution.
And a tank 33 for storing the developer are housed in a chemical box 34. The tank 31 is connected to a pipeline 35 for supplying a nitrogen gas as a carrier gas to perform bubbling. The tank 31 is used to supply the HMDS vapor to the wafer W stored in the hydrophobizing apparatus 18. 36. The tank 32 supplies the resist solution to the wafer W stored in the resist coating device 16 via a resist solution supply system 37.
The tank 33 supplies the developer to the wafer W stored in the developing device 17 via a developer supply system 38. The wall 40 of the chemical box 34 is composed of an inner wall 40a and an outer wall 40b so that the inside thereof is hollow, and exhibits excellent characteristics of heat insulation between the external atmosphere and the internal atmosphere of the chemical box 34. . Accordingly, the chemical box 34 is configured to sufficiently protect its own internal atmosphere from a temperature change of the external atmosphere.

【００２３】内部雰囲気の温度を調整するための温度調
整用エア４１を供給するエア供給路４２と，温度調整用
エア４１を排出するエア排出路４３とがケミカルボック
ス３４に接続されている。上記壁体４０は，ケミカルボ
ックス３４の左の側方部３４ａ，天井部３４ｂ，左の側
方部３４ｃに沿って設けられており，その内部を，温度
調整用エア４１が流通する通路４５として形成してい
る。こうして，温度調整用エア４１は，ケミカルボック
ス３４全体に流通し，局部的な温度調整をせずに，内部
雰囲気全体を均一に温度調整するようになっている。An air supply path 42 for supplying air 41 for adjusting temperature for adjusting the temperature of the internal atmosphere and an air discharge path 43 for discharging air 41 for adjusting temperature are connected to the chemical box 34. The wall body 40 is provided along the left side part 34a, the ceiling part 34b, and the left side part 34c of the chemical box 34, and the inside thereof is formed as a passage 45 through which the temperature adjusting air 41 flows. Has formed. In this manner, the temperature adjusting air 41 flows through the entire chemical box 34 and uniformly controls the temperature of the entire internal atmosphere without performing local temperature control.

【００２４】エア供給路４２とエア排出路４３との間に
は，循環回路５０が接続されている。この循環回路５０
によって，ケミカルボックス３４から排出された温度調
整用エア４１は，再びケミカルボックス３４に循環流通
するようになっている。循環回路５０の入口はエア排出
路４３に接続され，循環回路５０の途中には温度調整機
構５１が配置され，循環回路５０の出口はエア供給路４
２に接続されている。かかる構成により，温度調整用エ
ア４１の再利用を図ることができる構成になっている。A circulation circuit 50 is connected between the air supply path 42 and the air discharge path 43. This circulation circuit 50
Thereby, the temperature adjusting air 41 discharged from the chemical box 34 is circulated and circulated to the chemical box 34 again. An inlet of the circulation circuit 50 is connected to the air discharge passage 43, a temperature adjustment mechanism 51 is disposed in the middle of the circulation circuit 50, and an outlet of the circulation circuit 50 is connected to the air supply passage 4.
2 are connected. With this configuration, the temperature adjustment air 41 can be reused.

