IT201900000917A1 - Metodo di fabbricazione di un componente integrato con occupazione spaziale migliorata, e componente integrato - Google Patents

Description

DESCRIZIONE

del brevetto per invenzione industriale dal titolo:

“METODO DI FABBRICAZIONE DI UN COMPONENTE INTEGRATO CON OCCUPAZIONE SPAZIALE MIGLIORATA, E COMPONENTE INTEGRATO”

La presente invenzione è relativa ad un metodo di fabbricazione di un componente integrato, e al componente integrato. In particolare, la presente invenzione è relativa ad un metodo di fabbricazione di un componente comprendente un microspecchio ed un transistore Thermal MOS (TMOS), in particolare atto ad essere utilizzato in un sistema di ricostruzione 3D di un corpo irradiato con radiazione nel vicino infrarosso (“Near InfraRed” - NIR).

Esami medici di tipo noto prevedono la generazione di immagini 3D ottenute a partire da un corpo irradiato con radiazione NIR, permettendo di ricostruire lo spettro termico del corpo stesso e di conseguenza di identificare potenziali malattie o disturbi quali ad esempio artrite reumatoide, sindrome di Raynaud, osteoartrite del ginocchio, ecc. Sono noti diversi sistemi per eseguire tali esami medici, che richiedono sia una sorgente luminosa nello spettro NIR, per irradiare tramite radiazione incidente la porzione di corpo del paziente sotto esame, sia un rilevatore atto a misurare la radiazione uscente dalla porzione di corpo irradiata. Vengono quindi generati fasci di radiazione incidente ampi e scarsamente localizzati, con conseguente riduzione di precisione e accuratezza del segnale emesso dal corpo sotto esame ed acquisito dal rilevatore.

Rilevatori di tipo noto prevedono l’uso di un transistore TMOS. Il TMOS è un dispositivo transistore a effetto di campo tipicamente utilizzato in applicazioni sensoristiche per determinare la quantità di radiazione emessa da un oggetto o corpo sotto esame. La radiazione emessa, ricevuta dal TMOS, causa la generazione di portatori di carica in corrispondenza del canale conduttivo del TMOS e, quindi, una variazione della corrente di uscita; quest’ultima può essere messa in relazione con l’entità della radiazione emessa dall’oggetto sotto esame.

È inoltre noto utilizzare uno specchio di dimensioni micrometriche (microspecchio MEMS), al fine di deflettere e indirizzare la radiazione che deve incidere sul corpo sotto esame verso una regione specifica del corpo. Generalmente, il microspecchio viene fabbricato depositando un metallo, quale oro o alluminio, su una massa mobile di una piastrina (“die”), al fine di creare una superficie riflettente (es., per raggiungere riflettività maggiori del 98%). L’attuazione della massa mobile del microspecchio è tipicamente di tipo piezoelettrico, capacitivo o magnetico.

In particolare, l’attuazione di tipo capacitivo è resa possibile tramite correnti elettriche che vengono fornite ad uno statore e ad un rotore del microspecchio. Tali correnti elettriche generano una differenza di capacità ai capi della massa mobile del microspecchio, la cui massa, soggetta ad un momento torcente, può essere comandata. Il microspecchio è tipicamente attuato alla frequenza di risonanza della massa mobile.

I sistemi di tipo noto hanno diversi svantaggi. In particolare, i sistemi di tipo noto sono costituiti da numerose componenti fisicamente separate tra loro. Questo comporta un aumento delle dimensioni del sistema nel suo complesso ed una difficoltà nell’ottenere un funzionamento sinergico delle componenti di tale sistema (es., esiste una effettiva difficoltà nell’orientare la radiazione in corrispondenza di un punto specifico del corpo da analizzare e rilevare la radiazione emessa dal corpo con elevata precisione).

Scopo della presente invenzione è fornire un metodo di fabbricazione di un componente integrato, e un componente integrato, che superino i limiti dello stato dell’arte.

Secondo la presente invenzione vengono realizzati un metodo di fabbricazione di un componente integrato, e un componente integrato, come definiti nelle rivendicazioni allegate.

Per una migliore comprensione della presente invenzione viene ora descritta una forma di realizzazione preferita, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento ai disegni allegati, nei quali:

- le figure 1-11 mostrano, in vista in sezione laterale, fasi di fabbricazione di un componente integrato secondo una forma di realizzazione della presente invenzione;

- la figura 12 mostra schematicamente un sistema che include il componente integrato fabbricato secondo le fasi delle figure 1-11; e

- la figura 13 mostra un componente integrato secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione.

Le figure 1-11 illustrano, in vista in sezione laterale in un sistema di riferimento Cartesiano triassiale X, Y, Z, fasi di fabbricazione di un componente integrato 1 illustrato, nel suo complesso, in figura 11. Il componente integrato 1 comprende un dispositivo rilevatore, in particolare un transistore TMOS, ed un microspecchio, in particolare realizzato in tecnologia MEMS, come meglio illustrato nel seguito.

Con riferimento alla figura 1, viene disposta una prima fetta (“wafer”) 100 includente un substrato 2, di materiale semiconduttore quale ad esempio silicio, includente una superficie superiore 2a opposta, lungo Z, ad una superficie inferiore 2b. Lo spessore del substrato 2, misurato lungo Z tra la superficie superiore 2a e la superficie inferiore 2b, è ad esempio compreso tra 300 µm e 600 µm. Uno strato isolante 9, qui di ossido di silicio (ossido termico), circonda il substrato 2, ed ha esemplificativamente uno spessore di circa 1µm.

Sempre con riferimento alla figura 1, lo strato isolante 9 viene sagomato (“shaped”) mediante fasi di per sé note di litografia e attacco (“etching”), per rimuovere porzioni selettive dello stesso in corrispondenza della superficie superiore 2a. Più in particolare, lo strato isolante 9 viene rimosso in corrispondenza di regioni della superficie superiore 2a in cui si desidera formare almeno due anelli di bonding, in cui un primo anello di bonding è identificato con il numero di riferimento 4 (con sezioni 4a e 4b) ed un secondo anello di bonding è identificato con il numero di riferimento 5 (con sezioni 5a e 5b). Inoltre, lo strato isolante 9 viene altresì rimosso in corrispondenza di regioni della superficie superiore 2a in cui si desidera formare almeno una piazzola di bonding 3, ed almeno un contatto metallico 8. Lo strato isolante 9 viene altresì rimosso in corrispondenza di regioni della superficie superiore 2a in cui si formeranno trincee utili al funzionamento del transistore TMOS e del microspecchio, in particolare in corrispondenza delle porzioni della superficie superiore 2a delimitate internamente dagli anelli di bonding 4 e 5, come meglio illustrato in seguito.

