JP2000003881A5

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Publication number: JP2000003881A5
Application number: JP1999105528A
Authority: JP
Filing date: 1999-04-13
Publication date: 2005-08-04
Anticipated expiration: 2019-04-13

Claims

被処理基体から離間して配置され、開口部を有する導電性マスクと、
この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段と
を備えていることを特徴とするイオン注入装置。A conductive mask disposed apart from the substrate to be processed and having an opening;
And an ion implantation means for implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask.

被処理基体から離間して配置され、開口部を有する導電性マスクであって、前記開口部が前記被処理基板から離れるにつれて直径が増加するテーパー構造を含む前記導電性マスクと、A conductive mask that is spaced apart from the substrate to be processed and has an opening, the conductive mask including a tapered structure in which the diameter increases as the opening moves away from the substrate to be processed;
この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段とIon implantation means for implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask;
を備えていることを特徴とするイオン注入装置。An ion implantation apparatus comprising:

前記導電性マスクと前記被処理基体との間の距離が１５μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。The ion implantation apparatus according to claim 1 or 2 , wherein a distance between the conductive mask and the substrate to be processed is set to 15 µm or less.

前記導電性マスクは前記開口部とは別の開口部を有し、かつこの別の開口部を通過するイオンを検出する検出手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。 3. The ion implantation according to claim 1, wherein the conductive mask has an opening different from the opening, and has detection means for detecting ions passing through the other opening. 4. apparatus.

前記開口部の数は複数であり、かつこれらの開口部のうちの一部を選択的に覆うシャッターを有することを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。The number of openings is a plurality, and the ion implantation apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that it has a shutter for selectively cover a portion of these openings.

前記被処理基体は、半導体基板および半導体基板上に形成された半導体膜の一方であることを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。 3. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the substrate to be processed is one of a semiconductor substrate and a semiconductor film formed on the semiconductor substrate.

前記導電性マスクは、前記被処理基体と同一の元素および前記元素を主成分とする材料の一方で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。The conductive mask, ion implantation apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the is composed of one material mainly the same elements and the elements and the substrate to be processed.

前記導電性マスクは、開口部のパターンが互いに異なる複数のマスク領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置。The conductive mask, ion implantation apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises a plurality of mask areas pattern are different from each other in the opening.

前記複数のマスク領域の開口部のパターンを重ねることによって、所望のパターンが得られるように、前記複数のマスク領域の開口部のパターンが選ばれていることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置。By superimposing the pattern of openings of said plurality of mask areas, so that a desired pattern is obtained, according to claim 8, wherein the pattern of openings of said plurality of mask areas are chosen Ion implanter.

前記被処理基板を保持するための第１の静電チャックと、前記導電性マスクを保持するための第２の静電チャックとをさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載のイオン注入装置。The ion according to claim 2, further comprising a first electrostatic chuck for holding the substrate to be processed and a second electrostatic chuck for holding the conductive mask. Injection device.

箱状に形成された容器と、
前記容器の内壁面にイオンを生成する元素を含む材料板を保持可能とする保持手段と、
前記容器内にプラズマを発生させることにより前記保持器に保持された材料板をスパッタリングして所望のイオンを発生させうるプラズマ発生手段と、
前記スパッタリングに用いるプラズマを発生しうるガスを前記容器内に導入するガス導入手段と、
前記スパッタリングで生ずる液体を保持する液体保持部と、
前記材料板に対するスパッタリングで生じたイオンを前記容器外に導出するイオン導出手段と
を具備してなることを特徴とするイオン発生装置。A container formed in a box shape;
Holding means capable of holding a material plate containing an element that generates ions on the inner wall surface of the container;
Plasma generating means capable of generating desired ions by sputtering a material plate held in the holder by generating plasma in the container;
A gas introduction means for introducing a gas capable of generating plasma used for the sputtering into the container;
A liquid holding unit for holding the liquid generated by the sputtering;
An ion generating device comprising: ion deriving means for deriving ions generated by sputtering with respect to the material plate to the outside of the container.