【００２５】内部雰囲気の温度を検出する温度センサ５
５が，ケミカルボックス３４の内部に設けられ，温度セ
ンサ５５は，温度データを制御部５６に送信する機能を
有している。制御部５６は，温度調整機構５１に接続さ
れており，所定の制御信号を温度調整機構５１に送信す
るようになっている。こうして，温度センサ５５によっ
て検出した内部雰囲気の温度に基づいて，ケミカルボッ
クス３４内の内部雰囲気の温度が所定の温度として２３
℃となるように，ケミカルボックス３４に供給される前
の温度調整用エア４１が，温度調整機構５２によって予
め温度調整されるようになっている。また，ＨＭＤＳの
蒸気，レジスト液，現像液を安定して保存できるよう
に，内部雰囲気の温度の許容範囲は，２３℃を基準にし
て，これら処理流体群の中で，温度が上昇すると最初に
変質する処理流体の変質の温度を上限とし，温度が低下
すると最初に変質する処理流体の変質の温度を下限とし
て設定している。Temperature sensor 5 for detecting the temperature of the internal atmosphere
5 is provided inside the chemical box 34, and the temperature sensor 55 has a function of transmitting temperature data to the control unit 56. The control unit 56 is connected to the temperature adjusting mechanism 51 and transmits a predetermined control signal to the temperature adjusting mechanism 51. Thus, based on the temperature of the internal atmosphere detected by the temperature sensor 55, the temperature of the internal atmosphere in the chemical box 34 is set to a predetermined temperature of 23.
The temperature of the temperature adjusting air 41 before being supplied to the chemical box 34 is adjusted in advance by the temperature adjusting mechanism 52 so that the temperature of the air is adjusted to ° C. In order to stably store the HMDS vapor, the resist solution and the developing solution, the allowable range of the temperature of the internal atmosphere is based on 23 ° C. The upper limit is set to the temperature of the alteration of the processing fluid that changes, and the lower limit is set to the temperature of the alteration of the processing fluid that changes first when the temperature decreases.

【００２６】その他，エア供給路４２の途中には，バル
ブ５７が介装され，このバルブ５７の開閉によって温度
調整用エア４１を補充するようになっている。また，エ
ア排出路４３の途中には，バルブ５８が介装され，この
バルブ５８の開閉によって温度調整用エア４１を外部に
排出するようになっている。In addition, a valve 57 is provided in the middle of the air supply path 42, and the temperature adjusting air 41 is replenished by opening and closing the valve 57. A valve 58 is provided in the middle of the air discharge passage 43, and the temperature adjusting air 41 is discharged to the outside by opening and closing the valve 58.

【００２７】次に，以上のように構成された処理流体供
給装置３０の作用について，塗布現像処理システム１で
行われるウェハＷの塗布現像処理に基づいて説明する。
まず，ウェハ搬送体１５によってカセットＣから取り出
されたウェハＷは，アライメント装置（ＡＬＩＭ）にお
いて位置合わせが行われる。主搬送装置２０がアライメ
ント装置からウェハＷを受け取り，疎水化処理装置（Ａ
Ｄ）１８に搬入する。そして，図４に示したように，処
理流体供給装置３０によって疎水化処理装置１８にＨＭ
ＤＳの蒸気が供給され，疎水化処理が行われる。Next, the operation of the processing fluid supply device 30 configured as described above will be described based on the coating and developing processing of the wafer W performed in the coating and developing processing system 1.
First, the wafer W taken out of the cassette C by the wafer carrier 15 is aligned in an alignment device (ALIM). The main transfer device 20 receives the wafer W from the alignment device, and performs the hydrophobic treatment device (A
D) Carry in 18. Then, as shown in FIG. 4, HM is applied to the hydrophobic treatment device 18 by the treatment fluid supply device 30.
DS vapor is supplied, and a hydrophobic treatment is performed.

【００２８】その後，第３の処理群Ｇ3又は第４の処理
群Ｇ4の冷却処理装置（ＣＯＬ）で冷却処理を行った後
に，第１の処理群Ｇ1又は第２の処理群Ｇ2のレジスト塗
布装置（ＣＯＴ）１６にウェハＷを搬入する。そして，
図４に示したように，処理流体供給装置３０によってレ
ジスト塗布装置１６にレジスト液が供給され，レジスト
塗布処理が行われる。その後，第３の処理群Ｇ3又は第
４の処理群Ｇ4のプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）で加熱処理を行った後に，ウェハＷを露光装置（図
示せず）内で露光処理する。Thereafter, after the cooling processing is performed by the cooling processing unit (COL) of the third processing group G 3 or the fourth processing group G 4 , the first processing group G 1 or the second processing group G 2 The wafer W is loaded into the resist coating device (COT) 16 of FIG. And
As shown in FIG. 4, a resist liquid is supplied to the resist coating device 16 by the processing fluid supply device 30, and a resist coating process is performed. Thereafter, the third pre-baking unit processing group G 3 or the fourth processing group G 4 (PREBAK
After performing the heat treatment in E), the wafer W is exposed in an exposure apparatus (not shown).

