JP2000003953A - Electrostatic chuck - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣやＬＣＤな
ど高精度の製造工程における基板処理に好適な静電チャ
ックに関し、詳しくは、真空チャンバ内で発熱を伴う又
は加熱を要するような処理を施す際に処理対象基板を放
熱等の熱伝達可能な状態で保持する静電チャックに関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck suitable for processing a substrate in a high-precision manufacturing process such as an IC or an LCD, and more particularly, to performing a process which generates heat or requires heating in a vacuum chamber. In this case, the present invention relates to an electrostatic chuck that holds a substrate to be processed in a state where heat transfer such as heat radiation can be performed.
【０００２】[0002]
【背景の技術】真空チャンバ内で発熱を伴う処理を施す
ものとしては、エッチングやアッシング等のプラズマ処
理が挙げられ、加熱を要するものとしてはプラズマＣＶ
Ｄ等の成膜処理が挙げられる。そして、これらの処理に
用いられるプラズマ処理装置の例としては、対向電極と
なる一対の平行平板を設けておいてこれらの平行平板間
にプラズマ処理空間を形成してシリコンウエハ等の基板
を対象にエッチング処理を行ういわゆる平行平板形エッ
チャー（ＲＩＥ）や成膜処理を行う平行平板形ＰＣＶＤ
等が知られている。2. Description of the Related Art Plasma treatments such as etching and ashing can be given as processes that generate heat in a vacuum chamber, and plasma CVs need to be heated.
D and the like. As an example of a plasma processing apparatus used for these processes, a pair of parallel flat plates serving as counter electrodes are provided, and a plasma processing space is formed between these parallel flat plates to target a substrate such as a silicon wafer. A so-called parallel plate type etcher (RIE) for performing an etching process or a parallel plate type PCVD for performing a film forming process
Etc. are known.
【０００３】図２（ａ）に縦断面構造図を示したが、平
行平板形のプラズマ処理装置は、一対の平行平板が真空
チャンバ内に設けられていて、両平板間に形成されたプ
ラズマ処理空間にプラズマを発生させ又は導入するとと
もにそのプラズマ処理空間内に所定の処理ガス等も導入
する。そして、プラズマ処理空間にてプラズマ反応を行
わせ、これによってプラズマ処理空間内の基板表面に対
してエッチング処理等を施すようになっている。FIG. 2 (a) is a longitudinal sectional view showing a structure of a parallel plate type plasma processing apparatus in which a pair of parallel flat plates is provided in a vacuum chamber and a plasma processing apparatus formed between the two flat plates. Plasma is generated or introduced into the space, and a predetermined processing gas or the like is also introduced into the plasma processing space. Then, a plasma reaction is performed in the plasma processing space, whereby an etching process or the like is performed on the substrate surface in the plasma processing space.
【０００４】エッチャーを例に詳述すると、この装置
は、真空チャンバ本体部２の上に真空チャンバ蓋部３が
開閉可能に取着された真空チャンバを備えており、プラ
ズマ処理の対象物である基板１が平板状をしていること
から、水平に置かれたカソード部１２が真空チャンバ本
体部２内のほぼ中央に設けられ、このカソード部１２の
上面が平坦に形成されていて、基板１を乗載しておくこ
とが可能なようになっている。真空チャンバ本体部２の
内底中央には筒状のローアーサポート１２ａが貫通して
立設されており、カソード部１２はこのローアーサポー
ト１２ａの上端に固着して支持されており、これらによ
って構成された基板支持体は、真空チャンバ内に植設さ
れ上面が基板乗載可能に形成されたものとなっている。In detail, taking an etcher as an example, this apparatus includes a vacuum chamber in which a vacuum chamber lid 3 is openably and closably mounted on a vacuum chamber main body 2 and is an object of plasma processing. Since the substrate 1 has a flat plate shape, a horizontally placed cathode portion 12 is provided substantially at the center in the vacuum chamber main body portion 2, and the upper surface of the cathode portion 12 is formed to be flat. Can be loaded. A cylindrical lower support 12a penetrates and stands at the center of the inner bottom of the vacuum chamber main body 2, and the cathode portion 12 is fixedly supported on the upper end of the lower support 12a, and is constituted by these components. The substrate support is implanted in a vacuum chamber and has an upper surface formed so that the substrate can be mounted thereon.
【０００５】真空チャンバ蓋部３内のほぼ中央であって
カソード部１２の上方にはアノード部１１が筒状のアッ
パーサポート１１ａによって真空チャンバ蓋部３に垂設
されており、アノード部１１とカソード部１２とを互い
に対向した電極としてＲＦ電源３１によって高周波が印
加されると所定の真空圧の下でアノード部１１とカソー
ド部１２との間にプラズマが発生する。そこに、所定の
処理ガスが供給されるとカソード部１２上面に載置され
た基板１にガス状態等に応じたプラズマ処理がなされ
る。これにより、アノード部１１の下面とカソード部１
２の上面との間にプラズマ処理空間１３が形成され、そ
こに置かれた基板１の表面に対してプラズマ処理が施さ
れるようになっている。An anode 11 is suspended from the vacuum chamber lid 3 by a cylindrical upper support 11a substantially at the center of the vacuum chamber lid 3 and above the cathode section 12. When a high frequency is applied by the RF power supply 31 with the part 12 facing the electrodes, plasma is generated between the anode part 11 and the cathode part 12 under a predetermined vacuum pressure. When a predetermined processing gas is supplied thereto, plasma processing is performed on the substrate 1 mounted on the upper surface of the cathode section 12 according to the gas state and the like. Thereby, the lower surface of the anode section 11 and the cathode section 1
A plasma processing space 13 is formed between the substrate 1 and the upper surface of the substrate 2, and the surface of the substrate 1 placed therein is subjected to plasma processing.