前記保持手段は、前記液体保持部を兼ねていることを特徴とする請求項１１に記載のイオン発生装置。The ion generator according to claim 11 , wherein the holding unit also serves as the liquid holding unit.

箱状に形成された容器と、
前記容器の内壁面にイオンを生成する元素を含む材料板を保持可能とする保持手段と、
前記容器内にプラズマを発生させることにより前記保持手段に保持された材料板をスパッタリングして所望のイオンを発生させうるプラズマ発生手段と、
前記スパッタリングに用いるプラズマを発生しうるガスを前記容器内に導入するガス導入手段と、
前記スパッタリングで生ずる液体を保持する液体保持部と、
前記材料板に対するスパッタリングで生じたイオンを前記容器外に導出するイオン導出手段と、
前記イオン導出手段で導出されたイオンをそのイオンを照射するべき被処理基体に誘導するイオン誘導手段と
を具備してなることを特徴とするイオン注入装置。A container formed in a box shape;
Holding means capable of holding a material plate containing an element that generates ions on the inner wall surface of the container;
Plasma generating means capable of generating desired ions by sputtering a material plate held by the holding means by generating plasma in the container;
A gas introduction means for introducing a gas capable of generating plasma used for the sputtering into the container;
A liquid holding unit for holding the liquid generated by the sputtering;
Ion deriving means for deriving ions generated by sputtering on the material plate to the outside of the container;
An ion implantation apparatus comprising: ion guiding means for guiding ions derived by the ion deriving means to a substrate to be irradiated with the ions.

箱状に形成された容器と、
前記容器の内壁面にイオンを生成する元素を含む材料板を保持可能とする保持手段と、
前記容器内にプラズマを発生させることにより前記保持手段に保持された材料板をスパッタリングして所望のイオンを発生させうるプラズマ発生手段と、
前記スパッタリングに用いるプラズマを発生しうるガスを前記容器内に導入するガス導入手段と、
前記スパッタリングで生ずる液体を保持する液体保持部と、
前記材料板に対するスパッタリングで生じたイオンを前記容器外に導出するイオン導出手段と、
前記イオン導出手段で導出されたイオンをそのイオンを照射するべき被処理基体に誘導するイオン誘導手段と、
前記被処理基体から離間して配置され、前記イオンが通過する開口部を有する導電性マスクと
を具備してなることを特徴とするイオン注入装置。A container formed in a box shape;
Holding means capable of holding a material plate containing an element that generates ions on the inner wall surface of the container;
Plasma generating means capable of generating desired ions by sputtering a material plate held by the holding means by generating plasma in the container;
A gas introduction means for introducing a gas capable of generating plasma used for the sputtering into the container;
A liquid holding unit for holding the liquid generated by the sputtering;
Ion deriving means for deriving ions generated by sputtering on the material plate to the outside of the container;
Ion guiding means for guiding the ions derived by the ion deriving means to a substrate to be irradiated with the ions;
An ion implantation apparatus comprising: a conductive mask disposed apart from the substrate to be processed and having an opening through which the ions pass.

２種以上の元素からなる固体材料を内部に保持した容器にガスを導入する工程と、
前記容器内で前記ガスをプラズマ化し、このプラズマ化されたガスを前記材料に照射して前記材料をスパッタリングすることによって、前記材料の構成元素のイオンを発生させる工程と、
このイオンを発生させる工程で前記材料面に発生した前記材料の構成元素からなる液体を液体保持部に収納する工程と、
前記イオンを前記容器外に導出する工程と、
前記容器外に導出されたイオンを照射するべき被処理基体に誘導する工程と、
前記誘導されたイオンを所望の被処理基体に照射する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。Introducing a gas into a container holding therein a solid material composed of two or more elements;
Generating the ions of the constituent elements of the material by converting the gas into plasma in the container, irradiating the material with the plasma gas, and sputtering the material;
Storing the liquid composed of the constituent elements of the material generated on the material surface in the step of generating ions in a liquid holding unit;
Deriving the ions out of the container;
Directing ions derived outside the container to a substrate to be irradiated; and
Irradiating a desired substrate to be processed with the induced ions. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:

