JP2000002512A - 円孔の径寸法測定方法 - Google Patents
円孔の径寸法測定方法Info
- Publication number
- JP2000002512A JP2000002512A JP16736598A JP16736598A JP2000002512A JP 2000002512 A JP2000002512 A JP 2000002512A JP 16736598 A JP16736598 A JP 16736598A JP 16736598 A JP16736598 A JP 16736598A JP 2000002512 A JP2000002512 A JP 2000002512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image
- hole
- diameter
- vector
- circular hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法を
提供する。 【解決手段】 円孔を含む領域を撮影した撮影画像か
ら、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画像の輪郭を表す第
１のベクトル列を求め、該第１のベクトル列のうち、ベ
クトルの方向の変化が所定の値の範囲でない急峻な箇所
で挟まれた区間のベクトルがあれば、これを第１のベク
トル列から除外して残った第２のベクトル列から、なけ
れば第１のベクトル列から、実座標で表される輪郭座標
列を得て、得られた輪郭座標列を用い、楕円近似により
円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近似により求めら
れた円孔画像の中心位置座標を通り、且つ、円孔画像の
径を測定する方向を含む所定の角度範囲内の直線を１つ
ないし複数とり、それぞれの直線と輪郭座標列により表
される輪郭との２交点間の距離をそれぞれ算出し、これ
らを平均化して、測定する方向における円孔画像の径寸
法として求め、これより試料の円孔の径寸法を求める。
提供する。 【解決手段】 円孔を含む領域を撮影した撮影画像か
ら、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画像の輪郭を表す第
１のベクトル列を求め、該第１のベクトル列のうち、ベ
クトルの方向の変化が所定の値の範囲でない急峻な箇所
で挟まれた区間のベクトルがあれば、これを第１のベク
トル列から除外して残った第２のベクトル列から、なけ
れば第１のベクトル列から、実座標で表される輪郭座標
列を得て、得られた輪郭座標列を用い、楕円近似により
円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近似により求めら
れた円孔画像の中心位置座標を通り、且つ、円孔画像の
径を測定する方向を含む所定の角度範囲内の直線を１つ
ないし複数とり、それぞれの直線と輪郭座標列により表
される輪郭との２交点間の距離をそれぞれ算出し、これ
らを平均化して、測定する方向における円孔画像の径寸
法として求め、これより試料の円孔の径寸法を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，外形加工されたリ
ードフレームとその治具孔を有する製品等、円孔が形成
されている製品の円孔の径の測定方法に関する。
ードフレームとその治具孔を有する製品等、円孔が形成
されている製品の円孔の径の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。これに伴い、外部端子（ピン）の総数の増加と
なり、ますます多端子（ピン）化が求められるようにな
ってきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやス
タンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図７（ｂ）に示す単層リ
ードフレーム７１０を用いたもので、図７（ａ）に示す
ように、ダイパッド７１１上に半導体素子７２０を搭載
し、銀めっき、金めっき等の処理がされたインナーリー
ド７１２の先端部と半導体素子７２０の端子（電極パッ
ド）７２１とをワイヤ７３０にて結線した後に、樹脂７
４０で封止し、ダムバー部７１４をカットし、アウター
リード７１３部をガルウイング状に折り曲げて作製され
ている。このようなＱＦＰは、パッケージの４方向へ外
部回路と電気的に接続するためのアウターリードを設け
た構造となり、多端子（ピン）化に対応できるものとし
て開発されてきた。ここで用いられる単層リードフレー
ム７１０は、通常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−
鉄）、銅系合金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金
属板をフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法やスタンピング法等により、図７（ｂ）（イ）に
示すような形状に加工して作製されていた。尚、図７
（ｂ）（ロ）は図７（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２における
断面図である。
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。これに伴い、外部端子（ピン）の総数の増加と
なり、ますます多端子（ピン）化が求められるようにな
ってきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやス
タンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図７（ｂ）に示す単層リ
ードフレーム７１０を用いたもので、図７（ａ）に示す