【００２９】露光後に，第１の処理群Ｇ1又は第２の処
理群Ｇ2の現像処理装置（ＤＥＶ）１７にウェハＷを搬
入する。そして，図４に示したように，処理流体供給装
置３０によって現像処理装置１７に現像液が供給され，
現像処理が行われる。その後，第３の処理群Ｇ3又は第
４の処理群Ｇ4のポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）で加熱処理が行われた後に，第３の処理群Ｇ3又は
第４の処理群Ｇ4の冷却処理装置で冷却処理が行われ，
一連の現像塗布処理の工程が終了する。[0029] After exposure, it carries the wafer W to the first processing group G 1 or the second developing processing unit treatment groups G 2 (DEV) 17. Then, as shown in FIG. 4, the developer is supplied to the developing device 17 by the processing fluid supply device 30, and
A development process is performed. Then, the third processing group G 3 or the fourth post-baking unit treatment groups G 4 (POBAK
After the heat treatment is performed at E), the cooling process is performed in the cooling processing unit of the third processing group G 3 or the fourth processing group G 4,
A series of development and application processing steps are completed.

【００３０】前記一連の塗布現像処理において，ウェハ
Ｗに供給されるＨＭＤＳの蒸気，レジスト液，現像液
は，その温度が厳格に設定されていなければならない
が，本実施の形態によれば，ＨＭＤＳの蒸気，レジスト
液，現像液を貯留しているタンク３１，３２，３３は，
ケミカルボックス３４に収納されており，しかもケミカ
ルボックス３４の内部雰囲気の温度は自在に調整され
る。これにより，ケミカルボックス３４の外部雰囲気の
温度が急激に変化しても，その影響によるＨＭＤＳの蒸
気，レジスト液及び現像液の変質を防止して，所定の温
度として２３℃でＨＭＤＳの蒸気，レジスト液，現像液
をウェハＷに供給することができる。従って，疎水化処
理，レジスト塗布処理及び現像処理のいずれにおいて
も，所期の処理を実現することが可能となる。In the above-described series of coating and developing processes, the temperatures of the HMDS vapor, the resist solution, and the developing solution supplied to the wafer W must be strictly set. The tanks 31, 32, and 33 storing the vapor, resist solution, and developer are
The temperature is housed in the chemical box 34 and the temperature of the atmosphere inside the chemical box 34 is freely adjusted. As a result, even if the temperature of the atmosphere outside the chemical box 34 changes suddenly, the HMDS vapor, the resist solution and the developing solution are prevented from being deteriorated due to the effect, and the HMDS vapor and the resist The liquid and the developer can be supplied to the wafer W. Therefore, the desired treatment can be realized in any of the hydrophobic treatment, the resist coating treatment, and the development treatment.

