FR3105894A1 - Single Access Resonator Transducer Structure - Google Patents
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Abstract
Structure de transducteur pour résonateur à accès unique La présente invention concerne une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, comprenant un substrat piézoélectrique (120, 170), en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique (140, 170) sur un substrat de base (144, 444), au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées (102, 112) formées sur le substrat piézoélectrique (120, 170), dans laquelle la première électrode en peigne (102) comprend une première barre omnibus (108) et une pluralité de doigts d'électrode (104) alternés avec des doigts d'électrode factices plus courts (106), tous s'étendant à partir de la première barre omnibus (108), dans lequel la seconde électrode en peigne (112) comprend une seconde barre omnibus (118) et une pluralité de doigts d'électrode (114) s'étendant à partir de la seconde barre omnibus (118), dans lequel les doigts d’électrode factices (106) de la première barre omnibus (108) font face aux doigts d'électrode (114) de la seconde barre omnibus (118) et sont séparées des doigts d'électrode (114) par des premiers espaces (110a), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) fournie partiellement sous le premier espace (110a) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112). La présente convention concerne également un procédé de fabrication de la structure de transducteur telle que décrite précédemment, et un résonateur à accès unique comprenant au moins une structure telle que décrite précédemment. Figure pour l’abrégé : Fig. 1aThe present invention relates to a transducer structure having transverse mode removing means, in particular for a single access resonator, comprising a piezoelectric substrate (120, 170), in particular a piezoelectric composite substrate comprising a piezoelectric layer (140, 170) on a base substrate (144, 444), at least one pair of interdigitated comb electrodes (102, 112) formed on the piezoelectric substrate (120, 170), wherein the first comb electrode (102) includes a first bus bar (108) and a plurality of electrode fingers (104) alternating with shorter dummy electrode fingers (106), all extending from the first bus bar (108), wherein the second comb electrode (112) comprises a second bus bar (118) and a plurality of electrode fingers (114) extending from the second bus bar (118), wherein theDummy electrode fingers (106) of the first bus bar (108) face the electrode fingers (114) of the second bus bar (118) and are separated from the electrode fingers (114) by first spaces ( 110a), characterized in that it further comprises a transverse mode suppressing layer (122, 132, 222, 232, 422, 432) partially provided under the first space (110a) and chosen such that the speed of phase of a guided wave is lower in the region of the transverse mode suppression layer (122, 132, 222, 232, 422, 432) compared to the phase velocity of the guided wave in the central region (136 ) under the alternating electrode fingers (104, 114) of the first and second comb electrodes (102, 112). The present convention also relates to a method of manufacturing the transducer structure as described above, and to a single-access resonator comprising at least one structure as described above. Figure for the abstract: Fig. 1a
Description
L'invention concerne une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, et un procédé de fabrication d'un tel transducteur.The invention relates to a transducer structure having transverse mode suppression means, in particular for a single-port resonator, and a method of manufacturing such a transducer.
L'invention concerne le domaine des dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) réalisés sur des monocristaux piézoélectriques ou sur des substrats composites en utilisant un film piézoélectrique, appelé POI, pour piézoélectrique-sur-isolant. Ces tranches composites sont utilisées comme guides d’ondes pour l'excitation de modes véritables en utilisant des transducteurs interdigités (IDT) pour une fabrication de filtre radiofréquence (RF). La structure de transducteur est une pièce clé de ce que l'on nomme des résonateurs à accès unique qui sont utilisés comme élément d’impédance des filtres mentionnés. Plus précisément, ce que l'on nomme des filtres en échelle exploitent lesdits résonateurs pour assurer la fonction de filtre. De même, des résonateurs à accès unique, tels qu'utilisés pour des applications de capteur, et plus précisément pour une détection sans fil, sont affectés par de tels effets, des moyens étant souvent nécessaires pour les supprimer, par exemple par rétrécissement d'ouverture (voir par exemple EP2091146B1), solution connue pour dégrader le couplage électromécanique du dispositif. Des résonateurs à accès unique comprennent une structure de transducteur montée au centre du résonateur avec des réflecteurs positionnés des deux côtés de la structure de transducteur, tandis que des résonateurs SAW à deux accès sont constitués de deux structures de transducteur (entrée/sortie) montées au centre avec des réflecteurs agencés sur les deux côtés extérieurs du dispositif.The invention relates to the field of surface acoustic wave (SAW) devices made on piezoelectric single crystals or on composite substrates using a piezoelectric film, called POI, for piezoelectric-on-insulator. These composite wafers are used as waveguides for true mode excitation using interdigital transducers (IDT) for radio frequency (RF) filter fabrication. The transducer structure is a key part of so called single port resonators which are used as the impedance element of the mentioned filters. More precisely, what are called ladder filters use said resonators to provide the filter function. Similarly, single port resonators, as used for sensor applications, and more specifically for wireless sensing, are affected by such effects, means often being required to suppress them, for example by shrinkage of opening (see for example EP2091146B1), known solution for degrading the electromechanical coupling of the device. Single port resonators include a transducer structure mounted in the center of the resonator with reflectors positioned on both sides of the transducer structure, while dual port SAW resonators consist of two transducer structures (input/output) mounted at the center with reflectors arranged on the two outer sides of the device.
D'autres types de dispositifs SAW peuvent tirer avantage de l'invention, comme des filtres de résonateur couplés longitudinalement (LCRF), des filtres SAW à mode double (DMS) ou des résonateurs SAW à deux accès, ou des lignes de retard utilisées par exemple lors d'une stabilisation d'oscillateur pour des applications de source de fréquence ou dans toute autre application (détection gravimétrique, par exemple).Other types of SAW devices can take advantage of the invention, such as longitudinally coupled resonator filters (LCRF), dual mode SAW filters (DMS) or two-port SAW resonators, or delay lines used by example during an oscillator stabilization for frequency source applications or in any other application (gravimetric detection, for example).
Des résonateurs à accès unique sur POI présentent des contributions parasites qui sont dues à une capture d'énergie latérale, produisant ce que l'on nomme des modes transversaux qui polluent la signature spectrale du dispositif. Il a par conséquent été proposé de fournir des moyens pour supprimer ces contributions afin d'améliorer la pureté spectrale de la réponse de résonateur, et de permettre de fabriquer un filtre compatible avec une spécification, et plus généralement de fabriquer un dispositif SAW.Single-port resonators on POIs exhibit spurious contributions that are due to lateral energy capture, producing so-called transverse modes that pollute the spectral signature of the device. It has therefore been proposed to provide means for suppressing these contributions in order to improve the spectral purity of the resonator response, and to make it possible to manufacture a filter compatible with a specification, and more generally to manufacture a SAW device.
Une difficulté dans l'état de la technique consiste à fabriquer des structures capables de supprimer les modes transversaux.A difficulty in the state of the art consists in manufacturing structures capable of suppressing the transverse modes.
Il a été proposé de recharger le bord d’électrode avec des revêtements métalliques ou diélectriques, comme décrit dans US2012/0161577A1 ou dans US2013/0249647A1.It has been proposed to clad the electrode edge with metallic or dielectric coatings, as described in US2012/0161577A1 or in US2013/0249647A1.
Dans US2012/0161577A1, un métal est redéposé sur le dessus du bord d’électrode, imposant une précision importante d'alignement de motifs, nécessitant ainsi des outils de traitement et de contrôle coûteux.In US2012/0161577A1, a metal is redeposited on top of the electrode edge, imposing high pattern alignment accuracy, thus requiring expensive processing and control tools.
Dans US2013/0249647A1, la structure entière de transducteur interdigité (IDT) est recouverte d'une couche diélectrique qui est plus épaisse sur le bord du transducteur qu'au milieu. Dans US2015/0123746A1, un film diélectrique recouvre au moins une partie du substrat piézoélectrique et les électrodes IDT, recouvre plus précisément une zone dans laquelle les doigts d’électrode sont entremêlés ensemble, la vitesse acoustique étant plus importante dans la partie centrale du doigt IDT que sur le bord, pour éviter la survenance desdits modes transversaux. Dans la plupart des applications utilisant une couche diélectrique, le besoin de doter cette dernière d’un motif en utilisant des acides ou une gravure ionique réactive ou un usinage ionique mène à une dégradation de la qualité d'électrode lorsqu'aucune solution d'arrêt de gravure n'est appliquée pour empêcher un tel effet, ou mène même à une dégradation de la surface de substrat si elle n'est pas protégée correctement.In US2013/0249647A1 the entire interdigital transducer (IDT) structure is covered with a dielectric layer which is thicker at the edge of the transducer than in the middle. In US2015/0123746A1, a dielectric film covers at least part of the piezoelectric substrate and the IDT electrodes, more precisely covers an area in which the electrode fingers are intertwined together, the acoustic velocity being greater in the central part of the IDT finger than on the edge, to avoid the occurrence of said transverse modes. In most applications using a dielectric layer, the need to pattern the latter using acids or reactive ion etching or ion milling leads to electrode quality degradation when no stopping solution no etching is applied to prevent such an effect, or even leads to degradation of the substrate surface if not properly protected.