ように、ダイパッド７１１上に半導体素子７２０を搭載
し、銀めっき、金めっき等の処理がされたインナーリー
ド７１２の先端部と半導体素子７２０の端子（電極パッ
ド）７２１とをワイヤ７３０にて結線した後に、樹脂７
４０で封止し、ダムバー部７１４をカットし、アウター
リード７１３部をガルウイング状に折り曲げて作製され
ている。このようなＱＦＰは、パッケージの４方向へ外
部回路と電気的に接続するためのアウターリードを設け
た構造となり、多端子（ピン）化に対応できるものとし
て開発されてきた。ここで用いられる単層リードフレー
ム７１０は、通常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−
鉄）、銅系合金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金
属板をフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法やスタンピング法等により、図７（ｂ）（イ）に
示すような形状に加工して作製されていた。尚、図７
（ｂ）（ロ）は図７（ｂ）（イ）のＦ１−Ｆ２における
断面図である。
【０００３】リードフレームは、通常、図７（ｂ）に示
すリードフレーム単体を複数個、連結部にて枠部（フレ
ーム部とも言う）に連結した１フレーム（１連とも言
う）の状態で外形加工された後、１フレーム（１連とも
言う）の状態のまま、めっき処理、ダウンセット処理、
半導体素子の搭載、樹脂封止処理が行われる。このた
め、各処理における位置決めを行うための、貫通孔から
なる治具孔を１フレームの枠部等に設けることが一般的
であるが、特に、エッチングによるリードフレームの外
形加工においては、この治具孔の径寸法により、製品部
の寸法的な品質判断する目安とする場合があり、近年の
半導体装置の多端子化に伴う多ピン化、狭ピッチ化によ
り、ますます、この治具孔の径寸法の正確な測定が求め
られている。
すリードフレーム単体を複数個、連結部にて枠部（フレ
ーム部とも言う）に連結した１フレーム（１連とも言
う）の状態で外形加工された後、１フレーム（１連とも
言う）の状態のまま、めっき処理、ダウンセット処理、
半導体素子の搭載、樹脂封止処理が行われる。このた
め、各処理における位置決めを行うための、貫通孔から
なる治具孔を１フレームの枠部等に設けることが一般的
であるが、特に、エッチングによるリードフレームの外
形加工においては、この治具孔の径寸法により、製品部
の寸法的な品質判断する目安とする場合があり、近年の
半導体装置の多端子化に伴う多ピン化、狭ピッチ化によ
り、ますます、この治具孔の径寸法の正確な測定が求め
られている。
【０００４】従来、この治具孔の測定は、撮像手段によ
り得られた治具孔画像から画像処理手段により治具孔画
像に対し、膨張、縮退処理を施し、孔部に突出した形状
や異物の影響を除去して、輪郭データを抽出し、さらに
得られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法
を演算処理して求めていた。しかし、この方法の場合、
治具孔画像に対する膨張、縮退処理を施しても、大きな
異物を除去しきれなかったり、正常の部分の形状まで変
化してしまうことがあり、また、本当に孔の径が小さい
場合にも異物付着と判定されてしまうことがあり、問題
となっていた。
り得られた治具孔画像から画像処理手段により治具孔画
像に対し、膨張、縮退処理を施し、孔部に突出した形状
や異物の影響を除去して、輪郭データを抽出し、さらに
得られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法
を演算処理して求めていた。しかし、この方法の場合、
治具孔画像に対する膨張、縮退処理を施しても、大きな
異物を除去しきれなかったり、正常の部分の形状まで変
化してしまうことがあり、また、本当に孔の径が小さい
場合にも異物付着と判定されてしまうことがあり、問題
となっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、エッチ
ングによるリードフレームの外形加工においては、この
治具孔の径寸法を正確に測定する方法が求められてい
た。本発明は、これに対応するもので、撮像手段により
円孔を含む領域を撮影し、得られた円孔画像から画像処
理手段により円孔画像の輪郭データを抽出し、さらに得
られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法を
演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法を提供し
ようとするものである。
ングによるリードフレームの外形加工においては、この
治具孔の径寸法を正確に測定する方法が求められてい
た。本発明は、これに対応するもので、撮像手段により
円孔を含む領域を撮影し、得られた円孔画像から画像処
理手段により円孔画像の輪郭データを抽出し、さらに得
られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法を
演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法を提供し
ようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の円孔の径寸法測
定方法は、撮像手段により円孔を含む領域を撮影し、得
られた円孔画像から画像処理手段により円孔画像の輪郭
データを抽出し、さらに得られた円孔画像の輪郭データ
から試料の円孔の径寸法を演算処理して求める、試料の
円孔の径寸法の測定方法であって、円孔を含む領域を撮
影した撮影画像から、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画
像の輪郭を表す第１のベクトル列を求め、該第１のベク
トル列のうち、ベクトルの方向の変化が所定の値の範囲