【０００６】真空チャンバ本体部２には真空チャンバ内
ガスを吸い出して適度な真空度を保つために内外貫通し
た吸引口２ａが加工形成され、この吸引口２ａに対し順
にゲートバルブ４ａ、可変バルブ４、真空ポンプ５が連
結されている。ゲートバルブ４ａは保守時等に仕切るた
めの手動弁であり通常動作時には開状態にされる。これ
とターボポンプ等の真空ポンプ５とに介挿された可変バ
ルブ４は、バルブ開度を可変駆動するモータ等が付設さ
れていてこれを電気信号で制御することで遠隔制御可能
な通過流体の可変絞りとして機能する。そして、図示し
ない適宜のＰＩＤ制御回路等の制御に従って可変バルブ
４による絞り量が可変駆動されることで、真空チャンバ
内の真空圧がプラズマ処理に適した設定圧力になるよう
に自動制御される。The vacuum chamber body 2 is formed with a suction port 2a which penetrates the inside and outside of the vacuum chamber in order to suck out gas in the vacuum chamber and maintain an appropriate degree of vacuum. , A vacuum pump 5. The gate valve 4a is a manual valve for partitioning during maintenance or the like, and is opened during normal operation. The variable valve 4 interposed between the valve and a vacuum pump 5 such as a turbo pump is provided with a motor or the like for variably driving the valve opening, and by controlling this with an electric signal, the passing fluid which can be remotely controlled is controlled. Functions as a variable aperture. Then, the throttle amount is variably driven by the variable valve 4 under the control of an appropriate PID control circuit or the like (not shown), so that the vacuum pressure in the vacuum chamber is automatically controlled to a set pressure suitable for plasma processing.
【０００７】このような処理に際しては、均一な処理結
果を得るために、プラズマ処理空間１３の真空圧だけで
なく、基板１の温度も適宜の設定温度に維持する必要が
ある。しかも、基板１全体の温度をできるだけ均一な分
布状態に保つ必要がある。ところが、真空状態の下で
は、気体を媒介とした対流等による熱伝達がほとんど行
われない。しかも、微視的にみると、基板１とカソード
部１２との真実接触面積が少ないばかりか、接触部はラ
ンダムに点在している。このため、直接的な熱伝導と僅
かな輻射に頼っていたのでは、放熱量等が不足するう
え、熱分布も不均一となってしまう。In such processing, in order to obtain a uniform processing result, it is necessary to maintain not only the vacuum pressure in the plasma processing space 13 but also the temperature of the substrate 1 at an appropriate set temperature. Moreover, it is necessary to keep the temperature of the entire substrate 1 as uniform as possible. However, under a vacuum condition, heat transfer by gas-mediated convection or the like is hardly performed. Moreover, microscopically, not only is the true contact area between the substrate 1 and the cathode portion 12 small, but also the contact portions are randomly scattered. For this reason, if direct heat conduction and slight radiation are relied on, the amount of heat dissipated is insufficient, and the heat distribution becomes non-uniform.
【０００８】そこで、真空チャンバ内のプラズマ処理空
間等に設置される処理対象基板乗載用電極の基板乗載面
に、すなわち図２の例で言えばカソード部１２の上面
に、基板１をカソード部１２側へ静電力によって引きつ
ける静電チャック５０が、薄く広がった膜状に設けられ
るとともに（図２（ｂ）参照）、この静電チャック５０
とその上の基板１との間にヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガ
ス（伝熱用ガス）が供給されるようになっている。Therefore, the substrate 1 is placed on the substrate mounting surface of an electrode for mounting a substrate to be processed, which is installed in a plasma processing space or the like in a vacuum chamber, that is, on the upper surface of the cathode section 12 in the example of FIG. An electrostatic chuck 50 that is attracted toward the portion 12 by electrostatic force is provided in a thin and spread film shape (see FIG. 2B), and the electrostatic chuck 50 is also provided.
A cooling gas (heat transfer gas) such as helium (He) is supplied between the substrate and the substrate 1 thereon.
【０００９】その冷却ガス供給手段は、真空チャンバ本
体部２の外部から送り込んだ冷却ガスが静電チャック５
０側から基板１の下面・裏面へ向けて吹き出すように、
ローアーサポート１２ａの内腔を通ってカソード部１２
内へ延びた又は連通した冷却ガス送給管４１と、基板乗
載面に対応した広がりを持ってカソード部１２内に形成
された冷却ガス送給腔４２と、静電チャック５０を貫い
て冷却ガス送給腔４２に届くように穿孔され而も多数穿
孔されてカソード部１２上面に点在・散在する冷却ガス
送給孔４３とを具える。これにより、静電チャック５０
は、冷却ガス供給孔４３の形成された電極１２の基板乗
載面（上面）に設けられたものとなっている。The cooling gas supply means uses a cooling gas supplied from the outside of the vacuum chamber main body 2 to supply the cooling gas to the electrostatic chuck 5.
So that it blows out from the 0 side toward the bottom and back of the substrate 1
The cathode portion 12 passes through the lumen of the lower support 12a.
A cooling gas supply pipe 41 extending into or communicating with the inside, a cooling gas supply cavity 42 formed in the cathode portion 12 with a width corresponding to the substrate mounting surface, and cooling through the electrostatic chuck 50. A plurality of cooling gas supply holes 43 are provided so as to reach the gas supply cavity 42 and are also provided with a large number of holes, and are scattered and scattered on the upper surface of the cathode portion 12. Thereby, the electrostatic chuck 50
Are provided on the substrate mounting surface (upper surface) of the electrode 12 in which the cooling gas supply holes 43 are formed.
【従来の技術】このような従来の静電チャック５０は、
図３（ａ）に平面図を示したが、多数の冷却ガス送給孔
４３のうち最外周のもの同士を連ねるように溝５１が形
成されている。溝５１は、幾つかの円弧部分に分割・分
離して設けられ、全体でほぼ一周分をカバーするように
なっている。図３（ｂ）に、溝５１のうち冷却ガス送給
孔４３の穿孔された部分について縦断面拡大模式図を示
したが、静電チャック５０は、静電気を帯びさせるため
の導電層と、その静電気を逃がさないようにするために
その導電層を上下両側から挟む一対の絶縁層とを有して
いる。2. Description of the Related Art Such a conventional electrostatic chuck 50 has the following features.
FIG. 3A shows a plan view, in which a groove 51 is formed so as to connect the outermost ones of a number of cooling gas supply holes 43. The groove 51 is divided and divided into several arc portions, and covers almost one whole as a whole. FIG. 3B is an enlarged schematic longitudinal sectional view of a portion of the groove 51 where the cooling gas supply hole 43 is perforated. The electrostatic chuck 50 includes a conductive layer for imparting static electricity, It has a pair of insulating layers sandwiching the conductive layer from both upper and lower sides to prevent static electricity from being released.