Si procede quindi con una fase di impianto mascherato, in modo di per sé noto, per formare, in corrispondenza della superficie superiore 2a, una regione impiantata 10, in particolare di tipo N. La regione impiantata 10 si estende in corrispondenza di una porzione della superficie superiore 2a compresa tra l’anello di bonding 4 e l’anello di bonding 5.

La formazione degli anelli di bonding 4 e 5, della piazzola di bonding 3 e del contatto metallico 8 avviene, in una forma di realizzazione, contestualmente, ed include una fase di deposito di uno strato metallico sulla superficie superiore 2a del substrato 2, in particolare germanio depositato ad esempio mediante polverizzazione (“sputtering”), ed una successiva fase di definizione fotolitografica ed attacco di tale strato metallico depositato. La fotolitografia e la successiva fase di attacco sono eseguite utilizzando una maschera opportuna, configurata per definire la forma e l’estensione desiderata degli anelli di bonding 4 e 5, della piazzola di bonding 3 e del contatto metallico 8 (secondo progetto).

Gli anelli di bonding 4, 5 e la piazzola di bonding 3 sono formati in contatto elettrico con il substrato 2. Il contatto metallico 8 è formato in corrispondenza di, ed in contatto elettrico con, la regione drogata 10. Tale regione drogata 10 perfeziona un collegamento elettrico tra il contatto metallico 8 ed il substrato 2; il contatto metallico 8 ha, in uso, la funzione di terminale di riferimento di terra.

Con riferimento alla figura 2, viene eseguita una fase di attacco della prima ta 100 per formare una prima trincea 16 (utile al funzionamento del microspecchio). A questo fine, si utilizza una prima maschera 15, che presenta una prima apertura 15a; la prima maschera 15 è tale per cui, quando utilizzata, essa copre la superficie superiore 2a del substrato 2 ad eccezione di una regione superficiale di quest’ultimo destinata ad alloggiare la prima trincea 16 (cioè, in corrispondenza della prima apertura 15a). Più in particolare, la prima trincea 16 viene formata all’interno del secondo anello di bonding 5, ossia, in vista in sezione, tra le sezioni 5a e 5b del secondo anello di bonding 5. Una fase di attacco secco (“dry etching”), illustrata mediante frecce 17, consente di rimuovere porzioni del substrato 2 non protette dalla prima maschera 15. L’attacco secco procede fino ad una profondità z1, misurata lungo la direzione Z a partire dalla superficie superiore 2a, pari ad alcune decine di micrometri, ad esempio 60 µm. Secondo una forma di realizzazione, la prima trincea 16 è realizzata mediante “deep reactive ion etching” (DRIE).

Quindi, figura 3, si procede alla formazione di una seconda trincea 21 (utile al funzionamento del TMOS) e si completa altresì la formazione della prima trincea 16, utilizzando una seconda maschera di attacco 20. In particolare, la seconda maschera 20 presenta un prima apertura analoga alla prima apertura 15a già presente nella prima maschera 15 (e per questo motivo identificata con lo stesso numero di riferimento) ed una seconda apertura 20a in corrispondenza della regione superficiale in cui si desidera formare la seconda trincea 21. Più in particolare, la seconda trincea 21 viene formata all’interno del primo anello di bonding 4 (cioè, in vista in sezione, tra le sezioni 4a e 4b del primo anello di bonding 4).

Eseguendo un attacco secco (identificato dalle frecce 22), in particolare dello stesso tipo dell’attacco di figura 2, il substrato 2 viene selettivamente rimosso formando la seconda trincea 21 e continuando l’attacco della prima trincea 16. L’attacco di figura 3 procede fino a raggiungere una profondità della prima trincea 16 pari a circa 160µm lungo l’asse Z, ed una profondità z2 della seconda trincea 21 pari a circa 100µm (misurati lungo l’asse Z, a partire dalla superficie superiore 2a).

La prima trincea 16 e la seconda trincea 21 distano fra loro, lungo la direzione dell’asse X in vista in sezione, di una distanza x1 pari ad alcune centinaia di micrometri (ad esempio, 100-200 µm).

Un ulteriore fase di etching (es., RIE), utilizzando la prima maschera 15 di figura 2 (o maschera analoga, presentante l’apertura 15a in corrispondenza della trincea 16), è eseguita per generare, in modo di per sé noto, l’annerimento della prima trincea 16, al fine di ottenere silicio nero (“black silicon”). Il silicio nero presenta un alto coefficiente di assorbimento della radiazione, tipicamente maggiore del 95%, in particolare pari al, o maggiore del, 99% ed è utilizzato per ridurre, durante l’uso, una riflessione di radiazione luminosa indesiderata dalla prima trincea 16 verso il microspecchio.

Altre metodologie per ridurre la riflettività della prima trincea 16 possono essere implementate, in modo di per sé noto al tecnico del ramo, ad esempio tramite deposito di materiale non riflettente (es. nero di carbone, o “carbon black”, o altri materiali organici atti allo scopo).

Alternativamente, la fase di annerimento della prima trincea può essere eseguita utilizzando la seconda maschera 20 di figura 3; in questo caso, il processo di annerimento del silicio causa, oltre all’annerimento della prima trincea 16, anche l’annerimento della seconda trincea 21. In questa forma di realizzazione, si ha il vantaggio di velocizzare le fasi di fabbricazione in quanto si sfrutta la seconda maschera 20 già presente dopo le fasi di attacco di figura 3.

Con riferimento alla figura 4, viene ora mostrata una seconda fetta 200, prelavorata. La fetta 200 è illustrata in vista in sezione laterale, nello stesso sistema di riferimento triassiale X, Y, z di figura 1.

La seconda fetta 200 è fabbricata in tecnologia CMOS tramite processi e tecniche di per sé noti che non fanno parte della presente invenzione.

La seconda fetta 200 comprende un substrato 28 di materiale semiconduttore (di spessore compreso tra 500 µm e 900 µm, preferibilmente 750 µm), quale ad esempio silicio, su cui si estende un corpo strutturale 32. Il corpo strutturale 32 presenta una prima superficie 32a e una seconda superficie 32b, tra cui si estendono una regione 29 (es., includente uno o più strati di silicio epitassiale, strati dielettrici e strati metallici) ed uno strato isolante 33 interposto tra la regione 29 ed il substrato 28. Lo strato isolante 33 ha la funzione di isolante elettrico verso il substrato 28.