【００３１】具体的なケミカルボックス３４の内部雰囲
気を温度調整する工程を述べると，まず，エア供給路４
２によって供給された温度調整用エア４１が，通路４５
を流れ，その熱エネルギーを通路４５を介してケミカル
ボックス３４の内部雰囲気に伝達しながら，ケミカルボ
ックス３４全体に流通する。そして，以後，予め温度調
整された温度調整用エア４１が，ケミカルボックス３４
に供給される一方で，熱エネルギーを放出した温度調整
用エア４１が，エア排出路４３を通じてケミカルボック
ス３４内から排気される。こうして，処理回数を重ねて
も，ケミカルボックス３４の内部雰囲気を良好かつ均一
に温度調整することが可能となり，その内部雰囲気を２
３℃に好適に維持することができる。A specific process for adjusting the temperature of the atmosphere inside the chemical box 34 will be described.
2 is supplied to the passage 45 through the passage 45.
And the thermal energy is transmitted to the entire chemical box 34 while transferring the thermal energy to the atmosphere inside the chemical box 34 via the passage 45. Thereafter, the temperature adjusting air 41 whose temperature has been adjusted in advance is supplied to the chemical box 34.
The air for temperature adjustment 41 that has released the thermal energy is exhausted from the inside of the chemical box 34 through the air discharge path 43. In this way, even if the number of times of processing is increased, the temperature inside the chemical box 34 can be adjusted satisfactorily and uniformly.
It can be suitably maintained at 3 ° C.

【００３２】ケミカルボックス３４から排気された温度
調整用エア４１は，循環回路５０に流入し温度調整され
る。この場合，制御部５６が，温度センサ５５からの温
度データに基づいて，所定の制御信号を温度調整機構５
１に送信する。温度調整機構５１は，供給されるべき温
度調整用エア４１を，ケミカルボックス３４の内部雰囲
気の温度が２３℃になるのに最適な温度に，僅かな熱エ
ネルギーで温度調整する。そして，このような温度調整
用エア４１がケミカルボックス３４に循環供給されるこ
とになる。こうして，良好な温度調整を自動的に行うこ
とができ，しかも，省エネルギーで温度調整用エア４１
の再利用を図ることができる。The temperature adjusting air 41 exhausted from the chemical box 34 flows into the circulation circuit 50 and is adjusted in temperature. In this case, the control unit 56 sends a predetermined control signal based on the temperature data from the temperature sensor 55 to the temperature adjustment mechanism 5.
Send to 1. The temperature adjusting mechanism 51 adjusts the temperature of the temperature adjusting air 41 to be supplied to a temperature optimum for the internal atmosphere of the chemical box 34 to be 23 ° C. with a small amount of heat energy. Then, such temperature adjusting air 41 is circulated and supplied to the chemical box 34. In this way, good temperature adjustment can be performed automatically, and energy-saving and temperature-regulating air 41 can be saved.
Can be reused.

【００３３】ケミカルボックス３４の内部雰囲気の最高
温度については，複数のタンク３１，３２，３３をケミ
カルボックス３４に収納する場合，ＨＭＤＳの蒸気，レ
ジスト液，現像液の中で，２３℃から温度上昇すると最
初に変質する処理流体の変質の温度を上限とする。そし
て，この上限温度を越えないように内部雰囲気の温度上
昇を抑える。これにより，温度上昇に起因する処理流体
群の変質を，一律に防止することができる。一方，２３
℃から温度低下すると最初に変質する処理流体の変質の
温度を下限とする。そして，この下限温度にまで下がら
ないように内部雰囲気の温度低下を抑える。例えば，Ｈ
ＭＤＳの蒸気では，２３℃から４℃下がると結露してし
まうが，内部雰囲気の温度低下の範囲を少なくとも４℃
未満に押さえて，ＨＭＤＳの蒸気の結露を防ぎ，ＨＭＤ
Ｓの蒸気中のＨＭＤＳ濃度等を所定の設定値に維持する
のがよい。このように，温度低下に起因する処理流体群
の変質を，一律に防止することができる。The maximum temperature of the atmosphere inside the chemical box 34 is raised from 23 ° C. in the HMDS vapor, the resist solution, and the developing solution when a plurality of tanks 31, 32, 33 are housed in the chemical box 34. Then, the upper limit is set to the temperature of the alteration of the processing fluid which alters first. Then, the temperature rise of the internal atmosphere is suppressed so as not to exceed the upper limit temperature. Thereby, the deterioration of the processing fluid group due to the temperature rise can be uniformly prevented. On the other hand, 23
The lower limit is the temperature of the alteration of the processing fluid that first alters when the temperature drops from ℃. Then, the temperature drop of the internal atmosphere is suppressed so as not to drop to the lower limit temperature. For example, H
In the case of MDS vapor, dew condensation occurs when the temperature falls from 23 ° C to 4 ° C.
To prevent condensation of HMDS vapor,
It is preferable to maintain the HMDS concentration in the steam of S at a predetermined set value. In this way, the deterioration of the processing fluid group due to the temperature drop can be uniformly prevented.