【００１０】このような静電チャック５０は、一般に次
のようにして作られる。先ず、銅箔等の導電層５５の上
面に対してポリイミドフィルム等の絶縁性樹脂シートか
らなる上部絶縁層５７を接着層５６にて貼り付けるとと
もに、その導電層５５の下面に対してもやはりポリイミ
ドフィルム等の絶縁性樹脂シートからなる下部絶縁層５
３を接着層５４にて貼り付けて、一枚の絶縁シートを形
成しておく。次に、プレス等によって、溝５１のところ
を打ち抜く。それから、溝５１と冷却ガス送給孔４３と
の相対位置を整合させながら、接着層５２にてカソード
部１２の上面に貼り付ける。こうして、幅Ｗが１〜２ｍ
ｍで深さＤが１５０μｍ程度の溝５１を持つ静電チャッ
ク５０ができあがる。[0010] Such an electrostatic chuck 50 is generally manufactured as follows. First, an upper insulating layer 57 made of an insulating resin sheet such as a polyimide film is attached to an upper surface of a conductive layer 55 such as a copper foil with an adhesive layer 56, and a polyimide is also applied to the lower surface of the conductive layer 55. Lower insulating layer 5 made of an insulating resin sheet such as a film
3 is pasted on the adhesive layer 54 to form one insulating sheet. Next, the groove 51 is punched out by a press or the like. Then, the adhesive layer 52 is attached to the upper surface of the cathode section 12 while aligning the relative positions of the groove 51 and the cooling gas supply hole 43. Thus, the width W is 1-2 m
Thus, an electrostatic chuck 50 having a groove 51 having a depth D of about 150 μm is obtained.
【００１１】このような構造の静電チャック５０を持っ
たカソード部１２の上に基板１が乗せられると、導電層
５５に帯電させることで或いはプラズマ処理に伴う帯電
が基板１に生じることで、基板１は静電チャック５０を
介してカソード部１２の上面に付勢力を伴って保持され
る。そして、冷却ガス送給管４１に冷却ガスを送り込む
と、その冷却ガスは、冷却ガス送給腔４２及び多数の冷
却ガス送給孔４３を介して基板１の下側へ供給される。When the substrate 1 is placed on the cathode portion 12 having the electrostatic chuck 50 having such a structure, the substrate 1 is charged by charging the conductive layer 55 or by charging due to the plasma processing. The substrate 1 is held with an urging force on the upper surface of the cathode section 12 via the electrostatic chuck 50. Then, when the cooling gas is fed into the cooling gas supply pipe 41, the cooling gas is supplied to the lower side of the substrate 1 through the cooling gas supply cavity 42 and a number of cooling gas supply holes 43.
【００１２】こうして、真空雰囲気中であっても、カソ
ード部１２上面における静電チャック５０の上に基板１
が保持されるととも、基板１の裏面・下面と静電チャッ
ク５０との隙間に冷却ガスが充填される。この冷却ガス
は、その隙間内で外向き半径方向へ広がり、基板１の最
外周直下のところからプラズマ処理空間１３へ放出され
るので、真空状態に影響しないよう、少量だけ供給され
る。Thus, even in a vacuum atmosphere, the substrate 1 is placed on the electrostatic chuck 50 on the upper surface of the cathode section 12.
Is held, the gap between the back and bottom surfaces of the substrate 1 and the electrostatic chuck 50 is filled with the cooling gas. The cooling gas spreads outward in the gap in the radial direction, and is discharged into the plasma processing space 13 from immediately below the outermost periphery of the substrate 1. Therefore, the cooling gas is supplied in a small amount so as not to affect the vacuum state.
【００１３】そのような流れに際して、冷却ガスは、溝
５１のところで同一の圧力にされ、基板１及び静電チャ
ック５０間に広がる隙間において、ほぼ均一に分布する
こととなる。そして、この冷却ガスを媒体として、基板
１の裏面ほぼ全域に亘って、基板１とカソード部１２と
の熱伝達が行われる。In such a flow, the cooling gas is made to have the same pressure at the groove 51, and is distributed almost uniformly in a gap extending between the substrate 1 and the electrostatic chuck 50. Then, using the cooling gas as a medium, heat transfer between the substrate 1 and the cathode portion 12 is performed over substantially the entire back surface of the substrate 1.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の静電チャックでは、静電チャックにおける上
部絶縁層に用いられる樹脂シートにボイドや傷等がある
と、そこを起点に絶縁破壊が発生し易く、しかも一旦生
じた絶縁破壊はたちまち広がって、使用に耐えない状態
に至ってしまうことがある。かかるボイドや傷を持った
シートは使用されないが検査で微小なものまで見つけだ
すことは難しいうえ、絶縁特性に優れているシートは傷
つきやすくて取り扱いが困難であった。そこで、ボイド
や傷が全く無い完全無欠な静電チャックを望むのは無理
としても、ボイドや傷等の欠損が例え有ったとしても、
絶縁破壊が起こり難いような静電チャックを案出するこ
とが課題となる。However, in such a conventional electrostatic chuck, if a resin sheet used for an upper insulating layer in the electrostatic chuck has a void or a flaw, dielectric breakdown occurs from that point. In addition, once the dielectric breakdown has occurred, it can spread quickly, leading to an unusable state. Sheets having such voids and scratches are not used, but it is difficult to find even minute ones by inspection, and sheets having excellent insulating properties are easily damaged and difficult to handle. Therefore, even if it is impossible to desire a perfect electrostatic chuck without any voids or scratches, even if there are defects such as voids or scratches,
The challenge is to devise an electrostatic chuck in which dielectric breakdown is unlikely to occur.