La seconda fetta 200 comprende un terzo anello di bonding 40 (sezioni 40a e 40b sono illustrate in figura 4) ed un quarto anello di bonding 42 (sezioni 42a e 42b sono illustrate in figura 4). Sia il terzo anello di bonding 40 che il quarto anello di bonding 42 sono di materiale metallico scelto in modo tale per cui esso formi una lega eutettica con il materiale metallico utilizzato per formare il primo ed il secondo anello di bonding 4, 5 della fetta 100. In una forma di realizzazione, il materiale metallico del primo e secondo anello di bonding 4, 5 è germanio, ed il materiale metallico del terzo e quarto anello di bonding 40, 42 è alluminio. La formazione della lega eutettica include una fase di bonding ad una temperatura tra 200°C e 400°C, così da generare una lega metallica fra alluminio e germanio che realizza un bonding permanente.

In particolare, quando accoppiati tra loro, il quarto anello di bonding 42 ed il primo anello di bonding 4 formano un legame che garantisce una tenuta stagna, ovvero impedisce un passaggio di molecole di gas (es., aria) attraverso di esso. Lo stesso è valido per l’accoppiamento tra il terzo anello di bonding 40 ed il secondo anello di bonding 5.

Secondo un aspetto della presente invenzione, la regione 29 alloggia un transistore TMOS 26, integrato nella regione 29 ed affacciato alla prima superficie 32a del corpo strutturale 32. Il transistore TMOS 26 si estende internamente al quarto anello di bonding 42. Il transistore TMOS 26 è elettricamente accoppiato ad una piazzola conduttiva 38 (es., di germanio) che si estende sulla prima superficie 32a del corpo strutturale 32, esternamente al quarto anello di bonding 42.

Una o più vie passanti conduttive 35, in contatto elettrico con la piazzola conduttiva 38, si estendono completamente attraverso la regione 29 e lo strato isolante 33, fino a raggiungere e contattare il substrato 28. L’una o più e vie passanti conduttive 35 sono elettricamente isolate dalla regione 29. La piazzola conduttiva 38 è altresì in collegamento elettrico con il TMOS 26 ed ha la funzione di ricevere il segnale di uscita del TMOS 26. A questo fine, il substrato 28 è di tipo drogato (es., di tipo N), o presenta regioni drogate (es., di tipo N), o percorsi conduttivi (es., metallici) per trasportare il segnale del TMOS verso piazzole conduttive di prelevamento di tale segnale.

La piazzola conduttiva 38 è elettricamente isolata dalla regione 29 mediante uno strato dielettrico inferiore 34, che si estende tra la piazzola conduttiva 38 e la regione 29 ad eccezione della porzione in cui sono presenti le passanti conduttive 35, e lateralmente isolata mediante uno strato dielettrico laterale 36. Lo strato dielettrico 36 espone una porzione superiore della piazzola conduttiva 38, per consentirne il contatto elettrico superiore, come meglio illustrato in seguito.

Un contatto metallico 44, avente la funzione di contatto di riferimento di terra, si estende sulla prima superficie 32a del corpo strutturale 32 tra il terzo anello di bonding 40 ed il quarto anello di bonding 42.

Una via passante conduttiva 46 si estende attraverso la regione 29 in corrispondenza del contatto metallico 44, collegando elettricamente il contatto metallico 44 con il substrato 28.

Con riferimento alla figura 5, la prima superficie 32a del corpo strutturale 32 viene ricoperta da uno strato di materiale passivante 50 quale ad esempio nitruro di silicio (Si3N4), ad esempio di spessore tra 1-3 µm.

Lo strato passivante 50 viene sagomato mediante fasi di litografia e attacco, utilizzando una terza maschera 52 e attaccando selettivamente lo strato passivante 50. In particolare, la terza maschera 52 copre e protegge dall’attacco le porzioni dello strato passivante 50 che si estendono in corrispondenza del transistore TMOS 26, del terzo anello di bonding 40, del quarto anello di bonding 42, del contatto metallico 44, della piazzola conduttiva 38, e dello strato dielettrico 36 che isola lateralmente la piazzola conduttiva 38.

Quindi, figura 6, viene eseguito un secondo attacco, quale ad esempio attacco secco (“dry etching”) oppure DRIE, per rimuovere porzioni selettive del corpo strutturale 32 in corrispondenza delle regioni esposte (cioè, non più coperte dallo strato passivante 50). In questa fase, lo strato passivante 50 funge da maschera di attacco, a protezione delle regioni superficiali della fetta 200 coperte dallo strato passivante 50. La rimozione delle porzioni selettive del corpo strutturale 32 prosegue fino a raggiungere il substrato 28.

Quindi, lo strato passivante 50 viene completamente rimosso dalla fetta 200. Le porzioni della fetta 200 che erano state coperte dalla terza maschera 52 durante l’attacco 51 di figura 5 vengono così scoperte.

Sempre con riferimento alla figura 6, il terzo anello di bonding 40 delimita superiormente una prima regione ad anello 60 formata da una porzione del corpo strutturale 32 non precedentemente rimossa e che si estende al di sotto del terzo anello di bonding 40. Il quarto anello di bonding 42 delimita superiormente una seconda regione ad anello 62 formata da una rispettiva porzione del corpo strutturale 32 non precedentemente rimossa e che si estende al di sotto del quarto anello di bonding 42. Una regione 64 alloggia completamente il transistore TMOS 26, mentre una regione 66 alloggia completamente le vie passanti conduttive 35 e la piazzola conduttiva 38, ed è coperta superficialmente dallo strato dielettrico 36. È inoltre formata una regione 68, delimitata superiormente dal contatto metallico 44, ed alloggiante la via passante conduttiva 46.

Con riferimento alla figura 7, la fetta 200 di figura 6 viene ruotata di 180° e posta a contatto con la fetta 100 di figura 3, secondo un procedimento noto come “flip-chip”.

In particolare, tale procedimento viene eseguito in modo tale da mettere in contatto elettrico: la piazzola di bonding 3 con la piazzola conduttiva 38; il contatto metallico 44 con il contatto metallico 8; il primo anello di bonding 4 con il quarto anello di bonding 42; e il secondo anello di bonding 5 con il terzo anello di bonding 40.

Si ottiene così una pila (“stack”) 250 formata dalla fetta 200 sovrapposta, lungo Z, alla fetta 100.