でない急峻な箇所で挟まれた区間のベクトルがあれば、
これを第１のベクトル列から除外して残った第２ベクト
ル列から、なければ第１のベクトル列から、実座標で表
される輪郭座標列を得て、得られた輪郭座標列を用い、
楕円近似により円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近
似により求められた円孔画像の中心位置座標を通り、且
つ、円孔画像の径を測定する方向を含む所定の角度範囲
内の直線を１つないし複数とり、それぞれの直線と輪郭
座標列により表される輪郭との２交点間の距離をそれぞ
れ算出し、これらを平均化して、測定する方向における
円孔画像の径寸法として求め、これより試料の円孔の径
寸法を求めることを特徴とするものである。そして、上
記において、試料が外形加工されたリードフレームとそ
の治具孔を有するもので、治具孔の径寸法を測定するも
のであることを特徴とするものであり、該治具孔は貫通
孔で、透過照明によりその治具孔を含む領域を撮影し、
画像処理手段により治具孔画像の各画素データを所定の
スライスレベルにより２値化して、２値化画像データか
ら治具孔画像の輪郭データを抽出するものであることを
特徴とするものである。
定方法は、撮像手段により円孔を含む領域を撮影し、得
られた円孔画像から画像処理手段により円孔画像の輪郭
データを抽出し、さらに得られた円孔画像の輪郭データ
から試料の円孔の径寸法を演算処理して求める、試料の
円孔の径寸法の測定方法であって、円孔を含む領域を撮
影した撮影画像から、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画
像の輪郭を表す第１のベクトル列を求め、該第１のベク
トル列のうち、ベクトルの方向の変化が所定の値の範囲
でない急峻な箇所で挟まれた区間のベクトルがあれば、
これを第１のベクトル列から除外して残った第２ベクト
ル列から、なければ第１のベクトル列から、実座標で表
される輪郭座標列を得て、得られた輪郭座標列を用い、
楕円近似により円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近
似により求められた円孔画像の中心位置座標を通り、且
つ、円孔画像の径を測定する方向を含む所定の角度範囲
内の直線を１つないし複数とり、それぞれの直線と輪郭
座標列により表される輪郭との２交点間の距離をそれぞ
れ算出し、これらを平均化して、測定する方向における
円孔画像の径寸法として求め、これより試料の円孔の径
寸法を求めることを特徴とするものである。そして、上
記において、試料が外形加工されたリードフレームとそ
の治具孔を有するもので、治具孔の径寸法を測定するも
のであることを特徴とするものであり、該治具孔は貫通
孔で、透過照明によりその治具孔を含む領域を撮影し、
画像処理手段により治具孔画像の各画素データを所定の
スライスレベルにより２値化して、２値化画像データか
ら治具孔画像の輪郭データを抽出するものであることを
特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明の円孔の径寸法測定方法は、上記のよう
に構成することにより、撮像手段により円孔を含む領域
を撮影し、得られた円孔画像から画像処理手段により円
孔画像の輪郭データを抽出し、さらに得られた円孔画像
の輪郭データから演算処理部により試料の円孔の径寸法
を演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法の提供を
可能としている。具体的には、円孔を含む領域を撮影し
た撮影画像から、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画像の
輪郭を表す第１のベクトル列を求め、該第１のベクトル
列のうち、ベクトルの方向の変化が所定の値の範囲でな
い急峻な箇所で挟まれた区間のベクトルがあれば、これ
を第１のベクトル列から除外して残った第２のベクトル
列から、なければ第１のベクトル列から、実座標で表さ
れる輪郭座標列を得て、得られた輪郭座標列を用い、楕
円近似により円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近似
により求められた円孔画像の中心位置座標を通り、且
つ、円孔画像の径を測定する方向を含む所定の角度範囲
内の直線を１つないし複数とり、それぞれの直線と輪郭
座標列により表される輪郭との２交点間の距離をそれぞ
れ算出し、これらを平均化して、測定する方向における
円孔画像の径寸法として求め、これより試料の円孔の径
寸法を求めることにより、これを達成している。また、
試料が外形加工されたリードフレームとその治具孔を有
するもので、治具孔の径寸法を測定するものである場合
には、エッチング加工における、リードフレームの外形
加工の寸法品質管理上で特に有効である。また、治具孔
を貫通孔とし、透過照明によりその治具孔を含む領域を
撮影し、画像処理手段により治具孔画像の各画素データ
を所定のスライスレベルにより２値化して、２値化画像
データから治具孔画像の輪郭データを抽出するものであ
ることにより、比較的簡単に、且つ正確に治具孔画像の
輪郭データを得ることができる。
に構成することにより、撮像手段により円孔を含む領域
を撮影し、得られた円孔画像から画像処理手段により円
孔画像の輪郭データを抽出し、さらに得られた円孔画像
の輪郭データから演算処理部により試料の円孔の径寸法
を演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法の提供を
可能としている。具体的には、円孔を含む領域を撮影し
た撮影画像から、円孔画像の輪郭をたどり、円孔画像の
輪郭を表す第１のベクトル列を求め、該第１のベクトル
列のうち、ベクトルの方向の変化が所定の値の範囲でな
い急峻な箇所で挟まれた区間のベクトルがあれば、これ
を第１のベクトル列から除外して残った第２のベクトル
列から、なければ第１のベクトル列から、実座標で表さ