D'autres approches sont basées sur l'agrandissement des dimensions d'électrode, comme décrit dans US2018/0097508A1 ou US2018/0375491A1. Ces structures génèrent des difficultés à garantir l'isolation d'une électrode à une autre.Other approaches are based on enlarging electrode dimensions, as described in US2018/0097508A1 or US2018/0375491A1. These structures generate difficulties in guaranteeing the insulation from one electrode to another.
Cependant, dans toutes les approches citées ci-dessus, pour ces structures de transducteur, les modes transversaux, bien que réduits, sont toujours possibles.However, in all the approaches cited above, for these transducer structures, transverse modes, although reduced, are still possible.
Le but de l'invention est ainsi de fournir une structure de transducteur pour des résonateurs à accès unique avec suppression de modes transversaux à l'aide d'un processus de fabrication plus simple par rapport aux dispositifs de l'état de la technique tout en préservant la qualité intrinsèque du dispositif et de la surface de substrat.The object of the invention is thus to provide a transducer structure for single port resonators with suppression of transverse modes using a simpler manufacturing process compared to the devices of the state of the art while preserving the intrinsic quality of the device and the substrate surface.
Le but de l'invention est atteint à l'aide d'une structure de transducteur ayant des moyens de suppression de mode transversal, en particulier pour un résonateur à accès unique, comprenant un substrat piézoélectrique, en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base, au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées formée sur le substrat piézoélectrique, en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base, dans laquelle la première électrode en peigne comprend une première barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés et des doigts d'électrode factices plus courts, tous s'étendant à partir de la barre omnibus, dans laquelle la seconde électrode en peigne comprend une seconde barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode s'étendant à partir de la seconde barre omnibus, les électrodes factices de la première barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la seconde barre omnibus et sont séparées des doigts d'électrode de la seconde barre omnibus par des premiers espaces, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche de suppression de mode transversal fournie partiellement sous le premier espace et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans le substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les doigts d'électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne. La présence de la couche de suppression de mode transversal mène à un ralentissement de la vitesse d'onde dans l'espace, qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. Ainsi, dans la structure de transducteur selon l'invention, la contribution des modes transversaux peut être réduite. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.The object of the invention is achieved by means of a transducer structure having transverse mode suppression means, in particular for a single port resonator, comprising a piezoelectric substrate, in particular a piezoelectric composite substrate comprising a layer piezoelectric on a base substrate, at least one pair of interdigital comb electrodes formed on the piezoelectric substrate, in particular a piezoelectric composite substrate comprising a piezoelectric layer on a base substrate, wherein the first comb electrode comprises a first bar bus and a plurality of alternating electrode fingers and shorter dummy electrode fingers, all extending from the bus bar, wherein the second comb electrode comprises a second bus bar and a plurality of electrode extending from the second busbar, the dummy electrodes of the first busbar face the electrode fingers of the second busbar and are separated from the electrode fingers of the second busbar by first gaps, characterized by further comprising a transverse mode suppression layer provided partially below the first gap and selected such that the phase velocity of a guided wave is lower in the region of the transverse mode suppression layer with respect to the phase velocity of the guided wave in the piezoelectric substrate in the central area under the alternating electrode fingers of the first and second comb electrodes. The presence of the transverse mode suppression layer leads to a slowing of the wave velocity in space, which leads to the suppression or reduction of the unwanted transverse mode in the transducer structure. Thus, in the transducer structure according to the invention, the contribution of the transverse modes can be reduced. From an acoustic point of view, the transducer structure according to the invention makes it possible to transfer energy from the IDT finger to the dummy finger without reflection, or with reduced reflection, at the edge of said IDT finger.
Dans une variante du mode de réalisation, la couche de suppression de mode transversal peut s'étendre sous chacun des premiers espaces. La couche de suppression de mode transversal permet de ralentir la vitesse d'onde dans l'espace, ce qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon l’invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.In an alternate embodiment, the cross-mode suppression layer may extend under each of the first spaces. The transverse mode suppression layer allows the wave velocity in space to be slowed down, which leads to the suppression or reduction of unwanted transverse mode in the transducer structure. From an acoustic point of view, the transducer structure according to the invention makes it possible to transfer energy from the IDT finger to the dummy finger without reflection, or with reduced reflection, at the edge of said IDT finger.
Dans une variante du mode de réalisation, la seconde électrode en peigne peut comporter des doigts d'électrode factices plus courts alternant avec les droits d'électrode, les doigts d'électrode factices de la seconde barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la première barre omnibus et sont séparés des doigts d'électrode par des seconds espaces, et comprenant en outre une seconde couche de suppression de mode transversal s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale sous les doigts d'électrode en alternance des première et seconde électrodes en peigne, entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal. La couche de suppression de mode transversal permet de ralentir la vitesse d'onde dans l'espace, ce qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. Ainsi, dans la structure de transducteur selon l'invention, la contribution des modes transversaux peut être réduite davantage. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.In a variation of the embodiment, the second comb electrode may have shorter dummy electrode fingers alternating with electrode rights, the dummy electrode fingers of the second bus bar facing the electrode fingers of the first busbar and are separated from the electrode fingers by second gaps, and further comprising a second cross-mode suppression layer extending at least partially below the second gaps and selected such that the phase velocity d a guided wave is lower in the area of the second transverse mode suppression layer than the phase velocity of the guided wave in the central area under the alternating electrode fingers of the first and second comb electrodes, between the first and second transverse mode suppression layers. The transverse mode suppression layer allows the wave velocity in space to be slowed down, which leads to the suppression or reduction of unwanted transverse mode in the transducer structure. Thus, in the transducer structure according to the invention, the contribution of the transverse modes can be further reduced. From an acoustic point of view, the transducer structure according to the invention makes it possible to transfer energy from the IDT finger to the dummy finger without reflection, or with reduced reflection, at the edge of said IDT finger.
Dans une variante du mode de réalisation, la couche de suppression de mode transversal peut s'étendre sous tous les seconds espaces. La couche de suppression de mode transversal permet de ralentir la vitesse d'onde dans l'espace, ce qui mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu dans la structure de transducteur. D'un point de vue acoustique, la structure de transducteur selon invention permet de transférer de l'énergie depuis le doigt IDT vers le doigt factice sans réflexion, ou avec une réflexion réduite, au niveau du bord dudit doigt IDT.In an alternate embodiment, the cross-mode suppression layer may extend under all of the second spaces. The transverse mode suppression layer allows the wave velocity in space to be slowed down, which leads to the suppression or reduction of unwanted transverse mode in the transducer structure. From an acoustic point of view, the transducer structure according to the invention makes it possible to transfer energy from the IDT finger to the dummy finger without reflection, or with reduced reflection, at the edge of said IDT finger.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement jusqu'à la première barre omnibus et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement jusqu'à la seconde barre omnibus.In an alternate embodiment, the first cross-mode suppression layer may extend at least partially up to the first bus bar and/or the second cross-mode suppression layer may extend at least partially up to the second bus bar.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement ou au moins totalement sous la première barre omnibus et/ou la seconde couche de suppression de mode transversal peut s'étendre au moins partiellement ou au moins totalement sous la seconde barre omnibus.In an alternative embodiment, the first transverse mode suppression layer may extend at least partially or at least completely below the first bus bar and/or the second transverse mode suppression layer may extend at least partially or at least totally below the second bus bar.
Dans une variante du mode de réalisation, la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal peut comprendre une dose de dopage différente par rapport au reste du substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les électrodes en peigne interdigitées pour moduler la vitesse de phase, en particulier la dose de dopage différente est une dose de Ti. Le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. La différence de dopage de la au moins une couche de suppression de mode transversal a pour résultat une réduction de la vitesse de phase du mode dans la zone proche de l'espace séparant les électrodes IDT par rapport aux électrodes factices sans avoir besoin de fournir un quelconque motif latéral.In an alternative embodiment, the first and/or second transverse mode suppression layer may include a different doping dose than the rest of the piezoelectric substrate in the central area under the interdigitated comb electrodes to modulate the phase velocity , in particular the different doping dose is a dose of Ti. The doping here corresponds to an intentional introduction of impurities into the piezoelectric substrate. The difference in doping of the at least one transverse mode suppression layer results in a reduction in the phase velocity of the mode in the region near the gap separating the IDT electrodes from the dummy electrodes without the need to provide a any side pattern.
Dans une variante du mode de réalisation, la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal de la couche piézoélectrique peut comprendre une couche de passivation, en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO2.In a variant of the embodiment, the first and/or second transverse mode suppression layer of the piezoelectric layer can comprise a passivation layer, in particular a dielectric passivation layer, more particularly a layer of SiO 2 .
Dans une variante du mode de réalisation, la couche de passivation peut être au moins partiellement intégrée dans le substrat piézoélectrique.In a variant of the embodiment, the passivation layer can be at least partially integrated into the piezoelectric substrate.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal peuvent être symétriques par rapport à la ligne centrale des électrodes en peigne interdigitées.In an alternative embodiment, the first transverse mode suppression layer and the second transverse mode suppression layer may be symmetrical with respect to the centerline of the interdigital comb electrodes.