I contatti elettrici così formati vengono poi scaldati, ad esempio mediante una fase di riscaldamento a temperatura compresa tra 200°C e 400°C della pila 250, per creare una lega eutettica fra il metallo degli elementi 3, 4, 8, 5 ed il metallo dei rispettivi elementi 38, 42, 44e 40.

Il contatto fra il primo anello di bonding 4 e il quarto anello di bonding 42 definisce una prima camera 70 che è atta ad alloggiare il transistore TMOS 26, che risulta così affacciato alla seconda trincea 21.

Il contatto fra il secondo anello di bonding 5 e il terzo anello di bonding 40 definisce una seconda camera 72 che è atta ad alloggiare il microspecchio, che risulterà così affacciato alla prima trincea 16.

Il substrato 28 presenta una prima superficie 80a ed una seconda superficie 80b, opposte tra loro lungo l’asse Z. La seconda superficie 80b del substrato 28 (appartenente alla fetta 200) è rivolta verso la prima superficie 2a del substrato 2 (appartenente alla fetta 100). La prima superficie 80a del substrato 28 è invece esposta verso un ambiente esterno.

Si procede quindi ad una lappatura della prima superficie 80a del substrato 28, riducendone, se necessario, lo spessore lungo l’asse Z fino a raggiungere uno spessore finale di alcune decine di micrometri e pari, ad esempio, a circa 65 µm.

Vengono quindi formati, sulla prima superficie 80a del substrato 28, con tecniche note di deposizione, litografia e attacco, contatti metallici 74-77. I contatti metallici 74-77 sono ad esempio di alluminio, o titanio, o oro, o una loro lega titanio-oro. In particolare, il contatto metallico 74 è formato verticalmente allineato (cioè, lungo Z) alla piazzola conduttiva 38, il contatto metallico 75 è verticalmente allineato al contatto metallico 44, il contatto metallico 76 è, secondo una forma di realizzazione non limitativa, verticalmente allineato alla sezione 40a del terzo anello di bonding 40, e il contatto metallico 77 è, secondo una forma di realizzazione non limitativa, verticalmente allineato alla sezione 40b del terzo anello di bonding 40. Più in generale, ed in modo non limitativo della presente invenzione, i contatti metallici 76 e 77 sono verticalmente allineati a rispettive porzioni dell’anello di bonding 5 e dell’anello di bonding 40.

I contatti metallici 74 e 75 sono elettricamente accoppiati alla via passante conduttiva 35 e, rispettivamente, 46 mediante piste conduttive e/o vie passanti 71a, 71b interne al substrato 28 e precedentemente realizzate a tale scopo, mentre i contatti metallici 76, 77 sono elettricamente accoppiati al substrato 28 (o alle regioni conduttive di esso).

In questo modo il contatto metallico 74 forma una piazzola (“pad”) per fornire il segnale di corrente uscente dal transistore TMOS 26.

La via passante 35 collega il TMOS al contatto metallico 74 e passa internamente agli strati dielettrici dello stack fin qui formato. Il contatto 38, tipicamente utilizzato per il wire bonding per leggere il segnale in uscita è, in questo contesto, utilizzato come ulteriore strato di bonding. Dato che il TMOS 26 è capovolto a causa dell’operazione di flipchip precedentemente descritta, la via 35 portano il segnale al contatto metallico 74 attraverso il silicio, per consentire, ad esempio tramite wire bonding, la lettura del segnale del TMOS 26 in corrispondenza del contatto metallico 74. Il contatto metallico 75 è atto a fungere da contatto di terra per il microspecchio. Il contatto metallico 76 e il contatto metallico 77 alimentano le correnti di pilotaggio al rotore e allo statore del microspecchio, come meglio illustrato qui di seguito.

In particolare, con riferimento alla figura 8, si eseguono ulteriori fasi di litografia e attacco (non mostrati in dettaglio), per sagomare il substrato 28 in corrispondenza della superficie 80a.

In particolare, il substrato 28 viene attaccato per formare una pluralità di regioni funzionali.

Una prima regione 90 del substrato 28 è delimitata superiormente dal contatto metallico 74, e una seconda regione 91 è delimitata superiormente dal contatto metallico 75. La prima e la seconda regione 90, 91 hanno la funzione di definire punti di contatto elettrico per prelevare il segnale di uscita del TMOS 26 e, rispettivamente, per alimentare un segnale di riferimento di terra.

Una terza regione 92 del substrato 28 alloggia il transistore TMOS 26.

Una quarta regione 93 del substrato 28 forma una porzione del microspecchio, in particolare la massa mobile che porta l’elemento riflettente, sospesa sulla cavità 72 e sulla prima trincea 16 mediante molle torsionali di tipo di per sé noto.

Una quinta regione 94 del substrato 28 porta, superiormente, il contatto metallico 76 e forma il rotore del microspecchio. Una sesta regione 95 del substrato 28 porta, superiormente, il contatto metallico 77 e forma lo statore del microspecchio. Sia la quinta sezione 94 (rotore) che la sesta sezione 95 (statore) sono capacitivamente accoppiate alla quarta regione 93 (massa mobile), in modo di per sé noto e tale per cui, quando opportunamente polarizzate, generano una oscillazione della massa mobile del microspecchio. Lo statore ed il rotore del microspecchio vengono polarizzati, in uso, tramite i rispettivi contatti metallici 76 e 77.

Inoltre una settima regione 96 si estende in corrispondenza verticale con la sezione 42b del quarto anello di bonding 42; un’ottava regione 97 ed una nona regione 98 si estendono lateralmente alla prima regione 90.

Si nota che le regioni 90-97 precedentemente menzionate sono elettricamente isolate tra loro.

Con riferimento alla figura 9, una terza fetta 300 (es., di spessore compreso tra 300µm e 700µm, preferibilmente 400µm) viene accoppiata alla pila 250, in particolare al di sopra della seconda fetta 200.

In particolare, due o più elementi di accoppiamento (o bonding) 101a, 101b vengono disposti in modo da accoppiare meccanicamente la terza fetta 300 alla seconda fetta 200. In particolare, gli elementi di accoppiamento 101a, 101b sono disposti in modo tale da essere esterni ai contatti metallici 74 e, rispettivamente, 77. Ad esempio, l’elemento di accoppiamento 101a è accoppiato all’ottava sezione 97, mentre un elemento di accoppiamento 101b è accoppiato alla sesta sezione 95.