れる輪郭座標列を得て、得られた輪郭座標列を用い、楕
円近似により円孔画像の中心位置座標を求め、楕円近似
により求められた円孔画像の中心位置座標を通り、且
つ、円孔画像の径を測定する方向を含む所定の角度範囲
内の直線を１つないし複数とり、それぞれの直線と輪郭
座標列により表される輪郭との２交点間の距離をそれぞ
れ算出し、これらを平均化して、測定する方向における
円孔画像の径寸法として求め、これより試料の円孔の径
寸法を求めることにより、これを達成している。また、
試料が外形加工されたリードフレームとその治具孔を有
するもので、治具孔の径寸法を測定するものである場合
には、エッチング加工における、リードフレームの外形
加工の寸法品質管理上で特に有効である。また、治具孔
を貫通孔とし、透過照明によりその治具孔を含む領域を
撮影し、画像処理手段により治具孔画像の各画素データ
を所定のスライスレベルにより２値化して、２値化画像
データから治具孔画像の輪郭データを抽出するものであ
ることにより、比較的簡単に、且つ正確に治具孔画像の
輪郭データを得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の円孔の径寸法測定方法の
実施の形態の１例を挙げて説明する。図１は、本発明の
円孔の径寸法測定方法の実施の形態の１例の工程フロー
図で、図２は治具孔の撮影画像の図で、図３（ａ）は２
値化画像の治具孔の輪郭と輪郭に沿うベクトルを示した
図で、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す各ベクトルを成分
表示した図で、図４はベクトルの方向の変化を示した
図、図５は一部のベクトルを除いたベクトル列から実座
標で表される輪郭座標列をつなぎ表示した図、図６は径
寸法を測定する方法を説明するための図である。本例は
リードフレームの貫通孔からなる治具孔の径寸法を測定
する例で、治具孔を含む領域を透過照明により撮影し、
得られた治具孔画像から画像処理手段により治具孔画像
の輪郭データを抽出し、さらに得られた治具孔画像の輪
郭データから治具孔の径寸法を演算処理して求める径寸
法の測定方法である。図１〜図６中、１１０は光強度大
の領域（貫通部の領域）、１２０は光強度小の領域、１
２５は異物部、１３０は画素、１３１は値が１の画素、
１３２は値が０の画素、Ａ０〜Ａ９はベクトルを示して
いる。
実施の形態の１例を挙げて説明する。図１は、本発明の
円孔の径寸法測定方法の実施の形態の１例の工程フロー
図で、図２は治具孔の撮影画像の図で、図３（ａ）は２
値化画像の治具孔の輪郭と輪郭に沿うベクトルを示した
図で、図３（ｂ）は図３（ａ）に示す各ベクトルを成分
表示した図で、図４はベクトルの方向の変化を示した
図、図５は一部のベクトルを除いたベクトル列から実座
標で表される輪郭座標列をつなぎ表示した図、図６は径
寸法を測定する方法を説明するための図である。本例は
リードフレームの貫通孔からなる治具孔の径寸法を測定
する例で、治具孔を含む領域を透過照明により撮影し、
得られた治具孔画像から画像処理手段により治具孔画像
の輪郭データを抽出し、さらに得られた治具孔画像の輪
郭データから治具孔の径寸法を演算処理して求める径寸
法の測定方法である。図１〜図６中、１１０は光強度大
の領域（貫通部の領域）、１２０は光強度小の領域、１
２５は異物部、１３０は画素、１３１は値が１の画素、
１３２は値が０の画素、Ａ０〜Ａ９はベクトルを示して
いる。
【０００９】以下、図１に基づいて本例の円孔の径寸法
測定方法処理を説明する。尚、説明を分かり易くするた
め、治具孔部のみについて説明を限定する。図１中、Ｓ
１１０〜Ｓ１３０は処理ステップを示すものである。治
具孔部を透過照明により撮影する。（Ｓ１１０） 透過照明による撮影のため、撮影画像は、治具孔部が光
強度大の領域（貫通部の領域）となり、それ以外の素材
部分は光強度小の領域となり撮影される。治具孔がほぼ
円状である場合には、治具孔画像は、図２（ｂ）に示す
ように、ほぼ円状の光強度大の領域１１０を形成する
が、治具孔領域内に達する照明光に不透明な異物がある
場合には、例えば、図２（ａ）に示すように、光強度小
の領域１２０である異物の画像１２５が撮影され、光強
度大の領域１１０の形状が、本来の治具孔の形状と異な
ってくる。撮影はＣＣＤ素子を用いたエリアセンサカメ
ラで、あるいはラインセンサカメラを用い、試料である
リードフレームを移動させながら行う。照明は、ハロゲ
ン光源を用いた光ファイバー照明等で行っても良い。
測定方法処理を説明する。尚、説明を分かり易くするた
め、治具孔部のみについて説明を限定する。図１中、Ｓ
１１０〜Ｓ１３０は処理ステップを示すものである。治
具孔部を透過照明により撮影する。（Ｓ１１０） 透過照明による撮影のため、撮影画像は、治具孔部が光
強度大の領域（貫通部の領域）となり、それ以外の素材
部分は光強度小の領域となり撮影される。治具孔がほぼ
円状である場合には、治具孔画像は、図２（ｂ）に示す
ように、ほぼ円状の光強度大の領域１１０を形成する
が、治具孔領域内に達する照明光に不透明な異物がある
場合には、例えば、図２（ａ）に示すように、光強度小
の領域１２０である異物の画像１２５が撮影され、光強
度大の領域１１０の形状が、本来の治具孔の形状と異な
ってくる。撮影はＣＣＤ素子を用いたエリアセンサカメ
ラで、あるいはラインセンサカメラを用い、試料である
リードフレームを移動させながら行う。照明は、ハロゲ
ン光源を用いた光ファイバー照明等で行っても良い。
【００１０】次いで、得られた撮影画像を以下のように
画像処理して、治具孔の径寸法を抽出する。はじめに、
撮影により得られた撮影画像について、各画素毎に、所
定のスライスレベルで２値化処理を行い、２値化画像を
作成する。（Ｓ１２１） ここでは光強度が所定のレベル以上の画素を値１、所定
のレベルより下の画素を値０として２値化する。次い
で、得られた２値化画像から、治具孔画像の輪郭をたど
り、治具孔画像の輪郭を表すベクトル列を求める。（Ｓ