Dans une variante du mode de réalisation, la première couche de suppression de mode transversal et la seconde couche de suppression de mode transversal peuvent avoir des formes différentes.In an alternative embodiment, the first transverse mode suppression layer and the second transverse mode suppression layer may have different shapes.
Le but de l'invention est également atteint à l'aide d'un procédé de fabrication d’une structure de transducteur comprenant les étapes de a) fournir un substrat piézoélectrique; en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base, b) former au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées sur le substrat piézoélectrique, dans lequel la première électrode en peigne comprend une première barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode en alternance et de doigts d'électrode factices plus courts, tous s'étendant à partir de la première barre omnibus, la seconde électrode en peigne comprend une seconde barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés s'étendant à partir de la seconde barre omnibus, les électrodes factices de la première barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la seconde barre omnibus et sont séparées des doigts d'électrode de la seconde barre omnibus par des premiers espaces, une étape c) avant l’étape b) de fournir une couche de suppression de mode transversal de telle sorte qu’après l’étape c), la couche de suppression de mode transversal est partiellement sous le premier espace, dans lequel la couche de suppression de mode transversal est choisie de telle sorte que la vitesse de phase d’une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans le substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les doigts d’électrode alternés des première et seconde électrodes. Un tel procédé permet de former la couche de suppression de mode transversal avant que les électrodes interdigitées soient formées. Ainsi, à l'aide de ce procédé, les électrodes interdigitées ne peuvent pas être détériorées par l'étape de formation de la couche de suppression et, en résultat, la qualité intrinsèque du dispositif et de la surface de substrat est préservée. Ce procédé permet de garder le processus de fabrication initiale SAW habituel inchangé. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique dans lesquels les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées. De plus, le procédé selon l’invention a pour résultat un processus de fabrication plus simple par rapport aux dispositifs de l'état de la technique.The object of the invention is also achieved using a method of manufacturing a transducer structure comprising the steps of a) providing a piezoelectric substrate; in particular a piezoelectric composite substrate comprising a piezoelectric layer on a base substrate, b) forming at least one pair of interdigitated comb electrodes on the piezoelectric substrate, wherein the first comb electrode comprises a first busbar and a plurality of alternating electrode fingers and shorter dummy electrode fingers all extending from the first busbar, the second comb electrode includes a second busbar and a plurality of alternating electrode fingers extending from the second busbar, the dummy electrodes of the first busbar face the electrode fingers of the second busbar and are separated from the electrode fingers of the second busbar by first gaps, a step c) before step b) to provide a transverse mode suppression layer such that after step c) the transverse mode suppression layer is partially under the first space, wherein the transverse mode suppression layer is chosen such that the phase velocity of a guided wave is lower in the region of the transverse mode suppression layer than the phase velocity of the guided wave in the piezoelectric substrate in the central region under the alternating electrode fingers of the first and second electrodes. Such a method makes it possible to form the transverse mode suppression layer before the interdigital electrodes are formed. Thus, using this method, the interdigital electrodes cannot be damaged by the step of forming the suppression layer and, as a result, the intrinsic quality of the device and the substrate surface is preserved. This process keeps the usual initial SAW manufacturing process unchanged. Unlike prior art devices in which the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and then a transverse mode suppression layer is formed on the interdigital electrodes. In addition, the method according to the invention results in a simpler manufacturing process compared to the devices of the state of the art.
Dans une variante du mode de réalisation, la seconde électrode en peigne peut comporter en outre des doigts d'électrode factices plus courts alternant avec les doigts d'électrode, et les doigts d'électrode factices de la seconde barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la première barre omnibus et sont séparés des doigts d'électrode de la première barre omnibus par des seconds espaces, et l’étapes c) de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre fournir une première couche de suppression de mode latéral et une seconde couche de suppression de mode transversal s'étendant au moins partiellement sous les seconds espaces et choisies de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la seconde couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale sous les doigts d'électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne, entre les première et seconde couches de suppression de mode transversal. Un tel procédé permet de former les couches de suppression de mode transversal avant que les électrodes interdigitées soient formées. Ainsi, à l'aide de ce procédé, les électrodes interdigitées ne peuvent pas être détériorées par l'étape de formation de la couche de suppression et, en résultat, la qualité intrinsèque du dispositif et de la surface de substrat est préservée. Ce procédé permet de garder le processus de fabrication initiale SAW habituel inchangé. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique, où les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées. De plus, le procédé selon l’invention a pour résultat un processus de fabrication plus simple par rapport aux dispositifs de l'état de la technique.In an alternate embodiment, the second busbar electrode may further include shorter dummy electrode fingers alternating with the electrode fingers, and the second busbar dummy electrode fingers face the dummy electrode fingers. electrode of the first busbar and are separated from the electrode fingers of the first busbar by second gaps, and the steps c) of providing a transverse mode suppression layer may comprise providing a first mode suppression layer lateral and a second transverse mode suppression layer extending at least partially below the second spaces and chosen such that the phase velocity of a guided wave is lower in the area of the second transverse mode suppression layer than relative to the phase velocity of the guided wave in the central area under the alternating electrode fingers of the first and second comb electrodes, between the first and second transverse mode suppression layers. Such a method makes it possible to form the transverse mode suppression layers before the interdigital electrodes are formed. Thus, using this method, the interdigital electrodes cannot be damaged by the step of forming the suppression layer and, as a result, the intrinsic quality of the device and the substrate surface is preserved. This process keeps the usual initial SAW manufacturing process unchanged. Unlike prior art devices, where the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and then a transverse mode suppression layer is formed on the interdigital electrodes. In addition, the method according to the invention results in a simpler manufacturing process compared to the devices of the state of the art.
Dans une variante de l'invention, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre une étape de modifier la dose de dopage du substrat piézoélectrique, en particulier avec une étape d'implantation ou une étape de diffusion d'espèces atomiques et/ou une technique d'échange de protons. À nouveau, le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. Une technique simple peut être utilisée pour former la couche de suppression de mode transversal par rapport à la technique utilisée dans le processus de fabrication des dispositifs de l'état de la technique.In a variant of the invention, the step of providing a transverse mode suppression layer may comprise a step of modifying the doping dose of the piezoelectric substrate, in particular with an implantation step or a species diffusion step. atoms and/or a proton exchange technique. Again, the doping here corresponds to an intentional introduction of impurities into the piezoelectric substrate. A simple technique can be used to form the transverse mode suppression layer compared to the technique used in the manufacturing process of prior art devices.
Dans une variante du mode de réalisation, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre fournir une couche de passivation, en particulier une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO2. Une technique de dépôt de couche de matériau peut être utilisée pour former la couche de suppression de mode transversal, qui est une technique plus simple par rapport à la technique utilisée dans le processus de fabrication des dispositifs de l'état de la technique. Dans une variante de l’invention, l'étape de fournir une couche de suppression de mode transversal peut comprendre une étape consistant à intégrer au moins partiellement la couche de passivation dans le substrat piézoélectrique.In a variant of the embodiment, the step of providing a cross-mode suppression layer may comprise providing a passivation layer, in particular a dielectric passivation layer, more particularly a layer of SiO 2 . A material layer deposition technique can be used to form the transverse mode suppression layer, which is a simpler technique compared to the technique used in the fabrication process of prior art devices. In a variant of the invention, the step of providing a transverse mode suppression layer can comprise a step consisting in at least partially integrating the passivation layer in the piezoelectric substrate.
Dans une variante de l'invention, la couche de passivation peut être dotée d'un motif par un processus de «lift-off» ou de détachement, de telle sorte que les côtés de la couche de passivation sont inclinés de telle manière que les électrodes en peigne déposées recouvrent ces côtés sans rupture, fournissant une réduction régulière et continue de la vitesse de phase dans la zone correspondante. Ceci réduit ainsi de manière régulière les possibilités pour le mode transversal de se développer car ce dernier a besoin de préférence d'une variation aiguë de la vitesse au niveau du bord des électrodes agissant comme réflecteur d'onde. Dans ce cas, aucune gravure n'est nécessaire, gardant ainsi le substrat dans de bonnes conditions. Dans le cas où le substrat doit être préservé vis-à-vis d'une contamination organique, ce que l'on appelle un processus de gravure humide basé sur une gravure isotrope de la couche de dioxyde de silicium peut être implémenté, produisant également des bords réguliers de la couche de passivation à motif. Le SiO2est par conséquent déposé de manière homogène sur le dessus de la tranche en tant que première étape, puis un masque de gravure in situ de résine photosensible est formé sur le dessus de la couche, en permettant une gravure locale de la couche de SiO2. Des masques d'alignement doivent cependant être déposés dans les deux cas pour préparer la surface selon les processus technologiques habituels dans ce but.In a variation of the invention, the passivation layer can be patterned by a "lift-off" or peeling process, such that the sides of the passivation layer are angled in such a way that the Deposited comb electrodes cover these sides without breaking, providing a smooth and continuous phase velocity reduction in the corresponding area. This thus regularly reduces the possibilities for the transverse mode to develop because the latter preferably needs an acute variation in the speed at the edge of the electrodes acting as a wave reflector. In this case, no etching is necessary, thus keeping the substrate in good condition. In case the substrate needs to be preserved against organic contamination, a so-called wet etching process based on isotropic etching of the silicon dioxide layer can be implemented, also producing regular edges of the patterned passivation layer. SiO 2 is therefore homogeneously deposited on top of the wafer as a first step, then an in situ etch mask of photoresist is formed on top of the layer, allowing local etching of the layer of photoresist. SiO 2 . Alignment masks must however be deposited in both cases to prepare the surface according to the usual technological processes for this purpose.