Gli elementi di accoppiamento 101a, 101b hanno forma, estensione e spessore tali da sostenere strutturalmente la terza fetta 300 e ad evitare il contatto della terza fetta 300 con la seconda fetta 200 (ad eccezione, chiaramente, dei punti di accoppiamento tra le due fetta 200, 300).

Gli elementi di accoppiamento 101a, 101b possono essere formati tramite sputtering di una lega metallica comprendente alluminio e rame, e fissati alle fette 300 e 200 tramite legame temporaneo a bassa temperatura (“low temperature, temporary, bonding”).

La terza fetta 300 ha la funzione di maschera protettiva e di maneggiamento (“handling”) della pila 250, e può essere realizzata in materiale semiconduttore, quale ad esempio silicio. La fetta 300 viene sottoposta a fasi di litografia e attacco per formare una apertura 310 in corrispondenza della massa mobile 93 del microspecchio. L’apertura 310 può essere formata precedentemente alla fase di accoppiamento tra la fetta 300 e la pila 250, oppure successivamente, secondo rispettive modalità evidenti al tecnico del ramo.

Si procede quindi con una fase di deposito di materiale riflettente, ad esempio materiale metallico, (fase indicata con frecce 105 in figura 9), che avviene per esempio tramite tecnica di sputtering. Tale fase di deposito metallico 105 permette di creare uno strato metallico 103 sulle zone non coperte dalla terza fetta 300, ovvero sulla quarta regione 93 (massa mobile del microspecchio). Lo strato metallico 103 può essere formato con un metallo altamente riflettente (per esempio con coefficiente di riflessione maggiore del 95% -tipicamente tra il 95% e 98%), quale ad esempio alluminio o oro, o AlCu. Si completa così la fabbricazione del microspecchio (indicato con il riferimento 104 in figura 9).

Terminata la deposizione metallica vengono rimossi sia la terza fetta 300 che gli elementi di accoppiamento 101a, 101b.

Si procede quindi con fasi di fabbricazione di un cappuccio protettivo della pila 250 così lavorata.

Una forma di realizzazione del cappuccio protettivo viene descritta nel seguito, con riferimento alle figure 10A-11.

Con riferimento alla figura 10A, una quarta fetta 400 viene lavorata per creare il cappuccio protettivo. In particolare, la quarta fetta 400 comprende un substrato 111 di materiale semiconduttore, quale ad esempio silicio, avente una prima superficie 111a ed una seconda superficie 111b. Lo spessore del substrato 111, tra la prima 111a e la seconda 111b superficie (cioè, lungo l’asse Z) è compreso tra circa 300 µm e 800 µm, ad esempio pari a 400 µm. Il substrato 111 può essere di tipo prelavorato ed includere, ad esempio, uno o più strati epitassiali.

In una fase di lavorazione, la quarta fetta 400 viene sottoposta a fasi di litografia e attacco per rimuovere porzioni selettive del substrato 111, al fine di formare un recesso 111a’ in corrispondenza della prima superficie 111a. Il recesso 111a’ è formato in una regione della fetta 400 che, in fasi di fabbricazione successive (figura 11) sarà orientata affacciata alla pila 250, in particolare affacciata al TMOS 26.

Il recesso 111a’ ha una profondità, lungo l’asse Z a partire dalla prima superficie 111a, pari, ad esempio, a circa 5 µm e una larghezza, lungo l’asse X, pari ad esempio a circa 50 µm. In vista superiore sul piano XY, il recesso ha forma quadrangolare, ad esempio quadrata, oppure circolare o genericamente poligonale. Il recesso 111a’ è configurato per alloggiare un materiale gas-assorbente, noto come “getter”, ed indicato in figura 10A con il riferimento 110.

Il getter 110 è solitamente di materiale depositato in forma di strato, e ha la funzione di assorbire molecole di gas specifiche. Materiali utilizzati come strato di getter sono noti, e comprendono ad esempio metalli quali alluminio (Al), bario (Ba), zirconio (Zr), titanio (Ti), vanadio (V), ferro (Fe), o relative miscele o leghe quali zirconioalluminio, zirconio-vanadio-ferro, zirconio-nichel, zirconio-cobalto (in particolare, una lega di Zr/Co/O). Il materiale di getter può essere depositato nel recesso 111a’ mediante un procedimento di lift-off. In questo caso, lo stesso fotoresist utilizzato per la definizione fotolitografica del recesso 111a’ viene mantenuto sulla fetta 400 anche durante la fase di deposito del materiale di getter. Una successiva fase di lift off consente di rimuovere il fotoresist dalla fetta 400 e mantenere il materiale di getter unicamente all’interno del recesso 111a’, in modo autoallineato.

Vengono inoltre formate una pluralità di regioni di accoppiamento, in particolare fritte di vetro (“glassfrit”), 112-114, le cui viste in sezione (112a, 112b; 113a, 113b; 114a, 114b) sono illustrate in figura 11A. Ciascuna regione di accoppiamento ha spessore, lungo l’asse Z, pari ad esempio a circa 5 µm e con larghezza, in vista in sezione lungo l’asse X, pari ad esempio a circa 10 µm.

La regione di accoppiamento 112 è, in vista superiore sul piano XY, un anello che racchiude internamente le regioni di accoppiamento 113, 114 e il getter 110. In una diversa forma di realizzazione, la regione di accoppiamento 112 non è un anello, ed è invece formata da una pluralità di regioni fisicamente separate tra loro.

La regione di accoppiamento 113 è, in vista superiore sul piano XY, un anello avente diametro maggiore della distanza, lungo X, tra lo statore ed il rotore del microspecchio 104 in modo tale per cui, quando la fetta 400 viene accoppiata alla pila 250 (figura 11), la regione di accoppiamento 113 si estende esternamente alle regioni di statore ed il rotore (o in corrispondenza di esse), circondando completamente il microspecchio 104.

Risulta evidente che la regione di accoppiamento 113 può non essere un anello, ed essere invece formata da una pluralità di regioni fisicamente separate tra loro e tali da circondare solo parzialmente il microspecchio 104. Infatti, il microspecchio 104 non necessità di essere allocato in una camera chiusa o a tenuta.

La regione di accoppiamento 114 è, in vista superiore sul piano XY, un anello che racchiude internamente il getter 110. Quando la fetta 400 viene accoppiata alla pila 250 (figura 11), la regione di accoppiamento 114 forma un accoppiamento a tenuta, isolando un ambiente interno, includente il getter, da un ambiente esterno, come meglio illustrato nel seguito. A questo fine, la regione di accoppiamento 114 circonda completamente il getter 110 e può in ogni caso avere forma diversa da quella circolare, ad esempio ovale o poligonale.