１２２） 尚、２値化画像から治具孔のおおよその中心を求めるに
は、例えば、それぞれ、Ｘ、Ｙ方向の画素位置ごとに、
値１の画素の数を採り、各方向のピークの位置を、それ
ぞれおおよその中心（仮中心座標とも言う）を表す座標
とすれば良い。そして、このようにして得られた仮中心
座標から任意の方向へ、画像の値を検索し、画素の値が
１から０に変化する箇所、即ち、２値化画像の治具孔の
輪郭の一部に相当する箇所を探索し、その箇所を起点と
して、順番に、２値化画像の治具孔の輪郭をたどり、輪
郭を表すベクトル列を求める。例えば、図３（ａ）のよ
うに、２値化画像の治具孔の一部が拡大して示された場
合、画素Ａ（ｉ、ｊ）を起点の画素とした場合、治具孔
の輪郭をたどるベクトルは、図３に示す、Ａ０、Ａ１、
Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９とな
り、それぞれ、図３（ｂ）のように、その成分で表され
る。これらのベクトルの列を第１のベクトル列と言い、
ここではベクトル列Ａ（ｉ）（ｉ＝０、１、２、−−
−、ｎでｎは整数）とする。尚、ここでは、各ベクトル
は、値１の輪郭画素から隣接する最短距離の値１の輪郭
画素へのベクトルを示すものである。
画像処理して、治具孔の径寸法を抽出する。はじめに、
撮影により得られた撮影画像について、各画素毎に、所
定のスライスレベルで２値化処理を行い、２値化画像を
作成する。（Ｓ１２１） ここでは光強度が所定のレベル以上の画素を値１、所定
のレベルより下の画素を値０として２値化する。次い
で、得られた２値化画像から、治具孔画像の輪郭をたど
り、治具孔画像の輪郭を表すベクトル列を求める。（Ｓ
１２２） 尚、２値化画像から治具孔のおおよその中心を求めるに
は、例えば、それぞれ、Ｘ、Ｙ方向の画素位置ごとに、
値１の画素の数を採り、各方向のピークの位置を、それ
ぞれおおよその中心（仮中心座標とも言う）を表す座標
とすれば良い。そして、このようにして得られた仮中心
座標から任意の方向へ、画像の値を検索し、画素の値が
１から０に変化する箇所、即ち、２値化画像の治具孔の
輪郭の一部に相当する箇所を探索し、その箇所を起点と
して、順番に、２値化画像の治具孔の輪郭をたどり、輪
郭を表すベクトル列を求める。例えば、図３（ａ）のよ
うに、２値化画像の治具孔の一部が拡大して示された場
合、画素Ａ（ｉ、ｊ）を起点の画素とした場合、治具孔
の輪郭をたどるベクトルは、図３に示す、Ａ０、Ａ１、
Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９とな
り、それぞれ、図３（ｂ）のように、その成分で表され
る。これらのベクトルの列を第１のベクトル列と言い、
ここではベクトル列Ａ（ｉ）（ｉ＝０、１、２、−−
−、ｎでｎは整数）とする。尚、ここでは、各ベクトル
は、値１の輪郭画素から隣接する最短距離の値１の輪郭
画素へのベクトルを示すものである。
【００１１】次いで得られたベクトル列のベクトルの方
向変化を調べる。（Ｓ１２３） 通常、図３に示すような、最短距離に隣接する輪郭画素
毎のベクトル列をそのまま用いず、大局的にベクトル列
のベクトルの方向変化をとらえるには、例えば、図３に
示す、ベクトル列を順に複数個毎に１つのベクトルとし
て表したベクトル列を作成し、このベクトル列の各ベク
トルの変化をとる。例えば、図３に示すベクトル列Ａ
（ｉ）を、順に、５個づつ加算したベクトルからなるベ
クトル列Ｂ（ｊ）（ｊ＝０、１、２、−−−−、ｍで、
ｍは整数）を作成する。Ｂ（ｊ）は以下の式で表され
る。 Ｂ（ｊ）＝Ａ（５ｊ）＋Ａ（５ｊ＋１）＋Ａ（５ｊ＋
２）＋Ａ（５ｊ＋３）＋Ａ（５ｊ＋４） （但し、ｊ＝０、１、２、−−−−、ｍで、ｍは整数） Ｂ（ｊ）とＢ（ｊ＋１）とのなす角をθ（ｊ）とした場
合、ｃｏｓθ（ｊ）をＣｊとすると、Ｃｊは以下の式で
表される。 Ｃｊ＝ Ｂ（ｊ）・Ｂ（ｊ＋１）÷ （Ｌｖ．Ｂ
（ｊ））× Ｌｖ．Ｂ（ｊ＋１）） （但し、Ｌｖ．Ｂ（ｊ）はＢ（ｊ）の長さを表すものと
する。） そして、Ｃｊをグラフをベクトル列の順にグラフ化す
る。図４は、２値化画像に異物部の画像（図２（ａ）の
１２５に相当）を含む場合のグラフである。通常、画素
のサイズと治具孔の孔径との関係より、治具孔がほぼ円
に近い場合には、Ｃｊはほぼ１に近い値を示すが、図２
（ａ）に示す撮影画像の場合のように、その２値化画像
に異物部の画像（図２（ａ）の１２５に相当）を含む箇
所においては、図４に示すように、その値は２箇所で大
きな変化をする。この箇所は、２値化画像の治具孔の輪
郭から異物部の２値化画像の輪郭に変わる、あるいはそ
の逆に変わる２箇所である。このようにして、Ｃｊをグ
ラフから、ベクトルＢｊのうち、異物部の２値化画像の
輪郭を表すベクトルの区間を知ることができる。図４で
は区間に対応する範囲のベクトルがこれに相当する。
また、これより、ベクトル列Ａ（ｉ）のうち、異物部の
２値化画像の輪郭を表すベクトルの区間を知ることがで
きる。
向変化を調べる。（Ｓ１２３） 通常、図３に示すような、最短距離に隣接する輪郭画素
毎のベクトル列をそのまま用いず、大局的にベクトル列
のベクトルの方向変化をとらえるには、例えば、図３に
示す、ベクトル列を順に複数個毎に１つのベクトルとし
て表したベクトル列を作成し、このベクトル列の各ベク
トルの変化をとる。例えば、図３に示すベクトル列Ａ
（ｉ）を、順に、５個づつ加算したベクトルからなるベ
クトル列Ｂ（ｊ）（ｊ＝０、１、２、−−−−、ｍで、
ｍは整数）を作成する。Ｂ（ｊ）は以下の式で表され
る。 Ｂ（ｊ）＝Ａ（５ｊ）＋Ａ（５ｊ＋１）＋Ａ（５ｊ＋
２）＋Ａ（５ｊ＋３）＋Ａ（５ｊ＋４） （但し、ｊ＝０、１、２、−−−−、ｍで、ｍは整数） Ｂ（ｊ）とＢ（ｊ＋１）とのなす角をθ（ｊ）とした場
合、ｃｏｓθ（ｊ）をＣｊとすると、Ｃｊは以下の式で
表される。 Ｃｊ＝ Ｂ（ｊ）・Ｂ（ｊ＋１）÷ （Ｌｖ．Ｂ
（ｊ））× Ｌｖ．Ｂ（ｊ＋１）） （但し、Ｌｖ．Ｂ（ｊ）はＢ（ｊ）の長さを表すものと