Le but de l'invention est également atteint à l'aide d'un dispositif SAW, en particulier un résonateur à accès unique, comprenant au moins une structure de transducteur telle que décrite précédemment. Un tel dispositif SAW peut être fabriqué à l'aide d'un processus de fabrication plus simple par rapport à l'état de la technique tout en préservant une contribution réduite de modes transversaux, ayant pour résultat une pureté spectrale améliorée de la réponse de résonateur.The object of the invention is also achieved with the aid of a SAW device, in particular a single-port resonator, comprising at least one transducer structure as described above. Such a SAW device can be fabricated using a simpler fabrication process compared to the prior art while preserving a reduced contribution of transverse modes, resulting in improved spectral purity of the resonator response. .
L’invention peut être mieux comprise en se reportant à la description qui suit prise conjointement avec les dessins annexés, où des références numériques identifient des caractéristiques de l'invention.The invention may be better understood by reference to the following description taken in conjunction with the accompanying drawings, where reference numerals identify features of the invention.
L'invention va maintenant être décrite de manière plus détaillée en utilisant des modes de réalisation avantageux à titre d'exemple et en se reportant aux dessins. Les modes de réalisation décrits sont simplement des configurations possibles, et il convient de garder à l'esprit que les caractéristiques individuelles telles que décrites ci-dessus peuvent être fournies indépendamment les unes des autres ou peuvent être omises ensemble pendant l'implémentation de la présente invention.The invention will now be described in more detail using advantageous embodiments by way of example and with reference to the drawings. The described embodiments are merely possible configurations, and it should be kept in mind that individual features as described above may be provided independently of each other or may be omitted together during the implementation of this invention.
La figure 1a est une vue de dessus d'une structure de transducteur selon un premier mode de réalisation de l'invention.Figure 1a is a top view of a transducer structure according to a first embodiment of the invention.
La structure de transducteur 100 comprend une paire d'électrodes en peigne interdigitées 102 et 112 fournies sur un substrat piézoélectrique 120. Le substrat piézoélectrique 120 peut être un substrat piézoélectrique massif ou un substrat composite ayant une couche piézoélectrique sur un substrat de base, ce qui va être expliqué davantage ci-dessous par rapport à la figure 1b.Transducer structure 100 includes a pair of interdigital comb electrodes 102 and 112 provided on a piezoelectric substrate 120. Piezoelectric substrate 120 may be a solid piezoelectric substrate or a composite substrate having a piezoelectric layer on a base substrate, which will be further explained below with respect to Fig. 1b.
La première électrode en peigne interdigitée 102 comprend une pluralité de doigts d’électrode 104 et une pluralité de doigts d’électrode factices 106 s'étendant à partir d'une première barre omnibus 108. De la même manière, la seconde électrode en peigne interdigitée 112 comprend une pluralité de doigts d’électrode 114 et une pluralité de doigts d’électrode factices 116 s'étendant à partir d'une seconde barre omnibus 118. Les doigts électrodes factices 106 de la première barre omnibus 108 font face aux doigts d’électrode 114 de la seconde barre omnibus 118, et sont séparés des doigts d’électrode 114 de la seconde barre omnibus 118 par des premiers espaces 110a. Les doigts électrodes factices 116 de la seconde barre omnibus 118 font face aux doigts d’électrode 104 de la première barre omnibus 108, et sont séparés des doigts d’électrode 104 de la première barre omnibus 108 par des seconds espaces 110b. Ici, les premiers et seconds espaces 110a et 110b sont identiques.First interdigital comb electrode 102 includes a plurality of electrode fingers 104 and a plurality of dummy electrode fingers 106 extending from a first bus bar 108. Similarly, second interdigital comb electrode 112 includes a plurality of electrode fingers 114 and a plurality of dummy electrode fingers 116 extending from a second bus bar 118. The dummy electrode fingers 106 of the first bus bar 108 face the fingers of electrode 114 of the second busbar 118, and are separated from the electrode fingers 114 of the second busbar 118 by first gaps 110a. Dummy electrode fingers 116 of second busbar 118 face electrode fingers 104 of first busbar 108, and are separated from electrode fingers 104 of first busbar 108 by second gaps 110b. Here, the first and second spaces 110a and 110b are identical.
Selon une variante de l'invention, la seconde électrode en peigne 112 n'a pas de doigt d'électrode factice 116 s'étendant à partir de la seconde barre omnibus 118, uniquement une pluralité de doigts d'électrode 116. Dans ce cas, les seconds espaces 110b sont définis par la distance entre la seconde barre omnibus 118 et les électrodes en vis-à-vis 104 de la première électrode en peigne 102.According to a variant of the invention, the second comb electrode 112 does not have a dummy electrode finger 116 extending from the second bus bar 118, only a plurality of electrode fingers 116. In this case , the second spaces 110b are defined by the distance between the second busbar 118 and the facing electrodes 104 of the first comb electrode 102.
Selon une variante de l'invention, tous les doigts d'électrode 104, 114 de la première 108 et/ou seconde 118 barre omnibus n’ont pas un doigt d'électrode factice 106, 116 de la barre omnibus correspondante 108, 118 leur faisant face, et vice versa.According to a variant of the invention, not all of the electrode fingers 104, 114 of the first 108 and/or second 118 bus bar have a dummy electrode finger 106, 116 of the corresponding bus bar 108, 118 facing, and vice versa.
Dans une variante, les premiers et seconds espaces 110a, 110b peuvent être différents dans toute la structure de transducteur 100, en particulier les premiers et seconds espaces 110a, 110b peuvent de manière aléatoire être différents en termes de longueur ou de position dans la structure de transducteur 100.Alternatively, the first and second spaces 110a, 110b may be different throughout the transducer structure 100, in particular the first and second spaces 110a, 110b may randomly be different in length or position within the transducer structure. transducer 100.
Les électrodes en peigne interdigitées 102, 112 sont formées de tout métal conducteur adapté, par exemple de l'aluminium ou des alliages d'aluminium, comme Al-Cu, Al-Ti ou Al-Si.The interdigitated comb electrodes 102, 112 are formed of any suitable conductive metal, for example aluminum or aluminum alloys, such as Al-Cu, Al-Ti or Al-Si.
Les deux électrodes en peigne interdigitées 102, 112 sont connectées à des potentiels opposés +V/-V. La structure de transducteur 100 a un pas d'électrodesp, étant défini par la condition de Bragg, et ainsipest égal àλ/2,λétant la longueur d'onde de fonctionnement de la structure de transducteur 100. Le paspreprésente la distance entre les centres de doigts d'électrode adjacents des électrodes interdigitées. Ainsi, dans ce mode de réalisation,pcorrespond à la distance entre le centre du doigt d'électrode 104 de l'électrode 102 et le centre du doigt d’électrode adjacent 114 de l'électrode 112. La structure de transducteur 100 est synchrone, c'est-à-dire que les doigts d'électrode interdigitée 104, 114 présentent les mêmes largeur, période et forme.The two interdigitated comb electrodes 102, 112 are connected to opposite potentials +V/-V. The transducer structure 100 has an electrode pitch p , being defined by the Bragg condition, and so p is equal to λ /2, λ being the operating wavelength of the transducer structure 100. The pitch p represents the distance between the centers of adjacent electrode fingers of the interdigital electrodes. Thus, in this embodiment, p corresponds to the distance between the center of electrode finger 104 of electrode 102 and the center of adjacent electrode finger 114 of electrode 112. Transducer structure 100 is synchronous , that is to say that the interdigital electrode fingers 104, 114 have the same width, period and shape.
Les doigts d'électrode 104, 114 et les doigts d'électrode factices 106, 116 ont une largeura. Selon l’art de la technique, le rapport d'aspect métallique est défini para/p.The electrode fingers 104, 114 and the dummy electrode fingers 106, 116 have a width a . According to the art of the technique, the metallic aspect ratio is defined by a/p .
Les doigts d'électrode 104, 114 des électrodes interdigitées 102, 112 sont respectivement identiques, avec la même largeuraet la même longueurl 1 .Dans une variante, les électrodes interdigitées pourraient avoir des doigts d'électrode 102, 112 différents.The electrode fingers 104, 114 of the interdigital electrodes 102, 112 are respectively identical, with the same width a and the same length l 1 . Alternatively, the interdigital electrodes could have different electrode fingers 102, 112.
De la même manière, les doigts d'électrode factices 106, 116 des électrodes interdigitées 102, 112 sont respectivement identiques, avec la même largeuraet la même longueurl 1 .Dans une variante, les électrodes interdigitées 102, 112 pourraient avoir des doigts d'électrode factices 106, 116 différents.In the same way, the dummy electrode fingers 106, 116 of the interdigital electrodes 102, 112 are respectively identical, with the same width a and the same length l 1 . Alternatively, the interdigital electrodes 102, 112 could have different dummy electrode fingers 106, 116.