【００１５】また、上述のような従来の静電チャックで
は、冷却ガス等の伝熱用ガスの充填状態の均一化のため
に溝が打ち抜き形成されているが、この溝の深さは溝の
無いところの間隙に比べれば大きすぎることから、溝の
ところでは、伝熱用ガスによる熱伝導が悪くなるので、
基板の熱分布の均一性・一様性が損なわれていた。しか
も、溝底には、良電導体である電極面が露出しているた
め、溝内で異常放電が発生したり、バイアス電圧にばら
つきが生じたり、プラズマ処理等に用いる反応性ガスの
種類によっては電極面が腐食するといった問題もあっ
た。そこで、溝深さが従来より浅くなり且つ電極面が露
出しないような溝を如何にして形成するかが、課題とな
る。Further, in the conventional electrostatic chuck as described above, a groove is formed by punching in order to make the filling state of the heat transfer gas such as the cooling gas uniform, but the depth of the groove is determined by the depth of the groove. Since it is too large compared to the gap where there is no, at the groove, the heat conduction by the heat transfer gas deteriorates,
The uniformity and uniformity of the heat distribution of the substrate were impaired. In addition, since the electrode surface, which is a good conductor, is exposed at the bottom of the groove, abnormal discharge occurs in the groove, the bias voltage varies, and the type of reactive gas used for plasma processing or the like varies. There was also a problem that the electrode surface was corroded. Therefore, how to form a groove in which the groove depth becomes shallower than the conventional one and the electrode surface is not exposed is an issue.
【００１６】さらに、溝が打ち抜き形成される静電チャ
ックでは、溝が完全に一周していると溝で囲まれた部分
が分離してバラバラになってしまうのを回避するため
に、溝の方を幾つかに分割して形成しなければならな
い。このため、溝の形状に関する設計自由度が制約され
ることから、電極への貼り付け等に際して取り扱い難い
ばかりか、伝熱用ガスの圧力分布の均一化についても、
例えば中心部と辺縁部とで相違しやすい等、不満があっ
た。しかも、そのような圧力分布の不均一性は、溝の深
さを従来より浅くすると、悪化しがちである。そこで、
溝の深さを従来より浅くしても、伝熱用ガス圧の均一度
を悪化させないどころか、むしろ均一度を向上させるよ
うに工夫することも、更なる課題となる。Furthermore, in the case of an electrostatic chuck in which a groove is formed by punching, in order to prevent the portion surrounded by the groove from being separated and falling apart when the groove completely rotates, Must be divided into several parts. For this reason, since the degree of freedom of design regarding the shape of the groove is restricted, not only is it difficult to handle at the time of sticking to the electrode, etc., but also about uniforming the pressure distribution of the heat transfer gas,
For example, there was dissatisfaction that the center part and the peripheral part were easily different. Moreover, such non-uniformity of the pressure distribution tends to be worsened when the depth of the groove is made shallower than in the past. Therefore,
Even if the depth of the groove is made shallower than before, not only does the uniformity of the heat transfer gas pressure not deteriorate, but also a method of improving the uniformity becomes a further problem.
【００１７】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたものであり、絶縁破壊し難い静電チャック
を実現することを目的とする。また、本発明は、溝が浅
くて被覆性も良い静電チャックを実現することも目的と
する。さらに、本発明は、溝が浅くても伝熱用ガス圧の
均一度が良い静電チャックを実現することをも目的とす
る。The present invention has been made to solve such a problem, and has as its object to realize an electrostatic chuck in which dielectric breakdown is difficult. Another object of the present invention is to realize an electrostatic chuck having a shallow groove and good coverage. Still another object of the present invention is to realize an electrostatic chuck having good uniformity of heat transfer gas pressure even if the groove is shallow.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために発明された第１乃至第３の解決手段について、
その構成および作用効果を以下に説明する。Means for Solving the Problems First to third solving means invented to solve such problems are as follows.
The configuration and operation and effect will be described below.
【００１９】［第１の解決手段］第１の解決手段の静電
チャックは（、出願当初の請求項１に記載の如く）、
（真空チャンバ内のプラズマ処理空間等の真空雰囲気中
に設置される処理対象基板乗載用）電極の基板乗載面に
設けられ、導電層およびこれを挟む絶縁層を有する静電
チャックにおいて、前記絶縁層のうち前記基板側のもの
が複数の薄膜層を含んだものである。[First Solution] The electrostatic chuck according to the first solution (as described in claim 1 at the time of filing the application)
(For mounting a substrate to be processed installed in a vacuum atmosphere such as a plasma processing space in a vacuum chamber) In an electrostatic chuck provided on a substrate mounting surface of an electrode and having a conductive layer and an insulating layer sandwiching the conductive layer, The insulating layer on the substrate side includes a plurality of thin film layers.
【００２０】このような第１の解決手段の静電チャック
にあっては、基板側の絶縁層は、それに含まれている複
数の薄膜層の何れかにボイドや傷等の欠損があっても、
それが局所的な小さいものであれば、共に積層された他
の薄膜層における同様の欠損部分と重なり合うことが滅
多に無いので、表裏を貫通するような欠損を生じること
がほとんど無い。[0020] In the electrostatic chuck according to the first solution, the insulating layer on the substrate side has a defect such as a void or a scratch in any of the plurality of thin film layers included therein. ,
If it is a local small one, it rarely overlaps a similar defective part in another thin film layer laminated together, so that there is almost no occurrence of a defect penetrating the front and back.
【００２１】これにより、絶縁特性に優れたシートを用
いて静電チャックを作った場合でも、傷つきにくく、絶
縁耐性に優れた静電チャックができあがり、その寿命が
大幅に伸びることとなる。したがって、この発明によれ
ば、絶縁破壊し難い静電チャックを実現することができ
る。As a result, even when an electrostatic chuck is manufactured using a sheet having excellent insulation properties, an electrostatic chuck that is resistant to damage and has excellent insulation resistance is completed, and its life is greatly extended. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize an electrostatic chuck that does not easily cause dielectric breakdown.