する。） そして、Ｃｊをグラフをベクトル列の順にグラフ化す
る。図４は、２値化画像に異物部の画像（図２（ａ）の
１２５に相当）を含む場合のグラフである。通常、画素
のサイズと治具孔の孔径との関係より、治具孔がほぼ円
に近い場合には、Ｃｊはほぼ１に近い値を示すが、図２
（ａ）に示す撮影画像の場合のように、その２値化画像
に異物部の画像（図２（ａ）の１２５に相当）を含む箇
所においては、図４に示すように、その値は２箇所で大
きな変化をする。この箇所は、２値化画像の治具孔の輪
郭から異物部の２値化画像の輪郭に変わる、あるいはそ
の逆に変わる２箇所である。このようにして、Ｃｊをグ
ラフから、ベクトルＢｊのうち、異物部の２値化画像の
輪郭を表すベクトルの区間を知ることができる。図４で
は区間に対応する範囲のベクトルがこれに相当する。
また、これより、ベクトル列Ａ（ｉ）のうち、異物部の
２値化画像の輪郭を表すベクトルの区間を知ることがで
きる。
【００１２】図４に示すように、ベクトル方向の変化の
大の箇所がある場合（即ち、撮影画像が図２（ａ）に示
すような場合）には、区間に対応するベクトルを第１
のベクトル列（ベクトル列Ａ（ｉ））から除いた第２の
ベクトル列を作成し、これより、実座標の治具孔の輪郭
座標配列を求める。（Ｓ１２４）また、図４に示すよう
に、ベクトル方向の変化の大の箇所がない場合（即ち、
撮影画像が図２（ｂ）のような場合）には、第１のベク
トル列（ベクトル列Ａ（ｉ））から、そのまま、実座標
の治具孔の輪郭座標配列を求める。（Ｓ１２５）ここで
言う、実座標の輪郭標配列とは、ベクトル列にそった２
値化画像の輪郭画素の座標である。
大の箇所がある場合（即ち、撮影画像が図２（ａ）に示
すような場合）には、区間に対応するベクトルを第１
のベクトル列（ベクトル列Ａ（ｉ））から除いた第２の
ベクトル列を作成し、これより、実座標の治具孔の輪郭
座標配列を求める。（Ｓ１２４）また、図４に示すよう
に、ベクトル方向の変化の大の箇所がない場合（即ち、
撮影画像が図２（ｂ）のような場合）には、第１のベク
トル列（ベクトル列Ａ（ｉ））から、そのまま、実座標
の治具孔の輪郭座標配列を求める。（Ｓ１２５）ここで
言う、実座標の輪郭標配列とは、ベクトル列にそった２
値化画像の輪郭画素の座標である。
【００１３】次いで、このようにして求められた輪郭標
配列の複数点の輪郭画素の座標を用い、楕円近似を行
い、２値化画像の治具孔の中心位置座標を算出する。
（Ｓ１２６）
配列の複数点の輪郭画素の座標を用い、楕円近似を行
い、２値化画像の治具孔の中心位置座標を算出する。
（Ｓ１２６）
【００１４】次いで、楕円近似により求められた円孔画
像の中心位置座標を通り、且つ、治具孔画像の径を測定
する方向を含む所定の角度範囲内の直線を１つないし複
数とり、それぞれの直線と輪郭座標列により表される輪
郭との２交点間の距離をそれぞれ算出し、これらを平均
化して、測定する方向における円孔画像の径寸法として
求め、これより２値化画像の治具孔の径寸法を求める。
（Ｓ１２７）勿論、上記治具孔画像の径を測定する方向
を含む所定の角度範囲内の１つないし複数の直線と輪郭
座標列により表される輪郭とで２交点がない場合には、
この測定する方向では、所望とする径が無いものとす
る。尚、エッチング加工によるリードフレーム、治具孔
の加工を行った場合、通常、測定する方向を含む所定の
角度を±５度の範囲とすれば、この範囲内の直線で２交
点が得られる箇所がある。
像の中心位置座標を通り、且つ、治具孔画像の径を測定
する方向を含む所定の角度範囲内の直線を１つないし複
数とり、それぞれの直線と輪郭座標列により表される輪
郭との２交点間の距離をそれぞれ算出し、これらを平均
化して、測定する方向における円孔画像の径寸法として
求め、これより２値化画像の治具孔の径寸法を求める。
（Ｓ１２７）勿論、上記治具孔画像の径を測定する方向
を含む所定の角度範囲内の１つないし複数の直線と輪郭
座標列により表される輪郭とで２交点がない場合には、
この測定する方向では、所望とする径が無いものとす
る。尚、エッチング加工によるリードフレーム、治具孔
の加工を行った場合、通常、測定する方向を含む所定の
角度を±５度の範囲とすれば、この範囲内の直線で２交
点が得られる箇所がある。
【００１５】このようにして、撮影画像から治具孔部に
付着した異物の影響をうけることなく高精度に、径寸法
の測定を行うことができる。上記においては、輪郭の抽
出を値１、値０の２値化画像で行ったが、２値以外の多
値画像のまま画素の明るさを利用して１画素以下の精度
で輪郭抽出を行っても良い。
付着した異物の影響をうけることなく高精度に、径寸法
の測定を行うことができる。上記においては、輪郭の抽
出を値１、値０の２値化画像で行ったが、２値以外の多
値画像のまま画素の明るさを利用して１画素以下の精度
で輪郭抽出を行っても良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、上記のように、撮像手段によ
り円孔を含む領域を撮影し、得られた円孔画像から画像
処理手段により円孔画像の輪郭データを抽出し、さらに
得られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法
を演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法の提供を
可能とした。結果、撮影画像から治具孔部に付着した異
物の影響をうけることなく高精度に、径寸法の測定を行
うことができものとし、エッチング加工における、リー
ドフレームとその治具孔を備えた加工においては、加工
工程における寸法品質の管理を、正確に行えるものとし
た。
り円孔を含む領域を撮影し、得られた円孔画像から画像
処理手段により円孔画像の輪郭データを抽出し、さらに
得られた円孔画像の輪郭データから試料の円孔の径寸法
を演算処理して求める、試料の円孔の径寸法の測定方法
で、試料の円孔の径寸法を正確に測定する方法の提供を
可能とした。結果、撮影画像から治具孔部に付着した異