Sur la figure 1a, les électrodes interdigitées 102, 112 sont identiques, à savoir qu'elles ont les mêmes doigts d'électrode, le même paspet les mêmes premiers et seconds espaces 110a, 110b. Dans une variante, elles pourraient être différentes, avec un paspdifférent, des espaces différents et des doigts d’électrode 102, 112 et des doigts d'électrode factices 106, 116 différents.In FIG. 1a, the interdigital electrodes 102, 112 are identical, namely that they have the same electrode fingers, the same pitch p and the same first and second spaces 110a, 110b. Alternatively, they could be different, with different pitch p , different spaces and different electrode fingers 102, 112 and dummy electrode fingers 106, 116.
Selon l'invention, deux couches de suppression de mode transversal 122 et 132 sont fournies entre le substrat 120 et les électrodes en peigne interdigitées 102, 112. La première couche de suppression de mode transversal 122 est positionnée sous les premiers espaces 110a, et la seconde couche de suppression de mode transversal 132 est positionnée sous les seconds espaces 110b. Leurs propriétés physiques sont choisies de telle sorte que la vitesse de phase de l'onde guidée de la structure de transducteur est inférieure dans la zone des couches de suppression de mode transversal 122, 132 par rapport à la vitesse de phase de l'onde guidée de la structure de transducteur dans le substrat piézoélectrique 120 dans la zone restante 134 qui est la zone centrale 136 sous les doigts d'électrode alternés des première et seconde électrodes. L'onde guidée peut être une quelconque onde guidée ou un mode véritable de la surface, comprenant des ondes de type Rayleigh et des ondes de cisaillement et des ondes de cisaillement ou longitudinales pures ou quasi-pures.According to the invention, two transverse mode suppression layers 122 and 132 are provided between the substrate 120 and the interdigital comb electrodes 102, 112. The first transverse mode suppression layer 122 is positioned under the first gaps 110a, and the second transverse mode suppression layer 132 is positioned below the second gaps 110b. Their physical properties are chosen such that the phase velocity of the guided wave of the transducer structure is lower in the area of the transverse mode suppression layers 122, 132 than the phase velocity of the guided wave. of the transducer structure in the piezoelectric substrate 120 in the remaining area 134 which is the central area 136 under the alternating electrode fingers of the first and second electrodes. The guided wave can be any guided wave or true mode of the surface, including Rayleigh-like waves and shear waves and pure or quasi-pure shear or longitudinal waves.
Dans une variante du mode de réalisation, une seule couche de suppression de mode transversal est présente dans la structure de transducteur.In an alternate embodiment, a single cross-mode suppression layer is present in the transducer structure.
Dans ce mode de réalisation, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 sont rectangulaires, et ont des dimensions et une forme identiques. Les zones 122 et 132 s'étendent le long de la direction y, sous la totalité des doigts d'électrode 104, 114 et la totalité des doigts d'électrode factices 106, 116 de la structure de transducteur 100, ainsi, le long de la longueur totale de la structure de transducteur 100. Elles sont symétriques par rapport à la ligne centrale y des électrodes interdigitées 102,112 de la structure de transducteur 100.In this embodiment, the first and second cross-mode suppression layers 122 and 132 are rectangular, and have identical dimensions and shape. Areas 122 and 132 extend along the y-direction under all electrode fingers 104, 114 and all dummy electrode fingers 106, 116 of transducer structure 100, thus along the total length of the transducer structure 100. They are symmetrical with respect to the center line y of the interdigital electrodes 102,112 of the transducer structure 100.
Les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 s’étendent le long de la direction x, qui est la direction de propagation d'une onde acoustique transversale non voulue dans la structure de transducteur 100, sur une longueurd. Sur la figure 1a, la couche de suppression de mode transversal 122 s'étend sur le premier espace 110a et sur une partie des doigts d'électrode factices 106 et une partie des doigts d'électrode 104. De la même manière, la couche de suppression de mode transversal 132 s'étend sur le second espace 110b et sur une partie des doigts d'électrode factices 116 et une partie des doigts d'électrode 114.The first and second transverse mode suppression layers 122 and 132 extend along the x-direction, which is the direction of propagation of an unwanted transverse acoustic wave in the transducer structure 100, for a length d . In Fig. 1a, transverse mode suppression layer 122 extends over first gap 110a and over part of dummy electrode fingers 106 and part of electrode fingers 104. transverse mode suppression 132 extends over the second space 110b and over part of the dummy electrode fingers 116 and part of the electrode fingers 114.
Sur la figure 1a, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 sont situées à la même distancesde la barre omnibus 108, 118 dans la direction X. Dans une variante, elles peuvent avoir une distance différente par rapport aux barres omnibus.In Figure 1a, the first and second transverse mode suppression layers 122 and 132 are located the same distance s from the busbar 108, 118 in the X direction. Alternatively, they may have a different distance from the busbars.
Sur la figure 1b, une vue latérale découpée le long d’une ligne AA de la figure 1a d'une structure de transducteur 100 selon le premier mode de réalisation de l'invention est représentée.In Figure 1b, a side view cut away along line AA of Figure 1a of a transducer structure 100 according to the first embodiment of the invention is shown.
Le substrat piézoélectrique 120 est un substrat piézoélectrique composite, comprenant une couche piézoélectrique 140 sur un substrat de base 144. Une couche diélectrique mince 142 est déposée entre la couche piézoélectrique 140 et le substrat de base 144. Dans une variante, la couche piézoélectrique 140 peut être déposée directement sur le dessus du substrat de base 144.The piezoelectric substrate 120 is a composite piezoelectric substrate, comprising a piezoelectric layer 140 on a base substrate 144. A thin dielectric layer 142 is deposited between the piezoelectric layer 140 and the base substrate 144. Alternatively, the piezoelectric layer 140 can be deposited directly on top of the base substrate 144.
L'épaisseur de la couche piézoélectrique 140 est de l'ordre de la longueur d'onde, ou inférieure.The thickness of the piezoelectric layer 140 is on the order of a wavelength, or less.
Dans ce mode de réalisation, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 sont une couche de passivation déposée sur la couche piézoélectrique 140, avant que les électrodes interdigitées 102, 112 aient été déposées sur le substrat 120, et ainsi sur la couche piézoélectrique 140. La couche de passivation est directement en contact avec la couche piézoélectrique 140.In this embodiment, the first and second transverse mode suppression layers 122 and 132 are a passivation layer deposited on the piezoelectric layer 140, before the interdigital electrodes 102, 112 have been deposited on the substrate 120, and thus on the piezoelectric layer 140. The passivation layer is directly in contact with the piezoelectric layer 140.
La couche de passivation est une couche diélectrique, par exemple une couche de SiO2ou de Ta2O5ou de HfO2.The passivation layer is a dielectric layer, for example a layer of SiO 2 or of Ta 2 O 5 or of HfO 2 .
La couche de suppression de mode transversal 122, également référencée en tant que première couche de suppression de mode transversal, située sur le côté droit de la figure 1b, est totalement recouverte par le doigt d'électrode 104, qui est connecté à sa barre omnibus 108.Transversal mode suppression layer 122, also referred to as the first transverse mode suppression layer, located on the right side of Fig. 1b, is completely covered by electrode finger 104, which is connected to its bus bar 108.
La seconde couche de suppression de mode transversal 132 située sur le côté gauche de la figure 1b s'étend sous l'extrémité 116a du doigt d'électrode factice 116, le doigt d'électrode factice 116 étant connecté à sa barre omnibus 118, le second espace 110b et l'extrémité 104a du doigt d'électrode 104, qui est connectée à la barre omnibus 108 au niveau de la connexion 134.The second transverse mode suppression layer 132 located on the left side of Fig. 1b extends under the end 116a of the dummy electrode finger 116, the dummy electrode finger 116 being connected to its bus bar 118, the second gap 110b and end 104a of electrode finger 104, which is connected to bus bar 108 at connection 134.
Dans une variante de l'invention, les couches de passivation ont des côtés ou des bords de paroi inclinés, de sorte que lorsque les électrodes en peigne recouvrent complètement les couches de passivation, aucune rupture des électrodes en peigne déposées ne survient au niveau du bord de paroi de la couche de passivation, garantissant un recouvrement de l'électrode régulier et continu par la couche de passivation.In a variant of the invention, the passivation layers have sloped sides or wall edges, so that when the comb electrodes completely cover the passivation layers, no breakage of the deposited comb electrodes occurs at the edge. wall of the passivation layer, guaranteeing regular and continuous covering of the electrode by the passivation layer.