La struttura di figura 10A subisce poi, figura 10B, un processo di litografia e di attacco, ad esempio un attacco RIE o DRIE, per rimuovere porzioni selettive della quarta fetta 400, per il suo intero spessore.

In particolare, secondo la presente invenzione, la quarta fetta 400 viene attaccata in modo da rimuovere regioni della fetta 400 non protette superiormente dalle regioni di accoppiamento 112-114. La fetta 400 inoltre non viene attaccata in corrispondenza della superficie internamente delimitata dalla regione di accoppiamento 114 (dove il getter 110 è presente). Si formano così una pluralità di regioni strutturali di supporto 120-123, ed una regione di copertura 124.

Una prima apertura passante 131 si estende in corrispondenza del contatto di rotore 76, tra la regione strutturale di supporto 122 e la regione di copertura 124, ed è sagomata in modo tale da formare un accesso per contattare elettricamente (ad esempio, mediante “wire bonding”) il contatto di rotore 76. Una seconda apertura passante 133 si estende in corrispondenza del contatto di statore 77, tra la regione strutturale di supporto 120 e la regione strutturale di supporto 121, ed è sagomata in modo tale da formare un accesso per contattare elettricamente (ad esempio, mediante “wire bonding”) il contatto di statore 77. Una terza apertura passante 134 si estende in corrispondenza del microspecchio 104, tra la regione strutturale di supporto 121 e la regione strutturale di supporto 122, ed è sagomata in modo tale da formare un accesso ottico per la radiazione incidente sullo e uscente dallo strato riflettente 103 del microspecchio 104. Una quarta apertura passante 135 si estende in corrispondenza del contatto metallico 74, tra la regione strutturale di supporto 123 e la regione di copertura 124, ed è sagomata in modo tale da formare un accesso per contattare elettricamente (ad esempio, mediante “wire bonding”) il contatto metallico 74.

Come mostrato in riferimento alla figura 11, la struttura di figura 10B viene posta a contatto con la pila 250 di figura 10 (procedimento di “flip-chip”).

In particolare, la regione di accoppiamento 112, più esterna, è posta in contatto con l’ottava regione 97 e con la sesta sezione 95 della seconda fetta 200; la regione di accoppiamento 114 è posta in contatto con la nona regione 98 e con la settima sezione 96; la regione di accoppiamento 113 è posta in contatto con la quinta sezione 94 e con la sesta sezione 95.

Più in dettaglio, la regione di accoppiamento 112 si estende esternamente ai contatti metallici 74 e 77, che risultano accessibili dall’esterno attraverso i fori precedentemente scavati attraverso la fetta 400; la regione di accoppiamento 114 circonda completamente, in vista superiore sul piano XY, il TMOS 26, formando a camera a tenuta 140, fluidicamente isolata dall’ambiente esterno a tale camera 140; la regione di accoppiamento 113 circonda (almeno parzialmente, come precedentemente descritto) la massa mobile del microspecchio 104, esponendo lo strato riflettente del microspecchio 104 che risulta così accessibile dall’esterno per un raggio luminoso incidente su di esso. Anche i contatti metallici 76 e 75 sono accessibili attraverso i fori precedentemente praticati attraverso la fetta 400.

Dopo l’accoppiamento tra la fetta 400 e la pila 250, la struttura così formata (pila 450) viene riscaldata ad alta temperatura (ad esempio 350-450°C), per causare una fusione della fritta di vetro delle regioni di accoppiamento 112-114 e realizzare un bonding permanente della fetta 400 alla fetta 200.

Si procede quindi all’attivazione del getter 110, per generare una pressione P1 interna alla camera 140 che alloggia il TMOS inferiore alla pressione P2 esterna alla camera 140. Ad esempio, la pressione P1 è ad esempio compresa tra 10<-2 >e 10<-3 >mbar.

Il microspecchio 104 (in particolare, la massa mobile) viene attuato per via capacitiva, polarizzando opportunamente (in modo di per sé noto e non oggetto della presente invenzione) il rotore (ovvero la quinta sezione 94, fornendo la polarizzazione tramite il contatto metallico 76) e lo statore (fornendo la polarizzazione tramite il contatto metallico 77). Tale polarizzazione causa uno sbilanciamento della massa mobile, che viene attuata in oscillazione, in particolare alla sua frequenza di risonanza.

Con riferimento congiunto alle figure 11 e 12, durante l’uso, il microspecchio 104 riceve una radiazione luminosa R1 in corrispondenza dello strato riflettente attraverso la relativa apertura nella fetta 400, ed indirizza una radiazione luminosa riflessa R2 verso un punto nello spazio o un corpo 150 (ad esempio una regione del corpo umano di un paziente).

L’incidenza di tale radiazione luminosa R2 sul corpo 150 causa un aumento della temperatura del medesimo, ed una conseguente emissione di radiazione R3 da parte di tale corpo 150, con una intensità dipendente dalla temperatura del corpo 150 stesso.

Poiché il transistore TMOS 26 è sensibile alla radiazione elettromagnetica R3 emessa dal corpo 150, l’innalzamento di temperatura di quest’ultimo viene rilevato dal transistore TMOS 26 e trasdotto in un segnale di corrente in uscita dal transistore TMOS 26. Il vuoto presente nella camera 140 che alloggia il TMOS 26 disaccoppia termicamente la camera 140 dall’ambiente esterno, e permette di incrementare l’accuratezza della misura.

Nonostante la radiazione elettromagnetica R3 emessa dal corpo 150 riscaldato incida sul retro del transistore TMOS 26, ciò non crea problemi di misurazione poiché la misura di temperatura risulta essere indipendente dalla direzione di incidenza della radiazione elettromagnetica sul transistore TMOS 26.

È inoltre noto che un corpo caldo emette radiazione elettromagnetica nelle frequenze dell’infrarosso, e che tale radiazione elettromagnetica non viene assorbita e bloccata in modo rilevante da uno strato di materiale semiconduttore di spessore pari ad alcune centinaia di micrometri, quale è la regione 124 della fetta 400 che copre la camera 140. Di conseguenza la regione di copertura 124 non impedisce alla radiazione elettromagnetica di raggiungere il transistore TMOS 26 per essere rilevata.

È invece opportuno che la regione al di sopra del microspecchio 104 non sia coperta da uno strato di materiale tale da bloccare la radiazione luminosa incidente sullo strato riflettente.