物の影響をうけることなく高精度に、径寸法の測定を行
うことができものとし、エッチング加工における、リー
ドフレームとその治具孔を備えた加工においては、加工
工程における寸法品質の管理を、正確に行えるものとし
た。
【図１】本発明の円孔の径寸法測定方法の実施の形態の
１例の工程フロー図
１例の工程フロー図
【図２】治具孔の撮影画像の図
【図３】図３（ａ）は２値化画像の治具孔の輪郭と輪郭
に沿うベクトルを示した図で、図３（ｂ）は図３（ａ）
に示す各ベクトルを成分表示した図
に沿うベクトルを示した図で、図３（ｂ）は図３（ａ）
に示す各ベクトルを成分表示した図
【図４】ベクトルの方向の変化を示した図
【図５】一部のベクトルを除いたベクトル列から実座標
で表される輪郭座標列をつなぎ表示した図
で表される輪郭座標列をつなぎ表示した図
【図６】径寸法を測定する方法を説明するための図
【図７】ＱＦＰタイプの半導体装置とリードフレームの
図
図
１１０ 光強度大の領域（貫通部の領域） １２０ 光強度小の領域 １２５ 異物部 １３０ 画素 １３１ 値が１の画素 １３２ 値が０の画素 Ａ０〜Ａ９ ベクトル
Claims (3)
- 【請求項１】 撮像手段により円孔を含む領域を撮影
し、得られた円孔画像から画像処理手段により円孔画像
の輪郭データを抽出し、さらに得られた円孔画像の輪郭
データから試料の円孔の径寸法を演算処理して求める、
試料の円孔の径寸法の測定方法であって、円孔を含む領
域を撮影した撮影画像から、円孔画像の輪郭をたどり、
円孔画像の輪郭を表す第１のベクトル列を求め、該第１
のベクトル列のうち、ベクトルの方向の変化が所定の値
の範囲でない急峻な箇所で挟まれた区間のベクトルがあ
れば、これを第１のベクトル列から除外して残った第２
のベクトル列から、なければ第１のベクトル列から、実
座標で表される輪郭座標列を得て、得られた輪郭座標列
を用い、楕円近似により円孔画像の中心位置座標を求
め、楕円近似により求められた円孔画像の中心位置座標
を通り、且つ、円孔画像の径を測定する方向を含む所定
の角度範囲内の直線を１つないし複数とり、それぞれの
直線と輪郭座標列により表される輪郭との２交点間の距
離をそれぞれ算出し、これらを平均化して、測定する方
向における円孔画像の径寸法として求め、これより試料
の円孔の径寸法を求めることを特徴とする円孔の径寸法
測定方法。 - 【請求項２】 請求項１において、試料が外形加工され
たリードフレームとその治具孔を有するもので、治具孔
の径寸法を測定するものであることを特徴とする円孔の
径寸法測定方法。 - 【請求項３】 請求項２において、治具孔は貫通孔で、
透過照明によりその治具孔を含む領域を撮影し、画像処
理手段により治具孔画像の各画素データを所定のスライ
スレベルにより２値化して、２値化画像データから治具
孔画像の輪郭データを抽出するものであることを特徴と
する円孔の径寸法測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16736598A JP3923657B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 円孔の径寸法測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16736598A JP3923657B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 円孔の径寸法測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000002512A true JP2000002512A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3923657B2 JP3923657B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=15848371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16736598A Expired - Lifetime JP3923657B2 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | 円孔の径寸法測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3923657B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002267428A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Nec Corp | ランド外観検査装置およびランド外観検査方法 |
| KR20160087600A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 한화테크윈 주식회사 | 불량 검사 장치 및 방법 |
| CN112288693A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-29 | 佛山(华南)新材料研究院 | 圆孔检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN116907368A (zh) * | 2023-08-26 | 2023-10-20 | 广州市西克传感器有限公司 | 基于多个3d相机高度图单晶硅棒直径自动测量的方法 |
| CN117788554A (zh) * | 2024-02-23 | 2024-03-29 | 东莞市兆丰精密仪器有限公司 | 管道参数测量方法、电子设备以及存储介质 |