２種以上の元素からなり所望のイオンを発生させ得る材料を内部に保持した容器に不活性ガスおよび窒素ガスを導入する工程と、
前記容器内にプラズマを発生させ、このプラズマによって前記不活性ガスおよび前記窒素ガスをプラズマ化し、このプラズマ化した不活性ガスおよび窒素ガスを前記材料に照射して前記材料をスパッタリングすることによって、前記材料の構成元素のイオンを発生させる工程と、
このイオンを発生させる工程で前記材料面に発生した前記材料の構成元素のひとつからなる液体を前記窒素ガスで窒化する工程と、
前記イオンを前記容器外に導出する工程と、
前記容器外に導出されたイオンを照射するべき被処理基体に誘導する工程と、
前記誘導されたイオンを所望の被処理基体に照射する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。Introducing an inert gas and a nitrogen gas into a container containing therein a material composed of two or more elements and capable of generating desired ions;
The plasma is generated in the container, the inert gas and the nitrogen gas are converted into plasma by the plasma, and the material is sputtered by irradiating the plasma with the inert gas and the nitrogen gas. Generating ions of constituent elements of the material;
Nitriding a liquid composed of one of the constituent elements of the material generated on the material surface in the step of generating ions with the nitrogen gas;
Deriving the ions out of the container;
Directing ions derived outside the container to a substrate to be irradiated; and
Irradiating a desired substrate to be processed with the induced ions. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:

前記液体の融点が８００℃以下であることを特徴とする請求項１３または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13 or claim 16, characterized in that the melting point of the liquid is 800 ° C. or less.

前記導電性マスクは、前記被処理基体と同一の元素および前記元素を主成分とする材料の一方で構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 16, wherein the conductive mask is composed of one of the same element as the substrate to be processed and a material containing the element as a main component.

被処理基体に対してイオン種、注入加速エネルギーおよび注入量の少なくとも一つが異なる複数のイオン注入を行うに際し、各イオン注入において、イオンを注入する領域上に開口部を有する導電性マスクを前記被処理基体から離間して配置し、前記導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 When performing a plurality of ion implantations in which at least one of ion species, implantation acceleration energy, and implantation amount is different with respect to a substrate to be processed, in each ion implantation, a conductive mask having an opening on a region into which ions are to be implanted is provided. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: disposing a substrate apart from a processing substrate and implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask.

被処理基体に対してイオン種、注入加速エネルギーおよび注入量の少なくとも一つが異なる複数のイオン注入を行うに際し、各イオン注入において、イオンを注入する領域上に、開口部を有する導電性マスクであって、前記開口部が前記被処理基板から離れるにつれて直径が増加するテーパー構造を含む前記導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、前記導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。When performing a plurality of ion implantations in which at least one of ion species, implantation acceleration energy, and implantation amount is different with respect to a substrate to be processed, a conductive mask having an opening on the region where ions are implanted in each ion implantation. The conductive mask including a tapered structure whose diameter increases as the opening moves away from the substrate to be processed is disposed apart from the substrate to be processed, and is disposed on the substrate to be processed through the conductive mask. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising implanting ions.

前記イオン注入を真空中で行った後、真空を保ったまま前記被処理基体を熱処理装置内に搬送し、前記熱処理装置により前記被処理基体に熱処理を施す工程をさらに含むことを特徴とする請求項１９または２０に記載の半導体装置の製造方法。The method further includes the step of transporting the substrate to be processed into a heat treatment apparatus while maintaining the vacuum after the ion implantation is performed, and performing the heat treatment on the substrate to be processed by the heat treatment apparatus. Item 19. A method for manufacturing a semiconductor device according to Item 19 or 20 .