Dans une variante, au lieu d'utiliser une couche de passivation supplémentaire, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 peuvent être formées à l'intérieur de la couche piézoélectrique 140, par exemple en ayant une dose de dopage différente par rapport à la zone centrale 136 de la couche piézoélectrique 140, et l'espace entre les couches de suppression de mode transversal 122, 132 et les barres omnibus ayant une largeurs. Le dopage correspond ici à une introduction intentionnelle d'impuretés dans le substrat piézoélectrique. La différence de dopage de la au moins une couche de suppression de mode transversal a pour résultat une réduction de la vitesse de phase du mode à proximité de l'espace séparant les électrodes IDT par rapport aux électrodes factices sans avoir besoin de fournir un quelconque motif latéral.Alternatively, instead of using an additional passivation layer, first and second cross-mode suppression layers 122, 132 may be formed within piezoelectric layer 140, such as having a different doping dose. with respect to the central area 136 of the piezoelectric layer 140, and the space between the transverse mode canceling layers 122, 132 and the busbars having a width s . The doping here corresponds to an intentional introduction of impurities into the piezoelectric substrate. The difference in doping of the at least one transverse mode suppression layer results in a reduction in the phase velocity of the mode near the gap separating the IDT electrodes from the dummy electrodes without the need to provide any pattern lateral.
La structure de transducteur 100 selon le premier mode de réalisation fonctionne de la manière suivante. La structure de transducteur selon l'invention est utilisée pour exciter et détecter des ondes de cisaillement. La direction de déplacement de cisaillement alterne d'une électrode à une autre lorsque le transducteur est excité par une structure de polarisation électrique +V/-V, car le dispositif fonctionne dans les conditions de Bragg.The transducer structure 100 according to the first embodiment operates as follows. The transducer structure according to the invention is used to excite and detect shear waves. The direction of shear motion alternates from one electrode to another when the transducer is excited by a +V/-V electrical bias structure, because the device operates under Bragg conditions.
La présence des première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 génère des emplacements où la propagation SAW est modifiée, d'une telle manière qu'une onde guidée se propageant dans la zone avec les couches de suppression d'ondes 122, 132 présente une vitesse de phase inférieure à une onde guidée se propageant dans la zone centrale 1326 du substrat 120 qui est sans modification. Les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 changent la vitesse du mode à proximité des premiers et seconds espaces 110 à 110b entre le doigt d'électrode actif 104 et son doigt d'électrode factice associé 116. Un ralentissement de la vitesse d'onde dans l'espace 110a et 110b mène à la suppression ou la réduction du mode transversal non voulu.The presence of the first and second transverse mode suppression layers 122, 132 generate locations where the SAW propagation is modified, in such a way that a guided wave propagating in the area with the wave suppression layers 122, 132 has a phase velocity lower than a guided wave propagating in the central zone 1326 of the substrate 120 which is without modification. The first and second transverse mode suppression layers 122, 132 change the speed of the mode near the first and second gaps 110-110b between the active electrode finger 104 and its associated dummy electrode finger 116. spatial wave velocity 110a and 110b leads to the suppression or reduction of the unwanted transverse mode.
Ainsi, dans la structure de transducteur 100 selon l'invention, la contribution des modes transversaux peut être réduite. En même temps, le processus de fabrication est simplifié par rapport à des structures de transducteur de l'état de la technique.Thus, in the transducer structure 100 according to the invention, the contribution of the transverse modes can be reduced. At the same time, the fabrication process is simplified compared to prior art transducer structures.
Selon l'invention, bien que la modification locale du substrat 120 dans ou à proximité des premiers et seconds espace 110a, 110b nécessite une étape de fabrication supplémentaire, le processus de fabrication initiale SAW habituel reste inchangé, simplifiant la fabrication de dispositifs exempts de mode transversal. En outre, par rapport à d'autres solutions nécessitant un alignement précis entre des couches consécutives, ici un alignement grossier de masque suffit pour réaliser la fabrication d'un dispositif.According to the invention, although the local modification of the substrate 120 in or near the first and second spaces 110a, 110b requires an additional fabrication step, the usual initial SAW fabrication process remains unchanged, simplifying the fabrication of mode-free devices. transverse. Furthermore, compared to other solutions requiring a precise alignment between consecutive layers, here a rough mask alignment is sufficient to carry out the fabrication of a device.
Comme cela va être indiqué ci-dessous, des variantes du mode de réalisation vont présenter diverses formes et positions des première et seconde couches de suppression de mode transversale 122 et 132 par rapport à la structure de transducteur 100.As will be discussed below, alternate embodiments will have various shapes and positions of first and second transverse mode-suppressing layers 122 and 132 relative to transducer structure 100.
Des références numériques déjà utilisées dans la description du premier mode de réalisation ne seront pas répétées de nouveau, mais il sera fait référence à leur description.Reference numerals already used in the description of the first embodiment will not be repeated again, but reference will be made to their description.
La figure 2a est une vue latérale d'une structure de transducteur 200a selon une première variante de l'invention.Figure 2a is a side view of a transducer structure 200a according to a first variant of the invention.
Par rapport au premier mode de réalisation, la couche de passivation 246, 248 formant les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122, 132 s'étendent sous les barres omnibus 108 et 118. La couche de passivation 248 s'étend complètement sous la barre omnibus 118, tandis que l'autre couche de passivation 246 s'étend uniquement partiellement sous la barre omnibus 108. Dans cette variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 ne sont pas symétriques.Compared to the first embodiment, the passivation layer 246, 248 forming the first and second transverse mode suppression layers 122, 132 extend below the busbars 108 and 118. The passivation layer 248 extends completely below busbar 118, while the other passivation layer 246 extends only partially below busbar 108. In this variation, the first and second cross-mode suppression layers 122 and 132 are not symmetrical.
Dans une autre variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 122 et 132 peuvent être intégrées complètement ou partiellement dans la couche piézoélectrique 140.Alternatively, first and second cross-mode suppression layers 122 and 132 may be fully or partially embedded in piezoelectric layer 140.
La figure 2a est une vue latérale d'une structure de transducteur selon une deuxième variante de l'invention.FIG. 2a is a side view of a transducer structure according to a second variant of the invention.
Comme mentionné dans la description du premier mode de réalisation, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222 et 232 de la couche piézoélectrique 140, dans cette variante, sont une couche piézoélectrique structurel modifiée localement 140. Par exemple, la modification structurelle de la couche piézoélectrique 140 correspond à une dose de dopage différente dans la couche de suppression de mode transversal 222, 232 par rapport au reste de la couche piézoélectrique 140.As mentioned in the description of the first embodiment, the first and second cross-mode suppression layers 222 and 232 of the piezoelectric layer 140, in this variation, are a locally modified structural piezoelectric layer 140. For example, the structural modification of the piezoelectric layer 140 corresponds to a different dose of doping in the transverse mode suppression layer 222, 232 compared to the rest of the piezoelectric layer 140.
La figure 2c représente une troisième variante de la structure de transducteur 200c du premier mode de réalisation.Figure 2c shows a third variant of the transducer structure 200c of the first embodiment.
Par rapport à la variante de la deuxième variante, les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent uniquement partiellement sous les barres omnibus 108, 118. Les première et seconde couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont symétriques.Compared to the variation of the second variation, the first and second transverse mode suppression layers 222, 232 extend only partially below the busbars 108, 118. The first and second transverse mode suppression layers 222 and 232 are symmetrical.
La figure 2d est une vue latérale d'une structure de transducteur 200d selon une quatrième variante de l'invention.Figure 2d is a side view of a transducer structure 200d according to a fourth variant of the invention.
Contrairement aux trois premières variantes, tandis que la première couche de suppression de mode transversal 232 s'étend partiellement sous la barre omnibus 118, la seconde couche de suppression de mode transversal 222 ne s'étend pas du tout sous sa barre omnibus correspondante 108. À nouveau, les zones modifiées localement 222 et 232 ne sont ici pas identiques.Unlike the first three variants, while the first transverse mode suppression layer 232 extends partially below the bus bar 118, the second transverse mode suppression layer 222 does not extend below its corresponding bus bar 108 at all. Again, the locally modified areas 222 and 232 are not identical here.
Les figures 3a à 3f illustrent des variantes supplémentaires des couches de suppression de mode transversal dans une vue de dessus de la structure de transducteur. Elles présentent toutes des formes géométriques différentes de la couche de suppression de mode transversal.Figures 3a-3f illustrate additional variations of cross-mode suppression layers in a top view of the transducer structure. They all have different geometric shapes of the transverse mode suppression layer.
La figure 3a est une vue de dessus d'une structure de transducteur selon une cinquième variante du premier mode de réalisation de l'invention. Par rapport au mode de réalisation représenté sur la figure 1a, ici, la couche de suppression de mode transversal 222 s’étend au moins partiellement jusqu'à la barre omnibus 108 sur un premier côté et éventuellement même sous la barre omnibus 108, tandis que sur l'autre côté, la couche de suppression de mode transversal 232 est située à une distancesde la barre omnibus 108, comme dans le premier mode de réalisation. En résultat, les couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont différentes en termes de dimensions, et ne sont pas symétriques.Figure 3a is a top view of a transducer structure according to a fifth variant of the first embodiment of the invention. Compared to the embodiment shown in Fig. 1a, here the cross-mode suppression layer 222 extends at least partially up to the busbar 108 on a first side and possibly even under the busbar 108, while on the other side, the transverse mode suppression layer 232 is located at a distance s from the busbar 108, as in the first embodiment. As a result, the transverse mode suppression layers 222 and 232 are different in size, and are not symmetrical.