Il segnale elettrico generato in uscita dal transistore TMOS 26 viene acquisito tramite il contatto metallico 74, per essere successivamente elaborato.

La figura 13 mostra una ulteriore forma di realizzazione del cappuccio protettivo, secondo un ulteriore aspetto della presente invenzione.

In questo caso, il cappuccio non viene ottenuto tramite la lavorazione di una fetta 400 di materiale semiconduttore, ma utilizzando una fetta 500 di materiale trasparente alla radiazione luminosa che, in uso, incide sullo strato riflettente del microspecchio 104 (ad esempio, vetro).

La fetta 500 viene lavorata con tecniche di per sé note in maniera analoga a quanto mostrato nelle figure 10A, 10B per la fetta 400, formando una regione di copertura 124’ per il TMOS 26 analoga alla regione di copertura 124 precedentemente descritta ed avente analoghe funzioni. Tuttavia, in questo caso, vengono formate aperture passanti attraverso la fetta 500 solo in corrispondenza delle regioni che (quando la fetta 500 e la pila 250 sono accoppiate tra loro) risultano allineate lungo l’asse Z ai contatti metallici 74, 75, 76 e 77.

L’accoppiamento tra la fetta 500 e la pila 250 avviene mediante procedimento di flip-chip, ottenendo la pila 550 di figura 14.

Nella forma di realizzazione di figura 13, è assente il getter.

È invece presente una regione di copertura 125 (es., come detto, di vetro) estendentesi al di sopra dello strato riflettente del microspecchio 104.

La fetta 500 è accoppiata alla fetta 200 mediante regioni di accoppiamento 112-114 analoghe a quelle descritte con riferimento alle figure 10A-11 e per questo identificate con gli stessi numeri di riferimento.

Per ottenere la pressione P1(<P2) interna alla camera 140 che alloggia il TMOS 26, l’accoppiamento tra la fetta 500 e la pila 250 viene effettuato in un ambiente a pressione P1.

La regione di copertura microspecchio 125 permette di proteggere il microspecchio 104, e allo stesso tempo di lasciar penetrare la radiazione luminosa proveniente dall’esterno ed incidente, in uso, sullo strato riflettente della massa mobile.

In questa forma di realizzazione, sia la camera del microspecchio 141 che la camera del TMOS 140 sono in condizione di bassa pressione (P1).

Da un esame delle caratteristiche del trovato realizzato secondo la presente invenzione sono evidenti i vantaggi che essa consente di ottenere.

In particolare, l’integrazione di un microspecchio e di un transistore TMOS nella stessa fetta permette di ridurre l’area necessaria per la fabbricazione del sistema comprendente TMOS e microspecchio, e dunque di realizzare un dispositivo piccolo e maneggevole.

La misura del transistore TMOS risulta più accurata rispetto a quanto trovato nell’arte nota, e ciò è dovuto alla possibilità di controllare la radiazione incidente sul corpo da scaldare tramite il microspecchio, in maniera efficiente e precisa.

L’utilizzo di un sistema compatto e integrato permette di ridurre il tempo necessario ad ottenere il risultato della misura, e ne permette inoltre l’utilizzo a temperatura ambiente.

L’uso di un transistore TMOS integrato con un microspecchio facilita l’individuazione di note malattie e di disturbi, con conseguenti effetti positivi sulla prevenzione sanitaria.

Tale componente integrato può inoltre essere facilmente generalizzato per sopperire a molteplici necessità, non esclusivamente in ambito diagnostico. Tali varianti possono essere ottenute regolando i parametri del transistore TMOS in funzione della frequenza nell’infrarosso che si intende misurare, e che dipende dall’applicazione stessa.

Risulta infine chiaro che al trovato qui descritto ed illustrato possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall’ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.

In particolare, una forma di realizzazione alternativa comprende un componente integrato 1 in cui la regione di copertura 124 è assente. Di conseguenza, il transistore TMOS 26 non è isolato fluidicamente e termicamente dall’ambiente esterno. Rumore nella misura della radiazione elettromagnetica R3 da parte del transistore TMOS 26, dovuto per esempio a fluttuazioni termiche dell’ambiente esterno, può essere eliminato eseguendo detta misura in modalità differenziale con l’ausilio ad esempio di un sensore di temperatura integrato nel componente 1, o diversamente accoppiato al componente 1, o disposto in prossimità del componente 1. Tale sensore di temperatura è atto a registrare la temperatura dell’ambiente esterno e a fornire in uscita un segnale elettrico ad essa proporzionale: l’effetto delle fluttuazioni termiche dell’ambiente esterno può così essere sottratto al segnale elettrico uscente dal transistore TMOS 26, permettendo di mantenere un’elevata accuratezza di misura anche in assenza della regione di copertura 124 e della camera a tenuta 140.

Claims (18)