前記導電性マスクは、前記被処理基体と同一の元素および前記元素を主成分とする材料の一方で構成されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 19 , wherein the conductive mask is configured by one of the same element as the substrate to be processed and a material containing the element as a main component.

被処理基体の第１の領域にｐ型不純物イオンを、前記被処理基体の第２の領域にｎ型不純物イオンをそれぞれ注入する際に、
前記ｐ型不純物イオンを注入する際には、前記第１の領域上に開口部を有し、かつ前記第２の領域上に開口部を有しない第１の導電性マスクを前記被処理基体から離間して配置し、前記第１の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｐ型不純物イオンを注入し、
前記ｎ型不純物イオンを注入する際には、前記第２の領域上に開口部を有し、かつ前記第１の領域上に開口部を有しない第２の導電性マスクを前記被処理基体から離間して配置し、前記第２の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｎ型不純物イオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。When implanting p-type impurity ions into the first region of the substrate to be processed and n-type impurity ions into the second region of the substrate to be processed,
When implanting the p-type impurity ions, a first conductive mask having an opening on the first region and no opening on the second region is removed from the substrate to be processed. Spaced apart, and implanting the p-type impurity ions into the substrate to be processed through the first conductive mask,
When implanting the n-type impurity ions, a second conductive mask having an opening on the second region and no opening on the first region is removed from the substrate to be processed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the n-type impurity ions are implanted separately into the substrate to be processed through the second conductive mask.

被処理基体の第１の領域にｐ型不純物イオンを、前記被処理基体の第２の領域にｎ型不純物イオンをそれぞれ注入する際に、When implanting p-type impurity ions into the first region of the substrate to be processed and n-type impurity ions into the second region of the substrate to be processed,
前記ｐ型不純物イオンを注入する際には、前記第１の領域上に開口部を有し、かつ前記第２の領域上に開口部を有しない第１の導電性マスクであって、前記第１の領域上の前記開口部が前記被処理基板から離れるにつれて直径が増加するテーパー構造を含む前記第１の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、前記第１の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｐ型不純物イオンを注入し、When implanting the p-type impurity ions, a first conductive mask having an opening on the first region and no opening on the second region, the first mask The first conductive mask including a tapered structure whose diameter increases as the opening on one region is separated from the substrate to be processed is disposed apart from the substrate to be processed, and the first conductive Injecting the p-type impurity ions into the substrate to be processed through a mask,
前記ｎ型不純物イオンを注入する際には、前記第２の領域上に開口部を有し、かつ前記第１の領域上に開口部を有しない第２の導電性マスクであって、前記第２の領域上の前記開口部が前記被処理基板から離れるにつれて直径が増加するテーパー構造を含む前記第２の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、前記第２の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｎ型不純物イオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。A second conductive mask having an opening on the second region and no opening on the first region when the n-type impurity ions are implanted; The second conductive mask including a tapered structure whose diameter increases as the opening on the region of 2 is separated from the substrate to be processed is disposed away from the substrate to be processed, and the second conductive mask is formed. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the n-type impurity ions are implanted into the substrate to be processed through a mask.

前記イオン注入を真空中で行った後、真空を保ったまま前記被処理基体を熱処理装置内に搬送し、前記熱処理装置により前記被処理基体に熱処理を施す工程をさらにを含むことを特徴とする請求項２３または２４に記載の半導体装置の製造方法。After the ion implantation is performed in a vacuum, the method further includes a step of transporting the substrate to be processed into a heat treatment apparatus while maintaining the vacuum, and performing a heat treatment on the substrate to be processed by the heat treatment apparatus. 25. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 23 or 24 .

前記導電性マスクは、前記被処理基体と同一の元素および前記元素を主成分とする材料の一方で構成されていることを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。24. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 23 , wherein the conductive mask is composed of one of the same element as the substrate to be processed and a material containing the element as a main component.