【００３４】第２の実施の形態として，ケミカルボック
スの内部雰囲気に温度調整用エアを直接供給するように
してもよい。図５に示すように，ケミカルボックス６０
の壁体６１は，内部が中空には形成されておらず単体の
壁から構成されている。ケミカルボックス６０を挟んで
エア供給路４２の反対側には，ケミカルボックス６０の
内部雰囲気を排出する内部雰囲気排出路６２が接続され
ている。なお，壁体６１及び内部雰囲気排出路６２の構
造以外は，先に説明したケミカルボックス３４と同一の
構成であるので，同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付することにより，重複説明を
省略する。As a second embodiment, air for temperature adjustment may be directly supplied to the atmosphere inside the chemical box. As shown in FIG. 5, the chemical box 60
The wall body 61 is not formed as a hollow inside but is constituted by a single wall. An internal atmosphere discharge path 62 for discharging the internal atmosphere of the chemical box 60 is connected to the opposite side of the air supply path 42 across the chemical box 60. Since the structure is the same as that of the above-described chemical box 34 except for the structures of the wall 61 and the internal atmosphere discharge passage 62, components having the same functions and structures are denoted by the same reference numerals. , Duplicate explanation is omitted.

【００３５】かかる構成によれば，エア供給路４２によ
って供給された温度調整用エア４１が，ケミカルボック
ス６０全体に均一に拡散する。この場合，温度調整用エ
ア４１は，その熱エネルギーを直接にケミカルボックス
６０に伝達するので，先に説明したケミカルボックス４
０と同様に，ケミカルボックス６０の内部雰囲気を良好
かつ均一に温度調整すること等が可能になる。According to this configuration, the temperature adjusting air 41 supplied by the air supply passage 42 is uniformly diffused throughout the chemical box 60. In this case, since the temperature adjusting air 41 directly transmits the heat energy to the chemical box 60, the chemical box 4 described above is used.
As in the case of 0, it is possible to adjust the temperature inside the chemical box 60 satisfactorily and uniformly.

【００３６】なお，上記第２の実施の形態では，単体の
壁体６１の場合について説明したが，図６に示すよう
に，ケミカルボックス６５の壁体６６が，内壁６６ａと
外壁６６ｂから構成されていてもよい。かかる構成によ
れば，壁体６６の内部が中空に形成されているので，断
熱性が向上する。従って，ケミカルボックス６５の内部
雰囲気を外部雰囲気から効果的に遮断することができ，
ケミカルボックス６５の内部雰囲気は２３℃に維持され
易くなる。In the second embodiment, the case of a single wall 61 has been described. As shown in FIG. 6, the wall 66 of the chemical box 65 is composed of an inner wall 66a and an outer wall 66b. May be. According to such a configuration, since the inside of the wall body 66 is formed hollow, the heat insulating property is improved. Therefore, the internal atmosphere of the chemical box 65 can be effectively shielded from the external atmosphere.
The internal atmosphere of the chemical box 65 is easily maintained at 23 ° C.