【００２２】［第２の解決手段］第２の解決手段の静電
チャックは（、出願当初の請求項２に記載の如く）、
（真空チャンバ内のプラズマ処理空間等の真空雰囲気中
に設置される処理対象基板乗載用電極であって）伝熱用
ガス供給孔の形成された電極の基板乗載面に設けられ、
導電層およびこれを挟む絶縁層を有する静電チャックに
おいて、前記電極は、前記伝熱用ガス送給孔に通じる溝
が前記基板乗載面に形成されたものであり、前記導電層
および前記絶縁層は、前記溝の底も含めて前記基板乗載
面に対し密着しており且つ前記伝熱用ガス供給孔によっ
て貫通されたものである。[Second Solution] The electrostatic chuck according to the second solution (as described in claim 2 at the beginning of the filing) is:
An electrode for mounting a substrate to be processed, which is installed in a vacuum atmosphere such as a plasma processing space in a vacuum chamber, provided on a substrate mounting surface of the electrode on which a gas supply hole for heat transfer is formed;
In an electrostatic chuck having a conductive layer and an insulating layer sandwiching the conductive layer, the electrode has a groove formed in the substrate mounting surface, the groove leading to the heat transfer gas supply hole, and the conductive layer and the insulating layer The layer is in close contact with the substrate mounting surface including the bottom of the groove and penetrated by the heat transfer gas supply hole.
【００２３】このような第２の解決手段の静電チャック
にあっては、電極の基板乗載面に形成された溝に対して
も溝の無いところと同じように密着して、導電層および
絶縁層からなる静電チャックが設けられることから、そ
の電極表面の溝とほぼ同じ形状の溝が静電チャックの表
面に現れる。そして、溝に、伝熱用ガス供給孔を介して
伝熱用ガスが供給される。In the electrostatic chuck according to the second solution, the conductive layer and the groove formed on the substrate mounting surface of the electrode are brought into close contact with each other in the same manner as in the case where there is no groove. Since the electrostatic chuck made of the insulating layer is provided, a groove having substantially the same shape as the groove on the electrode surface appears on the surface of the electrostatic chuck. Then, the heat transfer gas is supplied to the groove via the heat transfer gas supply hole.
【００２４】これにより、電極表面に彫り込む溝を浅く
形成しておけば容易に、静電チャック表面の溝を静電チ
ャックの厚さよりも浅くすることができるうえ、その溝
底には、打ち抜かれること無く溝形に沿って屈曲・曲折
した静電チャックの層が、伝熱用ガス送給孔の貫通部分
を除いて、残ることとなる。したがって、この発明によ
れば、浅くて被覆性も良い静電チャックを実現すること
ができる。[0024] By forming a shallow groove on the surface of the electrode, the groove on the surface of the electrostatic chuck can be easily made shallower than the thickness of the electrostatic chuck. The layer of the electrostatic chuck that is bent or bent along the groove without being removed remains except for the penetrating portion of the heat transfer gas supply hole. Therefore, according to the present invention, a shallow electrostatic chuck having good coverage can be realized.
【００２５】［第３の解決手段］第３の解決手段の静電
チャックは（、出願当初の請求項３に記載の如く）、上
記の第２の解決手段の静電チャックであって、前記溝が
網状に（分布して形成されたものと）なっていることを
特徴とする。[Third Solution] The electrostatic chuck of the third solution is the electrostatic chuck of the second solution described above (as described in claim 3 of the present invention). It is characterized in that the grooves are in a net shape (distributed and formed).
【００２６】このような第３の解決手段の静電チャック
にあっては、静電チャックのシートを打ち抜く必要が無
いため、溝の分布形状等に関する制約から解放されたこ
とに基づいて、溝が網状に分布して設けられる。そし
て、網状に分布した溝のところで伝熱用ガスが同圧にさ
れることから、いたるところで圧力が等しくなるので、
伝熱用ガスの均一度が向上する。その働きは、溝が浅く
なったことによる圧力傾斜の増加を補って余りあるもの
となる。したがって、この発明によれば、溝が浅くても
伝熱用ガス圧の均一度が良い静電チャックを実現するこ
とができる。In the electrostatic chuck according to the third solution, since it is not necessary to punch out the sheet of the electrostatic chuck, the grooves are formed based on the release from the restrictions on the distribution shape of the grooves. It is provided in a net-like distribution. And since the heat transfer gas is made the same pressure at the grooves distributed in a net shape, the pressure becomes equal everywhere,
The uniformity of the heat transfer gas is improved. Its function more than compensates for the increase in pressure gradient due to the shallow groove. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize an electrostatic chuck having good uniformity of the heat transfer gas pressure even if the groove is shallow.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】このような解決手段で達成された
本発明の静電チャックについて、これを実施するための
形態を実施例により具体的に説明する。図１は、その構
成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が縦断
面拡大図である。なお、背景の技術の欄にて既述したこ
と及び図２はこの例についても同様に言えることであ
り、また、図１は従来例の図３に対応していて、同様の
構成要素には同一の符号を付して示したので、重複する
再度の説明は割愛し、以下、従来例との相違点を中心に
説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment for carrying out the electrostatic chuck of the present invention achieved by such a solution will be specifically described by way of examples. FIGS. 1A and 1B are schematic diagrams showing the configuration, in which FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is an enlarged longitudinal sectional view. 2 and FIG. 2 can be similarly applied to this example, and FIG. 1 corresponds to FIG. 3 of the conventional example. Since they are denoted by the same reference numerals, repeated description will be omitted, and the following description will focus on differences from the conventional example.
【００２８】この静電チャック５００が従来の静電チャ
ック５０と相違するのは、複数の同心円に複数の放射状
直線が交差しあい連通しあって網状に分布した溝５１０
を具える点と（図１（ａ）参照）、従来は一枚であった
上部絶縁層５７が第１薄膜層５７１と第２薄膜層５７３
との二枚を含むものとなっている点（図１（ｂ）参照）
である。The electrostatic chuck 500 differs from the conventional electrostatic chuck 50 in that a plurality of radial straight lines intersect and communicate with a plurality of concentric circles, and the grooves 510 are distributed in a net shape.
(See FIG. 1A), and the upper insulating layer 57, which is conventionally one sheet, is replaced by a first thin film layer 571 and a second thin film layer 573.
(See Fig. 1 (b))
It is.