異なる不純物の注入された第１の不純物領域と第２の不純物領域を有する半導体装置の製造方法において、
２種以上の元素からなり、所望のイオンを発生させ得る材料を内部に保持した容器にガスを導入する工程と、
前記容器内にプラズマを発生させ、このプラズマによって前記ガスをプラズマ化し、このプラズマ化したガスを前記材料に照射して前記材料をスパッタリングすることによって、前記材料の構成元素である２種類以上の元素の２種以上のイオンを発生させる工程と、
前記２種以上のイオンを前記容器外に導出する工程と、
前記容器外に導出された２種以上のイオンのうちの所望の第１のイオンを半導体基板の表面に選択的に照射することによって、前記半導体基板の表面の前記半導体装置形成予定領域に前記第１の不純物領域を形成する工程と、
前記容器外に導出された２種以上のイオンのうちの所望の第２のイオンを半導体基板の表面に選択的に照射することによって、前記半導体基板の表面の前記半導体装置形成予定領域に前記第２の不純物領域を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。In a method of manufacturing a semiconductor device having a first impurity region and a second impurity region into which different impurities are implanted,
A step of introducing a gas into a container made of two or more elements and holding therein a material capable of generating desired ions;
Two or more kinds of elements that are constituent elements of the material are generated by generating plasma in the container, converting the gas into plasma by the plasma, irradiating the material with the plasma gas, and sputtering the material. A step of generating two or more ions of
Deriving the two or more ions out of the container;
By selectively irradiating the surface of the semiconductor substrate with desired first ions out of two or more kinds of ions led out of the container, the semiconductor device formation scheduled region on the surface of the semiconductor substrate is irradiated with the first ions. Forming a single impurity region;
By selectively irradiating the surface of the semiconductor substrate with a desired second ion out of two or more kinds of ions led out of the container, the semiconductor device formation scheduled region on the surface of the semiconductor substrate is irradiated with the second ion. Forming a second impurity region. 2. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:

被処理基体から離間して配置され、開口部を有する導電性マスクであって、前記開口部の側壁が前記被処理基板から離れるにつれて直径が増加するテーパー構造を含む前記導電性マスクと、A conductive mask disposed apart from the substrate to be processed and having an opening, the conductive mask including a tapered structure having a diameter that increases as the side wall of the opening moves away from the substrate to be processed;
この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段とIon implantation means for implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask;
を具備してなることを特徴とするイオン注入装置。An ion implantation apparatus comprising:

被処理基体から離間して配置され、かつ、前記被処理基板との間の距離が５０μｍ以下である、開口部を有する導電性マスクと、A conductive mask having an opening, which is disposed apart from the substrate to be processed and has a distance of 50 μm or less from the substrate to be processed;
この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段とIon implantation means for implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask;
を具備してなることを特徴とするイオン注入装置。An ion implantation apparatus comprising:

被処理基体から離間して配置され、前記被処理基体の構成元素を主成分とし、開口部を有する導電性マスクと、A conductive mask that is disposed away from the substrate to be processed, has a constituent element of the substrate to be processed as a main component, and has an opening;
この導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入するイオン注入手段とIon implantation means for implanting ions into the substrate to be processed through the conductive mask;
を具備してなることを特徴とするイオン注入装置。An ion implantation apparatus comprising:

被処理基体の第１の領域にｐ型不純物イオンを、前記被処理基体の第２の領域にｎ型不純物イオンをそれぞれ注入する際に、When implanting p-type impurity ions into the first region of the substrate to be processed and n-type impurity ions into the second region of the substrate to be processed,
前記ｐ型不純物イオンを注入する際には、前記第１の領域上に開口部を有し、かつ前記第２の領域上に開口部を有しない第１の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、かつ、前記第１の導電性マスクと前記被処理基板との間の距離を５０μｍ以下に設定して、前記第１の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｐ型不純物イオンを注入し、When implanting the p-type impurity ions, a first conductive mask having an opening on the first region and no opening on the second region is used as the substrate to be processed. And the distance between the first conductive mask and the substrate to be processed is set to 50 μm or less, and the substrate to be processed is placed on the substrate to be processed through the first conductive mask. implanting p-type impurity ions;
前記ｎ型不純物イオンを注入する際には、前記第２の領域上に開口部を有し、かつ前記第１の領域上に開口部を有しない第２の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、かつ、前記第２の導電性マスク前記被処理基板との間の距離を５０μｍ以下に設定して、前記第２の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｎ型不純物イオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。When implanting the n-type impurity ions, a second conductive mask having an opening on the second region and no opening on the first region is used as the substrate to be processed. And the second conductive mask is set to a distance of 50 μm or less from the substrate to be processed, and the substrate to be processed is placed on the substrate to be processed through the second conductive mask. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising implanting type impurity ions.

被処理基体の第１の領域にｐ型不純物イオンを、前記被処理基体の第２の領域にｎ型不純物イオンをそれぞれ注入する際に、When implanting p-type impurity ions into the first region of the substrate to be processed and n-type impurity ions into the second region of the substrate to be processed,
前記ｐ型不純物イオンを注入する際には、前記被処理基体の構成元素を主成分とし、前記第１の領域上に開口部を有し、かつ前記第２の領域上に開口部を有しない第１の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、前記第１の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｐ型不純物イオンを注入し、When implanting the p-type impurity ions, the constituent element of the substrate to be processed is a main component, the opening is formed on the first region, and the opening is not formed on the second region. A first conductive mask is disposed apart from the substrate to be processed, and the p-type impurity ions are implanted into the substrate to be processed through the first conductive mask;
前記ｎ型不純物イオンを注入する際には、前記被処理基体の構成元素を主成分とし、前記第２の領域上に開口部を有し、かつ前記第１の領域上に開口部を有しない第２の導電性マスクを、前記被処理基体から離間して配置し、前記第２の導電性マスクを介して前記被処理基体に前記ｎ型不純物イオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。When implanting the n-type impurity ions, the constituent element of the substrate to be processed is a main component, an opening is provided on the second region, and no opening is provided on the first region. A second conductive mask is disposed apart from the substrate to be processed, and the n-type impurity ions are implanted into the substrate to be processed through the second conductive mask. Production method.

被処理基体に対してイオン種、注入加速エネルギーおよび注入量の少なくとも一つが異なる複数のイオン注入を行うに際し、各イオン注入において、イオンを注入する領域上に開口部を有する導電性マスクを前記被処理基体から離間して配置し、かつ、前記導電性マスクと前記被処理基板との間の距離を５０μｍ以下に設定して、前記導電性マスクを介して前記被処理基体にイオンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。When performing a plurality of ion implantations in which at least one of ion species, implantation acceleration energy, and implantation amount is different with respect to a substrate to be processed, in each ion implantation, a conductive mask having an opening on a region into which ions are to be implanted is provided. An ion is implanted into the substrate to be processed through the conductive mask while being spaced apart from the substrate to be processed and the distance between the conductive mask and the substrate to be processed is set to 50 μm or less. A method for manufacturing a semiconductor device.

被処理基体に対してイオン種、注入加速エネルギーおよび注入量の少なくとも一つが異なる複数のイオン注入を行うに際し、各イオン注入において、イオンを注入する領域上に、前記被処理基体の構成元素を主成分とし、開口部を有する導電性マスクを前記被処理基体から離間して配置し、前記導電性マスクを介して前記被処理基体にイオWhen performing a plurality of ion implantations in which at least one of the ion species, the implantation acceleration energy, and the implantation amount is different with respect to the substrate to be treated, the constituent elements of the substrate to be treated are mainly formed on the ion implantation region in each ion implantation. A conductive mask having an opening as a component is disposed apart from the substrate to be processed, and is ionized onto the substrate to be processed through the conductive mask. ンを注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。A method of manufacturing a semiconductor device, characterized by injecting silicon.