【００３７】また，本発明は，レジスト液等の処理液を
貯留するタンク３１，３２，３３をケミカルボックス３
４に収納する場合に限らず，処理ガスを貯留するタンク
にも適用することができる。図７に示すように，例えば
ウェハの表面に対してエッチング処理を行うプラズマ処
理装置に対して処理流体供給装置３０を用いる。ケミカ
ルボックス３４内には，例えば，処理ガスとしてＣＦ4
を貯留したタンク７０と，Ｃｌ2を貯留したタンク７１
と，Ｎ2を貯留したタンク７２とが収納されている。タ
ンク７０に接続されたＣＦ4供給系７３と，タンク７１
に接続されたＣｌ2供給系７４と，タンク７２に接続さ
れたＮ2供給系７５とは処理ガス供給系７６に合流し
て，プラズマ処理装置７７に通じている。これらＣＦ4
供給系，Ｃｌ2供給系，Ｎ2供給系の途中にはいずれも図
示しないマスフローコントローラとバルブが設けられて
おり，ＣＦ4，Ｃｌ2，Ｎ2が所定の混合比で混合された
エッチングガスをプラズマ処理装置７７に供給できるよ
うになっている。かかる構成においても，温度調整用エ
ア４１をケミカルボックス３４に循環させて，タンク７
０，７１，７２を所定の温度で保存できる。従って，外
部雰囲気の温度が急激に変化しても，ＣＦ4，Ｃｌ2，Ｎ
2といった処理ガスは，その温度変化の影響を受けない
ので変質することがない。従って，所期のエッチング処
理を実現することができる。Further, according to the present invention, the tanks 31, 32, and 33 for storing a processing liquid such as a resist liquid are
4, the present invention can be applied to a tank for storing a processing gas. As shown in FIG. 7, for example, a processing fluid supply device 30 is used for a plasma processing device that performs an etching process on the surface of a wafer. In the chemical box 34, for example, CF 4 is used as a processing gas.
Tank 70 storing Cl 2 and tank 71 storing Cl 2.
And a tank 72 storing N 2 . A CF 4 supply system 73 connected to the tank 70 and a tank 71
The N 2 supply system 74 connected to the tank 72 and the N 2 supply system 75 connected to the tank 72 join the processing gas supply system 76 and communicate with the plasma processing apparatus 77. These CF 4
A mass flow controller and a valve (not shown) are provided in the supply system, the Cl 2 supply system, and the N 2 supply system, and the etching gas in which CF 4 , Cl 2 , and N 2 are mixed at a predetermined mixing ratio is provided. It can be supplied to the plasma processing apparatus 77. Also in such a configuration, the temperature adjusting air 41 is circulated through the
0, 71, 72 can be stored at a predetermined temperature. Therefore, even if the temperature of the external atmosphere changes rapidly, CF 4 , Cl 2 , N
The processing gas such as 2 is not affected by the temperature change, and therefore does not deteriorate. Therefore, a desired etching process can be realized.

【００３８】本発明は，これらの実施の形態に限定され
るものではなく，例えば，基板は上記ウェハＷに限られ
ず，ＬＣＤ基板，ガラス基板，ＣＤ基板，フォトマス
ク，プリント基板，セラミック基板等でも可能である。The present invention is not limited to these embodiments. For example, the substrate is not limited to the wafer W, but may be an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like. It is possible.

【００３９】[0039]

【発明の効果】請求項１の発明によれば，処理流体を貯
留したタンクを収納手段に収納し，この収納手段の内部
雰囲気を自在に調整する構成なので，外乱の影響による
変質を防止し，所定の温度で処理流体を基板に供給する
ことが可能になる。従って，各種の処理の際には，所期
の処理を実現することが可能になる。According to the first aspect of the invention, since the tank storing the processing fluid is stored in the storage means and the internal atmosphere of the storage means is freely adjusted, deterioration due to the influence of disturbance is prevented. A processing fluid can be supplied to the substrate at a predetermined temperature. Therefore, when performing various types of processing, desired processing can be realized.