Sur la figure 3b, une sixième variante est représentée, dans laquelle les couches de suppression de mode transversal 222 et 232 sont effilées.In Figure 3b, a sixth variation is shown, in which cross-mode suppression layers 222 and 232 are tapered.
La figure 3c est une vue de dessus d’une structure de transducteur, en particulier selon la deuxième variante représentée sur la figure 2b, où les deux couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent sous les barres omnibus 208, 218 et sont symétriques en termes de forme et de dimensions.Figure 3c is a top view of a transducer structure, in particular according to the second variant shown in Figure 2b, where the two transverse mode suppression layers 222, 232 extend under the busbars 208, 218 and are symmetrical in shape and size.
Dans la septième variante, illustrée sur la figure 3d, par rapport à la variante représentée sur la figure 3c, les deux couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étendent même davantage vers l'extérieur que les barres omnibus 208, 218 dans la direction X. Dans une variante, une seule des couches de suppression de mode transversal 222, 232 s'étend davantage vers l'extérieur que les barres omnibus 208, 218.In the seventh variation, shown in Fig. 3d, compared to the variation shown in Fig. 3c, the two transverse mode suppression layers 222, 232 extend even further outward than the busbars 208, 218 in the X direction. Alternatively, only one of the transverse mode suppression layers 222, 232 extends further outward than the busbars 208, 218.
Dans la huitième variante représentée sur la figure 3e, par rapport au mode de réalisation représenté sur la figure 1a, les couches de suppression de mode transversal 222, 232 ont une forme convexe ou concave afin d'améliorer le confinement de mode lorsque moins d'énergie est rayonnée au niveau du bord du transducteur interdigité.In the eighth variant shown in Fig. 3e, compared to the embodiment shown in Fig. 1a, the transverse mode suppression layers 222, 232 have a convex or concave shape in order to improve mode confinement when less than energy is radiated at the edge of the interdigital transducer.
Dans la neuvième variante, comme représenté sur la figure 3f, différentes formes peuvent être utilisées pour les couches de suppression de mode transversal 222, 232. Sur la figure 3f, la forme de la seconde couche de suppression de mode transversal 232 est arrondie, tandis que la forme de la première couche de suppression de mode transversal 222 est pointue. La forme arrondie des couches de suppression de mode transversal 232 est arrondie avec des angles à différentes valeurs pour rompre tout effet de synchronisme possible. Ceci est également le cas pour des motifs pointus, les angles étant choisis d'une manière telle qu'aucune cohérence ne survient d'un bord d'électrode à un autre.In the ninth variant, as shown in Fig. 3f, different shapes can be used for the transverse mode suppression layers 222, 232. In Fig. 3f, the shape of the second transverse mode suppression layer 232 is rounded, while that the shape of the first transverse mode suppression layer 222 is pointed. The rounded shape of the transverse mode canceling layers 232 are rounded with angles at different values to break any possible synchronism effect. This is also the case for sharp patterns, the angles being chosen in such a way that no coherence occurs from one electrode edge to another.
La figure 4 est un diagramme schématique des étapes du procédé de fabrication d'une structure de transducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention et de quelconques de ses variantes.Figure 4 is a schematic diagram of the steps of the method of manufacturing a transducer structure according to the first embodiment of the invention and any of its variants.
Selon l'étape a), un substrat piézoélectrique 420 est fourni. Sur la figure 4, le substrat piézoélectrique 420 est un substrat composite, comprenant une couche piézoélectrique 440 sur un substrat de base 444. Dans ce mode de réalisation, une couche de SiO2est également présente entre le substrat de base 444 et la couche piézoélectrique 440.According to step a), a piezoelectric substrate 420 is provided. In FIG. 4, the piezoelectric substrate 420 is a composite substrate, comprising a piezoelectric layer 440 on a base substrate 444. In this embodiment, a layer of SiO 2 is also present between the base substrate 444 and the piezoelectric layer 440.
Selon une première variante 1), deux couches de suppression de mode transversal 422 et 432 sont fournies en dopant la couche piézoélectrique 440 avec une dose différente par rapport au reste du substrat piézoélectrique 420 dans au moins une zone du substrat piézoélectrique 420.According to a first variant 1), two transverse mode suppression layers 422 and 432 are provided by doping the piezoelectric layer 440 with a different dose compared to the rest of the piezoelectric substrate 420 in at least one zone of the piezoelectric substrate 420.
Cette étape comprend une implantation ou une diffusion d'espèces atomiques, en particulier du Ti, pour modifier la concentration des espèces atomiques dans le substrat piézoélectrique de la couche de suppression de mode transversal.This step comprises an implantation or a diffusion of atomic species, in particular Ti, to modify the concentration of the atomic species in the piezoelectric substrate of the transverse mode suppression layer.
Selon une variante supplémentaire, l'étape consistant à fournir la couche de suppression de mode transversal peut être un processus d'échange de protons.Alternatively, the step of providing the transverse mode suppression layer may be a proton exchange process.
Le processus d'échange de protons comprend un échange de protons basique à partir d'une source de protons organique et un post-traitement de recuit, qui implique uniquement un chauffage de l'échantillon pour redistribuer les ions lithium et hydrogène.The proton exchange process includes a basic proton exchange from an organic proton source and an annealing post-treatment, which only involves heating the sample to redistribute the lithium and hydrogen ions.
La technique d'échange de protons est décrite par Chung et al, «Proton-Exchanged 36° Y-X LiTaO3Waveguides for Surface Acoustic Wave», IEEE transactions on UFFC, vol. 53, no. 2, 2006. L'utilisation de P-E permet de modifier localement la couche piézoélectrique. La technique d'échange de protons est une technique intéressante pour une approche industrielle afin d'obtenir l'effet attendu comme elle ne va pas affecter la rugosité de surface et se conforme par conséquent parfaitement à un traitement de technologie planétaire tel qu'utilisé dans l'industrie des SAW.The proton exchange technique is described by Chung et al, "Proton-Exchanged 36° YX LiTaO 3 Waveguides for Surface Acoustic Wave", IEEE transactions on UFFC, vol. 53, no. 2, 2006. The use of PE allows local modification of the piezoelectric layer. The proton exchange technique is an attractive technique for an industrial approach to achieve the expected effect as it will not affect the surface roughness and therefore conforms perfectly to a planetary technology treatment as used in the SAW industry.
Selon une deuxième variante 2) du procédé, l'étape consistant à fournir la couche de suppression de mode transversal est une étape de dépôt de couche de passivation. La couche déposée peut être une couche de passivation diélectrique, plus particulièrement une couche de SiO2.According to a second variant 2) of the method, the step consisting in providing the transverse mode suppression layer is a passivation layer deposit step. The deposited layer can be a dielectric passivation layer, more particularly a layer of SiO 2 .
La couche de passivation 446 est déposée sur le substrat piézoélectrique 424, afin de former les première et seconde couches de suppression de mode transversal 422 et 432.Passivation layer 446 is deposited on piezoelectric substrate 424 to form first and second cross-mode suppression layers 422 and 432.
Selon une troisième variante 3d), la couche de passivation peut être au moins partiellement intégrée dans le substrat piézoélectrique 440. Cette variante comporte une étape de gravure, afin d'enlever une partie du substrat piézoélectrique 440 dans les zones 422, 432, ou tout autre processus qui permet de réduire l'épaisseurtdu substrat piézoélectrique 440 dans les zones 422, 432. La couche de passivation est ensuite déposée localement ou totalement sur le substrat, et une étape de polissage chimico-mécanique (CMP) est appliquée pour récupérer une surface parfaitement plane conformément à l'exigence habituelle de fabrication de SAW.According to a third variant 3d), the passivation layer can be at least partially integrated into the piezoelectric substrate 440. This variant includes an etching step, in order to remove part of the piezoelectric substrate 440 in the zones 422, 432, or all another process which makes it possible to reduce the thickness t of the piezoelectric substrate 440 in the zones 422, 432. The passivation layer is then deposited locally or totally on the substrate, and a step of chemical-mechanical polishing (CMP) is applied to recover a perfectly flat surface in accordance with the usual manufacturing requirement of SAW.
Ensuite, une paire d'électrodes en peigne interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, en utilisant une combinaison d'étapes de dépôt de couche et de réalisation de motif, comme représenté sur la figure 4c.Next, a pair of interdigital comb electrodes are formed on the piezoelectric substrate, using a combination of layer deposition and patterning steps, as shown in Figure 4c.
Selon une quatrième variante de l'invention, comme représenté sur la figure 5, la couche de passivation peut être dotée d'un motif par un processus de «lift-off» ou détachement, de telle sorte que les côtés de la couche de passivation sont inclinés de telle manière que les électrodes en peigne déposées recouvrent ces côtés sans rupture, fournissant une réduction régulière et continue de la vitesse de phase dans la zone correspondante. Dans ce cas, aucune gravure n'est nécessaire, gardant ainsi le substrat dans de bonnes conditions. Des masques d'alignement doivent cependant être déposés pour préparer la surface selon les processus technologiques habituels dans ce but.According to a fourth variation of the invention, as shown in Figure 5, the passivation layer may be patterned by a "lift-off" or detachment process, such that the sides of the passivation layer are angled in such a way that the deposited comb electrodes overlap these sides without breaking, providing a smooth and continuous phase velocity reduction in the corresponding area. In this case, no etching is necessary, thus keeping the substrate in good condition. Alignment masks must however be deposited to prepare the surface according to the usual technological processes for this purpose.