【００２９】このような静電チャック５００は、次のよ
うにしてカソード部１２の上面（電極の基板乗載面）に
作られる。先ず、銅箔等の導電層５５の上面に対してポ
リイミドフィルム等の絶縁性樹脂シート望ましくは上部
絶縁層５７の半分以下の厚さのものからなる第１薄膜層
５７１を接着層５６にて貼り付ける。次に、その上面に
対して、さらに、もう一枚の薄いポリイミドフィルム等
の絶縁性樹脂シートからなる第２薄膜層５７３を層間接
着層５７２にて貼り付ける。これにより、第１薄膜層５
７１におけるボイドや傷等の欠損部は第２薄膜層５７３
によって塞がれる一方、第２薄膜層５７３におけるボイ
ドや傷等の欠損部は第１薄膜層５７１によって塞がれ
る。後は従来同様に下部絶縁層５３も貼り付けて、多層
の絶縁シートを一枚に形成しておく。なお、従来行って
いたプレス等による打ち抜きは、行わない。こうして出
来た絶縁シート（５３〜５７３）は、上下の絶縁層のう
ち上の基板１側のものが複数の薄膜層５７１，５７３を
含んだものとなる。Such an electrostatic chuck 500 is formed on the upper surface of the cathode section 12 (the surface on which the electrodes are mounted on the substrate) as follows. First, a first thin film layer 571 made of an insulating resin sheet such as a polyimide film and preferably having a thickness of half or less of the upper insulating layer 57 is attached to the upper surface of the conductive layer 55 such as a copper foil with the adhesive layer 56. wear. Next, another second thin film layer 573 made of an insulating resin sheet such as a thin polyimide film is adhered to the upper surface with an interlayer adhesive layer 572. Thereby, the first thin film layer 5
Defects such as voids and scratches in 71 are the second thin film layers 573
On the other hand, defective portions such as voids and scratches in the second thin film layer 573 are closed by the first thin film layer 571. Thereafter, the lower insulating layer 53 is attached as in the conventional case, and a multilayer insulating sheet is formed as one sheet. The punching by a press or the like, which has been conventionally performed, is not performed. The insulating sheets (53 to 573) formed in this manner include those of the upper and lower insulating layers on the upper substrate 1 side including the plurality of thin film layers 571 and 573.
【００３０】一方、カソード部１２に対しては、その上
面を平坦に磨きあげた後、そこに彫り込みを入れて、幅
Ｗが１〜２ｍｍで深さＤが１０〜５０μｍ程度の浅い溝
を形成しておく。それも網状になるよう多数形成してお
く。それから、上記の絶縁シート（５３〜５７３）を接
着層５２にてカソード部１２の上面に貼り付けるととも
に、上方から高圧気体で押しつける。この貼り付け作業
は、絶縁シートに打ち抜き跡等の切れ目が無いので、楽
に行える。これにより、導電層５５および絶縁層５３，
５７１，５７３を有する静電チャック５００は、溝の底
も含めてカソード部１２の基板乗載面に対し密着したも
のとなる。On the other hand, the upper surface of the cathode portion 12 is polished flat and then engraved therein to form a shallow groove having a width W of 1 to 2 mm and a depth D of about 10 to 50 μm. Keep it. A large number of them are formed in a net shape. Then, the insulating sheet (53 to 573) is attached to the upper surface of the cathode section 12 with the adhesive layer 52, and is pressed from above with a high-pressure gas. This attaching operation can be performed easily because there is no cut such as a punch mark on the insulating sheet. Thereby, the conductive layer 55 and the insulating layer 53,
The electrostatic chuck 500 having 571 and 573 is in close contact with the substrate mounting surface of the cathode section 12 including the bottom of the groove.
【００３１】そして、接着層５２が固まったときには、
カソード部１２上面の溝が静電チャック５００の表面に
転写されて、同じ網状に分布した溝５１０ができあが
る。このような溝５１０は、やはり幅Ｗが１〜２ｍｍで
深さが２０〜５０μｍ程度の浅いものとなっている。し
かも、溝底までカソード部１２を覆うものにもなってい
る。When the adhesive layer 52 has hardened,
The grooves on the upper surface of the cathode portion 12 are transferred to the surface of the electrostatic chuck 500, and the grooves 510 distributed in the same mesh are formed. Such a groove 510 is also shallow with a width W of 1 to 2 mm and a depth of about 20 to 50 μm. Moreover, it also covers the cathode portion 12 up to the groove bottom.
【００３２】最後に、溝５１０のところに対して上方か
ら静電チャック５００を貫いてカソード部１２内の冷却
ガス送給腔４２に至る多数の冷却ガス送給孔４３（伝熱
用ガス送給孔）を穿つ。これにより、カソード部１２の
基板乗載面における溝が冷却ガス送給孔４３に通じると
ともに、静電チャック５００の導電層および絶縁層が冷
却ガス送給孔４３によって貫通されて、静電チャック５
００表面の溝５１０も、至る所で冷却ガス送給孔４３に
通じたものとなる。Finally, a number of cooling gas supply holes 43 (heat transfer gas supply holes 43) extending from the top of the groove 510 through the electrostatic chuck 500 to the cooling gas supply holes 42 in the cathode portion 12. Holes). Thereby, the groove on the substrate mounting surface of the cathode portion 12 communicates with the cooling gas supply hole 43, and the conductive layer and the insulating layer of the electrostatic chuck 500 penetrate through the cooling gas supply hole 43, and the electrostatic chuck 5
The grooves 510 on the surface of the 00 also lead to the cooling gas supply holes 43 everywhere.
【００３３】この実施例の静電チャックについて、その
使用態様及び動作を説明する。The manner of use and operation of the electrostatic chuck of this embodiment will be described.
【００３４】上述した構造の静電チャック５００を持っ
たカソード部１２の上に基板１が乗せられると、導電層
５５に帯電させることで或いはプラズマ処理に伴う帯電
が基板１に生じることで、基板１は静電チャック５００
を介してカソード部１２の上面に付勢力を伴って保持さ
れる。そして、冷却ガス送給管４１に冷却ガス（伝熱用
ガス）を送り込むと、その冷却ガスは、冷却ガス送給腔
４２及び多数の冷却ガス送給孔４３を介して基板１の下
側へ供給される。そして、真空雰囲気中であっても、カ
ソード部１２上面における静電チャック５００の上に基
板１が保持されるとともに、基板１の裏面・下面と静電
チャック５００との隙間に冷却ガスが充填される。When the substrate 1 is placed on the cathode portion 12 having the electrostatic chuck 500 having the above-described structure, the substrate 1 is charged by charging the conductive layer 55 or charging the substrate 1 due to plasma processing. 1 is an electrostatic chuck 500
And is held on the upper surface of the cathode portion 12 with an urging force. When the cooling gas (heat transfer gas) is fed into the cooling gas supply pipe 41, the cooling gas is sent to the lower side of the substrate 1 through the cooling gas supply cavity 42 and the many cooling gas supply holes 43. Supplied. Then, even in a vacuum atmosphere, the substrate 1 is held on the electrostatic chuck 500 on the upper surface of the cathode unit 12, and the gap between the back and lower surfaces of the substrate 1 and the electrostatic chuck 500 is filled with a cooling gas. You.