【００４０】特に請求項２及び請求項３の発明によれ
ば，温度調整用流体と収納手段の内部雰囲気との間で熱
交換される構成であり，請求項４の発明によれば，温度
調整用気体を収納手段全体に拡散させる構成なので，収
納手段の内部雰囲気に対して良好な温度調整や均一な温
度調整を行うことが可能になる。According to the second and third aspects of the present invention, heat is exchanged between the temperature adjusting fluid and the internal atmosphere of the storage means. Since the configuration is such that the working gas is diffused throughout the storage means, favorable temperature adjustment and uniform temperature adjustment can be performed on the internal atmosphere of the storage means.

【００４１】請求項５の発明によれば，壁体の断熱性が
向上するので，収納手段の内部雰囲気を外部雰囲気から
効果的に保護することができ，しかも，請求項３に記載
の通路を，好適に実現することができる。請求項６の発
明によれば，省エネルギーで温度調整用流体の再利用を
図ることができ，請求項７の発明によれば，良好な温度
調整が自動的に行える。According to the fifth aspect of the present invention, since the heat insulating property of the wall is improved, the internal atmosphere of the storage means can be effectively protected from the external atmosphere. , Can be suitably realized. According to the invention of claim 6, it is possible to reuse the temperature adjusting fluid with energy saving, and according to the invention of claim 7, good temperature adjustment can be automatically performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本実施の形態にかかる処理流体供給装置を備え
た現像塗布処理システムの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a developing / coating processing system including a processing fluid supply device according to an embodiment.

【図２】図１の現像塗布処理システムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the developing / coating processing system of FIG. 1;

【図３】図１の現像塗布処理システムの背面図である。FIG. 3 is a rear view of the developing / coating processing system of FIG. 1;

【図４】処理流体供給装置にかかる回路系統の説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram of a circuit system according to a processing fluid supply device.

【図５】第２の実施の形態における処理流体供給装置に
かかる回路系統の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a circuit system according to a processing fluid supply device according to a second embodiment.

【図６】壁体が中空に形成されたケミカルボックスを有
した処理流体供給装置の要部拡大説明図である。FIG. 6 is an enlarged explanatory view of a main part of a processing fluid supply device having a chemical box in which a wall is formed in a hollow shape.

【図７】プラズマ処理装置に対して処理流体供給装置を
用いた場合の回路系統の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a circuit system when a processing fluid supply device is used for a plasma processing device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 塗布現像処理システム １６ レジスト塗布装置 １７ 現像処理装置 １８ 疎水化処理装置 ３０ 処理流体処理装置 ３１，３２，３３ タンク ３４ ケミカルボックス ３６ ＨＭＤＳ供給系 ３７ レジスト供給系 ３８ 現像液供給系 ４０ 壁体 ４１ 温度調整エア ４２ エア供給路 ４３ エア排出路 ４５ 通路 ５０ 循環回路 ５１ 温度調整機構 ５５ 温度センサ Ｗ ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing processing system 16 resist coating apparatus 17 developing processing apparatus 18 hydrophobizing processing apparatus 30 processing fluid processing apparatus 31, 32, 33 tank 34 chemical box 36 HMDS supply system 37 resist supply system 38 developer supply system 40 wall 41 temperature Adjustment air 42 Air supply path 43 Air discharge path 45 Passage 50 Circulation circuit 51 Temperature adjustment mechanism 55 Temperature sensor W Wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 AB17 EA01 EA04 FA15 2H096 AA00 AA25 AA27 CA01 CA12 GA02 GA21 4G068 AA02 AB15 AC05 AD39 AD40 AF31 AF40 5F046 HA02 JA01 JA24 LA03 LA13 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H025 AA00 AB16 AB17 EA01 EA04 FA15 2H096 AA00 AA25 AA27 CA01 CA12 GA02 GA21 4G068 AA02 AB15 AC05 AD39 AD40 AF31 AF40 5F046 HA02 JA01 JA24 LA03 LA13