1. RIVENDICAZIONI 1. Metodo di fabbricazione di un componente integrato (1), comprendente le fasi di: - disporre una prima fetta (100) di materiale semiconduttore, avente una superficie (2a); - disporre una seconda fetta (200) di materiale semiconduttore, includente un substrato (28) ed uno strato strutturale (32) sul substrato (28), lo strato strutturale (32) integrando un dispositivo rilevatore (26) di una radiazione elettromagnetica (R3); - accoppiare lo strato strutturale (32) della seconda fetta (200) alla superficie (2a) della prima fetta (100); e - processare il substrato (28) della seconda fetta (200) per formare uno statore (95), un rotore (94) ed una massa mobile (93) di un microspecchio (104), detti statore (95) e rotore (94) formando un gruppo di pilotaggio capacitivo della massa mobile (93).
2. 2. Metodo secondo la rivendicazione 1, comprendente inoltre la fase di accoppiare un primo cappuccio (”cap”) (124) al substrato (28) in corrispondenza del dispositivo rilevatore (26), e in cui le fasi di accoppiare lo strato strutturale (32) alla superficie (2a) e accoppiare il cappuccio (124) al substrato (28) sono eseguite in modo da formare una prima camera a tenuta di gas (“airtight”) (140) che alloggia detto dispositivo rilevatore (26).
3. 3. Metodo secondo la rivendicazione 2, comprendente inoltre le fasi di: formare un contatto di statore (77) elettricamente accoppiato allo statore (95) del microspecchio (104); formare un contatto di rotore (76) elettricamente accoppiato al rotore (94) del microspecchio (104), in cui accoppiare il primo cappuccio (124) al substrato (28) include accoppiare una terza fetta (400) al substrato (28), e sagomare la terza fetta (400) in modo da formare: detto primo cappuccio (124), una prima apertura passante (131) in corrispondenza del contatto di rotore (76) e una seconda apertura passante (133) in corrispondenza del contatto di statore (77).
4. 4. Metodo secondo la rivendicazione 2 o 3, comprendente inoltre la fase di accoppiare un secondo cappuccio (”cap”) (124’) al substrato (28) in corrispondenza del microspecchio (104), e in cui le fasi di accoppiare lo strato strutturale (32) a detta superficie (2a) e accoppiare il secondo cappuccio (”cap”) (124’) al substrato (28) sono eseguite in modo da formare una seconda camera a tenuta di gas (“airtight”) (141) che alloggia detto microspecchio (104).
5. 5. Metodo secondo la rivendicazione 4 quando dipendente dalla rivendicazione 3, in cui accoppiare il secondo cappuccio (124’) al substrato (28) include sagomare la terza fetta (500) in modo da formare: detto primo cappuccio (124), detto secondo cappuccio (124’), la prima apertura passante (131) e la seconda apertura passante (133).
6. 6. Metodo secondo la rivendicazione 4 o 5, in cui il primo cappuccio (124) e il secondo cappuccio (124’) sono formati congiuntamente lavorando una stessa fetta (500) di vetro.
7. 7. Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la fase di accoppiare lo strato strutturale (32) della seconda fetta (200) alla superficie (2a) della prima fetta (100) include: formare un primo anello di accoppiamento (42), di un primo materiale, sullo strato strutturale (32), circondando il dispositivo rilevatore (26), formare un secondo anello di accoppiamento (4), di un secondo materiale, sulla superficie (2a) della prima fetta (100), mettere in contatto reciproco il primo ed il secondo anello di accoppiamento, eseguire un trattamento termico atto a creare un legame eutettico tra il primo ed il secondo materiale.
8. 8. Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 2-7, comprendente inoltre la fase di formare un recesso (111a’) nel cappuccio (124), affacciato sulla camera a tenuta di gas (140) e configurato per alloggiare uno strato getter (110).
9. 9. Metodo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente inoltre le fasi di: formare nella prima fetta (100), a partire dalla superficie (2a), una prima trincea (16) e una seconda trincea (21); e processare almeno la prima trincea (16) per ridurne la riflettività, in cui la fase di accoppiare lo strato strutturale (32) della seconda fetta (200) alla superficie (2a) della prima fetta (100) include disporre la seconda trincea (21) affacciata al dispositivo rilevatore (26), e in cui la fase di processare il substrato (28) della seconda fetta (200) include formare lo statore (95), il rotore (94) ed la massa mobile (93) affacciati alla prima trincea (16).
10. 10. Componente integrato (1) comprendente: - una prima fetta (100) di materiale semiconduttore, avente una superficie (2a); e - una seconda fetta (200) di materiale semiconduttore, includente un substrato (28) ed uno strato strutturale (32) sul substrato (28), lo strato strutturale (32) integrando un dispositivo rilevatore (26) di una radiazione elettromagnetica (R3), in cui lo strato strutturale (32) della seconda fetta (200) è accoppiato alla superficie (2a) della prima fetta (100), e in cui uno statore (95), un rotore (94) ed una massa mobile (93) di un microspecchio (104) sono integrati nel substrato (28) della seconda fetta (200), detti statore (95) e rotore (94) formando un gruppo di pilotaggio capacitivo della massa mobile (93).
11. 11. Componente integrato secondo la rivendicazione 10, in cui un primo cappuccio (”cap”) (124) è inoltre accoppiato al substrato (28) in corrispondenza del dispositivo rilevatore (26), e in cui lo strato strutturale (32) ed il cappuccio (124) sono accoppiati, rispettivamente, alla superficie (2a) e al substrato (28) in modo da definire una prima camera a tenuta di gas (“airtight”) (140) che alloggia detto dispositivo rilevatore (26).
12. 12. Componente integrato secondo la rivendicazione 11, comprendente inoltre: un contatto di statore (77), elettricamente accoppiato allo statore (95) del microspecchio (104); un contatto di rotore (76), elettricamente accoppiato al rotore (94) del microspecchio (104); e una terza fetta (400), accoppiata al substrato (28) e sagomata in modo da formare detto primo cappuccio (124), una prima apertura passante (131) in corrispondenza del contatto di rotore (76) e una seconda apertura passante (133) in corrispondenza del contatto di statore (77).
13. 13. Componente integrato secondo la rivendicazione 11 o 12, in cui un secondo cappuccio (”cap”) (124’) è inoltre accoppiato al substrato (28) in corrispondenza del microspecchio (104), e in cui lo strato strutturale (32) ed il secondo cappuccio (”cap”) (124’) sono accoppiati, rispettivamente, alla superficie (2a) e al substrato (28) in modo da definire una seconda camera a tenuta di gas (“airtight”) (141) che alloggia detto microspecchio (104).
14. 14. Componente integrato secondo la rivendicazione 13 quando dipendente dalla rivendicazione 12, in cui la terza fetta (500) è sagomata in modo da formare detto primo cappuccio (124), detto secondo cappuccio (124’), la prima apertura passante (131) e la seconda apertura passante (133).
15. 15. Componente integrato secondo la rivendicazione 13 o 14, in cui il primo cappuccio (124) e il secondo cappuccio (124’) sono di vetro.
16. 16. Componente integrato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 10-15, comprendente inoltre: un primo anello di accoppiamento (42), di un primo materiale, estendentesi sullo strato strutturale (32) e circondante il dispositivo rilevatore (26); e un secondo anello di accoppiamento (4), di un secondo materiale, estendentesi sulla superficie (2a) della prima fetta (100), in cui il primo ed il secondo anello di accoppiamento sono in contatto reciproco, e in cui il primo ed il secondo materiale formano un legame eutettico.
17. 17. Componente integrato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-16, comprendente inoltre un recesso (111a’) nel cappuccio (124), internamente alla camera a tenuta di gas (140) e configurato per alloggiare uno strato getter (110).
18. 18. Componente integrato secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 10-17, comprendente inoltre: una prima trincea (16), estendentisi nella prima fetta (100) a partire dalla superficie (2a), affacciata allo statore (95), al rotore (94) ed alla massa mobile (93) e presenta una ridotta riflettività; e una seconda trincea (21) estendentisi nella prima fetta (100), a partire dalla superficie (2a), affacciata al dispositivo rilevatore (26).