【００３５】このようにして基板１及び静電チャック５
００間における隙間に冷却ガスが冷却ガス送給孔４３を
介して充填されるのは従来通りであるが、その充填に際
し、冷却ガスは溝５１０に各所から供給され、溝５１０
内を縦横無尽に流れて、圧力勾配を解消する。そして、
冷却ガスは、基板１及び静電チャック５００間に広がる
隙間において、充分均一な状態で分布することとなる。Thus, the substrate 1 and the electrostatic chuck 5
Although the cooling gas is filled into the gaps between the holes 00 through the cooling gas supply holes 43 as in the related art, the cooling gas is supplied to the groove 510 from various places during the filling.
It flows through the inside and out of the machine, eliminating the pressure gradient. And
The cooling gas is distributed in a sufficiently uniform state in a gap that spreads between the substrate 1 and the electrostatic chuck 500.
【００３６】その結果、この均一な冷却ガスを媒体とし
て、基板１の裏面ほぼ全域に亘って、基板１とカソード
部１２との均一な熱伝達が行われる。また、溝５１０の
ところでも、溝の深さＤが従来より浅くなっているの
で、その部分での熱伝達特性も改善され、そこでもほぼ
均一な熱伝達が行われる。こうして、基板１の全体に亘
って温度分布が均一にされる。As a result, uniform heat transfer between the substrate 1 and the cathode portion 12 is performed over substantially the entire back surface of the substrate 1 using the uniform cooling gas as a medium. Also, since the depth D of the groove is shallower than that of the related art at the groove 510, the heat transfer characteristic at that portion is also improved, and substantially uniform heat transfer is performed there. Thus, the temperature distribution is made uniform over the entire substrate 1.
【００３７】また、カソード部１２の上面は、溝５１０
内でも露出することが無く絶縁性の静電チャック５００
によって覆われているので、基板１の裏面との間で異常
放電が誘発されることが無い。例え異常放電が発生して
も速やかに消滅する。さらに、溝５１０内に腐食性ガス
等が紛れ込んだときでも、カソード部１２の上面がその
ガスに直接曝されることが無くて、カソード部１２の上
面が腐食性ガスによって侵されるという不都合は防止さ
れているので、任意の反応性ガスを用いた多様なプラズ
マ処理等を自由に選択することもできる。The upper surface of the cathode section 12 has a groove 510.
Insulated electrostatic chuck 500 that is not exposed even inside
Since it is covered by the substrate, no abnormal discharge is induced between the substrate 1 and the rear surface. Even if abnormal discharge occurs, it disappears quickly. Furthermore, even when a corrosive gas or the like enters into the groove 510, the inconvenience that the upper surface of the cathode portion 12 is not directly exposed to the gas and the upper surface of the cathode portion 12 is attacked by the corrosive gas is prevented. Therefore, various plasma treatments using an arbitrary reactive gas can be freely selected.
【００３８】[0038]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の第１の解決手段の静電チャックにあっては、一部の薄
膜層に欠損があってもその貫通を他の薄膜層で抑制する
ようにしたことにより、絶縁破壊し難い静電チャックを
実現することができたという有利な効果が有る。As is apparent from the above description, in the electrostatic chuck according to the first solution of the present invention, even if there is a defect in a part of the thin film layer, the penetration is made by another thin film layer. The suppression has the advantageous effect of realizing an electrostatic chuck that is less likely to cause dielectric breakdown.
【００３９】また、本発明の第２の解決手段の静電チャ
ックにあっては、電極表面に彫り込んだ溝形状が静電チ
ャック表面に転写されるようにしたことにより、溝が浅
くて被覆性も良い静電チャックを実現することができた
という有利な効果を奏する。Further, in the electrostatic chuck according to the second solution of the present invention, since the groove shape engraved on the surface of the electrode is transferred to the surface of the electrostatic chuck, the groove is shallow and the covering property is low. This has an advantageous effect that a good electrostatic chuck can be realized.
【００４０】さらに、本発明の第３の解決手段の静電チ
ャックにあっては、圧力勾配が解消されるような分布状
態に溝を形成したことにより、溝が浅くても伝熱用ガス
圧の均一度が良い静電チャックを実現することができた
という有利な効果が有る。Further, in the electrostatic chuck according to the third solution of the present invention, the grooves are formed in such a distribution that the pressure gradient is eliminated. There is an advantageous effect that an electrostatic chuck having a good uniformity of the above can be realized.
【図１】 本発明の静電チャックの一実施例について、
その構成を示す模式図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）
が縦断面拡大図である。FIG. 1 shows an embodiment of the electrostatic chuck of the present invention.
It is a schematic diagram which shows the structure, (a) is a top view, (b)
Is an enlarged longitudinal sectional view.
【図２】 静電チャックの使用例を示す縦断面模式図で
あり、（ａ）が真空チャンバの全体図、（ｂ）が静電チ
ャックを装着した下部電極である。FIGS. 2A and 2B are schematic longitudinal cross-sectional views illustrating an example of use of an electrostatic chuck, wherein FIG. 2A is an overall view of a vacuum chamber, and FIG. 2B is a lower electrode on which the electrostatic chuck is mounted.
【図３】 従来の静電チャックである。FIG. 3 is a conventional electrostatic chuck.