| CN118328897A (zh) * | 2024-06-14 | 2024-07-12 | 广东技术师范大学 | 一种钣金工件槽孔尺寸的测量方法 |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16736598A patent/JP3923657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002267428A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Nec Corp | ランド外観検査装置およびランド外観検査方法 |
| JP4590759B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2010-12-01 | 日本電気株式会社 | ランド外観検査装置およびランド外観検査方法 |
| KR20160087600A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 한화테크윈 주식회사 | 불량 검사 장치 및 방법 |
| CN112288693A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-29 | 佛山(华南)新材料研究院 | 圆孔检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN112288693B (zh) * | 2020-10-19 | 2024-02-13 | 佛山(华南)新材料研究院 | 圆孔检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
| CN116907368A (zh) * | 2023-08-26 | 2023-10-20 | 广州市西克传感器有限公司 | 基于多个3d相机高度图单晶硅棒直径自动测量的方法 |
| CN117788554A (zh) * | 2024-02-23 | 2024-03-29 | 东莞市兆丰精密仪器有限公司 | 管道参数测量方法、电子设备以及存储介质 |
| CN117788554B (zh) * | 2024-02-23 | 2024-05-28 | 东莞市兆丰精密仪器有限公司 | 管道参数测量方法、电子设备以及存储介质 |
| CN118328897A (zh) * | 2024-06-14 | 2024-07-12 | 广东技术师范大学 | 一种钣金工件槽孔尺寸的测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3923657B2 (ja) | 2007-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108802046B (zh) | 一种混合集成电路组件缺陷光学检测装置及其检测方法 | |
| JPH09504401A (ja) | ボールボンド検査システム用の方法および装置 | |
| JP2007311426A (ja) | 画像二値化処理方法、画像処理装置及びコンピュータプログラム | |
| JP5045591B2 (ja) | 検査領域の領域設定データの作成方法および基板外観検査装置 | |
| JP3923657B2 (ja) | 円孔の径寸法測定方法 | |
| JP5546364B2 (ja) | 半田検査方法 | |
| KR100291780B1 (ko) | 본딩와이어 검사장치 및 그 검사방법 | |
| JP3269170B2 (ja) | 電子部品の位置検出方法 | |
| JP3655046B2 (ja) | リードフレームの寸法測定方法 | |
| JPH10325707A (ja) | リードフレームの寸法測定方法 | |
| JPH07294450A (ja) | 高密度表面実装基板の半田付検査方法 | |
| JP3189642B2 (ja) | リード先端部の位置検出方法 | |
| JP3332001B2 (ja) | コンタクトプローブの針先認識方法 | |
| US20010020734A1 (en) | Management of a lateral deflection amount of a metal wire in a semiconductor device | |
| JPH0661321A (ja) | コンタクトプローブピンおよび半導体検査装置 | |
| JPH10318740A (ja) | リードフレームのめっき膜厚測定方法 | |
| JP2000163573A (ja) | 導電性ボールの検査方法 | |
| JPH10335900A (ja) | 電子部品の実装検査装置 | |
| JP2010283195A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JP3351313B2 (ja) | 形状検査方法及び装置 | |
| JP3057830U (ja) | 集積回路基板はんだ点の金属メッキの検出装置 | |
| JPH02150705A (ja) | 線状物体検査装置 | |
| JPH1137729A (ja) | 電子部品の成形端子の画像検査方法及びチップ型電子部品 | |
| CA3228832A1 (en) | An electronic component authentication system | |
| TW202326129A (zh) | 紅外線影像辨識導線缺陷之方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050608 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070123 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070130 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070222 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 |