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 タンクに貯留された処理流体を，処理装
置に収納された基板に処理流体供給系を介して供給する
ように構成された処理流体供給装置において，前記タン
クを収納する収納手段を設け，前記収納手段は，内部雰
囲気の温度を自在に調整できる構成であることを特徴と
する，処理流体供給装置。In a processing fluid supply device configured to supply a processing fluid stored in a tank to a substrate stored in a processing device via a processing fluid supply system, a storage unit that stores the tank is provided. The processing fluid supply device, wherein the storage means is provided so that the temperature of the internal atmosphere can be freely adjusted. 【請求項２】 内部雰囲気の温度を調整するための温度
調整用流体を供給する流体供給路と，前記温度調整用流
体を排出する流体排出路とが前記収納手段に設けられ，
前記流体供給路と前記流体排出路とを結ぶ通路が，前記
収納手段の内部に又は前記収納手段に接して形成されて
いることを特徴とする，請求項１に記載の処理流体供給
装置。2. A storage device comprising: a fluid supply path for supplying a temperature adjusting fluid for adjusting the temperature of an internal atmosphere; and a fluid discharge path for discharging the temperature adjusting fluid.
2. The processing fluid supply device according to claim 1, wherein a passage connecting the fluid supply passage and the fluid discharge passage is formed inside the storage means or in contact with the storage means. 【請求項３】 内部雰囲気の温度を調整するための温度
調整用流体を供給する流体供給路と，前記温度調整用流
体を排出する流体排出路とが前記収納手段に接続され，
前記温度調整用流体が流通する通路が前記収納手段を構
成する壁体の内部に形成されていることを特徴とする，
請求項１に記載の処理流体供給装置。3. A fluid supply path for supplying a temperature adjusting fluid for adjusting the temperature of the internal atmosphere and a fluid discharge path for discharging the temperature adjusting fluid are connected to the storage means.
A passage through which the temperature adjusting fluid flows is formed inside a wall constituting the storage means;
The processing fluid supply device according to claim 1. 【請求項４】 内部雰囲気の温度を調整するための温度
調整用気体を供給する気体供給路と，前記収納手段の内
部雰囲気を排出する内部雰囲気排出路を前記収納手段に
接続したことを特徴とする，請求項１に記載の処理流体
供給装置。4. A gas supply path for supplying a temperature adjusting gas for adjusting the temperature of the internal atmosphere, and an internal atmosphere discharge path for discharging the internal atmosphere of the storage means are connected to the storage means. The processing fluid supply device according to claim 1, wherein 【請求項５】 前記収納手段を構成する壁体の内部が中
空となるように，該壁体が外壁と内壁とから構成される
ことを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の処理流
体供給装置。5. The wall according to claim 1, wherein said wall comprises an outer wall and an inner wall so that the inside of said wall constituting said storage means is hollow. Processing fluid supply device. 【請求項６】 前記収納手段から排出された処理流体を
再び前記収納手段に循環流通させる循環回路を前記流体
供給路に接続したことを特徴とする，請求項１，２，
３，４又は５に記載の処理流体供給装置。6. A fluid supply path, wherein a circulation circuit for circulating the processing fluid discharged from the storage means to the storage means again is connected to the fluid supply path.
6. The processing fluid supply device according to 3, 4, or 5. 【請求項７】 前記内部雰囲気の温度を検出する温度セ
ンサを前記収納手段に設け，この温度センサによって検
出した前記内部雰囲気の温度に基づいて，温度調整用流
体の温度を調整する温度調整機構を設けたことを特徴と
する，請求項１，２，３，４，５又は６に記載の処理流
体供給装置。7. A temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the temperature adjusting fluid based on the temperature of the internal atmosphere detected by the temperature sensor for detecting the temperature of the internal atmosphere in the housing means. 7. The processing fluid supply device according to claim 1, wherein the processing fluid supply device is provided.
JP10194961A 1998-06-25 1998-06-25 Treating fluid feeding device Withdrawn JP2000005589A (en)

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