１ 基板（ウエハ、被処理物、処理対象基板） ２ 真空チャンバ本体部（真空チャンバ） ２ａ 吸引口 ３ 真空チャンバ蓋部（真空チャンバ） ４ 可変バルブ（可変絞り、圧力制御機構、圧力制御
手段） ４ａ ゲートバルブ（仕切弁） ５ 真空ポンプ １１ アノード部（平行平板の一方、上部電極） １１ａ アッパーサポート １２ カソード部（平行平板の他方、下部電極、基板乗
載用電極） １２ａ ローアーサポート １３ プラズマ処理空間 ３１ ＲＦ電源 ４１ 冷却ガス送給管（熱媒，媒体，伝熱用ガス充満手
段、供給手段） ４２ 冷却ガス送給腔（熱媒，媒体，伝熱用ガス充満手
段、供給手段） ４３ 冷却ガス送給孔（熱媒ガス充満、媒体ガス供給、
伝熱用ガス供給孔） ５０ 静電チャック ５１ 溝（窪み、凹部、伝熱用ガス均一化手段） ５２ 接着層 ５３ 下部絶縁層（電極側絶縁層） ５４ 接着層 ５５ 導電層（中間層） ５６ 接着層 ５７ 上部絶縁層（基板側絶縁層） ５００ 静電チャック ５１０ 溝（窪み、凹部、伝熱用ガス圧均一化手
段） ５７１ 第１薄膜層（積層形絶縁層、上部絶縁層、
基板側絶縁層） ５７２ 層間接着層（積層形絶縁層、上部絶縁層、
基板側絶縁層） ５７３ 第２薄膜層（積層形絶縁層、上部絶縁層、
基板側絶縁層）Reference Signs List 1 substrate (wafer, object to be processed, substrate to be processed) 2 vacuum chamber main body (vacuum chamber) 2a suction port 3 vacuum chamber lid (vacuum chamber) 4 variable valve (variable throttle, pressure control mechanism, pressure control means) 4a Gate valve (gate valve) 5 Vacuum pump 11 Anode unit (one of parallel plates, upper electrode) 11a Upper support 12 Cathode unit (the other of the parallel plates, lower electrode, substrate mounting electrode) 12a Lower support 13 Plasma processing space 31 RF power supply 41 Cooling gas supply pipe (heating medium, medium, heat transfer gas filling means, supply means) 42 Cooling gas supply cavity (heating medium, medium, heat transfer gas filling means, supply means) 43 Cooling gas supply Supply hole (Heat medium gas filling, medium gas supply,
Heat transfer gas supply hole) 50 Electrostatic chuck 51 Groove (dent, concave portion, heat transfer gas uniformizing means) 52 Adhesive layer 53 Lower insulating layer (electrode side insulating layer) 54 Adhesive layer 55 Conductive layer (intermediate layer) 56 Adhesive layer 57 Upper insulating layer (substrate-side insulating layer) 500 Electrostatic chuck 510 Groove (hollow, concave, uniform gas pressure for heat transfer) 571 First thin film layer (laminated insulating layer, upper insulating layer,
Board-side insulating layer) 572 interlayer adhesive layer (laminated insulating layer, upper insulating layer,
Substrate-side insulating layer) 573 Second thin film layer (laminated insulating layer, upper insulating layer,
Board side insulation layer)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野沢 俊久 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５−５ 株 式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 茂山 和基 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５−５ 株 式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 3C016 GA10 5F031 FF03 KK03 KK06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Toshihisa Nozawa 1-5-5 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture Inside Kobe Research Institute, Kobe Steel Ltd. (72) Inventor Kazuki Shigeyama Nishi-ku, Kobe City, Hyogo Prefecture 1-5-5 Takatsukadai Kobe Steel Co., Ltd. Kobe Research Institute F-term (reference) 3C016 GA10 5F031 FF03 KK03 KK06
Claims (3)
びこれを挟む絶縁層を有する静電チャックにおいて、前
記絶縁層のうち前記基板側のものが複数の薄膜層を含ん
だものであることを特徴とする静電チャック。1. An electrostatic chuck provided on a substrate mounting surface of an electrode and having a conductive layer and an insulating layer sandwiching the conductive layer, wherein the insulating layer on the substrate side includes a plurality of thin film layers. An electrostatic chuck, comprising:
乗載面に設けられ、導電層およびこれを挟む絶縁層を有
する静電チャックにおいて、前記電極は、前記伝熱用ガ
ス送給孔に通じる溝が前記基板乗載面に形成されたもの
であり、前記導電層および前記絶縁層は、前記溝の底も
含めて前記基板乗載面に対し密着しており且つ前記伝熱
用ガス供給孔によって貫通されたものであることを特徴
とする静電チャック。2. An electrostatic chuck provided on a substrate mounting surface of an electrode having a heat transfer gas supply hole formed therein and having a conductive layer and an insulating layer sandwiching the conductive layer. A groove leading to a supply hole is formed in the substrate mounting surface, and the conductive layer and the insulating layer are in close contact with the substrate mounting surface including the bottom of the groove and the heat transfer layer An electrostatic chuck penetrated by a supply gas supply hole.
る請求項２記載の静電チャック。3. The electrostatic chuck according to claim 2, wherein said groove is formed in a net shape.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020064507A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-09 | 삼성전자 주식회사 | Electrostatic chuck and thereof manufacturing method |
| JP2002270680A (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-20 | Applied Materials Inc | Method and device for supporting substrate |
| JP2005136104A (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2013500605A (en) * | 2009-07-30 | 2013-01-07 | ラム リサーチ コーポレーション | Ignition prevention in electrostatic chuck |
| CN104835764A (en) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | Temperature-controllable heating disc with spider-web-shaped surface structure |
| JP2017092156A (en) * | 2015-11-03 | 2017-05-25 | ナショナル チュン−シャン インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16643598A patent/JP2000003953A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020064507A (en) * | 2001-02-02 | 2002-08-09 | 삼성전자 주식회사 | Electrostatic chuck and thereof manufacturing method |
| JP2002270680A (en) * | 2001-02-28 | 2002-09-20 | Applied Materials Inc | Method and device for supporting substrate |
| JP2005136104A (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Electrostatic chuck |
| JP2013500605A (en) * | 2009-07-30 | 2013-01-07 | ラム リサーチ コーポレーション | Ignition prevention in electrostatic chuck |
| CN104835764A (en) * | 2015-04-27 | 2015-08-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | Temperature-controllable heating disc with spider-web-shaped surface structure |
| JP2017092156A (en) * | 2015-11-03 | 2017-05-25 | ナショナル チュン−シャン インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー | Aluminum nitride electrostatic chuck used in high temperature and high plasma power density semiconductor manufacturing process |
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