Comme première étape a), le substrat POI 420 est nettoyé avec un processus au plasma O2. Ensuite, un dépôt d'un film de résine photosensible 448, en particulier par revêtement par centrifugation, est effectuée (étape b)). Une étape de lithographie à UV est effectuée à travers un masque UV 450 sur le film de résine photosensible 448 en tant qu'étape c), de manière à obtenir un film de résine photosensible à motif ayant une pluralité de structures 452 avec des bords de paroi inclinés, à l'étape d). À l'étape e), la couche de passivation 446 est déposée sur le substrat POI 420 et sur le film de résine photosensible à motif 450, ainsi également entre les structures 452 du film de résine photosensible à motif 450 pour former les couches de suppression de mode transversal 422, 432. Du fait des bords de paroi inclinés des structures 452 du film de résine photosensible à motif 450, le dépôt de la couche de passivation 446 sur les substrats POI 420 résulte en ce que la couche de passivation 446 soit déposée entre les structures 452 du film de résine photosensible à motif 448 et comprenne également des bords de paroi inclinés, comme représenté à l'étape e). Enfin, une étape f) est effectuée pour enlever les structures 452 du film de résine photosensible à motif 450 avec la couche de passivation 446 sur le dessus, et seule la couche de passivation446 présente directement sur le substrat POI 420 entre les structures 452 du film de résine photosensible à motif 450 est laissée sur la surface du substrat POI 420.As a first step a), the POI substrate 420 is cleaned with an O 2 plasma process. Next, a deposition of a film of photosensitive resin 448, in particular by spin coating, is carried out (step b)). A UV lithography step is performed through a UV mask 450 on the photoresist film 448 as step c), so as to obtain a patterned photoresist film having a plurality of structures 452 with edges of inclined walls, in step d). In step e), the passivation layer 446 is deposited on the POI substrate 420 and on the patterned photoresist film 450, thus also between the structures 452 of the patterned photoresist film 450 to form the suppression layers 422, 432. Due to the angled wall edges of the structures 452 of the patterned photoresist film 450, the deposition of the passivation layer 446 on the POI substrates 420 results in the passivation layer 446 being deposited between the structures 452 of the patterned photoresist film 448 and also includes angled wall edges, as shown in step e). Finally, a step f) is performed to remove the structures 452 from the patterned photoresist film 450 with the passivation layer 446 on top, and only the passivation layer 446 present directly on the POI substrate 420 between the structures 452 of the film of patterned photoresist 450 is left on the surface of the POI 420 substrate.
Selon le procédé de l'invention, les électrodes interdigitées sont formées au-dessus de la couche de suppression de mode transversal et du substrat piézoélectrique. La couche de suppression de mode transversal est formée avant que les électrodes interdigitées soient formées. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique, où les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées.According to the method of the invention, the interdigital electrodes are formed above the transverse mode suppression layer and the piezoelectric substrate. The transverse mode suppression layer is formed before the interdigital electrodes are formed. Unlike prior art devices, where the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and then a transverse mode suppression layer is formed on the interdigital electrodes.
Selon une variante de l'invention, les électrodes interdigitées sont formées au-dessus de la première et/ou seconde couche de suppression de mode transversal et du substrat piézoélectrique. Les couches de suppression de mode transversal sont ainsi formées avant que les électrodes interdigitées soient formées. Contrairement aux dispositifs de l'état de la technique, où les électrodes interdigitées sont formées sur le substrat piézoélectrique, et ensuite une couche de suppression de mode transversal est formée sur les électrodes interdigitées.According to a variant of the invention, the interdigital electrodes are formed above the first and/or second transverse mode suppression layer and the piezoelectric substrate. The transverse mode suppression layers are thus formed before the interdigital electrodes are formed. Unlike prior art devices, where the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and then a transverse mode suppression layer is formed on the interdigital electrodes.
Divers modes de réalisation de l'invention ont été décrits. Il convient néanmoins de comprendre que diverses modifications et améliorations peuvent être réalisées sans sortir des revendications annexées.Various embodiments of the invention have been described. It should nevertheless be understood that various modifications and improvements can be made without departing from the appended claims.
Claims (18)
un substrat piézoélectrique (120, 140), en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique (140, 440) sur un substrat de base (144, 444);
au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées (102, 112) formées sur le substrat piézoélectrique (120, 170),
dans laquelle la première électrode en peigne (102) comprend une première barre omnibus (108) et une pluralité de doigts d'électrode (104) alternés avec des doigts d'électrode factices plus courts (106), tous s'étendant à partir de la première barre omnibus (108),
dans laquelle la seconde électrode en peigne (112) comprend une seconde barre omnibus (118) et une pluralité de doigts d'électrode (114) s'étendant à partir de la seconde barre omnibus (118),
dans laquelle les doigts d’électrode factices (106) de la première barre omnibus (108) font face aux doigts d'électrode (114) de la seconde barre omnibus (118) et sont séparées des doigts d'électrode (114) par des premiers espaces (110a),
caractérisée en ce qu'elle comprend en outre
une couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) fournie partiellement sous le premier espace (110a) et choisie de telle sorte que la vitesse de phase d'une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal (122, 132, 222, 232, 422, 432) par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans la zone centrale (136) sous les doigts d'électrode alternés (104, 114) des première et seconde électrodes en peigne (102, 112).A transducer structure having transverse mode suppression means, in particular for a single-port resonator, comprising:
a piezoelectric substrate (120, 140), in particular a piezoelectric composite substrate comprising a piezoelectric layer (140, 440) on a base substrate (144, 444);
at least one pair of interdigitated comb electrodes (102, 112) formed on the piezoelectric substrate (120, 170),
wherein the first comb electrode (102) includes a first busbar (108) and a plurality of electrode fingers (104) alternating with shorter dummy electrode fingers (106), all extending from the first bus bar (108),
wherein the second comb electrode (112) includes a second busbar (118) and a plurality of electrode fingers (114) extending from the second busbar (118),
wherein the dummy electrode fingers (106) of the first bus bar (108) face the electrode fingers (114) of the second bus bar (118) and are separated from the electrode fingers (114) by leading spaces (110a),
characterized in that it further comprises
a transverse mode suppression layer (122, 132, 222, 232, 422, 432) provided partially below the first gap (110a) and chosen such that the phase velocity of a guided wave is lower in the region of the transverse mode suppression layer (122, 132, 222, 232, 422, 432) with respect to the phase velocity of the guided wave in the central region (136) under the alternating electrode fingers (104, 114 ) first and second comb electrodes (102, 112).
a) fournir un substrat piézoélectrique, en particulier un substrat composite piézoélectrique comprenant une couche piézoélectrique sur un substrat de base;
b) former au moins une paire d'électrodes en peigne interdigitées sur le substrat piézoélectrique, dans lequel la première électrode en peigne comprend une première barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternés et de doigts d'électrode factices plus courts, tous s'étendant à partir de la première barre omnibus, la seconde électrode en peigne comprend une seconde barre omnibus et une pluralité de doigts d'électrode alternéss'étendant à partir de la seconde barre omnibus, les électrodes factices de la première barre omnibus font face aux doigts d'électrode de la seconde barre omnibus et sont séparées des doigts d'électrode par des premiers espaces,
caractérisé en ce qu’il comprend en outre
une étape c) avant l’étape b) de fournir une couche de suppression de mode transversal de telle sorte qu’après l’étape c), la couche de suppression de mode transversal est partiellement sous le premier espace, dans lequel la couche de suppression de mode transversal est choisie de telle sorte que la vitesse de phase d’une onde guidée est inférieure dans la zone de la couche de suppression de mode transversal par rapport à la vitesse de phase de l’onde guidée dans le substrat piézoélectrique dans la zone centrale sous les doigts d’électrode alternés des première et seconde électrodes en peigne.A method of manufacturing a transducer structure comprising the steps of:
a) providing a piezoelectric substrate, in particular a piezoelectric composite substrate comprising a piezoelectric layer on a base substrate;
b) forming at least one pair of interdigital comb electrodes on the piezoelectric substrate, wherein the first comb electrode comprises a first bus bar and a plurality of alternating electrode fingers and shorter dummy electrode fingers, all extending from the first busbar, the second comb electrode includes a second busbar and a plurality of alternating electrode fingersextending from the second busbar, the dummy electrodes of the first busbar face each other to the electrode fingers of the second bus bar and are separated from the electrode fingers by first gaps,
characterized in that it further comprises
a step c) before step b) of providing a transverse mode suppression layer such that after step c), the transverse mode suppression layer is partially under the first space, in which the layer of transverse mode suppression is chosen such that the phase velocity of a guided wave is lower in the area of the transverse mode suppression layer than the phase velocity of the guided wave in the piezoelectric substrate in the central area under the alternating electrode fingers of the first and second comb electrodes.
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